JPS6317980A - ウエハ貼着用粘着シ−ト - Google Patents

ウエハ貼着用粘着シ−ト

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JPS6317980A
JPS6317980A JP61161680A JP16168086A JPS6317980A JP S6317980 A JPS6317980 A JP S6317980A JP 61161680 A JP61161680 A JP 61161680A JP 16168086 A JP16168086 A JP 16168086A JP S6317980 A JPS6317980 A JP S6317980A
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adhesive sheet
wafer
radiation
compound
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和義 江部
Hiroaki Narita
博昭 成田
Katsuhisa Taguchi
田口 克久
Yoshitaka Akeda
明田 好孝
Takanori Saito
斉藤 隆則
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は粘着シートに関し、さらに詳しくは、半導体ウ
ェハを小片に切断分離する際に用いられるウェハ貼着用
粘着シートに関する。
発明の技術的背景ならびにその問題点 シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウェハは大径の状
態で製造され、このウェハは素子小片に切断分離(ダイ
シング)された後に次の工程であるマウント工程に移さ
れている。この際、半導体ウェハは予じめ粘着シートに
貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパン
ディング、ピックアップ、マウンティングの各工程が加
えられている。
このような半導体ウェハのダイシング工程で用いられて
いる粘着シートとしては、従来、ポリ塩化ビニル、ポリ
プロピレンなどの汎用の重合体フィルムからなる基材面
上にアクリル系などの粘着剤層が設けられたものが用い
られてきた。ところがこのようなアクリル系の粘着剤層
を有する粘着シートでは、ダイシングされた半導体ウェ
ハの各チップをピックアップする際にチップ面に粘着剤
が残存してチップが汚染されてしまうという問題点があ
った。
このような問題点を解決するため、従来、基材面へ粘着
剤を全面的に塗布するのではなく部分的に塗布して粘着
剤の量を少なくする方法が提案されている。この方法に
よれば、全体のチップ数に対する粘着剤量は減少してチ
ップ面の粘着剤による汚染はある程度減少させることは
できるが、ウェハチップと粘着シートとの接着力は減少
するため、ダイシング工程に引続いて行なわれる洗浄、
乾燥、エキスパンディングの各工程中にウェハチップが
粘着シートから脱離してしまうという新たな問題点が生
じている。
このような半導体ウェハのダイシング工程からピックア
ップ工程に至る工程で用いられる粘着シートとしては、
ダイシング工程からエキスパンディング工程までではウ
ェハチップに対して充分な接着力を有しており、ピック
アップ時にはウェハデツプに粘着剤が付着しない程度の
接着力を有しているものが望まれている。
このような粘着シートとしては、特開昭6C)−196
,956号公報および特開昭60−223゜139号公
報に、基材面に、光照射によって三次元網状化しうる分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以
上有覆る低分子量化合物からなる粘着剤を塗布した粘着
シートが提案されている。そして該公報では、分子内に
光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以上有す
る低分子量化合物としては、1〜リメチロールプロパン
アクリラート、テトラメチロールメタンテトラアクリラ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリラート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリラート、ジペンタエリスリ
トールモノヒドロキシペンタアクリラート、ジペンタエ
リスリトールへキサアクリラートあるいは1,4−ブチ
レングリコールシアクリラード、1,6−ヘキサンシオ
ールジアクリラート、ポリエチレングリコールジアクリ
ラート、市販のオリゴエステルアクリラートなどが例示
されている。
上記に例示されたような、ポリ塩化ビニル、ポリプロピ
レンなどの汎用の重合体フィルムからなる基材上に、分
子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個以
上有する低分子量化合物からなる粘着剤層を塗布した粘
着シートは、次のような問題点があることが本発明者ら
によって見出された。すなわち、粘着シート上にウェハ
を貼着する際あるいは貼着されたウェハをダイシングす
る際に該粘着シートに張力がかかるため、ウェハのダイ
シング工程終了後基材シートに伸びが生じて粘着シート
にたわみが発生し、この粘着シートを次の工程に移送す
るためにウェハボックスに収納する際に収納できなかっ
たり、あるいは収納されたウェハ同士が接したりすると
いう問題点があることが見出された。また、粘着シート
上に貼着されたウェハをダイシング工程終了後に、紫外
線などの放射線照射を行なう際にも粘着シートに伸びま
たはたわみが新たに生じたり、必るいは前述したような
ウェハのダイシング工程で生じた粘着シートの伸びまた
はたわみがそのまま保持されることがあるため、放射線
照射後の粘着シートを次のピックアップ工程に移送する
ためのウェハボックスに粘着シートを収納できなかった
り、あるいは収納されたウェハ同士が接したりするとい
う問題点があることが見出された。
また従来の重合体フィルムでは、エキスパンディング工
程時にフィルムが充分には伸びずに、ピックアップすべ
きチップ間に充分な間隔を提供することができず、この
ためチップのピックアップ時に誤動作が生ずることがあ
った。
本発明者らは、このような従来技術に伴なう問題点を解
決すべく鋭意検討したところ、粘着シートの基材シート
として、特定の重合体フィルムを用いれば上記の問題点
が一挙に解決されることを見出して本発明を完成するに
至った。
発明の目的 本発明は、上記のような従来技術に伴なう問題点を解決
しようとするものであり、粘着シートにウェハを粘着し
た後のウェハダイシング工程で基材シートに伸びまたは
たわみが生ずることがなく、またダイシングされたウェ
ハが貼着された粘着シートに放射線照射を行なう際にも
新たな伸びまたはたわみが生ずることがなく、しかもだ
とえウェハのダイシング工程で基材シートにわずかな伸
びまたはたわみか生じても放射線照射工程を経ることに
よってたわみが消滅し、粘着シートを収納ボックスに確
実に収納でき、その上エキスパンディング時には基材シ
ートが充分に伸びてチップ間の十分な間隔を提供し、チ
ップのピックアップ時に誤動作か生じないようなウェハ
貼着用粘着シートを提供することを目的としている。
発明の概要 本発明に係る第1のウェハ貼着用粘着シートは、基材面
一ヒに粘着剤と放射線重合性化合物とからなる粘着剤層
を塗布してなるウェハ貼着用の粘着シートにおいて、基
材が重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合
物を含む重合体フィルムであることを特徴としている。
本発明に係る第2のウェハ貼着用粘着シートは、基材面
上に粘着剤と放射線重合性化合物とからなる粘着剤層を
塗布してなるウェハ貼着用の粘着シートにおいて、基材
が、重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合
物を含む重合体フィルムと、ポリエチレンなどの汎用重
合体フィルムとがラミネートされたものであることを特
徴としている。
本発明に係る「ウェハ貼着用粘着シートでは、基材とし
て、重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合
物を含む重合体フィルムあるいはこれと汎用重合体ノイ
ルムとのラミネート体を用いているため、粘着シートに
ウェハを貼着してダイシングする際に粘着シートに伸び
によるたわみが生ずることがなく、また粘着シートに放
射線照射を行なう際に粘着シートに新たなたわみが生ず
ることがなく、しかもたとえダイシング工程で粘着シー
トにたわみかわずかに生じていても放射線照射工程を経
ることによって粘着シートに生じたわずかなたわみが消
滅し、したがってウェハが貼着された粘着シートを収納
ボックスに確実に収納できるとともに、収納された粘着
シートが互いに接触することがないという大きな効果が
得られる。
しかも放射線照射後にダイシングされたウェハチップを
ピックアップする際には、基材シートはエキスパンディ
ング時に充分に伸びるため、チップ間に十分な間隔を提
供し、ウェハチップのピックアップを確実に行なうこと
ができる。
発明の詳細な説明 以下本発明に係る粘着シートを具体的に説明する。
本発明に係る粘着シート1は、その断面図が第1図に示
されるように′、基材2とこの表面に塗着された粘着剤
層3とからなっており、使用前にはこの粘着剤層3を保
護するため、第2図に示すように粘着剤3の上面に剥離
性シート4を仮粘着しておくことが好ましい。
本発明に係る粘着シートの形状は、テープ状、ラベル状
などあらゆる形状をとりうる。本発明では、基材2とし
て、重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合
物を含む重合体フィルムが用いられている。
このような重合体構成単位としてカルボキシル基を有す
る化合物を含む重合体フィルムとしては、たとえばエチ
レン−メタクリル酸共重合体フィルム、エチレン−酢酸
ビニル−メタクリル酸共重合体フィルムなどのカルボキ
シル基を有する単量体を重合させて得られる重合体フィ
ルムあるいはエチレン−酢酸ビニル共重合体などの重合
体を二塩基酸で変性させることによって該共重合体にカ
ルボキシル基を導入させた変性重合体フィルムなどが用
いられる。
また本発明では、基材として、上記のような重合体構成
単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む重合体
フィルム2と、汎用重合体フィルム2aとがラミネート
されたフィルムを用いることができる。
重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を
含む重合体フィルムと、汎用重合体フィルムとをラミネ
ートすることによって、基材フィルムの伸びあるいは強
度を任意に設定することができる。
上記のような汎用重合体フィルムとしては、ポリエチレ
ンまたはエチレン−酢酸ビニル共重合体などのポリエチ
レン共重合体、ポリプロピレン、ポリブチレン、アイオ
ノマー、ポリブタジェン、ポリエチレンテレフタレート
、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルペンテン、
ポリウレタン、ポリ塩化ビニルまたはポリ塩化ビニル共
重合体あるいはこれら共重合体の架橋体などが用いられ
る。
上記のようなラミネート体を用いる場合には、粘着剤層
3は、重合体構成単位としてカルボキシル基を有する化
合物を含む重合体フィルム2上に設けてもよく、また汎
用重合体フィルム2a上に設けてもよいが、重合体構成
単位としてカルホキシル基を有する化合物を含む重合体
フィルム4に設けることが好ましい。これは一般に汎用
重合体フィルム2aのほうが、上記重合体フィルム2よ
りも滑り性に優れており、このため本発明に係る粘着シ
ート上にウェハを貼着し、これを治具上に固定してウェ
ハをダイシングする際に、治具と粘着シートとの間に滑
り性が提供されるためである。
また本発明に係る粘着シートの基材フィルムにおいて、
治具と接する側の基材フィルムに滑剤を入れて滑り性を
高めることもできる。
なお本発明で用いられる粘着シートの基材フィルムの膜
厚は80〜100μmであることが好ましい。
本発明の粘着シートでは、後述するように、その使用に
当り、EBあるいはり■などの放射線照射が行なわれる
ため、本発明で用いられる基材フィルムはEB照射をし
て用いる場合には透明である必要はないが、U■前照射
して用いる場合には透明な材料である必要がある。
このような基材として用いられる上記重合体フィルム2
またはこれを含むラミネート体フィルム2aは、ダイシ
ングされたウェハチップのピックアップ時にはエキスパ
ンディング処理が施こされるが、このエキスパンディン
グ時に充分に伸張性を有しており、ウェハチップを確実
にピックアップすることができる。
上記のような基材2上には、粘着剤層3が設けられてい
るが、この粘着剤層3は、粘着剤と、放射線重合性化合
物とを含んで形成されている。
粘着剤としては従来公知のものが広く用いられうるが、
アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、アクリル酸
エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体およ
び共重合体から選ばれたアクリル系重合体その他の官能
性単量体との共重合体およびこれら重合体の混合物であ
る。たとえば、モノマーのアクリル酸エステルとして、
メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸ブチル、メタア
クリル酸2−エチルへキシルアクリラート、メタアクリ
ル酸グリシジル、メタアクリル酸2−ヒドロキシエチル
アクリラートなど、また上記のメタクリル酸をたとえば
アクリル酸に代えたものなども好ましく使用できる。
さらに後述するオリゴマーとの相溶性を高めるため、ア
クリル酸あるいはメタクリル酸、アクリロニトリル、酢
酸ビニルなどの七ツマ−を共重合させてもよい。これら
の七ツマ−から重合して得られるアクリル系重合体の分
子量は、2.0X10”〜10.OX”105であり、
好ましくは、4.0X105〜8.0X105である。
また放射線重合性化合物としては、たとえば特開昭60
−196,956号公報および特開昭60−223,1
39号公報に開示されているような光照射によって三次
元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を
少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用いら
れ、具体的には、トリメチロールプロパンアクリラート
、テトラメチロールメタンテトラアクリラート、ペンタ
エリスリトールトリアクリラート、ペンタエリスリトー
ルテトラアクリラート、ジペンタエリスリトールモノヒ
ドロキシペンタアクリラート、ジペンタエリスリトール
へキサアクリラートあるいは1,4−ブチレングリコー
ルシアクリラード、1,6−ヘキサンシオールジアクリ
ラート、ポリエチレングリコールアクリラート、市販の
オリゴエステルアクリラートなどが用いられる。
さらに放射線重合性化合物として、上記のようなアクリ
ラート系化合物のほかに、ウレタンアクリラート系オリ
ゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリラート系
オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型な
どのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物た
とえば2,4−トリレンジイソシアナート、2.6−ト
リレンジイソシアナート、1,3−キシリレンジイソシ
アナート、1゜4−キシリレンジイソシアナート、ジフ
ェニルメタン4,4−ジイソシアナートなどを反応させ
て得られる末端インシアナートウレタンプレポリマーに
、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタク
リラートたとえば2−ヒドロキシエチルアクリレートま
たは2−ヒドロキシエチルメタクリラート、2−ヒドロ
キシプロピルアクリレート、2−ヒドロキジプロピルメ
タクリラート、ポリエチレングリコールアクリラート、
ポリエチレングリコールアクリラートなどを反応させて
得られる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、
炭素−炭素二重結合を少なくとも1個以上有する放射線
重合性化合物である。
このようなウレタンアクリラート系オリゴマーとして、
特に分子量が3000〜10000好ましくは4000
〜8000であるものを用いると、半導体ウェハ表面が
粗い場合にも、ウェハチップのピックアップ時にチップ
表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。また
ウレタンアクリラート系オリゴマーを放射線重合性化合
物として用いる場合には、特開昭60−196,956
@公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−炭素
二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物を
用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優れた
ものが得られる。覆なわち粘着シートの放射線照射前の
接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着力が
充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチップ
表面に粘着剤が残存することはない。
本発明における粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタン
アクリラート系オリゴマーの配合比は、アクリル系粘着
剤100重量部に対してウレタンアクリラート系オリゴ
マーは50〜900重量部の範囲の量で用いられること
が好ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期
の接着力が大きくしかも放射線照射後には粘着力は大き
く低下し、容易にウェハデツプを該粘着シートからピッ
クアップすることができる。
また必要に応じては、粘着剤層3中に、上記のような粘
着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放射線照射によ
り着色する化合物を含有させることもできる。このよう
な放射線照射により、着色する化合物を粘着剤3に含ま
せることによって、粘着シートに放射線が照射された後
には該シートは着色され、したがって光センサーによっ
てウェハチップを検出する際に検出精度が高まり、ウェ
ハチップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない
。また粘着シートに放射線か照射されたか否かが目視に
より直ちに判明するという効果か得られる。
放射線照射により着色する化合物は、放射線の照射前に
は無色または淡色であるが、放射線の照射により有色と
なる化合物であって、この化合物の好ましい具体例とし
てはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣
用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチア
ジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好まし
く用いられる。具体的には3−[N−(叶トリルアミノ
) ]−7−アニリツフルオラン、3−[N−(叶トリ
ル)−N−メチルアミン]−7−アニリツフルオラン、
3− [N−(叶トjノル)−N−エチルアミノ1−7
−アニリノフルオラン、3−ジエチルアミノ−6−メチ
ル−7−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレット
ラクトン、4.4’、4’“−トリスジメチルアミノト
リフェニルメタノール、4.4’、4“−トリスジメチ
ルアミノトリフェニルメタンなどが挙け゛られる。
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤と
しては、従来から用いられているフェノールホルマリン
樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土
などの電子受容体が挙げられ、さらに、色調を変化させ
る場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもでき
る。
このような放射線照射によって着色する化合物は、−旦
有機溶媒などに溶解された後に接着剤層中に含ませても
よく、また微粉末状にして粘着剤層中に含ませてもよい
。この化合物は、粘着剤層中に0.01〜10重量%好
ましくは0.5〜5重量%の量で用いられることが望ま
しい。該化合物か10重量%を越えた母で用いられると
、粘着シートに照射される放射線がこの化合物に吸収さ
れすぎてしまうため、粘着剤層の硬化が不十分となり好
ましくなく、一方該化合物が0.011重量%未満量で
用いられると放射線照射時に粘着シートが充分に着色し
ないことがあり、ウェハデツプのピックアップ時に誤動
作が生じやすくなるため好ましくない。
また場合によっては、粘着剤層3中に上記のような粘着
剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散乱性無機化合
物粉末を含有させることもできる。
このような光散乱性無機化合物粉末を粘着剤層3に含ま
せることによって、たとえ半導体ウェハなどの被着物表
面が何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化しても
、該粘着シートに紫外線などの放射線を照射すると、灰
色化あるいは黒色化した部分でもその接着力が充分に低
下し、したがってウェハチップのピックアップ時にウェ
ハチップ表面に粘着剤が付着してしまうことがなく、し
かも放射線の照射前には充分な接着力を有しているとい
う効果が得られる。
この光散乱性無機化合物は、紫外線(UV)あるいは電
子線(EB)などの放射線か照射された場合に、この放
射線を乱反射することができるような化合物であって、
具体的には、シリカ粉末、アルミナ粉末、シリカアルミ
ナ粉末、マイカ粉末などが例示される。この光散乱性無
機化合物は、上記のような放射線をほぼ完全に反射する
ものが好ましいが、もらろんある程度放射線を吸収して
しまうものも用いることができる。
光散乱性無機化合物は粉末状であることが好ましく、そ
の粒径は1〜100μm好ましくは1〜20Ltm程度
でめることか望ましい。この光散乱性無機化合物は、粘
着剤層中に0.1〜10重量%好ましくは1〜4重量%
の量で用いられることが望ましい。該化合物を粘着剤層
中に10重量%を越えた量で用いると、粘着剤層の接着
力が低下したりすることがあるため好ましくなく、一方
0.1重量%未満であると、半導体ウェハ面が灰色化あ
るいは黒色化した場合に、その部分に放射線照射しても
、接着力が充分に低下せずピックアップ時にウェハ表面
に粘着剤が残るため好ましくない。
粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加するとによ
って得られる粘着シートは、半導体ウェハ面が何らかの
理由によって灰色化あるいは黒色化したような場合に用
いても、この灰色化あるいは黒色化した部分に放射線が
照射されると、この部分においてもその接着力が充分に
低下するのは、次のような理由でおろうと考えられる。
すなわち、本発明に係る粘着シート1は粘着剤層3を有
しているが、この粘着剤層3に放射線を照射すると、粘
着剤層3中に含まれる放射線重合性化合物が硬化してそ
の接着力が低下することになる。ところが半導体ウェハ
面に何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化した部
分が生ずることがある。このような場合に粘着剤層3に
放射線を照射すると、放射線は粘着剤層3を通過してウ
ェハ面に達するが、もしウェハ面に灰色化あるいは黒色
化した部分があるとこの部分では放射線が吸収されて、
反射することがなくなってしまう。このため本来粘着剤
層3の硬化に利用されるべき放射線が、灰色化あるいは
黒色化した部分では吸収されてしまって粘着剤層3の硬
化が不充分となり、接着力が充分には低下しないことに
なる。したがってウェハチップのピックアップ時にチッ
プ面に粘着剤が付着してしまうのであろうと考えられる
ところが粘着剤層3中に光散乱性無機化合物粉末を添加
すると、照射された放射線はウェハ面に達するまでに該
化合物と衝突して方向が変えられる。このため、たとえ
ウェハチップ表面に灰色化あるいは黒色化した部分があ
っても、この部分の上方の領域にも乱反射された放射線
が充分に入り込み、したがってこの灰色化あるいは黒色
化した部分も充分に硬化する。このため、粘着剤層中に
光散乱性無機化合物粉末を添加することによって、たと
え半導体ウェハ表面に何らかの理由によって灰色化ある
いは黒色化した部分があっても、この部分で粘着剤層の
硬化が不充分になることがなく、したがってウェハチッ
プのピックアップ時にチップ表面に粘着剤が付着するこ
とがなくなる。
また上記の粘着剤中に、イソシアナート系硬化剤を混合
することにより、初期の接着力を任意の値に設定するこ
とができる。このような硬化剤としては、具体的には多
価イソシアナート化合物、たとえば?、4−トリレンジ
イソシアナート、2,6−ドリレンジイソシアナート、
1,3−キシリレンジイソシアナート、1,4−キシレ
ンジイソシアナート、ジフェニルメタン−4,4゛−ジ
イソシアナート、ジフエニルメタン−2,4°−ジイソ
シアナート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアナ
ート、ヘキサメチレンジイソシアナート、インホロンジ
イソシアナート、ジシクロキシシルメタン−4,4゛−
ジインシアナート、ジシクロヘキシルメタン−2,4“
−ジイソシアナート、リジンイソシアナートなどが用い
られる。
さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場合には、UV
開始剤を混入することにより、UV照射による重合硬化
時間ならびにUV@射を少なくなることができる。
このようなUV開始剤としては、具体的には、ベンゾイ
ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフ
ェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルフ
ァイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジ
アセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられ
る。
以下本発明に係る粘着シートの使用方法について説明す
る。
本発明に係る粘着シート1の上面に剥離性シート4が設
けられている場合には、該シート4を除去し、次いで粘
着シート1の粘着剤層3を上向きにして載置し、第4図
に示すようにして、この粘着剤層3の上面にダイシング
加工すべき半導体ウェハAを貼着する。この貼着状態で
ウェハAにダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディン
グの諸工程が加えられる。この際、粘着剤層3によりウ
ェハチップは粘着シートに充分に接着保持されているの
で、上記各工程の間にウェハチップが脱落することはな
い。
次に、各ウェハチップを粘着シートからピックアップし
て所定の基台上にマウンティングするが、この際、ピッ
クアップに先立って競るいはピックアップ時に、第5図
に示すように、紫外線(tJV)あるいは電子線(EB
)などの電離性放射線Bを粘着シート1の粘着剤層3に
照射し、粘着剤層3中に含まれる放射線重合性化合物を
重合硬化せしめる。このように粘着剤層3に放射線を照
射して放射線重合性化合物を重合硬化せしめると、粘着
剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの接着力が残
存するのみとなる。
粘着シート1への放射線照射は、基材2の粘着剤層3が
設けられていない面から行なうことが好ましい。したが
って前述のように、放射線としてUVを用いる場合には
基材2は光透過性であることが必要であるが、放射線と
してEBを用いる場合には基材2は必ずしも光透過性で
ある必要はない。
このようにウェハチップA1.A2・・・・・・が設け
られた部分の粘着剤層3に放射線を照射して、粘着剤層
3の接着力を低下せしめた後、この粘着シート1をビッ
クアップステーシミン(図示せず)に移送し、第6図に
示すように、ここで常法に従って基材2の下面から突き
上げ針杆5によりピックアップすべきチップA1・・・
・・・を突き上げ、このチップA1・・・・・・をたと
えばエアピンセット6によりピックアップし、これを所
定の基台上にマウンティングする。このようにしてウェ
ハチップA7.A2・・・・・・のピックアップを行な
うと、つ工ハチツブ面上には粘着剤が全く付着せずに簡
単にピックアップすることができ、汚染のない良好な品
質のチップが得られる。なお放射線照射は、ピックアッ
プステーションにおいて行なうこともできる。
放射線照射は、ウェハAの貼着面の全面にわたって1度
に照射する必要は必ずしもなく、部分的に何回にも分け
て照射するようにしてもよく、たとえば、ピックアップ
すべきウェハチップA1゜A2・・・・・・の1個ごと
に、これに対応する裏面にのみ照射する放射線照射管に
より照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下させた
後、突き上げ針杆5によりウェハチップA1.A2・・
・・・・を突き上げて順次ピックアップを行なうことも
できる。第7図には、上記の放射線照射方法の変形例を
示すが、この場合には、突き上げ針杆5の内部を中空と
し、その中空部に放射線発生源7を設けて放射線照射と
ピックアップ、とを同時に行なえるようにしており、こ
のようにすると装置を簡単化できると同時にピッアップ
操作時間を短縮することかできる。
発明の効果 本発明に係るウェハ粘着シートでは、基材として、重合
体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む
重合体フィルム、またはこの重合体フィルムと汎用重合
体フィルムとのラミネート体を用いているため、粘着シ
ートにウェハを貼着してダイシングする際に粘着シート
に伸びによるたわみが生ずることがなく、また粘着シー
トに放射線照射を行なう際に粘着シートに新たなたわみ
が生ずることがなく、しかもたとえダイシング工程で粘
着シートにたわみがわずかに生じていてもフィルムに放
射線を照射すると粘着シートに生じたわずかなたわみが
消滅し、したがってウェハが貼着された粘着シートを収
納ボックスに確実に収納できるとともに、収納された粘
着シートが互いに接触することがないという大きな効果
が得られる。しかも放射線照射後にダイシングされたウ
ェハチップをピックアップする際には、基材シートはエ
キスパンディング時に充分に伸びるため、チップ間に充
分な間隔が提供され、ウェハチップのピックアップを確
実に行なうことができる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されるものではない。
実施例1 アクリル系粘着剤(n−ブチルアクリラートとアクリル
酸との共重合体)100重量部と分子量3000〜10
000のウレタンアクリラート系オリゴマー100重量
部と硬化剤(ジイソシアナート系)25重量部と、UV
硬化反応開始剤(ベンゾフェノン系>10重量部とを混
合し、粘着剤組成物を形成した。
この粘着剤組成物を基材である厚さ80μmでエチレン
−メタクリル酸共重合体フィルムの片面に乾燥厚さ10
μmとなるように塗布し、100℃で1分間加熱して、
本発明の粘着シートを作製した。
得られた粘着シード上にシリコンウェハと貼付しダイシ
ングした後、シートの状態を目視により確認したところ
、たわみあるいはそれに類するものは確認できなかった
。また収納ボックスへの収納は全てスムーズに行なわれ
た。また収納後はシート同士が接触することはなかった
。紫外線を照射し、粘着力を低下させた後も、同様に、
たわみが生ずることなく、収納ボックスへの収納ガスム
ーズに行なわれ粘着シート同士の接触も確認されなかっ
た。また、この後のピックアップ時にも確実にエキスバ
ンドされ正確にセンサーが位置決めをして、ピックアッ
プがスムーズに行なわれた。
実施例2 実施例1において、基材として、厚さ60μmのエチレ
ン−メタクリル酸共重合体フィルムと厚さ25μmの低
密度ポリエチレンとをラミネートし、粘着剤層をエチレ
ン−メタクリル酸共重合体フィルム上に塗布した以外は
、実施例1と同様にして粘着シートを作製した。
この粘着シートは実施例1と同様に優れたものであった
比較例1 上記実施例1において、放射線照射をしていない未架橋
ポリエチレンを基材として用いた以外は、実施例1と同
様に粘着シートを形成して、シリコンウェハを貼着し、
ダイシング工程及び紫外線照射を行なったところ各々の
工程俊、基材にたわみが生じ、収納ボックスへの収納時
に粘着シート同士が接触し、トラブルが生じた。またエ
キスパンディング後のピックアップ時に、たわみに起因
するとみられる誤動作が生じた。またエキスパンディン
グ時に基材が不均一な伸びを示し、チップ間の間隔が均
一でないことに起因するとみられる誤動作(1個のチッ
プをピックアップした際に、周辺のチップと接触して破
損した)が生じた。
実施例3 実施例1において、エチレン−メタクリル酸共重合体フ
ィルムの代わりに、厚さ80μmのエチレン−酢酸ビニ
ル共重合体を二塩基酸で変性した、重合体構成単位とし
てカルボキシル基を有する化合物を含む重合体フィルム
を用いた以外は実施例1と同様にした。
実施例1と同様にたわみは生ピず、しかもエキスバンド
時にはウェハのピックアップはスムーズに行なわれた。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図および第3図は本発明に係る粘着シート
の断面図であり、第4図〜第7図は該粘着シートを半導
体ウェハのダイシング工程からピックアップ工程までに
用いた場合の説明図である。 1・・・粘着シート、 2・・・重合体構成単位としてカルボキシル基を有する
化合物を含む重合体フィルム、 2a・・・汎用重合体フィルム、 3・・・粘着剤層、
4・・・剥離シート、A・・・ウェハ、 B・・・放射
線。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とからな
    る粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用の粘着シートに
    おいて、基材が重合体構成単位としてカルボキシル基を
    有する化合物を含む重合体フィルムであることを特徴と
    するウェハ貼着用粘着シート。
  2. (2)基材面上に粘着剤と放射線重合性化合物とからな
    る粘着剤層を塗布してなるウェハ貼着用の粘着シートに
    おいて、基材が、重合体構成単位としてカルボキシル基
    を有する化合物を含む重合体フィルムと、汎用重合体フ
    ィルムとがラミネートされたものであることを特徴とす
    るウェハ貼着用粘着シート。
  3. (3)汎用重合体フィルムが、ポリエチレンまたはその
    共重合体、ポリプロピレン、ポリブチレン、アイオノマ
    ー、ポリブタジエン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
    リブチレンテレフタレート、ポリメチルペンテン、ポリ
    ウレタン、ポリ塩化ビニルまたはその共重合体あるいは
    これらの架橋体である特許請求の範囲第2項に記載のウ
    ェハ貼着用粘着シート。
JP61161680A 1985-12-27 1986-07-09 ウエハ貼着用粘着シ−ト Granted JPS6317980A (ja)

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GB8916856A GB2221469B (en) 1985-12-27 1989-07-24 Adhesive sheet suitable for use in dicing semiconductor wafers into chips
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999242A (en) * 1987-07-08 1991-03-12 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH0366772A (ja) * 1989-08-05 1991-03-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JPH03221647A (ja) * 1990-01-25 1991-09-30 Matetsukusu:Kk コンクリート構造体の形成方法及びコンクリート構造体
JPH03260246A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Matetsukusu:Kk 軽量コンクリート成形体の形成方法及び軽量コンクリート成形体
JP2001168064A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Disco Abrasive Syst Ltd ペレット押上部材及びペレットピックアップ装置
JP2006522475A (ja) * 2003-04-02 2006-09-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 可撓性電子装置及び可撓性装置を製造する方法
WO2020262482A1 (ja) 2019-06-24 2020-12-30 日本ポリエチレン株式会社 フィルム状成形体用樹脂及びそれからなる成形品

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5991182A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 Nitto Electric Ind Co Ltd 感圧性接着テ−プ類の製造法
JPS60196956A (ja) * 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5991182A (ja) * 1982-11-17 1984-05-25 Nitto Electric Ind Co Ltd 感圧性接着テ−プ類の製造法
JPS60196956A (ja) * 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4999242A (en) * 1987-07-08 1991-03-12 Furukawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH0366772A (ja) * 1989-08-05 1991-03-22 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JP2618491B2 (ja) * 1989-08-05 1997-06-11 古河電気工業株式会社 放射線硬化性粘着テープ
JPH03221647A (ja) * 1990-01-25 1991-09-30 Matetsukusu:Kk コンクリート構造体の形成方法及びコンクリート構造体
JPH03260246A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Matetsukusu:Kk 軽量コンクリート成形体の形成方法及び軽量コンクリート成形体
JP2001168064A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Disco Abrasive Syst Ltd ペレット押上部材及びペレットピックアップ装置
JP2006522475A (ja) * 2003-04-02 2006-09-28 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 可撓性電子装置及び可撓性装置を製造する方法
US7951687B2 (en) 2003-04-02 2011-05-31 Polymer Vision Limited Method of manufacturing a flexible electronic device and flexible device
WO2020262482A1 (ja) 2019-06-24 2020-12-30 日本ポリエチレン株式会社 フィルム状成形体用樹脂及びそれからなる成形品

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JPH0258306B2 (ja) 1990-12-07

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