JPH0651348A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JPH0651348A JPH0651348A JP12928293A JP12928293A JPH0651348A JP H0651348 A JPH0651348 A JP H0651348A JP 12928293 A JP12928293 A JP 12928293A JP 12928293 A JP12928293 A JP 12928293A JP H0651348 A JPH0651348 A JP H0651348A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 78
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 90
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 21
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 15
- 230000008439 repair process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 走査信号線と表示信号線の配線交叉部で発生
する断線、短絡不良を直せるストレージキャパシターの
第１電極が形成されたアクチブマトリックス形液晶表示
装置を提供する。 【構成】 ガラス基板の上面に複数の走査信号線１と表
示信号線５ａがマトリックス形態に配置され各画素領域
を限定しており、各画素領域内に画素電極４とスイッチ
ング素子が備えられ、表示信号線５ａと前記画素電極４
がスイッチング素子を通じて互いに連結されている。ス
トレージキャパシターの第１電極１０は、各画素領域内
に配置され前記各画素電極４と対向しその周囲を取り囲
む環状に構成され、隣接した前記ストレージキャパシタ
ーの第１電極１０間は冗長連結部１２で連結される。こ
れにより、開口率とコントラスト比を高く保ちながら配
線交叉部から発生する断線、短絡不良が減少、修理され
る。
する断線、短絡不良を直せるストレージキャパシターの
第１電極が形成されたアクチブマトリックス形液晶表示
装置を提供する。 【構成】 ガラス基板の上面に複数の走査信号線１と表
示信号線５ａがマトリックス形態に配置され各画素領域
を限定しており、各画素領域内に画素電極４とスイッチ
ング素子が備えられ、表示信号線５ａと前記画素電極４
がスイッチング素子を通じて互いに連結されている。ス
トレージキャパシターの第１電極１０は、各画素領域内
に配置され前記各画素電極４と対向しその周囲を取り囲
む環状に構成され、隣接した前記ストレージキャパシタ
ーの第１電極１０間は冗長連結部１２で連結される。こ
れにより、開口率とコントラスト比を高く保ちながら配
線交叉部から発生する断線、短絡不良が減少、修理され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置（Liquid
Crystal Display; 以下 LCD）およびその製造方法に係
り、特にゲート線とデータ線間の短絡不良およびゲート
線の断線不良を改善できるアクチブマトリックス形液晶
表示装置およびその製造方法に関する。
Crystal Display; 以下 LCD）およびその製造方法に係
り、特にゲート線とデータ線間の短絡不良およびゲート
線の断線不良を改善できるアクチブマトリックス形液晶
表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、本件出願人により平成４年６
月１６日付で出願され係属中の特願平４−１８３１６３
号に開示された発明の改良発明である。人間とコンピュ
ーター（およびその他のコンピューター化された機械）
のインタフェースの役割を果たす表示装置のパーソナル
化、スペース節約化の要求に応じていままでの表示装置
特に比較的に大きい陰極線管（ＣＲＴ）に代わり液晶デ
ィスプレイＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、プラズ
マディスプレイパネルＰＤＰ（Plasma Display Pane
l）、電子ルミネッセンスＥＬ（Electroluminescence
）等の各種平面スクリーンや平板表示装置が開発され
てきた。これら平板パネルディスプレイの中でも液晶表
示装置（ＬＣＤ）の技術の進展が一番関心をひいてお
り、ある形態としては、ＣＲＴのカラー画質に匹敵した
りそれ以上の画質を実現するまでになった。
月１６日付で出願され係属中の特願平４−１８３１６３
号に開示された発明の改良発明である。人間とコンピュ
ーター（およびその他のコンピューター化された機械）
のインタフェースの役割を果たす表示装置のパーソナル
化、スペース節約化の要求に応じていままでの表示装置
特に比較的に大きい陰極線管（ＣＲＴ）に代わり液晶デ
ィスプレイＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、プラズ
マディスプレイパネルＰＤＰ（Plasma Display Pane
l）、電子ルミネッセンスＥＬ（Electroluminescence
）等の各種平面スクリーンや平板表示装置が開発され
てきた。これら平板パネルディスプレイの中でも液晶表
示装置（ＬＣＤ）の技術の進展が一番関心をひいてお
り、ある形態としては、ＣＲＴのカラー画質に匹敵した
りそれ以上の画質を実現するまでになった。
【０００３】このような液晶表示装置の駆動方式は単純
マトリックス形とアクチブ（active）マトリックス形が
あり、電界（electric field）により液晶分子の配列が
変化する液晶の電気光学的な性質を利用している。特に
前記の液晶技術と半導体技術を融合したアクチブマトリ
ックス形ＬＣＤはＣＲＴと競合しＣＲＴを凌ぐ表示装置
として認識されている。
マトリックス形とアクチブ（active）マトリックス形が
あり、電界（electric field）により液晶分子の配列が
変化する液晶の電気光学的な性質を利用している。特に
前記の液晶技術と半導体技術を融合したアクチブマトリ
ックス形ＬＣＤはＣＲＴと競合しＣＲＴを凌ぐ表示装置
として認識されている。
【０００４】前記アクチブマトリックスＬＣＤはマトリ
ックス形態に配列された各画素に非線形特性を揃えたア
クチブ素子を付加しこの素子のスイッチング特性を利用
し各画素の動作を制御するもので、液晶が電気光学効果
を通じてメモリ機能を具現した。アクチブ素子としては
通常３端子形である薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor; 以下 TFT）が用いられ、２端子形であるＭＩＭ
（Metal Insulator Metal ）など薄膜ダイオード（Thin
Film Diode; TFD）が使用されたりもする。このような
アクチブ素子を利用したアクチブマトリックスＬＣＤで
は、画素アドレス配線とともに数万個ないし数百万個が
ガラス基板上に集積化され、スイッチング素子として作
用するＴＦＴとともにマトリックス駆動回路を構成す
る。
ックス形態に配列された各画素に非線形特性を揃えたア
クチブ素子を付加しこの素子のスイッチング特性を利用
し各画素の動作を制御するもので、液晶が電気光学効果
を通じてメモリ機能を具現した。アクチブ素子としては
通常３端子形である薄膜トランジスタ（Thin Film Tran
sistor; 以下 TFT）が用いられ、２端子形であるＭＩＭ
（Metal Insulator Metal ）など薄膜ダイオード（Thin
Film Diode; TFD）が使用されたりもする。このような
アクチブ素子を利用したアクチブマトリックスＬＣＤで
は、画素アドレス配線とともに数万個ないし数百万個が
ガラス基板上に集積化され、スイッチング素子として作
用するＴＦＴとともにマトリックス駆動回路を構成す
る。
【０００５】しかしながら、このようなアクチブマトリ
ックスＬＣＤでは表示装置の大画面化と高精細化の趨勢
に従い画素数が増加しそれにより各画素の開口率（aper
tureratio）が減少して結局それに相応するＬＣＤパネ
ルの明るさが低下する。一方、前記のアクチブマトリッ
クスＬＣＤで表示されるイメージの均一性（uniformit
y）を確保するために、データ線を通じて印加された第
１信号の電圧を次の第２信号の入力の際まで一定時間の
間維持させる必要があり、画質特性を向上させるために
液晶セルと平行にストレージキャパシターを形成させ
る。
ックスＬＣＤでは表示装置の大画面化と高精細化の趨勢
に従い画素数が増加しそれにより各画素の開口率（aper
tureratio）が減少して結局それに相応するＬＣＤパネ
ルの明るさが低下する。一方、前記のアクチブマトリッ
クスＬＣＤで表示されるイメージの均一性（uniformit
y）を確保するために、データ線を通じて印加された第
１信号の電圧を次の第２信号の入力の際まで一定時間の
間維持させる必要があり、画質特性を向上させるために
液晶セルと平行にストレージキャパシターを形成させ
る。
【０００６】前述の問題点を解決するために付加的な遮
光層（light shield layer）と独立配線方式のストレー
ジキャパシターを具備して表示特性を向上させたアクチ
ブマトリックスＬＣＤが提案されている（"High-Resolu
tion 10.3-in Diagonal Multicolor TFT-LCD", M.Tsumu
ra, M.Kitajima, K.Funahata, et a1, SID 91 DIGEST,
pp. 215 〜 218）。
光層（light shield layer）と独立配線方式のストレー
ジキャパシターを具備して表示特性を向上させたアクチ
ブマトリックスＬＣＤが提案されている（"High-Resolu
tion 10.3-in Diagonal Multicolor TFT-LCD", M.Tsumu
ra, M.Kitajima, K.Funahata, et a1, SID 91 DIGEST,
pp. 215 〜 218）。
【０００７】前記論文による改善されたアクチブマトリ
ックスＬＣＤでは高いコントラスト比と高い開口率を得
るために、二重の遮光層構造が形成され、ゲート電極と
別に独立的な配線で蓄積容量を形成させＬＣＤの表示特
性を向上させる。前記二重の遮光層構造では、従来のよ
うにカラーフィルターが形成されていた前面ガラス基板
上に第１遮光層が形成され、ＴＦＴが形成される背面ガ
ラス基板上に第２遮光層が形成される。前記二重の遮光
層構造を有するＬＣＤは従来の第１遮光層のみを有する
ＬＣＤと比べ開口率が６〜２０％ぐらい向上される。ま
た前記蓄積容量の共通電極はゲート電極とともにその抵
抗値がクロムＣｒに比べ１／１０に過ぎないアルミニウ
ムＡｌを用いた。従って、走査線による伝播遅延特性
（propagation delay characteristics ）が非常に向上
された。
ックスＬＣＤでは高いコントラスト比と高い開口率を得
るために、二重の遮光層構造が形成され、ゲート電極と
別に独立的な配線で蓄積容量を形成させＬＣＤの表示特
性を向上させる。前記二重の遮光層構造では、従来のよ
うにカラーフィルターが形成されていた前面ガラス基板
上に第１遮光層が形成され、ＴＦＴが形成される背面ガ
ラス基板上に第２遮光層が形成される。前記二重の遮光
層構造を有するＬＣＤは従来の第１遮光層のみを有する
ＬＣＤと比べ開口率が６〜２０％ぐらい向上される。ま
た前記蓄積容量の共通電極はゲート電極とともにその抵
抗値がクロムＣｒに比べ１／１０に過ぎないアルミニウ
ムＡｌを用いた。従って、走査線による伝播遅延特性
（propagation delay characteristics ）が非常に向上
された。
【０００８】しかしながら、二重の遮光層構造を有し、
アルミニウム共通電極を用いたＬＣＤについては、一層
の改善が望ましく、各画素と関連するストレージキャパ
シターの電極に不透明金属Ａｌを使用したことによる開
口率の減少を回復させる必要がある。しかも、第２遮光
層を形成する工程はＴＦＴ製造過程の間に絶縁層形成の
前にただ遮光の目的にのみ遮光層を形成するので、ＬＣ
Ｄ製造工程のコストと複雑性を高める付加的な工程を要
する欠点がある。
アルミニウム共通電極を用いたＬＣＤについては、一層
の改善が望ましく、各画素と関連するストレージキャパ
シターの電極に不透明金属Ａｌを使用したことによる開
口率の減少を回復させる必要がある。しかも、第２遮光
層を形成する工程はＴＦＴ製造過程の間に絶縁層形成の
前にただ遮光の目的にのみ遮光層を形成するので、ＬＣ
Ｄ製造工程のコストと複雑性を高める付加的な工程を要
する欠点がある。
【０００９】以後に明らかになるだろうが、前記文献に
記述してあるアクチブマトリックスＬＣＤの前述した欠
点を解決するためのアクチブマトリックスＬＣＤを改良
する要求が望まれ続けてきた。その中の一つとして、図
１に付加容量方式のストレージキャパシターが形成され
た従来の液晶表示装置の画素レイアウト図を示し、図２
に前記図１のII−II線を切った断面図を示す。
記述してあるアクチブマトリックスＬＣＤの前述した欠
点を解決するためのアクチブマトリックスＬＣＤを改良
する要求が望まれ続けてきた。その中の一つとして、図
１に付加容量方式のストレージキャパシターが形成され
た従来の液晶表示装置の画素レイアウト図を示し、図２
に前記図１のII−II線を切った断面図を示す。
【００１０】図１には、一個の完全な画素と、それを取
り囲む隣接画素の一部が示されており、ＬＣＤ全体とし
ては、横に走る複数のゲート線１、縦に走る複数のデー
タ線５ａがマトリックス状に配列され、両種の線群に囲
まれた区域が一個の画素となる。画素中には、ストレー
ジキャパシターＣ、薄膜トランジスタＴＦＴ、光透過部
（開口面）、透明画素電極４、カラーフィルター層２１
等が形成され、画素間には不透明枠であるブラックマト
リックス２０が形成される。なお、ゲート線１は走査信
号線、データ線５ａは表示信号線と記すこともある。
り囲む隣接画素の一部が示されており、ＬＣＤ全体とし
ては、横に走る複数のゲート線１、縦に走る複数のデー
タ線５ａがマトリックス状に配列され、両種の線群に囲
まれた区域が一個の画素となる。画素中には、ストレー
ジキャパシターＣ、薄膜トランジスタＴＦＴ、光透過部
（開口面）、透明画素電極４、カラーフィルター層２１
等が形成され、画素間には不透明枠であるブラックマト
リックス２０が形成される。なお、ゲート線１は走査信
号線、データ線５ａは表示信号線と記すこともある。
【００１１】図１に示されるように、各ストレージキャ
パシターＣの第１電極１０は各走査信号線１の各画素領
域内への突出部分として形成される。各ＴＦＴのゲート
電極Ｇも同様に各走査信号線１の各画素領域内への突出
部（前記ストレージキャパシターの第１電極と反対方向
へ）として形成される。また、各ＴＦＴの導電系は、ゲ
ート電極Ｇの下方に形成された半導体層３、この半導体
層３の左端に接続された表示信号線５ａの右側突出部
（ドレイン電極）、半導体層３の右端と透明画素電極４
を接続するソース電極５ｂより構成され、透明電極材料
としてはインジウムと錫の複合酸化物ＩＴＯ等が使われ
る。
パシターＣの第１電極１０は各走査信号線１の各画素領
域内への突出部分として形成される。各ＴＦＴのゲート
電極Ｇも同様に各走査信号線１の各画素領域内への突出
部（前記ストレージキャパシターの第１電極と反対方向
へ）として形成される。また、各ＴＦＴの導電系は、ゲ
ート電極Ｇの下方に形成された半導体層３、この半導体
層３の左端に接続された表示信号線５ａの右側突出部
（ドレイン電極）、半導体層３の右端と透明画素電極４
を接続するソース電極５ｂより構成され、透明電極材料
としてはインジウムと錫の複合酸化物ＩＴＯ等が使われ
る。
【００１２】前記図１に示された全ての走査信号線１、
表示信号線５ａ、キャパシターＣ、ＴＦＴおよび画素電
極４は図２に示されるように液晶表示パネルで背面ガラ
ス基板１００の内側面上に形成される多層構造の一部と
して形成される。前記付加容量方式のストレージキャパ
シターを有する液晶表示装置の形成過程をより詳細に見
れば、各ストレージキャパシターＣの第１電極１０およ
び各走査信号線１は背面ガラス基板１００の内側面上に
積層されている不透明導電材料（例えば、アルミニウ
ム、クロム、モリブデン、タンタル等）を、従来の一般
的な写真蝕刻工程により適切にパタニングすることによ
り同時に形成される。
表示信号線５ａ、キャパシターＣ、ＴＦＴおよび画素電
極４は図２に示されるように液晶表示パネルで背面ガラ
ス基板１００の内側面上に形成される多層構造の一部と
して形成される。前記付加容量方式のストレージキャパ
シターを有する液晶表示装置の形成過程をより詳細に見
れば、各ストレージキャパシターＣの第１電極１０およ
び各走査信号線１は背面ガラス基板１００の内側面上に
積層されている不透明導電材料（例えば、アルミニウ
ム、クロム、モリブデン、タンタル等）を、従来の一般
的な写真蝕刻工程により適切にパタニングすることによ
り同時に形成される。
【００１３】次に絶縁層２が前記第１電極１０、走査信
号線１および背面ガラス基板１００の露出された区域の
上に形成される。次いで表示信号線５ａと透明な画素電
極４が、例えば連続的な写真蝕刻工程により分離され形
成される。そして保護層６が前記画素電極４、表示信号
線５ａおよび絶縁層２の露出された地域の上に形成され
背面ガラス基板１００の内側面上に形成された多層構造
を完成する。
号線１および背面ガラス基板１００の露出された区域の
上に形成される。次いで表示信号線５ａと透明な画素電
極４が、例えば連続的な写真蝕刻工程により分離され形
成される。そして保護層６が前記画素電極４、表示信号
線５ａおよび絶縁層２の露出された地域の上に形成され
背面ガラス基板１００の内側面上に形成された多層構造
を完成する。
【００１４】また、図２に示すように従来のアクチブマ
トリックスＬＣＤは背面ガラス基板１００に平行しその
内側面に多層構造が形成された前面ガラス基板１０１を
含む。例えば、遮光層としてブラックマトリックス（ b
lack matrix ）２０が前面ガラス基板１０１の内側面上
に形成されている。このブラックマトリックス２０は背
面ガラス基板１００上に配置されている各画素電極４の
大部分を占める開口面（aperture area ）を限定するた
めに通常の写真蝕刻工程により遮光層をパタニングして
形成される。その後カラーフィルター層２１が前記ブラ
ックマトリックス２０と前面ガラス基板１０１の内側面
の露出された区域の上に形成される。前記カラーフィル
ター層２１は開口面に配置される光透過区域２１ａを含
む。次に保護層２２がカラーフィルター層２１の上に形
成される。そして透明電極２３が前記保護層２２の上に
形成され前面ガラス基板１０１の内側面上に多層構造が
完成する。
トリックスＬＣＤは背面ガラス基板１００に平行しその
内側面に多層構造が形成された前面ガラス基板１０１を
含む。例えば、遮光層としてブラックマトリックス（ b
lack matrix ）２０が前面ガラス基板１０１の内側面上
に形成されている。このブラックマトリックス２０は背
面ガラス基板１００上に配置されている各画素電極４の
大部分を占める開口面（aperture area ）を限定するた
めに通常の写真蝕刻工程により遮光層をパタニングして
形成される。その後カラーフィルター層２１が前記ブラ
ックマトリックス２０と前面ガラス基板１０１の内側面
の露出された区域の上に形成される。前記カラーフィル
ター層２１は開口面に配置される光透過区域２１ａを含
む。次に保護層２２がカラーフィルター層２１の上に形
成される。そして透明電極２３が前記保護層２２の上に
形成され前面ガラス基板１０１の内側面上に多層構造が
完成する。
【００１５】上記のアクチブマトリックスＬＣＤは前面
ガラス基板１０１と背面ガラス基板１００の間で保護層
６と透明電極２３に接触するよう挿入された薄い液晶層
を含む。前記前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１
００を通常のシール剤（図示せず）で固定しその間に形
成された孔を通じて液晶を注入、密封することは、その
技術分野で通常の知識を有する者なら容易に判る。
ガラス基板１０１と背面ガラス基板１００の間で保護層
６と透明電極２３に接触するよう挿入された薄い液晶層
を含む。前記前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１
００を通常のシール剤（図示せず）で固定しその間に形
成された孔を通じて液晶を注入、密封することは、その
技術分野で通常の知識を有する者なら容易に判る。
【００１６】前記の付加容量方式のアクチブマトリック
スＬＣＤはストレージキャパシターの第１電極１０を前
記走査信号線１のような物質に同時にパターン形成され
るので追加工程なくその工程を単純化させ得る。しかし
ながら、前述したことに基づくと次のような欠点があ
る。即ち、各ストレージキャパシターＣの第１電極１０
は不透明金属から構成され、ひいては各画素電極４の相
当部分とオーバラップされるので、各画素の開口面積が
オーバラップされる面積と同じ位減少され結局開口率が
減る。
スＬＣＤはストレージキャパシターの第１電極１０を前
記走査信号線１のような物質に同時にパターン形成され
るので追加工程なくその工程を単純化させ得る。しかし
ながら、前述したことに基づくと次のような欠点があ
る。即ち、各ストレージキャパシターＣの第１電極１０
は不透明金属から構成され、ひいては各画素電極４の相
当部分とオーバラップされるので、各画素の開口面積が
オーバラップされる面積と同じ位減少され結局開口率が
減る。
【００１７】それに表示信号線５ａと画素電極４はとも
に、同じ絶縁層２の同一の平面上に形成されるので、そ
れらの間の電気的な分離のために所定の距離だけ離れる
べきである。これも結局ＬＣＤの開口面積を減少させ輝
度を落とすだけでなくＬＣＤのコントラスト比を低下さ
せる。図３はストレージキャパシター形成方法のまた他
の従来の技術として、独立配線方式のストレージキャパ
シターが形成された液晶表示装置の画素レイアウト図で
ある。図４は前記図３のＢ−Ｂ′を切った断面図として
液晶表示パネルの液晶下部部分のみを示したものであ
る。前記図１、図２と同一符号は同一の構成要素を表
す。
に、同じ絶縁層２の同一の平面上に形成されるので、そ
れらの間の電気的な分離のために所定の距離だけ離れる
べきである。これも結局ＬＣＤの開口面積を減少させ輝
度を落とすだけでなくＬＣＤのコントラスト比を低下さ
せる。図３はストレージキャパシター形成方法のまた他
の従来の技術として、独立配線方式のストレージキャパ
シターが形成された液晶表示装置の画素レイアウト図で
ある。図４は前記図３のＢ−Ｂ′を切った断面図として
液晶表示パネルの液晶下部部分のみを示したものであ
る。前記図１、図２と同一符号は同一の構成要素を表
す。
【００１８】図３に示したように、前記独立配線方式ス
トレージキャパシターＣは前述した従来の例に用いられ
た不透明金属であるアルミニウムをＩＴＯなど透明導電
材料で置換した構造である。むろん透明画素電極４の周
囲に形成される遮光層構造は別の問題として図３には示
されていない。前記図３は前記図１と同じく複数の走査
信号線１と複数の表示信号線５ａにより限定される複数
の画素領域の一部分のみを示したものである。前記の独
立配線方式ストレージキャパシターＣは前記図１の付加
容量方式とは異なり走査信号線１から枝分かれした別層
の独立配線１１により隣接した画素領域内のキャパシタ
ーＣと互いに連結される。
トレージキャパシターＣは前述した従来の例に用いられ
た不透明金属であるアルミニウムをＩＴＯなど透明導電
材料で置換した構造である。むろん透明画素電極４の周
囲に形成される遮光層構造は別の問題として図３には示
されていない。前記図３は前記図１と同じく複数の走査
信号線１と複数の表示信号線５ａにより限定される複数
の画素領域の一部分のみを示したものである。前記の独
立配線方式ストレージキャパシターＣは前記図１の付加
容量方式とは異なり走査信号線１から枝分かれした別層
の独立配線１１により隣接した画素領域内のキャパシタ
ーＣと互いに連結される。
【００１９】図４に示されるように前記独立配線方式キ
ャパシターを備えたＬＣＤはスイッチング素子として逆
スタガー形ＴＦＴを用いる。その形成過程を見ると、走
査信号線１が各画素領域内に突出した形態であるゲート
電極Ｇと、各ストレージキャパシターＣの第１電極１０
ａおよびこの電極の延長である各独立配線１１を液晶表
示パネルの背面ガラス基板上に平行に形成する。次いで
前面にシリコン窒化物ＳｉＮ等絶縁層２を形成した後、
半導体層３と透明画素電極４を一定のパターンに形成さ
せ、表示信号線５ａとソース５ｂをその上に形成させ
る。以後の工程はＬＣＤ分野の通常の方法による。
ャパシターを備えたＬＣＤはスイッチング素子として逆
スタガー形ＴＦＴを用いる。その形成過程を見ると、走
査信号線１が各画素領域内に突出した形態であるゲート
電極Ｇと、各ストレージキャパシターＣの第１電極１０
ａおよびこの電極の延長である各独立配線１１を液晶表
示パネルの背面ガラス基板上に平行に形成する。次いで
前面にシリコン窒化物ＳｉＮ等絶縁層２を形成した後、
半導体層３と透明画素電極４を一定のパターンに形成さ
せ、表示信号線５ａとソース５ｂをその上に形成させ
る。以後の工程はＬＣＤ分野の通常の方法による。
【００２０】前記図３と図４に見られる独立配線方式ス
トレージキャパシターの液晶表示装置はストレージキャ
パシターＣの第１電極１０ａとして透明なＩＴＯ等を用
いるので開口面積がそれほど減少しない。しかし液晶表
示パネルの背面ガラス基板に画素電極周辺部の遮光層が
ないためＬＣＤのコントラスト比が低下する。また、ス
トレージキャパシターＣの第１電極１０ａを形成するた
めの工程が追加的に要求される（この工程は走査信号電
極１として不透明導電材料でなく透明導電材料を用いる
のでＩＴＯ等透明導電物質を積層し蝕刻させる工程であ
る）。
トレージキャパシターの液晶表示装置はストレージキャ
パシターＣの第１電極１０ａとして透明なＩＴＯ等を用
いるので開口面積がそれほど減少しない。しかし液晶表
示パネルの背面ガラス基板に画素電極周辺部の遮光層が
ないためＬＣＤのコントラスト比が低下する。また、ス
トレージキャパシターＣの第１電極１０ａを形成するた
めの工程が追加的に要求される（この工程は走査信号電
極１として不透明導電材料でなく透明導電材料を用いる
のでＩＴＯ等透明導電物質を積層し蝕刻させる工程であ
る）。
【００２１】前述した図１に開示された付加容量方式の
液晶表示装置や図３に開示された独立配線方式の液晶表
示装置で現れる問題点を改善するために、本発明の基礎
となる発明に係るキャパシター電極を透明画素電極に対
向するよう形成されており、透明画素電極を環形（ring
type ）に取り囲むストレージキャパシターを具備する
（前述した特願平４−１８３１６３号）。本発明は前記
特願平４−１８３１６３号に開示された発明を見せる添
付した図５、図６を参照して説明される。前記図１〜図
４と同一符号は同一の構成要素を表す。
液晶表示装置や図３に開示された独立配線方式の液晶表
示装置で現れる問題点を改善するために、本発明の基礎
となる発明に係るキャパシター電極を透明画素電極に対
向するよう形成されており、透明画素電極を環形（ring
type ）に取り囲むストレージキャパシターを具備する
（前述した特願平４−１８３１６３号）。本発明は前記
特願平４−１８３１６３号に開示された発明を見せる添
付した図５、図６を参照して説明される。前記図１〜図
４と同一符号は同一の構成要素を表す。
【００２２】前記図５を図１および図３と比べてみれば
判るように前記図５のアクチブマトリックスＬＣＤは、
各画素電極４と連結されたストレージキャパシターＣの
第１電極１０のレイアウトが従来のＬＣＤと比べる時そ
の開口率とコントラスト比が増加するように、画素領域
周辺部に配置される構造に変形されたことを除けば本質
的に従来のＬＣＤと同じ方法で製作される。より詳細に
は前記表示信号線５ａとストレージキャパシターＣの第
１電極１０になる不透明金属は、ストレージキャパシタ
ーの第１電極１０が原則的に各画素電極４を取り囲むよ
うパタニングされ、その回りに沿って連結された画素電
極４の縁の一部分とオーバラップされるようパタニング
される。前記図５のVI−VI線を切った断面図である図６
により明確に見られるように、前記キャパシターの第１
電極１０は前面ガラス基板１０上に備えられた前記遮光
層２０のマトリックスの下に全部置かれるよう配置さ
れ、開口面内に拡張されないようにし、従来のＬＣＤと
比べ開口率を増加させた。
判るように前記図５のアクチブマトリックスＬＣＤは、
各画素電極４と連結されたストレージキャパシターＣの
第１電極１０のレイアウトが従来のＬＣＤと比べる時そ
の開口率とコントラスト比が増加するように、画素領域
周辺部に配置される構造に変形されたことを除けば本質
的に従来のＬＣＤと同じ方法で製作される。より詳細に
は前記表示信号線５ａとストレージキャパシターＣの第
１電極１０になる不透明金属は、ストレージキャパシタ
ーの第１電極１０が原則的に各画素電極４を取り囲むよ
うパタニングされ、その回りに沿って連結された画素電
極４の縁の一部分とオーバラップされるようパタニング
される。前記図５のVI−VI線を切った断面図である図６
により明確に見られるように、前記キャパシターの第１
電極１０は前面ガラス基板１０上に備えられた前記遮光
層２０のマトリックスの下に全部置かれるよう配置さ
れ、開口面内に拡張されないようにし、従来のＬＣＤと
比べ開口率を増加させた。
【００２３】しかも、各画素電極４の回りに沿って形成
される前記キャパシターの第１電極１０は図６で良く判
るように、付加的な遮光層役割をする。即ち、前記第１
電極１０は開口面の外側に位置した液晶領域から前面ガ
ラス基板１０１の開口面を通過する漏れ光を最小化す
る。前記図２に示された従来のＬＣＤの場合、θ1 より
大きい入射角で前面ガラス基板１０１に入射する漏出的
な光も前面ガラス基板の開口面を通じて通過することが
見られる。しかしながら、図６に示したように前記米国
特許出願第 07/934,396 号の発明のＬＣＤの場合は只θ
2 より大きい入射角で前面ガラス基板に入射する余分の
光のみが前面ガラス基板の開口面を通過する。入射角θ
2 より小さい場合に前面ガラス基板に入射する余分のあ
るいは漏れる光はその隣接したキャパシターの第１電極
１０により遮断される。従って、前記米国特許出願第07
/934,396 号のＬＣＤは従来のＬＣＤに比べ（θ2 −θ
1 ）に比例する量だけ前面ガラス基板１０１の開口面を
通過する漏れ光を減少させ、そのコントラスト比を非常
に増加させる。
される前記キャパシターの第１電極１０は図６で良く判
るように、付加的な遮光層役割をする。即ち、前記第１
電極１０は開口面の外側に位置した液晶領域から前面ガ
ラス基板１０１の開口面を通過する漏れ光を最小化す
る。前記図２に示された従来のＬＣＤの場合、θ1 より
大きい入射角で前面ガラス基板１０１に入射する漏出的
な光も前面ガラス基板の開口面を通じて通過することが
見られる。しかしながら、図６に示したように前記米国
特許出願第 07/934,396 号の発明のＬＣＤの場合は只θ
2 より大きい入射角で前面ガラス基板に入射する余分の
光のみが前面ガラス基板の開口面を通過する。入射角θ
2 より小さい場合に前面ガラス基板に入射する余分のあ
るいは漏れる光はその隣接したキャパシターの第１電極
１０により遮断される。従って、前記米国特許出願第07
/934,396 号のＬＣＤは従来のＬＣＤに比べ（θ2 −θ
1 ）に比例する量だけ前面ガラス基板１０１の開口面を
通過する漏れ光を減少させ、そのコントラスト比を非常
に増加させる。
【００２４】一方、前記特願平４−１８３１６３号に開
示された環状のストレージキャパシターを持った液晶表
示装置は開口率の向上やコントラスト比の増加など表示
特性が向上されたが、図５に前記走査信号線１と表示信
号線５ａの交叉する配線交叉部で異物や脆弱な絶縁膜に
より前記走査信号線１が断線されたり、前記走査信号線
１と表示信号線５ａ間に短絡不良が発生し液晶表示装置
の製造収率が著しく落ちる。
示された環状のストレージキャパシターを持った液晶表
示装置は開口率の向上やコントラスト比の増加など表示
特性が向上されたが、図５に前記走査信号線１と表示信
号線５ａの交叉する配線交叉部で異物や脆弱な絶縁膜に
より前記走査信号線１が断線されたり、前記走査信号線
１と表示信号線５ａ間に短絡不良が発生し液晶表示装置
の製造収率が著しく落ちる。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前述
した従来の問題点を改善するためのもので、走査信号線
と表示信号線の配線交叉部で発生する走査信号線の断線
不良を直せる液晶表示装置を提供することである。本発
明の他の目的は、前記走査信号線と表示信号線の配線交
叉部から発生する短絡不良を直せる液晶表示装置を提供
することである。
した従来の問題点を改善するためのもので、走査信号線
と表示信号線の配線交叉部で発生する走査信号線の断線
不良を直せる液晶表示装置を提供することである。本発
明の他の目的は、前記走査信号線と表示信号線の配線交
叉部から発生する短絡不良を直せる液晶表示装置を提供
することである。
【００２６】本発明のまた他の目的は、開口率が向上さ
れ、前記断線、短絡不良を直せる液晶表示装置を提供す
ることである。本発明のまた他の目的は、コントラスト
比が向上され、前記断線、短絡を直せる液晶表示装置を
提供することである。本発明のまた他の目的は、前記本
発明の液晶表示装置を追加工程なく単純に製造できる方
法を提供することである。
れ、前記断線、短絡不良を直せる液晶表示装置を提供す
ることである。本発明のまた他の目的は、コントラスト
比が向上され、前記断線、短絡を直せる液晶表示装置を
提供することである。本発明のまた他の目的は、前記本
発明の液晶表示装置を追加工程なく単純に製造できる方
法を提供することである。
【００２７】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的を達成
するための本発明の液晶表示装置は、透明基板と、前記
透明基板の一表面上に交叉して配列された一対の走査信
号線と一対の表示信号線があり、互いに隣接する一つの
走査信号線および互いに隣接する表示信号線の４線に囲
まれた画素領域があって、前記各画素領域内に配置され
た画素電極と、前記各画素領域内に配置された画素電極
と、前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前
記各画素電極に連結されるスイッチング素子と、前記各
画素電極周辺部と対向して不透明導電材料により形成さ
れた環状形態のストレージキャパシター用第１電極と、
前記第１電極と走査信号線を連結する手段と、表示信号
線を間にして互いに隣接する第１電極を連結する冗長連
結部とを具備することを特徴とする。
するための本発明の液晶表示装置は、透明基板と、前記
透明基板の一表面上に交叉して配列された一対の走査信
号線と一対の表示信号線があり、互いに隣接する一つの
走査信号線および互いに隣接する表示信号線の４線に囲
まれた画素領域があって、前記各画素領域内に配置され
た画素電極と、前記各画素領域内に配置された画素電極
と、前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前
記各画素電極に連結されるスイッチング素子と、前記各
画素電極周辺部と対向して不透明導電材料により形成さ
れた環状形態のストレージキャパシター用第１電極と、
前記第１電極と走査信号線を連結する手段と、表示信号
線を間にして互いに隣接する第１電極を連結する冗長連
結部とを具備することを特徴とする。
【００２８】前記本発明の目的を達成するために本発明
の他の実施例による液晶表示装置は、透明基板と、前記
透明基板の一表面上に一定の間隔を置き交代に配列され
ている第１走査信号線と第２走査信号線の対からなる複
数の走査信号線と、前記第１走査信号線、第２走査信号
線と交叉しそれにより前記第１、第２走査信号線と表示
信号線で境界づけられた画素領域を限定する複数の表示
信号線と、前記各画素領域内に配置された画素電極と、
前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前記各
画素電極に連結されるスイッチング素子と、前記各画素
領域内に配置され第１走査信号線と第２走査信号線を連
結し、前記各画素電極とともにそれに対向しその周囲を
取り囲む環状にストレージキャパシターを構成する複数
の第１電極とを具備してなる。
の他の実施例による液晶表示装置は、透明基板と、前記
透明基板の一表面上に一定の間隔を置き交代に配列され
ている第１走査信号線と第２走査信号線の対からなる複
数の走査信号線と、前記第１走査信号線、第２走査信号
線と交叉しそれにより前記第１、第２走査信号線と表示
信号線で境界づけられた画素領域を限定する複数の表示
信号線と、前記各画素領域内に配置された画素電極と、
前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前記各
画素電極に連結されるスイッチング素子と、前記各画素
領域内に配置され第１走査信号線と第２走査信号線を連
結し、前記各画素電極とともにそれに対向しその周囲を
取り囲む環状にストレージキャパシターを構成する複数
の第１電極とを具備してなる。
【００２９】前記本発明の他の目的を達成するために本
発明による液晶表示装置の製造方法は、透明基板上に第
１金属層を積層した後外部駆動回路との電気的接続のた
めのボンディングパッドを形成する工程と、前記結果物
上に第２金属層を積層した後一定の配列に形成された複
数の走査信号線、前記各走査信号線に連結され前記走査
信号線とそれに交叉する表示信号線に限定される各画素
領域内に配置されるストレージキャパシターの第１電極
および隣接した前記各ストレージキャパシターの第１電
極間を連結する冗長連結部を同時にパターン形成する工
程と、前記結果物上に絶縁層と半導体層を順次に形成し
た後前記各走査信号線と表示信号線の交叉部の付近にの
み前記半導体層が残るよう前記半導体層をパタニングす
る工程と、前記結果物上に透明導電層を積層した後各画
素領域内でその縁に沿って前記ストレージキャパシター
の第１電極と対向するよう画素電極をパターン形成する
工程と、前記結果物上に第３金属層を積層した後前記走
査信号線と交叉し一定の配列に形成される複数の表示信
号線と前記半導体上に薄膜トランジスタのソース、ドレ
イン電極をパターン形成する工程とを備えてなる。
発明による液晶表示装置の製造方法は、透明基板上に第
１金属層を積層した後外部駆動回路との電気的接続のた
めのボンディングパッドを形成する工程と、前記結果物
上に第２金属層を積層した後一定の配列に形成された複
数の走査信号線、前記各走査信号線に連結され前記走査
信号線とそれに交叉する表示信号線に限定される各画素
領域内に配置されるストレージキャパシターの第１電極
および隣接した前記各ストレージキャパシターの第１電
極間を連結する冗長連結部を同時にパターン形成する工
程と、前記結果物上に絶縁層と半導体層を順次に形成し
た後前記各走査信号線と表示信号線の交叉部の付近にの
み前記半導体層が残るよう前記半導体層をパタニングす
る工程と、前記結果物上に透明導電層を積層した後各画
素領域内でその縁に沿って前記ストレージキャパシター
の第１電極と対向するよう画素電極をパターン形成する
工程と、前記結果物上に第３金属層を積層した後前記走
査信号線と交叉し一定の配列に形成される複数の表示信
号線と前記半導体上に薄膜トランジスタのソース、ドレ
イン電極をパターン形成する工程とを備えてなる。
【００３０】
【作用】本発明によると、液晶表示装置の前面ガラス基
板に形成される遮光層（lightshield layer）にアライ
ンされるよう前記ストレージキャパシターの第１電極が
不透明導電材料から形成されるので、開口率の減少や光
リークによるコントラスト比の悪化問題が改善できる。
一方には前記冗長連結部や二重化された走査信号線を用
いて配線交叉部から発生する断線、短絡不良を減少ある
いは直せる。
板に形成される遮光層（lightshield layer）にアライ
ンされるよう前記ストレージキャパシターの第１電極が
不透明導電材料から形成されるので、開口率の減少や光
リークによるコントラスト比の悪化問題が改善できる。
一方には前記冗長連結部や二重化された走査信号線を用
いて配線交叉部から発生する断線、短絡不良を減少ある
いは直せる。
【００３１】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。図７は本発明の一実施例による液晶表示装置
の画素レイアウト図を示すものである。図７を参照すれ
ば、本発明の一実施例による液晶表示装置は前述の図５
に示される液晶表示装置の画素レイアウト図と比べ、基
本的な特徴は各画素領域内に形成されたストレージキャ
パシターの第１電極間に冗長連結部１２が形成されたと
いう点である。より詳細には前記表示信号線５ａとスト
レージキャパシターＣの第１電極１０になる不透明金属
は、ストレージキャパシターの第１電極１０が原則的に
各画素電極４を取り囲むようパタニングされ、その回り
に沿ってその連結された画素電極４の縁の一部分とオー
バラップされるようパタニングされる。
説明する。図７は本発明の一実施例による液晶表示装置
の画素レイアウト図を示すものである。図７を参照すれ
ば、本発明の一実施例による液晶表示装置は前述の図５
に示される液晶表示装置の画素レイアウト図と比べ、基
本的な特徴は各画素領域内に形成されたストレージキャ
パシターの第１電極間に冗長連結部１２が形成されたと
いう点である。より詳細には前記表示信号線５ａとスト
レージキャパシターＣの第１電極１０になる不透明金属
は、ストレージキャパシターの第１電極１０が原則的に
各画素電極４を取り囲むようパタニングされ、その回り
に沿ってその連結された画素電極４の縁の一部分とオー
バラップされるようパタニングされる。
【００３２】また前記キャパシターの第１電極１０は前
記図６に示したように、前面ガラス基板１０１上に備え
られた前記遮光層２０のマトリックスの下に全部置かれ
るよう配置され、開口面内に拡張されないようにし、従
来のＬＣＤと比べ開口率を増加させた。各画素電極４の
回りに沿って形成される前記キャパシターの第１電極１
０は図６のように、やはり付加的な遮光層の役割を果た
す。即ち、開口面の外側に位置した液晶領域から前面ガ
ラス基板１０１の開口面を通過する漏れ光を最小化する
ためである。
記図６に示したように、前面ガラス基板１０１上に備え
られた前記遮光層２０のマトリックスの下に全部置かれ
るよう配置され、開口面内に拡張されないようにし、従
来のＬＣＤと比べ開口率を増加させた。各画素電極４の
回りに沿って形成される前記キャパシターの第１電極１
０は図６のように、やはり付加的な遮光層の役割を果た
す。即ち、開口面の外側に位置した液晶領域から前面ガ
ラス基板１０１の開口面を通過する漏れ光を最小化する
ためである。
【００３３】本発明では各ストレージキャパシターの第
１電極１０間を互いに連結させる冗長連結部１２を前記
第１電極１０パターンと同時に形成され、前記表示信号
線５ａとは絶縁膜を介して互いに交叉する。前記の構造
を有する液晶表示装置は走査信号線１と表示信号線５ａ
の配線交叉部で二配線間に短絡が発生した場合、短絡が
発生した交叉部の前後走査信号線１をレーザーなどで切
断すればその短絡不良が直る。即ち、走査信号線１によ
り伝達される信号が前記切断された走査信号線を経ず冗
長連結部１２を通じて伝達されるためである。また走査
信号線１と表示信号線５ａの配線交叉部で走査信号線１
が断線された場合にも同じ原理により冗長連結部１２を
を通じて信号が伝達されるので断線不良は直せる。
１電極１０間を互いに連結させる冗長連結部１２を前記
第１電極１０パターンと同時に形成され、前記表示信号
線５ａとは絶縁膜を介して互いに交叉する。前記の構造
を有する液晶表示装置は走査信号線１と表示信号線５ａ
の配線交叉部で二配線間に短絡が発生した場合、短絡が
発生した交叉部の前後走査信号線１をレーザーなどで切
断すればその短絡不良が直る。即ち、走査信号線１によ
り伝達される信号が前記切断された走査信号線を経ず冗
長連結部１２を通じて伝達されるためである。また走査
信号線１と表示信号線５ａの配線交叉部で走査信号線１
が断線された場合にも同じ原理により冗長連結部１２を
を通じて信号が伝達されるので断線不良は直せる。
【００３４】図８は本発明の他の実施例による液晶表示
装置の画素レイアウト図を示す。図８を参照すれば、本
発明の他の実施例による液晶表示装置は、前述した図５
に示される液晶表示装置の画素レイアウト図と比べ、走
査信号線１が第１走査信号線１ａと第２走査信号線１ｂ
で二重化されたという点を基本的な特徴とする。前記第
１走査信号線１ａと第２走査信号線１ｂの対からなる複
数の走査信号線が一定の間隔に配列されており、前記第
１、第２走査信号線と前記表示信号線５ａに限定される
部分が画素領域をなす。
装置の画素レイアウト図を示す。図８を参照すれば、本
発明の他の実施例による液晶表示装置は、前述した図５
に示される液晶表示装置の画素レイアウト図と比べ、走
査信号線１が第１走査信号線１ａと第２走査信号線１ｂ
で二重化されたという点を基本的な特徴とする。前記第
１走査信号線１ａと第２走査信号線１ｂの対からなる複
数の走査信号線が一定の間隔に配列されており、前記第
１、第２走査信号線と前記表示信号線５ａに限定される
部分が画素領域をなす。
【００３５】また前記図５と比べ、前記スイッチング素
子である薄膜トランジスタの位置が走査信号線１の突出
部上に形成されるのでなく、第１走査信号線１ａ上に形
成される。即ち、第１走査信号線１ａ自体が薄膜トラン
ジスタのゲート電極になるようその方向が９０°回転し
て形成され液晶表示装置の開口率を最大化している。一
方、ストレージＣの第１電極１０になる不透明導電材料
は、各画素電極４を取り囲むようパタニングされ、その
回りに沿って連結された画素電極４の縁の一部分とオー
バラップされるようパタニングされ、前記第１走査信号
線１ａと第２走査信号線１ｂが同一の平面上で互いに連
結される。アルミニウムで前記第１電極１０を形成させ
る場合陽極酸化方法で走査信号線及び前記第１電極１０
の表面に酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 を被覆させたりも
する。
子である薄膜トランジスタの位置が走査信号線１の突出
部上に形成されるのでなく、第１走査信号線１ａ上に形
成される。即ち、第１走査信号線１ａ自体が薄膜トラン
ジスタのゲート電極になるようその方向が９０°回転し
て形成され液晶表示装置の開口率を最大化している。一
方、ストレージＣの第１電極１０になる不透明導電材料
は、各画素電極４を取り囲むようパタニングされ、その
回りに沿って連結された画素電極４の縁の一部分とオー
バラップされるようパタニングされ、前記第１走査信号
線１ａと第２走査信号線１ｂが同一の平面上で互いに連
結される。アルミニウムで前記第１電極１０を形成させ
る場合陽極酸化方法で走査信号線及び前記第１電極１０
の表面に酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 を被覆させたりも
する。
【００３６】一方、ストレージキャパシターの第１電極
１０は前記図６のように、前面ガラス基板１０１上に備
えられた前記遮光層２０のマトリックスの垂直下部に全
部置かれるよう配置し背光（back light）の透過を直接
遮断する付加的な遮光膜役割を果たさせる。これは傾斜
して入ってくるリークライト（leak light）を遮断させ
コントラスト比を向上させる役割を果たす。また液晶表
示パネルの駆動の際画素電極４に表示信号電圧が印加さ
れている時間の間液晶の上部に設けられている透明な共
通電極と前記ストレージキャパシターの第１電極１０の
間にも常時一定した電圧が印加され液晶分子の配列が基
板に対し垂直になり、液晶表示パネルがＮ／Ｗ（nomall
y white ）モードに駆動される時リークライトを防いで
コントラスト比を向上させる。
１０は前記図６のように、前面ガラス基板１０１上に備
えられた前記遮光層２０のマトリックスの垂直下部に全
部置かれるよう配置し背光（back light）の透過を直接
遮断する付加的な遮光膜役割を果たさせる。これは傾斜
して入ってくるリークライト（leak light）を遮断させ
コントラスト比を向上させる役割を果たす。また液晶表
示パネルの駆動の際画素電極４に表示信号電圧が印加さ
れている時間の間液晶の上部に設けられている透明な共
通電極と前記ストレージキャパシターの第１電極１０の
間にも常時一定した電圧が印加され液晶分子の配列が基
板に対し垂直になり、液晶表示パネルがＮ／Ｗ（nomall
y white ）モードに駆動される時リークライトを防いで
コントラスト比を向上させる。
【００３７】前記液晶表示装置の下板に用いられる透明
基板はガラス基板として、例えばコーニング社の商品名
であるコーニング7059（corning7059 ）であり厚さは約
１．１ｍｍである。前記走査信号線は第１走査信号線１
ａと第２走査信号線１ｂに二重化させ駆動回路の付近で
単一配線で連結させる。このとき、二重化された走査信
号線の全体線幅を従来の単一配線の走査信号線の線幅と
同じくすれば走査信号線と表示信号線の交叉部の面積は
同一になるだけでなく。走査信号線の配線抵抗も変動が
なくなる。
基板はガラス基板として、例えばコーニング社の商品名
であるコーニング7059（corning7059 ）であり厚さは約
１．１ｍｍである。前記走査信号線は第１走査信号線１
ａと第２走査信号線１ｂに二重化させ駆動回路の付近で
単一配線で連結させる。このとき、二重化された走査信
号線の全体線幅を従来の単一配線の走査信号線の線幅と
同じくすれば走査信号線と表示信号線の交叉部の面積は
同一になるだけでなく。走査信号線の配線抵抗も変動が
なくなる。
【００３８】一方、表示信号線５ａを通じた電気的信号
を画素電極４に送るためのスイッチング素子として、例
えば薄膜トランジスタは走査信号線１上に前記走査信号
線１をゲート電極にする逆スタガー形に形成させること
により画素面積を出来るかぎり最大にしたが、前記スイ
ッチング素子として、スイッチング機能をする２端子形
からなるＭＩＭ（Metal Insulator Metal ）など薄膜ダ
イオード（Thin FilmDiode; TFD）を使用することもで
きる。
を画素電極４に送るためのスイッチング素子として、例
えば薄膜トランジスタは走査信号線１上に前記走査信号
線１をゲート電極にする逆スタガー形に形成させること
により画素面積を出来るかぎり最大にしたが、前記スイ
ッチング素子として、スイッチング機能をする２端子形
からなるＭＩＭ（Metal Insulator Metal ）など薄膜ダ
イオード（Thin FilmDiode; TFD）を使用することもで
きる。
【００３９】一方、本発明の液晶表示装置を製造する一
実施例の過程を見ると次の通りである。まず、液晶表示
パネルの背面ガラス基板全面にアルミニウムを約４，０
００Åまたはそれ以下に積層した後パタニングして走査
信号線１とストレージキャパシターの第１電極１０を同
時に形成させる。前記ストレージキャパシターの第１電
極１０は図７および図８に示したように画素領域を最大
に活用できるよう画素領域の縁の方へ充分に広め環状構
造に形成させる。隣接したキャパシターの第１電極１０
間には図７の場合は冗長連結部１２で互いに連結させる
ようパタニングし、図８の場合は二重化した走査信号線
により互いに連結されるようパタニングする。
実施例の過程を見ると次の通りである。まず、液晶表示
パネルの背面ガラス基板全面にアルミニウムを約４，０
００Åまたはそれ以下に積層した後パタニングして走査
信号線１とストレージキャパシターの第１電極１０を同
時に形成させる。前記ストレージキャパシターの第１電
極１０は図７および図８に示したように画素領域を最大
に活用できるよう画素領域の縁の方へ充分に広め環状構
造に形成させる。隣接したキャパシターの第１電極１０
間には図７の場合は冗長連結部１２で互いに連結させる
ようパタニングし、図８の場合は二重化した走査信号線
により互いに連結されるようパタニングする。
【００４０】ここで前記キャパシターの第１電極１０は
後述する遮光膜の役割を果たすので不透明導電材料でな
ければならないし、不透明導電材料であるかぎり望む電
気的特性に合うよう合金や多層構造の形態に形成させる
こともできる。前記走査信号線１やキャパシターの第１
電極１０をアルミニウムで形成した場合、その電気的特
性を向上させるために陽極酸化方法で前記電極の表面に
アルミニウム酸化膜Ａｌ2 Ｏ3 を約２，０００Åまたは
それ以下に被覆させることもできる。
後述する遮光膜の役割を果たすので不透明導電材料でな
ければならないし、不透明導電材料であるかぎり望む電
気的特性に合うよう合金や多層構造の形態に形成させる
こともできる。前記走査信号線１やキャパシターの第１
電極１０をアルミニウムで形成した場合、その電気的特
性を向上させるために陽極酸化方法で前記電極の表面に
アルミニウム酸化膜Ａｌ2 Ｏ3 を約２，０００Åまたは
それ以下に被覆させることもできる。
【００４１】その上に前記表示信号線５ａと走査信号線
１を駆動回路にボンディングするためのパッドを形成さ
せる。この際前記パッド金属はクロムＣｒ等を用いその
厚さは約２，０００Åに形成させる。本発明の他の実施
例によれば、Ａｌ以外の不透明導電性物質を使用する場
合にガラス基板にパッドを形成した後、走査信号線１と
第１電極１０が形成できる。
１を駆動回路にボンディングするためのパッドを形成さ
せる。この際前記パッド金属はクロムＣｒ等を用いその
厚さは約２，０００Åに形成させる。本発明の他の実施
例によれば、Ａｌ以外の不透明導電性物質を使用する場
合にガラス基板にパッドを形成した後、走査信号線１と
第１電極１０が形成できる。
【００４２】次いでＣＶＤ（化学気相蒸着）方法でシリ
コン窒化物ＳｉＮｘ等の絶縁層、非晶質水素化シリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の半導体層をそれぞれ約３，０００
Å、２，０００Åやそれ以下に蒸着する。このとき、オ
ーミック層として前記非晶質水素化シリコン上にＮタイ
プでドーピングされた非晶質水素化シリコン（ｎ+ ａ−
Ｓｉ：Ｈ）を約５００Åに蒸着させる。以後前記図７お
よび図８に示したように前記走査信号線１上にまたはそ
の付近にスイッチング素子が位置する部分を限定するよ
う前記半導体層をパタニングする。
コン窒化物ＳｉＮｘ等の絶縁層、非晶質水素化シリコン
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の半導体層をそれぞれ約３，０００
Å、２，０００Åやそれ以下に蒸着する。このとき、オ
ーミック層として前記非晶質水素化シリコン上にＮタイ
プでドーピングされた非晶質水素化シリコン（ｎ+ ａ−
Ｓｉ：Ｈ）を約５００Åに蒸着させる。以後前記図７お
よび図８に示したように前記走査信号線１上にまたはそ
の付近にスイッチング素子が位置する部分を限定するよ
う前記半導体層をパタニングする。
【００４３】次に駆動ＩＣの連結部分の前記絶縁層を除
きＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等透明金属をスパッタリ
ング方法で約５００Åまたはそれ以下に蒸着させた後パ
タニングして画素電極４を形成させる。このとき、前記
画素電極４は全工程で形成させたストレージキャパシタ
ーの第１電極１０と絶縁層を介して所定の距離ほどオー
バラップされるようパタニングする。この際前記画素領
域には絶縁層を誘電物質にして前記ストレージキャパシ
ターの第１電極１０と前記画素電極４間にキャパシター
が形成され後述べる表示信号線５ａを通じて入力された
信号電圧を次の入力の際まで一定の時間の間保てる。
きＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等透明金属をスパッタリ
ング方法で約５００Åまたはそれ以下に蒸着させた後パ
タニングして画素電極４を形成させる。このとき、前記
画素電極４は全工程で形成させたストレージキャパシタ
ーの第１電極１０と絶縁層を介して所定の距離ほどオー
バラップされるようパタニングする。この際前記画素領
域には絶縁層を誘電物質にして前記ストレージキャパシ
ターの第１電極１０と前記画素電極４間にキャパシター
が形成され後述べる表示信号線５ａを通じて入力された
信号電圧を次の入力の際まで一定の時間の間保てる。
【００４４】基板全面にクロムとアルミニウムをそれぞ
れ約５００Å、５，０００Åまたはそれ以下にスパッタ
リング方法等により連続蒸着した後表示信号線５ａ、Ｔ
ＦＴのソース電極、ドレイン電極をパタニングし基板の
全面にシリコン窒化物保護膜をＣＶＤ方法で約４，００
０Åに蒸着させることにより、液晶表示パネルの下部基
板が完成する。むろん前記保護膜上に液晶の配向のため
の配向膜が後続工程により形成され得ることはＬＣＤ分
野の通常の技術である。
れ約５００Å、５，０００Åまたはそれ以下にスパッタ
リング方法等により連続蒸着した後表示信号線５ａ、Ｔ
ＦＴのソース電極、ドレイン電極をパタニングし基板の
全面にシリコン窒化物保護膜をＣＶＤ方法で約４，００
０Åに蒸着させることにより、液晶表示パネルの下部基
板が完成する。むろん前記保護膜上に液晶の配向のため
の配向膜が後続工程により形成され得ることはＬＣＤ分
野の通常の技術である。
【００４５】一方、液晶表示パネルの上部基板は、透明
な前面ガラス基板の内側面上に遮光膜を各画素領域の回
りに沿ってマトリックス状に形成し液晶表示装置の開口
面を限定させ、前記遮光膜と露出された開口面をカラー
フィルター層で覆いその上に通常の保護層を形成し、そ
の上に透明な上部共通電極を形成することによりその多
層構造を完成する。
な前面ガラス基板の内側面上に遮光膜を各画素領域の回
りに沿ってマトリックス状に形成し液晶表示装置の開口
面を限定させ、前記遮光膜と露出された開口面をカラー
フィルター層で覆いその上に通常の保護層を形成し、そ
の上に透明な上部共通電極を形成することによりその多
層構造を完成する。
【００４６】前記のような液晶表示装置の下部基板と上
部基板は一定の支持部により支持されその間に液晶が注
入、密封され液晶表示パネルが完成する。図９は本発明
の効果を説明するための動作原理図として、二重化され
た走査信号線１ａ、１ｂがどうして表示信号線５ａとの
配線交叉部から発生する断線、短絡不良を直せるかを示
す。
部基板は一定の支持部により支持されその間に液晶が注
入、密封され液晶表示パネルが完成する。図９は本発明
の効果を説明するための動作原理図として、二重化され
た走査信号線１ａ、１ｂがどうして表示信号線５ａとの
配線交叉部から発生する断線、短絡不良を直せるかを示
す。
【００４７】１は走査信号線として駆動ＩＣ回路に連結
される単一化された配線を表し、１ａ、１ｂは二重化さ
れた第１走査信号線と第２走査信号線をそれぞれ表し、
矢印線は走査信号線対１ａ、１ｂの一方のみが断線した
場合の信号電流の回路を示す。５ａは表示信号線であ
る。Ａ部分は第１走査信号線と表示信号線の配線交叉部
で第１走査信号線１ａのみが断線された部分を指し、Ｂ
部分は第１、第２走査信号線１ａ、１ｂ全てが断線され
た部分を指す。Ｃ部分は第２走査信号線と表示信号線５
ａが短絡された部分を表し、Ｄ部分は前記Ｃ部分の短絡
部分が直ったことを表す。
される単一化された配線を表し、１ａ、１ｂは二重化さ
れた第１走査信号線と第２走査信号線をそれぞれ表し、
矢印線は走査信号線対１ａ、１ｂの一方のみが断線した
場合の信号電流の回路を示す。５ａは表示信号線であ
る。Ａ部分は第１走査信号線と表示信号線の配線交叉部
で第１走査信号線１ａのみが断線された部分を指し、Ｂ
部分は第１、第２走査信号線１ａ、１ｂ全てが断線され
た部分を指す。Ｃ部分は第２走査信号線と表示信号線５
ａが短絡された部分を表し、Ｄ部分は前記Ｃ部分の短絡
部分が直ったことを表す。
【００４８】即ち、前記一対からなる第１、第２走査信
号線が同時に断線された部分Ｂのみが液晶表示装置の断
線不良に現れるのでそれほど全体的に断線不良が減少す
る。また短絡不良が生じたＣ部分では配線交叉部前後の
走査信号線をレーザー等で切ると走査信号線が二重にな
っているので短絡不良が直る。
号線が同時に断線された部分Ｂのみが液晶表示装置の断
線不良に現れるのでそれほど全体的に断線不良が減少す
る。また短絡不良が生じたＣ部分では配線交叉部前後の
走査信号線をレーザー等で切ると走査信号線が二重にな
っているので短絡不良が直る。
【００４９】
【発明の効果】以上の通り本発明によると、追加工程な
くキャパシターの第１電極間を連結する冗長連結部や二
重化された走査信号線を単純にパターンのみ変更し走査
信号線と同時に形成することができ工程の単純化が図れ
る。またストレージキャパシターの第１電極の模様を画
素領域を最大限に活用する環状に形成することにより液
晶表示装置の開口率が向上される。またストレージキャ
パシターの第１電極が付加的な遮光膜役割を果たすので
コントラスト比が向上される。またキャパシターの第１
電極を互いに連結する冗長連結部を形成させたり走査信
号線を二重化することにより配線交叉部から発生する走
査信号線の断線不良や短絡不良を減少させ修理できるよ
うになり液晶表示装置の製造収率を非常に向上させ得
る。
くキャパシターの第１電極間を連結する冗長連結部や二
重化された走査信号線を単純にパターンのみ変更し走査
信号線と同時に形成することができ工程の単純化が図れ
る。またストレージキャパシターの第１電極の模様を画
素領域を最大限に活用する環状に形成することにより液
晶表示装置の開口率が向上される。またストレージキャ
パシターの第１電極が付加的な遮光膜役割を果たすので
コントラスト比が向上される。またキャパシターの第１
電極を互いに連結する冗長連結部を形成させたり走査信
号線を二重化することにより配線交叉部から発生する走
査信号線の断線不良や短絡不良を減少させ修理できるよ
うになり液晶表示装置の製造収率を非常に向上させ得
る。
【図１】付加容量方式のストレージキャパシターが形成
された従来の液晶表示装置の画素レイアウト図である。
された従来の液晶表示装置の画素レイアウト図である。
【図２】前記図１のII−II線に沿って切った断面図であ
る。
る。
【図３】独立配線方式のストレージキャパシターが形成
された従来の液晶表示装置の画素レイアウト図である。
された従来の液晶表示装置の画素レイアウト図である。
【図４】前記図３のIV−IV線に沿って切った断面図であ
る。
る。
【図５】環状構造の付加容量方式のストレージキャパシ
ターが形成された液晶表示装置の画素レイアウト図であ
る。
ターが形成された液晶表示装置の画素レイアウト図であ
る。
【図６】前記図５のVI−VI線に沿って切った断面図であ
る。
る。
【図７】冗長連結部が形成された環状構造のストレージ
キャパシターを形成した本発明による液晶表示装置の画
素レイアウト図である。
キャパシターを形成した本発明による液晶表示装置の画
素レイアウト図である。
【図８】環状構造の二重化配線方式によりストレージキ
ャパシターを形成した本発明による液晶表示装置の画素
レイアウト図である。
ャパシターを形成した本発明による液晶表示装置の画素
レイアウト図である。
【図９】本発明の効果を説明するための動作原理図であ
る。
る。
１ 走査信号線 １ａ 第１走査信号線 １ｂ 第２走査信号線 ３ 半導体層 ４ 画素電極 ５ａ 表示信号線 ５ｂ ソース電極 １０ 第１電極 １２ 冗長連結部 ２０ 遮光層 １０１ ガラス基板（透明基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金 東奎 大韓民国 京畿道 水原市 勸善区 勸善 洞 1036番地 住公２次アパート 221棟 401号 (72)発明者 宋 俊昊 大韓民国 京畿道 水原市 長安区 牛滿 洞 29番地 住公アパート 203棟 1206 号 (72)発明者 朴 雲用 大韓民国 ソウル特別市 蘆原区 上溪４ 洞 山154番地 32／４
Claims (32)
- 【請求項１】 透明基板と、 前記透明基板の一表面上にマトリックス形態に配列され
ており、その隣接した二つの走査信号線と二つの表示信
号線で境界づけられた各画素領域のマトリックスを限定
する複数個の走査信号線および表示信号線と、 前記各画素領域内に配置された画素電極と、 前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前記各
画素電極に連結されたスイッチング素子と、 前記走査信号線に連結され、前記各画素領域内に配置さ
れ、前記各画素電極と対向しその回りを取り囲む環状形
態にストレージキャパシターを構成し、隣接した画素領
域間には冗長連結部により互いに連結される複数の第１
電極とを備えてなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記各ストレージキャパシターの第１電
極、前記各走査信号線および冗長連結部は同一の物質よ
りなりともにパタニングされた層であることを特徴とす
る請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記ともにパタニングされたストレージ
キャパシターの第１電極、走査信号線および冗長連結部
は、アルミニウム、クロム、モリブデン、タンタルより
構成されるグループから選択された少なくとも一つ以上
の不透明金属から成ることを特徴とする請求項２記載の
液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記ストレージキャパシターの第１電極
と走査信号線、冗長連結部は、二つ以上の金属による積
層構造であることを特徴とする請求項３記載の液晶表示
装置。 - 【請求項５】 前記各ストレージキャパシターの第１電
極間を連結するための冗長連結部は、絶縁膜を介して前
記各表示信号線と交叉する方向へ形成されたことを特徴
とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記スイッチング素子は薄膜トランジス
タから構成されていることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記薄膜トランジスタは、前記各走査信
号線の突出部の模様からなるゲート電極と、前記各表示
信号線の突出部の模様からなるドレイン電極と、前記各
画素電極の一部とオーバラップされるソース電極と、前
記ゲート電極の上の絶縁層上に配置され前記ドレイン電
極とソース電極を連結させ得るようパタニングされてい
る半導体層とを含んでなされることを特徴とする請求項
６記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記薄膜トランジスタは、前記各走査信
号線と表示信号線の交叉する付近で形成される逆スタガ
ー形であることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装
置。 - 【請求項９】 前記各薄膜トランジスタのゲート電極、
ドレイン電極、半導体層は、前記各画素電極の境界の外
側へ配置されることを特徴とする請求項７記載の液晶表
示装置。 - 【請求項１０】 前記薄膜トランジスタのソース電極
は、前記各ストレージキャパシターの第１電極の一部を
オーバーレイすることを特徴とする請求項７記載の液晶
表示装置。 - 【請求項１１】 前記ストレージキャパシターの第１電
極は、前記画素電極の全回りに沿ってその一部分とオー
バラップされることを特徴とする請求項１記載の液晶表
示装置。 - 【請求項１２】 前記各ストレージキャパシターの第１
電極は、その縁の一部分が急激な段差なく充分な幅を有
し前記各画素電極の一部分とオーバラップされることを
特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置。 - 【請求項１３】 前記スイッチング素子は薄膜ダイオー
ドから構成されていることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記ストレージキャパシターの第１電
極と前記走査信号線は共通の第１平面に置かれており、
前記表示信号線と画素電極はその間に絶縁層を介して前
記第１平面から離れた共通の第２平面に置かれているこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】 透明基板と、 前記透明基板の一表面上に一定の間隔を置き交代に配列
されている第１走査信号線と第２走査信号線の対からな
る複数の走査信号線と、 前記隣接した第１走査信号線、第２走査信号線と交叉
し、隣接した二つの表示信号線と境界づけられ前記透明
基板上でマトリックス状に配列される各画素領域を限定
するよう配列された複数の表示信号線と、 前記各画素領域内に配置された画素電極と、 前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前記各
画素電極を連結させるスイッチング素子と、 前記各画素領域内に配置され第１走査信号線と第２走査
信号線を連結し、前記各画素電極と対向しその回りを取
り囲む環状形態にストレージキャパシターを構成する複
数の第１電極とを具備してなることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項１６】 前記各ストレージキャパシターの第１
電極、前記各走査信号線は同一の物質よりなりともにパ
タニングされた層であることを特徴とする請求項１５記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１７】 前記ともにパタニングされたストレー
ジキャパシターの第１電極および走査信号線は、アルミ
ニウム、クロム、モリブデン、タンタルより構成される
グループから選択された少なくとも一つ以上の不透明金
属よりなることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１８】 前記スイッチング素子は薄膜トランジ
スタから構成されていることを特徴とする請求項１５記
載の液晶表示装置。 - 【請求項１９】 前記薄膜トランジスタは、前記第１走
査信号線からなるゲート電極と、前記各表示信号線の突
出部の模様からなるドレイン電極と、前記各画素電極の
一部とオーバラップされるソース電極と、前記ゲート電
極の上の絶縁層上に配置され前記ドレイン電極とソース
電極を連結させ得るようパタニングされている半導体層
とを含んでなることを特徴とする請求項１８記載の液晶
表示装置。 - 【請求項２０】 前記薄膜トランジスタは前記第１走査
信号線と表示信号線の交叉する付近で前記第１走査線上
に形成される逆スタガー形であることを特徴とする請求
項１８記載の液晶表示装置。 - 【請求項２１】 前記第１走査信号線と第２走査信号線
は、外部駆動回路には単一配線で連結されることを特徴
とする請求項１５記載の液晶表示装置。 - 【請求項２２】 前記第１走査信号線と第２走査信号線
は、外部駆動回路との連結のためのパッドで単一配線よ
りなることを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項２３】 前記第１走査信号線と第２走査信号線
をストレージキャパシターの第１電極が梯子の模様に連
結させることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装
置。 - 【請求項２４】 内側面と外側面を有する前面ガラス基
板と、 内側面と外側面を有し、前記前面ガラス基板に対し一定
の距離を置き並行し、その内側面が前記前面ガラス基板
の内側面と向き合うよう配置されている背面ガラス基板
と、 前記背面ガラス基板の内側面上にマトリックス形態に配
列されており、その隣接した二つの走査信号線と二つの
表示信号線で境界づけられた各画素領域のマトリックス
を限定する複数個の走査信号線および表示信号線と、 前記各画素領域内に配置された画素電極と、 前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前記各
画素電極を連結させるスイッチング素子と、 前記各画素領域内に配置され前記各画素電極と対向しそ
の周囲を取り囲む環状形態にストレージキャパシターを
構成し、隣接した画素領域間には冗長連結部により連結
される複数の第１電極と、 前記前面ガラス基板の内側面上に配置され前記各画素領
域にアライン（align）され光透過開口面を限定するよ
うパターンされた遮光層マトリックスと、 前記前面ガラス基板の内側面上に配置され前記光透過開
口面と遮光膜を覆うカラーフィルター層と、 前記カラーフィルター層の上に配置されている透明電極
と、 前記前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に挿入された
液晶層とを具備してなることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２５】 前記カラーフィルター層と前記透明電
極の間に第１保護層を挿入させることを特徴とする請求
項２４記載の液晶表示装置。 - 【請求項２６】 前記背面ガラス基板の内側面に第２保
護層を覆うことを特徴とする請求項２４記載の液晶表示
装置。 - 【請求項２７】 前記遮光層の縁により限定される前記
開口面の周囲境界は前記ストレージキャパシターの第１
電極の内側の縁にほぼ垂直的にアラインされ、前記スト
レージキャパシターの第１電極が前記開口面を通過する
よう許される光以外の光を減少させる付加的な遮光役割
を果たさせることを特徴とする請求項２４記載の液晶表
示装置。 - 【請求項２８】 前記背面ガラス基板を通じて前記各開
口面の投影は仮想の開口面を限定し、前記ストレージキ
ャパシターの第１電極が前記仮想の開口面内に拡張され
ないことを特徴とする請求項２４記載の液晶表示装置。 - 【請求項２９】 内側面と外側面を有する前面ガラス基
板と、 内側面と外側面を有し、前記前面ガラス基板に対し一定
の距離を置き平行し、その内側面が前記前面ガラス基板
の内側面と向き合うよう配置されている背面ガラス基板
と、 前記背面ガラス基板の内側面上に一定の間隔を置き交代
に配列されている第１走査信号線と第２走査信号線の対
からなる複数の走査信号線と、 前記隣接した第１走査信号線、第２走査信号線と交叉し
隣接した二つの表示信号線と境界づけられ前記背面ガラ
ス基板の内側面上にマトリックス状に配列される各画素
領域を限定するよう配列された複数の表示信号線と、 前記各画素領域内に配置される画素電極と、 前記各画素領域内に配置され前記各表示信号線と前記各
画素電極を連結させるスイッチング素子と、 前記各画素領域内に配置され第１走査信号線と第２走査
信号線を連結し、前記各画素電極と対向しその周囲を取
り囲む環状形態にストレージキャパシターを構成する複
数の第１電極と、 前記前面ガラス基板の内側面上に配置され前記各画素領
域にアラインされ光透過開口面を限定するようパターン
された遮光層マトリックスと、 前記前面ガラス基板の内側面上に配置され前記光透過開
口面と遮光膜を覆い光透過領域を含むカラーフィルター
層と、 前記カラーフィルター層の上に配置されている透明電極
と、 前記前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に挿入された
液晶層とを具備してなることを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項３０】 前記遮光層の縁により限定される前記
開口面の周囲境界は前記ストレージキャパシターの第１
電極と前記第１走査信号線および第２走査信号線の内側
の縁にほぼ垂直的にアラインされ、前記開口面を通過す
るよう許される光以外の光を減少させる付加的な遮光役
割を果たさせることを特徴とする請求項２９記載の液晶
表示装置。 - 【請求項３１】 透明基板上に第１金属層を積層した後
外部駆動回路との電気的接続のためのボンディングパッ
ドを形成する工程と、 前記結果物上に第２金属層を積層した後一定の配列に形
成された複数の走査信号線、前記各走査信号線に連結さ
れ前記走査信号線とそれに交叉する表示信号線に限定さ
れる各画素領域内に配置されるストレージキャパシター
の第１電極および隣接した前記各ストレージキャパシタ
ーの第１電極間を連結する冗長連結部を同時にパターン
形成する工程と、 前記結果物上に絶縁層と半導体層を順次に形成した後前
記各走査信号線と表示信号線の交叉部の付近にのみ前記
半導体層が残るよう前記半導体層をパタニングする工程
と、 前記結果物上に透明金属層を積層した後各画素領域内で
その縁に沿って前記ストレージキャパシターの第１電極
と対向するよう画素電極をパターン形成する工程と、 前記結果物上に第３金属層を積層した後前記走査信号線
と交叉し一定の配列に形成される複数の表示信号線と前
記半導体上に薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極
をパターン形成する工程を備えてなることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３２】 透明基板上に第１金属層を積層した後
外部駆動回路との電気的接続のためのボンディングパッ
ドを形成する工程と、 前記結果物上に第２金属層を積層した後第１走査信号線
と一定の距離を置く第２走査信号線の対からなる複数の
走査信号線と前記第１走査信号線に連結され、それと交
叉する表示信号線に限定される各画素領域内に配置され
るストレージキャパシターの第１電極を同時にパターン
形成する工程と、 前記結果物上に絶縁層と半導体層を順次に形成した後前
記各走査信号線と表示信号線の交叉部の付近の走査信号
線上に前記半導体層が残るよう前記半導体層をパタニン
グする工程と、 前記結果物上に透明金属層を積層した後各画素領域内で
その縁に沿って前記ストレージの第１電極と対向するよ
う画素電極をパターン形成する工程と、 前記結果物上に第３金属層を積層した後前記走査信号線
と交叉し一定の配列に形成される複数の表示信号線と前
記半導体上で薄膜トランジスタのソース、ドレイン電極
をパターン形成する工程とを備えてなることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019920017901A KR940007574A (ko) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 액정 표시장치 |
| KR1992P16300 | 1992-09-30 | ||
| KR1992P17901 | 1992-09-30 | ||
| KR1992P9510 | 1992-09-30 |
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| Publication Number | Publication Date |
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ID=27348829
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (4)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2537329B2 (ja) |
| DE (1) | DE4318028B4 (ja) |
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