KR900019257A - 쌍극 범프 트랜지스터와 그 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents

쌍극 범프 트랜지스터와 그 트랜지스터 제조 방법 Download PDF

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호르스트 에프. 예니쉬, 볼프강자우어
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Abstract

내용 없음

Description

쌍극 범프 트랜지스터와 그 트랜지스터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 쌍극 범프 트랜지스터의 평면도, 제2도는 선 A-A를 따라 절취한 단면도.

Claims (9)

  1. 도핑재가 두껍게 도포된 하부층(2)과 도핑제가 얇게 도포된 상부층(3)으로 구성되는 제1전도도 형태의 기판(1)과 : 상부층(3)의 표면(31)에서 하부층(2)으로 연장하여 경계부분을 형성하는 제1전도도 형태에 대해 도핑재가 두껍게 도포된 콜렉터 영역(4)과 : 상기 경계 부분내의 상부층(3)과, 콜렉터 영역(4)으로부터 소정의 길이에 포함되는 제2전도도 형태의 베이스 영역(7)과 : 상기 베이스 영역(7)내에 있는 제1전도도 형태의 에미터 영역(8)과 : 상기 콜렉터 영역(4), 상기 베이스 영역(7) 및 상기 에미터 영역(8)을 부분으로 덮어 절연층(6)에 의해 분리되는 표면(31)의 금속층(91, 92, 93)과 : 상기 콜렉터 영역(4), 상기 베이스 영역(7) 및 상기 에미터 영역(8)내의 금속층(91, 92, 39)상에 배치되는 접촉 범프(11, 12, 13)를 구비하는 것을 특징으로 하는 쌍극 범프 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층(6)은 실리콘 이산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 쌍극 범프 트랜지스터.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금속층(91, 92, 93)은 팔라듐을 구성되는 것을 특징으로 하는 쌍극 범프 트랜지스터.
  4. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 에미터 및 베이스 영역(7, 8)은 겹쳐지게 되는 것을 특징으로 하는 쌍극 범프 트랜지스터.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부층(3)은 에피택셜층인 것을 특징으로 하는 쌍극 범프 트랜지스터.
  6. a)도핑재가 두껍게 도포된 하부층(2)과 도핑재가 얇게 도포된 상부층으로 구성되는 제1도 전도도 형태의 기판(1)을 제공하는 단계와 : b)콜렉터 영역이 형성되는 제1포토 에칭 공정에서 기판(31)의 표면(31)상에 있는 실리콘 이산화물층(6)을 용착하는 단계 및 그 실리콘 이산화물층(6)을 제거하는 단계와 : c)콜렉터 영역(4)을 형성하기 위해 제1전도 형태의 도팬트를 유도하는 단계와 동시에 도포 절연층(6)을 다시 형성하는 단계와 : d)제2포토 에칭 공정에서 베이스 영역내의 홀을 개방하는 단계 및 제2전도도 형태의 도팬트를 유도하는 단계와 동시에 상기 도포 절연층(6)을 형성하는 단계와 : e)에미터 영역내의 홀을 개방하는 단계와 동시에 제3포토 에칭공정으로 콜렉터 영역의 표면적을 다시 노출시키는 단계와 : f)에미터 영역(8)을 형성하기 위해 제1전도도 형태의 도팬트를 유도하는 단계와 동시에 콜렉터 영역(4)의 표면적(41)에서 도팬트 중심부를 증가시키는 단계와 : g)제4포토 에칭공정에서 베이스 영역(7)용 접촉 윈도우를 개방하는 단계와 : h)금속층(9)을 융착하는 단계와 : i)포토 레지스트층(10)을 가진 금속(9)을 도포하는 단계와 제5포토 에칭공정으로 접촉 범프용 홀을 형성하기 위해 패턴닝 하는 단계와 : j)포토 레지스트층(10)내의 홀에 접촉 범프를 (11, 12, 13)형성하는 단계와 : k)포토 레지스트층(10)과 금속층(9)의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 기재된 바와 같은 트랜지스터 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 도팬트는 이온 이식 공정후 구동 공정으로 유도되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 도팬트는 확산 공정으로 유되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.
  9. 제6항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연층(6)은 실리콘 이산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900006773A 1989-05-13 1990-05-12 바이폴라 범프 트랜지스터 및 그 제조 방법 KR0169471B1 (ko)

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