JPH01249634A - 導電性ガラスおよびその製造方法 - Google Patents
導電性ガラスおよびその製造方法Info
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- JPH01249634A JPH01249634A JP7788588A JP7788588A JPH01249634A JP H01249634 A JPH01249634 A JP H01249634A JP 7788588 A JP7788588 A JP 7788588A JP 7788588 A JP7788588 A JP 7788588A JP H01249634 A JPH01249634 A JP H01249634A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高強度を有する導電性ガラスおよびその製造方
法に関する6 [面来の技術] 近年、ガラスの表面に亜鉛、力l・ミウム、インジウム
、錫等の酸1ヒ物を主成分とする透明導電膜を形成して
得られる導電性ガラスが太陽電池や各種デイスプレー等
の基板として、また透明な面発熱体として広く用いられ
ている一更に、これら透明導電膜の優れた赤外線反射性
能を利用した選択透過ガラス、いわゆる熱線反射ガラス
としての利用も広く行われている、 このように、導電性ガラスの応用範囲か拡大するにつれ
て高強度を有する導電性ガラスI\の要望が高まってき
ている、この要望を満尽させるためにはガラスを軟(ヒ
温度吋近(050〜700 ’C)まで加熱した後急冷
したり(虱冷強化)、あるいはガラスを加熱溶融したア
ルカリ塩に浸積・渫持(fヒ学強化)することによりガ
ラス表面に圧縮歪層を形成させた、いわゆる強1ヒガラ
スを利用することが最も有利であることか容易に予想さ
れる一一方、ガラス表面に透明導電膜を形成するには前
記の各種金属酸化物を通常薄膜形成手段に用いられる様
々な手段で形成ずれはよいか、材t+および手段の組合
せにより数多くの方法かあげられるなかでも透明導電膜
として要求される特性、およびコストや安全性の点から
(Z V D法やスフ゛レー法等の熱分解法て行られる
酸化錫を主成分とした透明導電膜、あるいはスパッタ法
等の物理的手段て得られる酸化亜鉛を主成分とした透明
導電膜が好才れる。
法に関する6 [面来の技術] 近年、ガラスの表面に亜鉛、力l・ミウム、インジウム
、錫等の酸1ヒ物を主成分とする透明導電膜を形成して
得られる導電性ガラスが太陽電池や各種デイスプレー等
の基板として、また透明な面発熱体として広く用いられ
ている一更に、これら透明導電膜の優れた赤外線反射性
能を利用した選択透過ガラス、いわゆる熱線反射ガラス
としての利用も広く行われている、 このように、導電性ガラスの応用範囲か拡大するにつれ
て高強度を有する導電性ガラスI\の要望が高まってき
ている、この要望を満尽させるためにはガラスを軟(ヒ
温度吋近(050〜700 ’C)まで加熱した後急冷
したり(虱冷強化)、あるいはガラスを加熱溶融したア
ルカリ塩に浸積・渫持(fヒ学強化)することによりガ
ラス表面に圧縮歪層を形成させた、いわゆる強1ヒガラ
スを利用することが最も有利であることか容易に予想さ
れる一一方、ガラス表面に透明導電膜を形成するには前
記の各種金属酸化物を通常薄膜形成手段に用いられる様
々な手段で形成ずれはよいか、材t+および手段の組合
せにより数多くの方法かあげられるなかでも透明導電膜
として要求される特性、およびコストや安全性の点から
(Z V D法やスフ゛レー法等の熱分解法て行られる
酸化錫を主成分とした透明導電膜、あるいはスパッタ法
等の物理的手段て得られる酸化亜鉛を主成分とした透明
導電膜が好才れる。
才れる。
[発明か解決しようとする問題点]
しかしなから、これらの透明導電膜を強[ヒガラス上に
堆積させて得られるものには次のような問題点があった
、 すなわち、強化ガラス上に酸fヒ錫を主成分とする透明
導電膜を熱分解法で形成する場合、膜として良好な特性
を得るためには強化ガラスを高温(500〜700 ’
C)に加熱する必要があり、この際に強化ガラスとして
の強度が低下し所望の強度を渫持した導電性ガラスか得
られない 一方、酸化亜船を主成分とする透明導電膜を物理的手法
、例えばスパッター法により強1ヒガラス上に形成する
場合、強化ガラスを高温に加熱しなくとも良好な特性を
有する被膜か得られるなめ強度上の問題はないが、該被
膜は熱的安定性に7:(→、また成膜速度が約0.01
μm /分と非常に遅いためこのようにして得られる導
電性ガラスの特性は信頼性に欠け、また量産性の点から
も問題かあっな1 [問題点を解決する手段] 本発明は前記問題点を解決するなめになされたものであ
って、高強度を有する導電性ガラスを提[共するもので
ある6 すなわち本発明は第1図に示されるように風冷強化ある
いはfヒ学強化により得られる強化ガラスを基体としそ
の表面に熱分解法により酸1ヒ亜鉛を形成して得られる
導電性ガラスおよびその製造方法である、 本発明において、強1ヒガラスの表面に酸fヒ亜紹を主
成分とする透明導電膜を形成するには200〜500
’Cに加熱された強1ヒガラスの表面に調整された原料
を蒸気、あるいは微小な液滴の形で接触させ熱分解酸[
上層部により薄膜を形成するC VD法あるいはスプレ
ー法が用いられる。本発明に用いることのできる亜鉛原
料としては(CH3’+2Zn、(C2H5)2Zn、
ZnC42,Zn (C2H302)2.Zn (C5
H702)2等があげられる4才な被膜の特性を向上さ
せる、特に被膜の抵抗を低くするなめには原料中に(C
H3) 3Ajlj 、 (C2H、) 3AL 、
A/ CL 3. Aえ(C2H302) 3゜Af
(C,H70□) 3. (C)(3) 31 I
〕、 (C21(5)3I n、 I nC43,I
n (C5H702) 3等を混入させA4やInが
ドープされた酸1ヒ亜釦を主成分とする被膜を形成する
ことがあげられ、またGa。
堆積させて得られるものには次のような問題点があった
、 すなわち、強化ガラス上に酸fヒ錫を主成分とする透明
導電膜を熱分解法で形成する場合、膜として良好な特性
を得るためには強化ガラスを高温(500〜700 ’
C)に加熱する必要があり、この際に強化ガラスとして
の強度が低下し所望の強度を渫持した導電性ガラスか得
られない 一方、酸化亜船を主成分とする透明導電膜を物理的手法
、例えばスパッター法により強1ヒガラス上に形成する
場合、強化ガラスを高温に加熱しなくとも良好な特性を
有する被膜か得られるなめ強度上の問題はないが、該被
膜は熱的安定性に7:(→、また成膜速度が約0.01
μm /分と非常に遅いためこのようにして得られる導
電性ガラスの特性は信頼性に欠け、また量産性の点から
も問題かあっな1 [問題点を解決する手段] 本発明は前記問題点を解決するなめになされたものであ
って、高強度を有する導電性ガラスを提[共するもので
ある6 すなわち本発明は第1図に示されるように風冷強化ある
いはfヒ学強化により得られる強化ガラスを基体としそ
の表面に熱分解法により酸1ヒ亜鉛を形成して得られる
導電性ガラスおよびその製造方法である、 本発明において、強1ヒガラスの表面に酸fヒ亜紹を主
成分とする透明導電膜を形成するには200〜500
’Cに加熱された強1ヒガラスの表面に調整された原料
を蒸気、あるいは微小な液滴の形で接触させ熱分解酸[
上層部により薄膜を形成するC VD法あるいはスプレ
ー法が用いられる。本発明に用いることのできる亜鉛原
料としては(CH3’+2Zn、(C2H5)2Zn、
ZnC42,Zn (C2H302)2.Zn (C5
H702)2等があげられる4才な被膜の特性を向上さ
せる、特に被膜の抵抗を低くするなめには原料中に(C
H3) 3Ajlj 、 (C2H、) 3AL 、
A/ CL 3. Aえ(C2H302) 3゜Af
(C,H70□) 3. (C)(3) 31 I
〕、 (C21(5)3I n、 I nC43,I
n (C5H702) 3等を混入させA4やInが
ドープされた酸1ヒ亜釦を主成分とする被膜を形成する
ことがあげられ、またGa。
Si、Sn等上記以外の不純物をドープしてもよい、ま
た2種類以上の不純物を同時に被膜中に混入させても良
い、更に基体に含まれるアルカリ成分が被膜中に拡散す
ることを防ぐ目的で二酸化珪素等を主成分とする薄膜を
基体と被膜の間に挿入しても良い。
た2種類以上の不純物を同時に被膜中に混入させても良
い、更に基体に含まれるアルカリ成分が被膜中に拡散す
ることを防ぐ目的で二酸化珪素等を主成分とする薄膜を
基体と被膜の間に挿入しても良い。
[作用]
強化ガラス表面に熱分解法で酸化亜鉛を主成分とする透
明導電膜を形成することにより高強度を有する導電性ガ
ラスを得ることがてきる。
明導電膜を形成することにより高強度を有する導電性ガ
ラスを得ることがてきる。
実施例1
大きさが150X300mm、厚みが3.2mmのフロ
ート板ガラスを風冷強化して得られた強化ガラスを十分
に洗浄、乾燥し基板とした。この基板上に以下のように
して酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を形成した。
ート板ガラスを風冷強化して得られた強化ガラスを十分
に洗浄、乾燥し基板とした。この基板上に以下のように
して酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を形成した。
アルゴンカスて搬送された (C2H5)2Zn。
H20、(C2H5) 3 I n の蒸気および酸素
ガスの調整された混合気体を用い、C,V D法により
100To r r−の圧力下250〜500°Cに加
熱された基板上に0.05−0.1μm 、/分の成膜
速度でインシラl\がドープされた酸化亜鉛を主成分と
する透明導電膜を形成し、試料とした9得られた被膜の
厚みは0.6μmであり、面積抵抗は10Ω/・′口、
可視光の平均透過率は75%であった。
ガスの調整された混合気体を用い、C,V D法により
100To r r−の圧力下250〜500°Cに加
熱された基板上に0.05−0.1μm 、/分の成膜
速度でインシラl\がドープされた酸化亜鉛を主成分と
する透明導電膜を形成し、試料とした9得られた被膜の
厚みは0.6μmであり、面積抵抗は10Ω/・′口、
可視光の平均透過率は75%であった。
これらの試料について全反射応力測定法により表面応力
を測定した結果を第2図に示す。またこれらの試料を大
気中300℃で30分間加熱保持したか、被膜の特性及
び試料の表面応力に変化はみられなかった。
を測定した結果を第2図に示す。またこれらの試料を大
気中300℃で30分間加熱保持したか、被膜の特性及
び試料の表面応力に変化はみられなかった。
比較例として実施例に用いたものと同じ強化ガラスを基
板とし、CVD法によりフッ素がトープされた酸化錫を
主成分とする透明導電膜を形成しな8成膜時の基板温度
は520 ’Cてあり、被膜の厚みは06μm、面積抵
抗、可視光の平均透過率は各々10927口、73%て
あつ/こ。このようにして得られた導電性ガラスについ
て実施例と同し方法により表面応力を測定しな。結果を
第2図に示す。
板とし、CVD法によりフッ素がトープされた酸化錫を
主成分とする透明導電膜を形成しな8成膜時の基板温度
は520 ’Cてあり、被膜の厚みは06μm、面積抵
抗、可視光の平均透過率は各々10927口、73%て
あつ/こ。このようにして得られた導電性ガラスについ
て実施例と同し方法により表面応力を測定しな。結果を
第2図に示す。
また、基板に用いた強化ガラス及び強化されていないガ
ラスについて実施例と同し方法により表面応力を測定し
たところ、各々11.50 k g / cm2.0
k 、q、/’c m2(測定限界以下)であった。
ラスについて実施例と同し方法により表面応力を測定し
たところ、各々11.50 k g / cm2.0
k 、q、/’c m2(測定限界以下)であった。
実施例2
大きさか100×100In m厚めか1.1mmのソ
ータライムガラスを化学性fヒして得られた強化ガラス
を十分に洗浄、乾燥し基板としブご。この基板上に以下
のようにして酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を形成
した。
ータライムガラスを化学性fヒして得られた強化ガラス
を十分に洗浄、乾燥し基板としブご。この基板上に以下
のようにして酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を形成
した。
メタノールと水とからなる混合溶媒にZn(C2H30
2) 2およびAj’、C10を溶解さぜなものを原料
とし市販のスプレーカンを用い圧縮空気を搬送気体とし
たスプレー法により300〜500℃に加熱された基板
上に0.1−0.2μIn 、/分の成膜速度でアルミ
ニウムか1へ−プされた酸化亜鉛を主成分とする透明導
電膜を形成し試料とした。
2) 2およびAj’、C10を溶解さぜなものを原料
とし市販のスプレーカンを用い圧縮空気を搬送気体とし
たスプレー法により300〜500℃に加熱された基板
上に0.1−0.2μIn 、/分の成膜速度でアルミ
ニウムか1へ−プされた酸化亜鉛を主成分とする透明導
電膜を形成し試料とした。
得られた被膜の厚みは06μmてあり面積抵抗は10Ω
、7口、可視光の平均透過率は76%であった。これら
の試料についてオートグラフlS−10T型(島津製1
ヤ所)を用い、リング曲は強度試験を行い破壊応力を求
めた。結果を第3図に示す。
、7口、可視光の平均透過率は76%であった。これら
の試料についてオートグラフlS−10T型(島津製1
ヤ所)を用い、リング曲は強度試験を行い破壊応力を求
めた。結果を第3図に示す。
また、これらの試料を大気中300℃で30分間加熱・
保持したか被膜の特性及び試料の破壊応力に変1ヒは認
められなかった9 比較例として実施例に用いたものと同じ強化ガラスを基
板としスプレー法によりフッ素かI・−ブされた酸化錫
を主成分とする透明導電膜を形成した。成膜時の基板温
度は550°Cであり被膜の厚みは06μn1、面積抵
抗、可視光の平均透過率は各々]0Ω/0.70%であ
った9このようにして得られた導電性ガラスについて実
施例と同し方法により破壊応力を求めた。結果を第3図
に示す。
保持したか被膜の特性及び試料の破壊応力に変1ヒは認
められなかった9 比較例として実施例に用いたものと同じ強化ガラスを基
板としスプレー法によりフッ素かI・−ブされた酸化錫
を主成分とする透明導電膜を形成した。成膜時の基板温
度は550°Cであり被膜の厚みは06μn1、面積抵
抗、可視光の平均透過率は各々]0Ω/0.70%であ
った9このようにして得られた導電性ガラスについて実
施例と同し方法により破壊応力を求めた。結果を第3図
に示す。
また、基板に用いた強化ガラスおよび強化されていない
ガラスについて実施例と同し方法により破壊応力を調へ
たところ、各々4530 k g 、/ cm2.13
30kg/cm2てあった。
ガラスについて実施例と同し方法により破壊応力を調へ
たところ、各々4530 k g 、/ cm2.13
30kg/cm2てあった。
[発明の効果]
本発明によれば、実施例から明らかなように高強度を有
する導電性ガラスを得ることができる。
する導電性ガラスを得ることができる。
第1図は本発明による導電性ガラスの構造を示したもの
である。 第2図は本発明の導電性ガラスの表面応力を示すもので
ある。 第3図は本発明の導電性ガラスの破壊応力を示すもので
ある。 特許出願人 日本板硝子株式会社 ■ 誓 ↓ 神、3)幻 第 2 図 )を吟味化が゛ラス 一争−拳−“−゛−−゛−゛°−°−−−−°−゛−・ ・ ・ ・ νOO 、、、−#、と、I
である。 第2図は本発明の導電性ガラスの表面応力を示すもので
ある。 第3図は本発明の導電性ガラスの破壊応力を示すもので
ある。 特許出願人 日本板硝子株式会社 ■ 誓 ↓ 神、3)幻 第 2 図 )を吟味化が゛ラス 一争−拳−“−゛−−゛−゛°−°−−−−°−゛−・ ・ ・ ・ νOO 、、、−#、と、I
Claims (2)
- (1)強化ガラスと熱分解法により形成された酸化亜鉛
を主成分とする透明導電膜とからなることを特徴とする
導電性ガラス。 - (2)強化ガラス表面に熱分解法により酸化亜鉛を主成
分とする透明導電膜を該強化ガラス表面の温度が250
〜500℃で形成することを特徴とする導電性ガラスの
製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7788588A JPH01249634A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 導電性ガラスおよびその製造方法 |
EP19890400769 EP0335769B1 (fr) | 1988-03-30 | 1989-03-20 | Verre électroconducteur et procédé pour sa fabrication |
DE1989603980 DE68903980T2 (de) | 1988-03-30 | 1989-03-20 | Elektroleitendes glas und verfahren zu seiner herstellung. |
ES89400769T ES2037975T3 (es) | 1988-03-30 | 1989-03-20 | Procedimiento de fabricacion de un cristal electro-conductor. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7788588A JPH01249634A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 導電性ガラスおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01249634A true JPH01249634A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13646526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7788588A Pending JPH01249634A (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 導電性ガラスおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0335769B1 (ja) |
JP (1) | JPH01249634A (ja) |
DE (1) | DE68903980T2 (ja) |
ES (1) | ES2037975T3 (ja) |
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JP3335384B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2002-10-15 | 旭硝子株式会社 | 熱線遮断膜 |
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US5094882A (en) * | 1990-12-12 | 1992-03-10 | Ford Motor Company | Zinc oxide film growth rate accelerator |
FR2701474B1 (fr) * | 1993-02-11 | 1995-03-31 | Saint Gobain Vitrage Int | Vitrage muni d'une couche fonctionnelle. |
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DE10018671C2 (de) * | 2000-04-14 | 2002-09-26 | Nanogate Technologies Gmbh | Verfahren zur Erzeugung einer hydrophoben Oberfläche von Gegenständen aus silikatkeramischen Werkstoffen sowie Gegenstand mit einer hydrophoben Oberfläche |
EP2061729A1 (en) * | 2006-08-29 | 2009-05-27 | Pilkington Group Limited | Method of making low resistivity doped zinc oxide coatings and the articles formed thereby |
DE102015103857A1 (de) * | 2014-12-01 | 2016-06-02 | Schott Ag | Miniaturisiertes elektronisches Bauelement mit verringerter Bruchgefahr sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
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WO2023067206A1 (es) * | 2021-10-21 | 2023-04-27 | Cristalería Pontevedresa S.L | Vidrio calefactable conductivo en masa para automoción, ferrocarril y naval |
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JPH01242417A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-27 | Mitsubishi Metal Corp | 透明導電性酸化亜鉛膜の製造方法 |
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FR2391966A1 (fr) * | 1977-05-23 | 1978-12-22 | Saint Gobain | Article verrier antistatique trempe chimiquement |
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-
1988
- 1988-03-30 JP JP7788588A patent/JPH01249634A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-20 ES ES89400769T patent/ES2037975T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-20 DE DE1989603980 patent/DE68903980T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-20 EP EP19890400769 patent/EP0335769B1/fr not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE68903980D1 (de) | 1993-02-04 |
DE68903980T2 (de) | 1993-06-03 |
EP0335769B1 (fr) | 1992-12-23 |
EP0335769A2 (fr) | 1989-10-04 |
ES2037975T3 (es) | 1993-07-01 |
EP0335769A3 (en) | 1990-08-29 |
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