RU2006145280A - Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката - Google Patents
Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката Download PDFInfo
- Publication number
- RU2006145280A RU2006145280A RU2006145280/02A RU2006145280A RU2006145280A RU 2006145280 A RU2006145280 A RU 2006145280A RU 2006145280/02 A RU2006145280/02 A RU 2006145280/02A RU 2006145280 A RU2006145280 A RU 2006145280A RU 2006145280 A RU2006145280 A RU 2006145280A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chambers
- bubbler
- chamber
- compound
- carrier gas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
1. Барботер для обеспечения испаренного соединения в процесс химического осаждения из паровой фазы, содержащий (а) сборную конструкцию барботера, имеющую ввод и вывод; (b) средство для обеспечения инертного газа-носителя к соединению, соединенное с вводом; (с) средство для удаления испаренного соединения и газа-носителя из сборной конструкции камеры и передачи соединения в процесс химического осаждения из паровой фазы, соединенное с выводом; и (d) средство температурного контроля, в котором размещена сборная конструкция камеры барботера и которое вызывает испарение указанного соединения в газ-носитель; при этом сборная конструкция камеры барботера содержит две или более камер, соединенных в ряд с потоком испаренного соединения и газа-носителя, меняющимся между потоком вверх и потоком вниз между примыкающими камерами в указанном ряду, причем все камеры находятся по существу в вертикальной ориентации, в которой камера или камеры содержат твердый источник указанного соединения, при этом отношение между длиной камеры или объединенной длиной камер, соединенных в ряд, по отношению к направлению потока газа-носителя через камеру или камеры и средним диаметром, эквивалентным поперечному разрезу камеры или камер по отношению к направлению потока газа-носителя через камеру или камеры составляет не менее чем приблизительно 6:1.2. Барботер по п.1, в котором общая длина камер является достаточной для насыщения или состояния близкого к насыщению газа-носителя соединением по выводу сборной конструкции камеры барботера до расходования большей части указанного соединения.3. Барботер по п.1 или 2, в котором камеры в сборной к�
Claims (21)
1. Барботер для обеспечения испаренного соединения в процесс химического осаждения из паровой фазы, содержащий (а) сборную конструкцию барботера, имеющую ввод и вывод; (b) средство для обеспечения инертного газа-носителя к соединению, соединенное с вводом; (с) средство для удаления испаренного соединения и газа-носителя из сборной конструкции камеры и передачи соединения в процесс химического осаждения из паровой фазы, соединенное с выводом; и (d) средство температурного контроля, в котором размещена сборная конструкция камеры барботера и которое вызывает испарение указанного соединения в газ-носитель; при этом сборная конструкция камеры барботера содержит две или более камер, соединенных в ряд с потоком испаренного соединения и газа-носителя, меняющимся между потоком вверх и потоком вниз между примыкающими камерами в указанном ряду, причем все камеры находятся по существу в вертикальной ориентации, в которой камера или камеры содержат твердый источник указанного соединения, при этом отношение между длиной камеры или объединенной длиной камер, соединенных в ряд, по отношению к направлению потока газа-носителя через камеру или камеры и средним диаметром, эквивалентным поперечному разрезу камеры или камер по отношению к направлению потока газа-носителя через камеру или камеры составляет не менее чем приблизительно 6:1.
2. Барботер по п.1, в котором общая длина камер является достаточной для насыщения или состояния близкого к насыщению газа-носителя соединением по выводу сборной конструкции камеры барботера до расходования большей части указанного соединения.
3. Барботер по п.1 или 2, в котором камеры в сборной конструкции камеры барботера расположены под углом, равным, по меньшей мере, приблизительно 45°С от горизонтали.
4. Барботер по п.1 или 2, в котором камеры, содержащие сборную конструкцию барботера, имеют средние внутренние диаметры, равные от приблизительно 1,3 см до приблизительно 7,6 см.
5. Барботер по п.1 или 2, в котором камеры, содержащие сборную конструкцию барботера, имеют одинаковые или различные внутренние диаметры по всей их длине.
6. Барботер по п.1 или 2, в котором сборная конструкция барботера содержит две или более камер в ряде с узлами соединения между камерами в примыкающей последовательности, содержащей трубки, соединенные по каждому концу с камерами в примыкающей последовательности, причем соединение между камерами примыкающей последовательности и камерами узлов соединения представляет собой угловые фитинги.
7. Барботер по п.1 или 2, в котором сборная конструкция барботера содержит две или более камер в рядах с узлами соединения между камерами в примыкающей последовательности, содержащей трубки, соединенные по каждому концу с камерами в примыкающей последовательности, причем соединение между камерами примыкающей последовательности и камерами узлов соединения представляет собой округлые фитинги.
8. Барботер по п.1 или 2, в котором сборная конструкция барботера содержит две или более камер, соединенных в ряд с, по меньшей мере, одной из камер, содержащей кольцевое пространство из концентрических камер.
9. Барботер по п.1 или 2, в котором указанное соединение содержит металлорганическое соединение.
10. Барботер по п.9, в котором металлорганическое соединение выбирают из группы, состоящей из триметилалюминия (TMAL), триметилгаллия (TMG), триэтилгаллия (TEG), триметилсурьмы (TMSb), диметилгидразина (DMHy), триметилиндия (TMI) и циклопентадиенилмагния (Cp2Mg).
11. Барботер по п.10, в котором металлоорганическое соединение содержит триметилиндий и/или циклопентадиенилмагний.
12. Барботер по п.1 или 2, в котором указанное соединение содержит жидкость.
13. Барботер по п.1 или 2, в котором указанное соединение содержит твердое вещество.
14. Барботер по п.13, в котором указанное соединение содержит тетрабромид и/или тетрахлорид гафния.
15. Барботер по п.1 или 2, в котором указанное соединение содержит жидкость, а сборная конструкция камеры барботера обеспечивает поток газа-носителя только в верхнем направлении через камеры.
16. Барботер по п.1 или 2, в котором газ-носитель выбирают из группы, состоящей из водорода, азота и инертных газов.
17. Барботер по п. 16, в котором газ-носитель содержит водород.
18. Барботер по п.1 или 2, в котором внутренние стенки указанных камеры или камер являются рифлеными или содержат перегородки, причем рифления или перегородки по существу выровнены перпендикулярно направлению потока газа-носителя.
19. Барботер по п.1 или 2, в котором указанное соединение содержит частицы твердого вещества, смешанного с набивкой.
20. Барботер по п.19, в котором набивка содержит по существу сферические частицы или другие формы, инертные к соединению и газу-носителю.
21. Барботер по п.20, в котором сферические частицы или другие формы содержат шарики/другие формы из нержавеющей стали и/или стекла.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US57268704P | 2004-05-20 | 2004-05-20 | |
US60/572,687 | 2004-05-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2006145280A true RU2006145280A (ru) | 2008-07-10 |
RU2384652C2 RU2384652C2 (ru) | 2010-03-20 |
Family
ID=34968166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006145280/02A RU2384652C2 (ru) | 2004-05-20 | 2005-05-17 | Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8170404B2 (ru) |
EP (1) | EP1747302B1 (ru) |
JP (2) | JP5383038B2 (ru) |
CN (2) | CN104152870A (ru) |
AU (1) | AU2005245634B2 (ru) |
CA (1) | CA2566944C (ru) |
HK (1) | HK1200196A1 (ru) |
IL (1) | IL179354A (ru) |
IN (1) | IN266811B (ru) |
PL (1) | PL1747302T3 (ru) |
RU (1) | RU2384652C2 (ru) |
TW (1) | TWI402372B (ru) |
UA (1) | UA86810C2 (ru) |
WO (1) | WO2005113857A1 (ru) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7547363B2 (en) * | 2003-07-08 | 2009-06-16 | Tosoh Finechem Corporation | Solid organometallic compound-filled container and filling method thereof |
US20060121192A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Jurcik Benjamin J | Liquid precursor refill system |
GB2432371B (en) * | 2005-11-17 | 2011-06-15 | Epichem Ltd | Improved bubbler for the transportation of substances by a carrier gas |
US20070254100A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-01 | Applied Materials, Inc. | MOCVD reactor without metalorganic-source temperature control |
US20070254093A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-01 | Applied Materials, Inc. | MOCVD reactor with concentration-monitor feedback |
KR20140075019A (ko) * | 2006-05-30 | 2014-06-18 | 우베 고산 가부시키가이샤 | 유기금속 화합물의 공급 장치 |
GB2444143B (en) * | 2006-11-27 | 2009-10-28 | Sumitomo Chemical Co | Apparatus of supplying organometallic compound |
JP5262083B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2013-08-14 | 宇部興産株式会社 | 固体有機金属化合物の供給装置 |
US9034105B2 (en) | 2008-01-10 | 2015-05-19 | American Air Liquide, Inc. | Solid precursor sublimator |
KR101765734B1 (ko) | 2009-11-02 | 2017-08-07 | 시그마-알드리치 컴퍼니., 엘엘씨 | 고형 전구체 전달 어셈블리 및 관련 방법 |
JP2013115208A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 気化原料供給装置、これを備える基板処理装置、及び気化原料供給方法 |
DE102012021527A1 (de) | 2012-10-31 | 2014-04-30 | Dockweiler Ag | Vorrichtung zur Erzeugung eines Gasgemisches |
US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
US20150079283A1 (en) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | LGS Innovations LLC | Apparatus and method to deposit doped films |
WO2016025367A1 (en) * | 2014-08-11 | 2016-02-18 | Veeco Instruments Inc. | Enhanced enclosures for acoustical gas concentration sensing and flow control |
DE102015108430A1 (de) * | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Dockweiler Ag | Vorrichtung zur Erzeugung eines Gases mit einer ringzylindrischen Reaktionskammer |
CN105063570A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-11-18 | 清远先导材料有限公司 | 一种提高三甲基铟利用率的方法 |
US10876205B2 (en) | 2016-09-30 | 2020-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US11926894B2 (en) | 2016-09-30 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Reactant vaporizer and related systems and methods |
US11168394B2 (en) | 2018-03-14 | 2021-11-09 | CeeVeeTech, LLC | Method and apparatus for making a vapor of precise concentration by sublimation |
JP7376278B2 (ja) | 2018-08-16 | 2023-11-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 固体原料昇華器 |
US11624113B2 (en) | 2019-09-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Heating zone separation for reactant evaporation system |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB404005A (en) | 1932-06-30 | 1934-01-01 | Holmes W C & Co Ltd | New or improved process for bringing mutually immiscible liquids of different specific gravity into intimate contact |
US4506815A (en) * | 1982-12-09 | 1985-03-26 | Thiokol Corporation | Bubbler cylinder and dip tube device |
FR2569207B1 (fr) * | 1984-08-14 | 1986-11-14 | Mellet Robert | Procede et dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un compose a l'etat de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce compose dans un reacteur d'epitaxie |
JPS61183195A (ja) | 1985-02-07 | 1986-08-15 | Nec Corp | 液体原料容器 |
JPS6211536A (ja) | 1985-07-09 | 1987-01-20 | Nec Corp | 有機金属バブラ−容器 |
JPS6311598A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-19 | Toyo Sutoufuaa Chem:Kk | 有機金属気相成長用シリンダ− |
JPS6425523A (en) | 1987-07-22 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Container of organic metal compound |
JPS6464314A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-10 | Mitsubishi Electric Corp | Sublimator |
JPH01168331A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機金属化合物の飽和方法 |
DE3801147A1 (de) * | 1988-01-16 | 1989-07-27 | Philips Patentverwaltung | Vorrichtung zum erzeugen eines mit dem dampf eines wenig fluechtigen stoffes angereicherten gasstroms |
JPH0269389A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-08 | Toyo Stauffer Chem Co | 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 |
GB2223509B (en) * | 1988-10-04 | 1992-08-05 | Stc Plc | Vapour phase processing |
ATE139580T1 (de) * | 1989-09-26 | 1996-07-15 | Canon Kk | Gasversorgungsvorrichtung und ihre verwendung für eine filmabscheidungsanlage |
JPH03181123A (ja) | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Ricoh Co Ltd | 気相成長法 |
JP2943076B2 (ja) | 1990-06-07 | 1999-08-30 | アネルバ株式会社 | バブリング機構とこれを含む表面処理装置 |
JPH0499312A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 有機金属気相成長装置 |
JPH04187232A (ja) * | 1990-11-17 | 1992-07-03 | Fujikura Ltd | 原料供給装置 |
GB9116381D0 (en) * | 1991-07-30 | 1991-09-11 | Shell Int Research | Method for deposition of a metal |
JPH05251348A (ja) | 1992-03-05 | 1993-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | バブラおよびガス供給装置 |
GB9206552D0 (en) | 1992-03-26 | 1992-05-06 | Epichem Ltd | Bubblers |
JPH06151311A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Tosoh Akzo Corp | 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物供給装置 |
JPH06196415A (ja) | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Kawasaki Steel Corp | 気相成長用ガス供給方法及びその装置 |
US5502227A (en) * | 1993-07-27 | 1996-03-26 | Cvd, Incorporated | Liquid indium source |
KR960010901A (ko) * | 1994-09-30 | 1996-04-20 | 김광호 | 고체 유기화합물 전용 버블러 장치 |
US5553395A (en) * | 1995-05-31 | 1996-09-10 | Hughes Aircraft Company | Bubbler for solid metal organic source material and method of producing saturated carrying gas |
TW322602B (ru) * | 1996-04-05 | 1997-12-11 | Ehara Seisakusho Kk | |
US6180190B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor source for chemical vapor deposition |
JP3998309B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2007-10-24 | Dowaホールディングス株式会社 | Cvd法における有機アルカリ土類金属錯体の気化方法 |
US6444038B1 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-03 | Morton International, Inc. | Dual fritted bubbler |
DE10005820C1 (de) * | 2000-02-10 | 2001-08-02 | Schott Glas | Gasversorungsvorrichtung für Precursoren geringen Dampfdrucks |
JP2004509041A (ja) * | 2000-05-25 | 2004-03-25 | コーニング インコーポレイテッド | チタニアドープ石英ガラスプリフォームの作成方法 |
EP1160355B1 (en) * | 2000-05-31 | 2004-10-27 | Shipley Company LLC | Bubbler |
KR101027485B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2011-04-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반도체 박막 증착을 위한 개선된 공정 |
JP3909022B2 (ja) | 2002-02-08 | 2007-04-25 | 東ソー・ファインケム株式会社 | 固体有機金属化合物用充填容器 |
US7031600B2 (en) * | 2003-04-07 | 2006-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for silicon oxide deposition on large area substrates |
US6909839B2 (en) * | 2003-07-23 | 2005-06-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material |
US7258892B2 (en) * | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
-
2005
- 2005-05-17 IN IN3807KON2006 patent/IN266811B/en unknown
- 2005-05-17 AU AU2005245634A patent/AU2005245634B2/en not_active Ceased
- 2005-05-17 CN CN201410384907.2A patent/CN104152870A/zh active Pending
- 2005-05-17 PL PL05749586T patent/PL1747302T3/pl unknown
- 2005-05-17 WO PCT/EP2005/052247 patent/WO2005113857A1/en active Application Filing
- 2005-05-17 CA CA2566944A patent/CA2566944C/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-05-17 CN CNA2005800159337A patent/CN1954094A/zh active Pending
- 2005-05-17 UA UAA200613504A patent/UA86810C2/ru unknown
- 2005-05-17 RU RU2006145280/02A patent/RU2384652C2/ru active
- 2005-05-17 JP JP2007517248A patent/JP5383038B2/ja active Active
- 2005-05-17 US US11/579,889 patent/US8170404B2/en active Active
- 2005-05-17 EP EP05749586A patent/EP1747302B1/en active Active
- 2005-05-20 TW TW094116492A patent/TWI402372B/zh active
-
2006
- 2006-11-16 IL IL179354A patent/IL179354A/en active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-21 JP JP2013032199A patent/JP5645985B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-21 HK HK15100671.9A patent/HK1200196A1/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PL1747302T3 (pl) | 2013-05-31 |
EP1747302A1 (en) | 2007-01-31 |
TWI402372B (zh) | 2013-07-21 |
AU2005245634A1 (en) | 2005-12-01 |
IN266811B (ru) | 2015-06-03 |
IL179354A (en) | 2013-03-24 |
US8170404B2 (en) | 2012-05-01 |
HK1200196A1 (en) | 2015-07-31 |
AU2005245634B2 (en) | 2010-07-01 |
UA86810C2 (ru) | 2009-05-25 |
CN1954094A (zh) | 2007-04-25 |
CA2566944A1 (en) | 2005-12-01 |
EP1747302B1 (en) | 2012-12-26 |
RU2384652C2 (ru) | 2010-03-20 |
CN104152870A (zh) | 2014-11-19 |
TW200604373A (en) | 2006-02-01 |
JP2013138238A (ja) | 2013-07-11 |
IL179354A0 (en) | 2007-03-08 |
JP2007538393A (ja) | 2007-12-27 |
CA2566944C (en) | 2016-10-11 |
JP5383038B2 (ja) | 2014-01-08 |
WO2005113857A1 (en) | 2005-12-01 |
US20070221127A1 (en) | 2007-09-27 |
JP5645985B2 (ja) | 2014-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2006145280A (ru) | Барботер для постоянной доставки пара твердого химиката | |
JP2007538393A5 (ru) | ||
JP2013138238A5 (ru) | ||
TWI589359B (zh) | Gas shower, chemical vapor deposition apparatus and method | |
CN111270221B (zh) | 半导体设备中的气体分配器和半导体设备 | |
US10130958B2 (en) | Showerhead assembly with gas injection distribution devices | |
CN101100743B (zh) | 金属有机化合物的化学气相淀积设备 | |
JP4700729B2 (ja) | ガス燃焼装置 | |
US20100154908A1 (en) | Gas mixture supplying method and apparatus | |
US8133806B1 (en) | Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition | |
TWI537416B (zh) | A CVD reactor with a strip inlet region and a method of depositing a layer on the substrate in such a CVD reactor | |
US9032990B2 (en) | Chemical delivery system | |
WO2023036046A1 (zh) | 半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备 | |
JP2023541215A (ja) | 半導体構造の製造方法、及び半導体成長装置 | |
KR101311974B1 (ko) | 원자층 증착법에 의하여 반도체 물질들을 형성하는 시스템들 및 방법들 | |
CN109778143A (zh) | 一种沉积***及其气体传输方法 | |
US20160138157A1 (en) | Thin film deposition apparatus | |
US20190233968A1 (en) | Gas injector for chemical vapor deposition system | |
JP5481415B2 (ja) | 気相成長装置、及び気相成長方法 | |
KR20140089167A (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWM556930U (zh) | 固態前驅物的輸送裝置 | |
KR20130136245A (ko) | 인젝터 및 이를 포함하는 물질층 증착 챔버 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20180314 |