RU2447030C2 - Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, и стеклоизделие с покрытием, изготовленное этим способом - Google Patents
Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, и стеклоизделие с покрытием, изготовленное этим способом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2447030C2 RU2447030C2 RU2009111381/03A RU2009111381A RU2447030C2 RU 2447030 C2 RU2447030 C2 RU 2447030C2 RU 2009111381/03 A RU2009111381/03 A RU 2009111381/03A RU 2009111381 A RU2009111381 A RU 2009111381A RU 2447030 C2 RU2447030 C2 RU 2447030C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- compound
- coating
- zinc oxide
- group
- containing compound
- Prior art date
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 62
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 16
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 20
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 16
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 6
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 5
- 150000004703 alkoxides Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IGOGAEYHSPSTHS-UHFFFAOYSA-N dimethylgallium Chemical group C[Ga]C IGOGAEYHSPSTHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N diethylalumane Chemical group CC[AlH]CC HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M diethylaluminium chloride Chemical group CC[Al](Cl)CC YNLAOSYQHBDIKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013072 incoming material Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIHKMUNUGQVFES-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetraethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CCN(CC)CC DIHKMUNUGQVFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetic anhydride Chemical compound FC(F)(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)F QAEDZJGFFMLHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KPPVNWGJXFMGAM-UUILKARUSA-N (e)-2-methyl-1-(6-methyl-3,4-dihydro-2h-quinolin-1-yl)but-2-en-1-one Chemical compound CC1=CC=C2N(C(=O)C(/C)=C/C)CCCC2=C1 KPPVNWGJXFMGAM-UUILKARUSA-N 0.000 description 1
- RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,4,5,5,5-decafluoropentane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)C(F)(F)C(F)(F)F RIQRGMUSBYGDBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXHIVSGZDGXOSI-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2-pentafluoroethane 1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(C(F)(F)F)F.FC(C)(F)F TXHIVSGZDGXOSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFMFNYKEUDLDTL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)F YFMFNYKEUDLDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQDXJYBXPOMIBX-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-methylpropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)(C)C(F)(F)F FQDXJYBXPOMIBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZLFPVPRZGTCKP-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3-pentafluorobutane Chemical compound CC(F)(F)CC(F)(F)F WZLFPVPRZGTCKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GILIYJDBJZWGBG-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropropan-2-ol Chemical compound CC(O)C(F)(F)F GILIYJDBJZWGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoropropan-2-one Chemical compound CC(=O)C(F)(F)F FHUDAMLDXFJHJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTROQHBNLSUTL-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,4-hexafluoro-3,4-bis(trifluoromethyl)cyclobutane Chemical compound FC(F)(F)C1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)C(F)(F)F RBTROQHBNLSUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical group FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXRJUEKCPLLSJP-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluoroethane 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FC(C)F.FC(CF)(F)F ZXRJUEKCPLLSJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMDPYAEZDJWNY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3,4,4,5,5-octafluorocyclopentene Chemical compound FC1=C(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F YBMDPYAEZDJWNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVFXLZRISXUAIL-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,4,4,4-hexafluorobutan-1-ol Chemical compound OCC(F)(F)C(F)C(F)(F)F LVFXLZRISXUAIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDMFUZHCIRHGRG-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoroprop-1-ene Chemical group FC(F)(F)C=C FDMFUZHCIRHGRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSNKQSPJFRQSEI-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoropropanoic acid Chemical compound OC(=O)CC(F)(F)F KSNKQSPJFRQSEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHYAGCYJVNHXCT-UHFFFAOYSA-N 3,3,4,4,5,5-hexafluorooxane-2,6-dione Chemical compound FC1(F)C(=O)OC(=O)C(F)(F)C1(F)F IHYAGCYJVNHXCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;disodium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Na+].[Na+].[Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005817 fluorobutyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKACHOXRXFQJFN-UHFFFAOYSA-N heptafluoropropane Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)(F)F UKACHOXRXFQJFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBCLXFIDEDJGCC-UHFFFAOYSA-N hexafluoro-2-butyne Chemical compound FC(F)(F)C#CC(F)(F)F WBCLXFIDEDJGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C(F)(F)F VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene oxide Chemical compound FC(F)(F)C1(F)OC1(F)F PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000006115 industrial coating Substances 0.000 description 1
- SYJRVVFAAIUVDH-UHFFFAOYSA-N ipa isopropanol Chemical compound CC(C)O.CC(C)O SYJRVVFAAIUVDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N pentafluoropropane Chemical compound FC(F)CC(F)(F)F MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 230000037072 sun protection Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PNQBEPDZQUOCNY-UHFFFAOYSA-N trifluoroacetyl chloride Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)=O PNQBEPDZQUOCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/216—ZnO
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/229—Non-specific enumeration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/23—Mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу нанесения покрытия из оксида цинка на прозрачную основу. В заявке описан способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, путем химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении. Изделие изготавливают путем подачи на поверхность нагретой стеклянной основы одного или нескольких потоков газообразных реагентов, а именно цинксодержащего соединения, фторсодержащего соединения, кислородсодержащего соединения и по меньшей мере одного соединения, содержащего один или несколько металлов, выбранных из группы, включающей бор, алюминий, галлий и индий. Техническая задача изобретения - получение стеклоизделий с высоким коэффициентом пропускания излучения в видимой области спектра, низкой излучательной способностью и солнцезащитными свойствами, высокой удельной электропроводностью, которые изготавливаются экономически эффективным способом. 4 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил., 9 пр.
Description
Настоящее изобретение относится к способу нанесения покрытия из оксида цинка на прозрачную основу (подложку). В частности, оно касается способа нанесения покрытия из оксида цинка на стеклянную основу химическим осаждением из паровой (газовой) фазы, причем покрытие модифицировано с целью создания покрытия из оксида цинка, обладающего совокупностью требуемых свойств.
Способы нанесения покрытий из оксида цинка, содержащих легирующие примеси, описаны в патентной литературе. Например, в патенте US 5306522 описаны способы нанесения покрытий на основу, в частности основы, имеющие экранированные поверхности, с покрытиями, содержащими оксид цинка.
Описанные способы включают элементы контактирования основы с исходным веществом, содержащим оксид цинка, предпочтительно, поддерживая основу, покрытую исходным веществом, в условиях, необходимых для равномерного распределения покрытия, затем окисления исходного вещества до образования покрытия, содержащего оксид цинка. Кроме того, описаны основы, покрытые этим способом, для использования в различных областях применения.
Патент US 5407743, связанный с вышеупомянутым патентом US 5306522, содержит дополнительную информацию, касающуюся, в частности, изделий с покрытием из оксида цинка, изготовленных описанным способом.
Кроме того, образование пленок ZnO, содержащих F и Al, с помощью золь-гелевой технологии описано в работе "Материалы для аккумулирования солнечной энергии и солнечные элементы (фотоэлементы)"/"Solar Energy Materials & Solar Cells"/ (Castanedo-Perez и др.), 2004, 82, 35.
Спрос на прочные стеклоизделия с покрытием постоянно растет. Было бы желательно иметь стеклоизделия с покрытием из оксида цинка, которые характеризуются высоким коэффициентом пропускания излучения в видимой области спектра (прозрачностью), низкой излучательной способностью (коэффициентом излучения) и(или) солнцезащитными свойствами, высокой удельной электропроводностью/низким удельным поверхностным сопротивлением слоя и которые можно было бы изготавливать экономически эффективным способом.
В настоящем изобретении предлагается способ химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении для изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, включающего стеклянную основу, нагретую, например, в печи для производства флоат-стекла, подачу на поверхность нагретой стеклянной основы одного или нескольких потоков газообразных реагентов, включающих цинксодержащее соединение, фторсодержащее соединение, кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере один из металлов, выбранных из группы, включающей бор, алюминий, галлий и индий, для нанесения на основу покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси.
В частных вариантах осуществления способа нанесение покрытия осуществляют химическим осаждением из паровой фазы, в частности, при атмосферном давлении.
В другом варианте осуществления настоящего изобретения предлагается способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, посредством химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, при осуществлении которого:
обеспечивают горячую перемещаемую стеклянную основу с поверхностью, на которую наносится покрытие и которая имеет температуру по меньшей мере 400°С, и
наносят указанное покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, на эту поверхность основы посредством подачи на нее газообразных реагентов, включающих цинксодержащее соединение, по меньшей мере одно фторсодержащее соединение, по меньшей мере одно кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-ой группы (по классификации ИЮПАК), выбранный из элементов, включающих бор, алюминий, галлий и индий.
Соединение, содержащее алюминий, в частности, представляет собой соединение алюминия с формулой:
R15 - алкильная, или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группа;
R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами, включая циклические и частично или полностью фторированные производные);
n=0-3;
L является кислородсодержащим донорным лигандом; а
z=0-2.
Соединением, содержащим алюминий, может быть диэтилалюминийацетилацетонат или диэтилалюминийхлорид.
Соединение, содержащее галлий, в частности, представляет собой соединение галлия с формулой:
R15 - алкильная, или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группа;
R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами, включая циклические и частично или полностью фторированные производные;
n=0-3;
L является кислородсодержащим донорным лигандом; а
z=0-2.
Соединением, содержащим галлий, может быть диметилгаллийацетилацетонат или диметилгаллийгексафторацетилацетонат.
Кислородсодержащим соединением может быть вода, или источником кислорода является смесь спирта и воды, где концентрация воды в растворе имеет значение между 0 и 25 мол.%, в частности спирт 2-бутанол.
В еще одном варианте осуществления настоящего изобретения предлагается способ изготовления изделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, посредством химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, при осуществлении которого:
обеспечивают горячую стеклянную основу из диэлектрического материала, имеющую поверхность, на которую наносится покрытие и которая имеет температуру по меньшей мере 400°С, и
подают газообразные реагенты, включающие цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, фторсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее один или несколько металлов, выбранных из группы, включающей бор, алюминий, галлий и индий, на упомянутую поверхность, на которую наносится покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, причем смешивают цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, фторсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере один элемент 13-ой группы (по классификации ИЮПАК) в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси, при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с.
В настоящем изобретении также предлагается стеклоизделие, включающее стеклянную основу с нанесенным на нее содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление и сформированным в результате реакции в смеси газообразных исходных веществ при температуре не менее 400°С, включающей цинксодержащее соединение, фторсодержащее соединение, кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-ой группы (по классификации ИЮПАК), выбранный из элементов, включающих бор, галлий и индий.
Ниже изобретение более подробно рассмотрено со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых показано:
фиг.1 - графическое представление влияния гексафторпропена (ГФП) на скорость осаждения в соответствии с изобретением,
фиг.2 - графическое представление влияния гексафторпропена (ГФП) на удельное сопротивление в соответствии с изобретением,
фиг.3 - графическое представление влияния гексафторпропена (ГФП) на подвижность (электронов) в соответствии с изобретением.
Несмотря на то что покрытия из оксида цинка и способы их нанесения известны, экономически эффективные способы нанесения пиролитических покрытий из оксида цинка с подходящей для промышленного производства скоростью образования покрытия в процессе изготовления стекла на линии для производства флоат-стекла ранее известны не были. Кроме того, до сего времени не обеспечена возможность добавления в такие получаемые в режиме "он-лайн" покрытия из оксида цинка одного или нескольких соединений легирующих веществ с целью создания покрытий, сочетающих в себе требуемые свойства. Настоящее изобретение устраняет прежние трудности в нанесении таких пленок оксида цинка, содержащих легирующие примеси.
Хотя в связи с настоящим изобретением можно использовать любой подходящий способ химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, предпочтительным является способ осаждения, раскрытый в патенте US 6268019 (Atofina Chemicals, Inc.). Этот патент включен в настоящее описание посредством ссылки. Способом, раскрытым в этом патенте, можно осаждением получать металлооксидные пленки различного типа с подходящей для промышленного производства скоростью образования пленки, например со скоростью более 5 нм/с. Кроме того, преимущество способа осаждения, раскрытого в этом патенте, заключается в том, что можно изменять продолжительность перемешивания реагирующих веществ, что, в свою очередь, позволяет "регулировать" свойства покрытий, в данном случае из оксида цинка. В частности, настоящее изобретение демонстрирует преимущества использования различных смесей исходных веществ, которые здесь будут подробно рассмотрены.
Такие стеклоизделия с покрытиями из оксида цинка, содержащими легирующие примеси, используются в строительном остеклении благодаря слоям, обеспечивающим низкий коэффициент излучения и (или) защиту от солнечного излучения. Другие возможные области применения этой прозрачной электропроводной оксидной пленки включают фотоэлектрические (фотогальванические) приборы, твердотельные светоизлучающие устройства (светодиоды и органические светодиоды), устройства для индукционного (высокочастотного) нагрева, индикаторные панели (дисплеи с плоским экраном), экраны с сенсорной индикаторной панелью и светопроницаемые тонкопленочные транзисторы, которые находят применение в электронных метках (микрочипах для радиочастотной идентификации) и интегральных схемах.
Подходящими цинксодержащими соединениями являются, например, соединения с общей формулой R1R2Zn, R1R2ZnL или R1R2Zn-[R3R4N(CHR5)n(CH2)m(CHR6)nNR7R8], где R1-8 могут быть одинаковыми или разными алкильными или арильными группами, такими как метил, этил, изопропил, н-пропил, н-бутил, фторбутил, фенил или замещенный фенил, и могут включать один или несколько фторсодержащих заместителей, R5 и R6 могут представлять собой Н-группу, или алкильную, или арильную группу, L является нейтральным, техническим лигандом на основе кислорода, таким как метилтетрагидрофуран, тетрагидрофуран, фуран, диэтиловый или дибутиловый эфир, метилтретбутиловый эфир или диоксан, и n может равняться 0 или 1, a m может равняться 1-6, если n=0, и m может равняться 0-6, если n=1.
К подходящим фторсодержащим соединениям относятся, например, дифторметан; 1,1-дифторэтан; 1,1,1,2-тетрафторэтан; 1,1,1,2,2-пентафторэтан; 1,1,1-трифторэтан; 1,1,1,3,3-пентафторпропан; фторэтилен; 1,1-дифторэтилен; 1,1,1,2,3,3,3-гептафторпропан; 1,1,1,2,2,3,3-гептафторпропан; гексафторпропилен; 3,3,3-трифторпропилен; перфторциклопентен; перфторбутадиен; 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-пропанол; 1,1,1,3,3,3-гексафтор-2-метил-2-пропанол; гексафторпропиленоксид; 2,2,3,4,4,4-гексафтор-1-бутанол; 1,1,2,2,3,4-гексафтор-3,4-бис(трифторметил)циклобутан; гексафтор-2-бутин; гексафторацетон; ангидрид гексафторглутаровой кислоты; ангидрид трифторуксусной кислоты; трифторацетилхлорид; 2,2,2-трифторэтанол; 1,1,1-трифторацетон; трифторметан; 1,1,1-трифтор-2-пропанол; 3,3,3-трифторпропионовая кислота; 3,3,3-трифторпропин; трифторамин; фтороводород; трифторуксусная кислота; 1,1,1,3,3-пентафторбутан; 1,1,1,2,3,4,4,5,5,5-декафторпентан.
Подходящими кислородсодержащими соединениями являются, например: органические ацетаты, например т-бутилацетат (t-BuOAc), этилацетат (EtOAc), спирты (включая перфорированные производные), кислород и вода, причем предпочтительно Н2О.
К подходящим исходным веществам, содержащим металлы 13 группы (по классификации ИЮПАК), относятся вещества с общей формулой 
или 
, где М - один из металлов: В, Al, Ga, In или Tl; R9 - алкильная, или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группы, и они могут быть одинаковыми или разными; R10-12 могут быть одинаковыми или разными и являются Н-группой, алкильной или арильной группами (включая циклические и частично или полностью фторированные производные), L является нейтральным, техническим лигандом на основе кислорода, таким как метилтетрагидрофуран, тетрагидрофуран, фуран, диэтиловый или дибутиловый эфир, метилтретбутиловый эфир или диоксан, и n=0-3. Предпочтительными соединениями металлов 13 группы являются Me2Ga(ацац) (ацац = ацетилацетонат), Me2Ga(гфац) (гфац = гексафторацетилацетонат, Fe3CC(O)СНС(O)CF3) и Et2Al(ацац).
В качестве компонента потока газообразных реагентов, предлагаемого в настоящем изобретении, может также использоваться инертный газ-носитель, например азот, гелий или подобный газ.
Нагретая стеклянная основа (подложка) может быть создана любым подходящим способом, но предпочтительно представляет собой непрерывную стеклянную ленту, образуемую в широко известном процессе изготовления флоат-стекла, описанном в патентах US 3356474, 3433612, 3531274 и 3790361, каждый из которых в целом включен здесь для ссылок.
Представленные ниже не ограничивающие примеры иллюстрируют некоторые особенности настоящего изобретения.
Примеры
Устройство для АДХОПФ (химическое осаждение из паровой фазы при атмосферном давлении, англ. APCVD), которое использовали в примерах 1-6, аналогично устройству, описанному в патенте US 6268019 В1. Основной особенностью этого устройства является возможность регулировать продолжительность перемешивания газообразных реагентов благодаря раздельной подаче паров в насадку для нанесения покрытий. В этих экспериментах насадка для нанесения покрытий состояла из концентрических трубок: трубки диаметром 3/8 дюйма, введенной в трубку диаметром 1 дюйм с помощью фитинга, уплотняемого вручную, что позволяет изменять длину зоны перемешивания, и внешней трубки диаметром 1,5 дюйма, соединенной с вытяжным вентилятором для удаления побочных продуктов и непрореагировавших паров. Пленки, получаемые с такой конфигурацией насадки, были круговыми с диаметром приблизительно 1,5 дюйма.
Для наглядности, способы нанесения покрытий в шести представленных примерах описаны с разными параметрами, но при одинаковом статическом режиме осаждения: пример 1 соответствует осаждению оксида цинка вместе с исходными веществами, содержащими алюминий; пример 2 соответствует осаждению оксида цинка вместе с исходными веществами, содержащими фтор, а пример 3 соответствует осаждению оксида цинка вместе с исходными веществами, содержащими и фтор, и алюминий. Объемная скорость подачи всех исходных веществ в каждом примере была одинаковой. В примере 4 описано осаждение ZnO вместе с исходными веществами, содержащими галлий, тогда как в примере 5 описано осаждение ZnO вместе с исходными веществами, содержащими и галлий, и фтор. В примере 6 описано осаждение вместе с исходными веществами, содержащими и фтор, и алюминий, как в примере 3, однако с использованием другого источника цинка, а именно Et2Zn·ТМПДА (ТМПДА - N,N,N',N'-тетраметил-1,3-пропандиамин). В примерах 1-6 осаждение осуществляли на неподвижные стеклянные основы, а концентрации реагентов рассчитывали на основе концентраций, имевших место после объединения всех потоков.
Пример 1
Боросиликатное стекло (толщиной 1,1 мм) нагревали до температуры 430°С (измеряемой с помощью контактной термопары на поверхности основы) на никелевом нагревательном блоке. Через первую питающую трубку для химреагентов в насадке для нанесения покрытий при температуре 180°С подавали газовую смесь, содержащую 0,08 мол.% Et2Zn-ТЭЭДА (ТЭЭДА - N,N,N',N'-тетраэтилэтилендиамин) и 0,015 мол.% Et2Al(ацац) (ацац - ацетилцетонат) в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 30 л/мин. Через отдельное устройство подачи во внутреннюю трубку устройства для нанесения покрытий в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 2,2 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,40 мол.% водяного пара (полученного в испарителе 1).
Внутренняя питающая трубка была установлена так, что длина зоны перемешивания составляла 15 см. Расход азота в качестве газа-носителя выбирали так, чтобы скорость подачи двух потоков поступающего материала была примерно одинаковой. При таких условиях номинальная скорость на выходе из насадки устройства для нанесения покрытий составляла приблизительно 100 см/с, что соответствует продолжительности перемешивания реагентов - примерно 150 миллисекунд.
Непосредственно до начала подачи потока исходного вещества, содержащего Zn и Al, на основу в течение 5 секунд предварительно подавали пароводяную газовую смесь. Продолжительность осаждения для образцов составила 45 секунд, а полученные пленки имели толщину примерно 310 нм. Удельное поверхностное сопротивление слоя этих пленок, измеренное 4-точечным датчиком, было равно 53 Ом/квадрат.
Пример 2
Боросиликатное стекло (толщиной 1,1 мм) нагревали до температуры 430°С (измеряемой с помощью контактной термопары на поверхности основы) на никелевом нагревательном блоке. Через первую питающую трубку для химреагентов в насадке для нанесения покрытий при температуре 180°С подавали газовую смесь, содержащую 0,08 мол.% Et2Zn·ТЭЭДА, в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 30 л/мин. Через отдельное устройство подачи в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 2,2 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,48 мол.% водяного пара (полученного в испарителе 1) и 0,82 мол.% гексафторпропена (вводимого в поток газа с помощью калиброванного ротаметра сразу же после испарителя).
Внутренняя питающая трубка была установлена так, что длина зоны перемешивания составляла 15 см. Расход азота в качестве газа-носителя выбирали так, чтобы скорость подачи двух потоков поступающего материала была примерно одинаковой. При таких условиях номинальная скорость на выходе из насадки устройства для нанесения покрытий составляла приблизительно 100 см/с, что соответствует продолжительности перемешивания реагентов - примерно 150 миллисекунд. Непосредственно до начала подачи на основу потока исходного цинксодержащего вещества на основу в течение 5 секунд предварительно подавали газовую смесь водяного пара и гексафторпропена. Продолжительность осаждения для образцов составила 45 секунд, а полученные пленки имели толщину примерно 340 нм. Удельное поверхностное сопротивление слоя этих пленок, измеренное 4-точечным датчиком, было равно 138 Ом/квадрат.
Пример 3
Боросиликатное стекло (толщиной 1,1 мм) нагревали до температуры 430°С (измеряемой с помощью контактной термопары на поверхности основы) на никелевом нагревательном блоке. Через первую питающую трубку для химреагентов в насадке для нанесения покрытий при температуре 180°С подавали газовую смесь, содержащую 0,08 мол.% Et2Zn·ТЭЭДА и 0,015 мол.% Et2Al(ацац), в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 30 л/мин. Через отдельное устройство подачи в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 2,2 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,48 мол.% водяного пара (полученного в испарителе 1) и 0,82 мол.% гексафторпропена (вводимого в поток газа с помощью калиброванного ротаметра сразу же после испарителя).
Внутренняя питающая трубка была установлена так, что длина зоны перемешивания составляла 15 см. Расход азота в качестве газа-носителя выбирали так, чтобы скорость подачи двух потоков поступающего материала была примерно одинаковой. При таких условиях номинальная скорость на выходе из насадки устройства для нанесения покрытий составляла приблизительно 100 см/с, что соответствует продолжительности перемешивания реагентов - примерно 150 миллисекунд.
Непосредственно до начала подачи на основу потока исходных веществ, содержащих Zn и Al, на основу в течение 5 секунд предварительно подавали газовую смесь водяного пара и гексафторпропена. Продолжительность осаждения для образцов составила 45 секунд, а полученные пленки имели толщину примерно 290 нм. Удельное поверхностное сопротивление слоя этих пленок, измеренное 4-точечным датчиком, было равно 21 Ом/квадрат.
Из вышеприведенных примеров видно, что в примере 3, в котором во время осаждения присутствовали исходные вещества, содержащие и фтор, и алюминий, было отмечено заметное повышение удельной электропроводности в сравнении с другими образцами, где исходные вещества, содержащие алюминий и фтор, присутствовали по отдельности.
Пример 4
Боросиликатное стекло (толщиной 1,1 мм) нагревали до температуры 430°С (измеряемой с помощью контактной термопары на поверхности основы) на никелевом нагревательном блоке. Через первую питающую трубку для химреагентов в насадке для нанесения покрытий при температуре 180°С подавали газовую смесь, содержащую 0,08 мол.% Et2Zn·ТЭЭДА и 0,003 мол.% Me2Ga(гфац), в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 30 л/мин. Во внутреннюю трубку устройства для нанесения покрытий через отдельное устройство подачи в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 2,2 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,48 мол.% водяного пара (полученного в испарителе 1).
Внутренняя питающая трубка была установлена так, что длина зоны перемешивания составляла 15 см. Расход азота в качестве газа-носителя выбирали так, чтобы скорость подачи двух потоков поступающего материала была примерно одинаковой. При таких условиях номинальная скорость на выходе из насадки устройства для нанесения покрытий составляла приблизительно 100 см/с, что соответствует продолжительности перемешивания реагентов - примерно 150 миллисекунд.
Непосредственно до начала подачи потока исходного вещества, содержащего Zn и Ga, на основу в течение 5 секунд предварительно подавали пароводяную газовую смесь. Продолжительность осаждения для образцов составила 45 секунд, а полученные пленки имели толщину примерно 333 нм. Удельное поверхностное сопротивление слоя этих пленок, измеренное 4-точечным датчиком, было равно 23 Ом/квадрат.
Пример 5
Боросиликатное стекло (толщиной 1,1 мм) нагревали до температуры примерно 430°С (измеряемой с помощью контактной термопары на поверхности основы) на никелевом нагревательном блоке. Через первую питающую трубку для химреагентов в насадке для нанесения покрытий при температуре 180°С подавали газовую смесь, содержащую 0,08 мол.% Et2Zn·ТЭЭДА и 0,003 мол.% Me2Ga(гфац), в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 30 л/мин. Через отдельное устройство подачи в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 2,2 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,48 мол.% водяного пара (полученного в испарителе 1) и 0,81 мол.% гексафторпропена (вводимого в поток газа с помощью калиброванного ротаметра сразу же после испарителя).
Внутренняя питающая трубка была установлена так, что длина зоны перемешивания составляла 15 см. Расход азота в качестве газа-носителя выбирали так, чтобы скорость подачи двух потоков поступающего материала была примерно одинаковой. При таких условиях номинальная скорость на выходе из устройства для нанесения покрытий составляла приблизительно 100 см/с, что соответствует продолжительности перемешивания реагентов - примерно 150 миллисекунд.
Непосредственно до начала подачи на основу потока исходных веществ, содержащих Zn и Ga, на основу в течение 5 секунд предварительно подавали газовую смесь водяного пара и гексафторпропена. Продолжительность осаждения для образцов составила 45 секунд, а полученные пленки имели толщину примерно 340 нм. Удельное поверхностное сопротивление слоя этих пленок, измеренное 4-точечным датчиком, было равно 17 Ом/квадрат.
Пример 6
Натриево-кальциевое силикатное стекло (толщиной 0,7 мм) нагревали до температуры приблизительно 430°С (измеряемой с помощью контактной термопары на поверхности основы) на никелевом нагревательном блоке. Через первую питающую трубку для химреагентов в насадке для нанесения покрытий при температуре 180°С подавали газовую смесь, содержащую 0,08 мол.% Et2Zn·ТМПДА (ТМПДА - N,N,N',N'-тетраметил-1,3-пропандиамин) и 0,003 мол.% Et2Al(ацац), в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 30 л/мин. Через отдельное устройство подачи в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 2,2 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,48 мол.% водяного пара (полученного в испарителе 1) и 0,81 мол.% гексафторпропена (вводимого в поток газа с помощью калиброванного ротаметра сразу же после испарителя).
Внутренняя питающая трубка была установлена так, что длина зоны перемешивания составляла 15 см. Расход азота в качестве газа-носителя выбирали так, чтобы скорость подачи двух потоков поступающего материала была примерно одинаковой. При таких условиях номинальная скорость на выходе из насадки устройства для нанесения покрытий составляла приблизительно 100 см/с, что соответствует продолжительности перемешивания реагентов - примерно 150 миллисекунд.
Непосредственно до начала подачи на основу потока исходных веществ, содержащих Zn и Al, на основу в течение 5 секунд предварительно подавали газовую смесь водяного пара и гексафторпропена. Продолжительность осаждения для образцов составила 40 секунд, а полученные пленки имели толщину примерно 320 нм. Удельное поверхностное сопротивление слоя этих пленок, измеренное 4-точечным датчиком, было равно 18 Ом/квадрат.
Пример 7. Способ нанесения покрытия в статическом режиме
В первую питающую трубку при температуре 170°С в потоке азота в качестве газа-носителя при расходе 10 (стандартных) л/мин подавали газовую смесь, содержащую 0,43 мол.% Me2Zn·ТМПДА. Первое легирующее вещество вводили в первую питающую трубку из барботера, изготовленного из нержавеющей стали. В барботере находился Me2Ga(ацац) при температуре 34,5°С. Поток азота, предварительно нагретый до 60°С, при расходе 430 куб. см/мин, захватывал исходное вещество, содержащее Ga. В первую питающую трубку добавляли второе легирующее вещество (гексафторпропилен (ГФП) при расходе 197 куб. см/мин (2,5 мол.%).
Во вторую питающую трубку при температуре 170°С в потоке азота при расходе 5 л/мин подавали газовую смесь, содержащую 1,25 мол.% Н2О и 3,26 мол.% 2-бутанола. Второй поток поступающего материала подавали одновременно с первым потоком в смесительную камеру. Длина смесительной камеры составляла 1¼ дюйма, что соответствует продолжительности перемешивания первого и второго потоков поступающего материала 278 миллисекунд. В качестве основы для нанесения покрытия использовали боросиликатное стекло толщиной 0,7 мм. Основу нагревали на резистивно выделяющем тепло нагретом никелевом блоке с температурой 550°С. Продолжительность осаждения таких пленок в статическом режиме составляла 55 секунд, а полученные пленки ZnO имели толщину 565 нм при скорости осаждения 12 нм/с. Матовость таких пленок, измеренная прибором для измерения уровня видимости BYK HazeGuard Plus, в среднем равнялась 0,5%. Удельное сопротивление, подвижность и концентрация электронов соответственно составили 2,2×10-4 Ом-см, 23 см2/(В·с) и 1,22×1021 см-3.
Примеры 8-9. Использование альтернативного способа нанесения покрытия в динамическом режиме
Эксперимент по нанесению покрытия проводили в динамическом режиме нанесения покрытия, в котором предварительно нагретые основы из стекла толщиной 3 или 4 мм перемещали со скоростью 24 дюйма в минуту непосредственно под металлической насадкой устройства для нанесения покрытий, в которую для контакта с горячей стеклянной основой с температурой 600°С направляют смесь газообразных химреагентов и после этого сразу же отводят.
Описанную ниже газовую смесь предварительно смешивали в устройстве для подачи химреагентов и подавали в насадку устройства для нанесения покрытий через нагретую питающую трубку. Расчетная продолжительность перемешивания реагентов до того, как они достигнут нагретого стекла, в зависимости от режима потока и физического масштаба эксперимента составляет более одной секунды. Продолжительность осаждения покрытия, определяемая по продолжительности прохождения стекла в зоне фактического осаждения химреагентов, составила приблизительно 15 секунд. Вышеописанные условия технологического процесса нанесения покрытия относятся к примерам 8 и 9, представленным ниже.
Пример 8. Покрытие из оксида цинка с химическим составом ДЭЦ/ИПА/N2 (ДЭЦ - диэтилцинк, ИПА - изопропанол)
Заданные условия нанесения покрытия указаны ниже.
| Газ | Температура в барботере, °С | Расход, (станд.) л/мин |
| ДЭЦ | 85 | 0,289 |
| N2 носитель | 0,75 | |
| ИПА | 58 | 0,304 |
| N2 носитель | 0,6 | |
| N2 | 12 | |
| Всего | 13,943 |
Полученное покрытие из оксида цинка имело толщину около 390 нм, а измеренное поверхностное удельное сопротивление слоя равно 1,7 кОм/квадрат. Структурный анализ на основе РФС (РФС - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия) показал, что атомное отношение цинка к кислороду в покрытии составляет приблизительно 1:1.
Пример 9. Покрытие из оксида цинка с химическим составом ДЭЦ/ИПА/ДЭАХ/ГФП/N2 (ДЭАХ - Et2AlCl)
Заданные условия нанесения покрытия указаны ниже.
| Газ | Температура в барботере, °С | Расход, (станд.) л/мин |
| ДЭЦ | 85 | 0,289 |
| N2 носитель | 0,75 | |
| ДЭАХ | 80 | 0,001 |
| N2 носитель | 0,1 | |
| ИПА | 58 | 0,304 |
| N2 носитель | 0,6 | |
| ГФП | 0,2 | |
| N2 | 10 | |
| Всего | 12,244 |
Пленка, полученная при подаче предварительно смешанных Zn, AL и F, имеет толщину около 360 нм, а поверхностное удельное сопротивление слоя, измеренное 4-точечным датчиком, равно 35 Ом/квадрат. Введение F и Al в поток газов привело к снижению поверхностного удельного сопротивления слоя.
| Таблица 1 | |||
| Пример | Толщина покрытия (нм) | Поверхностное удельное сопротивление слоя (Ом/квадрат) | Скорость образования пленки (А/с) |
| 1 | 310 | 53 | 69 |
| 2 | 340 | 138 | 76 |
| 3 | 290 | 21 | 64 |
| 4 | 333 | 23 | 74 |
| 5 | 340 | 17 | 76 |
| 6 | 320 | 18 | 80 |
| 7 | 565 | 3,9 | 120 |
| 8 | 390 | 1700 | 260 |
| 9 | 360 | 35 | 240 |
Данные, приведенные в таблице 1, показывают, что в примерах 5 и 7, в которых при нанесении покрытия присутствовали и фтор, и галлий, наблюдалось заметное снижение поверхностного удельного сопротивления слоя (или повышение удельной электропроводности) по сравнению с примером 4, в котором присутствовал только галлий, и примером 2, в котором присутствовал только один фтор. Примеры 3, 6 и 9 показывают, что такие же положительные результаты могут быть достигнуты при использовании Al и F в сравнении с результатами, полученными при использовании только одного Al (пример 1) или одного F (пример 2).
При изменении расхода ГФП было замечено, что при высоком расходе ГФП скорость осаждения покрытия заметно снижается, тогда как при низком расходе ГФП (таком как в примере 8) улучшается равномерность полученного покрытия. На основе примера 7 изменяли расход ГФП для составления графиков на фиг.1-3. На основе данных этих графиков понятно, что показатели работы следует привести в соответствие с обратной тенденцией изменения скорости нанесения покрытия.
На фиг.1 показано влияние ГФП на скорость нанесения покрытия, на фиг.2 показано влияние ГФП на удельное сопротивление, а на фиг.3 - влияние ГФП на подвижность носителей тока.
Хотя описание настоящего изобретения касается различных конкретных примеров и вариантов его осуществления, следует понимать, что данное изобретение этим не ограничивается и что оно может иметь различное применение на практике в пределах его объема, определенного приведенной ниже формулой изобретения.
Claims (15)
1. Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, при осуществлении которого:
обеспечивают горячую стеклянную основу с поверхностью, на которую наносят покрытие, и
наносят указанное покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, на эту поверхность основы посредством подачи на нее газообразных реагентов, включающих цинксодержащее соединение, по меньшей мере одно фторсодержащее соединение, по меньшей мере одно кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК, выбранный из элементов, включающих бор, алюминий, галлий и индий.
обеспечивают горячую стеклянную основу с поверхностью, на которую наносят покрытие, и
наносят указанное покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, на эту поверхность основы посредством подачи на нее газообразных реагентов, включающих цинксодержащее соединение, по меньшей мере одно фторсодержащее соединение, по меньшей мере одно кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК, выбранный из элементов, включающих бор, алюминий, галлий и индий.
2. Способ по п.1, в котором нанесение покрытия осуществляют химическим осаждением из паровой фазы.
3. Способ по п.2, в котором химическое осаждение из паровой фазы осуществляют при атмосферном давлении.
4. Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, посредством химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, при осуществлении которого:
обеспечивают горячую перемещающуюся стеклянную основу с поверхностью, на которую наносится покрытие, и которая имеет температуру по меньшей мере 400°С, и
наносят указанное покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, на эту поверхность основы посредством подачи на нее газообразных реагентов, включающих цинксодержащее соединение, по меньшей мере одно фторсодержащее соединение, по меньшей мере одно кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК, выбранный из элементов, включающих бор, алюминий, галлий и индий.
обеспечивают горячую перемещающуюся стеклянную основу с поверхностью, на которую наносится покрытие, и которая имеет температуру по меньшей мере 400°С, и
наносят указанное покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, на эту поверхность основы посредством подачи на нее газообразных реагентов, включающих цинксодержащее соединение, по меньшей мере одно фторсодержащее соединение, по меньшей мере одно кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК, выбранный из элементов, включающих бор, алюминий, галлий и индий.
5. Способ по п.4, в котором соединение, содержащее алюминий, представляет собой соединение алюминия с формулой
,
где R15 - алкильная или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группа;
R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами, включая циклические и частично или полностью фторированные производные;
n=0-3;
L является кислородсодержащим донорным лигандом; а
z=0-2.
где R15 - алкильная или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группа;
R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами, включая циклические и частично или полностью фторированные производные;
n=0-3;
L является кислородсодержащим донорным лигандом; а
z=0-2.
6. Способ по п.5, в котором соединением, содержащим алюминий, является диэтилалюминийацетилацетонат.
7. Способ по п.5, в котором соединением, содержащим алюминий, является диэтилалюминийхлорид.
8. Способ по п.4, в котором соединение, содержащее галлий, представляет собой соединение галлия с формулой
,
где R15 - алкильная или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группа;
R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами, включая циклические и частично или полностью фторированные производные;
n=0-3;
L является кислородсодержащим донорным лигандом; а
z=0-2.
где R15 - алкильная или арильная, или галогенидная, или алкоксидная группа;
R16 - Н-группа, алкильная, арильная, галогенидная или дикетонатная группа с формулой (R17C(O)CR18C(O)R19), в которой R17-19 могут быть одинаковыми или разными группами и являются Н-группой, алкильной или арильной группами, включая циклические и частично или полностью фторированные производные;
n=0-3;
L является кислородсодержащим донорным лигандом; а
z=0-2.
9. Способ по п.8, в котором соединением, содержащим галлий, является диметилгаллийацетилацетонат.
10. Способ по п.8, в котором соединением, содержащим галлий, является диметилгаллийгексафторацетилацетонат.
11. Способ по п.4, в котором кислородсодержащим соединением является вода.
12. Способ по п.4, в котором источником кислорода является смесь спирта и воды, где концентрация воды в растворе имеет значение между 0 и 25 мол.%.
13. Способ по п.12, в котором используют спирт 2-бутанол.
14. Способ изготовления изделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, посредством химического осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, при осуществлении которого:
обеспечивают горячую стеклянную основу из диэлектрического материала, имеющую поверхность, на которую наносится покрытие, и которая имеет температуру по меньшей мере 400°С, и
подают газообразные реагенты, включающие цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, фторсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее один или несколько металлов, выбранных из группы, включающей бор, алюминий, галлий и индий, на упомянутую поверхность, на которую наносится покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, причем смешивают цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, фторсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере один элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси, при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с.
обеспечивают горячую стеклянную основу из диэлектрического материала, имеющую поверхность, на которую наносится покрытие, и которая имеет температуру по меньшей мере 400°С, и
подают газообразные реагенты, включающие цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, фторсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее один или несколько металлов, выбранных из группы, включающей бор, алюминий, галлий и индий, на упомянутую поверхность, на которую наносится покрытие из оксида цинка, содержащее легирующие примеси, причем смешивают цинксодержащее соединение, кислородсодержащее соединение, фторсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере один элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования покрытия из оксида цинка, содержащего легирующие примеси, при скорости осаждения по меньшей мере 5 нм/с.
15. Стеклоизделие, включающее стеклянную основу с нанесенным на нее содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление и сформированным в результате реакции в смеси газообразных исходных веществ при температуре не менее 400°С, включающей цинксодержащее соединение, фторсодержащее соединение, кислородсодержащее соединение и по меньшей мере одно соединение, содержащее элемент 13-й группы по классификации ИЮПАК, выбранный из элементов, включающих бор, алюминий, галлий и индий.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US84078306P | 2006-08-29 | 2006-08-29 | |
| US60/840,783 | 2006-08-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009111381A RU2009111381A (ru) | 2010-10-10 |
| RU2447030C2 true RU2447030C2 (ru) | 2012-04-10 |
Family
ID=38602842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009111381/03A RU2447030C2 (ru) | 2006-08-29 | 2007-05-03 | Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, и стеклоизделие с покрытием, изготовленное этим способом |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7989024B2 (ru) |
| EP (1) | EP2059488A1 (ru) |
| JP (1) | JP5559536B2 (ru) |
| KR (1) | KR101409711B1 (ru) |
| CN (1) | CN101541701B (ru) |
| AU (1) | AU2007290843B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0716385A2 (ru) |
| MX (1) | MX2009002176A (ru) |
| MY (1) | MY148287A (ru) |
| RU (1) | RU2447030C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008027086A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0803702D0 (en) | 2008-02-28 | 2008-04-09 | Isis Innovation | Transparent conducting oxides |
| IT1393401B1 (it) * | 2008-07-28 | 2012-04-20 | Enea Ente Per Le Nuova Tecnologie L En E L Ambiente | Metodo per la fabbricazione in linea di strati sottili di zno b trasparente conduttivo e testurizzato su larga area e relativo apparato |
| WO2010151430A1 (en) * | 2009-06-22 | 2010-12-29 | Arkema Inc. | Chemical vapor deposition using n,o polydentate ligand complexes of metals |
| GB0915376D0 (en) | 2009-09-03 | 2009-10-07 | Isis Innovation | Transparent conducting oxides |
| KR101638572B1 (ko) * | 2010-01-26 | 2016-07-12 | 도레이첨단소재 주식회사 | 징크옥사이드 로드입자를 포함하는 투명 전도성 폴리에스테르 필름 |
| EP2688850B1 (en) * | 2011-03-23 | 2018-02-21 | Pilkington Group Limited | Method of depositing zinc oxide coatings by chemical vapor deposition |
| JP5932251B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | フッ化膜形成方法及び光学素子の製造方法 |
| JP5912911B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-04-27 | 株式会社Adeka | アルミニウム化合物を用いたａｌｄ法による薄膜の製造方法 |
| RU2529443C2 (ru) * | 2012-10-31 | 2014-09-27 | Олег Петрович Ксенофонтов | Способ изготовления стекловидной композиции |
| KR102123996B1 (ko) * | 2013-02-25 | 2020-06-17 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 전구체, 이를 이용한 박막 형성 방법 및 커패시터 형성 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2274616C2 (ru) * | 1999-08-10 | 2006-04-20 | Либби-Оуэнс-Форд Ко. | Изделие из стекла с солнцезащитным покрытием |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682625B2 (ja) * | 1985-06-04 | 1994-10-19 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 酸化亜鉛膜の蒸着方法 |
| JPS6280918A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
| US5290589A (en) | 1986-03-24 | 1994-03-01 | Ensci, Inc. | Process for coating a substrate with iron oxide and uses for coated substrates |
| JP2718046B2 (ja) * | 1988-01-28 | 1998-02-25 | 旭硝子株式会社 | 透明導電膜 |
| JPH01249634A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電性ガラスおよびその製造方法 |
| US4990286A (en) * | 1989-03-17 | 1991-02-05 | President And Fellows Of Harvard College | Zinc oxyfluoride transparent conductor |
| ATE186039T1 (de) * | 1991-12-26 | 1999-11-15 | Atochem North America Elf | Zusammensetzung einer deckschicht für glas |
| US6238738B1 (en) * | 1996-08-13 | 2001-05-29 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for depositing titanium oxide coatings on flat glass |
| US6071561A (en) * | 1997-08-13 | 2000-06-06 | President And Fellows Of Harvard College | Chemical vapor deposition of fluorine-doped zinc oxide |
| JP3554879B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2004-08-18 | 三洋電機株式会社 | 透光性導電膜の製造方法 |
| JP2002260448A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-09-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置 |
| CN1369572A (zh) * | 2001-04-03 | 2002-09-18 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 氧化物透明导电薄膜材料 |
| EP1289025A1 (fr) | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Universite De Neuchatel | Procédé de dépot d'une couche d'oxyde sur un substrat et cellule photovoltaique utilisant ce substrat |
| US6827974B2 (en) * | 2002-03-29 | 2004-12-07 | Pilkington North America, Inc. | Method and apparatus for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
| KR100464855B1 (ko) * | 2002-07-26 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법 |
| CN1182273C (zh) * | 2002-08-07 | 2004-12-29 | 浙江大学 | 固体源化学气相沉积生长ZnO薄膜的方法 |
| JP2004224675A (ja) * | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | １３族窒化物半導体ナノ粒子の製造方法 |
| JP2005060770A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜形成装置 |
| US7115304B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-10-03 | Nanosolar, Inc. | High throughput surface treatment on coiled flexible substrates |
| KR100657792B1 (ko) * | 2005-01-24 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 원자층 적층 방법과 이를 이용한 커패시터의 제조 방법 및게이트 구조물의 제조 방법 |
| GB0518383D0 (en) | 2005-09-09 | 2005-10-19 | Pilkington Plc | Deposition process |
-
2007
- 2007-05-03 AU AU2007290843A patent/AU2007290843B2/en not_active Ceased
- 2007-05-03 US US11/800,042 patent/US7989024B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-03 JP JP2009526590A patent/JP5559536B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-03 EP EP07794488A patent/EP2059488A1/en not_active Ceased
- 2007-05-03 CN CN2007800393530A patent/CN101541701B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-03 MX MX2009002176A patent/MX2009002176A/es active IP Right Grant
- 2007-05-03 BR BRPI0716385-1A patent/BRPI0716385A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-05-03 WO PCT/US2007/010624 patent/WO2008027086A1/en active Application Filing
- 2007-05-03 MY MYPI20090806A patent/MY148287A/en unknown
- 2007-05-03 KR KR1020097006352A patent/KR101409711B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-05-03 RU RU2009111381/03A patent/RU2447030C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2274616C2 (ru) * | 1999-08-10 | 2006-04-20 | Либби-Оуэнс-Форд Ко. | Изделие из стекла с солнцезащитным покрытием |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ADACHI К ЕТ AL: «ZnO films deposited by APCVD» PROCEEDINGS OF THE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE. LAS VEGAS, OCT.7-11, 1991 NEW-YORK, IEEE, US, v.2 CONF.22, 07.10.1991, p.1385-1388. ALTAMINANO-JUAREZ D С ЕТ AL. Low-resistivity ZnO: F:Al transparent thin films, SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, v.82, №1-2, 01.05.2004, p.35-43. JIANHUA HU et al. Textured fluorine-doped ZnO films by atmospheric pressure chemical vapour deposition and their use in amorphous silicon solar cells, Solar cells, Elsevier sequoia, S.A., Lausanne, CH, v.30, №4, 01.05.1991, p.437-450, фиг.1, фиг.4. HU J et al: Deposition of boron doped zinc oxide films and their electrical and optical properties, JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, ELECTROCHEMICAL SOCIETY, MANCHESTER, NEW HAMPSHIRE, US, vol.139, №7, July 1992, p.2014-2022, фиг.4. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MX2009002176A (es) | 2009-04-22 |
| CN101541701A (zh) | 2009-09-23 |
| CN101541701B (zh) | 2013-07-17 |
| BRPI0716385A2 (pt) | 2013-01-01 |
| KR101409711B1 (ko) | 2014-06-19 |
| JP5559536B2 (ja) | 2014-07-23 |
| WO2008027086A1 (en) | 2008-03-06 |
| US7989024B2 (en) | 2011-08-02 |
| US20080057321A1 (en) | 2008-03-06 |
| AU2007290843B2 (en) | 2012-07-26 |
| JP2010502541A (ja) | 2010-01-28 |
| KR20090057287A (ko) | 2009-06-04 |
| RU2009111381A (ru) | 2010-10-10 |
| AU2007290843A1 (en) | 2008-03-06 |
| WO2008027086A8 (en) | 2009-04-09 |
| EP2059488A1 (en) | 2009-05-20 |
| MY148287A (en) | 2013-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2447030C2 (ru) | Способ изготовления стеклоизделия с содержащим легирующие примеси покрытием из оксида цинка, имеющим низкое удельное сопротивление, и стеклоизделие с покрытием, изготовленное этим способом | |
| RU2445281C2 (ru) | Способ нанесения содержащих легирующие примеси покрытий из оксида цинка, имеющих низкое удельное сопротивление, и изделие, изготавливаемое этим способом | |
| RU2446232C2 (ru) | Низкотемпературный способ изготовления изделия с покрытием из оксида цинка | |
| JP6039402B2 (ja) | 酸化亜鉛被覆物品の作成方法 | |
| KR101790497B1 (ko) | 도핑된 ＺｎＯ막을 자외선 화학기상증착법에 의해 고분자 기판 상에 증착시키는 방법 | |
| JP2009536144A (ja) | 基板上に酸化亜鉛コーティングを堆積させる方法 | |
| JP2009517312A (ja) | 基板上への酸化ルテニウムコーティングの蒸着 | |
| CN101437770A (zh) | 在底材上沉积氧化锌涂层的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170504 |