JP2002162644A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2002162644A JP2000359522A JP2000359522A JP2002162644A JP 2002162644 A JP2002162644 A JP 2002162644A JP 2000359522 A JP2000359522 A JP 2000359522A JP 2000359522 A JP2000359522 A JP 2000359522A JP 2002162644 A JP2002162644 A JP 2002162644A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドレイン線の修復を簡単に行う。 【解決手段】 液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、隣接するゲート信号線と
隣接するドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域と
し、この画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号
によって駆動されるスイッチング素子と、このスイッチ
ング素子を介して片側のドレイン信号線からの映像信号
が供給される画素電極とが備えられ、前記ドレイン信号
線と絶縁膜を介して重ねられる修復用の導電層が形成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、アクティブ・マトリクス型の液晶表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリクス型の液晶表示装
置は、液晶を介して対向配置される各透明基板のうち一
方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に延在しｙ方向に
並設されるゲート信号線とｙ方向に延在しｘ方向に並設
されるドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、これら各画素領域に片側のゲート信号線からの走査
信号の供給によって駆動される薄膜トランジスタと、こ
の薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像
信号が供給される画素電極とが備えられている。
【０００３】そして、このような各信号線、薄膜トラン
ジスタ、および画素電極等は、フォトリソグラフィ技術
による選択エッチングによって所定のパターンで形成さ
れた導電層、半導体層、および絶縁層を積層させること
によって形成されている。
【０００４】また、近年の高精細の液晶表示装置におい
て、信号線の幅が小さく形成されてきていることにとも
ない、往々にして発生する該信号線の断線の不都合が指
摘されている。
【０００５】このような不都合を解消する技術として
は、たとえば、５個所のレーザ光の照射によって、一画
素中、ソース電極（薄膜トランジスタの）⇒ゲート電極
（薄膜トランジスタの）⇒ドレイン電極（薄膜トランジ
スタの）⇒画素電極⇒第１導電体片⇒第２導電体片⇒ド
レイン信号線への電気経路を形成することによって、ソ
ース信号線の断線によるいわゆる線欠陥の発生を防止し
たものが知られている（特開平５−１９２９４号公報参
照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような技
術は、ドレイン線の修復に対して、２回以上のレーザ光
の照射を行わなければならず、その作業を煩雑にする不
都合が生じる。また、画素領域内に前記第１導電体片、
第２導電体片を形成しなければならないことから、開口
率の低減がなされる不都合が生じる。さらに、線欠陥の
発生を防止できるが点欠陥（画素の欠陥）の発生を余儀
なくされてしまうという不都合が生じる。本発明は、こ
のような事情に基づいてなされたものであり、その目的
はドレイン線の修復を簡単に行うことのできる液晶表示
装置を提供することにある。また、本発明の他の目的
は、画素の開口率の向上を妨げることのない液晶表示装
置を提供することにある。さらに、本発明の他の目的
は、線欠陥はもちろんのこと点欠陥を生じさせることの
ない液晶表示装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、以下のとおりである。すなわち、本発明による液晶
表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される各
基板のうち一方の基板の液晶側の面に、隣接するゲート
信号線と隣接するドレイン信号線とで囲まれる領域を画
素領域とし、この画素領域に片側のゲート信号線からの
走査信号によって駆動されるスイッチング素子と、この
スイッチング素子を介して片側のドレイン信号線からの
映像信号が供給される画素電極とが備えられ、前記ドレ
イン信号線と絶縁膜を介して重ねられる修復用の導電層
が形成されていることを特徴とするものである。
【０００８】このように構成された液晶表示装置は、ド
レイン信号線に断線個所が発生した場合、その断線個所
を間にした該ドレイン信号線上の一対の個所にそれぞれ
レーザ光を照射することによって、修復用の導電膜を介
して該断線を修復できることになる。このことから２回
のレーザ光の照射で済むことになる。また、修復用の導
電膜はドレイン信号線に重ねて形成されているため、画
素の開口率の向上を妨げるようなことはなくなる。さら
に、画素内にある部材を介してドレイン信号線の修復を
行っていないことから、画素の欠陥を生じさせることは
ない。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例について説明をする。 実施例１． 《等価回路》図２は本発明による液晶表示装置の一実施
例を示す等価回路図である。同図は回路図であるが、実
際の幾何学的配置に対応して描かれている。同図におい
て、透明基板ＳＵＢ１があり、この透明基板ＳＵＢ１は
液晶を介して他の透明基板ＳＵＢ２と対向して配置され
ている。
【００１０】前記透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、
図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線Ｇ
Ｌと、このゲート信号線ＧＬと絶縁されてｙ方向に延在
しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成さ
れ、これら各信号線で囲まれる矩形状の領域が画素領域
となり、これら各画素領域の集合によって表示部ＡＲを
構成するようになっている。
【００１１】各画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬ
からの走査信号（電圧）の供給によって駆動される薄膜
トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを
介して一方のドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電
圧）が供給される画素電極ＰＩＸが形成されている。
【００１２】また、画素電極ＰＩＸと前記一方のゲート
信号線ＧＬと隣接する他方のゲート信号線ＧＬとの間に
は容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄ
によって、前記薄膜トランジスタＴＦＴがオフした際
に、画素電極ＰＩＸに供給された映像信号を長く蓄積さ
せるようになっている。
【００１３】各画素領域における画素電極ＰＩＸは、液
晶を介して対向配置される他方の透明基板ＳＵＢ２の液
晶側の面にて各画素領域に共通に形成された対向電極Ｃ
Ｔ（図示せず）との間に電界を発生せしめるようになっ
ており、これにより各電極の間の液晶の光透過率を制御
するようになっている。
【００１４】各ゲート信号線ＧＬの一端は透明基板の一
辺側（図中左側）に延在され、その延在部は該透明基板
ＳＵＢ１に搭載される垂直走査回路からなる半導体集積
回路ＧＤＲＣのバンプと接続される端子部ＧＴＭが形成
され、また、各ドレイン信号線ＤＬの一端も透明基板Ｓ
ＵＢ１の一辺側（図中上側）に延在され、その延在部は
該透明基板ＳＵＢ１に搭載される映像信号駆動回路から
なる半導体集積回路ＤＤＲＣのバンプと接続される端子
部ＤＴＭが形成されている。
【００１５】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣはそれ
ぞれ、それ自体が透明基板ＳＵＢ１上に完全に搭載され
たもので、いわゆるＣＯＧ（チップオングラス）方式と
称されている。
【００１６】半導体集積回路ＧＤＲＣ、ＤＤＲＣの入力
側の各バンプも透明基板ＳＵＢ１に形成された端子部Ｇ
ＴＭ２、ＤＴＭ２にそれぞれ接続されるようになってお
り、これら各端子部ＧＴＭ２、ＤＴＭ２は各配線層を介
して透明基板ＳＵＢ１の周辺のうち最も端面に近い部分
にそれぞれ配置された端子部ＧＴＭ３、ＤＴＭ３に接続
されるようになっている。
【００１７】前記透明基板ＳＵＢ２は、前記半導体集積
回路が搭載される領域を回避するようにして透明基板Ｓ
ＵＢ１と対向配置され、該透明基板ＳＵＢ１よりも小さ
な面積となっている。そして、透明基板ＳＵＢ１に対す
る透明基板ＳＵＢ２の固定は、該透明基板ＳＵＢ２の周
辺に形成されたシール材ＳＬによってなされ、このシー
ル材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間の液晶を封
止する機能も兼ねている。
【００１８】《画素の構成》図１は透明基板ＳＵＢ１の
一画素領域の構成を示す平面図であり、図２の点線枠Ａ
に示す部分に相当する図面である。また、図３は図１の
III−III線における断面図（透明基板ＳＵＢ２の断面図
をも示している）、図４は図１のIV−IV線における断面
図を示している。
【００１９】図１において、まず、透明基板ＳＵＢ１の
液晶側の面に図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲ
ート信号線ＧＬが形成されている。そして、このゲート
信号線ＧＬの形成の際に同時に形成される修復用の導電
層ＲＳＴが後述のドレイン信号線ＤＬと重ねられる位置
に形成されている。
【００２０】この修復用の導電層ＲＳＴは前記ゲート信
号線ＧＬとは物理的に分離されて形成され、これにより
ゲート信号線ＧＬとの電気的絶縁を図っている。そし
て、このゲート信号線ＧＬ、修復用の導電層ＲＳＴをも
被って透明基板ＳＵＢ１の面にたとえばＳｉＮからなる
絶縁膜ＧＩが形成されている（図３、図４参照）。
【００２１】この絶縁膜ＧＩは、後述のドイレン信号線
ＤＬに対してはゲート信号線ＧＬとの層間絶縁膜として
の機能、後述の薄膜トランジスタＴＦＴに対してはその
ゲート絶縁膜としての機能、後述の容量素子Ｃａｄｄに
対してはその誘電体膜としての機能を有するようになっ
ている。
【００２２】画素領域の左下においてゲート信号線ＧＬ
と重畳する部分において、たとえばａ−Ｓｉからなるｉ
型（真性：導電型決定不純物がドープされていない）の
半導体層ＡＳが形成されている。
【００２３】この半導体層ＡＳは、その上面にソース電
極およびドレイン電極を形成することによって、前記ゲ
ート信号線の一部をゲート電極とするＭＩＳ型の薄膜ト
ラシジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
【００２４】この薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
ＳＤ１およびドレイン電極ＳＤ２は、前記絶縁膜ＧＩ上
に形成されるドレイン信号線ＤＬと同時に形成されるよ
うになっている。
【００２５】すなわち、図中ｙ方向に延在されｘ方向に
並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。ここ
で、このドレイン信号線ＤＬはゲート信号線ＧＬおよび
その近傍を除く部分において前記修復用の導電層ＲＳＴ
と重ね合わされるようにして形成される。
【００２６】そして、このドレイン信号線ＤＬの一部を
前記半導体層ＡＳの上面にまで延在させて形成すること
により、その延在部は薄膜トランジスタＴＦＴのドレイ
ン電極ＳＤ２として形成される。
【００２７】また、この時、前記ドレイン電極ＳＤ２と
離間させて形成された電極がソース電極ＳＤ１となる。
このソース電極ＳＤ１は後述の画素電極ＰＩＸと接続さ
れるもので、その接続部を確保するために、画素領域の
中央側に若干延在させた延在部を有するパターンとなっ
ている。
【００２８】なお、ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極Ｓ
Ｄ１の半導体層ＡＳとの界面には不純物がドープされた
半導体層が形成され、この半導体層はコンタクト層とし
て機能するようになっている。
【００２９】前記半導体層ＡＳを形成した後、その表面
に不純物がドープされた膜厚の薄い半導体層を形成し、
ドレイン電極ＳＤ２およびソース電極ＳＤ１を形成した
後に、前記各電極をマスクとして、それから露出された
不純物がドープされた半導体層をエッチングすることに
より、上述した構成とすることができる。
【００３０】そして、このようにドレイン信号線ＤＬ
（ドレイン電極ＳＤ２、ソース電極ＳＤ１）が形成され
た透明基板ＳＵＢ１の表面には、該ドレイン信号線ＤＬ
等をも被ってたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形
成されている（図３、図４参照）。この保護膜ＰＳＶは
薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避す
るため等に設けられるもので、前記薄膜トランジスタＴ
ＦＴのソース電極ＳＤ１の延在部の一部を露出させるた
めのコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００３１】また、この保護膜ＰＳＶの上面には画素領
域の大部分を被ってたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxid
e）膜からなる透明の画素電極ＰＩＸが形成されてい
る。この画素電極ＰＩＸは、保護膜ＰＳＶの前記コンタ
クトホールＣＨをも被うようにして形成され、これによ
り薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ１と接続さ
れるようになっている。
【００３２】さらに、このように画素電極ＰＩＸが形成
された透明基板ＳＵＢ１の表面には、該画素電極ＰＩＸ
をも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向
膜ＯＲＩ１はたとえば樹脂からなり、その表面には一定
方向にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ
１は液晶ＬＣと接触するようになっており、この配向膜
ＯＲＩ１によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定する
ようになっている。そして、透明基板ＳＵＢ１の液晶Ｌ
Ｃと反対側の面には、偏光板ＰＯＬ１が被着されてい
る。
【００３３】一方、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面に
は、各画素領域を画するようにしてブラックマトリック
スＢＭが形成されている。このブラックマトリックスＢ
Ｍは、外来の光が薄膜トランジスタＴＦＴに照射するの
を回避させるためと、表示のコントラストを良好にする
ために設けられている。
【００３４】さらに、ブラックマトリックスＢＭの開口
部（光が透過する領域となり、実質的な画素領域とな
る）には各画素領域に対応した色を有するカラーフィル
タＦＩＬが形成されている。このカラーフィルタＦＩＬ
は、たとえばｙ方向に並設される各画素領域において同
色のフィルタが用いられ、ｘ方向の各画素領域毎にたと
えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタが順番に
繰り返されて配列されている。
【００３５】このようにブラックマトリックスＢＭおよ
びカラーフィルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２
の表面には該ブラックマトリックスＢＭ等をも被ってた
とえば塗布等により形成された樹脂からなる平坦化膜Ｏ
Ｃが形成され、その表面に該ブラックマトリックスＢＭ
およびカラーフィルタＦＩＬによる段差が顕在されない
ようになっている。
【００３６】そして、この平坦化膜ＯＣの表面には各画
素領域に共通にたとえばＩＴＯからなる対向電極ＣＴが
形成されている。この対向電極ＣＴは各画素領域におけ
る画素電極ＰＩＸとの間に映像信号（電圧）に対応した
電界を発生せしめ、これら各電極との間の液晶ＬＣの配
向方向を制御し、前述した偏光板ＰＯＬ１と後述する偏
光板ＰＯＬ２との適切な組合せによって光透過率を制御
するようになっている。
【００３７】さらに、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ２の表面には、該対向電極ＣＴをも
被って配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜Ｏ
ＲＩ２はたとえば樹脂からなり、その表面には一定方向
にラビング処理がなされている。この配向膜ＯＲＩ２は
液晶と接触するようになっており、この配向膜ＯＲＩ２
によって該液晶ＬＣの初期配向方向を決定するようにな
っている。そして、透明基板ＳＵＢ１の液晶ＬＣと反対
側の面には、偏光板ＰＯＬ２が被着されている。
【００３８】このように構成された液晶表示装置に、た
とえば図５に示すようにドレイン信号線ＤＬのある部分
にて切断個所が生じていた場合、その断線個所を間にし
た該ドレイン信号線上の一対の個所のそれぞれにレーザ
光を照射するようにする。
【００３９】これにより、レーザ光が照射された個所の
ドレイン信号線ＤＬはその部分において、その下層にあ
る前記絶縁膜ＧＩを貫通した溶融部分αが発生し、この
溶融部分αは修復用の導電層ＲＳＴにまで到るようにな
る（図５のVI−VI線における図６参照）。
【００４０】この結果、前記切断個所を境にして図中上
側に位置づけられているドレイン信号線ＤＬと下側に位
置づけられているドレイン信号線ＤＬとは、前記修復用
の導電層ＲＳＴを介して互いに電気的に接続されて修復
されることになる。
【００４１】そして、この説明から明らかとなるよう
に、２回のレーザ光の照射によって、一個の切断個所を
修復でき、その工程の作業が簡単になるという効果を奏
する。また、修復用の導電膜ＲＳＴはドレイン信号線Ｄ
Ｌに重ねて形成されているため、画素の開口率の向上を
妨げるようなことはなくなる。さらに、画素内にある部
材（たとえば画素電極等）を介してドレイン信号線ＤＬ
の修復を行っていないことから、画素の欠陥を生じさせ
ることはなくなる。
【００４２】実施例２．図７は本発明による液晶表示装
置の画素領域の他の実施例を示す構成図で、その（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を
示している。図１、図３、および図４に示す符号と同一
の部分は同一の材料および機能を有する。
【００４３】図１、図３、および図４に示した構成と異
なる構成は、まず、絶縁膜ＧＩ上に形成されるドレイン
信号線ＤＬはその下層に半導体層ＡＳが形成されている
ことにある。
【００４４】この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦ
Ｔにおける半導体層ＡＳを形成する際に同時に形成され
るもので、該ドレイン信号線ＤＬのゲート信号線ＧＬに
対する層間絶縁膜の機能を絶縁膜ＧＩとともにもたせ
て、該層間絶縁膜の強化を図っていることにある。
【００４５】この場合においても、図１、図３、および
図４に示した構成と同様に、絶縁膜ＧＩの下層には前記
ドレイン信号線ＤＬと重ねられるようにして修復用の導
電層ＲＳＴが形成されている。
【００４６】また、ドレイン信号線ＤＬの両脇、換言す
れば修復用の導電層ＲＳＴの両脇には、遮光膜ＩＬが形
成されている。この遮光膜ＩＬは透明基板ＳＵＢ２側に
形成されるブラックマトリクスＢＭとともに遮光機能を
有するもので、この遮光膜ＩＬがあることによって、前
記ブラックマトリクスＢＭの幅を小さくでき、ひいては
開口率の向上を図る効果を奏する。
【００４７】ここで、この遮光膜ＩＬは修復用の導電膜
ＲＳＴの形成の際に同時に形成することができ、このこ
とは該遮光膜ＩＬと修復用の導電膜ＲＳＴとをある一定
の幅で離間させることにより、電気的な絶縁を確保でき
る効果を奏する。
【００４８】仮に、遮光膜ＩＬと修復用の導電膜ＲＳＴ
とが電気的に接続されていた場合には、修復後のちに該
遮光膜ＩＬとドレイン信号線ＤＬとが電気的に接続さ
れ、該遮光膜ＩＬと重ね合わされて形成されている画素
電極ＰＩＸに悪影響を与えるからである。
【００４９】実施例３．上述した各実施例では、画素の
構成としていわゆる縦電界方式のものを説明したもので
あるが、これに限定されることなくたとえば横電界方式
のものであっても適用できることはもちろんである。こ
の種の液晶表示装置においても、ドレイン信号線ＧＬお
よびその近傍の構成に関して図１に示した構成とほぼ同
様であり、上述した課題を有していたからである。
【００５０】図８は、横電界方式の液晶表示装置の画素
の構成の一実施例を示す平面図である。この方式は、画
素電極ＰＸが形成された側の透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に対向電極ＣＴが形成され、これら各電極はそれぞ
れストライプ状（この図では図中ｙ方向に延在してい
る）のパターンをなし交互に配置されている。
【００５１】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは絶縁膜を介
して異なる層に形成され、これの間に発生する電界のう
ち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分を有する電界によ
って液晶の光透過率を制御するようになっている。
【００５２】なお、各電極ともその延在方向に複数の屈
曲部を有するのは、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に
発生する電界の方向が異なる２つの領域を形成せしめ、
表示面に対して異なる方向から観察した場合に色調の変
化が生じるのを回避するいわゆるマルチドメイン方式を
採用しているからである。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、ドレイン線の修復
を簡単に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等
価回路図である。
【図３】図１のIII−III線における断面図である。
【図４】図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の効果を示す説明図
である。
【図６】図５のVI−VI線における断面図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例
を示す平面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイ
ン信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタＴＦＴ、ＰＩＸ…
画素電極、ＣＴ…対向電極、ＲＳＴ…修復用の導電膜。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｃ Ｆターム(参考） 2H092 HA04 JA25 JB33 JB38 MA30 MA52 5C094 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 ED03 FB12 FB14 FB15 5F033 GG04 HH00 KK00 MM15 QQ53 QQ54 VV01 VV15 XX33 XX36 5F110 AA27 BB01 CC07 GG02 GG15 HL07 HM19 NN72

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面に、隣接するゲート信号線と
    隣接するドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域と
    し、 この画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号によ
    って駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング
    素子を介して片側のドレイン信号線からの映像信号が供
    給される画素電極とが備えられ、 前記ドレイン信号線と絶縁膜を介して重ねられる修復用
    の導電層が形成されていることを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面に、隣接するゲート信号線と
    隣接するドレイン信号線とで囲まれる領域を画素領域と
    し、 この画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号によ
    って駆動されるスイッチング素子と、このスイッチング
    素子を介して片側のドレイン信号線からの映像信号が供
    給される画素電極と、前記ドレイン信号線と絶縁膜を介
    して重ねられて形成される修復用の導電層とを備え、 前記ドレイン信号線に断線個所を有するとともに、この
    断線個所を間にした一対の個所に前記ドレイン信号線の
    前記絶縁膜を貫通した溶融部分が存在することを特徴と
    する液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 ドレイン信号線の溶融個所はレーザー光
    の照射によって溶融された個所となっていることを特徴
    とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面に、 絶縁膜の下層に隣接して形成されるゲート信号線と前記
    絶縁膜の上層に隣接して形成されるドレイン信号線とで
    囲まれる領域を画素領域とし、 この画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号によ
    って駆動され前記絶縁膜をゲート絶縁膜とする薄膜トラ
    ンジスタと、この薄膜トラジスタを介して片側のドレイ
    ン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、 前記絶縁膜の下層にドレイン信号線と重ねられて形成さ
    れた修復用の導電層と、を備えることを特徴とする液晶
    表示装置。
  5. 【請求項５】 前記修復用の導電層は、ゲート信号線と
    同層かつ同材料で形成され、該ゲート信号線と物理的に
    分離されて形成されていることを特徴とする請求項４に
    記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 液晶を介して対向配置される各基板のう
    ち一方の基板の液晶側の面に、 絶縁膜の下層に隣接して形成されるゲート信号線と前記
    絶縁膜の上層に隣接して形成されるドレイン信号線とで
    囲まれる領域を画素領域とし、 この画素領域に片側のゲート信号線からの走査信号によ
    って駆動され前記絶縁膜をゲート絶縁膜とする薄膜トラ
    ンジスタと、この薄膜トラジスタを介して片側のドレイ
    ン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、 前記絶縁膜の下層にドレイン信号線と重ねられて形成さ
    れた修復用の導電層とを備え、 前記ドレイン信号線に断線個所を有するとともに、この
    断線個所を間にした該ドレイン信号線上の一対の個所に
    前記ドレイン信号線の前記絶縁膜を貫通した溶融部分が
    存在することを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 ドレイン信号線の溶融個所はレーザー光
    の照射によって溶融された個所となっていることを特徴
    とする請求項６に記載の液晶表示装置。
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