JP4781560B2 - ゲートドライブ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、GCT半導体装置及びそのゲートドライブ装置に関し、特に、ゲート転流型ターンオフサイリスタをパッケージ内に封止したGCT半導体装置及びそのゲートドライブ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図8は、ゲート転流型ターンオフサイリスタ(Gate Communicated Turn-off Thyristor、以下「GCTサイリスタ」と呼ぶ。)510を組み込んだ、全体が500で示されるサイリスタユニットの概略図である。GCTサイリスタ510は、GCTサイリスタ510の周囲に設けられ複数のねじでゲートドライブ装置530に接続された積層基板520上にねじ止めされている。ゲートドライブ装置530から送られる制御信号は、積層基板520を介してGCTサイリスタ510に送られる。
GCTサイリスタ510は、積層体540、空冷フィンを有するヒートシンク550等とともにスタック560に組み込まれて、ねじ570により締めつけられ圧接されている。
【0003】
また、図9は、サイリスタユニット500に組み込まれた、従来のGCTサイリスタ510の断面図である。
GCTサイリスタ510は、GCTサイリスタ素子や電極が形成されたシリコン基板からなるエレメント511を含む。エレメント511の上には、モリブデンからなるカソード板512、銀からなる挿入板514、銅からなる陰極516が積層されている。また、エレメント511の下には、モリブデンからなるアノード板513、銀からなる挿入板515、銅からなる陽極517が積層されている。
また、エレメント511の周囲には、モリブデンからなるリングゲート518が設けられている。ゲートリング518は、エレメント511に形成されたGCTサイリスタ素子(図示せず)のゲートに接続される。更に、エレメント511を囲むように、セラミックの絶縁体519が設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図8に示すように、従来のサイリスタユニット500では、GCTサイリスタ510を積層基板520上に複数のねじで接続する必要があるため、取り付け作業に長い時間が必要であった。
また、GCTサイリスタ510は圧接構造であるため、図8のようにGCTサイリスタ510をスタック570に組み込んで、ボルト570で締めなければならなかった。また、GCTサイリスタ510等の交換時にはボルト570を緩める必要があり、保守作業が煩雑であった。特に、ボルト570の締めつけ、取り外しには大きなトルクを必要とし、特殊な工具を使用する必要があった。
更に、ゲートドライブ装置530に設けられた積層基板520上に、直接GCTサイリスタ510が取り付けられるため、GCTサイリスタ510を水冷した場合に積層基板520上に結露するという問題があった。このため、冷却手段として、水冷に比較して冷却効率の低い空冷しか使用できなかった。
【0005】
そこで、本発明は、ゲートドライブ装置やヒートシンクへの取り付けが容易であり、また、GCTサイリスタの水冷が可能なゲート転流型半導体装置(以下、「GCT半導体装置」と呼ぶ。)の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、GCTサイリスタを備えたGCT半導体装置であって、GCTサイリスタ素子が形成されたエレメントと、該エレメントを挟むように積層されたアノード板及びカソード板とを含むGCTサイリスタと、該GCTサイリスタを押圧して固定する圧接手段と、該GCTサイリスタを封入するパッケージと、該パッケージに設けられ該GCTサイリスタのゲートをゲートドライブ装置に接続する接続手段とを含むことを特徴とするGCT半導体装置である。
かかるGCT半導体装置では、パッケージに設けた接続手段にゲートドライブ装置を接続するため、ゲートドライブ装置の取り付けが容易となり、取り付け作業も短時間で行える。
また、予め圧接されたGCTサイリスタがパッケージ内に封止された構造を有するため、ヒートシンク等への取り付け、取り外しを容易に行うことができる。
また、GCT半導体装置の外部にゲートドライブ装置が取り付けられるため、GCT半導体装置を水冷式ヒートシンクに取り付けて冷却しても、ゲートドライブ装置上には結露しない。
【0007】
更に、本発明は、上記パッケージ内に還流ダイオードを含むことを特徴とするGCT半導体装置でもある。
このように、パッケージ内に還流ダイオードを含むことにより、別途、還流ダイオードを接続する必要がなくなり、構造を簡略化できる。
【0008】
更に、本発明は、上記エレメントに還流ダイオードが形成されたことを特徴とするGCT半導体装置でもある。
このように、GCTサイリスタ素子と還流ダイオード素子をエレメント上に集積形成することにより、更にGCT半導体装置を小型化できる。
【0009】
上記還流ダイオードのアノードと上記GCTサイリスタのカソード、及び該還流ダイオードのカソードと該GCTサイリスタのアノードが、それぞれ接続されたものでもある。
【0010】
上記圧接手段は、底部プレートと上部プレートとを含み、該底部プレートと該上部プレートとの間に上記GCTサイリスタを挟み、該GCTサイリスタを押圧した状態で該底部プレートと該上部プレートとを固定する手段であることが好ましい。
このように、予め、GCTサイリスタを押厚して固定しておくことにより、GCT半導体装置の取り付けを容易に行える。
【0011】
上記パッケージは、上記底部プレートと、該底部プレート上に固定されて、上記GCTサイリスタを封入する樹脂キャップとを含むことが好ましい。
この結果、例えば、IGBT半導体装置のように、取り扱いが容易となる。
【0012】
上記パッケージ内にシリコンゲルを含み、少なくとも上記エレメントが該シリコンゲルに封入されたことが好ましい。エレメントの防湿を図るためである。
【0013】
上記接続手段が、略平行な一組の面を有する絶縁板と、該絶縁板の一の面に設けられ上記GCTサイリスタのゲートと接続されたゲート端子板と、該絶縁板の他の面に設けられ該GCTサイリスタのカソードと接続されたカソード端子板とを含み、上記パッケージから突出して設けられたことが好ましい。
かかる接続手段を設けることにより、ゲートドライバ装置の取り付け、取り外しを容易に行うことができるからである。
【0014】
上記ゲート端子板と上記カソード端子板は、非磁性材料からなることが好ましい。
両端子板の間に高周波電流を流した場合の誘導加熱により、接続手段が加熱されるのを防止するためである。
【0015】
また、本発明は、請求項8に記載のGTCサイリスタの接続手段に接続されるゲートドライブ装置であって、ゲートドライブ回路が設けられた基板と、該基板の両面にそれぞれ設けられたゲート接続板及びカソード接続板とを含み、該ゲート接続板と上記接続手段のゲート端子板、及び該カソード接続板と上記接続手段のカソード端子板が、それぞれ接続されたことを特徴とするゲートドライブ装置でもある。
かかるゲートドライブ装置を用いることにより、GCT半導体装置とゲートドライブ装置の取り付け、取り外しを容易に行えるからである。
【0016】
上記ゲート端子板と上記カソード端子板が、上記絶縁板の略膜厚方向に延びた平坦部をそれぞれの端部に備え、上記ゲート接続板と上記カソード接続板が、上記基板の略膜厚方向に延びた平坦部をそれぞれの端部に備え、これらの平坦部が突き合わされて接続せれることが好ましい。
【0017】
また、上記ゲート端子板と上記カソード端子板が貫通孔を備え、上記ゲート接続板と上記カソード接続板がねじ孔を備え、該貫通孔を通したねじを該ねじ孔に固定して、それぞれの端子板と接続板とが接続されることが好ましい。
【0018】
また、上記ゲート端子板と上記カソード端子板が、上記基板の略膜厚方向に撓む板ばねをそれぞれ含み、該ゲート端子板と該カソード端子板との間に上記接続手段を挟んで固定することが好ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
図1は、全体が100で表される、本実施の形態にかかるゲート転流型半導体装置(GCT半導体装置)と、全体が200で表される、本実施の形態にかかるゲートドライブ装置の概略図である。GCT半導体装置100は、全体が300で表されるヒートシンクの上に固定される。また、図2は、図1に示すGCT半導体装置100の、I−I方向の断面図である。
【0020】
図2に示すように、GCT半導体装置100は、GCTサイリスタをパッケージに封止した構造である。GCTサイリスタは、ゲート転流型サイリスタ素子等(図示せず)が表面に形成されたシリコンからなるエレメント1を含む。エレメント1の上には、モリブデンからなるアノード板2、アノード端子3、絶縁板4が積層されている。また、エレメント1の下には、モリブデンからなるカソード板5、カソード主端子6、絶縁体9が積層されている。
このように、シリコンからなるエレメント1と接触する部分には、熱膨張係数がシリコンと比較的近く、かつ、電気伝導度や熱伝導度の高いモリブデンを用いることが好ましい。
【0021】
エレメント1の周囲には、モリブデンからなるリング状のゲートリング10が設けられている。ゲートリング10が、エレメント1に設けられたGCTサイリスタ素子のゲート部(図示せず)と所定の圧力で接するように、ゲートリング10の下にはばね部11が設けられている。ばね部11とゲートリング10との間には、更にゲートリング10と電気的に接続されたゲート端子13が設けられている。また、カソード板5とカソード主端子6との間には、カソード補助端子12が設けられている。
カソード板5、カソード補助端子12と、ゲートリング10、ゲート端子13との間には絶縁ベルト9が設けられて、ゲート/カソード間の短絡を防止している。また、カソード補助端子12とゲート端子13との間には絶縁板14が設けられている。
【0022】
積層されたエレメント1等からなるGCTサイリスタは、絶縁板7を介して樹脂性のベースプレート18上に載置され、更に、絶縁板4の上にはばね15を介してプレート16が載置される。このような状態でボルト17を締めて、ベースプレート18にプレート16を固定する。この結果、ベースプレート18上に、圧接力がかかった状態でエレメント1、アノード板4、カソード板5等が圧接されることとなる。
ベースプレート18上には、樹脂ケース1が被せられ、GCTサイリスタを封止する。防湿のために、少なくとも、ベースプレート18の表面からエレメント1を超える高さまでは、シリコンゲル(図示せず)が注入される。
【0023】
一方、カソード補助端子(カソード端子板)12、ゲート端子(ゲート端子板)13は、例えば、銅等の非磁性材料から形成される。これにより、カソード補助端子12、ゲート端子13間に、ゲートドライブ装置200から高周波信号が送られた場合に、カソード補助端子12等が誘導加熱により加熱するのを防止できる。
また、カソード補助端子12と、ゲート端子13とは、ゲートドライバ回路のインダクタンスを軽減するために、平行に配置され、両者の間隔は数mm程度であることが好ましい。
【0024】
上述のように、図1は、かかるGCT半導体装置100の外観であり、41、42はそれぞれアノード外部端子、カソード外部端子を示す。GCT半導体装置100は、樹脂ケース19中にエレメント1等を含むGCTサイリスタが封止され、更に、樹脂ケース19の側面から突出した、カソード補助端子(カソード端子板)12と、ゲート端子(ゲート端子板)13等からなる接続部43を有する。
かかるカソード補助端子12、ゲート端子13には、ゲートドライブ装置200のカソード端子52、ゲート端子53が電気的に接続されることとなる。
なお、ゲートドライブ装置200のカソード端子52、ゲート端子53は、積層基板26に設けられた配線(図示せず)を介して、筐体50中の制御回路(図示せず)に接続されている。なお、ゲートドライブ装置200の構造については後述する。
【0025】
このように、本実施の形態にかかるGCT半導体装置100では、ゲートドライブ装置200とGCT半導体装置100との接続を、GCT半導体装置100の外部に設けた接続部43で行うため、ゲートドライブ装置200の取り付けが容易となり、取り付け作業も短時間で行える。
【0026】
また、本実施の形態にかかるGCT半導体装置100では、プレート16とベースプレート18との間で圧接されたGCTサイリスタが、樹脂ケース19で封止された構造を有する。このため、従来のように、GCTサイリスタをヒートシンクに圧接する必要がなくなり、単にGCT半導体装置100をヒートシンク上に固定するだけでよい。従って、ヒートシンクへの取り付け、取り外しを容易に行うことができる。
【0027】
また、GCT半導体装置100の外部にゲートドライブ装置200が取り付けられるため、GCT半導体装置100を水冷式ヒートシンクに取り付けて冷却しても、ゲートドライブ装置200上には結露しない。
【0028】
実施の形態2.
図3に、全体が110で表される、本実施の形態にかかるGCT半導体装置の断面図を示す。図1と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
GCTサイリスタは、負荷に供給される電流の遮断/接続を反復して行う電力用スイッチング半導体素子である。特に、逆耐圧が数10ボルト程度と比較的小さい逆導通型GCTサイリスタでは、GCTサイリスタを保護するために、GCTサイリスタに逆電圧が印加された場合に負荷電流をバイパスさせる還流ダイオードを接続することが好ましい。
【0029】
GCT半導体装置110では、一のベースプレート上に、GCTサイリスタと還流とが設けられている。
還流ダイオードは、還流ダイオードが形成されたシリコンからなるエレメント21とその上下に設けられた、それぞれがモリブデンからなるカソード板20、アノード板22を含む。
カソード板20の上、アノード板22の下には、GCTサイリスタと共通のアノード端子3、カソード端子6が設けられている。また、絶縁板4上には、ばね23が設けられている。共通のアノード端子3、カソード端子6により、GCTサイリスタのアノード板2と還流ダイオードのカソード板20、GCTサイリスタのカソード板5と還流ダイオードのアノード板22が、それぞれ電気的に接続されることとなる。
【0030】
ベースプレート18と、プレート16とを、ボルト17で締めることにより、ベースプレート18上に、GCTサイリスタと還流ダイオードとが、圧接されて固定される。
【0031】
GCT半導体装置110では、上述のGCT半導体装置100が有する効果に加えて、GCTサイリスタと還流ダイオードとをGCT半導体装置110に含むため、別途、還流ダイオードを設ける必要がなく、機器の小型化、低価格化が可能となる。
【0032】
実施の形態3.
図4に、全体が120で表される、本実施の形態にかかるGCT半導体装置の断面図を示す。図1と同一符号は、同一又は相当箇所を示す。
GCT半導体装置120では、シリコンからなるエレメント31上に、GCTサイリスタ素子に加えて、還流ダイオード素子も形成されている。従って、エレメント31以外の構成は、上述のGCT半導体装置100と同じであるが、GCT半導体装置120では、還流ダイオードによりGCTサイリスタが保護される構造となっている。
【0033】
このように、エレメント31がGCTサイリスタ素子に加えて還流ダイオード素子を含むことにより、上述のGCT半導体装置110を更に小型化できる。
【0034】
実施の形態4.
図5は、本実施の形態にかかる、GCT半導体装置100とゲートドライブ装置200との接続部分の断面図であり、図1のII−II方向の断面図に相当する。図中、左側がGCT半導体装置100側であり、右側がゲートドライブ装置200側である(以下の図6、7においても同じ。)。
【0035】
上述のように、GCT半導体装置100は、樹脂ケース19から外部に突出した、絶縁板14及びその上下に設けられたカソード補助端子12、ゲート端子13からなる接続部43を有する。更に、ゲート端子13とカソード補助端子12は、絶縁板14の略膜厚方向(図5では、上下方向)に延びた平坦部をそれぞれの端部に備える。かかる平坦部は、例えば、カソード補助端子12等を折り曲げて形成される。
同様に、ゲートドライバ装置200のゲート接続板53、カソード接続板52も、積層基板54の略膜厚方向(図5では、上下方向)に延びた平坦部を端部に備える。
【0036】
そして、図5に示すように、これらの平坦部が互いに突き合わされるように、カソード補助端子12とカソード接続板52、ゲート端子13とゲート接続板53が接続され、例えば、ねじ51により両者が固定される。
【0037】
なお、図5に示すように、絶縁板14の端部は、カソード補助端子12とゲート端子13から突出し、一方、カソード接続板52、ゲート接続板53は、積層基板54から突出していることが好ましい。これにより、絶縁板14の先端部を、カソード接続板52とゲート接続板53との間に嵌めこんだ状態で、GCTサイリスタ装置100の接続部43と、ゲートドライブ装置200とが接続され、接続作業が容易となるとともに、接続強度も大きくなる。
【0038】
このように、本実施の形態にかかるGCTサイリスタ装置100とゲートドライブ装置200を用いることにより、従来の構造に比較して両者の接続が簡単になる。
【0039】
実施の形態5.
図6は、本実施の形態にかかる、GCT半導体装置100とゲートドライブ装置200との接続部分の断面図である。接続部43のカソード補助端子32とゲート端子33とは、先端部においてクランク形状となっている(図6参照)。また、かかる先端部には貫通孔(図示せず)が設けられている。
一方、積層基板54上には、端子台55が、例えば半田等で固定されている。
端子台55にはねじ孔(図示せず)が設けられている。
【0040】
図6に示すように、クランク形状のカソード補助端子32とゲート端子33が、端子台55に重ねられる。かかる状態で、カソード補助端子32とゲート端子33に設けられた貫通孔を通して、ねじ56が端子台55のねじ孔にねじ込まれて、カソード補助端子32等と端子台55とが固定される。
【0041】
なお、カソード補助端子32、ゲート端子33の先端部は、絶縁板14の先端部より突出していることが好ましい。
また、カソード補助端子32等と積層基板54上の回路との電気的接続は、端子台55を介して行なわれても、カソード補助端子32とゲート端子33との間に差し込まれた積層基板54で行なわれても構わない。
【0042】
このように、本実施の形態にかかる構造では、GCTサイリスタ装置100の接続部43にゲートドライブ装置を取り付ける作業が、ねじ孔にねじをねじ込むだけでナットが不要となるため、より簡単な取り付け、取り外しを行うことができる。
【0043】
実施の形態6.
図7は、本実施の形態にかかる、GCT半導体装置100とゲートドライブ装置200との接続部分の断面図である。接続部43は、絶縁板14と、その両面にそれぞれ設けられたカソード補助端子34とゲート端子35とを有する。カソード補助端子34、ゲート端子35の先端部は、絶縁板14の先端部より突出していることが好ましい。
【0044】
一方、積層基板54上には、積層基板54の膜厚方向(図7では上下方向)に撓むカソード接続板58、ゲート接続板57が、例えばねじで固定されている。カソード接続板58、ゲート接続板57は、例えば板ばねからなり、先端部分は、R型であることが好ましい(図7参照)。
【0045】
図7に示すように、カソード接続板58、ゲート接続板57の間に、GCTサイリスタ100側の接続部43を挟みこむことにより、GCTサイリスタ100にゲートドライブ装置200が取り付けられる。
【0046】
カソード補助端子34、ゲート端子35の先端部は、絶縁板14の先端部より突出し、その間に積層基板54が挿入されて固定されることが好ましい。
また、カソード補助端子34、ゲート端子35と積層基板54との電気的接続は、カソード接続板58、ゲート接続板57を介して行なわれても、カソード補助端子34とゲート端子35の間に挿入された積層基板54によって直接行なわれても構わない。
【0047】
このように、本実施の形態にかかる構造では、GCTサイリスタ装置100の接続部43を、カソード接続板58とゲート接続板57の間に挿入するだけで、両者を固定できるため、取り付け作業がより簡単になる。
【0048】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるGCT半導体装置では、GCT半導体装置の外部に設けた接続部にゲートドライブ装置を接続するため、ゲートドライブ装置の取り付けが容易となり、取り付け作業も短時間で行える。
【0049】
また、本発明にかかるGCT半導体装置は、圧接されたGCTサイリスタがパッケージ内に封止された構造を有し、ヒートシンク等への取り付け、取り外しを容易に行うことができる。
【0050】
また、GCT半導体装置の外部にゲートドライブ装置が取り付けられるため、GCT半導体装置を水冷式ヒートシンクに取り付けて冷却しても、ゲートドライブ装置上には結露しない。
【0051】
また、本発明にかかるゲートドライブ装置を用いることにより、GCT半導体装置とゲートドライブ装置との接続を簡単に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1にかかるGCT半導体装置の概略図である。
【図2】 本発明の実施の形態1にかかるGCT半導体装置の断面図である。
【図3】 本発明の実施の形態2にかかるGCT半導体装置の断面図である。
【図4】 本発明の実施の形態3にかかるGCT半導体装置の断面図である。
【図5】 本発明の実施の形態4にかかるGCT半導体装置とゲートドライバ装置との接続部の断面図である。
【図6】 本発明の実施の形態5にかかるGCT半導体装置とゲートドライバ装置との接続部の断面図である。
【図7】 本発明の実施の形態6にかかるGCT半導体装置とゲートドライバ装置との接続部の断面図である。
【図8】 従来のサイリスタユニットの概略図である。
【図9】 従来のGCTサイリスタの断面図である。
【符号の説明】
1 エレメント、2 アノード板、3 アノード端子、4 絶縁板、5 カソード板、6 カソード主端子、7 絶縁板、8、9 絶縁ベルト、10 ゲートリング、11 ばね、12 カソード補助端子、13 ゲート端子、14 絶縁板、15 ばね、16 プレート、17 ボルト、18 ベースプレート、19樹脂ケース、100 GCT半導体装置。
Claims (9)
- GCTサイリスタ素子が形成されたエレメントと、該エレメントを挟むように積層されたアノード板及びカソード板とを含むGCTサイリスタと、
該GCTサイリスタを押圧して固定する圧接手段と、
該GCTサイリスタを封入するパッケージと、
該パッケージに設けられ該GCTサイリスタのゲートをゲートドライブ装置に接続する接続手段とを含み、
該接続手段が、略平行な一組の面を有する絶縁板と、該絶縁板の一の面に設けられ該GCTサイリスタのゲートと接続されたゲート端子板と、該絶縁板の他の面に設けられ該GCTサイリスタのカソードと接続されたカソード端子板とを含み、該パッケージから突出して設けられたGCT半導体装置の、GCTサイリスタの接続手段に接続されるゲートドライブ装置であって、
ゲートドライブ回路が設けられた基板と、該基板の両面にそれぞれ設けられたゲート接続板及びカソード接続板とを含み、
該ゲート端子板と該カソード端子板が、該絶縁板の略膜厚方向に延びた平坦部をそれぞれの端部に備え、該ゲート接続板と該カソード接続板が、該基板の略膜厚方向に延びた平坦部をそれぞれの端部に備え、
これらの平坦部を突き合わされて、該ゲート接続板と該接続手段のゲート端子板、及び該カソード接続板と該接続手段のカソード端子板が、それぞれ接続されることを特徴とするゲートドライブ装置。 - GCTサイリスタ素子が形成されたエレメントと、該エレメントを挟むように積層されたアノード板及びカソード板とを含むGCTサイリスタと、
該GCTサイリスタを押圧して固定する圧接手段と、
該GCTサイリスタを封入するパッケージと、
該パッケージに設けられ該GCTサイリスタのゲートをゲートドライブ装置に接続する接続手段とを含み、
該接続手段が、略平行な一組の面を有する絶縁板と、該絶縁板の一の面に設けられ該GCTサイリスタのゲートと接続されたゲート端子板と、該絶縁板の他の面に設けられ該GCTサイリスタのカソードと接続されたカソード端子板とを含み、該パッケージから突出して設けられたGCT半導体装置の、GCTサイリスタの接続手段に接続されるゲートドライブ装置であって、
ゲートドライブ回路が設けられた基板と、該基板の両面にそれぞれ設けられたゲート接続板及びカソード接続板とを含み、
該ゲート端子板と該カソード端子板が、該基板の略膜厚方向に撓む板ばねをそれぞれ含み、
該ゲート端子板と該カソード端子板との間に該接続手段を挟んで固定することにより、該ゲート接続板と該接続手段のゲート端子板、及び該カソード接続板と該接続手段のカソード端子板が、それぞれ接続されることを特徴とするゲートドライブ装置。 - 上記GCT半導体装置は、上記パッケージ内に還流ダイオードを含むことを特徴とする請求項1または2に記載のゲートドライブ装置。
- 上記GCT半導体装置は、上記エレメントに還流ダイオードが形成されたことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のゲートドライブ装置。
- 上記還流ダイオードのアノードと上記GCTサイリスタのカソード、及び該還流ダイオードのカソードと該GCTサイリスタのアノードが、それぞれ接続されたことを特徴とする請求項3または4に記載のゲートドライブ装置。
- 上記圧接手段が、底部プレートと上部プレートとを含み、該底部プレートと該上部プレートとの間に上記GCTサイリスタを挟み、該GCTサイリスタを押圧した状態で該底部プレートと該上部プレートとを固定する手段であることを特徴とする請求項1または2に記載のゲートドライブ装置。
- 上記パッケージが、上記底部プレートと、該底部プレート上に固定されて、上記GCTサイリスタを封入する樹脂キャップとを含むことを特徴とする請求項6に記載のゲートドライブ装置。
- 上記パッケージ内にシリコンゲルを含み、少なくとも上記エレメントが該シリコンゲルに封入されたことを特徴とする請求項1または2に記載のゲートドライブ装置。
- 上記ゲート端子板と上記カソード端子板が、非磁性材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載のゲートドライブ装置。
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