KR970077522A - 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법에 관한 것으로, 소자의 동작시 누설 전류의 발생을 방지하기 위하여 티타늄막 및 TiON막을 순차적으로 형성한 후 열처리 공정을 실시하여 상기 TiNO막의 밀도를 증가시키므로써 소자의 동작시 누설 전류의 발생이 방지되며, 고전압 공급시에도 소자의 신뢰성이 유지될 수 있다. 따라서 콘택 홀이 0.5㎛이하의 크기로 형성되는 고집적 소자의 제조 공정에 적용하므로써 소자의 수율이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성한 후 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 노출된 상기 실리콘 기판상에 성장된 자연 산화막을 제거시키기 위하여 세정 공정을 실시한 후 전체 상부면에 티타늄막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 티타늄막상에 TiNO막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 TiON막이 완전한 조성비를 갖도록 열처리하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 공정은 100:1 BOE용액을 이용하여 100 내지 300초동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 티타늄막은 300 내지 1000A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 TiNO막은 200 내지 300℃의 온도에서 500 내지 1500A의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 TiNO막은 산소 및 질소 가스가 공급되는 분위기하에서 티타늄을 증착하므로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 공급되는 산소 및 질소 가스의 량은 10 내지 50SCCM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열처리는 400 내지 450℃의 온도 및 산소와 질소 가스가 공급되는 분위기하에서 25 내지 35분동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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