KR970060479A - 반도체장치 - Google Patents
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Abstract
SUB 배선이 칩의 외주상에 형성된 공통방전선의 외주상에서 후부에 평행하게 설치된다. 전압 클램프소자 및 다이오드소자 만이 정전보호소자로서 공통방전선에 접속된다. 공통방전선은 부유상태에 놓여 내전압을 상승시킨다. 반면에, SUB 배선, 트랜지스터로 이루어지는BBG 회로와 같은 부가회로 등이 접속되어 후부를 기판에 접속한다. 이러한 두 개의 배선으로, 공통방전선의 폭이 좁아져서 칩면적의 증가를 억제할 수 있다. 이에 의해, 정전파괴에 대한 내전압이 상승되며 칩영역의 증가가 억제될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 반도체장치의 바람직한 실시예의 회로도.
Claims (6)
- 반도체기판상에 형성된 반도체 집적회로에 접속된 복수개의 단자, 보호소자로서 일방이 상기 각 단자의 일방에 각각 접속된 복수개의 전압 클램프소자 및 복수개의 다이오드소자, 상기 전압 클램프소자 및 상기 다이오드소자의 타방에 공통접속되며, 금속배선으로 형성되며, 상기 반도체 기판에 대해 부유상태에 있는 공통방전선, 상기 반도체기판에 역바이어스를 인가시키는 역바이어스 발생회로를 포함하는 부가회로, 및 터널배선을 통해 상기 역바이어스 발생회로를 포함하는 상기 부가회로에 접속되며, 상기 공통방전선과는 독립한 금속배선의 SUB 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 공통방전선 및 상기 SUB 배선은 서로 병렬로 배선되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 SUB 배선은 상기 역바이어스 발생회로와 같은 상기 부가회로에만 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제1항에 있어서, 상기 공통방전선 및 상기 SUB 배선은 상기 전압 클램프소자, 상기 복수개의 다이오드소자, 및 복수개의 단자의 외측에 및 칩의 외주를 따라 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 제4항에 있어서, 상기 SUB 배선은 상기 공통방전선의 외측에 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
- 반도체기판상에 형성된 반도체 집적회로에 접속된 복수개의 단자, 보호소자로서 일방이 상기 각 단자의 일방에 각각 접속된 복수개의 전압 클램프소자 및 복수개의 다이오드소자, 상기 전압 클램프소자 및 상기 다이오드소자의 타방에 공통접속되며, 금속배선으로 형성되며, 상기 반도체 기판에 대해 부유상태에 있는 공통방전선, 상기 반도체기판에 역바이어스를 인가시키는 역바이어스 발생회로를 포함하는 부가회로, 및 터널배선을 통해 상기 역바이어스 발생회로를 포함하는 상기 부가회로에 접속되며, 상기 공통방전선의 외측에 평행하게 놓이며, 상기 공통방전선과는 독립한 금속배선의 SUB 배선을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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