KR960002892A - 탄화규소반도체장치와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속제로 구성된 전극(16a), (16b)이 각각 P형 SiC기판(11)의 N형 소오스영역(12)와 드레인영역(13)위에 형성된다. 질화금속으로 이루어진 전극(16a), (16b)이 각각 접촉하는 영역(12), (12)의 표면층부분에 질소농후층(12a), (13a)을 형성한다. 질소농후층은 전극의 접촉저항률을 작게한다. 게이트전극과 연결부가 반응하는 것을 방지하기 위해 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속을 Mo의 게이트전극(15)과 A1의 연결부(17c)사이에 삽입한다.

Description

탄화규소반도체장치와 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 SiC-MOSFE의 개략구조를 표시하는 단면도.

Claims (11)

  1. N형 SiC영역(12), (13)또는 N형 탄화규소기판(21)과, 상기한 N형 SiC영역(12), (13)또는 N형 탄화규소기판(21)에 형성되고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속으로 이루어진 전극(16a)(16b), (26a)(26b)과, 상기한 전극(16a)(16b), (26a)(26b)과 접촉하는 SiC영역(12), (13)또는 탄화규소기판(21)의 표면층부분에 형성된 질소농후층(12a)(13a), (22a)(23a)으로 구성된것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치.
  2. P형 탄화규소기판(11)위에 절연필름(14a)을 설치하고 그 위에 내화성 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어진 게이트전극(15)을 설치한 탄화규소반도체장치에 있어서, 상기한 게이트전극(15)과 상기한 게이트전극(15)과 연결되어 있는 연결부(17c)사이에 삽입되어 있고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속층(16c)으로 구성된 것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치.
  3. N형 탄화규소기판(21)위에 Au, Pt, A1로 이루어진 게이트전극(25)이 설치된 탄화규소반도체장치에 있어서, 상기한 게이트전극(25)과 상기한 게이트전극(25)과 연결되어있는 연결부(27c)의 사이에 삽입되어 있고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속층(26c)으로 구성된 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체장치.
  4. P형 탄화규소기판(11)과, 상기한 탄화규소기판(11)위에 절연필름(14a)을 설치하고 그 위에 설치된 게이트전극(15)과, 상기한 탄화규소기판(11)위에 형성된 N형 소오스/드레인 SiC영역(12), (13)과, 상기한 SiC영역 위에 형성되고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느하나로 이루어진 질화금속제의 전극(16a), (16b)과, 상기한 게이트전극(15)과 상기한 게이트전극(15)과 연결되어 있는 연결부(17c)사이에 삽입되어 있고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속층(16c)과, 상기한 질화금속으로 이루어진 상기한 전극(16a), (16b)이 접촉하는 SiC영역(12), (13)의 표면층부분에 형성된 질소농후층(12a), (13a)으로 구성된 것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기한 게이트전극(15)이 내화성 금속 또는 폴리실리콘으로 이루어지며, 상기한 N형 소오스/드레인 SiC영역(12), (13)이 상기한 P형 탄화규소기판(11)위의 상기한 게이트전극(15)의 양쪽에 형성되고, 상기한 전극(16a), (16b)이 상기한 N형 SiC영역(12), (13)위에 형성되고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느하나로 이루어진 질화금속제인 것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치.
  6. N형 탄화규소기판(21)과, 상기한 탄화규소기판(21) 위에 직접 설치되고 Au, Pt 또는 A1으로 이루어진 게이트전극(25)과, 상기한 탄화규소기판(21)위에 형성된 N형 소오스/드레인 SiC영역(22), (23)과, 상기한 SIC영역 위에 형성되고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속으로 구성된 전극(26a), (26b) 과, 상기한 게이트전극(25)과 상기한 게이트전극(25)과 연결되어 이는 연결부(27c)사이에 삽입되어 있고 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느 하나로 이루어진 질화금속층(26c)과, 질화금속으로 이루어진 상기한 전극(26a), (26b)이 접촉하는 SiC영역(22), (23)의 표면층부분에 각각 형성된 질소농후층(22a), (23a)으로 이루어진 것을 특징으로하는 탄화규소반도체장치.
  7. 제1항 또는 4 또는 6항에 있어서, 상기한 SiC(12)(13), (22)(23)또는 상기한 질화금속으로 이루어진 전극(16a)(16b), (26a)(26b)이 접촉하는 상기한 탄화규소기판(21)의 표면층부분에 형성된 상기한 질소농후층(12a)(13a), (22a)(23A)은 두께가 적어도 20Å이고 질소밀도가 적어도 1 × 1019/㎤인 탄화규소반도체장치.
  8. 제8항에 있어서, 상기한 SiC영역(12)(13), (22)(23)또는 상기한 질화금속으로 이루어진 전극(16a)(16b), (26a)(26b)이 접촉하는 상기한 탄화규소기판(21)의 표면층부분에 형성된 상기한 질소농후층(12a)(13a), (22a)(23A)은 두께가 적어도 20Å이고 질소밀도가 적어도 1×1020/㎤인 탄화규소반도체장치.
  9. P형 탄화규소기판(11)위에 N형 소오스/드레인 SiC영역(12), (13)을 형성하는 단계와, 상기한 소오스/드레인 SiC영역(12), (13) 사이의 상기한 탄화규소기판(11)위에 절연필름(14a)을 형성하는 단계와, 상기한 절연필름(14a)위에 게이트전극(15)을 형성하는 단계와, 상기한 게이트전극(15)과 상기한 소오스/드레인 SiC영역(12), (13)위에 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN중이 어느 하나로 이루어진 질화금속층(16c), (16a), (16b)을 형성하는 단계와, 상기한 질화금속층(16c), (16a), (16b)위에 연결부(17c), (17a), (17b)를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기한 질화금속층(16a), (16b)을 형성할때, 상기한 질소농후층 형성단계는 상기한 질소농후층(12a), (13a)을 상기한 소오스/드레인 SiC영역(12), (13)의 표면층부분위에 형성하는 것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기한 질소농후층 형성단계는 상기한 질화금속층(16c), (16a), (16b)을 Ti, Zr, Hf, V, Ta 중의 어느하나로 이루어진 금속목표물 또는 TiN, ZrN, HfN, VN, TaN 중의 어느하나로 이루어진 질화금속목표물을 이용하여 스퍼터링법에 의해 질소분위기에서 형성하는 것을 특징으로 하는 탄화규소반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950014680A 1994-06-07 1995-06-03 탄화규소반도체장치와 그 제조방법 KR0153878B1 (ko)

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