KR910003829A - 고전압 반도체 장치 및 제조 과정 - Google Patents

고전압 반도체 장치 및 제조 과정 Download PDF

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KR910003829A
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Abstract

내용 없음.

Description

고전압 반도체 장치 및 제조 과정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 고전압 반도체 장치 기판의 일부분을 간단하게 도시한 개략 단면도,
제3 내지 10도는 본 발명에 따른 각 제조 단계에서의 반도체 기판의 일부분을 간단하게 도시한 개략 단면도.

Claims (12)

  1. 기판(44), 도핑된 전극 영역(48) 및 도핑된 분리 영역을 포함하며 상기 기판상에 형성된 에피텍셜 영역(46), 상기 도핑된 분리 영영과 상기 도핑된 전극 영역사이의 상기 에피텍셜 영역 일부상에 형성된 분리층(56), 상기 분리층상에 형성된 제1다결정 반도체층(60) 및 금속층(68,74)을 포함하는 고전압 반도체 장치에서, 상기 도핑된 전극 영역 및 상기 도핑된 분리 영역이 제1간격(54)만큼 분리되고, 상기 분리층이 상기 도핑된 전극 영역의 단부를 커버하는 고전압 반도체 장치에 있어서, 상기 제1다결정 반도체 층상에 제2다결정 반도체층(40)이 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속층(68,74)이 상기 제2다결정 반도체층의 한쪽 끝의 좁은 간격까지 연장되면서 상기 도핑된 분리 영역(50)의 일부를 커버하고 상기 도핑된 전극 영역 단부로부터 상기 제2다결정 반도체층(40)의 한쪽 끝의 40㎛와 120㎛사이의 간격까지 연장되면서 상기 도핑된 전극 영역(48)을 커버하도록 배열되는 고전압 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 분리층(56)이 800㎚와 1200㎚사이의 두께를 갖는 고전압 반도체 장치.
  4. 제1,2 또는 3항에 있어서, 상기 제1다결정 반도체층(60)이 300㎚와 500㎚ 사이의 두께를 갖는 고전압 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2다결정 반도체층(40)이 150㎚와 300㎚ 사이의 두께를 갖는 고전압 반도체 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2다결정 반도체층이 각기 제1 및 제2퍼센트 농도를 가진 산소를 함유한 다결정 실리콘을 포함하는 고전압 반도체 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2다결정 반도체층(40)에 대한 상기 제2퍼센트가 25% 내지 30% 범위에 있는 고전압 반도체 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1간격(54)이 150㎛ 내지 225㎛범위에 있는 고전압 반도체 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 도핑된 전극 영역 및 상기 도핑된 분리 영역이 정반대로 도핑되는 고전압 반도체 장치.
  10. 기판(100)을 제공하는 단계, 상기 기판(100)사에 에피텍셜 영역(101)을 형성하는 단계, 상기 에피텍셜 영역(101)안에 제1도핑 전극 영역(104)을 형성하는 단계, 상기 제1도핑 전극 영역(104)안에 제2도핑 전극 영역(110)을 형성하고 상기 에피텍셜 영역(101)안에 도핑 분리 영역(108)을 형성하는 단계, 및 상기 에피텍셜 영역(101)상에 분리층(114)을 형성하는 단계를 포함하는 고전압 반도체 장치 제조 과정에 있어서, 상기 분리층(114)상에 제1(116) 및 제2(118)다결정 반도체층을 위치시키는 단계, 상기 제1 및 제2다결정 반도체층 및 상기 분리층(114)안에 제1(120), 제2(122) 및 제3(124)개구를 형성하는 단계, 상기 제2다결정 반도체층(118) 및 상기 에피텍셜 영역(101)상에 금속층(126, 128, 130)을 위치시키는 단계, 및 상기 제1(120), 제2(122) 및 제3(124)개구안에 제1(126), 제2(128) 및 제3(130) 금속부분을 형성하도록 상기 금속층을 에칭하는 단계를 포함하는데. 상기 제2금속부(128)가 상기 도핑 전극 영역(104)의 단부로부터 상기 제2다결정 반도체층(118)의 한쪽의 좁은 간격까지 연장되는 것을 특징으로 하는 고전압 반도체 장치 제조 과정.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1도핑 전극(104)이 제1도전형을 가진 베이스 전극을 형성하며 상기 제2도핑 전극 영역(110)이 이미터 전극을 형성하고, 상기 제2도핑 전극 및 상기 도핑 분리 영역(108)이 제2도전형을 가지는 고전압 반도체 장치의제조 과정.
  12. 제10 또는 제11항에 있어서, 상기 좁은 간격이 40㎛ 내지 190㎛범위에 있는 고전압 반도체 장치의 제조 과정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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