KR880004478A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR880004478A
KR880004478A KR870009707A KR870009707A KR880004478A KR 880004478 A KR880004478 A KR 880004478A KR 870009707 A KR870009707 A KR 870009707A KR 870009707 A KR870009707 A KR 870009707A KR 880004478 A KR880004478 A KR 880004478A
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마사오 나까노
쓰요시 오오히라
히데노리 노무라
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
나까노 히로유끼
후지쓰 브이엘에스아이 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 실시예의 반도체 기억장치에서 다수쌍의 비트선중 1쌍에 결합된 구성의 회로도.
제5a 및 5b도는 각각 제4도에 표시된 회로의 부분들의 신호파형을 보여주는 도.
제6도는 본 발명에 따른 다른 실시예의 반도체 기억장치에서 다수쌍의 비트선중 1쌍에 결합된 구성의 회로도.

Claims (8)

  1. 메모리 셀로 구성된 메모리 셀 어레이 ; 각 비트 선이 적어도 2쌍의 비트선 부분으로 분할되어 있으며 메모리 셀과 데이터 버스에 접속되는 다수 쌍의 비트선 ; 상기 각 쌍의 비트 선에서 상기 쌍의 비트선 부분사이에 구비되며, 각 쌍의 비트선 쌍 사이의 전위 차를 감지하기 위해 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)트랜지스터로 형성되는 적어도 1센스증폭기 ; 및 상기 센스증폭기의 비데이타 버스측과 데이터 버스측 사이에 구비되며, 상기 센스증폭기가 활성화될 때 오프 상태로 유지되는 적어도 1쌍의 전송게이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 센스증폭기는 2p 채널 금속산화물 반도체 트랜지스터와 2n채널 금속산화물 반도체 트랜지스터로 이루어진 래치회로인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 래치회로는 2 반전기를 구비하며 각각은 1p 채널 트랜지스터와 1n 채널 트랜지스터에 의해 형성되고 상기 반전기의 공통 게이트는 상기 래치회로의 입력단자인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반전기는 각각 고전위 전원선과 저전위 전원선 사이에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 센스증폭기가 활성화될 때 상기 고전위 전원선의 전위는 전원전압으로 증가되고 상기 저전위 전원선의 전위는 접지전위로 감소되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  6. 제 2항에 있어서, 비데이타버스측에 위치된 메모리셀이 선택될때 데이타버스측에 위치한 전송게이트는 비데이타버스측에 위치한 다른 전송게이트가 온상태로 유지되는 상태에서 오프가 되며, 그 결과 비데이타버스측상의 1쌍의 비트선부분 사이에서 전위차가 발생하며, 그후 비데이타버스 측상의 전송게이트는 오프가되고 상기 센스증폭기는 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 센스증폭기가 상기 선택된 메모리셀내에 기억된 데이타로 인해 전위차를 래치한후 데이타버스측의 전송게이트가 온으로 되는 것을 특징을로 하는 반도체 기억장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 쌍의 비트선 부분은 각각 전원전압의 1/2로 각각 미리 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870009707A 1986-09-02 1987-09-02 반도체 기억장치 KR910009442B1 (ko)

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