JPS61183195A - 液体原料容器 - Google Patents
液体原料容器Info
- Publication number
- JPS61183195A JPS61183195A JP2245585A JP2245585A JPS61183195A JP S61183195 A JPS61183195 A JP S61183195A JP 2245585 A JP2245585 A JP 2245585A JP 2245585 A JP2245585 A JP 2245585A JP S61183195 A JPS61183195 A JP S61183195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- starting material
- raw material
- chambers
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は気相成長装置に関し、特に半導体素子の製造等
に用いる気相成長装置の液体原料容器に関するものであ
る。
に用いる気相成長装置の液体原料容器に関するものであ
る。
高集積回路、半導体レーデ−及び光検知等の微細構造を
有する半導体装置を作成するにあたシ、薄膜成長はきわ
めて重要な工程の一つである。然るに薄膜成長方法とし
ては気相成長法、液相成長法、及び分子線エピタキシャ
ル法が用いられているが、分子線エピタキシャル法及び
気相成長法は原料ガス又は原料となる分子から結晶基板
への直接成長という有利嘔から量産性の点で最も優れて
いる。
有する半導体装置を作成するにあたシ、薄膜成長はきわ
めて重要な工程の一つである。然るに薄膜成長方法とし
ては気相成長法、液相成長法、及び分子線エピタキシャ
ル法が用いられているが、分子線エピタキシャル法及び
気相成長法は原料ガス又は原料となる分子から結晶基板
への直接成長という有利嘔から量産性の点で最も優れて
いる。
従来の気相成長法において、思料ガスはガスぎンベよシ
又液体原料の場合はバブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）よシ輸
送ガスとともに反応管に供給される。結晶基板は反応管
内にて抵抗加熱、高周波加熱等によシ加熱てれ送られて
きた原料ガスは結晶基板上又はその近傍にて化学反応を
おこし結晶基板上にエピタキシャル成長する。
又液体原料の場合はバブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）よシ輸
送ガスとともに反応管に供給される。結晶基板は反応管
内にて抵抗加熱、高周波加熱等によシ加熱てれ送られて
きた原料ガスは結晶基板上又はその近傍にて化学反応を
おこし結晶基板上にエピタキシャル成長する。
液体原料を用いる場合、液体原料を収納した容器に輸送
ガスをおくりこみ、原料を気化するとともに輸送ガスは
反応部へ送シ出される。その際原料の濃度を一定とする
丸めに容器を一定の温度とし、又原料の蒸気圧を飽和蒸
気圧とするためにおくシこまれたガスを液体原料の中に
送ルこみこれを泡出式せる。
ガスをおくりこみ、原料を気化するとともに輸送ガスは
反応部へ送シ出される。その際原料の濃度を一定とする
丸めに容器を一定の温度とし、又原料の蒸気圧を飽和蒸
気圧とするためにおくシこまれたガスを液体原料の中に
送ルこみこれを泡出式せる。
このような方法において、従来の方法ではたとえばトリ
メチルがリウＡ （ｔｒｙｍｅ、ｔｈｙｌｓｇａｌｌｌ
ｕｍ ）等の有機金属を用いる場合、原料を高純度に保
つ必要があシ、又空気中では爆発的に燃焼するために容
器は通常ステンレス製でできている。従って容器内の状
態は外部からはわからない。又ガスを泡立たせるためガ
ス導入口から通常ステンレスのパイプが容器の底部に配
設されている。送られたガスはガス導入口よシ容器内に
はいり、前記パイプをとおシ容器の底部に達し液体原料
の中に送シ込まれる。
メチルがリウＡ （ｔｒｙｍｅ、ｔｈｙｌｓｇａｌｌｌ
ｕｍ ）等の有機金属を用いる場合、原料を高純度に保
つ必要があシ、又空気中では爆発的に燃焼するために容
器は通常ステンレス製でできている。従って容器内の状
態は外部からはわからない。又ガスを泡立たせるためガ
ス導入口から通常ステンレスのパイプが容器の底部に配
設されている。送られたガスはガス導入口よシ容器内に
はいり、前記パイプをとおシ容器の底部に達し液体原料
の中に送シ込まれる。
ところが、このような構造において誤ってガス導入口と
ガス放出口を逆にとシつけた場合液体原料がそのまま容
器外に送シだされてしまうこととなる。又ガス導入口と
ガス放出口とを正常にとシつけた場合でもガスの操作の
誤）によってガス導入口の圧力がガス放出口の圧力より
小てくなった場合、液体原料が逆流してしまうという欠
点がある。とくに有機金属原料のトリメチルがリウムな
どは大気中ではきわめてはげしく燃焼するため、原料が
逆流した状態で有機金属容器をとｂａずした場合原料が
燃焼するという危険がある。
ガス放出口を逆にとシつけた場合液体原料がそのまま容
器外に送シだされてしまうこととなる。又ガス導入口と
ガス放出口とを正常にとシつけた場合でもガスの操作の
誤）によってガス導入口の圧力がガス放出口の圧力より
小てくなった場合、液体原料が逆流してしまうという欠
点がある。とくに有機金属原料のトリメチルがリウムな
どは大気中ではきわめてはげしく燃焼するため、原料が
逆流した状態で有機金属容器をとｂａずした場合原料が
燃焼するという危険がある。
本発明の目的は上記のような危険性を除去し得る液体原
料容器を提供することにある。
料容器を提供することにある。
本発明は液体原料中に輸送ガスを供給し、これを泡立た
せて半導体気相成長等の工程に気化された原料を送出す
る液体原料容器において、容器内を少なくとも２室に区
画し、前記２室の一部を下部で連通式せ、各室の上部に
ガス導入口又はガス放出口の少なくとも一つを設けたこ
とを特徴とする液体原料容器である。
せて半導体気相成長等の工程に気化された原料を送出す
る液体原料容器において、容器内を少なくとも２室に区
画し、前記２室の一部を下部で連通式せ、各室の上部に
ガス導入口又はガス放出口の少なくとも一つを設けたこ
とを特徴とする液体原料容器である。
以下トリメチルガリウム等有機金属の液体原料容器を例
にあげて本発明の実施例を詳細に説明する。
にあげて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例である有機金属用液体原料容
器の断面図である。容器本体１は隔壁１ａＫて液体原料
容器室２．３に区画され、画室２．３は隔壁１＆の下部
に開口したバブル用ガス導入口６によって連通し、収容
室２の上部にはガス導入口４、収容室３の上部にはガス
放出口５がそれぞれ接続されている。液体原料ｆは液体
原料収容室２及び３に収容されている。輸送ガス、たと
えば水素はガス導入口４よ）供給され、液体原料収容室
２の原料の液面を押さげる。そして液面が二つの原料収
容室２，３をつないでいるバブル用ガス導入口６に達し
たとき、ガスは液体原料収容室２よシ収容室３内におし
出されるときに泡立ちながら収容室３内の液面に達し、
ガス放出口５よ〕放出され、工程に送シ込まれる。なお
、この時液体原料収容室３の液面は上昇するので、ガス
放出口５までに達しな″いようにあらかじめ液体原料１
の量を調節しておく。本発明の容器の画状容室２．３は
基本的に対称形でよく、逆Ｋガス放出口５をガス導入口
として用いてまったく支障がない。さらにガス導入口４
側の液体原料収容室２に加えられる圧力が収容室３の圧
力よシも低くなった場合収容室３の液面が押しさげられ
るが、その液面がバブル用ガス導入口６に達したときガ
スが液体原料収容室２内にはいシ従って真空破壊され液
体原％ｌｆがガス導入口４よシ逆流することはない。
器の断面図である。容器本体１は隔壁１ａＫて液体原料
容器室２．３に区画され、画室２．３は隔壁１＆の下部
に開口したバブル用ガス導入口６によって連通し、収容
室２の上部にはガス導入口４、収容室３の上部にはガス
放出口５がそれぞれ接続されている。液体原料ｆは液体
原料収容室２及び３に収容されている。輸送ガス、たと
えば水素はガス導入口４よ）供給され、液体原料収容室
２の原料の液面を押さげる。そして液面が二つの原料収
容室２，３をつないでいるバブル用ガス導入口６に達し
たとき、ガスは液体原料収容室２よシ収容室３内におし
出されるときに泡立ちながら収容室３内の液面に達し、
ガス放出口５よ〕放出され、工程に送シ込まれる。なお
、この時液体原料収容室３の液面は上昇するので、ガス
放出口５までに達しな″いようにあらかじめ液体原料１
の量を調節しておく。本発明の容器の画状容室２．３は
基本的に対称形でよく、逆Ｋガス放出口５をガス導入口
として用いてまったく支障がない。さらにガス導入口４
側の液体原料収容室２に加えられる圧力が収容室３の圧
力よシも低くなった場合収容室３の液面が押しさげられ
るが、その液面がバブル用ガス導入口６に達したときガ
スが液体原料収容室２内にはいシ従って真空破壊され液
体原％ｌｆがガス導入口４よシ逆流することはない。
以上の説明から明らかなように本発明の液体原料容器に
よれば、液体原料のガス導入口への逆流をおこすことな
くしたがって液体原料の容器の誤った装着による事故や
ガス系の誤動作による液体原料の逆流による事故を防ぐ
ことが可能となシ、可燃性原料による事故を防ぐことが
でき、従来の液体原料容器に比してその取扱いを容易に
行うことができる。
よれば、液体原料のガス導入口への逆流をおこすことな
くしたがって液体原料の容器の誤った装着による事故や
ガス系の誤動作による液体原料の逆流による事故を防ぐ
ことが可能となシ、可燃性原料による事故を防ぐことが
でき、従来の液体原料容器に比してその取扱いを容易に
行うことができる。
実施例は本発明を制限するものではない。すなわち本例
では２つの収容室を対称に設けた容器を例示したが、こ
れが非対称であっても又２室が独立した容器であっても
同じように液体原料の逆流を防ぐことが可能である。
では２つの収容室を対称に設けた容器を例示したが、こ
れが非対称であっても又２室が独立した容器であっても
同じように液体原料の逆流を防ぐことが可能である。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
１・・・容器本体、２，３・・・液体原料収容室、４・
・・ガス導入口、５・・・ガス放出口、６・・・バブル
用ガス導入口。
・・ガス導入口、５・・・ガス放出口、６・・・バブル
用ガス導入口。
Claims (1)
- （１）液体原料中に輸送ガスを供給し、これを泡立たせ
て半導体気相成長等の工程に気化された原料を送出する
液体原料容器において、容器内をすくなくとも２室に区
画し、前記２室の一部を下部で連通させ、各室の上部に
ガス導入口又はガス放出口の少くとも一つを設けたこと
を特徴とする液体原料容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2245585A JPS61183195A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 液体原料容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2245585A JPS61183195A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 液体原料容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183195A true JPS61183195A (ja) | 1986-08-15 |
Family
ID=12083182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2245585A Pending JPS61183195A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | 液体原料容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183195A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8170404B2 (en) | 2004-05-20 | 2012-05-01 | Akzo Nobel N.V. | Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629951B2 (ja) * | 1977-07-30 | 1981-07-11 |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2245585A patent/JPS61183195A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5629951B2 (ja) * | 1977-07-30 | 1981-07-11 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8170404B2 (en) | 2004-05-20 | 2012-05-01 | Akzo Nobel N.V. | Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical |
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