NL9302148A - Kleefvel voor halfgeleiders. - Google Patents
Kleefvel voor halfgeleiders. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9302148A NL9302148A NL9302148A NL9302148A NL9302148A NL 9302148 A NL9302148 A NL 9302148A NL 9302148 A NL9302148 A NL 9302148A NL 9302148 A NL9302148 A NL 9302148A NL 9302148 A NL9302148 A NL 9302148A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive sheet
- irradiation
- cross
- sheet according
- Prior art date
Links
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims description 96
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims description 96
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 claims description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 claims description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 8
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 8
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 5
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(CO)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C INXWLSDYDXPENO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical compound CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-trimethylphenanthrene Chemical compound CC1=CC=C2C3=CC(C)=CC=C3C=CC2=C1C MYWOJODOMFBVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydrostilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1CCC1=CC=CC=C1 QWUWMCYKGHVNAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=C(CN=C=O)C=C1 OHLKMGYGBHFODF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFSYUSUFCBOHGU-UHFFFAOYSA-N 1-isocyanato-2-[(4-isocyanatophenyl)methyl]benzene Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=CC=C1N=C=O LFSYUSUFCBOHGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYENVBKSVVOOPS-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butyl prop-2-enoate Chemical compound CCC(CO)(CO)COC(=O)C=C SYENVBKSVVOOPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO GZBSIABKXVPBFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C(C)=C WDQMWEYDKDCEHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical group CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-4-hydroxybutanoate Chemical compound OCC(N)CC(O)=O BUZICZZQJDLXJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N Diacetyl Chemical group CC(=O)C(C)=O QSJXEFYPDANLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical class CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=C(C)C=C1 GWGWXYUPRTXVSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQBRAHLFLCMLBA-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.CC1=CC=CC(C)=C1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.CC1=CC=CC(C)=C1 UQBRAHLFLCMLBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)-3-prop-2-enoyloxy-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CO)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C HVVWZTWDBSEWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCZFEIZSYJAXKS-UHFFFAOYSA-N [3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound OCC(CO)(CO)COC(=O)C=C ZCZFEIZSYJAXKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPOZNMOEPOHHSC-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCCCOC(=O)C=C BPOZNMOEPOHHSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate Chemical compound C1CC(N=C=O)CCC1CC1CCC(N=C=O)CC1 KORSJDCBLAPZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920002601 oligoester Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
- C09J4/06—Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J175/00—Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
- C09J175/04—Polyurethanes
- C09J175/14—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
- C09J175/16—Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds having terminal carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L2666/00—Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
- C08L2666/02—Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L75/00—Compositions of polyureas or polyurethanes; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L75/04—Polyurethanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H01L2221/68322—Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
- Y10T428/2809—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer including irradiated or wave energy treated component
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Dicing (AREA)
Description
Kleefvel voor halfgeleiders
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een bekleding die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseer-bare stof bevat.
Een dergelijk kleefvel is bekend uit het JP-A-61.28572. In dit octrooischrift wordt een dergelijk vel beschreven, welke dienst kan doen om chips en halfgeleiders gedurende de verscheidene processtappen vast te houden, of om grotere lichamen te bedekken wanneer deze behandelingen ondergaan, zoals auto's welke worden gespoten. Bij de productie van chips en halfgeleiders moet het kleefvel een aantal eigenschappen bezitten. De kleefstof moet voldoende hechting geven, zodat de chips niet loslaten. Daarentegen moet bij het afnemen van de kleefkracht zodanig zijn, dat er geen lijmrest op de achterkant van de chip blijft zitten. Deze eigenschap wordt door dergelijke bekende kleefvellen gegeven.
Daarnaast zijn er meer eigenschappen welke een kleefvel moet hebben. Wanneer het wafel-oppervlak dat aan het kleefvel is gehecht, een grijzig of zwart oppervlak heeft, gaat bij belichting met UV of EB de hechting op die plaats onvoldoende omlaag, waardoor het afnemen problemen kan geven. Vooral bij grotere chips geeft dit problemen.
Verder treden er bij het opbrengen van de wafels en bij het opdelen daarvan tot chips trekkrachten op, waarbij bij de bovengenoemde kleefvellen, waarvan de basis een vel polymeer voor algemene toepassing is, verlengingen en verbuigingen optreden waardoor het vel niet meer voor de wafelbox aanvaardbaar is, of waardoor de ontvangen wafels in de wafelbox met elkaar in contact komen. Ook treden deze vervormingen bij de belichte vellen op, waardoor dezelfde problemen optreden.
Overeenkomstig de uitvinding wordt nu een oplossing voor deze problemen gegeven, welke wordt gekenmerkt doordat in de kleeflaag een licht-verstrooiend anorganisch poeder is opgenomen, met het voorbehoud dat de bij bestraling polymeriseerbare stof geen urethaan-acrylaatoligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10000 is en het kleefvel geen stof bevat waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt.
Bij deze beschrijving behoren zeven tekeningen, waarvan figuren 1 en 2 dwarsdoorsneden van kleefvellen volgens de uitvinding zijn, figuren 3 t/m 6 toelichtingen zijn van het gebruik van deze kleefvellen bij het opdelen van halfgeleider-wafels tot en met het er afhalen van de chips, en waarvan figuur 7 het gebruik van zo'n kleefvel bij het maskeren van beklede producten toelicht.
De kleefvellen volgens deze uitvinding worden nu aan de hand van deze figuren nader beschreven.
Zoals men uit de dwarsdoorsnede van figuur 1 ziet bestaat het kleefvel uit een substraat of basis 2 en een kleef laag 3. Voor gebruik van dit kleefvel is het bij voorkeur afgedekt met een losneembaar schutvel 4.
Deze kleefvellen kunnen alle mogelijke vormen hebben, zoals linten, labels en andere. Voor het substraat 2 zijn materialen met lage electrische geleidbaarheid en goede bestendigheid tegen water en warmte geschikt, en met het oog daarop zijn vooral kunstharsfolies bijzonder nuttig. Zoals nog toegelicht zal worden, worden deze kleefvellen met EB of met UV belicht, en dus hoeft substraat 2 niet doorzichtig voor EB te zijn maar wel voor UV.
Praktisch gesproken zijn als substraat 2 folies van kunstharsen zoals polyetheen, polypropeen, polyvinylchloride, polyetheentereftalaat, polybutyleentereftalaat, polybuteen, verknoopt polybutadieen, polyurethaan, poly(me-thylpenteen) en etheen-vinylacetaatcopolymeren geschikt.
Daar de vellen volgens deze uitvinding na het opdelen der halfgeleider-wafels een uitzetting moeten ondergaan verdient het de voorkeur als substraat een folie van kunsthars zoals polyvinylchloride, polypropeen e.d. te gebruiken dat op gewone manier in de lengte en de breedte uitgerekt kan worden. Maar substraten die dat niet kunnen, zijn ook bruikbaar bij het verwerken van halfgeleiders en bij het maskeren van automobielvormen en dergelijke, waar geen uitzetting nodig is.
Het gebruik van verknoopte folies als substraat 2 geeft grote voordelen namelijk dat er bij het opdelen van wafels geen verlenging of verbuiging optreedt en ook niet bij het belichten van het kleef vel, en mocht er toch een kleine verbuiging optreden dan vermindert die bij het belichten van het substraat en kan het kleefvel met de opgedeelde wafels toch zonder bezwaar in een ontvangende box zonder dat men contact tussen de verschillende kleef-vellen ziet optreden. Bovendien laat het vel zich na die belichting gemakkelijk uitzetten zodat de chips er nauwkeurig van afgehaald kunnen worden.
De verknoopte folies die bij voorkeur als substraat gebruikt worden, zijn die verkregen door het bestralen van kunsthars-folies met verknoopbare plaatsen of met verknopingsinitiatoren. Als de hierboven genoemde verknoopte folies zijn bruikbaar de verknoopte polyalkenen, verknoopte polydiënen, verknoopte etheen-vinylacetaatcopoly-meren en verknoopte alkadieencopolymeren.
Dergelijke bij deze uitvinding als substraten gebruikte verknoopte folies ondergaan na het opdelen van de wafels tot chips een uitzetting, en de folies moeten dus voldoende vergrootbaar zijn om er na die behandeling de chips nauwkeurig van af te kunnen pakken.
Verder gaat er voor de substraten 2 voorkeur uit naar kunstharsfolies met carboxylgroepen. Voorbeelden van dergelijke kunstharsen met carboxylgroepen zijn etheen-(meth)acrylzuur- en etheenvinylacetaat(meth)acrylzuurco-polymeren. Ook kan men laminaten gebruiken waarvan de ene laag een kunsthars met carboxy lgroepen en de andere een "algemeen" kunsthars zoals polyetheen, etheenvinylacetaat-copolymeer, polypropeen, polybuteen, polybutadieen, polyvi- nylchloride, polyurethaan of poly(methylpenteen) is.
Op het beschreven substraat 2 wordt een kleeflaag 3 gebracht die uit een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare verbinding bestaat.
Volgens de uitvinding gebruikt men als kleefstoffen bij voorkeur acryl-kleefstoffen, hoewel een grote verscheidenheid van bekende kleefstoffen bruikbaar is. Praktisch gesproken kan men als hoofdbestanddelen homo- en copolymeren gebruiken die als voornaamste bestanddeel een acrylzuur-ester bevatten en ook mengsels daarvan. Geschikte monomeren zijn ethylmethacrylaat, butylmethacrylaat, 2-ethylhexylmethacrylaat, glycidylmethacrylaat, 2-hydroxy-ethylmethacrylaat, enz. alsmede de hiermee overeenkomstige acrylzuuresters.
Verder kunnen de bovengenoemde polymeren, voor een betere mengbaarheid met de nog te bespreken oligomeren, bovendien monomeren zoals (meth)acrylzuur, acrylonitril en vinylacetaat bevatten. De bovengenoemde als kleefstoffen te gebruiken polymeren hebben molecuulgewichten tussen 2 en 10 x 105, bij voorkeur tussen 4 en 8 x 105.
De urethaan-acrylaatoligomeren worden verkregen door urethaan-voorpolymeren met isocyanaat-eindgroepen, verkregen door reactie van polyester- of polyether-polyolen met meerwaardige isocyanaten, bijvoorbeeld uit (meth)acry-laten met hydroxy-groepen zoals 2-hydroxyethylmethacrylaat, 2-hydroxypropylmethacrylaat en polyethyleenmethacrylaat met 2,4- en/of 2,6-tolueendiïsocyanaat, 1,4-xylyleendiïsocya-naat en difenylmethaan-4,4'-diïsocyanaat. De aldus verkregen urethaan-acrylaatoligomeren hebben per molecuul tenminste één dubbele koolstof-koolstofbinding en kunnen bij bestraling polymeriseren.
De volgens deze uitvinding te gebruiken urethaan-acrylaatoligomeren hebben verrassenderwijs uitstekende eigenschappen, vergeleken met de laagmoleculaire verbindingen die ook tenminste twee fotopolymeriseerbare dubbele koolstof-koolstofbindingen hebben, zoals beschreven in de Japanse octrooipublicaties no.'s 196956/1985 en 223139- 1985. Bijvoorbeeld hebben kleefvellen gemaakt uit de nu aangewezen urethaan-acrylaatoligomeren voor bestraling voldoende kleefkracht maar na bestraling zo veel minder kleefkracht dat de chips niet meer vastzitten en eenvoudig opgenomen kunnen worden. In tegenstelling hiermee vertonen de met behulp van dipentaerythritolmonohydroxypentaacrylaat gemaakte kleefvellen, beschreven in de voorbeelden van de Japanse octrooipublicatie no. 196956/1985, voor bestraling voldoende kleefkracht maar na bestraling nog steeds te veel, zodat er kleefstof op de achterkanten van de chips blijft zitten als de chips opgepakt worden.
In de laag kleefstof volgens deze uitvinding worden de acryl-kleefstof en het urethaan-acrylaatoligomeer bij voorkeur gebruikt in een gewichtsverhouding tussen 100:50 en 10:900. Daarmee krijgt men een kleefvel waarvan de kleefkracht aanvankelijk hoog maar na bestraling laag is.
Bij deze uitvoeringsvorm kunnen als fotopolymeri-seerbare stof behalve de urethaan-acrylaatoligomeren ook de gebruikelijke, bekende bij bestraling polymeriseerbare stoffen gebruikt worden. Daartoe behoren dus (naast de urethaan-acrylaatoligomeren) trimethylolpropaanacrylaat, tetramethylolmethaantetraacrylaat, pentaerythritoltriacry-laat, pentaerythritoltetraacrylaat, dipentaerythritolmono-hydroxypentaacrylaat, dipentaerythritolmonohydroxypenta-acrylaat, dipentaerythritolhexaacrylaat, 1,4-butyleendi-acrylaat, 1,6-hexyleendiacrylaat, polyethyleenglycoldiacry-laat en in de handel verkrijgbaar oligoësteracrylaten.
Volgens de uitvinding zit er in de kleeflaag 3 naast de kleefstof en de bij belichting polymeriseerbare verbinding een lichtverstrooiende anorganische verbinding. Dan zijn naast de urethaan-acrylaatoligomeren eerder bekende bij belichting polymeriseerbare stoffen ook bruikbaar.
De genoemde lichtverstrooiende anorganische stoffen zijn materialen die ultraviolette of electronen-straling onregelmatig kunnen verstrooien; hiertoe behoren bijvoorbeeld kwarts, aluminiumoxyde, aluminosilicaat en mica. Deze anorganische stoffen verstrooien bij voorkeur het licht volledig, maar natuurlijk zijn stoffen die de straling een beetje absorberen ook bruikbaar.
Bij voorkeur verkeren de lichtverstrooiende anorganische stoffen in de vorm van een poeder met een doorsnede tussen 1 en 100 μιη, bij voorkeur tussen 1 en 20 μιη. Daarvan bevat de kleef laag bij voorkeur 0,1 tot 10 gew.%, nog beter 1 tot 4 gew.%. Toepassing van meer dan 10 gew.% lichtverstrooier verdient geen aanbeveling daar dit soms de kleefkracht verlaagt, aan de andere kant is minder dan 1 gew.% ook niet aan te raden daar er dan in de gedeelten die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van de wafeloppervlakken dan onvoldoende verlaging van de kleefkracht kan optreden, zodat dan toch nog kleefstof op de achterkanten der chips zou kunnen achterblijven.
Zelfs als het oppervlak van een halfgeleiderwafel om de een of andere reden wat grijs of zwart is, gaat zijn hechting, als er in de kleeflaag zo'n lichtverstrooiende stof zit en hij belicht wordt, voldoende omlaag, ook in die gedeelten die overeenkomen met de grijze of zwarte gedeelten van het wafel-oppervlak, en een verklaring daarvan is wellicht het volgende:
De grijze en zwarte gebieden van het wafel-oppervlak absorberen de invallende straling, die daardoor zijn uithardende werking onvoldoende kan uitoefenen. Maar als er lichtverstrooiend poeder in de kleeflaag zit, komt er ook zijdelings straling bij die gedeelten die overeenkomen met zwarte en grijze stukken wafel-oppervlak, en in dat geval zal de uitharding ook daar niet onvoldoende zijn en de kleefkracht ook daar voldoende afnemen.
Verder kan de aanvankelijke kleefkracht van de kleeflaag op elk gewenst peil gebracht worden door er een uitharder van het isocyanaat-type in op te nemen. Als uitharders van het isocyanaat-type zijn meerwaardige isocyanaten mogelijk, bijvoorbeeld 2,4-tolueendiïsocyanaat, 2,6-tolueendiïsocyanaat, 1,3-xyleendiïsocyanaat, 1,4- xyleendiïsocyanaat, difenylmethaan-4,41-diïsocyanaat, difenylmethaan-2,4'-diïsocyanaat, 3-methyldifenylmethaandi-ïsocyanaat, hexamethyleendiïsocyanaat, isoforondiïsocya-naat, dicyclohexylmethaan-4,4'-diïsocyanaat, dicyclohexyl-methaan-2,4'-diïsocyanaat en lysineïsocyanaat.
Verder kan er in deze kleeflaag een UV-hardings-initiator opgenomen worden, waardoor bij bestraling met UV de polymerisatietijd korter en de benodigde hoeveelheid straling kleiner wordt. Concrete voorbeelden van dergelijke hardingsinitiatoren zijn benzoïden en de methyl-, ethyl- en isopropylethers daarvan, benzyldifenylsulfide, tetramethyl-thiurammonosulfide, azobisisobutyronitril, dibenzyl, diacetyl, β-chlooranthrachinon, enz.
De toepassing van het kleefvel volgens de uitvinding gebeurt op deze wijze:
Als er een aftrekbaar schutvel 4 op het kleefvel 1 zit, wordt dat schutvel 4 eerst verwijderd en wordt het kleefvel 1 neergelegd met de kleeflaag 3 naar boven. Hierop komt dan de halfgeleider-wafel A die opgedeeld moet worden. De wafel A ondergaat nu het opdelen, afspoelen, drogen en uitzetten, voor zover nodig. De verkregen chips vallen er niet vanaf omdat de kleefkracht van laag 3 dan nog groot genoeg is.
Vervolgens worden de chips van het kleefvel 1 afgenomen en op een geschikte drager gemonteerd. Daartoe wordt eerst de kleeflaag 3 van kleefvel 1 bestraald met electrodissociërende straling B van ultraviolet of een electronenstraal; hierdoor hardt de bij belichting polyme-riseerbare verbinding in kleeflaag 3 uit. Door dit uitharden neemt de kleefkracht van laag 3 sterk af en blijft er slechts weinig kleefkracht over. De bestraling van kleefvel 1 gebeurt bij voorkeur van die kant waarop geen kleeflaag 3 zit. Substraat of basis 2 moet dan ook voor straling doorzichtig zijn, indien UV toegepast wordt, maar bij gebruik van electronenstralen is dat niet beslist nodig.
Op de beschreven wijze worden gedeelten van de kleeflaag 3 waarop chips Alf A2 ..... zitten bestraald waardoor de kleefkracht van kleeflaag omlaag gaat. Daarna gaat het kleefvel naar een (niet afgeheeld) overnamestation waar chip Alf A2 ..... op de gebruikelijke wijze van onde ren door een duwstaaf 5 opgetild wordt, en de opgeduwde chips Ajl, A2 ..... worden opgenomen, bijvoorbeeld met behulp van ene luchtpincet, en worden dan op een bepaald substraat gemonteerd. Dankzij de uitvinding kunnen alle chips A1# A2 ..... op die manier opgenomen worden zonder dat er enige kleefstof op hun achterkanten achterblijft. Verder kan het bestralen even goed in het overnamestation gebeuren.
Het is niet nodig dat het hele oppervlak van kleefvel met chips in één keer bestraald wordt, dit kan in meerdere keren in gedeelten gebeuren; bijvoorbeeld kan slechts een klein deel van substraat 2 van ondere af bestraald worden waardoor een of enkele chips Ax, A2 .....
zich onder opduwen van onderen af laten wegnemen.
Fig. 6 toont een modificatie van de bestralingsop-stelling, waarbij de duwstaaf 5 hol is en de stralingsbron 7 binnen in die duwstaaf 5 zit, zodat bestralen en opduwen tegelijkertijd kunnen gebeuren, de inrichting eenvoudiger wordt en tevens de tijd voor het overnemen bekort kan worden.
Dit overnemen van de chips A-^ A2 .....kan direct na opdelen, afspoelen en drogen gebeuren, ook zonder dat het dragende kleefvel uitzet.
Hoewel het opwerken van halfgeleider-wafels de eerste toepassing is die voor onderhavige kleefvellen in gedachten komt, kunnen die ook gebruikt worden voor het maskeren van een te bekleden voorwerp. Zoals in fig. 7 getoond is, kan men op een gedeelte 9 van een te bekleden voorwerp (bijvoorbeeld een onderdeel van een automobiel) dat niet bekleed moet worden een kleefvel 1 volgens deze uitvinding aanbrengen, en vervolgens bekleding 10 over het geheel heen. Daarna wordt kleefvel 1 van bovenaf bestraald, waardoor de kleefkracht van dat kleefvel 1 omlaag gaat en kan dat kleefvel met de ongewenste bekleding 8 weggenomen worden. Op die wijze krijgt men een uitstekend effect en blijft er geen kleefstof op het oppervlak van het te bekleden voorwerp 8 zitten.
Deze uitvinding wordt nu door de volgende voorbeelden toegelicht, welke geenszins beperkend opgevat mogen worden.
In deze voorbeelden werd de kleefkracht steeds bepaald volgens JIS-Z0237; daartoe wordt een 25 mm breed monster in een kamer van 23° en 65% relatieve vochtigheid met een snelheid van 300 mm/min. over een hoek van 180° afgetrokken. De oppervlakte-ruwheid in termen van gemiddelde centerlijn-ruwheid Ra (in μιη) werd steeds bepaald volgens JIS B0601-1976 met behulp van een Universal Surface Profile Tester Model SE-3A van de firma Kosaka Seisakusho K.K.
Vergelijkend voorbeeld 1
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 din copolymeer van 2-ethylhexylacrylaat en acrylo-nitril, loo din pentaerythritolacrylaat met een molecuulge-wicht van ongeveer 580, 10 din uitharder (van het diïsocya-naat-type) en 4 din UV-hardingsinitiator (van het benzofe-non-type). Het aldus gemaakte preparaat werd tot een dikte van 10 Mm gestreken op een polypropeenfolie van 80 /xm dikte, en het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, waarmee men een kleefvel had.
Op dit kleefvel werd een siliciumwafel met een oppervlakteruwheid van Ra = 0,27 gebracht.
Voor en na bestraling met UV werd de kleefsterkte bepaald; deze was resp. 700 g en 100 g per 25 mm.
De siliciumwafel op het kleefvel werd na de bestraling met UV tot chips van 5 mm2 opgedeeld, en deze werden toen overgedragen; bij één uit de 100 chips mislukte dat.
Vergelijkend voorbeeld 2
Vergelijkend voorbeeld 1 werd herhaald, behalve dat nu een siliciumwafel met een fijn oppervlak , Ra = 0,04, gebruikt werd. De kleefsterkte tussen wafel en kleef vel was voor en na UV bestraling resp. 490 g en 15 g per 25 mm. Aan de achterkant van de wafel zat, na het lospellen van het kleefvel, echter nog wel wat kleefstof. Vergelijkend voorbeeld 3
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 din copolymeer van n-butylacrylaat en 2-ethylhexy-lacrylaat, 100 dln urethaan-acrylaatoligomeer (een product van Daiichi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "EX 808") met gemiddeld molecuulgewicht van ongeveer 1100 (bepaald door gelpermeatie-chromatografie met polystyreen van bekend molecuulgewicht als standaard), 10 dln uitharder (van het diïsocyanaattype) en 4 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type).
Overeenkomstig Vergelijkend voorbeeld 1 werd er een kleefvel van gemaakt en hierop werd een siliciumwafel met betrekkelijk ruw oppervlak, Ra = 0,27, geplakt. Voor en na bestraling met UV was de hechtsterkte resp. 320 g en 75 g per 25 mm.
Eenzelfde siliciumwafel op eenzelfde kleeflaag werd tot chips van 5 mm2 opgedeeld en na bestraling met UV werden de chips overgedragen, dit gebeurde echter met slechts 30 van de 100 chips.
Vergelijkend voorbeeld 4
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 dln copolymeer van n-butylacrylaat en acrylzuur, 100 dln urethaan-acrylaatoligomeer (een product van Daiïchi Seika Kogyo K.K., verkocht onder de handelsnaam "Seikabeam EX 808"), 25 dln uitharder (van het diïsocyanaat-type), 10 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type). Dit preparaat werd tot een dikte van 10 μιη gebracht op een polyetheenfolie van 80 μιη dikte, en het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, wat een kleefvel gaf.
De kleeflaag van dit kleefvel werd 2 seconden bestraald met UV uit een met lucht gekoelde hogedrukkwik-lamp (80 W/cm, op 10 cm afstand) . Bij het meten van het kleurverschil voor en na UV-bestraling werd een kleurver schil E (L+ a* b*) van minder dan 2,0 gevonden; m.a.w. er was geen kleurverschil.
Op het klevende oppervlak van dit kleefvel werd een siliciumwafel aangebracht, deze werd tot chips opgedeeld en daarna werd met UV bestraald. Maar de chips waren niet allemaal goed te vinden en bij het oppakken werd een . aantal vergissingen gemaakt.
Voorbeeld 1
Een preparaat voor een kleeflaag werd aangemaakt uit 100 din copolymeer van n-butylacrylaat en 2-ethylhexyl-acrylaat, 100 dln dipentaerythritolmonohydroxypentaacrylaat met een molecuulgewicht van ongeveer 700, 1 gew.dl diïsocy-anaat uitharder en 3 dln UV-hardingsinitiator (van het benzofenon-type). In dit mengsel werden ook nog 2,5 gew.dln fijn kwarts opgenomen ("OK-412" van de firma Degussa).
Eén kant van een polypropeenfolie van 80 jum dikte werd zodanig met dit preparaat bestreken dat er na drogen een bekleding van 10 Mm was. Het geheel werd 1 minuut op 100°C verhit, waarmee men een kleefvel had.
Op de klevende kant van dit vel werd als denkbeeldige siliciumwafel een zwarte plaat melamine van ongeveer dezelfde afmetingen als een siliciumwafel gebracht. Voor en na bestraling met UV werd de kleefkracht gemeten; gevonden werd resp. 1400 g en 80 g per 25 mm. Op de achterkant van de zwarte plaat melamine werden, nadat het kleefvel er af gepeld was, geen resten kleefstof gevonden.
Voorbeeld 2
Voorbeeld 1 werd herhaald, behalve dat als denkbeeldige siliciumwafel een witte plaat melamine gebruikt werd. Op de bekende wijze werd weer de kleefkracht voor en na UV-bestraling bepaald; men vond resp. 1400 g en 30 g per 25 mm. Bij het bekijken van de achterkant van de witte plaat melamine vond men geen resten kleefstof terug.
Claims (7)
1. Kleefvel bestaande uit een substraat met daarop een bekleding die een kleefstof en een bij bestraling polymeriseerbare stof bevat, met het kenmerk, dat in de kleeflaag een licht-verstrooiend anorganisch poeder is opgenomen, met het voorbehoud dat de bij de bestraling polymeriseerbare stof geen urethaan-acrylaatoligomeer met een molecuulgewicht tussen 3000 en 10.000 is en het kleefvel geen stof bevat waaruit zich bij bestraling een kleurstof vormt.
2. Kleefvel volgens conclusie l, met het kenmerk, dat het licht-verstrooiende anorganische poeder kwarts, aluminiumoxyde, aluminosilicaat of mica is.
3. Kleefvel volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het substraat een verknoopte folie is.
4. Kleefvel volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat de verknoopte folie een verknoopte polyolefinefolie is.
5. Kleefvel volgens conclusie 4, met het kenmerk, dat het verknoopte polyolefine verknoopt polyetheen is.
6. Kleefvel volgens conclusie 1 of 2, met het kenmerk, dat het substraat een folie is waarvoor een monomeer met een carbonzuurgroep de voornaamste bouwsteen was.
7. Kleefvel volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de folie gemaakt wordt uit een copolymeer van etheen met (meth) acry1zuur.
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29518985 | 1985-12-27 | ||
JP29519085 | 1985-12-27 | ||
JP60295189A JPS62153376A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
JP60295190A JPS62153377A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウェハダイシング用粘着シート |
JP60295188A JPS62153375A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | ウエハダイシング用粘着シート |
JP29518885 | 1985-12-27 | ||
JP61045786A JPS62205180A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 粘着シ−ト |
JP4578586 | 1986-03-03 | ||
JP4578686 | 1986-03-03 | ||
JP61045785A JPS62205179A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | ウエハ貼着用粘着シ−ト |
JP16168086 | 1986-07-09 | ||
JP61161680A JPS6317980A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | ウエハ貼着用粘着シ−ト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL9302148A true NL9302148A (nl) | 1994-04-05 |
Family
ID=27550204
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8603269A NL191241C (nl) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302147A NL9302147A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302148A NL9302148A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302149A NL9302149A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8603269A NL191241C (nl) | 1985-12-27 | 1986-12-23 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
NL9302147A NL9302147A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9302149A NL9302149A (nl) | 1985-12-27 | 1993-12-09 | Kleefvel voor halfgeleiders. |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4756968A (nl) |
KR (1) | KR910007086B1 (nl) |
DE (1) | DE3639266A1 (nl) |
FR (1) | FR2592390B1 (nl) |
GB (1) | GB2184741B (nl) |
HK (4) | HK105692A (nl) |
MY (2) | MY100214A (nl) |
NL (4) | NL191241C (nl) |
PH (1) | PH23580A (nl) |
SG (1) | SG114492G (nl) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1985005734A1 (en) * | 1984-05-29 | 1985-12-19 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Film for machining wafers |
DE3639266A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Fsk K K | Haftfolie |
US5187007A (en) * | 1985-12-27 | 1993-02-16 | Lintec Corporation | Adhesive sheets |
DE3850451T2 (de) * | 1987-07-08 | 1995-03-09 | Furukawa Electric Co Ltd | Strahlungsvernetzbare Klebestreifen. |
US5149586A (en) * | 1987-07-08 | 1992-09-22 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5281473A (en) * | 1987-07-08 | 1994-01-25 | Furakawa Electric Co., Ltd. | Radiation-curable adhesive tape |
US5326605A (en) * | 1987-10-22 | 1994-07-05 | Nichiban Company, Limited | Reactive pressure sensitive adhesive composition, sealer tape, sheet or molding by use thereof |
US5024867A (en) * | 1987-10-28 | 1991-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dopant film and methods of diffusing impurity into and manufacturing a semiconductor wafer |
JPH0715893B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1995-02-22 | 株式会社東芝 | ドーパントフイルムおよび半導体基板の不純物拡散方法 |
JPH0715087B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1995-02-22 | リンテック株式会社 | 粘接着テープおよびその使用方法 |
WO1991002377A1 (en) * | 1989-08-01 | 1991-02-21 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Film for wafer processing |
US4985293A (en) * | 1989-08-14 | 1991-01-15 | Eastman Kodak Company | Polymer blend for molded circuit boards and other selectively conductive molded devices |
JP2683435B2 (ja) * | 1989-12-14 | 1997-11-26 | キヤノン株式会社 | インクジェットノズル製造用接着剤 |
KR910015403A (ko) * | 1990-02-14 | 1991-09-30 | 사와무라 하루오 | 웨이퍼 가공용 필름 |
US5051870A (en) * | 1990-06-11 | 1991-09-24 | Companion John A | Electronic socket attachment method and identification system |
DE4025405A1 (de) * | 1990-08-10 | 1992-02-13 | Schreiner Etiketten | Traegerbahn |
JP2922036B2 (ja) * | 1991-10-31 | 1999-07-19 | 日東電工株式会社 | 耐熱性にすぐれた感圧性接着剤およびその接着シート類の製造方法 |
JPH05179211A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフイルム |
JP3382638B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2003-03-04 | コニシ株式会社 | 粘着テープ |
DE4230784A1 (de) * | 1992-09-15 | 1994-03-17 | Beiersdorf Ag | Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape) |
JPH082106A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-09 | Nippon Kayaku Co Ltd | マーキング用組成物及びレーザーマーキング方法 |
JP3410202B2 (ja) * | 1993-04-28 | 2003-05-26 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2991593B2 (ja) * | 1993-08-19 | 1999-12-20 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置 |
JPH08267668A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-15 | Nitta Ind Corp | 研磨用ウエハ保持部材及びそのウエハ保持部材の研磨機定盤への脱着方法 |
US5670260A (en) * | 1995-04-21 | 1997-09-23 | Adhesives Research, Inc. | Radiation-cured adhesive film having differential surface adhesion |
DE19520238C2 (de) * | 1995-06-02 | 1998-01-15 | Beiersdorf Ag | Selbstklebeband |
JPH0917752A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Sony Corp | 偏平な被切削物の切断方法及びその装置 |
GB9523764D0 (en) * | 1995-11-21 | 1996-01-24 | Ici Plc | Polymeric film |
US5955188A (en) * | 1996-03-04 | 1999-09-21 | Outlast Technologies, Inc. | Skived foam article containing energy absorbing phase change material |
US5677048A (en) * | 1996-03-04 | 1997-10-14 | Gateway Technologies, Inc. | Coated skived foam and fabric article containing energy absorbing phase change material |
GB2320615B (en) * | 1996-12-19 | 2001-06-20 | Lintec Corp | Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process |
US6312800B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
JP4072927B2 (ja) * | 1997-08-28 | 2008-04-09 | リンテック株式会社 | エネルギー線硬化型親水性粘着剤組成物およびその利用方法 |
US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
JP3739570B2 (ja) | 1998-06-02 | 2006-01-25 | リンテック株式会社 | 粘着シートおよびその利用方法 |
JP3410371B2 (ja) | 1998-08-18 | 2003-05-26 | リンテック株式会社 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法 |
JP3784202B2 (ja) | 1998-08-26 | 2006-06-07 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートおよびその使用方法 |
US7105226B2 (en) * | 1998-08-26 | 2006-09-12 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive double coated sheet and method of use thereof |
DE19850873A1 (de) * | 1998-11-05 | 2000-05-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zum Bearbeiten eines Erzeugnisses der Halbleitertechnik |
US6184064B1 (en) | 2000-01-12 | 2001-02-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor die back side surface and method of fabrication |
US6759121B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
US6472065B1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-10-29 | 3M Innovative Properties Company | Clear adhesive sheet |
KR100412020B1 (ko) * | 2001-03-12 | 2003-12-24 | 박광민 | 반도체 웨이퍼용 점착테이프 |
JP3544362B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-07-21 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
JP4115711B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2008-07-09 | 日東電工株式会社 | フレキシブルプリント配線板固定用接着シート及びフレキシブルプリント配線板への電子部品の実装方法 |
EP1539825A4 (en) * | 2002-07-24 | 2007-05-02 | Adhesives Res Inc | TRANSFORMABLE ADHESIVE TAPE AND USE OF IT IN SCREENS |
KR101016081B1 (ko) * | 2002-07-26 | 2011-02-17 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 점착 시트와 그의 제조방법, 상기 점착 시트의 사용방법,및 상기 점착 시트에 사용되는 다층 시트와 그의 제조방법 |
US6969914B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Electronic device package |
US20040122408A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-06-24 | Potnis Prasad S. | Dry-blend elastomer for elastic laminates |
US6879050B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-04-12 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices |
US20050244631A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-03 | Mitsui Chemicals, Inc. | Surface protecting film for semiconductor wafer and method of protecting semiconductor wafer using the same |
US7368171B2 (en) * | 2004-09-03 | 2008-05-06 | H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. | Laminating adhesive, laminate including the same, and method of making a laminate |
DE102005055769A1 (de) * | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Tesa Ag | Verfahren zur temporären Fixierung eines polymeren Schichtmaterials auf rauen Oberflächen |
JP5057697B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-10-24 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ又は半導体基板加工用粘着シート |
JP4620028B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2011-01-26 | 日東電工株式会社 | 基板加工用粘着シート |
JP5101111B2 (ja) * | 2007-01-05 | 2012-12-19 | 日東電工株式会社 | 半導体基板加工用粘着シート |
KR101158962B1 (ko) * | 2007-10-10 | 2012-06-21 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 엑시머 램프 |
JP2010053192A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ又はシート |
EP2368955A1 (de) | 2010-03-26 | 2011-09-28 | Sika Technology AG | Formgedächtnis-Material auf Basis eines Strukturklebstoffs |
GB201012595D0 (en) | 2010-07-27 | 2010-09-08 | Zephyros Inc | Oriented structural adhesives |
KR101950051B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2019-02-19 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 전자 부품 절단용 가열 박리형 점착 시트 및 전자 부품 절단 방법 |
US9056438B2 (en) | 2012-05-02 | 2015-06-16 | 3M Innovative Properties Company | Curable composition, articles comprising the curable composition, and method of making the same |
EP3024871B1 (en) | 2013-07-26 | 2022-12-07 | Zephyros Inc. | Thermosetting adhesive films including a fibrous carrier |
WO2018118767A1 (en) | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Avery Dennison Corporation | Convertible pressure sensitive adhesives comprising urethane (meth) acrylate oligomers |
CN109825215A (zh) * | 2017-11-23 | 2019-05-31 | 上海海优威新材料股份有限公司 | 用于晶圆研磨的多层复合膜及其制备方法 |
JP2021001311A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、中間積層体、中間積層体の製造方法および製品積層体の製造方法 |
KR20220024129A (ko) * | 2019-06-27 | 2022-03-03 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 점착 시트, 및 점착 시트 첩부품의 제조 방법 |
US11898071B2 (en) | 2021-06-21 | 2024-02-13 | Nitto Denko Corporation | Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer processing |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60196956A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-10-05 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE545403A (nl) * | 1955-02-21 | |||
FR1572362A (nl) * | 1968-04-12 | 1969-06-27 | ||
US4243500A (en) * | 1978-12-04 | 1981-01-06 | International Coatings, Co., Inc. | Pressure sensitive adhesives |
US4421822A (en) * | 1979-08-20 | 1983-12-20 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Ultraviolet polymerization of acrylate monomers using oxidizable tin compounds |
DE3374413D1 (en) * | 1982-06-24 | 1987-12-17 | Ciba Geigy Ag | Photopolymerisable coating, photopolymerisable material and its use |
JPS6057111A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-04-02 | Sharp Corp | 気化式石油燃焼器の気化装置 |
JPS6057340A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 焼出し性組成物 |
JPS61148566A (ja) * | 1984-12-23 | 1986-07-07 | Kyodo Kumiai Yonago Computer Syst | 医療事務計算用入力装置 |
JPS61158680A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-18 | 株式会社山武 | 中間接続コネクタ |
EP0191534B1 (en) * | 1985-02-14 | 1990-05-23 | Bando Chemical Industries, Ltd. | A method for dicing a semiconductor wafer |
EP0195767B1 (en) * | 1985-02-19 | 1993-01-27 | U C B, S.A. | Composition and method for preparing a pattern of an adhesive |
DE3639266A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Fsk K K | Haftfolie |
JPS6428572A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Burn-in board |
JPH09179674A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Kenwood Corp | 設定データ変更装置 |
-
1986
- 1986-11-17 DE DE19863639266 patent/DE3639266A1/de active Granted
- 1986-11-18 US US06/932,210 patent/US4756968A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-11-24 PH PH34523A patent/PH23580A/en unknown
- 1986-12-02 MY MYPI86000164A patent/MY100214A/en unknown
- 1986-12-15 KR KR1019860010787A patent/KR910007086B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-12-23 FR FR8618037A patent/FR2592390B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-23 NL NL8603269A patent/NL191241C/nl not_active IP Right Cessation
- 1986-12-29 GB GB8630956A patent/GB2184741B/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-10-22 US US07/111,849 patent/US4965127A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-15 MY MYPI89000327A patent/MY104709A/en unknown
-
1992
- 1992-11-02 SG SG1144/92A patent/SG114492G/en unknown
- 1992-12-31 HK HK1056/92A patent/HK105692A/xx not_active IP Right Cessation
- 1992-12-31 HK HK1057/92A patent/HK105792A/xx not_active IP Right Cessation
- 1992-12-31 HK HK1055/92A patent/HK105592A/xx not_active IP Right Cessation
- 1992-12-31 HK HK1054/92A patent/HK105492A/xx not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-09 NL NL9302147A patent/NL9302147A/nl not_active Application Discontinuation
- 1993-12-09 NL NL9302148A patent/NL9302148A/nl not_active Application Discontinuation
- 1993-12-09 NL NL9302149A patent/NL9302149A/nl not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60196956A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-10-05 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
EP0157508A2 (en) * | 1984-03-12 | 1985-10-09 | Nitto Denko Corporation | Thin adhesive sheet for use in working semiconductor wafers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4965127A (en) | 1990-10-23 |
NL9302147A (nl) | 1994-04-05 |
GB8630956D0 (en) | 1987-02-04 |
KR910007086B1 (ko) | 1991-09-16 |
NL9302149A (nl) | 1994-04-05 |
SG114492G (en) | 1992-12-24 |
NL191241B (nl) | 1994-11-01 |
DE3639266C2 (nl) | 1990-02-08 |
HK105492A (en) | 1993-01-08 |
NL8603269A (nl) | 1987-07-16 |
GB2184741A (en) | 1987-07-01 |
HK105592A (en) | 1993-01-08 |
HK105692A (en) | 1993-01-08 |
PH23580A (en) | 1989-09-11 |
HK105792A (en) | 1993-01-08 |
MY104709A (en) | 1994-05-31 |
FR2592390B1 (fr) | 1993-03-12 |
NL191241C (nl) | 1995-04-03 |
GB2184741B (en) | 1990-09-05 |
US4756968A (en) | 1988-07-12 |
DE3639266A1 (de) | 1987-07-02 |
MY100214A (en) | 1990-05-29 |
KR870006156A (ko) | 1987-07-09 |
FR2592390A1 (fr) | 1987-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL9302148A (nl) | Kleefvel voor halfgeleiders. | |
US4968559A (en) | Pressure sensitive adhesive film with barrier layer | |
US6010782A (en) | Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers | |
US8388798B2 (en) | Pressure-sensitive adhesive for applying optically functional film, optically functional film and production process for the same | |
US5187007A (en) | Adhesive sheets | |
US8993649B2 (en) | Pressure-sensitive adhesive for polarizing plates, pressure-sensitive adhesive sheet, polarizing plate with pressure-sensitive adhesive and production process for the same and optical film and production process for the same | |
KR101660056B1 (ko) | 부재의 가고정·박리 방법 및 그에 적합한 가고정용 접착제 | |
US20070148485A1 (en) | Pressure-sensitive adhesive for polarizing plates, polarizing plate with pressure-sensitive adhesive and production process for the same | |
JP4229593B2 (ja) | 低温電子ビーム重合 | |
JPS62153376A (ja) | ウェハダイシング用粘着シート | |
DE19520238C2 (de) | Selbstklebeband | |
JP3035179B2 (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シート | |
JPH09298173A (ja) | ウエハ保護用粘着シート | |
JPS62153377A (ja) | ウェハダイシング用粘着シート | |
JP6109152B2 (ja) | 易剥離性粘着フィルム及び金属板の加工方法 | |
GB2221470A (en) | Adhesive sheet for semiconductor wafer processing | |
JP2002285134A (ja) | 半導体加工用粘着シート | |
JPH10310748A (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シート | |
JPH1161065A (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シート | |
JPH01251737A (ja) | 半導体ウェハ固定用粘着シート | |
JP2000281993A (ja) | 半導体ウエハ加工用粘着シート | |
JPS6317980A (ja) | ウエハ貼着用粘着シ−ト | |
US20110149402A1 (en) | Diffusion film and preparation process thereof | |
NL193617C (nl) | Kleefvel voor halfgeleiders. | |
JPS63299246A (ja) | ウェハ貼着用粘着シ−ト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
BV | The patent application has lapsed |