KR960005986A - 반도체 집적회로장치 - Google Patents

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Abstract

복수의 도립한 전원공급단자에서 동작전압이 각각 공급하고, 신호전달을 행하는 인터페이스를 가진 복수로 되는 전자회로를 가진 반도체 집적회로장치에 있어서, 상기 복수로 되는 전원공급단자 상호간에 각각 교대로 통상의 전원공급 상태에서는 오프상태로 되는 높은 드레시홀드치 전압을 갖게된 보호소자를 설치하고, 또는 이러한 전자회로 사이의 신호전달을 행하는 인터페이스부의 입력 MOSFET의 게이트에 정전파괴 방지용의 저항과 다이오드를 접속한다. 반도체 집적회로장치의 핸들링시 등에 있어서 각 전원단자에 정전기에 의해 고전압이 인가되어도 상기 보호 소자 또는 사이기 저항과 다이오드로 되는 정전파괴 방지회로에 의해 인터페이스에서의 정전파괴를 방지할 수 있다.

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 반도체 집적회로장치의 일실시예를 나타내는 블록도이다.
제5도는 본 발명에 관한 반도체 집적회로장치에서 인터페이스부의 일실시예를 나타내는 회로도이다.

Claims (20)

  1. 복수의 독립한 전원공급단자에서 동작전압이 각각 공급되고, 신호전달을 행하는 인터페이스를 가진 복수로 되는 전자회로와, 상기 복수로 되는 전원공급단자의 상호간에 각각 설치되어 통상의 전원공급 상태에서는 오프상태로 되는 높은 드레시홀드치 전압을 갖게 된 일방향성 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  2. 제1항에 잇어서, 상기 전자회로는 MOSFET로 구성된 것이고, 상기 일방향성 소자는 게이트 절연막이 필드절연막을 이용해서 형성된 기생 MOSFET의 게이트와 드레인을 접속한 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  3. 제2항에 있어서, 상기 기생 MOSFET의 게이트는 알루미늄 배선을 이용해서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  4. 복수의 독립한 전원공급단자에서 동작전압이 각각 공급되고, MOSFET로 구성된 전자회로아 상기 전자회로 사이에서 신호의 전달을 행하는 인터페이스부를 구비하고, 상기 인터페이스부의 입력측에 위치하는 MOSFET의 채널길이를 길게함과 동시에, 단일 드레인 구조로 해서 신호전달경로에 저항소자를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  5. 복수의 독립한 전원공급단자에서 동작전압이 각각 공급되고, MOSFET로 구성된 전자회로아 상기 전자회로 사이에서 신호의 전달을 행하는 인터페이스부를 구비하고, 상기 인터페이스부의 입력측에 위치하는 MOSFET의 게이트에 전원측 또는 회로의 접지전위측에 적어도 한쪽에 정전파괴용의 보호다이오드를 설치함과 동시에, 신호 전달경로에 저항소자를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  6. 제5항에 있어서, 상기 인터페이스부의 입력측에 위치하는 MOSFET와 보호다이오드를 구성하는 MOSFET는 채널길이를 길게함과 동시에 단일드레인 구조로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  7. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 제1회로 및 제2회로와 상기 반도체 기판사에 형성되어 상기 제1회로에 제1동작전압을 공급하는 제1전원단자와, 상기 반도체 기판상에 형성되어 상기 제2회로에 제2동작전압을 공급하는 제2전원단자와 상기 반도체 기판상에서 상기 제1전원단자와 상기 제2전원단자 사이에 형성된 보호소자를 구비하고 상기 보호소자는 제1 및 제2동작전압보다도 높은 드레시홀드치 전압을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1전원단자에서 접속되어 상기 제1회로내로 연장되는 제1전원배선과 상기 제2전원단자에 접속되어 상기 제2회로내로 연장되는 제2전원배선을 더 구비하고, 상기 반도체 기판상에서 상기 제1전원배선과 상기 제2전원배선은 전기적으로 독립하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1회로 및 제2회로는 복수의 MOSFET를 가지고, 상기 MOSFET각각은 상기 반도체 기판표면에 형성된 필드 절연막으로 둘러싸인 영역내에 형성된 소오스 및 드레인 영역, 게이트 전극 및 게이트 절연막으로 구성되며, 상기 게이트 절연막은 상기 필드 절연막보다도 막두께가 작은 것을 특징으로 으로 하는 반도체 집적회로장치
  10. 제9항에 있어서, 상기 보호소자는 상기 반도체 기판표면에 형성된 필드절연막과 상기 필드 절연막의 양단에 형성된 한상의 반도체 영역과 상기 필드 절연막상에 형성된 게이트 전극으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  11. 제11항에 있어서, 상기 보호소자의 게이트 전극은 상기 한상의 반도체 영역의 한쪽에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  12. 제11항에 있어서, 상기 보호소자의 게이트 전극은 알루미늄으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  13. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성되어 제1회로 및 제2회로와, 상기 반도체 기판상에 형성되어상기 제1회로에 제1동작전압을 공급하는 제1전원단자와, 상기 반도체 기판상에 형성되어 상기 제2회로에 제2동작전압을 공급하는 제2전원단자와, 상기 제1전원단자에 접속되어 상기 제1회로 내로 연장되는 제1전원배선과 상기 제1회로내로 연장하는 제1기준전압배선과 상기 제2전원단자에 접속되어 상기 제2회로 내로 연장되는 제2전원배선과 상기 제2회로내로 연장되는 제2기준전위배선과 상기 제1회로내에서 상기 제1전원배선과 상기 제1기준전위배선 사이에 직렬로 접속된 제1 및 제2MOSFET와, 상기 제2회로내에서 상기 제2전원배선과 상기 제2기준전위 배선사이에 직렬로 접속된 제3 및 제4MOSFET와, 상기 제1, 제2 및 제4MOSFET에 접속되어 상기 제1회로의 출력신호를 상기 제2회로로 전달하기 위한 신호배선을 구비하고, 상기 제1전원배선과 상기 제2전원배선과는 상기 반도체 기판상에서 전기적으로 독립하고, 상기 신호배선의 일부에는 저항소자가 포함되는것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제4MOSFET의 게이트 길이는 상기 제2MOSFET의 게이트 길이보다도 길게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  15. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 제1회로 및 제2회로와, 상기 반도체 기판상에 형성되어 상기 제1회로에 제1동작전압을 공급하는 제1전원단자와 상기 반도체 기판상에 형성되어 상기 제2회로에 제2동작전압을 공급하는 제2전원단자와, 상기 제1전원단자에 접속되어 상기 제1회로내로 연장되는 제1전원배선과,상기 제1회로내로 연장되는 제1기준전압배선과, 상기 제2전원단자에 접속되어 상기 제2회로내로 연장되는 제2너배선과 상기 제2회로내로 연장되는 제2기준전위배선과 사이기 제1회로내에서 상기 제1전원배선과 상기 제1기준전위 배선사이에서 직렬로 접속된 제1및 제2MOSFET와, 상기 제2회로내에서 상기 제2전원배선과 상기제2기준전위 배선사이에 직렬로 접속된 제3 및 제4MOSFET와 상기 제1,제2 및 제4MOSFET에 접속되어 상기 제1회로의 출력신호를 상기 제2회로에 전달하기 위한 신호배선을 구비하고, 상기 제1전원배선과 상기 제2전원배선과는 상기 반도체 기판상에 전기적으로 독립하고, 상기 신호배선과 상기 제2기준전위 배선 사이에 접속된 보호소자로서 상기 보호소자는 상기 신호배선에 과전압이 인가된 경우 상기 제4MOSFET의 파괴를 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치
  16. 제15항에 있어서, 상기 신호배선은 상기 제3MOSFET에도 접속되고, 상기 제3MOSFET는 P채널형 MOSFET이며 상기 제4MOSFET는 N채널형 MOSFET인 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  17. 제15항에 있어서, 상기 보호소자는 N채널형 MOSFET로 구성되어 있고, 상기 MOSFET의 게이트 전극은 상기 제2기준전위 배선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  18. 제17항에 있어서, 상기 신호배선과 상기 제2전원배선 사이에 접속된 보호소자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  19. 제18항에 있어서, 상기 보호소자는 N채널형 MOSFET로 구성되어 있고, 상기 MOSFET의 게이트 전극은 상기 신호배선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
  20. 제18항에 있어서, 상기 보호소자는 P채널형 MOSFET로 구성되어 있고, 상기 MOSFET의 게이트 전극은 상기 제2전원 배선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950021180A 1994-07-21 1995-07-19 반도체 집적회로장치 KR960005986A (ko)

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