KR930011000A - 이이피롬 장치 - Google Patents

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KR930011000A
KR930011000A KR1019910021694A KR910021694A KR930011000A KR 930011000 A KR930011000 A KR 930011000A KR 1019910021694 A KR1019910021694 A KR 1019910021694A KR 910021694 A KR910021694 A KR 910021694A KR 930011000 A KR930011000 A KR 930011000A
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voltage
memory cell
word lines
word
erased memory
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KR1019910021694A
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Inventor
김건수
서강덕
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

본 발명의 이이피롬은 과도소거된 메모리셀이 존재하더라도 상기 과도 소거된 메모리셀의 워드라인에 그것의 드레쉬홀드전압보다 낮은 절대값을 가지는 워드라인전압을 인가할 수 있는 수단을 구비한다.

Description

이이피롬 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 일실시예.
제3도는 본 발명에 따른 다른 실시예.

Claims (4)

  1. 하나의 트랜지스터로 이루어지고 과도소거된 메모리셀을 가지는 이이피롬 장치에 있어서, 상기 과도소거된 메모리셀에 연결된 비선택 워드라인에 상기 메모리셀의 드레쉬홀드전압보다 최소한 낮은 절대값을 가지는 전압을 공급하는 수단을 구비함을 특징으로 하는 이이피롬장치.
  2. 이이피롬장치에 있어서, 복수개의 워드라인들과, 상기 복수개의 워드라인들에 직교하여 배열된 복수개의 비트라인들과, 상기 복수개의 워드라인들과 비트라인들에 연결되고 하나의 셀트랜지스터로 이루어지며 최소한 하나 이상의 과도소거된 메모리셀들을 포함하는 복수개의 메모리셀들과, 상기 복수개의 워드라인들의 각각에 제1 또는 제2전압을 어드레스신호에 응답하여 선택적으로 공급하는 워드라인드라이버와, 상기 워드라인드라이버로 상기 제2전압을 공급하는 수단올 구비하며, 상기 제2전압이 상기 과도소거된 메모리셀의 드레쉬홀드전압보다 최소한 낮은 절대값을 가짐을 특징으로 하는 이이피롬장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1전압이 상기 메모리셀을 턴온시키는 레벨에 있음을 특징으로 하는 이이피롬장치.
  4. 이이피롬 장치에 있어서, 복수개의 워드라인들과, 상기 복수개의 워드라인들에 직교하여 배열된 복수개의 비트라인들과, 상기 복수개의 워드라인들과 비트라인들에 연결되고 하나의 셀트랜지스터로 이루어지며 최소한 하나 이상의 과도 소거된 메모리셀들을 포함하는 복수개의 메모리셀들과, 상기 복수개의 워드라인들의 각각에 제1 또는 제2전압을 어드레스신호에 응답하여 선택적으로 공급하는 워드라인 드라이버와, 상기 워드라인 드라이버로 상기 제2전압을 공급하는 수단을 구비하여, 상기 워드라인 드라이버로 상기 제2전압을 공급하는 수단을 구비하여, 상기 제2전압이 상기 과도소거된 메모리셀의 드레쉬홀드 전압보다 최소한 낮은 절대값을 가지며, 상기 수단이 상기 제1전압과 상기 제2전압을 전압원으로 사용하고 상기 어드레스신호에 응답하여 상기 제1전압 또는 제2전압을 출력하는 인버터를 구비함을 특징으로 하는 이이피롬장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910021694A 1991-11-29 1991-11-29 이이피롬 장치 KR930011000A (ko)

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