KR930003137A - 멀티 포드 ram용 메모리셀 - Google Patents
멀티 포드 ram용 메모리셀Info
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/16—Multiple access memory array, e.g. addressing one storage element via at least two independent addressing line groups
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 멀티 포트 RAM용 메모리셀의 회로구성을 나타낸 도면,
제2도는 제1도에 나타낸 메모리셀을 이용한 멀티 포트 RAM의 요부 회로 구성을 나타낸 도면.
Claims (1)
- 데이터를 기억하는 플립플롭회로(12)와; 이 플립플롭회로(12)에 기억된 한쪽의 데이터에 의해 도통제어되는 전계효과 트랜지스터(A11, B11)와, 상기 플립플롭회로(12)에 기억된 한쪽의 데이터의 독출시에 독출되어 데이터를 지정하는 어드레스 디코드신호에 의해 도통제어되는 전계효과 트랜지스터(A12, B12) 및, 이 전계효과 트랜지스터(A12, B12)가 도통상태로 된 후에 이네이블 상태로 되는 클럭 신호에 의해 도통제어되는 전계효과 트랜지스터(A13, B13)가 비트선(ABL, BBL)과 저전위 전원간에 직렬 접속되어 이루어진 트랜지스터열(A11-A13,B11∼B13) 및; 기록 데이터를 상기 플립플롭회로(12)로 전송제어하는 전송게이트를 갖춘 것을 특징으로 하는 멀티 포트 RAM용 메모리셀.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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