NL9300895A - Vloeibare kristallen-indicator en werkwijze voor het vervaardigen ervan. - Google Patents
Vloeibare kristallen-indicator en werkwijze voor het vervaardigen ervan. Download PDFInfo
- Publication number
- NL9300895A NL9300895A NL9300895A NL9300895A NL9300895A NL 9300895 A NL9300895 A NL 9300895A NL 9300895 A NL9300895 A NL 9300895A NL 9300895 A NL9300895 A NL 9300895A NL 9300895 A NL9300895 A NL 9300895A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- signal lines
- electrode
- liquid crystal
- scan signal
- crystal indicator
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 100
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 75
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 72
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 54
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- -1 hydride silicon Chemical compound 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
Vloeibare kristallen-indicator en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een vloeibare kristallen-indicator en een werkwijze voor het vervaardigen ervan, en in het bijzonder op een actieve matrix-vloeibare kristallen-indicator en een werkwijze voor het vervaardigen ervan, welke in staat is tot reducering van het optreden van gebreken zoals kortsluitingen tussen een poortlijn en gegevenslijn en breuken van de poortlijn.
De onderhavige uitvinding is een verbetering van de uitvinding die de materie vormt van de thans eveneens hangende US-aanvrage nr. 07/934,396 van de onderhavige uitvinder, die werd ingediend op 25 augustus 1992 en waarvan de beschrijving door middel van verwijzing is opgenomen in de onderhavige aanvrage.
In reactie op een verzoek om persoonlijke, ruimtebespa-rende indicatoren welke dienen als interface tussen mensen en computers (en andere typen gecomputeriseerde inrichtingen), zijn verschillende typen flat screen- of flat panel-indicatoren, een vloeibare kristallen-indicator (LCD), een plasma indicatorpaneel (PDP), een elektroluminiscente (EL) indicator, enz. ontworpen ter vervanging van conventionele indicatorinrichtingen, in het bijzonder een kathodestraal-buis (CRT), die relatief groot en opvallend is. Van deze platte paneelindicatoren trekt de voortschrijding van de LCD-technologie de meeste aandacht. In sommige vormen evenaren of overtreffen LCD's de kleurbeeldkwaliteit van CRT's.
De aandrijfmethoden van een dergelijke vloeibare kristallen-indicator zijn een eenvoudige matrix-vorm en een actieve matrix-vorm, onder gebruikmaking van een elektro-optische eigenschap van het vloeibare kristal, waarvan de moleculaire regeling wordt veranderd in overeenstemming met een elektrisch veld. In het bijzonder maakt de LCD in de actieve matrix-vorm gebruik van een combinatie van vloeibaar kristal-technologie en halfgeleidertechnologie, en wordt gezien als superieur aan CRT-indicatoren.
De LCD's met actieve matrix maken gebruik van een actieve inrichting met een niet-lineaire karakteristiek in elk van een aantal pixels die zijn opgesteld in een matrix-configuratie, waarbij de schakelkarakteristiek van de inrichting wordt gebruikt om daardoor de beweging van elke pixel te regelen. Eén type van de LCD's met actieve matrix bevat een geheugenfunctie via een elektro-optisch effect van het vloeibaar kristal. Een dunne film-transistor (hierna aangeduid als een "TFT"), met drie aansluitklemmen wordt doorgaans gebruikt als de actieve inrichting, of bijvoorbeeld een dunne film-diode (TFD), of een metaal-isolatorme-taal (MIM) met twee aansluitklemmen. In de LCD met actieve matrix waarin dergelijke actieve inrichtingen worden gebruikt, zijn miljoenen of zelfs miljarden pixels geïntegreerd in een glassubstraat, samen met een pixeladres-bedra-ding, om daardoor een matrix-aandrijfschakeling te verschaffen, waarbij de TFT's dienen als schakelelementen.
Echter, bij de LCD met actieve matrix waarvan de indicator een groot scherm heeft en sterk gedefinieerd wordt, neemt het aantal pixels toe. Overeenkomstig wordt de aper-tuurverhouding van de afzonderlijke pixels greduceerd, waardoor tegelijkertijd de helderheid van de LCD gereduceerd wordt.
Om gelijkvormigheid van een beeld dat op de LCD met actieve matrix wordt vertoond, te verkrijgen, is het noodzakelijk dat de spanning van een eerste signaal dat door een gegevenslijn wordt aangelegd, gedurende een bepaalde periode constant wordt gehouden totdat een tweede signaal wordt ontvangen. Teneinde de beeldkwaliteit van de indicator te verbeteren, is tevens een opslagcondensator gevormd, parallel met een vloeibaar kristal-cel.
Om de boven beschreven problemen te verhelpen, is een LCD met actieve matrix voorgesteld, die een aanvullende lichtafschermingslaag en een opslagcondensator met onafhankelijke bedrading bezit ter verbetering van de karakteristieken van een indicator (Zie "High-Resolution 10.3-in Diagonal Multicolor TFT-LCD", M. Tsumura, M. Kitajima, K. Funahata et al., SID 91 DIGEST, p. 215-128).
In de LCD met actieve matrix die overeenkomstig het. bovenstaande stuk is verbeterd, is ter verkrijging van een goede contrastverhouding en een goede apertuurverhouding, een dubbele lichtafschermingslaag-structuur gevormd, en bestaat de opslagcondensator uit een onafhankelijke draad, afzonderlijk van een poortlijn, teneinde de afbeeldingsei-genschappen van de LCD te verbeteren.
Bij de structuur van de bovenstaande dubbele lichtaf-schermingslaag is een eerste lichtafschermingslaag vervaardigd van een voorste glassubstraat waarop een kleurfilter is aangebracht als bij de standen der techniek, en een tweede lichtafschermingslaag is gevormd op een achterste glassubstraat waarop de TFT is aangebracht. De LCD met een dergelijke dubbele lichtafschermingslaag-structuur, vertoont een apertuurverhouding die met 6-20% is verbeterd ten opzichte van de conventionele LCD die alleen de eerste lichtafschermingslaag bezit. Tevens wordt in een gewone elektrode van de opslagcondensator gebruik gemaakt van een aluminium waarvan de weerstand slechts één tiende bedraagt van die van chroom (Cr) met de poortelektrode. Daardoor worden de eigenschappen van verbreidingsvertraging langs de aftastlijn verbeterd.
Een LCD met de dubbele lichtafschermingslaag-structuur en de gebruikelijke aluminium elektrode, behoeft veel verbetering. Tevens moet een reducering van de apertuurverhouding, veroorzaakt door de toepassing van een ondoorlatend metaal (aluminium) voor het vormen van de elektroden van de opslagcondensator verbonden met elke pixel worden goedgemaakt .
Bovendien brengt het proces voor het vervaardigen van de tweede lichtafschermingslaag met zich mee, dat een lichtafschermingslaag moet worden geïnstalleerd voorafgaand aan de vorming van een isolatielaag, alleen voor het afschermen van licht gedurende de vervaardiging van de TFT's, waardoor extra processtappen noodzakelijk zijn, die een overmatige toename van de kosten en complexiteit van het LCD-produktie-proces.
Derhalve bestaat de behoefte aan een LCD met actieve matrix die de boven beschreven nadelen van de LCD met actieve matrix zoals beschreven in bovenstaand stuk, verhelpt.
Fig. 1 is een pixel-inrichting van een gebruikelijke vloeibare kristallen-indicator (zoals een voor bijvoorbeeld het verhelpen van bovengenoemde nadelen), waarop de aanvul- 9300895 lende opslagcondensator gevormd is, en fig. 2 is een dwarsdoorsnede langs de lijn II-II van fig. 1.
In fig. 1 zijn een enkel pixelgebied en gedeelten van dit omgevende, aangrenzende pixels weergegeven. In een gehele LCD zijn rijen bestaande uit een aantal poortlijnen 1 en orthogonale kolommen bestaande uit een aantal gegevens-lijnen 5a aangebracht in een matrixconfiguratie. Bijgevolg wordt een pixel gevormd in de gebieden die door deze twee soorten lijnen begrensd worden. In elk pixelgebied is een opslagcondensator C, een dunne film-transistor (TFT) als een schakelinrichting, een lichtdoorlatend deel (apertuurge-bied), een transparante pixelelektrode 4 en een kleurfilter-laag 21 aangebracht. Poortlijn 1 en gegevenslijn 5a worden aangeduid als respectievelijk aftastsignaallijn en afbeeld-signaallijn.
Zoals te zien is in fig. 1, is de eerste elektrode 10 van elke opslagcondensator C gevormd als een lipvormig deel dat steekt in een respectief pixeldeel van de aftastsig-naallijnen 1 steekt. Ook de poortelektrode G van elke TFT is gevormd als een integraal lipvormig deel dat in een respectief pixeldeel van de aftastsignaallijnen 1 steekt (in de tegenovergestelde richting van de overeenkomstige eerste elektrode van een opslagcondensator). Elk TFT-systeem omvat een halfgeleiderlaag 3 aangebracht over poortelektrode G, waarbij een rechter lipvormig uitstekend deel van afbeeld-signaallijn 5a (afvoerelektrode) grenst aan het linker einde van halfgeleiderlaag 3, waarbij een bronelektrode 5b grenst aan het rechter einde van halfgeleiderlaag 3 en transparante pixelelektrode 4. Transparante pixelelektrode 4 bestaat uit een transparant geleidend materiaal zoals indiumtinoxide (ITO).
Alle aftastsignaallijnen 1, afbeeldsignaalijnen 5a, condensatoren C, TFT's, en pixelelektroden 4 zijn gevormd als deel van een meerlagenstructuur die is gevormd op het i binnenoppervlak van een achterste glassubstraat 100, zoals te zien is in fig. 2. Het proces voor het maken van een LCD met de aanvullende condensator wordt in meer bijzonderheden als volgt toegelicht. Eerst wordt elektrode 10 van elke opslagcondensator C en elke aftastsignaallijn 1 gelijktijdig gevormd door het correct leggen van een patroon op een ondoorzichtig, geleidend materiaal (bijvoorbeeld bestaande uit aluminium, chroom, molybdeen, of tantaal), en opgedampt op het binnenoppervlak van het achterste glassubstraat 100 via een gangbaar fotolithografieproces. Daarna wordt een isolatielaag 2 gevormd over de aftastsignaallijnen 1, eerste elektrode 10 van condensator 10 en de blootgestelde gebieden van het achterste glassubstraat 100 als weergegeven in fig. 2. Vervolgens worden de afbeeldsignaallijnen 5a en transparante pixelelektroden 4 afzonderlijk gevormd, bijvoorbeeld door middel van successieve fotolithografieprocessen. Daarna wordt een beschermingslaag 6 gevormd over pixelelektroden 4, afbeeldsignaallijnen 5a, en de blootgestelde gebieden van isolatielaag 2, om daardoor de op het binnenoppervlak van het achterste glassubstraat 100 aangebrachte meerlagenstructuur te voltooien.
Onder verwijzing naar fig. 2, bevat de de LCD met actieve matrix volgens de stand der techniek verder een voorste glassubstraat 101 met een op het binnenoppervlak ervan aangebrachte meerlagenstructuur, en is evenwijdig aan het achterste glassubstraat 100 geplaatst. Bijvoorbeeld een lichtafschermingslaag- (zwart) matrix 20 voor lichtafscher-ming is gevormd op het binnenoppervlak van voorste glassubstraat 101. Lichtafschermingslaag-matrix 20 wordt vervaardigd door het correct leggen van een patroon op een lichtafschermingslaag door middel van een gangbaar fotolithografieproces, voor de vorming van een apertuurgebied dat bijna elke op achterste glassubstraat 100 opgestelde pixelelektro-de 4 inneemt. Daarna wordt een kleurfilterlaag 21 gevormd over lichtafschermingslaag-matrix 20 en de blootgestelde gebieden van het binnenoppervlak van het voorste glassubstraat 101. De kleurfilterlaag 21 bevat in het apertuurgebied aanwezige lichtdoorlatende delen 21a. Vervolgens wordt, een beschermingslaag 22 over de kleurfilterlaag 21 gevormd. Daarna wordt over beschermingslaag 22 een transparante elektrode 23 gevormd, om daardoor de op het binnenoppervlak van het voorste glassubstraat 101 aangebrachte meerlagen-structuur te voltooien. Er kan worden opgemerkt dat de gebruikelijke LCD met actieve matrix verder een dunne laag vloeibaar kristal bevat die is ingeklemd tussen het voorste glassubstraat 101 en het achterste glassubstraat 100, en is geplaatst in contact met transparante elektrode 23 en beschermingslaag 6. Daarna worden aan deskundigen in de be-; treffende techniek bekende volgende processtappen uitgevoerd voor het bevestigen van het voorste glassubstraat 101 en het achterste glassubstraat 100, onder gebruikmaking van een gangbaar afdichtmiddel (niet weergegeven), en wordt het vloeibaar kristal ingespoten en ingesloten in de daartussen i gevormde holte.
Bij de LCD met actieve matrix van het aanvullende condensator-type, is vanwege het feit dat eerste elektrode 10 van de opslagcondensator en aftastsignaallijn 1 gelijktijdig van een patroon worden voorzien onder gebruikmaking i van hetzelfde materiaal, een aanvullend proces niet nodig. Bijgevolg kan het proces voor vervaardiging van de LCD met actieve matrix worden vereenvoudigd.
Gebaseerd op de bovenstaande beschrijving van de gebruikelijke LCD met actieve matrix, moet men echter ook i begrijpen dat de stand der techniek bepaalde nadelen vertoont, en wel de volgende. Aangezien de eerste elektrode 10 van elke opslagcondensator C bestaat uit een ondoorzichtig metaal, en de eerste elektrode 10 van elke opslagcondensator C verder een belangrijk deel van zijn bijbehorende pixel-i elektrode 4 overlapt, wordt het apertuurgebied van elke pixel belangrijk verkleind door het corresponderende over-lappingsgebied, waardoor de apertuurverhouding ervan gereduceerd wordt.
Bovendien is het zo, dat aangezien de afbeeldsignaal-I lijnen 5a en de pixelelektroden 4 tezamen op dezelfde isolatielaag 2 gevormd worden, zij door een vooraf bepaalde afstand van elkaar moeten worden gescheiden om daartussen een elektrische isolatie te verkrijgen. Dit verkleint het apertuurgebied van de LCD en reduceert dus de contrastver-i houding en luminantie van de LCD.
Fig. 3 toont een montageopstelling van de pixel van de vloeibare kristallen-indicator die een opslagcondensator van het type met onafhankelijke bedrading bezit, als een andere werkwijze van de stand der techniek voor het vormen van de opslagcondensator. Fig. 3 toont een dwarsdoorsnede, genomen langs lijn IV-IV van fig. 3, en toont alleen het onderste deel van het vloeibaar kristal van het vloeibare kristallen-indicatorpaneel. Hier vertegenwoordigen verwijzingsgetallen i als die van fig. 1 en 2 dezelfde elementen.
Zoals in fig. 3 is weergegeven, bestaat opslagcondensator C van het type met onafhankelijke bedrading een structuur, waarin een transparant geleidend materiaal zoals een indiumtinoxide (ITO) het ondoorzichtig metaal, bijvoorbeeld het aluminium, in bovengenoemde gebruikelijke TFT LCD vervangt. De rond transparante pixelelektrode 4 gevormde licht-afschermingslaag-structuur is in fig. 3 niet weergegeven, aangezien deze niet essentieel is. Fig. 3 toont alleen een gedeelte van een groot aantal pixeldelen die worden gevormd door een groot aantal aftastsignaallijnen 1 en een groot aantal afbeeldsignaallijnen 5a zoals weergegeven in fig. 1. Opslagcondensator C van het type met onafhankelijke bedrading is gescheiden van aftastsignaallijnen X, anders dan bij het in fig. 1 getoonde aanvullende condensator-type, om in het aangrenzende pixeldeel te worden aangesloten op condensator C door middel van een onafhankelijke bedrading 11 als een andere geleidende laag.
Zoals weergegeven in fig. 4, gebruikt de LCD met condensator van het type met onafhankelijke bedrading de omge-i keerd verstemde TFT's als een schakelinrichting. Wanneer het het vormingsproces bekijkt, wordt poortelektrode G zodanig gevormd dat elk van de aftastsignaalli jnen 1 is gevormd als een lipvormig deel dat in elk pixeldeel steekt, waarbij elke eerste elektrode 10a van opslagcondensator C en elke onaf-i hankelijke bedrading 11 die een verlenging van de eerste elektrode is, gevormd worden om evenwijdig te lopen aan het achterste glassubstraat van het vloeibaar kristal-indicator-paneel. Successievelijk worden, nadat een isolatielaag 2 zoals een siliciumnitride (SiN) op het vooroppervlak gevormd i is, een halfgeleiderlaag 3 en een transparante pixelelektrode 4 gevormd in een vooraf bepaald patroon, en worden daarna afbeeldsignaallijnen 5a en een bron 5b daarop gevormd. Daarop volgende bewerkingen worden verricht door middel van een op het terrein van de LCD gebruikelijk toegepaste metho- > ί η n r o <5 de.
Aangezien de vloeibare kristallen-indicat'or van de opslagcondensator van het type met onafhankelijke bedrading als weergegeven in fig. 3 en 4 gebruik maakt van transparante ITO voor de vorming van eerste elektrode 10a van opslagcondensator C, wordt het apertuurgebied niet zo klein als dat van de elektrode. Tegelijkertijd is het zo, dat aangezien de lichtafschermingslaag niet aanwezig is op het achterste glassubstraat van het vloeibare kristallen-indicator-paneel langs de pixelelektrode, wordt de contrastverhouding van een LCD sterk gereduceerd en is een aanvullende bewerking nodig voor het vormen van de eerste elektrode 10a van opslagcondensator C. (Deze bewerking wordt uitgevoerd door het opdampen van een aanvullend transparant, geleidend materiaal, zoals een ITO, dat verschilt van het ondoorzichtige, geleidend materiaal van de aftastsignaallijnen, en het daarna etsen van het transparante geleidend materiaal).
Om de bij bovengenoemde vloeibare kristallen-indicator van het type met extra condensator (fig. 1) en die van het type met onafhankelijke bedrading (fig. 3) aanwezige problemen te verlichten, wordt de basis van de onderhavige uitvinding gevormd door een opslagcondensator die naar een corresponderende transparante pixelelektrode toegekeerd is en de transparante pixelelektrode in een ringvorm omsluit (bovengenoemde US-aanvrage nr. 07/934,396). De onderhavige uitvinding zal hieronder worden toegelicht onder verwijzing naar fig. 5 en 6, die de uitvinding tonen (beschreven in US-aanvrage nr. 07/934,396). Hier vertegenwoordigen dezelfde verwijzingsgetallen als die van fig. 1 of 4 dezelfde componenten .
Zoals door een vergelijking van fig. 5 met fig. l en 3 te zien is, is de in fig. 5 weergegeven LCD met actieve matrix volgens de gebruikelijke werkwijze vervaardigd, behalve dan het feit dat een montageopstelling van eerste elektrode 10 van opslagcondensator C aangesloten op elke pixelelektrode 4 zodanig veranderd is dat eerste elektrode 10 is aangebracht in het randgebied van pixelelektrode 4 om daardoor de apertuurverhouding en de contrastverhouding van de LCD sterker te verbeteren dan die van de gebruikelijke LCD. In het bijzonder is de ondoorzichtig metaal-laag, waaruit de afbeeldsignaallijnen 5a en de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C zijn gevormd, op dusdanige wijze van patronen voorzien dat de de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C in hoofdzaak hun bijbehorende pixel-elektroden 4 omgeven, en bij voorkeur alleen een randdeel ervan overlappen. Zoals veel duidelijker te zien is in fig. 6 (genomen langs lijn VI-VI van fig. 5), is eerste elektrode 10 van de condensator C in hoofdzaak geplaatst onder de matrix van lichtafschermingslaag 20 die is aangebracht op het binnenoppervlak van het voorste glassubstraat 101, en zich niet uitstrekt tot in de omhulling van het apertuurge-bied, waardoor de apertuurverhouding belangrijk wordt verbeterd in vergelijking tot die van een gebruikelijke LCD met actieve matrix.
Daarbij dient de eerste elektrode 10 van elke condensator C die langs elke bijbehorende pixelelektrode 4 gevormd is, tevens als een aanvullende lichtafschermingslaag, zoals weergegeven in fig. 6. Dat wil zeggen, de eerste elektrode 10 minimaliseert de hoeveelheid leklicht dat door het aper-tuurgebied van het voorste glassubstraat 101 gaat vanuit het gebied van het vloeibaar kristal dat zich buiten de omhulling van het apertuurgebied bevindt.
In het geval van in fig. 2 afgebeelde gebruikelijke LCD met actieve matrix is te zien, dat licht van buiten, dat het voorste glassubstraat 101 binnenkomt met een invalshoek groter dan ©x wordt uitgestraald via het apertuurgebied van het voorste glassubstraat 101. In het geval van de LCD volgens US-octrooiaanvrage serienr. 07/934,396 wordt alleen licht van buiten, dat het voorste glassubstraat binnenkomt met een invalshoek groter dan θ2, uitgestraald door het apertuurgebied van het voorste glassubstraat zoals weergegeven in fig. 6. overtollig licht (of "leklicht") dat het voorste glassubstraat treft en waarvan de hoek kleiner is dan de invalshoek θ2, wordt door eerste elektrode 10 van de aangrenzende opslagcondensator geblokkeerd. Bijgevolg reduceert de LCD van het '396-octrooischrift ten opzichte van de bovengenoemde LCD met actieve matrix volgens de stand der techniek de hoeveelheid leklicht die wordt uitgestraald door het apertuurgebied van voorste glassubstraat 101 in een hoeveelheid die evenredig is aan het verschil tussen 02 en 0!, waardoor de contrastverhouding wezenlijk verbeterd wordt.
Intussen vertegenwoordigt de vloeibare kristallenindicator een verbetering in indicator-eigenschappen, d.w.z, een betere apertuurverhouding, een verbeterde contrastverhouding, enzovoorts. Door inleiding van vreemde materie of een zwakke isolatiefilm bij draadkruisingen (de kruising van aftastsignaallijnen 1 en afbeeldsignaallijnen 5a), treden echter draadbreuken in aftastsignaallijnen 1 en/of kortsluitingen tussen aftastsignaallijnen 1 en afbeeldsignaallijnen 5a op, waardoor het rendement van vervaardigde vloeibare kristallen-indicatoren wezenlijk wordt verlaagd.
Het is een eerste doel van de onderhavige uitvinding, de problemen van de stand der techniek op te lossen, en een vloeibare kristallen-indicator te verschaffen die in staat is tot het verhelpen van gebreken zoals draadbreuken van een aftastsignaallijn bij de kruising van de aftastsignaallijnen en de afbeeldsignaallijnen.
Een ander doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een vloeibare kristallen-indicator die in staat is tot het verhelpen van gebreken zoals het optreden van kortsluitingen bij de kruising van de aftastsignaalli jnen en de afbeeldsignaallijnen.
Een verder doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een vloeibare kristallen-indicator voor het opmerkelijk verbeteren van een apertuurverhouding, en waarbij de bovengenoemde gebreken worden verholpen.
Nog een verder doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een vloeibare kristallen-indicator voor het opmerkelijk verbeteren van een contrastverhouding, en waarbij bovengenoemde gebreken worden verholpen.
Nog een ander doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een goede werkwijze voor het zonder een extra bewerking eenvoudig vervaardigen van de vloeibare kristallen-indicator volgens de onderhavige uitvinding.
De vloeibare kristallen-indicator volgens de onderhavige uitvinding voor het realiseren van doelen van de onderhavige uitvinding bestaat uit een transparant substraat, een groot aantal aftastsignaallijnen en afbeeldsignaallijnen, die de aftastsignaallijn kruisen en zijn aangebracht op het oppervlak van het transparant substraat, om daardoor een pixelgebied te vormen dat omgeven is door vier lijnen bestaande uit een paar van de aangrenzende aftastsignaallijnen en een paar van de aangrenzende afbeeldsignaallijnen, waarbij in elk pixelgebied een pixelelektrode is aangebracht, in elk pixelgebied een schakelinrichting is aangebracht die is aangesloten op een bijbehorende afbeeldsignaallijn en een pixelelektrode, een aantal ringvormige eerste elektroden voor opslagcondensatoren die naar een randdeel van de pixelelektrode toegekeerd zijn en bestaan uit een ondoorzichtig, geleidend materiaal, middelen voor aansluiting van de eerste elektrode op de aftastsignaallijnen en een redundantieaan-sluitdeel voor het op elkaar aansluiten van de aan elkaar grenzende eerste elektroden die de afbeeldsignaallijnen kruisen.
De vloeibare kristallen-indicator volgens een andere uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding voor het bereiken van de doelen van de onderhavige uitvinding omvat een transparant substraat, een aantal aftastsignaallijnen die worden gevormd door paren eerste en tweede aftastsignaalli jnen die afwisselend met een vooraf bepaalde tussenruimte zijn aangebracht op het oppervlak van het transparante substraat, een aantal afbeeldsignaallijnen dat de eerste en tweede aftastsignaallijnen kruist, om daardoor pixelge-bieden op het transparante substraat te definiëren in een matrixvorm die wordt begrensd door de eerste en tweede afbeeldsignaallijnen en twee aangrenzende afbeeldsignaallij-nen, waarbij in elk pixelgebied een pixelelektrode is aangebracht, in elk pixelgebied een schakelinrichting is aangebracht die is aangesloten op een bijbehorende afbeeldsignaalli jn en een pixelelektrode, en een aantal van de eerste elektroden in elk pixelgebied is aangebracht om de eerste aftastsignaallijn aan te sluiten op de tweede aftastsignaalli jn en samen met de pixelelektrode een opslagcondensa-tor te vormen, teneinde naar elk van de pixelelektroden toegekeerd te zijn en de pixelelektroden ringvormig te omsluiten.
13 0 0 8 9 5
Om andere doelen van de onderhavige uitvinding te bereiken, wordt de produktiewijze van de vloeibare kristal-len-indicator volgens de onderhavige uitvinding gekenmerkt door de stappen van het vormen van een contacteerpunt voor elektrische verbinding met een externe aandrijfschakeling, na een eerste metaallaag op een transparant substraat te hebben aangebracht, het gelijktijdig in een patroon leggen van een aantal aftastsignaallijnen in een regelmatige opstelling, waarbij eerste elektroden van een opslagconden-sator respectievelijk zijn aangesloten op de aftastsignaal-lijnen en zijn geplaatst in elk pixelgebied dat wordt gedefinieerd door de aftastsignaallijnen en de afbeeldsignaal-lijnen, en een redundantieaansluitdeel voor het aansluiten van aangrenzende eerste elektroden van de opslagcöndensator, na een tweede metaallaag te hebben aangebracht op het gehele oppervlak van de resulterende structuur, het leggen van een patroon op een halfgeleiderlaag om de halfgeleiderlaag alleen in stand te houden rond een kruisingsdeel van de aftast- en afbeeldsignaallijnen, na successievelijke vorming van een isolatielaag en de halfgeleiderlaag op het oppervlak van de resulterende structuur, het in een patroon leggen van een pixelelektrode, om tegenover de eerste elektrode van de opslagcondensator te worden geplaatst langs een rand ervan, na het aanbrengen van een transparant metaallaag op het oppervlak van de resulterende structuur, en het in een patroon leggen van het aantal regelmatig opgestelde afbeeldsignaalli jnen die de aftastsignaallijnen kruisen, en bron-en afvoerelektroden van een dunne film-transistor op de halfgeleiderlaag, na een derde metaallaag op het oppervlak van de resulterende structuur te hebben aangebracht.
Aangezien de eerste elektrode van de opslagcondensator is vervaardigd van het ondoorzichtige, geleidende materiaal om te worden gealigneerd met de lichtafschermingslaag die is gevormd op het voorste glassubstraat van het vloeibare kristallen-indicatorpaneel, worden de gereduceerde apertuur-gebied-verhouding en de door de lichtlek verslechterde con-trastverhouding verbeterd. Intussen kunnen, door gebruik te maken van het redundantieaansluitdeel of de gedupliceerde aftastsignaallijn, kortsluitingen en draadbreuken die tot dusver optraden in het draadkruisdeel, worden gereduceerd of verholpen.
Verdere kenmerken en voordelen zullen duidelijk worden uit de volgende en meer specifieke beschrijving van de voorkeuruitvoeringsvorm van de uitvinding zoals weergegeven in de bijgaande tekeningen, waarin dezelfde verwijzingsge-tallen in het algemeen betrekking hebben op gelijke onderdelen in alle aanzichten, en waarin: fig. 1 een pixel-montageopstelling is van de gebruikelijke vloeibare kristallen-indicator die is vervaardigd onder toepassing van een werkwijze van het type met aanvullende condensator.; fig. 2 een dwarsdoorsnede toont, genomen langs de lijn II-II van fig. 1; fig. 3 een pixel-montageopstelling is van de gebruikelijke vloeibare kristallen-indicator waarin een opslagcon-densator van het type met onafhankelijke bedrading gevormd is; fig. 4 een dwarsdoorsnede toont, genomen langs de lijn IV-IV van fig. 3; fig. 5 een pixel-montageopstelling is van de vloeibare kristallen-indicator waarin de opslagcondensator van het type aanvullende condensator is gevormd in een ringconfigu- ratie; fig. 6 een dwarsdoorsnede toont, genomen langs de lijn VI-VI van fig. 5; fig. 7 een pixel-montageopstelling is van de vloeibare kristallen-indicator volgens de onderhavige uitvinding, waarin een opslagcondensator van het ring-type met een redundantieaansluitdeel gevormd is; fig. 8 een pixel-montageopstelling is van de vloeibare kristallen-indicator volgens de onderhavige uitvinding, waarin een opslagcondensator is gevormd als een met dubbele bedrading en van een ring-type; fig. 9 een schematische voorstelling is die een wer-kingsprincipe toont ter toelichting van het effect van de onderhavige uitvinding.
Fig. 7 toont een pixel-montageopstelling van de vloeibare kristallen-indicator volgens één uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
Verwijzend naar fig. 7, bezit de vloeibare kristallenindicator volgens één uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding een basiskenmerk, dat een redundantieaansluitdeel 12 vormt tussen een eerste elektrode van de opslagcondensa-tor gevormd in elk pixelgebied, vergeleken met de pixel-montageopstelling van de in fig. 5 weergegeven vloeibare kristallen-indicator zoals boven vermeld. In meer bijzonderheden is een ondoorzichtig metaal-laag, waaruit de afbeeld-signaallijn 5a en de eerste elektroden 10 van opslagconden-satoren c zijn gevormd, in een patroon gelegd op een zodanige wijze, dat de eerste elektroden 10 van opslagcondensato-ren c hun bijbehorende pixelelektroden 4 in hoofdzaak omgeven, en bij voorkeur slechts een omtreksranddeel ervan overlappen.
Bovendien bevinden de eerste elektroden 10 van de opslagcondensator zich onder de matrix van lichtafscher-mingslaag 20 die is aangebracht op voorste glassubstraat 101 om zich niet uit te strekken tot in het apertuur gebied, en daardoor de apertuurverhouding te verbeteren in vergelijking tot de conventionele LCD.
Daarbij is eerste elektrode 10 van elke condensator op een zodanige wijze gevormd dat hij elke respectieve pixel-elektrode 4 in hoofdzaak omgeeft, en dient als een aanvullende lichtafschermingslaag, zoals weergegeven in fig. 6. Dat wil zeggen, hij is bestemd voor het minimaliseren van de hoeveelheid leklicht die door het apertuurgebied van het voorste glassubstraat 101 gaat vanuit de gebieden van het vloeibare kristal dat zich buiten de omhulling van het apertuurgebied bevindt.
Bij de onderhavige uitvinding is een redundantieaansluitdeel 12, dat is aangesloten tussen eerste elektroden 10 van elk van de opslagcondensatoren, gelijktijdig gevormd met een patroon van eerste elektroden 10 en kruist afbeeldsig-naallijnen 5a door de diëlektrische films daarin te leggen.
Wanneer de vloeibare kristallen-indicator met de bovengenoemde constructie tussen twee bedradingen een kortsluiting vertoont bij het draadkruisingsdeel van aftastsignaal-lijn 1 en afbeeldsignaallijn 5a, worden de aftastsignaal- lijnen door een laserstraal afgesneden aan beide zijden van het kruisingsdeel waar de kortsluiting is opgetreden, om zo de kortsluiting te verhelpen. Dat wil zeggen, het signaal dat door aftastsignaallijnen 1 wordt verzonden, gaat niet door de afgesneden aftastsignaallijnen, maar door redundan-tieaansluitdeel 12. Bovendien is het zo, dat aangezien het signaal via redundantieaansluitdeel wordt verzonden door hetzelfde principe als wanneer draadbreuken van de aftastsignaalli jnen 1 optreden bij het kruisingsdeel, dit gebrek wordt verholpen.
Fig. 8 toont een pixel-montageopstelling van de vloeibare kristallen-indicator volgens een andere uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
Verwijzend naar fig. 8, wordt de vloeibare kristallenindicator volgens een andere uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding gekenmerkt door aftastsignaallijnen 1 die zijn gedupliceerd als eerste signaalelektroden la en tweede signaalelektroden lb vergeleken met de in fig. 5 weergegeven pixel-montageopstelling van de vloeibare kristallen-indicator zoals hierboven vermeld. Een aantal van de aftastsignaalli jnen dat wordt gevormd door een elektrodenpaar van eerste aftastsignaallijn la en tweede aftastsignaallijn lb is met vooraf bepaalde tussenruimten opgesteld. Hier vormt het door eerste en tweede aftastsignaalli jnen la en lb en afbeeldsignaallijn 5a gedefinieerde deel het pixeldeel.
Bovendien is vergeleken met fig. 5 de dunne film-tran-sistor als een schakel inrichting niet gevormd op een integraal lipvormig deel van een bijbehorende aftastsignaallijn la, maar op eerste aftastsignaalli jn la. Dat wil zeggen, een poortelektrode van de dunne film-transistor is over 90° verdraaid om consistent te zijn met eerste aftastsignaallijn la, en daardoor de apertuurverhouding van de vloeibare kristallen-indicator te maximaliseren.
Intussen wordt een ondoorzichtige, geleidend materiaal-laag waaruit de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C gevormd zijn, op een zodanige wijze in een patroon gelegd, dat de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C hun bijbehorende pixelelektroden 4 in hoofdzaak omgeven, een omtreksranddeel ervan overlappen, en zijn aangesloten op corresponderende eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb op dezelfde plaats. Wanneer eerste elektrode 10 is gemaakt van aluminium, is het oppervlak van de aftastsignaal-lijnen en de eerste elektrode 10 door middel van een anodi-seermethode bedekt met aluminiumoxide (A1203).
Intussen zijn, zoals in fig. 6 is weergegeven, alle elektroden 10 aangebracht onder de matrix van lichtafscher-mingslaag 20 die zich bevindt op voorste glassubstraat 101, om te dienen als een extra lichtafschermingslaag voor het direkt onderbreken van de doorlating van licht van achteren, dat invallend leklicht interumpeert, teneinde de contrast-verhouding te verbeteren. Gedurende de periode dat de af-beeldsignaalspanning wordt toegevoerd aan pixelelektrode 4, wanneer het vloeibare kristallen-indicatorpaneel wordt aangestuurd, wordt tevens een vooraf bepaalde spanning gevoerd tussen de transparante gemeenschappelijke elektrode, die over het vloeibare kristal is aangebracht, en eerste elektrode 10 van de opslagcondensator, zodat de vloeibaar kristal-molekulen vertikaal ten opzichte van het subtraat worden gerangschikt. Daardoor wordt leklicht onderschept teneinde de contrastverhouding te verbeteren wanneer het vloeibaar kristal zodanig opgesteld is dat het wordt bewogen bij een gewoonlijk witte modus.
Het transparant substraat voor gebruik als een onderste paneel van de vloeibare indicator is een glassubstraat, bijvoorbeeld Corning 7059 (handelsnaam), met een dikte van ongeveer 1 mm. De aftastsignaallijn is verdubbeld door eerste aftastsignaallijn la en tweede aftastsignaallijn lb en is rond de stuurschakeling aangesloten door een enkelvoudige bedrading. Hierbij is het zo, dat wanneer de totale lijnbreedte van de verdubbelde aftastlijn gelijk is aan die van de aftastsignaallijn bij de conventionele methode met enkelvoudige bedrading, het gebied van elk kruisingsdeel van de aftastsignaallijn en afbeeldsignaallijn niet alleen consistent is, maar treedt er ook geen verandering op in de draadweerstand van de aftastsignaallijn.
Intussen wordt de schakelinrichting voor het verzenden van een elektronisch signaal door afbeeldsignaallijn 5a, bijvoorbeeld de dunne film-transistor, gevormd in een omge- keerd verstemde configuratie, waarbij aftastsignaallijn 1 dient als de poortelektrode voor het maximaliseren van het pixelgebied. Er kan echter ook een dunne film-diode (TFD) worden toegepast, bijvoorbeeld een metalen isolator-metaal (MIM) met twee aansluitklemmen die dienen als de schakelfunctie.
Thans 2al het proces van één werkwijze voor het vervaardigen van de vloeibare kristallen-indicator volgens de onderhavige uitvinding hieronder worden toegelicht.
Eerst wordt aluminium tot een dikte van niet meer dan 4000A opgedampt op het vooroppervlak van het achterste glassubstraat van de vloeibare kristallen-indicator, en daarna worden aftastsignaallijn 1 en eerste elektrode 10 van de opslagcondensator gelijktijdig gevormd. Eerste elektrode 10 van de opslagcondensator, zoals weergegeven in fig. 7 en 8, is gevormd in de ringvormige structuur waar de eerste elektrode zich voldoende uitstrekt naar de rand van het pixelgebied om het maximale pixelgebied te benutten. In fig. 7 is redundantieaansluitdeel 12 in een patroon gelegd om te worden aangesloten tussen aangrenzende eerste elektroden 10 van de condensatoren, en in fig. 8 om op elkaar te worden aangesloten door middel van de gedoubleerde aftastsignaalli jn.
Aangezien eerste elektrode 10 van de condensator dient als een hierna te beschrijven lichtafschermingslaag, behoort deze hierbij te bestaan uit een ondoorzichtig, geleidend materiaal. Een eerste elektrode kan worden gevormd in een meerlaags structuur of door toepassing van een legering, zo lang dit een ondoorzichtig, geleidend materiaal is.
Wanneer aftastsignaallijnen 1 of eerste elektroden 10 worden gemaakt van aluminium, onder toepassing van een anodisch-oxide methode, kunnen successievelijk oppervlakken van elektroden worden bedekt met de aluminiumoxide film (A1203), waarvan de dikte niet meer dan 2000A bedraagt, om de elektrische eigenschap te versterken.
Daarna wordt daarop een contactpunt gevormd om afbeeld-signaallijn 5a en aftastsignaalli jn 1 te verbinden met de stuurschakeling. Hierbij wordt bijvoorbeeld chroom als het contactpuntmetaal gebruikt, waarvan de dikte ongeveer 2000A
bedraagt.
Volgens een andere uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding kunnen, na een contactpunt op het glassubstraat te hebben gevormd, aftastsignaallijn 1 en eerste elektrode 10 daarop worden gevormd wanneer een ander ondoorzichtig, geleidend materiaal dan aluminium wordt gebruikt.
Daarna worden onder toepassing van een chemische neerslag uit dampfase-methode (CVD), een isolatielaag bestaande uit een siliciumnitride (siNx) en een halfgeleiderlaag bestaande uit een amorf hydridesilicium (a-si:H) opgedampt tot dikten van respectievelijk ongeveer 3000A of minder en 2000A of minder. Op dat moment wordt de a-Si:H, gedoteerd in een N-type (n' a-Si:H) als een ohmsche laag opgedampt op het a-Si:H tot een dikte van ongeveer 500A. Daarna, zoals weergegeven in fig. 7 en 8, wordt de halfgeleiderlaag in een patroon gelegd om een gebied te definiëren waarin de scha-kelinrichting zal worden geplaatst op aftastsignaallijn 1 of het er vlakbij gelegen deel.
Successievelijk wordt de isolatielaag op het aansluit-deel van de stuur-IC verwijderd, en wordt een transparant, geleidend materiaal, bijvoorbeeld een ITO, opgedampt tot een dikte van ongeveer 50θΑ of minder door middel van een ver-stuivingsmethode, en in een patroon gelegd om daardoor pixelelektrode 4 te vormen. Op dat moment wordt pixelelek-trode 4 in een patroon gelegd voor het' over een vooraf bepaalde breedte overlappen van in de voorgaande stap gevormde eerste elektrode 10 van de opslagoondensator, waarbij de isolatielaag ertussen geplaatst wordt. Hier is een condensator gevormd tussen eerste elektrode 10 van de opslag-condensator en pixelelektrode 4 op het pixelgebied door tussenplaatsing van een diëlektrisch materiaal, zodat een spanningssignaal-invoer via afbeeldsignaallijn 5a voor een vooraf bepaalde tijdsduur gehandhaafd blijft tot de volgende invoer.
Dan, nadat chroom en aluminium opeenvolgend zijn opgedampt op het totale oppervlak van het substraat tot een dikte van respectievelijk ongeveer 500A of minder en 5000A of minder door middel van een verstuivingsmethode, worden afbeeldsignaallijn 5a, bron- en afvoerelektroden van de TFT
in een patroon gelegd en wordt een beschermingslaag van siliciumnitride op het gehele oppervlak van het substraat opgedampt tot een dikte van ongeveer 4000A door middel van een CVD-methode. Daardoor wordt het onderste substraat van de LCD gecompleteerd. Onder toepassing van gebruikelijke LCD-technologie kan in een volgende stap een aligneringslaag voor alignering van het vloeibaar kristal worden gevormd op de beschermingslaag.
Ondertussen wordt het bovenste substraat van de LCD op 1 zodanige wijze voltooid dat, nadat het apertuurgebied van de LCD is gedefinieerd door de vorming van een lichtafscher-mingslaag op het binnenoppervlak van het transparante voorste glassubstraat als matrices langs de ómtrek van elk pixelgebied, de lichtafschermingslaag en het blootgesteld apertuurgebied worden bedekt met een kleurfilterlaag, en worden daarop successievelijk een gewone beschermingslaag en een transparante bovenste gemeenschappelijke elektrode gevormd, waarmee de meerlaags structuur gecompleteerd wordt.
Het hierboven beschreven onderste en bovenste substraat van de LCD worden gedragen door bepaalde draagstangen, en daartussen wordt vloeibaar kristaal ingespoten. Daarna worden de substraten afgedicht, waarmee de LCD wordt voltooid.
Fig. 9 is een schematische voorstelling die een wer-kingsprincipe toont voor toelichting van het effect van de onderhavige uitvinding, die toont hoe de tweevoudige aftast-signaallijnen la en lb gebreken, zoals losraken en kortsluitingen, die optreden in de kruisingsdelen van aftastsignaal-lijnen la en lb en afbeeldsignaallijn 5a, kunnen herstellen.
Hierbij geeft een verwijzingsgetal 1 de aftastsignaal-lijn aan die een enkelvoudige bedrading bezit welke is aangesloten op de stuur-IC-schakeling; zijn la en lb respectievelijk de tweevoudige eerste en tweede aftastsignaallijn; duidt een pijl op de stroming van signaalstroom wanneer ' alleen één van tweevoudige eerste en tweede aftastsignaal-lijn la en lb; en duidt 5a op de afbeeldsignaalli jn. In een deel A is eerste aftastsignaallijn la losgekoppeld in het kruisingsdeel van de eerste aftast- en afbeeldsignaallijnen. In een deel B zijn zowel eerste als tweede aftastsignaallijn 9 3 0 0 8 S 5 la en lb losgekoppeld. Een deel C toont een toestand waarin een kortsluiting optreedt tussen de tweede aftastsignaallijn 1b en afbeeldsignaallijn 5a. Een deel D toont de verholpen toestand van de kortsluiting in deel C.
Dat wil zeggen, aangezien alleen deel B gebreken vertoont, doordat de eerste en tweede aftastsignaallijn openin-gen vertonen, wordt de algehele inferioriteit van een dergelijke verbreking gereduceerd. Ook kan door afsnijding van de aftastsignaalli jn aan beide zijden van het kruisingsdeel van de bedradingen in deel C door middel van een laserstraal de kortsluiting worden verholpen, aangezien de aftastlijnen verdubbeld zijn.
Volgens de onderhavige uitvinding zoals hierboven beschreven kan het redundantieaansluitdeel voor het verbinden van de eerste elektroden van de condensator of de tweevoudige aftastsignaallijnen worden gevormd door een eenvoudige verandering van het patroon, zonder dat een extra bewerking nodig is, waardoor het proces dus vereenvoudigd wordt. Bovendien is de eerste elektrode gevormd als een ringtype die het maximale pixelgebied kan benutten, waardoor de apertuurverhouding wordt verbeterd. Bovendien wordt een redundantieaansluitdeel gevormd om de eerste elektroden 10 van de condensator met elkaar te verbinden, of de aftastsignaalli jnen verdubbeld, 2odat de gebreken van verbreking en kortsluitingen van de aftastsignaallijnen die in het kruisingsdeel van de bedradingen optreden, kunnen worden gereduceerd en verholpen, waardoor het mogelijk wordt om de opbrengst van vervaardigde LCD/s sterk te verhogen.
Ofschoon de onderhavige uitvinding in het bijzonder weergegeven en beschreven is onder verwijzing naar specifieke uitvoeringsvormen ervan, zal het de deskundigen in de techniek duidelijk zijn dat er verschillende veranderingen in vorm en details kunnen worden aangebracht zonder dat deze buiten de gedachte en de omvang van de uitvinding vallen, zoals deze is gedefinieerd in de bijgevoegde conclusies.
Claims (32)
1. Vloeibare kristallen-indicatorinrichting bestaande uit: een transparant substraat 100? een aantal aftastsignaallijnen 1 en afbeeldsignaallij-nen 5 in een matrixconfiguratie op het oppervlak van genoemd transparant substraat 100, om daardoor een matrix van pixel-gebieden te definiëren, waarvan elk wordt begrensd door een paar van de aftastsignaalli jnen 1 en een paar van de afbeeldsignaalli jnen 5a; een pixelelektrode 4 in elk pixelgebied; een schakelinrichting in elk pixelgebied, die is aangesloten op een bijbehorende afbeeldsignaallijn 5a en een pixelelektrode 4; en een aantal eerste elektroden 10, die zijn aangesloten op genoemde aftastsignaallijnen 1 binnen genoemd pixelgebied, voor de vorming van opslagcondensatoren met de pixelelektrode 4, om naar elk van de pixelelektroden 4 toegekeerd te zijn en de pixelelektroden 4 ringvormig te omgeven, en die tussen aangrenzende pixeldelen met elkaar verbonden zijn door een redundantieaansluitdeel 12.
2. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 1, waarin genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcon-densator, genoemde aftastsignaallijn 1 en genoemd redundantieaansluitdeel 12 zijn opgebouwd uit hetzelfde materiaal en gelijktijdig in een patroon zijn gelegd.
3. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 2, waarin genoemde in een patroon gelegde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator, genoemde aftastsignaallijn 1 en genoemd redundantieaansluitdeel 12 zijn opgebouwd uit tenminste één ondoorzichtig, geleidend materiaal gekozen uit de groep bestaande uit aluminium, chroom, molybdeen en tantaal.
4. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 3, waarin genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator, genoemde aftastsignaallijn 1 en genoemd redundantieaansluitdeel 12 een gelaagde structuur hebben die bestaat uit tenminste twee metalen.
5. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 1, waarin genoemd redundantieaansluitdeel 12 voor verbinding van genoemde eerste elektroden 10 van genoemde opslagcon-densator is gevormd om genoemde afbeeldsignaallijnen 5a te > kruisen door tussenplaatsing van een isolatielaag.
6. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 1, waarin genoemde schakelinrichting bestaat uit een dunne f ilm-trans i stor.
7. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 6, ) waarin genoemde dunne filra-transistor bestaat uit: een poortelektrode die wordt gevormd door een uitstekend deel van elke aftastsignaallijn 1; een afvoerelektrode die wordt gevormd door een uitstekend deel van elke afbeeldsignaallijn 5a; een bronelektrode die een deel van elke pixelelektrode 4 > overlapt? en een halfgeleiderlaag die is gevormd op een isolatielaag op genoemde poortelektrode, en in een patroon is gelegd om genoemde afvoerelektrode te verbinden met genoemde bronelektrode.
8. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 6, ) waarin genoemde dunne film-transistor van het omgekeerd ver stemde type is, die is gevormd op een kruisingspunt van genoemde aftastsignaallijnen 1 en genoemde afbeeldsignaalli jnen 5a.
9. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 7, > waarin genoemde poortelektrode, afvoerelektrode en halfgeleiderlaag van genoemde dunne film-transistor zijn gevormd buiten de grens van genoemde pixelelektrode 4.
10. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 7, waarin genoemde bronelektrode van genoemde dunne film-tran- ) sistor over een deel van genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator heen ligt.
11. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie l, waarin genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator de totale omtrek van genoemde pixelelektrode 4 5 gedeeltelijk overlapt.
12. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 11, waarin één deel van een omtrek van genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator één deel van genoemde pixelelektrode 4 met een voldoende breedte overlapt zonder abrupte stappen.
13. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 1, waarin genoemde schakelinrichting bestaat uit een dunne film-diode.
14. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 1, waarin genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcon-densator en genoemde aftastsignaallijn 1 zijn gevormd op een eerste vlak, en genoemde afbeeldsignaallijnen 5a en pixel-elektrode 4 zijn gevormd op een tweede vlak op een afstand van genoemd eerste vlak, waarmee genoemde isolatielaag tussen genoemde afbeeldsignaallijnen 5a en pixelelektrode 4 wordt geplaatst.
15. Vloeibare kristallen-indicator, bestaande uit: een transparant substraat 100; een aantal aftastsignaallijnen die worden gevormd door paren eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb, afwisselend met een vooraf bepaalde tussenruimte opgesteld op het oppervlak van genoemd transparant substraat 100; een aantal afbeeldsignaallijnen 5 die de eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb kruisen, om daardoor op genoemd transparant substraat 100 pixelgebieden te definiëren in een matrixvorm die wordt begrensd door de eerste en tweede afbeeldsignaallijnen 5a en twee aan elkaar grenzende afbeeldsignaallijnen 5a; een in elk pixelgebied aangebrachte pixelelektrode 4; een in elk pixelgebied aangebrachte schakelinrichting, die is aangesloten op een bijbehorende afbeeldsignaallijn 5a en een pixelelektrode 4; en een aantal in elk pixelgebied opgestelde eerste elektroden 10, voor aansluiting van de eerste aftastsignaallijn la op de tweede aftastsignaallijn lb en om een opslagconden-sator te vormen samen met de pixelelektrode 4, om naar elk van de pixelelektroden 4 toegekeerd te zijn en de pixelelek-troden 4 ringvormig te omgeven.
16. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 15, waarin genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslag-condensator en genoemde afbeeldsignaallijnen 5a bestaan uit hetzelfde materiaal en gelijktijdig in een patroon gelegd zijn.
17. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 16, waarin genoemde, gelijktijdig in een patroon gelegde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator en genoemde afbeeldsignaallijnen 5a bestaan uit tenminste één ► ondoorzichtig, geleidend materiaal, gekozen uit een groep bestaande uit aluminium, chroom, molybdeen en tantaal.
18. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 15, waarin genoemde schakelinrichting bestaat uit een dunne f ilm-transistor.
19. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 18, waarin genoemde dunne film-transistor bestaat uit: een poortelektrode die wordt gevormd door genoemde eerste aftastsignaallijn 1; een afvoerelektrode die wordt gevormd door een uitstekend deel van genoemde afbeeldsignaallijnen > 5a; een bronelektrode die een deel van elke pixelelektrode 4 overlapt; en een halfgeleiderlaag die is gevormd op een isolatielaag gevormd op genoemde poortelektrode, en in een patroon is gelegd om genoemde afvoerelektrode te verbinden met genoemde bronelektrode.
20. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 18, waarin genoemde dunne film-transistor een omgekeerd verstemd type is dat is gevormd op genoemde eerste aftast-signaallijn la rond een kruisingspunt van genoemde eerste aftastsignaallijn la en genoemde afbeeldsignaallijnen 5a.
21. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 15, waarin genoemde eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb door middel van een enkelvoudige bedrading zijn aangesloten op een externe stuurschakeling.
22. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie ) 21, waarin genoemde eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb tot een enkelvoudige bedrading worden in een contactpunt voor aansluiting op een externe stuurschakeling.
23. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 15, waarin genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslag- 5 condensator genoemde eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb verbindt als een ladder.
24. Vloeibare kristallen-indicator, bestaande uit; een voorste glassubstraat 101 met een binnen- en buitenoppervlak; een achterste glassubstraat 100 met een binnen- en buitenoppervlak, evenwijdig lopend aan genoemd voorste glassubstraat en daarvan door een vooraf bepaalde afstand gescheiden om mogelijk te maken dat het binnenoppervlak ervan tegenover genoemd binnenoppervlak van genoemd voorste glassubstraat 101 ligt; een aantal aftastsignaallijnen 1 en afbeeldsignaallij-nen 5a die op genoemd binnenoppervlak van genoemd achterste glassubstraat 100 zijn opgesteld als matrices voor het definiëren van een pixelgebied als een matrix, dat wordt begrensd door middel van een paar van genoemde aftastsig-naallijnen 1 en een paar van genoemde afbeeldsignaallijnen 5a; een pixelelektrode 4 in elk pixelgebied; een schakelinrichting in genoemd pixelgebied om genoemde afbeeldsignaallijnen 5a aan te sluiten op genoemde pixelelektrode 4; een aantal in genoemd pixelgebied opgestelde eerste elektroden 10 voor het als een ring vormen van een opslag-condensator terwijl zij genoemde pixelelektrode 4 daar tegenpver liggend insluiten, en aangrenzende pixelgebieden zijn verbonden door middel van een redundantieaansluitdeel 12; een lichtafschermingslaag 20 -matrix op genoemd binnenoppervlak van genoemd voorste glassubstraat 101 om in genoemd pixelgebied te worden gealigneerd om een lichtdoorla-tend apertuurgebied te definiëren; een kleurfilterlaag 21 op genoemd binnenoppervlak van genoemd voorste glassubstraat 101, die een lichtdoorlatend gebied bevat door afdekking van genoemd lichtdoorlatend apertuurgebied en genoemde lichtafschermingslaag 20; een op genoemde kleurfilterlaag 21 gevormde transparante elektrode 23; en een vloeibaar kristal-laag die is ingespoten tussen genoemd voorste en achterste glassubstraat 101 en 100.
25. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 24, waarin een eerste beschermingslaag 22 ingeklemd is tussen genoemde kleurfilterlaag 21 en genoemde transparante elektrode 23.
26. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 24, waarin een tweede beschermingslaag 6 over genoemd binnenoppervlak van genoemd achterste glassubstraat 100 heen ligt.
27. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 24, waarin genoemde grens van genoemd apertuurgebied, die wordt bepaald door een omtrek van genoemde lichtafscher-mingslaag 20, in hoofdzaak in verticale alignering is met een binnenomtrek van genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator, waardoor genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator fungeert als een tweede lichtafschermingslaag voor het reduceren van ander leklicht dan het licht dat door genoemd apertuurgebied kan passeren.
28. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 24, waarin licht dat via genoemd achterste glassubstraat naar genoemd apertuurgebied wordt geprojecteerd een virtueel apertuurgebied definieert, en genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator zich niet uitstrekt tot in genoemd virtueel apertuurgebied.
29. Vloeibare kristallen-indicator bestaande uit: een voorste glassubstraat 101 met een binnen- en buitenoppervlak; een achterste glassubstraat 100 met een binnen- en buitenoppervlak, evenwijdig lopend aan genoemd voorste glassubstraat en daarvan door een vooraf bepaalde afstand gescheiden om mogelijk te maken dat het binnenoppervlak ervan tegenover genoemd binnenoppervlak van genoemd voorste glas-substraat ligt; een aantal aftastsignaallijnen die bestaan uit eerste en tweede aftastsignaallijnparen la en lb die met een vooraf bepaalde tussenruimte afwisselend zijn aangebracht op genoemd binnenoppervlak van genoemd achterste glassubstraat 100; een aantal afbeeldsignaallijnen 5a die genoemde eerste en tweede aftastsignaallijnparen la en lb kruisen en op genoemd binnenoppervlak van genoemd achterste glassubstraat 100 zijn opgesteld als matrices voor het definiëren van een pixelgebied als een matrix, dat wordt begrensd door middel, van een paar van genoemde aftastsignaalli jnen 1 en een paar van genoemde afbeeldsignaallijnen 5a; een in genoemd pixelgebied aangebrachte pixelelektrode 4; een in genoemd pixelgebied aangebrachte schakelinrich-i ting om genoemde afbeeldsignaallijnen 5a aan te sluiten op genoemde pixelelektrode 4; een aantal in genoemd pixelgebied opgestelde eerste elektroden 10 voor aansluiting van genoemde eerste aftast-signaallijn la op genoemde tweede aftastsignaallijn lb, en i het vormen van een opslagcondensator als een ring voor het insluiten van genoemde pixelelektrode 4 terwijl zij daar tegenover liggen; een lichtafschermingslaag 20 -matrix op genoemd binnen-oppervlak van genoemd voorste glassubstraat 101 om aan genoemd pixelgebied te worden gealigneerd, en in een patroon te worden gelegd om een lichtdoorlatend apertuurgebied te definiëren; een kleurfilterlaag 21 op genoemd binnenoppervlak van genoemd voorste glassubstraat, die een lichtdoorlatend gebied bevat door afdekking van genoemd lichtdoorlatend apertuurgebied en genoemde lichtafschermingslaag 20; een op genoemde kleurfilterlaag 21 gevormde transparante elektrode 23; en een vloeibaar kristal-laag die is ingespoten tussen i genoemd voorste en achterste glassubstraat.
30. Vloeibare kristallen-indicator volgens conclusie 29, waarin een grens van genoemd apertuurgebied, die wordt gedefinieerd door een omtrek van genoemde lichtafschermingslaag 20 in hoofdzaak vertikaal gealigneerd is met een bin-i nenomtrek van genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator en eerste en tweede aftastsignaallijnen la en lb, waardoor deze dient als een tweede lichtafscherming voor het reduceren van ander leklicht dan het licht dat door genoemd apertuurgebied kan passeren, i
31. Werkwijze voor het vervaardigen van een vloeibare kristallen-indicator, omvattend de stappen van: het vormen van een eerste ondoorzichtige, geleidende laag op een transparant substraat 100; het gelijktijdig vormen van een aantal aftastsignaal- lijnen 1 in een regelmatige opstelling; eerste elektroden 10 van een opslagcondensator die respectievelijk zijn aangesloten op genoemde aftastsignaallijnen 1 en zijn aangebracht in elk pixelgebied dat wordt gedefinieerd door genoemde aftastsignaalli jnen 1, en een aantal afbeeldsignaallijnen 5a die genoemde aftastsignaallijnen 1 kruisen; en een redundantie-aansluitdeel 12 voor het verbinden van aangrenzende eerste elektroden 10 van genoemde opslagcondensator, door genoemde ondoorzichtige, geleidende laag in een patroon te leggen; het successievelijk vormen van een isolatielaag en een halfgeleiderlaag op het oppervlak van de resulterende structuur; het leggen van een patroon op de halfgeleiderlaag om de halfgeleiderlaag 3 alleen in stand te houden rond een krui-singsdeel van genoemde aftast- en afbeeldsignaallijnen 1 en 5a; het aanbrengen van een transparante, geleidende laag op het oppervlak van de resulterende structuur; het in een patroon leggen van genoemde transparante, geleidende laag om daardoor een pixelelektrode 4 te vormen tegenover genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator langs een omtrek ervan; en het vormen van genoemd aantal afbeeldsignaallijnen 5a, regelmatig geordend terwijl zij genoemde aftastsignaallijnen 1 kruisen, en bron- en afvoerelektroden van een dunne film-transistor op genoemde halfgeleiderlaag.
32. Werkwijze voor het vervaardigen van een vloeibare kristallen-indicator, omvattend de stappen van: het vormen van een eerste metaallaag op een transparant substraat 100; het gelijktijdig in patroon leggen van genoemde eerste metaallaag om daardoor een aantal aftastsignaallijnen te vormen die bestaan uit paren eerste en tweede aftastsignaalli jnen la en lb, en eerste elektroden 10 van een opslagcondensator die zijn geplaatst in elk pixelgebied, dat wordt gedefinieerd door genoemde aftastsignaallijnen la en lb en een aantal afbeeldsignaallijnen 5a de genoemde aftastsignaalli jnen la en lb kruisen; het successievelijk vormen van een isolatielaag en een halfgeleiderlaag op het oppervlak van de resulterende structuur ; het in patroon leggen van de halfgeleiderlaag om de halfgeleiderlaag 3 in stand te houden rond een kruisingsdeel van genoemde aftast- en afbeeldsignaallijnen 1 en 5a; het aanbrengen van een transparante metaallaag op het oppervlak van de resulterende structuur; het in patroon leggen van genoemde transparante metaal-laag om daardoor een pixelelektrode 4 te vormen om tegenover genoemde eerste elektrode 10 van genoemde opslagcondensator te liggen langs een omtrek van genoemde pixelelektrode 4; en het vormen van genoemd aantal afbeeldsignaallijnen 5a in een regelmatige ordening terwijl zij genoemde aftastsig-naallijnen la en lb kruisen, en bron- en afvoerelektroden van een dunne film-transistor op genoemde halfgeleiderlaag.
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR920009510 | 1992-06-01 | ||
KR1019920009510A KR950008938B1 (ko) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 액정 표시장치 |
KR1019920016300A KR100265751B1 (ko) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR920016300 | 1992-09-07 | ||
KR1019920017901A KR940007574A (ko) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 액정 표시장치 |
KR920017901 | 1992-09-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL9300895A true NL9300895A (nl) | 1994-01-03 |
NL194848B NL194848B (nl) | 2002-12-02 |
NL194848C NL194848C (nl) | 2003-04-03 |
Family
ID=27348829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9300895A NL194848C (nl) | 1992-06-01 | 1993-05-26 | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US5517341A (nl) |
JP (1) | JP2537329B2 (nl) |
DE (1) | DE4318028B4 (nl) |
NL (1) | NL194848C (nl) |
Families Citing this family (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3307150B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6262784B1 (en) * | 1993-06-01 | 2001-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd | Active matrix display devices having improved opening and contrast ratios and methods of forming same and a storage electrode line |
KR100242438B1 (ko) * | 1996-08-30 | 2000-02-01 | 윤종용 | 능동 행렬형 액정 표시 장치 |
US6313889B1 (en) * | 1993-03-04 | 2001-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit |
FR2702286B1 (fr) * | 1993-03-04 | 1998-01-30 | Samsung Electronics Co Ltd | Affichage à cristaux liquides et procédé pour le fabriquer. |
TW313582B (nl) * | 1994-03-25 | 1997-08-21 | Chisso Corp | |
TW321731B (nl) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3081474B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2000-08-28 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR0139319B1 (ko) * | 1994-11-14 | 1998-06-15 | 김광호 | 한 화소에 이중배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치 |
JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US5990492A (en) * | 1995-05-30 | 1999-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Self-aligned thin-film transistor for a liquid crystal display having source and drain electrodes of different material |
US6040183A (en) * | 1995-06-07 | 2000-03-21 | University Of North Carloina At Chapel Hill | Helper virus-free AAV production |
US6069370A (en) * | 1997-03-26 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Field-effect transistor and fabrication method thereof and image display apparatus |
JP3418653B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2003-06-23 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JPH09236826A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
TW463068B (en) * | 1995-10-12 | 2001-11-11 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
TW317629B (nl) * | 1995-11-01 | 1997-10-11 | Samsung Electronics Co Ltd | |
KR0158260B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1998-12-15 | 구자홍 | 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 |
US5657101A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-12 | Industrial Technology Research Institute | LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode |
US5782665A (en) * | 1995-12-29 | 1998-07-21 | Xerox Corporation | Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix |
KR100234402B1 (ko) * | 1996-01-19 | 1999-12-15 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 구동 방법 및 장치 |
US6005648A (en) * | 1996-06-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP3126661B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US6014191A (en) * | 1996-07-16 | 2000-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having repair lines that cross data lines twice and cross gate lines in the active area and related repairing methods |
JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR100247628B1 (ko) * | 1996-10-16 | 2000-03-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100209281B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-07-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100228431B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
US6433764B1 (en) * | 1997-01-23 | 2002-08-13 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display |
JP3680527B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2005-08-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3376379B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2003-02-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法 |
WO1998057222A1 (en) | 1997-06-10 | 1998-12-17 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
KR100537882B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
TW413955B (en) * | 1997-10-18 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal displays and manufacturing methods thereof |
US5986391A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-16 | Feldman Technology Corporation | Transparent electrodes |
US6335776B1 (en) | 1998-05-30 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode |
KR100357213B1 (ko) | 1998-07-23 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
KR20000009518A (ko) | 1998-07-25 | 2000-02-15 | 노봉규 | 광시야각을 갖는 수직배향 액정표시소자 |
AU9247398A (en) * | 1998-08-06 | 2000-02-28 | Victor A. Konovalov | Liquid-cristal display and the method of its fabrication |
KR100313952B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
US6558986B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Method of crystallizing amorphous silicon thin film and method of fabricating polysilicon thin film transistor using the crystallization method |
US6654090B1 (en) | 1998-09-18 | 2003-11-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
JP4796221B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2011-10-19 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
US6900854B1 (en) | 1998-11-26 | 2005-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display |
TW413949B (en) * | 1998-12-12 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same |
JP4482949B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 平面表示素子及びその配線方法 |
US6714269B1 (en) * | 1999-03-22 | 2004-03-30 | Industrial Technology Research Institute | Front-side repairable TFT-LCD and method for making |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
KR100686224B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 |
KR100382456B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2003-05-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법 |
KR100595296B1 (ko) | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100595295B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP2002091342A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | マトリクスアレイ基板 |
JP2002040480A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR100796749B1 (ko) | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
JP4728507B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-07-20 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3932833B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | コンデンサ付き電気光学装置および電子機器 |
KR100437825B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 |
KR20030035219A (ko) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기 전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
EP1326273B1 (en) * | 2001-12-28 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2003204067A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
JP4011344B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6933527B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device production system |
TW594156B (en) * | 2002-01-04 | 2004-06-21 | Fujitsu Display Tech | Substrate for display device and display device equipped therewith |
US6841797B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device formed over a surface with a drepession portion and a projection portion |
US6910159B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-06-21 | Microsoft Corporation | System and method for gathering and automatically processing user and debug data for mobile devices |
US6847050B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and semiconductor device comprising the same |
US6930326B2 (en) * | 2002-03-26 | 2005-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit and method of fabricating the same |
KR100870016B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
US20040135939A1 (en) * | 2003-01-14 | 2004-07-15 | Fang-Chen Luo | Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same |
US7250930B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent active-matrix display |
KR100598737B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2006-07-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
TWI366054B (en) * | 2003-06-27 | 2012-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structure of conductive films and thin film transistor array panel including the same |
US7187536B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-03-06 | Tessera, Inc. | Structure and method of making a capacitor having low equivalent series resistance |
KR100556702B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101030545B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2011-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
TWI255940B (en) * | 2004-09-13 | 2006-06-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display and TFT substrate therefor |
US20060054889A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Jang-Soo Kim | Thin film transistor array panel |
KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
TWI292076B (en) * | 2004-12-24 | 2008-01-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and thin film transistor and fabricating methods thereof |
US9229222B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-01-05 | Pixtronix, Inc. | Alignment methods in fluid-filled MEMS displays |
US9158106B2 (en) | 2005-02-23 | 2015-10-13 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US7755582B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-07-13 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
US8310442B2 (en) * | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US8482496B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-07-09 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate |
US7999994B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US9082353B2 (en) | 2010-01-05 | 2015-07-14 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US8159428B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-04-17 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US8519945B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US20070205969A1 (en) | 2005-02-23 | 2007-09-06 | Pixtronix, Incorporated | Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon |
US9261694B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-02-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
CN100381930C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置 |
US8526096B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-09-03 | Pixtronix, Inc. | Mechanical light modulators with stressed beams |
KR101293950B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 이를 갖는 표시패널 |
KR20080015696A (ko) | 2006-08-16 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
US8400599B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having a light blocking electrode |
KR20080056805A (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
US9176318B2 (en) | 2007-05-18 | 2015-11-03 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays |
KR101041618B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
JP2009288372A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、および電子機器 |
JP2009288373A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、および電子機器 |
US8520285B2 (en) | 2008-08-04 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing cold seal fluid-filled display apparatus |
US8169679B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-05-01 | Pixtronix, Inc. | MEMS anchors |
BR112012019383A2 (pt) | 2010-02-02 | 2017-09-12 | Pixtronix Inc | Circuitos para controlar aparelho de exibição |
KR101113345B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP5736895B2 (ja) | 2011-03-28 | 2015-06-17 | 三菱電機株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
US9020463B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-04-28 | The Nielsen Company (Us), Llc | Systems, methods, apparatus, and articles of manufacture to measure mobile device usage |
US9134552B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators |
CN104166289B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-03-29 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 |
KR102431348B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2022-08-11 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 장치 |
TWI751737B (zh) | 2020-10-15 | 2022-01-01 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP2022161707A (ja) * | 2021-04-09 | 2022-10-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5838922A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS6073617A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 表示装置 |
WO1988005170A1 (en) * | 1986-12-31 | 1988-07-14 | Alphasil, Inc. | Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby |
EP0338822A2 (en) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | A liquid crystal active-matrix display device |
JPH0490513A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-24 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
GB2259392A (en) * | 1991-09-05 | 1993-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01109327A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JPH01216321A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fuji Electric Co Ltd | アクティブマトリックス形表示パネル |
JPH0222392A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 金属冷間圧延油用添加剤 |
JP2693513B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
GB2227349A (en) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Philips Electronic Associated | Display devices |
JPH02223929A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 液晶デイスプレイ装置 |
JP2703328B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1998-01-26 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2845487B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1999-01-13 | 株式会社東芝 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
JPH0359543A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hitachi Ltd | カラー液晶表示装置の製造方法 |
JPH03114028A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
JPH03239229A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JPH0467020A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
KR960014823B1 (ko) * | 1991-03-15 | 1996-10-21 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 액정표시장치 |
JPH05257165A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
US5260818A (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-09 | Industrial Technology Research Institute | Display panel provided with repair capability of defective elements |
EP0592063A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-07-13 | Toshiba Kk | Active matrix liquid crystal display device |
-
1993
- 1993-05-26 NL NL9300895A patent/NL194848C/nl not_active IP Right Cessation
- 1993-05-29 DE DE4318028A patent/DE4318028B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-31 JP JP12928293A patent/JP2537329B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-01 US US08/070,717 patent/US5517341A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-23 US US08/606,345 patent/US5686977A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-23 US US08/602,104 patent/US5696566A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-06 US US08/906,961 patent/US5847780A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5838922A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS6073617A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 表示装置 |
WO1988005170A1 (en) * | 1986-12-31 | 1988-07-14 | Alphasil, Inc. | Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby |
EP0338822A2 (en) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | A liquid crystal active-matrix display device |
JPH0490513A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-24 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示素子 |
GB2259392A (en) * | 1991-09-05 | 1993-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Liquid crystal display |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 16, no. 317 (P - 1384) 10 July 1992 (1992-07-10) * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 7, no. 121 (P - 199)<1266> 25 May 1983 (1983-05-25) * |
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 9, no. 214 (P - 384)<1937> 31 August 1985 (1985-08-31) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL194848B (nl) | 2002-12-02 |
US5517341A (en) | 1996-05-14 |
DE4318028B4 (de) | 2004-08-19 |
JPH0651348A (ja) | 1994-02-25 |
DE4318028A1 (de) | 1993-12-02 |
US5847780A (en) | 1998-12-08 |
JP2537329B2 (ja) | 1996-09-25 |
US5696566A (en) | 1997-12-09 |
NL194848C (nl) | 2003-04-03 |
US5686977A (en) | 1997-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL194848C (nl) | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. | |
US5517342A (en) | Liquid crystal display having additional capacitors formed from pixel electrodes and a method for manufacturing the same | |
US9268187B2 (en) | Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein | |
JP4813164B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 | |
US6208390B1 (en) | Electrode substrate resistant to wire breakage for an active matrix display device | |
JP5101851B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板 | |
US20060066781A1 (en) | Color filter panel, and liquid crystal display including color filter panel | |
KR100282681B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP3748137B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR0141201B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
KR20080044050A (ko) | 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 구비하는액정 표시 장치 | |
KR960016796B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP2003270654A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2005040905A1 (en) | Thin film diode panel and manufacturing method of the same | |
JP3012976B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
KR970004882B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
JP3987889B2 (ja) | 電極基板および平面表示装置 | |
GB2308218A (en) | Liquid crystal display |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20130526 |