RU2001107134A - Полупроводниковая интегральная схема с защитным покрытием поверхности - Google Patents
Полупроводниковая интегральная схема с защитным покрытием поверхностиInfo
- Publication number
- RU2001107134A RU2001107134A RU2001107134/28A RU2001107134A RU2001107134A RU 2001107134 A RU2001107134 A RU 2001107134A RU 2001107134/28 A RU2001107134/28 A RU 2001107134/28A RU 2001107134 A RU2001107134 A RU 2001107134A RU 2001107134 A RU2001107134 A RU 2001107134A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- circuits
- protection sensor
- circuit according
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 title 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
Claims (6)
1. Полупроводниковая интегральная схема, содержащая схемы, реализованные по меньшей мере в одном слое полупроводниковой подложки и упорядоченные по меньшей мере в одной группе, и по меньшей мере один проводящий защитный слой (SL), размещенный по меньшей мере над одной из таких групп схем и электрически соединенный по меньшей мере с одной из схем (1,2), отличающаяся тем, что подложка полупроводниковой интегральной схемы имеет по меньшей мере один датчик защиты (SS), который выполнен с возможностью сохранения некоторого состояния энергонезависимым образом, при этом датчик защиты (SS) своим выводом обнаружения связан с проводящим защитным слоем (SL) или по меньшей мере с одним из проводящих защитных слоев, а выходной вывод датчика защиты (SS) соединен по меньшей мере с одной из схем (2) таким образом, что функционирование схемы в соответствии с ее назначением невозможно, если на выходе датчика защиты приложен определенный энергонезависимый уровень.
2. Полупроводниковая интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что датчик защиты (SS) соединен по меньшей мере с одним транзистором (T1, T2), выполненным с очень тонким слоем подзатворного оксида по сравнению с соответствующими слоями транзисторов схем, причем вывод затвора упомянутого транзистора (Т1,Т2) соединен с проводящим слоем (SL).
3. Полупроводниковая интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что датчик защиты (SS) выполнен в виде энергонезависимой ячейки памяти, которая образована диффузионными областями истока и стока (10, 11), образованными по обе стороны канальной области в полупроводниковой подложке, а также электродом затвора (12), полностью изолированным, размещенным по меньшей мере частично выше канальной области, и двумя управляющими электродами (14, 15) затвора, размещенными над изолированным электродом затвора (12), причем один из управляющих электродов затвора образует вывод обнаружения (15), а другой управляющий электрод (14) затвора и диффузионные области (10, 11) соединены со схемой оценки (AWS).
4. Полупроводниковая интегральная схема по п.3, отличающаяся тем, что изолированный электрод затвора (12) предварительно заряжен положительным или отрицательным зарядом.
5. Полупроводниковая интегральная схема по п.4, отличающаяся тем, что при использовании множества датчиков защиты различные изолированные электроды затвора (12) предварительно заряжены различными зарядами.
6. Полупроводниковая интегральная схема по любому из пп.1-5, отличающаяся тем, что по меньшей мере одна из схем содержит по меньшей мере одну схему обнаружения (КОМ), которая соединена с выходным выводом датчика защиты (SS).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP98115550.0 | 1998-08-18 | ||
EP98115550 | 1998-08-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2001107134A true RU2001107134A (ru) | 2003-05-20 |
RU2213390C2 RU2213390C2 (ru) | 2003-09-27 |
Family
ID=8232478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001107134/28A RU2213390C2 (ru) | 1998-08-18 | 1999-08-18 | Полупроводниковая интегральная схема с защитным покрытием поверхности |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6452283B2 (ru) |
EP (1) | EP1114460B1 (ru) |
JP (1) | JP2002523901A (ru) |
KR (1) | KR100396064B1 (ru) |
CN (1) | CN1158706C (ru) |
AT (1) | ATE376255T1 (ru) |
BR (1) | BR9913054A (ru) |
DE (1) | DE59914529D1 (ru) |
RU (1) | RU2213390C2 (ru) |
UA (1) | UA55555C2 (ru) |
WO (1) | WO2000011719A1 (ru) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10058078C1 (de) * | 2000-11-23 | 2002-04-11 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltungsanordnung mit Analysierschutz und Verfahren zur Herstellung der Anordnung |
DE10060652C1 (de) * | 2000-12-06 | 2002-06-20 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung für die Anzeige eines Angriffes auf ein elektronisches Bauelement bzw. eine elektronische Schaltung durch Unbefugte |
DE10101281C1 (de) * | 2001-01-12 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Schutzschaltung gegen die Möglichkeit des Ausspionierens von Daten bzw. Informationen |
DE10111027C1 (de) * | 2001-03-07 | 2002-08-08 | Infineon Technologies Ag | Schaltung für FIB-Sensor |
US6459629B1 (en) * | 2001-05-03 | 2002-10-01 | Hrl Laboratories, Llc | Memory with a bit line block and/or a word line block for preventing reverse engineering |
KR20050084333A (ko) * | 2002-12-18 | 2005-08-26 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 자기 메모리 셀의 어레이, 집적 회로 및 외부 자기장 노출여부 표시 방법 |
JP2006228910A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
FR2888975B1 (fr) * | 2005-07-21 | 2007-09-07 | Atmel Corp | Procede de securisation pour la protection de donnees |
US7923830B2 (en) * | 2007-04-13 | 2011-04-12 | Maxim Integrated Products, Inc. | Package-on-package secure module having anti-tamper mesh in the substrate of the upper package |
DE102007051788A1 (de) | 2007-10-30 | 2009-05-14 | Giesecke & Devrient Gmbh | Halbleiterchip mit einer Schutzschicht und Verfahren zum Betrieb eines Halbleiterchip |
US8036061B2 (en) * | 2009-02-13 | 2011-10-11 | Apple Inc. | Integrated circuit with multiported memory supercell and data path switching circuitry |
DE102012200168A1 (de) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | Technische Universität Berlin | Ladungsmesseinrichtung |
CN105891651B (zh) * | 2015-01-16 | 2019-12-10 | 恩智浦美国有限公司 | 低功率开路检测*** |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3480247D1 (en) * | 1984-07-31 | 1989-11-23 | Siemens Ag | Monolithic integrated semiconductor circuit |
US4593384A (en) * | 1984-12-21 | 1986-06-03 | Ncr Corporation | Security device for the secure storage of sensitive data |
FR2617979B1 (fr) * | 1987-07-10 | 1989-11-10 | Thomson Semiconducteurs | Dispositif de detection de la depassivation d'un circuit integre |
US4933898A (en) * | 1989-01-12 | 1990-06-12 | General Instrument Corporation | Secure integrated circuit chip with conductive shield |
DE4018688C2 (de) * | 1990-06-11 | 1998-07-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Schutz einer integrierten Schaltung gegen das Auslesen sensitiver Daten |
US6782479B1 (en) * | 1991-04-26 | 2004-08-24 | Raytheon Company | Apparatus and method for inhibiting analysis of a secure circuit |
US5389738A (en) * | 1992-05-04 | 1995-02-14 | Motorola, Inc. | Tamperproof arrangement for an integrated circuit device |
GB2288048A (en) * | 1994-03-29 | 1995-10-04 | Winbond Electronics Corp | Intergrated circuit |
FR2740553B1 (fr) * | 1995-10-26 | 1997-12-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de detection de presence de passivation dans un circuit integre |
DE19639033C1 (de) * | 1996-09-23 | 1997-08-07 | Siemens Ag | Analysierschutz für einen Halbleiterchip |
KR100278661B1 (ko) * | 1998-11-13 | 2001-02-01 | 윤종용 | 비휘발성 메모리소자 및 그 제조방법 |
-
1999
- 1999-08-18 DE DE59914529T patent/DE59914529D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-18 CN CNB998097942A patent/CN1158706C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-18 WO PCT/EP1999/006077 patent/WO2000011719A1/de active IP Right Grant
- 1999-08-18 RU RU2001107134/28A patent/RU2213390C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1999-08-18 UA UA2001021130A patent/UA55555C2/ru unknown
- 1999-08-18 BR BR9913054-8A patent/BR9913054A/pt not_active IP Right Cessation
- 1999-08-18 AT AT99944441T patent/ATE376255T1/de not_active IP Right Cessation
- 1999-08-18 KR KR10-2001-7002064A patent/KR100396064B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-08-18 EP EP99944441A patent/EP1114460B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-18 JP JP2000566890A patent/JP2002523901A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-20 US US09/789,990 patent/US6452283B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4086642A (en) | Protective circuit and device for metal-oxide-semiconductor field effect transistor and method for fabricating the device | |
KR950015763A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
KR910020904A (ko) | 반도체기억장치 및 그 제조 방법 | |
KR960036027A (ko) | 불휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
KR930009139B1 (ko) | 불휘발성 반도체장치 | |
JPS55156371A (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
RU2001107134A (ru) | Полупроводниковая интегральная схема с защитным покрытием поверхности | |
KR900008698A (ko) | 반도체장치 및 반도체 기억장치 | |
KR880005686A (ko) | 반도체 기억장치 및 그의 제조 방법 | |
KR900013652A (ko) | 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치 | |
KR950006302B1 (ko) | 차단된 전하축적 구조체 | |
KR900010795A (ko) | 반도체 불휘발성 메모리 및 그 제조방법 | |
US3875567A (en) | Memory circuit using variable threshold level field-effect device | |
KR880011808A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
US3653002A (en) | Nonvolatile memory cell | |
KR0149226B1 (ko) | 반도체 회로를 위한 정전기 보호장치 | |
KR880011928A (ko) | 반도체 기억장치 | |
KR840000082A (ko) | 반도체 기억장치와 그 제조법 | |
KR100200303B1 (ko) | 반도체 장치용 정전기 방지회로 및 그 제조방법 | |
JP3369296B2 (ja) | Mos型コンデンサ | |
JPH0278230A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0646662B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR0172231B1 (ko) | 반도체 소자의 정전기 방지회로 | |
JPS63199464A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR930011246A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 |