KR940004782A - 턴오프 고전력 반도체 컴포넌트 - Google Patents

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Abstract

고전력 반도체 컴포넌트에 있어서, 압력이 인가될 수 있는 원판 모양의 캐소우드 접점(40)과 압력이 인가될 수 있는 원판 모양의 애노드(5) 접점 사이의 환상 절연 하우징(10)에 동심으로 배치되고, 게이트 접점(7,21)에 의해 캐소우드 접점측 상에 접촉되고, 상기 캐소우드 접점(4)은 제1덮개부리드를 통하여 절연 하우징(17)의 일단에 접속되고 상기 애노드 접점(5)은 제2덮개부(11b)를 통해 절연 하우징(70)의 타단에 접속되는 원판 모양의 반도체 기판(2)을 구비하고, 밀봉 컴포넌트(1)는 외측으로 형성되며, 상기 게이트 접점(7)은 외측으로 도출된 게이트 리드(8)를 통해 게이트 전류를 공급받을 수 있고, 게이트 리드(8)는 회전식 대칭이고 캐소우드 접점(4)에 대해 동심으로 배치되고 단일 절연체에 의해 캐소우드 접점(4)과 전기적으로 분리되는 결과로 인해 게이트 유닛으로의 접속이 종래의 컴포넌트와 비교하여 최소한의 변화로서 낮은 인덕턴스를 가지고 실현된다.

Description

턴오프 고전력 반도체 컴포넌트
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 환상(annular)게이트 접점과 절연 하우징과 캐소우드 접점 사이에 도출된 환상의 게이트 리드를 구비하는, 본 발명에 따른 컴포넌트에 대한 제1실시예의 단면을 토시한다.
제2도는 스트립 도체(strip conductor)의 형태로 게이트-캐소우드 회로의 공급도체(supply conductor)를 갖는 제1도의 컴포넌트를 도시한다.
제3도는 환상 게이트 접점과 절연 하우징을 통해 길이 방향으로 도출된 환상 게이트 리드를 구비하는, 본 발명에 따른 컴포넌트의 제2실시예의 단면을 도시한다.
제4도는 환상 게이트 접점과 캐소우드 접점을 통하여 상향으로 도출된 환상 게이트 리드를 구비하는, 본 발명에 따른 컴포넌트의 제3실시예의 단면을 도시한다.

Claims (14)

  1. 압력이 인가될 수 있는 원판 모양의 캐소우드 접점과 압력이 인가될 수 있는 원판 모양의 애노드 접점 사이의 환상 절연 하우징에 동심(同心)으로 배치되고, 게이트 접점에 의해 캐소우드 접점측 상에 접촉되어 있는 원판모양의 반도체 기판을 구비하고, 상기 캐소우드 접점은 제1덮개부(1id)를 통하여 절연 하우징의 일단에 접속되고 상기 애노드 접점은 제2덮개부를 통하여 절연 하우징의 타단에 접속되며, 외향으로 기밀 봉지된 컴포넌트가 형성되며, 상기 게이트 접점이 외측으로 도출된 게이트 리드(lead)를 통해 게이트 전류를 공급받을 수 있는, 특히 GTO 형태의 턴, 오프 고전력 반도체 컴포넌트에 있어서, (a) 상기 게이트 리드가 회전식으로 대칭이며 캐소우드 접점에 대해 동심으로 배치되고, (b) 상기 게이트 리드가 단일 절연체에 의해 캐소우드 접점과 전기적으로 절연되는 턴오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  2. 제1항에 있어서, (a) 상기 게이트 접점이 환상이고, (b) 상기 게이트 리드가 마찬가지로 환상이고 컴포넌트로 부터 도출되는 턴오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게이트 접점이 약간 떨어져서 동심으로 캐소우드 접점을 둘러싸는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  4. 제3항에 있어서, (a) 상기 게이트 리드는 캐소우드 접점과 절연 하우징 사이에서 컴포넌트로 부터 도출되며, (b) 상기 게이트 리드는 게이트 접점을 제1덮개부에 직접 접속하고, (c) 상기 제1덮개부는 캐소우드 접점을 동심으로 둘러싸는 개재된 절연링에 의해 캐소우드 접점으로 부터 전기적으로 절연되는 턴 오프 고전력 반도체 반도체 컴포넌트.
  5. 제4항에 있어서, 상기 절연링이 세라믹으로 구성되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  6. 제4항에 있어서, 상기 절연링과 상기 캐소우드 접점이 금속 결합링에 의해 결함되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  7. 제4항에 있어서, 상기 두개의 덮개부와 상기 게이트 리드가 금속 시트로 구성되고, 상기 게이트 리드는 냉간 용접에 의해 제1덮개부의 내측상의 제1덮개부에 결합되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  8. 제4항에 있어서, (a) 게이트 접속과 캐소오드 접속을 제공하기 위해, 양측상에 메탈라이제이션부가 갖추어진 절연 시트를 구비한 스트립 도체가 제공되고, (b) 상기 스트립 도체는 캐소우드 측상의 컴포넌트까지 이르고, 제2메탈라이제이션부는 컴포넌트와 면하며, (c) 상기 절연 시트의 상기 제2메탈라이제이션부는 제1메탈라이제이션부가 캐소우드 접점과 직접 접촉하고 캐소우드 접속을 헝성하는 식으로 캐소우드 접점 영역의 스트립 도체로 부터 제거되고, (d) 상기 제2메탈라이제이션부는 제1덮개부에 전기적으로 직접 접속되고 게이트 접속을 형성하는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스트립 도체의 절연 시크는 폴리이미드로 구성되고, 상기 두개의 메탈라이제이션부는 Cu로 구성되고, 제2메탈라이제이션부는 제1덮개부에 땜납되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  10. 제3항에 있어서, 상기 절연 하우징은 상부 하우징과 하부 하우징으로 세분되고, 상기 게이트 리드는 상기 상부 및 하부 하우징 사이에서 컴포넌트로 부터 도출되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  11. 제2항에 있어서, (a) 상기 캐소우드 접점은 내부 접촉 원판과 약간 떨어져서 내부 접촉 원판을 동심으로 둘러싸는 외부 접촉링으로 세분되고, (b) 상기 내부 접촉 원판과 상기 외부 접촉링 사이에서 절연되는 식으로 배치되고, (c) 상기 게이트 리드는 상기 내부 접촉 원판과 상기 외부 접촉링 사이에서 절연되는 식으로 컴포넌트로 부터 도출되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  12. 제11항에 있어서, 상기 게이트 리드는 내부 접촉 원판과 상기 외부 접촉링 사이의 절연 물질에 의해 절연되는 식으로 구현된 접촉링에서의 캐소우드 측상에서 종료되는 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  13. 제1항에 있어서, (a) 상기 게이트 접점은 중심 게이트 접점이며, (b) 상기 게이트 리드는 중심에서 캐소우드 접점을 통해 컴포넌트로 부터 도출되고, 캐소우드 접점의 축과 평행한 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
  14. 제1항 내지 13항중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 접점은 압력 접점이고, 상기 게이트 리드는 탄력 디자인인 턴 오프 고전력 반도체 컴포넌트.
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