JP4030787B2 - 基板加熱方法、基板加熱装置及び塗布、現像装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト液の塗布された基板の加熱を行うことで当該基板の表面から溶剤を揮発させる基板加熱方法、基板加熱装置及びこの基板加熱装置を適用した塗布、現像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスやLCDの製造プロセスにおいては、フォトリソグラフィと呼ばれる技術により被処理基板へのレジスト処理が行われている。この技術は、例えば半導体ウエハ(以下ウエハという)にレジスト液を塗布して当該ウエハの表面に液膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われる。このような工程においては、露光処理の前後にPAB(Post Applied Bake)及びPEB(Post Exposure Bake)と呼ばれる二度の加熱処理が行われており、これらのうちPABにおける加熱処理には例えば図8に示す装置が使われている。
【0003】
この装置は下側部分11と蓋体12とで構成される処理容器1の中にヒータ13を内蔵した加熱プレート14を備えている。この加熱プレート14の表面には突起15が設けられており、基板である半導体ウエハ(以下ウエハという)Wを水平姿勢に保つと共に加熱プレート14上に載置したとき、当該ウエハWと加熱プレート14表面との間には微小距離例えば0.1mmの隙間が形成され、加熱プレート14表面のパーティクルが付着しないようになっている。また図示は省略するが、蓋体12には処理容器1内に例えば室温のパージガスを供給するためのガス供給管と、処理容器1からの排気を行う排気管とが接続されている。これらはプロセス時においてウエハW表面近傍に気流を形成し、当該表面に温度分布が生じることを抑える役割を担うものである。
【0004】
上記装置におけるウエハWの温度の制御は、加熱プレート14の表面部の温度を温度センサ16により検出し、その検出信号を制御系17にフィードバックして加熱プレート14の表面部の温度が所定のプロセス温度に維持されるようにヒータ13の電力を制御することにより行われる。プロセス時における各種条件は開始から終了に至るまで一定であり、具体的には例えばウエハWを100℃まで加熱して、係る状態を90秒間継続することで処理が完了する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、以前から発明者は一部のレジスト(例えばKrF−acetal)を用いた場合において、PABにおける処理条件が変わると最終的にウエハWの表面に形成されるレジストパターンの線幅に変化が現れることを把握していた。従って、PABがレジスト膜の膜質に何らかの影響を与えていることになるが、処理条件をどのように見直すことでレジスト膜の膜質を安定させることができるのかは分からなかった。
【0006】
既述のように、PABは表面にレジスト液の塗布がなされたウエハWについて露光前に加熱(ベーク)を行って、レジスト溶液に含まれる溶剤を一定量揮発させることを目的とする。そこで発明者は加熱時間に着目し、加熱時間と処理後のレジスト膜との間に如何なる相関関係があるか調査を行い、レジスト膜の膜特性(Rmin)に着目したところ加熱時間との間に一定の相関関係があることを突き止めた。Rminとは、PABにおける加熱処理が終了した未露光のレジスト膜に現像液を供給したときの溶解したレジスト膜の厚さh1(図9(a)参照)を示すものであり、このh1の値が小さいほど現像液に対して安定しており、従って膜質の面内均一性が高く、結果として線幅の面内均一性が高いことを意味する。
【0007】
そして図9(b)の特性図に示すように、Rminの値は加熱時間t0にて最も低く、これを境にV字型を描く。Rminの値がこのような変化をみせる理由について先ずt0に至るまでについては、加熱時間が少ないため、まだレジスト膜が十分に固まっていない(安定していない)ことによるものと考えられる。そしてt0以降については以下のように考えている。即ち、ベーク時におけるレジスト膜減少の主な要因は溶剤揮発によるものであるため、例えば図10(a)に示すように、レジスト液中に含まれるレジスト成分をなすポリマーの総量に変化はなく、レジスト膜全体におけるポリマーの占める割合が徐々に増加していく。その一方で既述のように加熱条件は一定とされているため、例えば図10(b)に示すように膜厚が低下するにつれてポリマーの受ける熱エネルギーの割合が増加することとなる。ポリマーに対する熱エネルギーの過剰供給は、ポリマーの保護基を分解したり、ポリマーの形成を変化させる原因となるため、これがRminの増加に結びつくものと考えられる。
【0008】
以上のことは、溶剤の揮発量に応じてレジスト膜に与える熱量を変化させることで膜質の最適化が図れることを示唆するものであるが、従来のようなレジスト膜の成分に拘わらず常に一定のプロセス条件下でベークを行う手法では膜質の不均一性を解消することはできないため、発明者はPABにおける新たな加熱方法を模索していた。
【0009】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、レジスト液の塗布された基板に対し、露光の前に行われる加熱処理において、レジスト膜の膜質の面内均一性を向上させることができる技術を提供することにある。また本発明おける他の目的は、上記発明と同様の加熱処理を行う基板加熱装置を塗布、現像装置に適用したときに、製品の歩留まりを向上させることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板加熱方法は、レジスト液を塗布した基板を処理容器内の加熱板に載置して基板加熱する方法において、
前記加熱板に載置された基板と対向する位置に設けられた膜厚監視手段を用いて、加熱されている基板上のレジスト液の膜厚を検出する工程と、
前記加熱板より熱エネルギーを基板に与えてレジスト液中の溶剤を揮発させる第1の工程と、
次いで単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくしてレジスト膜中に残存する溶剤を揮発させる第2の工程と、を含み
前記膜厚監視手段により検出された膜厚の単位時間当たりの減少量が予め決められた値よりも小さくなったときに、前記第1の工程から前記第2の工程への切り替えを行うことを特徴とする。前記第2の工程では、基板と加熱板との距離を第1の工程時よりも大きくすることにより、単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくしてもよいし、加熱板の温度を第1の工程時よりも低くすることにより小さくしてもよい。温度を低くする手法は、加熱板に設けられている抵抗加熱発熱体に供給される電力を小さくすることであってもよいし、加熱板に冷媒を供給することであってもよい。また、処理容器内にはパージガスが供給され、第2の工程では、パージガスの温度を第1の工程時よりも低くすることにより、単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくするようにしてもよい。
【0011】
また、本発明に係る基板加熱装置は、レジスト液を塗布した基板を処理容器内にて加熱する装置において、処理容器内に設けられ、基板がその上に載置される加熱板と、基板を加熱板に対して相対的に昇降させるための昇降手段と、前記処理容器内にて、前記加熱板に載置された基板と対向する位置に設けられ、加熱されている基板上のレジスト液の膜厚を検出するための膜厚監視手段と、基板と加熱板との距離を第1の距離に設定してレジスト液中の溶剤を揮発させ、前記膜厚監視手段により検出された膜厚の単位時間当たりの減少量が予め決められた値よりも小さくなったときに、前記基板と加熱板との距離を第1の距離よりも大きい第2の距離に設定し、レジスト膜中に残存する溶剤を揮発させる制御手段と、を備えたことを特徴とする。制御手段は、基板と加熱板との距離に替えて、加熱板の温度を第1の温度に設定してレジスト液中の溶剤を揮発させ、その後膜厚監視手段を用いた上述のタイミングにて、前記加熱板の温度を第1の温度よりも低い第2の温度に設定し、レジスト膜中に残存する溶剤を揮発させるように構成してもよい。また、処理容器内にパージガスを供給するパージガス供給手段を更に備え、制御手段はパージガスの温度を第1の温度に設定してレジスト液中の溶剤を揮発させ、その後既述のタイミングにて、前記パージガスの温度を第1の温度よりも低い第2の温度に設定し、レジスト膜中に残存する溶剤を揮発させるように構成してもよい。
【0012】
また本発明に係る塗布、現像装置は、複数枚の基板を収納した基板カセットが載置されるカセットステージと、基板にレジスト液を塗布する塗布ユニットと、基板にレジストを塗布する前に基板に対して前処理を行う前処理ユニットと、レジスト液が塗布された基板を加熱するための、既述の基板加熱装置と、露光後の基板に対して現像処理を行う現像ユニットと、基板を前記基板カセット、塗布ユニット、前処理ユニット、基板加熱装置及び現像ユニットの間で受け渡すための手段と、を備えたことを特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る基板加熱装置の実施の形態(第1の実施の形態)について、図1に示す縦断面図を参照しながら説明を行う。この装置は、下方側を脚部21により支持された下側部分22とその上部側の昇降自在な蓋体3とからなる処理容器20を、筐体100に収めた構成とされており、筐体100の側面には基板であるウエハWの搬入出用の開口部Eが形成されている。この処理容器20について先ず下側から説明を行うと、下側部分22の内側には円柱状の加熱板である加熱プレート23が設けられており、下側部分22の内壁面と加熱プレート23の外壁面との間には全周に亘って凹部24が形成されている。また、加熱プレート23はウエハWの載置台をなすものでもあり、例えば窒化アルミニウム(AlN)によって形成されている。
【0014】
加熱プレート23の表面(上面)近傍には、例えば複数に分割された抵抗加熱発熱体であるヒータ25と、温度検出手段である熱電対TCとが埋設されており、熱電対TCにて得られた温度データは制御部4へと送信され、制御部4ではこの温度データに基づき、電力供給部25aを介してヒータ25に供給する電力量の調節を行うように構成されている。また加熱プレート23の表面上には例えば高さ0.1mmの3つの突起26が周方向に3等分した位置に設けられており、基板であるウエハWはこれらにより前記加熱プレート23表面から僅かに浮いた状態で水平に支持される。ウエハWの支持される位置の下方側には加熱プレート23を貫通して、例えば三本のリフトピン27が突没自在に設けられている。リフトピン27は図示しないウエハ搬送アームと加熱プレート23との間でウエハWの受け渡しを行う役割を有すると共に、詳細は後述するがプロセス時においては高さを調節することでウエハWの受ける熱量を調節する役割をも有し、例えば図示しないリニアモータや支持部材27a等からなる昇降手段である昇降機構28の働きによりその高さを変えることができるようになっている。また駆動機構28の駆動制御は、制御部4により行われる。
【0015】
次に処理容器20の上側について説明を行う。蓋体3は図示しない駆動機構と接続する昇降部材31により昇降自在とされており、ウエハWの加熱処理時にはその下端が前記凹部24と嵌合してウエハWの周囲を囲うように構成されている。この蓋体3にはパージガス供給手段であるガス供給管32と排気管33とが接続されており、ガス供給管32からガス孔34,35を介して処理容器20内へ例えば窒素ガスや空気等のパージガスの供給を行うと共に、排気口36を介して排気管33から排気を行うことでウエハW表面に気流を形成できるようになっている(図中矢印参照)。また蓋体3には、先端がウエハWと対向するように膜厚監視手段である膜厚検出センサ37が例えば天井部を貫通して設けられており、ウエハW表面上のレジスト膜の膜厚データを制御部4へ送信するように構成されている。この膜厚検出センサ37は例えばウエハWと一定の距離を保つことができるように、位置決め機構38を介して昇降自在とされており、その制御は制御部4から行われる。
【0016】
ところで、図示は省略するがガス供給管32を介して処理容器20内へ供給されるパージガスの流量調節は、制御部4から行う構成とされている。即ち、制御部4はパージガスの流量調節とヒータ25の温度制御とを一括して行うものであり、このような制御は、例えば塗布膜の種類などに応じて予め用意されたレシピをメモリ41内から読み出し、このレシピの内容に沿って行われる。
【0017】
次に上述実施の形態の作用について説明を行う。先ず図示しない駆動機構の働きにより蓋体3を持ち上げた状態で、蓋体3と下側部分22との隙間から図示しないウエハ搬送アームが加熱プレート23の上方へと進入し、ウエハWは下方側から突出するリフトピン27により水平に支持され、リフトピン27が下降することでウエハWは突起26により水平に支持される。そして蓋体3を下降させると、蓋体3及び下側部分22により囲まれるウエハWの処理空間が形成され、しかる後、既述のように所定のレシピに沿ってヒータ25による加熱、及び処理容器20内へのパージガス例えばN2(窒素)ガスの供給、排気が開始される。
【0018】
このときリフトピン27は加熱プレート23の表面下に完全に埋没した状態即ちウエハWは加熱プレート23から0.1mmの高さ(第1の距離)に位置し、膜厚検出センサ37はウエハW表面から例えば5mm〜10mm上方に位置決めされ、係る状態でウエハW表面のレジスト膜の膜厚データを継続して制御部4へと送信する。なお、後述のようにウエハWは加熱処理の進行に伴いリフトピン27によって上昇させられるが、膜厚検出センサ37についても、このリフトピン27の上昇に応じて位置決め機構38により高さ調整がなされ、例えばウエハWとの距離が一定に保たれるように高さ制御を行うようにしてもよい。
【0019】
加熱開始当初は、ウエハWに加わる熱量の大部分がレジスト膜中の溶剤の揮発に費やされるため、図2の特性図に示すように膜厚は急激に減少していくが、「発明が解決しようとする課題」でも述べたように、ある時点を越えるとレジスト膜中に含まれるポリマーに過剰な熱量が加わることなるため、ウエハWが受ける熱量を減らす制御が行われる。この「ある時点」とは図9(b)にて示したt0時点に相当するものであり、t0時点の判断は単位時間当たりの膜厚の減少量(以下膜厚減少速度という)により判断される。これは例えば図3に示すように時刻b1からb2に至るまでの間に減少した膜厚の値(a1−a2)を(b2−b1)にて割ることで算出でき、この値は図示する曲線からも分かるように時間の経過と共に小さくなっていく。
【0020】
ところでt0時点と膜厚減少速度との関係は図9(b)及び図10(b)の関係から予め把握されており、ここでt0時点に至るまでを第1の工程、t0以降を第2の工程と呼ぶものとすると、第2の工程とはウエハWに加わる単位時間当たりの熱量(熱エネルギー)を減少させることでポリマーに過剰な熱量が加わることを抑えつつ、継続してレジスト膜中の溶剤を揮発させる工程である。このため制御部4では、t0時点に至ったことを把握すると、つまり膜厚検出センサ37からの膜厚検出値に基づいて算出した膜厚の減少量が予め設定した設定値よりもちいさくなったときにウエハWに加わる熱量が所定の値まで減少するように昇降機構28に指令を発し、リフトピン27を上昇させる。リフトピンの高さとウエハWが受ける単位時間あたりの熱量との関係は、レシピに記録されるヒータ25の加熱パターンに基づいて予め把握されており、このデータに基づいてリフトピン27は高さP1(第2の距離)まで上昇する。
【0021】
t0時点におけるリフトピン27の高さP1は、ウエハWの受ける単位時間あたりの熱量が、例えばポリマー保護基が分解などしてしまう限界値よりも幾分低くなるように設定されており、前記熱量の値がt1時点において再び前記限界値に近づくと、その後リフトピン27を徐々に上昇させながらウエハWの受ける熱量を小さくしていく。なおリフトピン27をt0時点で一旦上昇させた後は、その後の温度変化や処理内容に応じて高さを自由に変化させるようにしてもよい。従って、ここではt1時点以降リフトピン27をなだらかに上昇させる例を示したが、逆に下降させてもよいし、一旦下降させて再び上昇させるようにしてもよい。
【0022】
こうしてウエハWは加熱プレート23との距離において、0.1mm(リフトピン27が上昇していない状態)から例えば25mmの間で上昇(または下降)し、プロセス終了後、搬入時と逆の手順で処理容器20から搬出される。
【0023】
これまで述べてきたように、本実施の形態によれば、ウエハW表面に形成したレジスト膜における膜質の面内均一性を表す指標(Rmin)とPABにおけるウエハWの加熱時間との関係に着目し、レジスト膜の膜厚減少速度に応じてウエハWの高さを変えることで、当該レジスト膜に与えられる熱量を調節する構成としているため、レジスト膜の膜質を最適化することができる。即ち、溶剤が概ね揮発するまでは大きな熱エネルギーを与えて揮発を促し、その後残存する僅かな溶剤を揮発させる間は保護基やポリマーに過大な熱量が与えられないようにし、結果として加熱(ベーク)処理を迅速に行いながら、良好な膜質を確保することができる。また、既述のようにレジスト膜における膜質の面内均一性と後工程である露光処理後に得られるレジストパターンの線幅精度との間には相関関係があることから、最適化されたレジスト膜からは線幅精度の高いレジストパターンを得ることができる。
【0024】
更にまた、複数の処理を連続して行う場合において、従来は常に一定の加熱パターンとなるように処理を行ってきたところを、本実施の形態ではレジスト膜の成分変化に応じて当該レジスト膜に与えられる熱エネルギーを変化させるようにしているため、いずれのウエハWについても処理を最適化することができ、結果として歩留まりが向上する。
【0025】
なお本実施の形態における加熱処理時にウエハWが受ける熱エネルギーを調節する手法は、上述したようなウエハWと加熱プレート23の距離を変化させるものに限定されず、例えば以下に述べる第2の実施の形態のように加熱プレート23の表面温度を変化させることでも同様の効果を得ることができる。
【0026】
本実施の形態は、加熱プレート23の温度制御をヒータ25へ供給する電力量の調節により実現しようとするものであり、図4は加熱処理を行った場合の膜厚変化と、加熱プレート23の温度(熱電対TCの温度)との関係を示す特性図である。図示するように制御部4は、第1の工程では加熱プレート23を温度Q1(第1の温度)に維持して溶剤を積極的に揮発させると共に、上述実施の形態と同様に膜厚検出センサ37にて得た膜厚データに基づいてt0時点のタイミングを見極め、t0時点にて電力供給部25aにおける出力値を下げて第2の工程へと移行する。
【0027】
すると加熱プレート23の温度は急激に低下し、t2時点にて例えばQ1よりも10℃〜20℃低下した温度Q2(第2の温度)となり、このまま当該加熱プレート23の温度が維持される。制御部4はt3時点におけるプロセスの終了に伴い、加熱プレート23の温度が第1の工程と同じ温度Q1になるまでヒータ25を昇温させて次の処理の準備を行い、処理の終了したウエハWを処理容器20から搬出すると共に新たな未処理ウエハを搬入し、同様に所定枚数分の加熱処理を繰り返す。ここで加熱プレート23の表面温度を変化させる方法は、ヒータ25への電力量調節に限定されず、例えば加熱プレート23内に図示しない冷媒流路を形成しておき、ここに加熱プレート23の表面温度が図4と同様になるように適当なタイミングで冷媒を流すようにしてもよいし、あるいは加熱プレート23の裏面側に冷媒を接触させる、例えば冷却用のガスを供給するようにしてもよい。
【0028】
またウエハWが受ける熱エネルギーの調節は、パージガスの温度を変化させることでも上記の例と同様の効果を得ることができる。図5(a)はこの第3の実施の形態におけるパージガス供給系について示す概略説明図であり、本実施の形態では第1の実施の形態におけるガス供給管32の途中に上流側から順に例えばパージガス例えば空気の温度を0℃〜30℃の間で変化させることができる温度調節部51と流量計52とが介設されている。図5(b)は本実施の形態における膜厚の変化とパージガスの温度変化について示す特性図であり、制御部4は、先ず第1の工程ではパージガスの温度をR1に維持しながら膜厚データに基づきt0時点の判断を行い、t0時点になると例えば流量計52から得たパージガスの流量に基づき温度調節部51におけるガス温度を急激に低下させる。そしてパージガスの温度がR2まで低下するt4時点でガスの温度をそのまま維持し、処理終了に伴いガス温度をR1まで戻し、次の未処理ウエハWの搬入に備えるようになっている。なお、t0時点を境としてウエハWに与える単位時間当たりの熱量を小さくすればよいので、パージガスの温度と流量とを組み合わせて供給熱量を調節するようにしてもよい。
【0029】
以上において、t0時点の判断についてリアルタイムで行う例を示したが、予め取得しておいたデータに基づき、ある時刻になると制御部4が第1の工程から第2の工程へと制御を切り替えるようにしてもよい。この場合には例えばダミーウエハを用い、上述実施の形態と同様に例えば膜厚検出センサを用いてレジスト膜の膜厚変化を計測しながら加熱処理を行い、膜厚減少速度の変化データに基づいて、レジスト液中の溶剤が概ね揮発される時点を求め、その時点をメモリ内に記憶させといてもよい。そして2枚目以降は製品用のウエハWを用いて、膜厚の計測を行わずに前記算出結果に基づき加熱処理を行う。
【0030】
また特許請求の範囲における第1の温度、第2の温度、第1の距離及び第2の距離の用語は常に一定の値であることを意味するものではなく、その値が段階的に変化する場合も含まれるものである。即ち、例えば第2の実施の形態であれば、第1の温度に相当する温度Q1は、第2の温度に相当する温度Q2よりも高い値を維持する限り、加熱開始からt0時点に至るまでの間に変化していても構わない。具体的には温度Q1がt0に至るまでの間に徐々に低下し、t0時点から更に急激に温度が低下する場合等が含まれる。
【0031】
最後に上述の基板加熱装置をユニット化して組み込んだ塗布、現像装置の一例について図6及び7を参照しながら説明する。図中S1はウエハWが例えば13枚密閉収納されたカセットCを搬入出するためのカセット載置部であり、カセットCを複数個載置可能な載置台61と、カセットCからウエハWを取り出すための受け渡し手段62とが設けられている。
【0032】
カセット載置部S1の奥側には筐体70にて周囲を囲まれる処理部S2が接続されており、この処理部S2には手前側から順に、上述の基板加熱装置を含む加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハWの受け渡しを行う主搬送手段71A,71Bとが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段71A,71Bはカセット載置部S1側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハWは処理部S1内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU2まで自由に移動できるようになっている。また主搬送手段71A,71Bは、カセット載置部S1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁72により囲まれる空間内に置かれている。また図中73,74は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
【0033】
液処理ユニットU4,U5は、例えば図7に示すように塗布液(レジスト液)や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部75の上に、塗布ユニットCOT、現像ユニットDEV及び反射防止膜形成ユニットBARC等を複数段例えば5段に積層した構成とされている。また既述の棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされている。
【0034】
処理部S2における棚ユニットU3の奥側には、インターフェイス部S3を介して露光部S4が接続されている。インターフェイス部S3は、処理部S1と露光部S4との間に設けられる第1の搬送室76及び第2の搬送室77にて構成されており、その内部には2つの受け渡し手段78,79、棚ユニットU6及びバッファカセットC0を備え、例えば棚ユニットU6内にある塗布液の塗布されたウエハWを受け渡し手段78→棚ユニットU6→受け渡し手段79→露光部S4の経路で搬送することができるように構成されている。露光の終了したウエハWは逆の順路を経て処理部S2へと戻され、例えば現像処理等を行った後にカセットCへと収納される。
【0035】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、レジスト液の塗布された基板に対し、露光の前に行われる加熱処理において、レジスト膜の膜質の面内均一性を向上させることができる。また他の発明によれば、上記発明と同様の加熱処理を行う基板加熱装置を塗布、現像装置に適用したときに、製品の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板加熱装置の実施の形態を示す縦断面図である。
【図2】前記実施の形態の作用を表す作用説明図である。
【図3】前記実施の形態の作用を示す作用説明図である。
【図4】前記基板加熱装置の他の実施の形態について、その作用を表す作用説明図である。
【図5】前記基板加熱装置の更に他の実施の形態について説明するための概略説明図である。
【図6】前記基板加熱装置を組み込んだ塗布、現像装置の一例を示す平面図である。
【図7】前記基板加熱装置を組み込んだ塗布、現像装置の一例を示す斜視図である。
【図8】従来技術に係る基板加熱装置を示す概略説明図である。
【図9】発明が解決しようとする課題を説明するための概略説明図である。
【図10】発明が解決しようとする課題を説明するための概略説明図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ(基板)
20 処理容器
23 加熱プレート(加熱板)
25 ヒータ(抵抗加熱発熱体)
25a 電力供給部
26 突起
27 リフトピン
28 昇降機構
3 蓋体
32 ガス供給管(パージガス供給手段)
37 膜厚検出センサ(膜厚検出手段)
4 制御部(制御手段)
51 温度調節部
Claims (10)
- レジスト液を塗布した基板を処理容器内の加熱板に載置して基板加熱する方法において、
前記加熱板に載置された基板と対向する位置に設けられた膜厚監視手段を用いて、加熱されている基板上のレジスト液の膜厚を検出する工程と、
前記加熱板より熱エネルギーを基板に与えてレジスト液中の溶剤を揮発させる第1の工程と、
次いで単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくしてレジスト膜中に残存する溶剤を揮発させる第2の工程と、を含み
前記膜厚監視手段により検出された膜厚の単位時間当たりの減少量が予め決められた値よりも小さくなったときに、前記第1の工程から前記第2の工程への切り替えを行うことを特徴とする基板加熱方法。 - 前記第2の工程では、基板と加熱板との距離を第1の工程時よりも大きくすることにより、単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくすることを特徴とする請求項1記載の基板加熱方法。
- 前記第2の工程では、加熱板の温度を第1の工程時よりも低くすることにより、単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくすることを特徴とする請求項1記載の基板加熱方法。
- 加熱板に設けられている抵抗加熱発熱体に供給される電力を小さくすることにより加熱板の温度を低くすることを特徴とする請求項3記載の基板加熱方法。
- 加熱板に冷媒を供給することにより加熱板の温度を低くすることを特徴とする請求項3記載の基板加熱方法。
- 処理容器内にはパージガスが供給され、前記第2の工程では、パージガスの温度を第1の工程時よりも低くすることにより、単位時間に基板に与える熱量を第1の工程時よりも小さくすることを特徴とする請求項1記載の基板加熱方法。
- レジスト液を塗布した基板を処理容器内にて加熱する装置において、
処理容器内に設けられ、基板がその上に載置される加熱板と、
基板を加熱板に対して相対的に昇降させるための昇降手段と、
前記処理容器内にて、前記加熱板に載置された基板と対向する位置に設けられ、加熱されている基板上のレジスト液の膜厚を検出するための膜厚監視手段と、
基板と加熱板との距離を第1の距離に設定してレジスト液中の溶剤を揮発させ、前記膜厚監視手段により検出された膜厚の単位時間当たりの減少量が予め決められた値よりも小さくなったときに、前記基板と加熱板との距離を第1の距離よりも大きい第2の距離に設定し、レジスト膜中に残存する溶剤を揮発させる制御手段と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - レジスト液を塗布した基板を処理容器内にて加熱する装置において、
処理容器内に設けられ、基板がその上に載置される加熱板と、
前記処理容器内にて、前記加熱板に載置された基板と対向する位置に設けられ、加熱されている基板上のレジスト液の膜厚を検出するための膜厚監視手段と、
加熱板の温度を第1の温度に設定してレジスト液中の溶剤を揮発させ、前記膜厚監視手段により検出された膜厚の単位時間当たりの減少量が、予め決められた値よりも小さくなったときに、前記加熱板の温度を第1の温度よりも低い第2の温度に設定し、レジスト膜 中に残存する溶剤を揮発させる制御手段と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - レジスト液を塗布した基板を処理容器内にて加熱する装置において、
処理容器内に設けられ、基板がその上に載置される加熱板と、
処理容器内にパージガスを供給するパージガス供給手段と、
前記処理容器内にて、前記加熱板に載置された基板と対向する位置に設けられ、加熱されている基板上のレジスト液の膜厚を検出するための膜厚監視手段と、
パージガスの温度を第1の温度に設定してレジスト液中の溶剤を揮発させ、前記膜厚監視手段により検出された膜厚の単位時間当たりの減少量が、予め決められた値よりも小さくなったときに、前記パージガスの温度を第1の温度よりも低い第2の温度に設定し、レジスト膜中に残存する溶剤を揮発させる制御手段と、を備えたことを特徴とする基板加熱装置。 - 複数枚の基板を収納した基板カセットが載置されるカセットステージと、
基板にレジスト液を塗布する塗布ユニットと、
基板にレジストを塗布する前に基板に対して前処理を行う前処理ユニットと、
レジスト液が塗布された基板を加熱するための請求項7ないし9のいずれかに記載された基板加熱装置と、
露光後の基板に対して現像処理を行う現像ユニットと、
基板を前記基板カセット、塗布ユニット、前処理ユニット、基板加熱装置及び現像ユニットの間で受け渡すための手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
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