KR890005882A - 수직 반도체 소자 - Google Patents

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KR890005882A
KR890005882A KR1019880012468A KR880012468A KR890005882A KR 890005882 A KR890005882 A KR 890005882A KR 1019880012468 A KR1019880012468 A KR 1019880012468A KR 880012468 A KR880012468 A KR 880012468A KR 890005882 A KR890005882 A KR 890005882A
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KR1019880012468A
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에이티.로이스 로버트
엘.맥로그린 케빈
Original Assignee
빈센트 조셉 로너
모토로라 인코포레이티드
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Abstract

내용 없음

Description

수직 반도체 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 3도는 여러 단계의 공정동안 측벽 에미터를 가진 반도체 소자의 제 1실시예에 대한 확대단면도

Claims (3)

  1. 측벽 에미터를 가지는 수직 반도체 소자에 있어서, 기판과, 상기 기판상에 제 1 유전층과, 상기 제 1유전층상에 에미터에 접촉하기 위한 도핑된 부분을 포함하며 상기 에미터를 위한 확산소오스로써 작용하는 상기 제 1다결정 반도체 영역과, 상기 제 1다결정 반도체 영역상에 제 2유전층과, 상기 에미터부가 상기 제 1및 제 2유전층 사이의 위치에서 상기 제 1다결정 반도체 영역의 상기 부분을 포함하며, 상기 제 1및 제 2유전층 및 상기 다결정 반도체 영역을 통하여 상기 기판까지 연장하는 에미터, 베이스 및 콜랙터 부분을 포함하는 제 1에피택셜 영역과, 상기 에미터, 상기 베이스 및 상기 콜렉터에 전기적으로 결합되는 다수의 접촉을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 반도체 소자.
  2. 측벽 에미터를 가지는 수직 반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서, 기판을 제공하는 단계와, 상기 기판상에 제 1유전층을 형성하는 단계와, 상기 제 1유전층상에 제 1다결정 반도체 영역을 형성 및 도핑하는 단계와, 적어도 하나의 제 1다결정 섬을 형성하도록 예정된 방법으로 상기 제 1다결정 반도체 영역을 패턴 및 에칭하는 단계와, 상기 제 1다결정 섬상에 제 2 유전층을 형성하는 단계와, 상기 유전층 및 상기 제 1다결정 섬을 통하여 상기 기판까지 연장하는 상기 제 1개구를 형성하는 단계와 상기 제 1개구에서 제 1에피텍셜 영역을 형성하는 단계와, 상기 제 1에피텍셜 영역에서 노출된 상기 제1다결정 섬과 접촉하여 상기 제1에피텍셜 영역에서 에미터를 형성하는 단계와, 상기 제1에피텍셜 영역에서 베이스 및 콜렉터를 형성하는 단계와 상기 에미터, 베이스 및 콜렉터에 전기적으로 결합되는 다수의 접촉을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 반도체 소자의 제조 공정.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 기판에서 도핑된 매입층을 형성하는 단계와, 상기 유전층을 통하여 상기 기판에서 연장하는 제 2개구를 형성하는 단계와, 상기 제 2개구에서 상기 매입층의 도핑과 동일한 전도체형을 가지는 제 2에피텍셜을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직 반도체 소자의 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초 출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880012468A 1987-09-28 1988-09-27 수직 반도체 소자 KR890005882A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/101,470 US4860077A (en) 1987-09-28 1987-09-28 Vertical semiconductor device having a sidewall emitter
US101.470 1987-09-28

Publications (1)

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KR890005882A true KR890005882A (ko) 1989-05-17

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ID=22284829

Family Applications (1)

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KR1019880012468A KR890005882A (ko) 1987-09-28 1988-09-27 수직 반도체 소자

Country Status (4)

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US (1) US4860077A (ko)
EP (1) EP0309772A3 (ko)
JP (1) JPH01102961A (ko)
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JPH01102961A (ja) 1989-04-20
EP0309772A2 (en) 1989-04-05
EP0309772A3 (en) 1990-03-28
US4860077A (en) 1989-08-22

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