KR970018215A - 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

이 발명은 금속 배선층의 보호막용 절연층의 제조 방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판(10)에 알루미늄(Al)으로 증착한 후 이를 패터닝하여 소정의 금속 배선층(35)을 형성하고, 금속 배선층(35)을 포함하는 실리콘 기판(10)의 전면에 산화막을 침적하고, 비등방성 식각을 하여 금속 배선층(35)의 상부와 측벽에 스페이서를 형성한 후 질소 및 소량의 수소 분위기에서 400∼450℃의 온도로 열처리 공정을 실시하여 스페이서(40)를 형성한 후, 금속 배선층(35)의 상부와 측벽에 형성된 스페이서(40)를 포함하는 실리콘 기판(10)의 전면에 실리콘 산화막과 실리콘 질화막을 침적하여 금속 배선층(35)을 보호하는 제2절연층(50)을 형성하므로써, 금속 배선층(35)을 형성한 후의 공정에서 열처리 공정이 진행되어도 힐록(Hillock)에 의하여 금속 배선층(35) 보호용 제2절연층(50)의 손상을 방지하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 장치의 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속 배선층의 보호막용 절연층을 나타낸 도면이다,

제3도는 본 발명의 제2실시예에 따른 금속 배선층의 보호막용 절연층을 나타낸 도면이다.

Claims (5)

1. 반도체 기판 위에 소정의 금속 배선층을 형성하는 제1공정과, 상기 금속 배선층을 포함하는 상기 반도체 기판의 전면에 제1절연막을 침적하고, 금속 배선층의 상부와 측벽에만 일정 두께의 제1절연층이 남도록 식각하는 제2공정과, 상기 금속 배선층의 상부와 측벽에 남은 제1절연층을 포함하는 반도체 기판의 전면에 상기 금속 배선층을 보호하기 위한 제2절연층을 침적하는 제3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 제1공정에서 반도체 기판에 금속 배선층을 형성하기 전에 금속 패턴을 형성하고, 그 위에 절연막을 침적하고 금속 패턴 상부의 절연막에 비아 콘택 창을 형성한 후, 금속 배선층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 금속 배선층은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 제2공정에서 금속 배선층의 상부와 측벽에 제1절연층을 형성하고, 열처리공정을 거친후 제3공정의 제2절연층을 침적하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
5. 제4항에 있어서, 열처리 공정은 질소 및 소량의 수소 분위기에서 400∼450℃의 온도로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.