Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteil mit zugehö
riger Leiterplatte bzw. Umverdrahtungsplatte und ein Verfah
ren zu seiner Herstellung gemäß den unabhängigen Ansprüchen.
Beim Löten von elektronischen Bauteilen auf Leiterplatten
wird Lot an der Verbindungsstelle vom Bauteil mit der Leiter
bahn erhitzt, wobei es zerfließt und für eine feste mechani
sche und elektrische Verbindung sorgt. Allerdings muss beim
Lötprozess dafür gesorgt werden, das Lot auf die Anschluss
kontakte zu begrenzen, da ansonsten die Gefahr besteht, dass
das Lot durch Benetzung der an die Anschlusskontakte angren
zenden Anschlussleiterbahnen abfließt. Dies würde dazu füh
ren, das an der eigentlichen Lötstelle zu wenig Lot für eine
zuverlässige Verbindung beider Partner verbleibt.
Um das Abfließen von Lot auf angrenzende Leiterbahnen zu ver
hindern, ist es bekannt, diese mit einem Lack, einem soge
nannten Lötstopplack, oder auch mit einer geeigneten Folie
abzudecken.
Eine weitere bekannte Maßnahme ist es, für die Leiterbahnen
und für die Anschlusskontakte verschiedene Metalle einzuset
zen, wobei nur der Anschlusskontakt aus einem mit Lot benetz
baren Metall besteht. Als solche Metalle kommen beispielswei
se Kupfer, Silber oder Gold in Frage. Dagegen kann die Ober
fläche der Leiterbahnen aus einem nicht durch Lot benetzbaren
Metall bestehen, beispielsweise aus Aluminium oder Titan.
Schließlich besteht noch die Möglichkeit, die Leiterbahn in
einer tieferen Ebene als den Anschlusskontakt anzuordnen, wo
bei zur Verbindung von Leiterbahn und Anschlusskontakt eine
Durchgangsverbindung, ein sogenanntes Via vorgesehen ist. Al
lerdings ist eine derartige Anordnung nur bei mehrlagigen
Schaltungen möglich.
Aufgabe der Erfindung ist es, bei einer Anordnung mit einem
elektronischen Bauteil und einer zugehörigen Umverdrahtungs
platte eine zuverlässige elektrische Verbindung von An
schlusskontakten und Leiterbahnen der Umverdrahtungsplatte
sicherzustellen.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand bzw. mit dem Verfahren
gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Merkmale vorteil
hafter Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den je
weiligen abhängigen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß sind bei einer Anordnung mit wenigstens einem
elektronischen Bauteil mit zugehörigen Kontaktanschlüssen und
mit wenigstens einer elektrisch mit dem elektronischen Bau
teil gekoppelten Leiterplatte mit Außenkontakten zumindest
die metallischen Oberflächen der Anordnung von einer plas
mapolymerisierten Polymerschicht bedeckt. Die erfindungsgemä
ße Anordnung hat den Vorteil, dass die plasmapolymerisierte
Polymerschicht beim Löten wirksam ein Abfließen des Lots von
Kontaktierungsstellen auf angrenzende Leiterbahnen des Bau
elements und der Umverdrahtungs- bzw. Leiterplatte verhindert
und gleichzeitig für einen wirksamen Korrosionsschutz der me
tallischen Oberflächen sorgen kann.
In einer Ausführungsform der Erfindung sind alle Oberflächen
des wenigstens einen elektronischen Bauteils und der wenig
stens einen Leiterplatte von der plasmapolymerisierten Poly
merschicht bedeckt. Diese Ausführungsform hat insbesondere
den Vorteil, dass auf diese Weise ein optimaler Korrosions
schutz aller Bauteile und insbesondere der metallischen Ober
flächen sichergestellt werden kann.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
das wenigstens eine elektronische Bauteil ein Halbleiterchip
ist. Besonders beim Verlöten von Halbleiterchips mit ihren
sehr kleinen und sehr zahlreichen elektrischen Lötverbindun
gen muss sichergestellt werden, dass nicht zuviel Lot an den
Lötstellen verflüssigt werden muss, damit die Halbleiterchips
möglichst kurzzeitig erhitzt werden, um keinen Schaden zu
nehmen. Ein Abfließen des Lots auf die Leiterbahnen einer Um
verdrahtungsplatte würde den Einsatz von mehr Lot und ein
längeres Erhitzten erfordern, so dass insbesondere bei sol
chen Anordnungen eine Beschichtung mit, einer Polymerschicht
vorteilhaft ist.
Bei einer weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsform ist vor
gesehen, dass die Polymerschicht an Lötstellen von elektri
schen Kontakten teilweise verbrannt und/oder verdampft ist.
Dies hat den Vorteil, dass die zu verlötenden Einzelteile vor
dem Lötvorgang bereits mit der Polymerschicht bedeckt sein
können, wobei diese beim Verlöten durch die Aufbringung der
für das Löten erforderlichen Temperatur auf einfache Weise
verbrannt und/oder verdampft wird. Die Polymerschicht wirkt
auf diese Weise als Lötstoppschicht und sorgt nach dem Verlö
ten für einen wirksamen Korrosionsschutz.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es vor
gesehen, dass alle Lötstellen von elektrischen Kontakten
vollständig und luftdicht von der Polymerschicht umhüllt
sind. Dies kann insbesondere dadurch erreicht werden, dass
die Polymerschicht vor dem Löten an den entsprechenden Kon
taktanschlussflächen entfernt wird. Danach werden die Partner
miteinander verlötet, wobei die Polymerschicht als zuverläs
sige Lötstoppschicht wirkt. Diese Anordnung hat zudem den
Vorteil, dass die Lötstellen anschließend nahezu vollständig
von der Polymerbeschichtung umschlossen sind, womit wiederum
ein wirksamer Korrosionsschutz gewährleistet ist.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
die Polymerschicht eine Schichtdicke von wenigstens 5 Nanome
tern (nm) aufweist, womit sichergestellt ist, dass auch bei
längerkettigen Polymeren in der Schicht eine zuverlässige Bedeckung
aller Bauteile mit einer Vielzahl von Atomlagen er
folgt ist.
In einer zusätzlichen Ausführungsform der Erfindung weist die
Polymerschicht eine Schichtdicke zwischen 5 und 50 Nanometern
auf, was den Vorteil hat, dass einerseits eine Mindest
schichtdicke vorhanden ist, die auch bei sehr langkettigen
Polymeren in der Polymerschicht eine zuverlässige und ge
schlossene Beschichtung sicherstellt. Andererseits ist die
Schichtdicke derart begrenzt, dass die Plasmapolymerschicht
den Lötvorgang bei einem Kontakt mit der Lötpaste nicht be
hindert.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
die Polymerschicht eine polytetrafluorethylenhaltige (teflon
haltige) Polymerschicht ist. Ein während der Plasmabeschich
tung eingebrachter nicht zu geringer Anteil an Polytetrafluo
rethylen in der Polymerschicht hat den Vorteil, dass auf die
se Weise eine besonders temperaturbeständige Schicht reali
siert werden kann, die bei der beim Löten entstehenden Hitze
nicht schmelzen oder verbrennen kann, so dass die Beschich
tung auch in unmittelbarer Nähe der Lötstellen völlig unver
sehrt bleiben kann.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
die Polymerschicht eine silikonhaltige Polymerschicht ist.
Ein während der Plasmabeschichtung eingebrachter nicht zu ge
ringer Anteil an Silikonen in der Polymerschicht hat den Vor
teil, dass auf diese Weise eine besonders flexible und zähe
und damit mechanisch widerstandsfähige Verbindung für die Be
schichtung zu realisieren ist.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
die Anordnung mehrere Halbleiterchips umfasst, die in einer
dreidimensionalen Topografie miteinander verbunden sind. Ins
besondere bei einer derartigen dreidimensionalen, d. h. bspw.
mehrlagigen Anordnung von Halbleiterchips und diesen zugeordneten
Umverdrahtungsplatten kommen die Vorteile der erfin
dungsgemäßen plasmapolymerisierten Polymerbeschichtung zum
Tragen, da diese Beschichtung auch bei verwinkelten und
schwer zugänglichen mehrlagigen Strukturen überall gleichmä
ßig aufgetragen werden kann, wodurch an allen gewünschten
Stellen eine Beschichtung vorliegt, die als Lötstoppschicht
wirkt und das Abfließen des Lotes auf Leiterbahnen verhindern
kann.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
die dreidimensionale Struktur durch Verlöten der Halbleiter
chips mit Verbindungsabschnitten hergestellt ist. Solche Ver
bindungsabschnitte können bspw. dreidimensionale Leiterplat
ten bzw. Umverdrahtungsplatten sein. Eine Polymerbeschichtung
einer derartigen Struktur weist den Vorteil auf, dass auch
bei ansonsten unzugänglichen Stellen, die kaum oder nur
schwer mittels Lötstopplack erreicht werden könnten, eine
gleichmäßige Beschichtung erfolgen kann.
Eine weitere Ausführungsform der Erfindung sieht vor, dass
die dreidimensionale Struktur in Form von sogenannten Molded
Interconnect Devices gebildet ist. Darunter werden dreidimen
sionale Strukturen von elektrisch und mechanisch miteinander
verbundenen Halbleiterchips verstanden. Auch hier gilt das
oben gesagte, dass diese dreidimensionalen Strukturen sich
wesentlich leichter mittels Plasmapolymerisation beschichten
lassen als sie beispielsweise lackiert werden können. Somit
lassen sich diese Strukturen zuverlässig mit einer Schicht
umhüllen, die ein Fließen des Lots auf Leiterbahnen verhin
dert.
Erfindungsgemäß werden bei einem Verfahren zur Herstellung
einer Anordnung mit wenigstens einem elektronischen Bauteil
mit zugehörigen Kontaktanschlüssen und mit wenigstens einer
elektrisch mit dem elektronischen Bauteil gekoppelten Leiter
platte mit Außenkontakten zumindest die metallischen Oberflä
chen der Anordnung von einer plasmapolymerisierten Polymerschicht
bedeckt. Dabei ist vorgesehen, dass das Verfahren zu
mindest die nachfolgenden Verfahrensschritte umfasst. Zu
nächst werden die zu verlötenden Einzelteile der Anordnung
bereitgestellt, wonach alle zu verlötenden Anschlusskontakte
der Anordnung mit einer Lötpaste maskiert werden. Die auf
diese Weise vorbereiteten Einzelteile werden anschließend
einzeln oder gemeinsam in eine Plasmakammer eingebracht, wo
auf die Anordnung mittels Plasmapolymerisation eine Polymer
schicht aufgebracht wird. Danach wird die Anordnung bzw. de
ren Einzelteile wieder aus der Plasmakammer herausgenommen.
Die Polymerisation kann an den zu verlötenden Kontaktstellen
entfernt werden. Schließlich werden die elektrischen Verbin
dungen der Anordnung miteinander verlötet.
Dieses erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass alle
zu kontaktierenden Lötstellen sowie alle übrigen metallischen
Schichten und Leiterbahnen von einer Polymerschicht bedeckt
sind, die ein Fließen des Lots auf den Leiterbahnen verhin
dert. Durch die Beschichtung in der Plasmakammer, bei der Mo
nomere und/oder kurzkettige Kohlenwasserstoffe zu längerket
tigen Polymeren unter der Wirkung eines elektrischen Feldes
polymerisieren, kann eine gleichmäßige Beschichtung auch ver
winkelter und komplizierterer Strukturen erfolgen, die bei
spielsweise mittels Lackierung nur schwierig oder nur teil
weise erreicht werden könnten.
Bei einem alternativen Verfahren zur Herstellung einer Anord
nung mit wenigstens einem elektronischen Bauteil mit zugehö
rigen Kontaktanschlüssen und mit wenigstens einer elektrisch
mit dem elektronischen Bauteil gekoppelten Leiterplatte mit
Außenkontakten werden zumindest die metallischen Oberflächen
der Anordnung von einer plasmapolymerisierten Polymerschicht
bedeckt, wobei das Verfahren zumindest folgende Verfahrens
schritte umfasst. Nach dem Bereitstellen der zu verlötenden
Einzelteile der Anordnung erfolgt eine Maskierung aller zu
verlötenden Anschlusskontakte mit einer Lötpaste und eine
Kontaktierung der später zu verlötenden Kontaktstellen. Danach
wird die Anordnung in eine Plasmakammer eingebracht und
mittels Plasmapolymerisation eine Polymerschicht auf die An
ordnung aufgebracht. Anschließend wird die Anordnung wieder
aus der Plasmakammer entnommen und die elektrischen Verbin
dungen verlötet.
Bei diesem alternativen erfindungsgemäßen Verfahren werden
alle Teile zunächst kontaktiert und erst danach mittels Plas
mapolymerisation mit einer Polymerschicht bedeckt. Dies hat
den Vorteil, dass die zu verbindenden Lötstellen bereits in
einem Berührkontakt miteinander stehen und leicht miteinander
verlötet werden können, ohne dass zuvor an diesen Stellen die
Polymerschicht entfernt werden muss. An den unmittelbar an
den Lötstellen angrenzenden metallischen Flächen dagegen ist
eine Polymerschicht vorhanden, die das Fließen des Lots auf
die Leiterbahnen verhindert.
Beim ersten Ausführungsbeispiel des Verfahrens können während
der Plasmapolymerisation alle Oberflächen des wenigstens ei
nen elektronischen Bauteils und der wenigstens einen Leiter
platte von der Polymerschicht bedeckt werden, was neben dem
Vorteil eines zuverlässigen Korrosionsschutzes den weiteren
Vorteil hat, dass die Beschichtung auf diese Weise sehr
schnell und effektiv aufgebracht werden kann und dass dadurch
ein guter Schutz gegen stellenweises Offenliegen von metalli
schen Flächen aufgrund von Abplatzungen oder Unterwanderungen
der Schicht erreicht werden kann.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens ist vor
gesehen, dass bei der Plasmapolymerisation Monomere und/oder
kurzkettige Vorpolymere in der Plasmakammer zu längerkettigen
Kohlenwasserstoffen polymerisiert werden. Dies hat den Vor
teil, dass auf sehr zuverlässige Weise der Prozess beein
flusst und überwacht werden kann, so dass die Beschichtung
aus Polymeren bestimmter gewünschter Moleküllänge bzw. -größe
bestehen kann. Zudem lassen sich auf diese Weise Silikone
und/oder Polytetrafluorethylene zusätzlich zu den Monomeren
und/oder den kurzkettigen Vorpolymeren in die Plasmakammer
einbringen, wodurch die physikalischen Eigenschaften der Po
lymerschicht sehr gezielt beeinflusst werden können.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor,
dass die Maskierung mittels Siebdruck erfolgt, was insbeson
dere den Vorteil einer sehr präzisen Platzierung der Lotpaste
auf den zu verlötenden Stellen hat, wobei das Sieb für unter
schiedliche Strukturen unterschiedlich gestaltet und vorbe
reitet werden kann.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Verfahrens sieht vor,
dass die Maskierung auch mittels Schablonendruck erfolgen
kann, was den Vorteil einer äußerst exakten Aufbringung der
Lotpaste auf die zu kontaktierenden Stellen der Anordnung
hat.
Ein alternatives Ausführungsbeispiel des Verfahrens sieht
vor, dass die Maskierung der Lotpaste mittels Dosieren er
folgt, was insbesondere den Vorteil hat, dass an unterschied
lichen Kontaktstellen auf einfache Weise eine jeweils indivi
duelle Menge an Lotpaste aufgebracht werden kann. Zudem ist
dieses Verfahren sehr einfach und flexibel auf unterschiedli
che zu verarbeitende Chargen anpassbar.
Zusammenfassend ergeben sich bei der erfindungsgemäßen Anord
nung und dem erfindungsgemäßen Verfahren folgende Einzelhei
ten bzw. Verfahrensschritte. Nach der Maskierung der später
zu verlötenden Anschlusskontakte wird eine vorzugsweise dünne
polymere Schicht in einem Plasmaprozess aufgebracht. Diese
polymere Schicht ist nicht durch Lot benetzbar und dient des
halb dazu, als Lötstoppschicht zu fungieren. Die Maskierung,
die vorzugsweise aus Lotpaste besteht, kann beispielsweise
mittels Siebdruck, Schablonendruck oder mittels an sich be
kanntem Dosierverfahren erfolgen. Das Fließverhalten der Löt
paste wird dabei durch die dünne Polymerschicht nicht wesent
lich beeinflusst. Alternativ kann die Erzeugung der Plasmapolymerschicht
auch nach dem Aufbringen der Lötpaste und der
Kontaktierung der jeweils durch Löten zu verbindenden Partner
erfolgen. Die Polymerschicht übernimmt damit bei allen Part
nern die Funktion einer Lötstoppschicht.
Insbesondere bei Partnern mit einer hohen Topografie wie bei
spielsweise bei sogenannten MID (Molded Interconnect Devices)
oder CSP (Chip-Size-Packages) bzw. Waferlevel-CSP mit Höckern
ist das Aufbringen von Lötstopplacken oder -folien mit hohen
technologischen Schwierigkeiten verbunden. Der alternative
Einsatz von Metallen mit unterschiedlicher Lotbenetzbarkeit
erfordert mehrere Prozessschritte und ist damit kosteninten
siv. Zudem besteht bei solchen Konfigurationen das erhöhte
Risiko von Kontaktkorrosionen. Durchgänge, sogenannte Vias,
an den Kontaktanschlussstellen (sogenannte Pads) sind nur bei
mehrlagigen Schaltungen möglich.
Dagegen entfallen bei einer Maskierung mit einer Lotpaste
aufwendige Strukturierungsschritte von Lötstopplacken oder -
folien. Zudem stellt die Plasmapolymerbeschichtung einen
wirksamen Korrosionsschutz dar. Vorteilhaft ist weiterhin,
dass alle zu verbindenden Partner in einem simultanen Prozess
mit einer wirksamen Lötstoppschicht versehen werden können.
Bei zunehmend eingesetzten - als sogenannte Waferlevel-Chip-
Size-Packages bezeichnete - hochintegrierten Bauelementen
sind Höcker vorgesehen, die in einer regelmäßigen Struktur
auf dem Halbleiterchip angeordnet sind. Auf diesen Kontakt
höckern sind Kontaktflächen bzw. Kontaktanschlüsse vorgese
hen, die mittels einer Umverdrahtung mit den in einer Linie
angeordneten Kontaktanschlussflächen des Chips in Verbindung
stehen. Die Kontaktanschlussflächen und die Umverdrahtung
können beispielsweise aus einer galvanisch erzeugten Kup
fer/Nickel/Gold-Metallisierung bestehen, die gut durch Lot
benetzbar ist. Diese Bauelemente müssen auf Leiterplatten
durch Löten kontaktiert werden, damit sogenannte Single-
Inline-Memory-Module (SIM-Module) entstehen. Auf der Leiterplatte
werden durch Siebdruck oder Dispensen auf den An
schlusskontakten Lotpastendepots erzeugt, die Bauelemente
(Waferlevel-Chip-Size-Packages) aufgesetzt und anschließend
eine Polymerbeschichtung mittels Plasmapolymerisation durch
geführt.
Die Schichtdicke kann dabei vorteilhaft zwischen 5 und 50 nm
liegen. Je nach den verwendeten Vorpolymeren oder Gasen las
sen sich eine Vielzahl von organischen Verbindungen herstel
len, beispielsweise teflonartige oder silikonartige Polymere.
Die Kontakte des SIM-Moduls nach außen müssen beim Beschich
tungsprozess abgedeckt werden, was beispielsweise mechanisch
erfolgen kann. Bei dünnen Schichten ist bei späterer Verbin
dung mit geeigneten Steckkontakten auch eine zuverlässige
Kontaktierung trotz der Plasmapolymerisationsschicht möglich,
beispielsweise indem die Steckkontakte klingenartig geformt
sind und sich durch die Beschichtung schneiden bzw. graben
können. Eine Abdeckung bei der Beschichtung ist somit hierbei
nicht notwendig. Nach der Plasmapolymerisation kann der übli
che Lötprozess erfolgen.
Die Erfindung wird nun anhand von Ausführungsformen mit Bezug
auf die beliegenden Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Leiterplatte
mit mehreren Anschlusskontakten und aufgebrachten
Lotdepots,
Fig. 2 eine erfindungsgemäße Anordnung in schematischer
Darstellung, und
Fig. 3 einen Detailausschnitt der erfindungsgemäßen Anord
nung entsprechend Fig. 2 nach der Plasmapolymeri
sation.
Fig. 1 zeigt eine schematische Darstellung einer flachen
Leiterplatte 2 mit mehreren Außenkontakten 4, die nebeneinan
der auf der Oberfläche der Leiterplatte 2 angeordnet sind und
auf denen jeweils kleine Portionen von Lötpaste 6 aufgebracht
sind. Diese Außenkontakte 4 werden in einem späteren Prozess
schritt mit entsprechenden Verbindungskontakten einer Umver
drahtungsmetallisierung eines Halbleiterchips verlötet wer
den.
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Darstellung einen be
reits auf der Leiterplatte 2 platzierten Halbleiterchip 10
mit zugehöriger Umverdrahtungsmetallisierung 12. Diese Umver
drahtungsmetallisierung 12 ist auf ihrer dem Halbleiterchip
10 abgewandten Seite mit Kontaktanschlüssen 16 versehen, die
mit den Außenkontakten 4 auf der Leiterbahn 2 korrespondie
ren.
Die Fig. 3 zeigt einen Detailausschnitt der schematischen
Darstellung entsprechend Fig. 2 mit einer beispielhaften
Kontaktierung zwischen Leiterplatte 2 und Kontaktanschlüssen
16. Der Kontaktanschluss 16 sitzt auf einem Kontakthöcker 18,
der eine halbkugelige Kontur aufweist. Der Kontaktanschluss
16 kann vorzugsweise elastisch federnd ausgestaltet sein, da
mit Unebenheiten und geringe Niveauunterschiede zwischen Um
verdrahtungsmetallisierung 12 und den Außenkontakten 4 der
Leiterplatte 2 ausgeglichen werden können. Bei der Montage
wird die kugelige Oberfläche des Kontakthöckers 18 weitgehend
mittig auf dem Außenkontakt 4 mit der darauf befindlichen
Lötpaste platziert.
Erkennbar ist weiterhin eine die freiliegenden Oberflächen
umhüllende plasmapolymerisierte Polymerschicht 20, die entwe
der bereits vor oder auch nach dem Zusammenfügen der zu ver
bindenden Lötpartner aufgebracht werden kann. Beim anschlie
ßenden Verlöten der Außenkontakte 4 mit dem Kontaktanschluss
16 bzw. mit dem darauf befindlichen Kontakthöcker 18 verhin
dert die Polymerschicht wirksam ein Abfließen des verflüssig
ten Lots auf die an die Außenkontakte 4 anschließenden Lei
terbahnen.
Anhand der Fig. 1 bis 4 wird im Folgenden das erste erfin
dungsgemäße Verfahren beschrieben. Bei dem Verfahren zur Her
stellung einer Anordnung mit wenigstens einem Halbleiterchip
10 mit zugehöriger Umverdrahtungsmetallisierung 12 und darauf
befindlichen Kontaktanschlüssen 16 wird diese mit einer Lei
terplatte 2 mit hier nicht dargestellten Außenkontakten ver
bunden. Zunächst werden bei dem Verfahren die zu verlötenden
Einzelteile der Anordnung bereitgestellt; das sind im darge
stellten Ausführungsbeispiel der Halbleiterchip 10 mit Kon
takthöckern, Umverdrahtungsmetallisierung inklusive Kon
taktnanschlüssen und die Leiterplatte 2. Auf der Leiterplatte
2 werden alle zu verlötenden Außenkontakte 4 mittels Sieb-
oder Schablonendruck mit einer Lötpaste 6 maskiert. Die auf
diese Weise vorbereiteten Einzelteile werden anschließend
einzeln oder gemeinsam in eine Plasmakammer eingebracht, wo
auf die Anordnung mittels Plasmapolymerisation eine Polymer
schicht 20 aufgebracht wird. Danach wird die Anordnung bzw.
deren Einzelteile wieder aus der Plasmakammer herausgenommen.
Schließlich werden die elektrischen Verbindungen der Anord
nung miteinander verlötet, wodurch mechanisch feste und elek
trisch leitende Lötverbindungen zwischen den Kontaktanschlüs
sen 16 und den Außenkontakten der Leiterplatte 2 gebildet
werden.
Das zweite erfindungsgemäße Verfahren entspricht im Wesentli
chen dem ersten erfindungsgemäßen Verfahren. Im Bezug auf die
folgenden Verfahrensschritte weicht das zweite erfindungsge
mäße Verfahren vom ersten ab. Die Kontakthöcker 18 werden be
reits auf die mit Lötpaste 6 versehenen Außenkontakte 4 ge
setzt, wodurch eine zusammengefügte aber noch nicht verlötete
Anordnung entsteht. Danach wird in der Plasmakammer die Poly
merschicht 20 aufgebracht, die alle Teile umhüllt, nicht je
doch die Berührflächen zwischen den Kontaktanschlüssen 16 und
der Lötpaste 6. Das Verlöten der Kontakte erfolgt danach, so
dass wiederum mechanisch feste und elektrisch leitende Löt
verbindungen zwischen den Kontaktanschlüssen 16 und den Au
ßenkontakten der Leiterplatte 2 gebildet werden.
Bezugszeichenliste
2
Leiterplatte bzw. Umverdrahtungsplatte
4
Außenkontakte
6
Lötpaste
10
Halbleiterchip
12
Umverdrahtungsmetallisierung
16
Kontaktanschlüsse
18
Kontakthöcker
20
Polymerschicht
22
Lötverbindung