KR880011808A - 불휘발성 반도체기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체기억장치 Download PDF

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KR880011808A
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시게루 아츠미
겐지 시바타
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용없음

Description

불휘발성 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 1실시에의 메모리셀 구성을 도시해 놓은 패턴평면도
제2도는 제1도에 도시된 메모리셀의 단면도
제3도는 제1도에 도시된 메모리셀의 등가회로도

Claims (4)

  1. 제1도전형의 반도체기판(10)과, 이 기판(10)내에 형성된 제2도전형의 제1확산층(11), 이 제1확산층(11)과 포개지도록 제1확산층(11)위에 절연막(16)을 매개해서 설치되어 전기적인 부유상태로 설정되어진 제1전극(19), 이 제1전극(19) 및 상기 제1확산층(11)과 각각 포개지도록 절연막(16)(20)을 매개해서 설치되어 항상 기준전위로 설정되어진 제2전극(17), 상기 제1전극(19)과 포개지도록 절연막(21)을 매개로 설치된 제3전극(22), 상기 제1확산층(11)과 소정거리를 두고서 형성되어 프로그램용 전위가 공급되어지는 제2도전형의 제2확산층(12), 상기 제1과 제2확산층(11)(12)의 상호간에 형성된 채널영역상에 절연막을 매개해서 설치된 제4전극(23)등이 구비되어 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4전극(19)(17)(22)(23)이 각각 다결정실리콘층으로 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제3전극(22)의 양측에 위치한 기판에 제2도전형의 제3 및 제4확산층(13)(14)이 설치되고, 상기 제4확산층(14)과 소정거리를 두고 제2도전형의 제5확산층(15)이 형성되면서, 이들 제4, 제5확산층(14)(15) 상호간의 채널영역상에 상기 제4전극(23)이 연장되어 설치되어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3확산층(13)에는 기준전위(GND)가 공급되고, 상기 제5확산층(15)에는 독출용 전위(R)가 공급되도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002763A 1987-03-16 1988-03-16 불휘발성 반도체기억장치 KR910004321B1 (ko)

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JP62-60395 1987-03-16
JP62060395A JPH0640589B2 (ja) 1987-03-16 1987-03-16 不揮発性半導体記憶装置

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KR910004321B1 KR910004321B1 (ko) 1991-06-25

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JPH0640589B2 (ja) 1994-05-25
JPS63226966A (ja) 1988-09-21
US4912534A (en) 1990-03-27
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