KR960032485A - 강유전체 기억장치 - Google Patents

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ferroelectric capacitor
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도시노부 스기야마
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Abstract

플로팅게이트와 제어게이트와의 사이의 절연막으로써 강유전체막을 이용하는 강유전체 비휘발성 반도체 메모리에 있어서, 기입절환 트랜지스터가 플로팅게이트와 비트선 사이에 설치되어서, 제어게이트에 인가된 전압된 전압과 비트선에 인가된 전압을 이용하는 강유전체막에 전압을 인가할 수 있게 되며, 따라서 낮은 전압에 의해서도 기입작동을 할 수 있게 된다.

Description

강유전체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명 제1실시예의 메모리셀 구조를 나타내는 횡단면도이다,
제8도는 본 발명 제2실시예의 메모리 어레이의 등가회로도이다,
제9도는 제8도에 나타난 메모리어레이의 패턴배열을 나타내는 평면도이다.

Claims (8)

  1. 반도체기판상에 게이트절연막을 거쳐서 제1도체와, 강유전체와, 제2도전체가 순서대로 형성되는 강유전체 캐퍼시터를 갖추어 구성되는 강유전체 기억장치이며, 상기 제2도체에 인가된 전압에 상응하는 상기 강유전체의 분극방향에 의거해서 데이터기억이 실행되며, 상기 기억장치가 기입시에 상기 제1도체를 소정전위로 유지하는 기입 회로를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기입회로는 게이트를 갖춘 트랜지스터를 포함하여 이루어지며, 상기 트랜지스터는 상기 제1도체와 전위선과의 사이에서 접속되며 상기 게이트에 인가된 전압에 의거해서 상기 제1도체와 상기 전위선을 작동적으로 접속시키는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 트랜지스터가 상기 강유전체 캐퍼시터에 대해 수직방향으로의 특정 위치관계로 상기 반도체기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  4. 강유전체를 갖춘 강유전체 캐퍼시터에서 분극방향에 의해서 데이터를 기억하는 강유전체 기억장치이며, 상기 강유전체 캐퍼시터의 두 전극 중 한편의 전극에 접속되는 게이트 전극을 갖추며 상기 강유전체의 분극방향에 의거해서 비트선의 전류를 제어하는 제1트랜지스터와, 하나의 게이트를 포함하는 제2트랜지스터와, 상기 제2트랜지스터는 상기 강유전체 캐퍼시터의 한편의 전극과 상기 비트선과의 사이에서 접속되며 그 게이트전극에 인가된 전압에 의거해서 상기 한편의 전극과 상기 비트선을 작동적으로 접속시키는 제2트랜지스터를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1트랜지스터의 상기 게이트전극과 상기 강유전체 캐패서터의 한편의 전극이 제3상호접속층에 의해 접속되며, 상기 제1트랜지스터와 상기 강유전체 캐퍼시터는 서로에게 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 강유전체 캐퍼시터의 강유전체막은 상기 제1트랜지스터의 상기 게이트전극을 기초층으로써 이용하여 형성되며, 상기 강유전체막의 상기 제1트랜지스터의 채널부와 겹쳐지지 않는 영역에 형성되며, 상기 제1트랜지스터와 상기 강유전체 캐퍼시터가 서로에게 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  7. 제4항에 있어서, 데이터기입작동에서, 상기 비트선이 기입데이터에 의거해서 소정의 전위로 설정되며, 그후에 소정 레벨의 펄스가 상기 강유전체 캐퍼시터의 다른편 전극에 공급되어서 데이터에 의거해서 다른 방향으로 상기 강유전체 캐퍼시터를 분극화하는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
  8. 제4항에 있어서, 데이터 판독작동에서, 소정의 전위가 상기 강유전체 캐퍼시터의 다른편 전극에 공급되며, 이때 상기 제1트랜지스터를 통해 흐르는 상기 비트선전류의 차이가 상기 제1트랜지스터의 게이트전위의 차이에 의해 검출되어서 데이터에 상응하는 상기 강유전체 캐퍼시터의 분극방향을 판독하게 되는 것을 특징으로 하는 강유전체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용 의하여 공개하는 것임.
KR1019960003902A 1995-02-22 1996-02-16 강유전체 기억장치 KR960032485A (ko)

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