JPH05257165A - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
- Publication number
- JPH05257165A JPH05257165A JP5190092A JP5190092A JPH05257165A JP H05257165 A JPH05257165 A JP H05257165A JP 5190092 A JP5190092 A JP 5190092A JP 5190092 A JP5190092 A JP 5190092A JP H05257165 A JPH05257165 A JP H05257165A
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- JP
- Japan
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- electrode
- bus line
- liquid crystal
- electrodes
- gate bus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はアクティブ・マトリクス型の液晶表
示パネルに関し、断線による表示欠陥を改善することを
目的とする。 【構成】 TFT基板22上に、同一層の蓄積容量電極
23を内包させてゲートバスライン電極24を複数形成
する。この上に絶縁層26を形成し、蓄積容量電極23
の両端を表出させるスルーホール27を形成する。そし
て、第2の基板32に形成されたトランスファ電極によ
り導通性スペーサを介して、それぞれの蓄積容量電極2
3間を電気的に接続する。
示パネルに関し、断線による表示欠陥を改善することを
目的とする。 【構成】 TFT基板22上に、同一層の蓄積容量電極
23を内包させてゲートバスライン電極24を複数形成
する。この上に絶縁層26を形成し、蓄積容量電極23
の両端を表出させるスルーホール27を形成する。そし
て、第2の基板32に形成されたトランスファ電極によ
り導通性スペーサを介して、それぞれの蓄積容量電極2
3間を電気的に接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アクティブ・マトリク
ス型の液晶表示パネルに関する。
ス型の液晶表示パネルに関する。
【0002】近年、液晶表示の大型化が要求されてきて
おり、選択画素の交点の電極数を増加させることが行わ
れる。この電極数が増加すると、単純マトリクス型の液
晶表示パネルでは、クロストークという問題を生じるこ
とから、これを防止する方法が種々考えられている。し
かし、これでも電極数が100 を越えるとコントラストや
視覚特性の低下を生じることから、アクティブ・マトリ
クス方式が適用されるようになってきている。
おり、選択画素の交点の電極数を増加させることが行わ
れる。この電極数が増加すると、単純マトリクス型の液
晶表示パネルでは、クロストークという問題を生じるこ
とから、これを防止する方法が種々考えられている。し
かし、これでも電極数が100 を越えるとコントラストや
視覚特性の低下を生じることから、アクティブ・マトリ
クス方式が適用されるようになってきている。
【0003】この場合、コントラストなどの表示品質は
飛躍的に向上するため、残された課題として、断線によ
る表示欠陥を最小限に止める必要がある。
飛躍的に向上するため、残された課題として、断線によ
る表示欠陥を最小限に止める必要がある。
【0004】
【従来の技術】図6に、従来の液晶表示パネルの構成図
を示す。図6(A)はアクティブ・マトリクス型の液晶
表示パネルの平面図、図6(B)はTFT基板の一部構
成図を示したものである。
を示す。図6(A)はアクティブ・マトリクス型の液晶
表示パネルの平面図、図6(B)はTFT基板の一部構
成図を示したものである。
【0005】アクティブ・マトリクス型の液晶表示(L
CD)パネルは、薄膜トランジスタ(TFT)と、それ
を駆動するゲートバスライン、データバスラインで構成
される。また、最近は、焼きつき不良や、コントラスト
低下を防止するため、蓄積容量(Cs:Storage Capacito
r)を設けたものが主流となっている。
CD)パネルは、薄膜トランジスタ(TFT)と、それ
を駆動するゲートバスライン、データバスラインで構成
される。また、最近は、焼きつき不良や、コントラスト
低下を防止するため、蓄積容量(Cs:Storage Capacito
r)を設けたものが主流となっている。
【0006】図6(A)において、液晶表示パネル11
は、TFT基板12上に対向基板13が位置して液晶を
挟装し、該液晶が漏れないようにシール材14により封
止される。そして、TFT基板12の表出部分に、図面
上の上下位置に所定数のデータバスライン電極15及び
蓄積容量の引出し電極16が表出し、図面上右位置に所
定数のゲートバスライン電極17が表出する。
は、TFT基板12上に対向基板13が位置して液晶を
挟装し、該液晶が漏れないようにシール材14により封
止される。そして、TFT基板12の表出部分に、図面
上の上下位置に所定数のデータバスライン電極15及び
蓄積容量の引出し電極16が表出し、図面上右位置に所
定数のゲートバスライン電極17が表出する。
【0007】また、図6(B)において、TFT基板1
2は、ガラス基板上に、ゲートバスライン電極17が水
平方向に所定数形成され、ゲートバスライン電極17間
に蓄積容量電極18が形成される。この場合、ゲートバ
スライン電極17は、蓄積容量電極18と同層なため、
ゲートバスライン電極17を左右両側から取り出そうと
すると、該ゲートバスライン電極17と蓄積容量電極1
8とが交差する等の問題があり、左右両側から取り出す
ことは困難で、片側取出し方式となっている。また、絶
縁膜を介して、垂直方向にデータバスライン電極15が
所定数形成され、ゲートバスライン電極17とデータバ
スライン電極15で囲まれた位置であって、蓄積容量電
極18の上方にそれぞれ画素電極19が形成される。そ
して、ゲートバスライン電極17,データバスライン電
極15及び画素電極19間に、駆動のためのTFT素子
20がそれぞれ形成されるものである。
2は、ガラス基板上に、ゲートバスライン電極17が水
平方向に所定数形成され、ゲートバスライン電極17間
に蓄積容量電極18が形成される。この場合、ゲートバ
スライン電極17は、蓄積容量電極18と同層なため、
ゲートバスライン電極17を左右両側から取り出そうと
すると、該ゲートバスライン電極17と蓄積容量電極1
8とが交差する等の問題があり、左右両側から取り出す
ことは困難で、片側取出し方式となっている。また、絶
縁膜を介して、垂直方向にデータバスライン電極15が
所定数形成され、ゲートバスライン電極17とデータバ
スライン電極15で囲まれた位置であって、蓄積容量電
極18の上方にそれぞれ画素電極19が形成される。そ
して、ゲートバスライン電極17,データバスライン電
極15及び画素電極19間に、駆動のためのTFT素子
20がそれぞれ形成されるものである。
【0008】上述のような液晶表示パネル11では、蓄
積容量電極18をゲートバスライン電極17と同層に設
けることにより、処理工程を増加させない利点を有す
る。
積容量電極18をゲートバスライン電極17と同層に設
けることにより、処理工程を増加させない利点を有す
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図7に、図6
における表示欠陥を説明するための図を示す。図7
(A)において、例えばゲートバスライン電極17のA
点で断線が生じると、図7(B)のラインCに示すよう
に線欠陥を生じる。また、図7(A)において蓄積容量
電極18のB点で断線が生じると、図7(B)のライン
Dに示すように線欠陥が生じ、表示欠陥を生じるという
問題がある。
における表示欠陥を説明するための図を示す。図7
(A)において、例えばゲートバスライン電極17のA
点で断線が生じると、図7(B)のラインCに示すよう
に線欠陥を生じる。また、図7(A)において蓄積容量
電極18のB点で断線が生じると、図7(B)のライン
Dに示すように線欠陥が生じ、表示欠陥を生じるという
問題がある。
【0010】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、断線による表示欠陥を改善する液晶表示パネル
を提供することを目的とする。
もので、断線による表示欠陥を改善する液晶表示パネル
を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第1の基板
上に、画素電極と、該画素電極を駆動する駆動素子とが
マトリクス状に配設され、第2の基板により液晶を挟装
する液晶表示パネルにおいて、前記第1の基板上に、環
状に形成して単一の蓄積容量電極を同一層で内包するよ
うに、所定数配設すると共に、一方向より電極取り出し
がされるゲートバスライン電極と、該ゲートバスライン
電極上に形成され、該蓄積容量電極の両端を表出させる
スルーホールが形成された絶縁層と、該絶縁層上に、該
ゲートバスライン電極内に配置される前記画素電極及び
駆動素子との間に所定数形成されるデータバスライン電
極とを有し、前記第2の基板上に、前記絶縁層のスルー
ホールより導通部材を介して前記蓄積容量電極を導通さ
せる導通電極を形成することにより解決される。
上に、画素電極と、該画素電極を駆動する駆動素子とが
マトリクス状に配設され、第2の基板により液晶を挟装
する液晶表示パネルにおいて、前記第1の基板上に、環
状に形成して単一の蓄積容量電極を同一層で内包するよ
うに、所定数配設すると共に、一方向より電極取り出し
がされるゲートバスライン電極と、該ゲートバスライン
電極上に形成され、該蓄積容量電極の両端を表出させる
スルーホールが形成された絶縁層と、該絶縁層上に、該
ゲートバスライン電極内に配置される前記画素電極及び
駆動素子との間に所定数形成されるデータバスライン電
極とを有し、前記第2の基板上に、前記絶縁層のスルー
ホールより導通部材を介して前記蓄積容量電極を導通さ
せる導通電極を形成することにより解決される。
【0012】
【作用】上述のように本発明の液晶表示パネルは、第1
の基板上において、ゲートバスライン電極を環状に形成
され、環状内に同一層で単一の蓄積容量電極が形成され
る。この上に絶縁層を介してデータバスライン電極が形
成され、蓄積容量電極の両端がスルーホールで表出され
る。そして、第2の基板上に形成された導通電極により
導通部材を介してそれぞれの蓄積容量電極が導通され
る。
の基板上において、ゲートバスライン電極を環状に形成
され、環状内に同一層で単一の蓄積容量電極が形成され
る。この上に絶縁層を介してデータバスライン電極が形
成され、蓄積容量電極の両端がスルーホールで表出され
る。そして、第2の基板上に形成された導通電極により
導通部材を介してそれぞれの蓄積容量電極が導通され
る。
【0013】これにより、ゲートバスライン電極及び蓄
積容量電極が互いに同一平面内で交差することなく、そ
れぞれ閉路を構成する。そのため、ゲートバスライン電
極、蓄積容量電極に断線を生じても、信号の廻り込みが
ある範囲で、表示上線欠陥とはならずに点欠陥となる。
積容量電極が互いに同一平面内で交差することなく、そ
れぞれ閉路を構成する。そのため、ゲートバスライン電
極、蓄積容量電極に断線を生じても、信号の廻り込みが
ある範囲で、表示上線欠陥とはならずに点欠陥となる。
【0014】従って表示欠陥が改善され、液晶表示パネ
ルの歩留りを向上させることが可能となる。
ルの歩留りを向上させることが可能となる。
【0015】
【実施例】図1に、本発明の第1の実施例の構成図を示
す。図1(A)は、TFT基板の一部構成図であり、図
1(B)は液晶表示パネルの平面図を示したものであ
る。
す。図1(A)は、TFT基板の一部構成図であり、図
1(B)は液晶表示パネルの平面図を示したものであ
る。
【0016】図1(A),(B)において、液晶表示パ
ネル21における第1の基板であるTFT基板22上
に、単一の蓄積容量電極23を同一層で内包してゲート
バスライン電極24が環状に形成される。このゲートバ
スライン電極24の一方向よりゲート引出し電極25に
よって取り出され、これらが所定数配設される。
ネル21における第1の基板であるTFT基板22上
に、単一の蓄積容量電極23を同一層で内包してゲート
バスライン電極24が環状に形成される。このゲートバ
スライン電極24の一方向よりゲート引出し電極25に
よって取り出され、これらが所定数配設される。
【0017】ゲートバスライン電極24上には絶縁層2
6が形成され、蓄積容量電極23の両端が表出するよう
にスルーホール27が形成される。
6が形成され、蓄積容量電極23の両端が表出するよう
にスルーホール27が形成される。
【0018】そして、絶縁層26上に、ゲートバスライ
ン電極24内であって蓄積容量電極23の上方に配置さ
れるように所定数の画素電極28が形成され、各画素電
極28間にデータバスライン電極29が複数本形成され
る。このデータバスライン電極29は、ゲートバスライ
ン電極24のゲート引出し電極25と垂直方向に取り出
される。
ン電極24内であって蓄積容量電極23の上方に配置さ
れるように所定数の画素電極28が形成され、各画素電
極28間にデータバスライン電極29が複数本形成され
る。このデータバスライン電極29は、ゲートバスライ
ン電極24のゲート引出し電極25と垂直方向に取り出
される。
【0019】そして、ゲートバスライン電極24,画素
電極28,データバスライン電極29間で駆動素子であ
るTFT素子30がそれぞれ形成される。すなわち、T
FT基板21上で、画素電極28及びTFT素子30が
マトリクス状に配設される。
電極28,データバスライン電極29間で駆動素子であ
るTFT素子30がそれぞれ形成される。すなわち、T
FT基板21上で、画素電極28及びTFT素子30が
マトリクス状に配設される。
【0020】また、TFT基板22上にはデータバスラ
イン電極29の両端に、蓄積容量引出し電極31が形成
される。
イン電極29の両端に、蓄積容量引出し電極31が形成
される。
【0021】一方、上述のようなTFT基板22上と、
第2の基板である対向基板32により液晶が挟装され、
導通部材である導電性スペーサ(33)が混入している
シール材34によりシールされる。この場合、対向基板
32のシール材34の位置する部分に導通電極であるト
ランスファ電極(35)が形成される。
第2の基板である対向基板32により液晶が挟装され、
導通部材である導電性スペーサ(33)が混入している
シール材34によりシールされる。この場合、対向基板
32のシール材34の位置する部分に導通電極であるト
ランスファ電極(35)が形成される。
【0022】ここで、図2に、図1(B)の構成を説明
するための図を示す。図2(A),(B)において、T
FT基板22上に形成された蓄積容量電極23及び蓄積
容量引出し電極31上に、導電性スペーサ33が混入さ
れたシール材34を位置させ、対向基板32のトランス
ファ電極35をシール材34上に接触させる。これによ
り、蓄積容量電極23及び容量引出し電極31を導電性
スペーサ33を介してトランスファ電極35により電気
的接続を行う。そして、注入口36により液晶が注入さ
れるものである。
するための図を示す。図2(A),(B)において、T
FT基板22上に形成された蓄積容量電極23及び蓄積
容量引出し電極31上に、導電性スペーサ33が混入さ
れたシール材34を位置させ、対向基板32のトランス
ファ電極35をシール材34上に接触させる。これによ
り、蓄積容量電極23及び容量引出し電極31を導電性
スペーサ33を介してトランスファ電極35により電気
的接続を行う。そして、注入口36により液晶が注入さ
れるものである。
【0023】この場合、従来のシール形成プロセスをそ
のまま使え、従来と同一工程で、上記電気的接続を行う
ことができる。
のまま使え、従来と同一工程で、上記電気的接続を行う
ことができる。
【0024】そこで、図3に、図1における表示欠陥を
説明するための図を示す。いま、図3(A)において、
ゲートバスライン電極24のA点、及び蓄積容量電極2
3のB点に断線を生じた場合、表示は、図3(B)に示
すように、C点(ゲートバスライン電極24の断線)及
びD点(蓄積容量電極23の断線)の点欠陥となる。す
なわち、ゲートバスライン電極24が環状に形成されて
おり、蓄積容量電極23の両端が蓄積容量引出し電極3
1と電気的接続されていることから、それぞれに断線が
1ヶ所づつあっても、表示は線欠陥とはならず、点欠陥
となる。これにより、断線による表示欠陥を改善するこ
とができるものである。
説明するための図を示す。いま、図3(A)において、
ゲートバスライン電極24のA点、及び蓄積容量電極2
3のB点に断線を生じた場合、表示は、図3(B)に示
すように、C点(ゲートバスライン電極24の断線)及
びD点(蓄積容量電極23の断線)の点欠陥となる。す
なわち、ゲートバスライン電極24が環状に形成されて
おり、蓄積容量電極23の両端が蓄積容量引出し電極3
1と電気的接続されていることから、それぞれに断線が
1ヶ所づつあっても、表示は線欠陥とはならず、点欠陥
となる。これにより、断線による表示欠陥を改善するこ
とができるものである。
【0025】次に、図4に、本発明の第2の実施例の構
成図を示す。図4は、図1におけるTFT基板22上
で、それぞれのゲートバスライン電極24,データバス
ライン電極29,及び画素電極28間に、TFT素子3
0の他に、TFT素子30aを形成する。すなわち、一
つの画素電極28に2つのTFT素子30,30aを配
し、環状のゲートバスライン電極24から一画素に対し
てゲートを2つ設け、データバスライン電極29からド
レイン電極を2つ設けた構成である。
成図を示す。図4は、図1におけるTFT基板22上
で、それぞれのゲートバスライン電極24,データバス
ライン電極29,及び画素電極28間に、TFT素子3
0の他に、TFT素子30aを形成する。すなわち、一
つの画素電極28に2つのTFT素子30,30aを配
し、環状のゲートバスライン電極24から一画素に対し
てゲートを2つ設け、データバスライン電極29からド
レイン電極を2つ設けた構成である。
【0026】これにより、環状(上下2本)のゲートバ
スライン電極24のうち、一方が断線していなければ、
他方が複数断線を生じて、例えばTFT素子30が不動
作であっても、TFT素子30aは動作することから、
表示上断線にならないようにすることができるものであ
る。
スライン電極24のうち、一方が断線していなければ、
他方が複数断線を生じて、例えばTFT素子30が不動
作であっても、TFT素子30aは動作することから、
表示上断線にならないようにすることができるものであ
る。
【0027】次に、図5に、本発明の第3の実施例の構
成図を示す。図5(A),(B)は、図4におけるTF
T基板22上で、環状に形成されたゲートバスライン電
極24の、対向する両方向よりゲート引出し電極25,
25aによって取り出すように形成したものである。
成図を示す。図5(A),(B)は、図4におけるTF
T基板22上で、環状に形成されたゲートバスライン電
極24の、対向する両方向よりゲート引出し電極25,
25aによって取り出すように形成したものである。
【0028】これにより、環状(上下2本)のゲートバ
スライン電極24のうち、一方の断線が1ヶ所以下であ
れば、他方に複数の断線を生じても表示上断線にならな
いようにすることができるものである。
スライン電極24のうち、一方の断線が1ヶ所以下であ
れば、他方に複数の断線を生じても表示上断線にならな
いようにすることができるものである。
【0029】なお、図4,図5では、一つの画素電極2
8に対するTFT素子30,30aの少なくとも一方が
正常に動作すれば、点欠陥にもならず、表示欠陥をさら
に改善することができる。
8に対するTFT素子30,30aの少なくとも一方が
正常に動作すれば、点欠陥にもならず、表示欠陥をさら
に改善することができる。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、第1の基
板上で同一層の蓄積容量電極を内包させてゲートバスラ
イン電極を環状に形成し、絶縁層上に形成したスルーホ
ールを介して蓄積容量電極を第2の基板上の導通電極に
より電気的接続することにより、断線による表示欠陥を
改善することができ、液晶表示パネルの歩留りを向上さ
せることができる。
板上で同一層の蓄積容量電極を内包させてゲートバスラ
イン電極を環状に形成し、絶縁層上に形成したスルーホ
ールを介して蓄積容量電極を第2の基板上の導通電極に
より電気的接続することにより、断線による表示欠陥を
改善することができ、液晶表示パネルの歩留りを向上さ
せることができる。
【図1】本発明の第1の実施例の構成図である。
【図2】図1(B)の構成を説明するための図である。
【図3】図1における表示欠陥を説明するための図であ
る。
る。
【図4】本発明の第2の実施例の構成図である。
【図5】本発明の第3の実施例の構成図である。
【図6】従来の液晶表示パネルの構成図である。
【図7】図6における表示欠陥を説明するための図であ
る。
る。
21 液晶表示パネル 22 TFT基板 23 蓄積容量電極 24 ゲートバスライン電極 25,25a ゲート引出し電極 26 絶縁層 27 スルーホール 28 画素電極 29 データバスライン電極 30,30a TFT素子 31 蓄積容量引出し電極 32 対向基板 33 導電性スペーサ 34 シール材 35 トランスファ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 29/784
Claims (3)
- 【請求項1】 第1の基板(22)上に、画素電極(2
8)と、該画素電極(28)を駆動する駆動素子(3
0)とがマトリクス状に配設され、第2の基板(32)
により液晶を挟装する液晶表示パネルにおいて、 前記第1の基板(22)上に、環状に形成して単一の蓄
積容量電極(23)を同一層で内包するように、所定数
配設すると共に、一方向より電極(25)取り出しがさ
れるゲートバスライン電極(24)と、 該ゲートバスライン電極(24)上に形成され、該蓄積
容量電極(23)の両端を表出させるスルーホール(2
7)が形成された絶縁層(26)と、 該絶縁層(26)上に、該ゲートバスライン電極(2
4)内に配置される前記画素電極(28)及び駆動素子
(30)との間に所定数形成されるデータバスライン電
極(29)とを有し、 前記第2の基板(32)上に、前記絶縁層(26)のス
ルーホール(27)より導通部材(33)を介して前記
蓄積容量電極(23)を導通させる導通電極(35)を
形成することを特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項2】 前記環状に形成されたゲートバスライン
電極(24)内に配置されるそれぞれの画素電極(2
8)を駆動するそれぞれの前記駆動素子(30)の他
に、それぞれに第2の駆動素子(30a)を形成するこ
とを特徴とする請求項1記載の液晶表示パネル。 - 【請求項3】 前記環状に形成されたゲートバスライン
電極(24)は、対向する両方向より電極(25,25
a)取り出しがされることを特徴とする請求項1又は2
記載の液晶表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5190092A JPH05257165A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5190092A JPH05257165A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05257165A true JPH05257165A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12899755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5190092A Withdrawn JPH05257165A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05257165A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5686977A (en) * | 1992-06-01 | 1997-11-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and a manufacturing method thereof |
JP2018525674A (ja) * | 2015-08-11 | 2018-09-06 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 液晶表示パネル |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5190092A patent/JPH05257165A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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