JP4896367B2 - 電子部品の処理方法及び装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1実施形態について、図1乃至図11を参照して説明する。
次に、本発明の第2実施形態について、図12及び図13を参照して説明する。図12は、マイクロプラズマ源6と端子部となる部分4の断面図である。メッキ処理前は、端子部となる部分4は被覆線の形態を有し、銅を主成分とする線材9の表面に、樹脂10が被覆されている。マイクロプラズマ源6は、誘電体製筒11と、誘電体製筒11を挟んで相対する2つの電極12及び13から成り、誘電体製筒11内にガスを供給するガス供給装置(図示せず)と、2つの電極間に電力を供給する電源(図示せず)とを備える。図の下から上に向かって誘電体筒11内に希ガスとしてのヘリウム、酸素及びフッ素を含むガスとしてのCF4ガスを供給しつつ、電極12及び13管に13.56MHzの高周波電力を供給することにより、誘電体筒11内にプラズマ14が発生する。なお、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒11の断面形状は概ね長方形であり、複数の被覆線からなる撚り線の処理に適した構成となっている。すなわち、図13に示すように、撚り線の端をほどき、各被覆線が点線のように概ね直線状に並ぶように形を整え、誘電体製筒11に挿入することにより、撚り線をほどかずにそのまま大きめの誘電体製筒11に挿入する場合よりも高速に被覆除去が可能となる。
次に、本発明の第3実施形態について、図14を参照して説明する。図14は、端子部にプラズマを照射するためのマイクロプラズマ源の一例を示す断面図である。図14において、メッキ処理前は、端子部となる部分4は被覆線の形態を有し、銅を主成分とする線材9の表面に、樹脂10が被覆されている。内管31及び外管32から成る2重の誘電体製筒を用いて、内管31または外管32の一方から希ガスを吹き出し、他の一方から酸素およびフッ素を含むガスを含むガスを吹き出すとともに、外管32を挟んで相対する2つの電極12及び13間に電力を供給してプラズマを発生させる。また、ガス流の下流側の内管31及び外管32の長さが概ね等しく、端子部4を誘電体製筒の下流に配置してプラズマを照射する。図では、内管31に希ガスとしてのヘリウムガス、外管32に酸素及びフッ素を含むガスとしてのCF4ガスを供給した場合のプラズマ14の発生する様子を示している。プラズマはヘリウムガス濃度が十分に高い領域でしか発生しないため、外管32の内壁と内管31の外壁の間ではプラズマは発生していない。しかし、誘電体製筒の下流域では、プラズマの外辺部でヘリウムガスと酸素及びCF4ガスの混合が起き、活性な酸素ラジカル、フッ素ラジカルを生成するため、極めて高速に被覆の剥離が行える。本発明の第1または第2実施形態では、ヘリウムに酸素及びフッ素を含むガスを混合したガスが流れている誘電体製筒内にプラズマを発生させているので、ヘリウムのみのプラズマに比べてプラズマ密度が低く、第3実施形態に比較して処理速度が若干遅くなる傾向が認められた。なお、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒の断面形状は概ね円形であり、単線の被覆線の処理に適した構成となっている。一方、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒の断面形状を概ね長方形とすることにより、複数の被覆線からなる撚り線の処理に適した構成とすることも可能である。すなわち、撚り線の端をほどき、各被覆線が点線のように概ね直線状に並ぶように形を整え、誘電体製筒に挿入することにより、撚り線をほどかずにそのまま大きめの誘電体製筒に挿入する場合よりも高速に被覆除去が可能となる。
次に、本発明の第4実施形態について、図15を参照して説明する。図15は、端子部にプラズマを照射するためのマイクロプラズマ源の一例を示す断面図である。図15において、メッキ処理前は、端子部となる部分4は被覆線の形態を有し、銅を主成分とする線材9の表面に、樹脂10が被覆されている。内管31及び外管32から成る2重の誘電体製筒を用いて、内管31または外管32の一方から希ガスを吹き出し、他の一方から酸素およびフッ素を含むガスを含むガスを吹き出すとともに、外管32を挟んで相対する2つの電極12及び13間に電力を供給してプラズマを発生させる。また、ガス流の下流側の内管31及び外管32の長さが概ね等しく、端子部4を誘電体製筒の下流に配置してプラズマを照射する。図では、内管31に酸素及びフッ素を含むガスとしてのCF4ガス、外管32に希ガスとしてのヘリウムガスを供給した場合のプラズマ14の発生する様子を示している。プラズマはヘリウムガス濃度が十分に高い領域でしか発生しないため、内管31の内部にはプラズマは発生していない。しかし、誘電体製筒の下流域では、プラズマの外辺部(リング状プラズマの内側)でヘリウムガスと酸素及びCF4ガスの混合が起き、活性な酸素ラジカル、フッ素ラジカルを生成するため、極めて高速に被覆の剥離が行える。本発明の第1または第2実施形態では、ヘリウムに酸素及びフッ素を含むガスを混合したガスが流れている誘電体製筒内にプラズマを発生させているので、ヘリウムのみのプラズマに比べてプラズマ密度が低く、第4実施形態に比較して処理速度が若干遅くなる傾向が認められた。なお、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒の断面形状は概ね円形であり、単線の被覆線の処理に適した構成となっている。一方、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒の断面形状を概ね長方形とすることにより、複数の被覆線からなる撚り線の処理に適した構成とすることも可能である。すなわち、撚り線の端をほどき、各被覆線が点線のように概ね直線状に並ぶように形を整え、誘電体製筒に挿入することにより、撚り線をほどかずにそのまま大きめの誘電体製筒に挿入する場合よりも高速に被覆除去が可能となる。
次に、本発明の第5実施形態について、図16及び図17を参照して説明する。図16は、端子部にプラズマを照射するためのマイクロプラズマ源の一例を示す断面図である。図16において、メッキ処理前は、端子部となる部分4は被覆線の形態を有し、銅を主成分とする線材9の表面に、樹脂10が被覆されている。内管31及び外管32から成る2重の誘電体製筒を用いて、内管31または外管32の一方から希ガスを吹き出し、他の一方から酸素およびフッ素を含むガスを含むガスを吹き出すとともに、外管32を挟んで相対する2つの電極12及び13間に電力を供給してプラズマを発生させる。また、ガス流の下流側の内管31の長さが外管32の長さより短く、端子部4を、外管32の内側で、かつ、内管31のガス吹き出し口よりも下流の位置に挿入した状態でプラズマを照射する図16は端子部4を挿入する前の状態を示す。図17は、端子部4を挿入した状態を示す。図では、内管31に希ガスとしてのヘリウムガス、外管32に酸素及びフッ素を含むガスとしてのCF4ガスを供給した場合のプラズマ14の発生する様子を示している。プラズマはヘリウムガス濃度が十分に高い領域でしか発生しないため、外管32の内壁と内管31の外壁の間ではプラズマは発生していない。しかし、内管31の下流域で、かつ、外管32の内側の部分では、プラズマの外辺部でヘリウムガスと酸素及びCF4ガスの混合が起き、活性な酸素ラジカル、フッ素ラジカルを生成するため、極めて高速に被覆の剥離が行える。本発明の第1または第2実施形態では、ヘリウムに酸素及びフッ素を含むガスを混合したガスが流れている誘電体製筒内にプラズマを発生させているので、ヘリウムのみのプラズマに比べてプラズマ密度が低く、第5実施形態に比較して処理速度が若干遅くなる傾向が認められた。なお、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒の断面形状は概ね円形であり、単線の被覆線の処理に適した構成となっている。一方、図のD−D‘で切った断面における誘電体製筒の断面形状を概ね長方形とすることにより、複数の被覆線からなる撚り線の処理に適した構成とすることも可能である。すなわち、撚り線の端をほどき、各被覆線が点線のように概ね直線状に並ぶように形を整え、誘電体製筒に挿入することにより、撚り線をほどかずにそのまま大きめの誘電体製筒に挿入する場合よりも高速に被覆除去が可能となる。
2 コイルボビン
3 コイル部
4 端子部となる部分
5 ハンドラ
6 マイクロプラズマ源
7 ガス供給装置
8 高周波電源
Claims (2)
- 誘電体製筒と、前記誘電体製筒を挟んで相対する2つの電極からなり、端子部を前記誘電体製筒に挿入しつつ、前記2つの電極間に電力を供給することで前記誘電体製筒内にプラズマを発生させ、前記端子部を有する電子部品を処理する方法であって、
銅を主成分とし、かつ、表面が樹脂で被覆された線径がφ0.01mm以上φ0.1mm以下の被覆線から成る前記端子部に、希ガス、酸素及びフッ素を含むガスの混合ガスを用いて発生させたプラズマを照射するに際して、前記希ガスの比率を90%以上99.9%以下とすることを特徴とする電子部品の処理方法。 - 希ガスがヘリウムガスを主体とするガスであることを特徴とする、請求項1記載の電子部品の処理方法。
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