JP2718046B2 - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、低抵抗で、高透過率を有する透明導電膜
で、太陽電池、表示素子用の透明導電基板の透明導電膜
として有用な透明導電膜に関するものである。
で、太陽電池、表示素子用の透明導電基板の透明導電膜
として有用な透明導電膜に関するものである。
［従来の技術］ 一般に、透明導電膜は、太陽電池用基板、液晶・電場
発光素子等の表示素子用電極等に広く使用されている。
透明導電膜としては低抵抗で、可視光において透明であ
ることが必要であり、かかる条件を満たす透明導電膜の
材料としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛等が
知られている。現在は錫をドープした導電性酸化インジ
ウム膜やフッ素やアンチモンをドープした導電性酸化錫
膜が高性能の膜が得られることから最も広く利用されて
いるが、原料のインジウムが高価であるため比較的低価
格で成膜可能な酸化亜鉛膜が上記の導電性酸化インジウ
ム膜等の代替材料として注目され、近年活発な研究が行
われている。
発光素子等の表示素子用電極等に広く使用されている。
透明導電膜としては低抵抗で、可視光において透明であ
ることが必要であり、かかる条件を満たす透明導電膜の
材料としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛等が
知られている。現在は錫をドープした導電性酸化インジ
ウム膜やフッ素やアンチモンをドープした導電性酸化錫
膜が高性能の膜が得られることから最も広く利用されて
いるが、原料のインジウムが高価であるため比較的低価
格で成膜可能な酸化亜鉛膜が上記の導電性酸化インジウ
ム膜等の代替材料として注目され、近年活発な研究が行
われている。
従来、酸化亜鉛はＮ型の半導体でありながら電導性に
は乏しいとされていた。近年、膜中にアルミニウム、イ
ンジウム、ガリウム等の３価の金属を活剤として導入す
ると低抵抗化に効果的であることが見出され、比抵抗ｐ
が10-4Ω・cm台の低抵抗膜も作成されている。（例え
ば、T.Minami et.al.,Jpn.J,Appl.Phys.Part2,23（198
4）p280;S.Major,A.Banerjee et.al.,Thin Solid Films
Vol.125（1985）p179参照）。
は乏しいとされていた。近年、膜中にアルミニウム、イ
ンジウム、ガリウム等の３価の金属を活剤として導入す
ると低抵抗化に効果的であることが見出され、比抵抗ｐ
が10-4Ω・cm台の低抵抗膜も作成されている。（例え
ば、T.Minami et.al.,Jpn.J,Appl.Phys.Part2,23（198
4）p280;S.Major,A.Banerjee et.al.,Thin Solid Films
Vol.125（1985）p179参照）。
しかしながら、安定で蒸気圧が高い３価の金属の化合
物が得にくいため常圧下で成膜する場合、スプレー法よ
りも成膜の制御性が高く、排ガス量の少ない常圧CVD法
によって上記３価の金属をドープした低抵抗酸化亜鉛膜
を成膜するのは困難であるという問題点を有している。
又、入手可能な上記３価の金属化合物の出発原料は爆発
等の危険があり取扱いが困難であるという欠点もあっ
た。
物が得にくいため常圧下で成膜する場合、スプレー法よ
りも成膜の制御性が高く、排ガス量の少ない常圧CVD法
によって上記３価の金属をドープした低抵抗酸化亜鉛膜
を成膜するのは困難であるという問題点を有している。
又、入手可能な上記３価の金属化合物の出発原料は爆発
等の危険があり取扱いが困難であるという欠点もあっ
た。
［発明が解決しようとする課題］ 本発明は前述の問題点を解決し、かつ低抵抗を維持し
た透明導電膜を提供することを目的とする。
た透明導電膜を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであ
り、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜であって、該透
明導電膜は常圧CVD法により成膜され、酸化亜鉛に対し
３〜10wt％の弗素を含むことを特徴とする透明導電膜で
ある。
り、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜であって、該透
明導電膜は常圧CVD法により成膜され、酸化亜鉛に対し
３〜10wt％の弗素を含むことを特徴とする透明導電膜で
ある。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明における酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜
は、透過率をさほど低下させることなく比抵抗を低下さ
せる為に、弗素が酸化亜鉛に対し0.05〜30wt％、好まし
くは３〜10wt％含有された弗素ドープ酸化亜鉛導電膜で
ある。
は、透過率をさほど低下させることなく比抵抗を低下さ
せる為に、弗素が酸化亜鉛に対し0.05〜30wt％、好まし
くは３〜10wt％含有された弗素ドープ酸化亜鉛導電膜で
ある。
かかる弗素ドープ酸化亜鉛導電膜は生産性，成膜時に
おける制御性が高い常圧CVD法により成膜する。かかる
透明導電膜は、得ようとする抵抗値、光学的特性などに
よってその膜厚が決定されるが、通常は５Å〜２μｍ程
度の範囲である。
おける制御性が高い常圧CVD法により成膜する。かかる
透明導電膜は、得ようとする抵抗値、光学的特性などに
よってその膜厚が決定されるが、通常は５Å〜２μｍ程
度の範囲である。
本発明の弗素ドープ酸化亜鉛透明導電膜を形成する基
体としては、透明性、耐久性、光学的特性、電気的物性
等の点から、ソーダライムシリケートガラス板、アルミ
ノシリケートガラス板、硼珪酸塩ガラス板、リチウムア
ルミノシリケートガラス板などのアルカリ含有ガラス
板、低アルカリ含有ガラス板、あるいは無アルカリガラ
ス板、石英ガラス板などが好ましいが、場合によっては
透明性プラスチック板、あるいは透明性プラスチックフ
ィルムを使用することもできる。
体としては、透明性、耐久性、光学的特性、電気的物性
等の点から、ソーダライムシリケートガラス板、アルミ
ノシリケートガラス板、硼珪酸塩ガラス板、リチウムア
ルミノシリケートガラス板などのアルカリ含有ガラス
板、低アルカリ含有ガラス板、あるいは無アルカリガラ
ス板、石英ガラス板などが好ましいが、場合によっては
透明性プラスチック板、あるいは透明性プラスチックフ
ィルムを使用することもできる。
なお、ソーダライムシリケートガラス板などのアルカ
リ含有ガラス板、低アルカリ含有ガラス板を本発明の透
明導電膜を形成する基板として用いる場合には、該アル
カリ含有ガラス板の表面のアルカリ成分が透明導電膜に
溶出してヘイズ（曇り）が発生しない様に、上記アルカ
リ含有ガラス板の透明導電膜形成面側に、SiO2,Al2O3,Z
rO2などの酸化物を主体とするアルカリバリヤー膜を形
成しておくのが好ましい。
リ含有ガラス板、低アルカリ含有ガラス板を本発明の透
明導電膜を形成する基板として用いる場合には、該アル
カリ含有ガラス板の表面のアルカリ成分が透明導電膜に
溶出してヘイズ（曇り）が発生しない様に、上記アルカ
リ含有ガラス板の透明導電膜形成面側に、SiO2,Al2O3,Z
rO2などの酸化物を主体とするアルカリバリヤー膜を形
成しておくのが好ましい。
又、酸化亜鉛膜は水素プラズマの還元力に対して強い
耐性を有しているので、本発明の透明導電膜をガラス基
板上に形成した透明導電基板を用いて太陽電池を作成す
る場合、大変有利である。すなわち、酸化亜鉛膜つきガ
ラス基板を基板温度300℃に上げ高周波出力100mW/cm2程
度の水素プラズマ中に５分間曝したところ電導性、透過
率とも全く変化を示さず、又酸化亜鉛の膜厚が全く減少
しなかったことから、太陽電池のａ−si層を形成する時
に通常用いられるプラズマCVD法によっても、本発明の
透明導電膜は全く劣化せず、酸化錫や酸化インジウムを
主成分とする透明導電膜など水素プラズマ耐性の低い透
明導電膜と比べ大変有利である。又、上記酸化錫や酸化
インジウムなどを主成分とする水素プラズマ耐性の低い
透明導電膜の上に水素プラズマ耐性を向上させるための
保護膜としてａ−Si層を形成する前に本発明の透明導電
膜を形成することもできる。この場合、本発明の透明導
電膜は低抵抗であり、かつ透明性も高いので、太陽電池
用の透明導電基板としての性能を損なうこともない。こ
のように保護膜として本発明の透明導電膜を形成する最
の膜厚は、下地となる酸化錫、酸化インジウムなどを主
成分とする透明導電膜の水素プラズマ耐性を向上させる
という点だけを考えればバルクに近い特性が得られる程
度の薄い膜厚で十分であるが、膜厚が薄くなるにしたが
いその構造に不均一を生じやすく、水素プラズマ耐性の
面で特性が劣る傾向が生じるので、かかる不均一が生じ
ないためには膜厚５Å以上、好ましくは15〜2000Å程度
であることが望ましい。
耐性を有しているので、本発明の透明導電膜をガラス基
板上に形成した透明導電基板を用いて太陽電池を作成す
る場合、大変有利である。すなわち、酸化亜鉛膜つきガ
ラス基板を基板温度300℃に上げ高周波出力100mW/cm2程
度の水素プラズマ中に５分間曝したところ電導性、透過
率とも全く変化を示さず、又酸化亜鉛の膜厚が全く減少
しなかったことから、太陽電池のａ−si層を形成する時
に通常用いられるプラズマCVD法によっても、本発明の
透明導電膜は全く劣化せず、酸化錫や酸化インジウムを
主成分とする透明導電膜など水素プラズマ耐性の低い透
明導電膜と比べ大変有利である。又、上記酸化錫や酸化
インジウムなどを主成分とする水素プラズマ耐性の低い
透明導電膜の上に水素プラズマ耐性を向上させるための
保護膜としてａ−Si層を形成する前に本発明の透明導電
膜を形成することもできる。この場合、本発明の透明導
電膜は低抵抗であり、かつ透明性も高いので、太陽電池
用の透明導電基板としての性能を損なうこともない。こ
のように保護膜として本発明の透明導電膜を形成する最
の膜厚は、下地となる酸化錫、酸化インジウムなどを主
成分とする透明導電膜の水素プラズマ耐性を向上させる
という点だけを考えればバルクに近い特性が得られる程
度の薄い膜厚で十分であるが、膜厚が薄くなるにしたが
いその構造に不均一を生じやすく、水素プラズマ耐性の
面で特性が劣る傾向が生じるので、かかる不均一が生じ
ないためには膜厚５Å以上、好ましくは15〜2000Å程度
であることが望ましい。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を説明する。
比較例１ アルカリバイヤー膜としてCVD法により形成されたSiO
2膜（膜厚約1000Å）を表面に持つソーダライムシリケ
ートガラス板（5cm×5cm×1mm）を十分に洗浄し、次い
でこのガラス基板を常圧CVD装置に入れた。
2膜（膜厚約1000Å）を表面に持つソーダライムシリケ
ートガラス板（5cm×5cm×1mm）を十分に洗浄し、次い
でこのガラス基板を常圧CVD装置に入れた。
ガラス基板を550℃に加熱した後、このガラス基板表
面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の蒸気（１×10-3mol/
分）と弗素添加原料としてフロン22（ジフロロクロロメ
タン）（0.05／分）を含むN2ガス（2.5／分）を吹
き付け、約500Å／分で膜中に0.1wt％の弗素を含む酸化
亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。か
かる透明導電膜の表面抵抗、比抵抗、透過率（以後膜特
性と記す）は表１に示す通りであった。
面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の蒸気（１×10-3mol/
分）と弗素添加原料としてフロン22（ジフロロクロロメ
タン）（0.05／分）を含むN2ガス（2.5／分）を吹
き付け、約500Å／分で膜中に0.1wt％の弗素を含む酸化
亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。か
かる透明導電膜の表面抵抗、比抵抗、透過率（以後膜特
性と記す）は表１に示す通りであった。
実施例１ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料としてフロン22
（ジフロロクロロメタン）（0.2／分）を含むN2ガス
（2.5／分）を吹き付け、約500Å／分で膜中に5wt％
の弗素を含む酸化亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3000
Å）を形成した。かかる透明導電膜の膜特性は表１に示
す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料としてフロン22
（ジフロロクロロメタン）（0.2／分）を含むN2ガス
（2.5／分）を吹き付け、約500Å／分で膜中に5wt％
の弗素を含む酸化亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3000
Å）を形成した。かかる透明導電膜の膜特性は表１に示
す通りであった。
比較例２ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料としてフロン13
B1（トリフロロブロモメタン）（0.05／分）を含むN2
ガス（2.5／分）を吹き付け、約500Å／分で膜中に0.
1wt％の弗素を含む酸化亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3
000Å）を形成した。かかる透明導電膜の膜特性は表１
に示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料としてフロン13
B1（トリフロロブロモメタン）（0.05／分）を含むN2
ガス（2.5／分）を吹き付け、約500Å／分で膜中に0.
1wt％の弗素を含む酸化亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3
000Å）を形成した。かかる透明導電膜の膜特性は表１
に示す通りであった。
実施例２ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料としてフロン13
B1（トリフロロブロモメタン）（0.2／分）を含むN2
ガス（2.5／分）を吹き付け、約500Å／分で膜中に5w
t％の弗素を含む酸化亜鉛からなる透明導電膜（膜厚300
0Å）を形成した。かかる透明導電膜の膜特性は表１に
示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料としてフロン13
B1（トリフロロブロモメタン）（0.2／分）を含むN2
ガス（2.5／分）を吹き付け、約500Å／分で膜中に5w
t％の弗素を含む酸化亜鉛からなる透明導電膜（膜厚300
0Å）を形成した。かかる透明導電膜の膜特性は表１に
示す通りであった。
比較例３ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料として弗酸（0.
04／分）を含むN2ガス（2.5／分）を吹き付け、約5
00Å／分で膜中に0.1wt％の弗素を含む酸化亜鉛からな
る透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かかる透明導
電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料として弗酸（0.
04／分）を含むN2ガス（2.5／分）を吹き付け、約5
00Å／分で膜中に0.1wt％の弗素を含む酸化亜鉛からな
る透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かかる透明導
電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
実施例３ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料として弗酸（0.
2／分）を含むN2ガス（2.5／分）を吹き付け、約50
0Å／分で膜中に5wt％の弗素を含む酸化亜鉛からなる透
明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かかる透明導電膜
の膜特性は表１に示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）と弗素添加原料として弗酸（0.
2／分）を含むN2ガス（2.5／分）を吹き付け、約50
0Å／分で膜中に5wt％の弗素を含む酸化亜鉛からなる透
明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かかる透明導電膜
の膜特性は表１に示す通りであった。
比較例４ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）を含むN2ガス（2.5／分）と
弗素添加原料としてトリフロロ酢酸を（0.02／分）吹
き付け、約500Å／分で膜中に0.1wt％の弗素を含む酸化
亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。か
かる透明導電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）を含むN2ガス（2.5／分）と
弗素添加原料としてトリフロロ酢酸を（0.02／分）吹
き付け、約500Å／分で膜中に0.1wt％の弗素を含む酸化
亜鉛からなる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。か
かる透明導電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
実施例４ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）を含むN2ガス（2.5／分）と
弗素添加原料としてトリフロロ酢酸を（0.2／分）吹
き付け、約500Å／分で膜中に5wt％の弗素を含む酸化亜
鉛からなる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かか
る透明導電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）を含むN2ガス（2.5／分）と
弗素添加原料としてトリフロロ酢酸を（0.2／分）吹
き付け、約500Å／分で膜中に5wt％の弗素を含む酸化亜
鉛からなる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かか
る透明導電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
比較例５ 比較例１と同様のガラス基板を充分に洗浄し、次いで
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）を含むN2ガス（2.5／分）を
吹き付け、約500Å／分で弗素を含まない酸化亜鉛から
なる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かかる透明
導電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
常圧CVD装置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した
後、このガラス基板表面に亜鉛アセチルアセトン錯塩の
蒸気（１×10-3mol/分）を含むN2ガス（2.5／分）を
吹き付け、約500Å／分で弗素を含まない酸化亜鉛から
なる透明導電膜（膜厚3000Å）を形成した。かかる透明
導電膜の膜特性は表１に示す通りであった。
実施例５ アルカリバリヤー膜としてCVD法により形成されたSiO
2膜（膜厚3000Å）を表面に持つシリカ・アルカリバリ
ヤー膜付ソーダ・ライム・シリケートガラス基板（板厚
2.0mm）を充分に洗浄し、次いでこのガラス基板をCVD装
置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した後、このガ
ラス基板表面に四塩化錫１×10-2／分を１として水蒸
気（10）、メチルアルコール（0.5）およびフッ酸（0.
5）を含む窒素ガス（250）を吹き付け、約5000Å／分で
膜中に1.0wt％の窒素を含む酸化錫からなる透明導電膜
（膜厚7000Å）を形成した。次いで、実施例２と同様に
して亜鉛アセチルアセトン錯塩の蒸気（１×10-3mol/
分）と弗素添加原料としてフロン13B1（トリフロロブロ
モメタン）（0.2／分）を含むN2ガス（2.5／分）を
吹き付け、約500Å／分で弗素を含む酸化亜鉛からなる
透明導電膜を形成した。かかるフッ素のドープされた酸
化亜鉛と膜厚は100Åであった。このようにして得られ
た透明導電膜は比抵抗4.0×10-4Ω・cm、透過率80％
で、オーバーコートしなかったものとほとんど変化なか
った。
2膜（膜厚3000Å）を表面に持つシリカ・アルカリバリ
ヤー膜付ソーダ・ライム・シリケートガラス基板（板厚
2.0mm）を充分に洗浄し、次いでこのガラス基板をCVD装
置に入れた。ガラス基板を550℃に加熱した後、このガ
ラス基板表面に四塩化錫１×10-2／分を１として水蒸
気（10）、メチルアルコール（0.5）およびフッ酸（0.
5）を含む窒素ガス（250）を吹き付け、約5000Å／分で
膜中に1.0wt％の窒素を含む酸化錫からなる透明導電膜
（膜厚7000Å）を形成した。次いで、実施例２と同様に
して亜鉛アセチルアセトン錯塩の蒸気（１×10-3mol/
分）と弗素添加原料としてフロン13B1（トリフロロブロ
モメタン）（0.2／分）を含むN2ガス（2.5／分）を
吹き付け、約500Å／分で弗素を含む酸化亜鉛からなる
透明導電膜を形成した。かかるフッ素のドープされた酸
化亜鉛と膜厚は100Åであった。このようにして得られ
た透明導電膜は比抵抗4.0×10-4Ω・cm、透過率80％
で、オーバーコートしなかったものとほとんど変化なか
った。
これらの透明導電膜基板上に通常のａ−Si製造用プラ
ズマCVD装置を使用し、同装置のチャンバー内を油拡散
ポンプによって１×10-5Torr程度にまで排気した後、Si
H4ガスと1000ppmに水素で希釈されたB2H6ガスを体積化
1:10でチャンバー内へ導入しRF出力100nw/cm2と、基板
温度300℃でＰ型ａ−Si膜を形成した後ヒドラジン−水
和物を使用して同ａ−Si膜をエッチングして透明導電膜
能の比抵抗、透過率を測定した。その結果、何もオバー
コートしない膜では比抵抗が1.6倍に、透過率が0.9倍に
変化していたのに対し、本実施例のフッ素のドープされ
た酸化亜鉛の保護膜をオーバコートした膜では比抵抗、
透過率ともに全く変化していなかった。
ズマCVD装置を使用し、同装置のチャンバー内を油拡散
ポンプによって１×10-5Torr程度にまで排気した後、Si
H4ガスと1000ppmに水素で希釈されたB2H6ガスを体積化
1:10でチャンバー内へ導入しRF出力100nw/cm2と、基板
温度300℃でＰ型ａ−Si膜を形成した後ヒドラジン−水
和物を使用して同ａ−Si膜をエッチングして透明導電膜
能の比抵抗、透過率を測定した。その結果、何もオバー
コートしない膜では比抵抗が1.6倍に、透過率が0.9倍に
変化していたのに対し、本実施例のフッ素のドープされ
た酸化亜鉛の保護膜をオーバコートした膜では比抵抗、
透過率ともに全く変化していなかった。
［発明の効果］ 本発明によれば、酸化亜鉛透明導電膜の透過率をさほ
ど下げることなく電気抵抗を低下させることができ、
又、これを安価に製造することが可能となる。このた
め、特に表示素子や太陽電池入の基板として用途に広く
利用することができる。
ど下げることなく電気抵抗を低下させることができ、
又、これを安価に製造することが可能となる。このた
め、特に表示素子や太陽電池入の基板として用途に広く
利用することができる。
又、本発明によれば、弗素を添加する方法が制限され
ない。
ない。
さらに、本発明の透明導電膜は高い水素プラズマ耐性
を有しているので、水素プラズマ耐性の低い膜にオーバ
ーコートとして用いることもできる。特にａ−Si太陽電
池を製造する際に、ａ−Si膜作成時における透明導電膜
の劣化を大幅に防ぐことができる。
を有しているので、水素プラズマ耐性の低い膜にオーバ
ーコートとして用いることもできる。特にａ−Si太陽電
池を製造する際に、ａ−Si膜作成時における透明導電膜
の劣化を大幅に防ぐことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｇ０２Ｆ 1/1343 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｈ０１Ｌ 31/04 Ｌ
Claims (1)
- 【請求項１】酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜であっ
て、該透明導電膜は常圧CVD法により成膜され、酸化亜
鉛に対し３〜10wt％の弗素を含むことを特徴とする透明
導電膜。
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|---|---|---|---|
| JP63015806A JP2718046B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015806A JP2718046B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 透明導電膜 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194208A JPH01194208A (ja) | 1989-08-04 |
| JP2718046B2 true JP2718046B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=11899085
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP63015806A Expired - Fee Related JP2718046B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 透明導電膜 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2718046B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001073160A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method for preparing zinc oxide semi-conductor material |
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Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| JPS59149607A (ja) * | 1983-02-15 | 1984-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 透明電極 |
| JPS6280918A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | 住友電気工業株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63015806A patent/JP2718046B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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|---|---|
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