KR930003137A - 멀티 포드 ram용 메모리셀 - Google Patents

멀티 포드 ram용 메모리셀

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KR930003137A
KR930003137A KR1019920011722A KR920011722A KR930003137A KR 930003137 A KR930003137 A KR 930003137A KR 1019920011722 A KR1019920011722 A KR 1019920011722A KR 920011722 A KR920011722 A KR 920011722A KR 930003137 A KR930003137 A KR 930003137A
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effect transistors
flop circuit
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KR1019920011722A
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기미요시 우사미
유키노리 무로야
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로 일렉트로닉스 가부시키가이샤
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
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    • G11C8/16Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

멀티 포트 RAM용 메모리셀
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 멀티 포트 RAM용 메모리셀의 회로구성을 나타낸 도면,
제2도는 제1도에 나타낸 메모리셀을 이용한 멀티 포트 RAM의 요부 회로 구성을 나타낸 도면.

Claims (1)

  1. 데이터를 기억하는 플립플롭회로(12)와; 이 플립플롭회로(12)에 기억된 한쪽의 데이터에 의해 도통제어되는 전계효과 트랜지스터(A11, B11)와, 상기 플립플롭회로(12)에 기억된 한쪽의 데이터의 독출시에 독출되어 데이터를 지정하는 어드레스 디코드신호에 의해 도통제어되는 전계효과 트랜지스터(A12, B12) 및, 이 전계효과 트랜지스터(A12, B12)가 도통상태로 된 후에 이네이블 상태로 되는 클럭 신호에 의해 도통제어되는 전계효과 트랜지스터(A13, B13)가 비트선(ABL, BBL)과 저전위 전원간에 직렬 접속되어 이루어진 트랜지스터열(A11-A13,B11∼B13) 및; 기록 데이터를 상기 플립플롭회로(12)로 전송제어하는 전송게이트를 갖춘 것을 특징으로 하는 멀티 포트 RAM용 메모리셀.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920011722A 1991-07-03 1992-07-02 멀티 포트 ram용 메모리셀 KR950009227B1 (ko)

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5532958A (en) * 1990-06-25 1996-07-02 Dallas Semiconductor Corp. Dual storage cell memory
US5440506A (en) * 1992-08-14 1995-08-08 Harris Corporation Semiconductor ROM device and method
JP2667941B2 (ja) * 1992-09-17 1997-10-27 三菱電機株式会社 メモリセル回路
JPH0757469A (ja) * 1993-08-11 1995-03-03 Nec Corp メモリ回路
US5710742A (en) * 1995-05-12 1998-01-20 International Business Machines Corporation High density two port SRAM cell for low voltage CMOS applications
US5642325A (en) * 1995-09-27 1997-06-24 Philips Electronics North America Corporation Register file read/write cell
US5870331A (en) * 1997-09-26 1999-02-09 Advanced Micro Devices, Inc. Application-specific SRAM memory cell for low voltage, high speed operation
US6026012A (en) * 1998-12-30 2000-02-15 United Microelectronic Corp. Dual port random access memory
US7096324B1 (en) 2000-06-12 2006-08-22 Altera Corporation Embedded processor with dual-port SRAM for programmable logic
US6661733B1 (en) * 2000-06-15 2003-12-09 Altera Corporation Dual-port SRAM in a programmable logic device
JP2002050183A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US6741517B1 (en) * 2002-03-29 2004-05-25 Mindspeed Technologies, Inc. Four port RAM cell
EP1647030B1 (en) * 2003-07-14 2009-12-16 Fulcrum Microsystems Inc. Asynchronous static random access memory
US7440313B2 (en) * 2006-11-17 2008-10-21 Freescale Semiconductor, Inc. Two-port SRAM having improved write operation
JP4877094B2 (ja) * 2007-06-22 2012-02-15 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置、半導体メモリ装置及び半導体メモリセル
JP4954954B2 (ja) * 2008-08-07 2012-06-20 パナソニック株式会社 半導体記憶装置
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
KR101864711B1 (ko) * 2016-10-28 2018-06-07 주식회사 파이맥스 약액 자동 표본 수집장치

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60127598A (ja) * 1983-12-14 1985-07-08 Toshiba Corp 半導体集積回路装置
JPH0734311B2 (ja) * 1986-01-21 1995-04-12 株式会社東芝 メモリセル
JPS63197088A (ja) * 1987-02-12 1988-08-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd マルチポ−トメモリセル
JPH02177195A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Fujitsu Ltd 2ポートスタテックram
US5060192A (en) * 1989-12-27 1991-10-22 Harris Corporation Cross-point switch
US5216636A (en) * 1991-09-16 1993-06-01 Advanced Micro Devices, Inc. Cmos memory cell

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JPH0512870A (ja) 1993-01-22

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