KR960025784A - 반도체 메모리 - Google Patents

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KR960025784A
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가쯔미 마쯔노
가즈히꼬 가지가야
오사무 나가시마
마사또시 하세가와
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가나이 쯔또무
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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Abstract

정보리드 및 리라이트 중 어느때라도 강유전체 커패시터의 피로가 없는 고신뢰성의 불휘발 메모리에 관한 것으로써, 통상동작중의 분극 반전에 의한 강유전체 커패시터의 열화가 없고 또한 예기치 않은 전원오프시에도 최신정보가 불휘발정보로써 유지되는 고집적·고신뢰성의 불휘발 메모리를 제공하기 위해 직렬접속한 2개의 커패시터와 그 접속점을 소오스 또는 드레인의 한쪽으로 하는 전계효과 트랜지스터를 갖는 메모리셀을 비트선과 워드선과의 교점에 매트릭스 형상으로 배치해서 구성한 반도체 메모리에 있어서, 커패시터의 적어도 한쪽은 강유전체를 절연막으로 하는 커패시터이고, 2개의 커패시터의 접속점과는 다른 측의 전극은 각각 전원전위 및 접지전위의 플레이트에 접속되어 있고, 전원전위의 플레이트에는 강유전체 커패시터가 접속되어 있는 구성으로 하였다.
이것에 의해, 리드 및 라이트 동작에 수반하는 강유전체 커패시터의 열화가 완화되고, 또 예기치 않은 전원오프에 대해서도 안정하게 불휘발 정보로써 유지할 수 있는 고신뢰의 불휘발 메모리를 얻을 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 반도체 메모리의 메모리 어레이의 구성을 도시한 도면.

Claims (9)

  1. 직렬접속한 2개의 커패시터와 그 접속점을 소오스 또는 드레인의 한쪽으로 하는 전계효과 트랜지스터를 갖는 메모리셀을 비트선과 워드선과의 교점에 매트릭스 형상으로 배치해서 구성한 반도체 메모리에 있어서, 상기 커패시터의 적어도 한쪽은 강유전체를 절연막으로 하는 커페시터(가유전체 커패시터)이고, 2개의 커패시터의 상기 접속점과는 다른측의 전극은 각각 전원전위 및 접지전위의 플레이트에 접속되어 있고, 전원전위의 플레이트에는 강유전체 커패시터가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리에 종료신호를 부여하는 것에 의해, 상기 전원전위의 플레이트 전위를 0V로 강하시키는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리 종료신호를 부여하는 것에 의해, 어느 하나의 워드선의 활성화를 지정하는 신호가 발생되어 있던 경우에는 상기 워드선을 활성화한 후 재차 비활성으로 하기까지의 일련의 통상동작을 계속하고, 상기 일련동작을 종료했으면 플레이트 전위를 0V로 강하시키는 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리
  4. 제2항 또는 제3항에있어서, 상기 종료신호는 상기 메모리에 공급되는 전원전압이 일정값 이하로 저하한 것을 검지해서 상기 메모리 내부에서 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 종료신호는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리( DRAM)에 있어서, 셀프리프레시 신호와 동일한 외부신호에 의해 부여되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서, 플레이트는 여러개의 메모리 어레이마다 분할되고,플레이트 전위의 0V로의 상기 강하는 상기 여러개의 플레이트에 대해서 시간을 어긋나게 해서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리
  7. 제1항에 있어서, 상기 메모리에 개시신호를 부여하는 것에 의해, 통상동작중에는 전원전위로 설정되는 상기 플레이트로의 전원전위의 공급이 개시되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리
  8. 제7항에 있어서, 상기 개시신호는 상기 메모리에 공급되는 전원전압이 일정값 이상에 도달한 것을 검지해서 상기 메모리 내부에서 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  9. 제2항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 통상동작중에는 전원전위로 설정되는 상기 플레이트로의 전원 전위의 공급 또는 정지를 지정하기 위한 레지스터가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5682344A (en) * 1995-09-11 1997-10-28 Micron Technology, Inc. Destructive read protection using address blocking technique
JP3645338B2 (ja) * 1995-12-11 2005-05-11 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR100601928B1 (ko) * 1996-06-10 2006-10-04 삼성전자주식회사 강유전체랜덤액세서메모리의비휘발성유지장치및방법
US5703804A (en) * 1996-09-26 1997-12-30 Sharp Kabushiki K.K. Semiconductor memory device
US6097624A (en) * 1997-09-17 2000-08-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of operating ferroelectric memory devices having reconfigurable bit lines
KR100224673B1 (ko) * 1996-12-13 1999-10-15 윤종용 불휘발성 강유전체 메모리장치 및 그의 구동방법
JP3003628B2 (ja) * 1997-06-16 2000-01-31 日本電気株式会社 強誘電体メモリとその書き込み方法
KR100297874B1 (ko) 1997-09-08 2001-10-24 윤종용 강유전체랜덤액세스메모리장치
KR100247934B1 (ko) 1997-10-07 2000-03-15 윤종용 강유전체 램 장치 및 그 제조방법
US5892728A (en) * 1997-11-14 1999-04-06 Ramtron International Corporation Column decoder configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5986919A (en) * 1997-11-14 1999-11-16 Ramtron International Corporation Reference cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5880989A (en) * 1997-11-14 1999-03-09 Ramtron International Corporation Sensing methodology for a 1T/1C ferroelectric memory
US5995406A (en) * 1997-11-14 1999-11-30 Ramtron International Corporation Plate line segmentation in a 1T/1C ferroelectric memory
US6028783A (en) 1997-11-14 2000-02-22 Ramtron International Corporation Memory cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5969980A (en) * 1997-11-14 1999-10-19 Ramtron International Corporation Sense amplifier configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
US5978251A (en) * 1997-11-14 1999-11-02 Ramtron International Corporation Plate line driver circuit for a 1T/1C ferroelectric memory
US5956266A (en) * 1997-11-14 1999-09-21 Ramtron International Corporation Reference cell for a 1T/1C ferroelectric memory
US6002634A (en) * 1997-11-14 1999-12-14 Ramtron International Corporation Sense amplifier latch driver circuit for a 1T/1C ferroelectric memory
US20050122765A1 (en) * 1997-11-14 2005-06-09 Allen Judith E. Reference cell configuration for a 1T/1C ferroelectric memory
KR100457346B1 (ko) * 1997-11-27 2005-04-06 삼성전자주식회사 강유전체 랜덤 액세스 메모리 장치
JP3717097B2 (ja) * 1998-07-29 2005-11-16 富士通株式会社 強誘電体メモリ
US6204723B1 (en) * 1999-04-29 2001-03-20 International Business Machines Corporation Bias circuit for series connected decoupling capacitors
US6147895A (en) * 1999-06-04 2000-11-14 Celis Semiconductor Corporation Ferroelectric memory with two ferroelectric capacitors in memory cell and method of operating same
KR100318440B1 (ko) * 1999-06-28 2001-12-24 박종섭 강유전체 메모리 장치 및 그의 구동방법
KR100324594B1 (ko) * 1999-06-28 2002-02-16 박종섭 강유전체 메모리 장치
US6392916B1 (en) * 1999-10-01 2002-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit for providing an adjustable reference voltage for long-life ferroelectric random access memory device
JP2001297581A (ja) * 2000-04-11 2001-10-26 Fujitsu Ltd データ読み出し方法及び半導体記憶装置
JP4481464B2 (ja) * 2000-09-20 2010-06-16 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
KR100389032B1 (ko) * 2000-11-21 2003-06-25 삼성전자주식회사 강유전체 메모리 장치 및 그의 제조 방법
JP4329919B2 (ja) * 2001-03-13 2009-09-09 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体メモリおよび半導体メモリの駆動方法
US6781865B2 (en) * 2001-06-06 2004-08-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Nonvolatile selector, and integrated circuit device
US20040061990A1 (en) * 2002-09-26 2004-04-01 Dougherty T. Kirk Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication
WO2004084227A1 (ja) * 2003-03-19 2004-09-30 Fujitsu Limited 半導体記憶装置
JP3783696B2 (ja) * 2003-04-10 2006-06-07 セイコーエプソン株式会社 強誘電体記憶装置のデータ記憶方法
JP2005064427A (ja) 2003-08-20 2005-03-10 Elpida Memory Inc 不揮発性ランダムアクセスメモリおよびその製造方法
JP4545133B2 (ja) * 2006-11-09 2010-09-15 富士通株式会社 半導体記憶装置及びその製造方法
US8686415B2 (en) * 2010-12-17 2014-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6538426B2 (ja) 2014-05-30 2019-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US10282108B2 (en) * 2016-08-31 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Hybrid memory device using different types of capacitors
WO2018044486A1 (en) 2016-08-31 2018-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for operating ferroelectric memory
CN109791784A (zh) 2016-08-31 2019-05-21 美光科技公司 铁电存储器单元
EP3507806B1 (en) 2016-08-31 2022-01-19 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory
US10867675B2 (en) 2017-07-13 2020-12-15 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3222243B2 (ja) * 1993-01-25 2001-10-22 株式会社日立製作所 半導体記憶装置とそれを用いた情報処理システム

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Publication number Publication date
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TW293908B (ko) 1996-12-21
JP3590115B2 (ja) 2004-11-17

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