KR960042734A - 계급적 컬럼선택라인구조를 가지는 반도체 메모리장치 - Google Patents

계급적 컬럼선택라인구조를 가지는 반도체 메모리장치 Download PDF

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KR960042734A
KR960042734A KR1019950011749A KR19950011749A KR960042734A KR 960042734 A KR960042734 A KR 960042734A KR 1019950011749 A KR1019950011749 A KR 1019950011749A KR 19950011749 A KR19950011749 A KR 19950011749A KR 960042734 A KR960042734 A KR 960042734A
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Abstract

본 발명은 컬럼선택트랜지스터쌍을 통하여 연결된 다수개의 비트라인들 및 입출력라인들을 가지며, 메모리 어레이가 다수개의 뱅크들로 분할된 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 하나의 컬럼디코더와, 상기 컬럼디코더로부터 상기 뱅크들에공통으로 걸쳐서 신장하는 다수개의 글로우벌컬럼선택라인들과, 상기 컬럼선택트랜지스터쌍의 게이트들에 접속된 다수개의 로컬컬럼선택라인들과, 상기 뱅크들을 선택하는 신호에 응답하여 상기 글로우벌컬럼선택라인과 상기 로컬컬럼선택라인을 연결하는 수단을 구비한다.

Description

계급적 컬럼선택라인구조를 가지는 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 컬럼선택라인의 구조를 보여주는 도면.

Claims (3)

  1. 컬럼선택트랜지스터쌍을 통하여 연결된 다수개의 비트라인들 및 입출력라인들을 가지며, 메모리어레이가다수개의 뱅크들로 분할된 반도체메모리장치에 있어서, 하나의 컬럼디코더와, 상기 컬럼디코더로부터 상기 뱅크들에 공통으로 걸쳐서 신장하는 다수개의 글로우벌컬럼선택라인들과, 상기 컬럼선택트랜지스터쌍의 게이트들에 접속된 다수개의 로컬컬럼선택라인들과, 뱅크들을 선택하는 신호에 응답하여 상기 글로우벌컬럼선택라인과 상기 로컬컬럼선택라인을 연결하는 수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수단이, 상기 글로우벌컬런선택라인과 상기 로컬컬럼선택라인 사이에 채널이 연결되고 상기 신호에 게이트가 접속된 엔모오스 트랜지스터와, 상기 로컬컬럼선택라인과 접지전압사이에 채널이연결되고 상기 신호의 논리반전신호에 게이트가 접속된 엔모오스트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 신호가 컬럼어드레스신호임을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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