KR970023454A - 불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로 - Google Patents

불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 메모리 장치의 리드동작을 안정하게 보장할 수 있는 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
다수의 메모리 트랜지스터들이 하나의 낸드셀 스트링을 구성하며, 상기 메모리 트랜지스터들은 행 방향의 워드라인과 열방향의 비트라인에 매트릭스형태로 배열되어 메모리 셀 어레이를 형성하고, 데이타의 리드시에 상기 비트라인을 소정의 전위로 충전 후 설정된 전류를 분리수단에 의해 상기 비트라인에 공급하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서 : 상기 분리수단에 연결되며, 상기 비트라인과 분리된 분리노드를 통해 상기 메모리 트랜지스터에 저장된 데이타를 래치동작없이 지연하여 감지하는 판독수단을 포함한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리의 개선된 리드회로서 적합하게 사용된다.

Description

불 휘발성 반도체 메모리의 데이타 리드 방법 및 그에 따른 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 메모리의 데이타 리드 회로도,
제4도는 제3도에 따른 동작 타이밍도.

Claims (5)

  1. 다수의 메모리 트랜지스터들이 하나의 낸드셀 스트링을 구성하며, 상기 메모리 트랜지스터들은 행 방향의 워드라인과 열방향의 비트라인에 매트릭스형태로 배열되어 메모리 셀 어레이를 형성하고, 데이타의 리드시에 상기 비트라인을 소정의 전위로 충전 후 설정된 전류를 분리수단에 의해 상기 비트라인에 공급하는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서 : 상기 분리수단에 연결되며, 상기 비트라인과 분리된 분리노드를 통해 상기 메모리 트랜지스터에 저장된 데이타를 래치동작없이 지연하여 감지하는 판독수단을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 판독수단은 상기 분리노드에 연결되며 칼럼어드레스 디코딩 신호에 응답하는 제1도전형 트랜지스터들 및 일정 레벨의 신호에 응답하는 전류원으로서의 제2도전형 트랜지스터로 이루어진 인버터 소자로 구성됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형 트랜지스터들은 피형 모오스 트랜지스터들임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2도전형 트랜지스터들은 엔형 모오스 트랜지스터들임을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  5. 페이지 버퍼를 구비한 불휘발성 반도체 메모리 장치의 리드방법에 있어서, 상기 페이지 버퍼의 센싱노드가 불안정한 구간에서는 데이타의 래치를 하지 않고, 상기 노드가 안정한 구간에서 상기 래치를 수행함으로써 데이타의 리드동작에 따른 리드에러를 줄이는 것을 특징으로 하는 리드방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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