KR840007482A - 레지스트 패턴의 형성 방법 및 장치 - Google Patents

레지스트 패턴의 형성 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

레지스트 패턴의 형성 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 한 실시양태인 레지스트패펀 형성공정을 도시하는 블록도.
제6도는 본 발명의 다른 실시양태인 레지스트 패턴형성 공정을 나타내는 블록도.
제7도는 본 발명의 실시예에 있어서의 냉각공정에 있어서의 레지스트 막의 온도변화를 도시하는 도면.

Claims (21)

  1. 기체 위에 레지스트를 도포하는 공정과, 상기 기체위에 형성된 레지스트막을 베이킹하는 공정과, 상기 레지스트막에 소정파장영역의 전자파 또는 소정 에너지의 입자선을 선택적으로 조사하는 공정과, 상기 레지스트막에 현상처리를 하고 상기 기체위에 레지스트패턴을 형성하는 공정을 구비한 레지스트패턴의 형성방법에 있어서, 상기 레지스트막의 냉각이 제어되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스트막의 냉각은 레지스트막 전체적으로 균일한 온도를 유지하면서 온도가 저하되도록 냉각하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레지스트막의 냉각이 레지스트막을 급냉하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 레지스트막의 최대냉각속도가 0.8℃/초 인상인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 레지스트막의 냉각을 레지스트에 대하여 실질적으로 용해 또는 방응이 발생되지 않는 액체 또는 기체중 한쪽 또는 양쪽을 사용해서 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 레지스트에 대하여 실질적으로 용해 또는 반응이 발생하지 않는 액체가 임의의 설정온도의 물 또는 프론(fron)인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  7. 제5항에 있어서, 레지스트에 대하여 실질적으로 용해 또는 반응이 발생하지 않는 기체가 임의의 설정온도의 질소가스 또는 프론트가스인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 레지스트막의 냉각을 침지법, 스프레이법 또는 샤우어법을 사용해서 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 레지스트막의 냉각을 임의 설정온도의 열용량이 큰 제어용 플레이트에 기체를 접촉 또는 근접하므로써 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  10. 기체 위에 레지스트를 도포하는 공정과, 상기 기체 위에 형성된 레지스트막을 베이킹하는 공정과, 상기 레지스트막을 냉각하는 공정과, 상기 레지스트막에 소정 파장역의 전자파 또는 소정에너지의 입자선을 선택적으로 조사하는 공정과, 상기 레지스트막을 그 유리전위점 이상의 온도로 베이킹하는 공정과, 상기 레지스트막의 냉각을 하는 공정과, 상기 레지스트막에 현상처리를 실시하여 상기 기체위에 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 구비한 레지스터패턴 형성방법에 있어서, 상기 레지스트막에 전자파 또는 입자선을 조사후 베이킹한 후의 레지스트막의 냉각을 제어하여 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 레지스트막의 냉각은 레지스트막 전체적으로 균일한 온도를 유지하면서 온도가 저하하도록 냉각하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 레지스트막의 냉각은 지레스트막을 급냉하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 레지스트의 최대 냉각속도는 0.8℃/초 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 레지스트의 냉각을 레지스트에 대하여 실질적으로 용해 또는 반응이 발생하지 않는 액체 또는 기체중 한쪽 또는 양쪽을 사용해서 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  15. 제10항에 있어서, 레지스트에 대하여 실질적으로 용해 또는 반응이 발생하지 않는 액체가 임의의 설정온도의 물 또는 프론인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  16. 제10항에 있어서, 레지스트에 대하여 실질적으로 용해 또는 반응이 발생하지 않는 기체가 임의의 설정온도의 질소 가스 또는 프론가스인 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  17. 제10항에 있어서, 레지스트막의 냉각을 침지법, 스프레이법, 또는 샤우어법을 사용해서 실시하는 것을 특징으로하는 레지스트패턴의 형성방법.
  18. 제10항에 있어서, 레지스트막의 냉각을 임의 설정온도의 열용량이 큰 제어용 플레이트에 피처리판을 접촉 또는 근접하므로써 실시하는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성방법.
  19. 기체 위에 레지스트를 도포하는 수단과, 기체위의 레지스트막을 베이킹하는 수단과, 상기 레지스트막의 냉각을 실시하는 수단과, 상기 레지스트막에 전자파 또는 입자선을 조사하는 수단과, 상기 레지스트막에 현상처리를 실시하는 수단을 구비한 레지스트패턴의 형성장치에 있어서 상기 레지스트막의 냉각은 제어되는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴의 형성장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 레지스트막의 냉각을 제어하면서 실시하는 수단은, 액체속에의 침지수단, 스프레이수단, 샤우어수단 또는 가열플레이트로 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성장치.
  21. 제19항에 있어서, 상기 레지스트막을 베이킹하는 수단 및 상기 레지스트막의 냉각을 제어하면서 실시하는 수단은, 페르티어(pertier)효과 소자를 구비하는 가열 냉각수단 또는 복수의 고온가온파이프와 복수의 냉각가스파이프를 배열한 가열 냉각수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트패턴의 형성장치.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Free format text: TRIAL NUMBER: 1987201000875; APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

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