JP6467260B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
特許文献1に記載の装置では、冷却ガス吐出ノズルが基板の表面(上面)に形成されたDIWの液膜の上方に離間して配置され、DIWの凝固点より低い温度を有する冷却ガス(例えば窒素ガス)が冷却ガス吐出ノズルから液膜に吹き付けられる。したがって、冷媒として気体成分を用いているために冷却効率の低下は避けられない。そこで、冷却部材(固体)の少なくとも一部の面(以下「処理面」という)を液膜の凝固点より低い温度に冷却し、当該処理面を液膜に直接当接させて凝固させることで冷却効率を向上させるという着想が本願発明者らに生まれた。しかしながら、このような着想を具現化するためには、以下の2つの技術事項について検討する必要がある。
まず第1点目の技術事項は、冷却部材の剥離性である。冷却部材の処理面を液膜に着液して液膜を凝固させると、基板の表面と処理部材の処理面とで挟まれた領域が凝固して基板の表面に付着するが、こうして凝固した領域は冷却部材の処理面にも付着してしまう。したがって、基板の表面に凝固体を良好に形成するためには、上記凝固動作に続けて冷却部材の処理面を凝固領域から確実に剥離する必要がある。
F11:第1試料片11の下面11cに対する凝固領域16aの着氷力、
F12:基板Wの表面Wfに対する凝固領域16aの着氷力、
F21:第2試料片12の下面12aに対する凝固領域16bの着氷力、
F22:基板Wの表面Wfに対する凝固領域16bの着氷力、
は、以下の関係、
F11<F12 …(1)式
F21<F22 …(2)式
を示すと上記研究報告から推測される。
(処理面に対する凝固領域の着氷力)<(表面Wfに対する凝固領域の着氷力)
を満足することで冷却部材を凝固領域から優先的に剥離させ、凝固領域を所望形状のまま確実に基板Wの表面Wfに残存させることができる。なお、ここでは本発明の「凝固対象液」としてDIWを用いる場合について説明したが、その他の液体を本発明の「凝固対象液」として用いる場合も同様である。
上記検証実験では、冷凍庫に基板Wを収納することで液膜を凝固させているが、冷却部材の液膜への着液によって液膜を凝固させることが合理的に可能であるか否かを検証する必要がある。そこで、本願発明者らは、図2に示す検証実験を行って冷却部材による凝固可能性を検証した。
上記した2つの検証実験に基づき、液膜の凝固点より低温の冷却部材の処理面を液膜に直接当接させることで凝固領域を形成することが可能であり、しかも人の指で押す程度の小さな力によって冷却部材を移動させることで凝固領域を基板Wの表面Wfに残存させたまま冷却部材を凝固領域から剥離することが可能であることが明らかとなった。そこで、本願発明者らは上記した着想を具現化した実施形態を創作した。以下、図3ないし図6を参照しつつ本発明にかかる基板処理装置および基板処理方法の第1実施形態について詳述する。
図3は本発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す図である。また、図4は図3の基板処理装置の部分平面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Wの表面Wfに付着したパーティクルなどの汚染物質を除去するための洗浄処理に用いられる枚葉式の基板処理装置である。なお、図3および図4では、各図の方向関係を明確にするために、XYZ直角座標軸が示される。
図7は本発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。また、図8は図7の基板処理装置の動作を示す図である。第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は冷却部材53の構成であり、冷却部材53が第2アーム52と平行な方向に延設されている点である。そして、制御ユニットがヘッド駆動機構51によって第2アーム52を往路方向に回動させて、図7中の点線および図8の(a)に示すように、冷却部材53の先端部を基板表面Wの回転中心部の直上位置に移動させると、冷却部材53の処理面533は基板Wの表面中央部から表面周縁部までの表面領域に対向する。すなわち、処理面533は基板Wの回転中心部から端縁部までの距離と同じあるいはそれ以上の長さに延設された矩形形状を有している。また、冷却部材53の形状変更に伴い、図7に示すように、温度調整部54は退避位置に位置決めされる第2アーム52と平行な方向に延設されている。なお、その他の構成は第1実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して構成説明を省略する。
上記第2実施形態では、冷却部材53を直方体形状に仕上げているが、冷却部材53を図9に示すように直円錐形状に仕上げてもよい。以下、図9を参照しつつ第3実施形態について説明する。
上記実施形態では、基板Wの表面Wfに液膜19を形成した(液膜形成処理)後に冷却部材53を液膜19に着液させているが、図10に示すように冷却部材53からDIWを供給して凝固体20を形成するように構成してもよい。
上記実施形態では、冷却部材53の処理面533はいずれも基板Wの表面Wfよりも狭く、液膜19の一部を凝固して凝固領域16を形成しながら基板Wの表面Wfに対して冷却部材53を相対移動させて凝固体20を形成しているが、図11に示すように、冷却部材53によって液膜19を一度に凝固した後で冷却部材53を剥離して凝固体20を形成するように構成してもよい。
上記した実施形態では、基板Wは表面Wfを上方に向けた水平姿勢でスピンベース21に保持されており、基板Wの表面Wfが本発明の「基板の上面」の一例に相当し、スピンベース21およびチャックピン22が本発明の「基板保持部」の一例に相当している。また、基板Wの表面中央部が本発明の「上面中央部」に相当している。また、ステップS3、S4がそれぞれ本発明の「第1工程」および「第2工程」に相当し、これらを含む工程が本発明の「凝固体形成工程」の一例に相当している。また、ステップS8が本発明の「除去工程」の一例に相当している。さらに、ヘッド駆動機構51およびDIW吐出ノズル41がそれぞれ本発明の「移動部」および「除去部」の一例に相当している。
12…第2試料片(冷却部材)
11c、12a、533…処理面
16、16a、16b…凝固領域
19…液膜
20…凝固体
21…スピンベース(基板保持部)
22…チャックピン(基板保持部)
41…DIW吐出ノズル(除去部)
51…ヘッド駆動機構(移動部)
53…冷却部材,直円錐状冷却部材
W…基板
Wf…(基板Wの)表面
Claims (8)
- 水平姿勢の基板の上面に形成された凝固対象液の液膜を冷却部材を用いて凝固させて凝固体を形成する凝固体形成工程を備え、
前記凝固体形成工程は、前記冷却部材のうち前記凝固対象液の凝固点よりも低温の処理面を前記液膜に着液させて前記上面と前記処理面とに挟まれる領域に位置する前記凝固対象液を凝固させる第1工程と、前記第1工程により凝固された凝固領域から前記処理面を剥離する第2工程とを有し、
前記凝固領域と前記処理面との付着力は、前記凝固領域と前記上面との付着力よりも小さい
ことを特徴とする、基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記処理面は前記上面よりも狭く、
前記凝固体形成工程は、前記上面の一部に前記処理面を対向するように前記冷却部材を初期位置に配置して前記第1工程を実行した後で、前記初期位置から前記冷却部材を水平方向に相対移動させながら前記第2工程と前記第1工程とを行って前記凝固体を形成する、基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記初期位置は前記基板の上面中央部の上方位置であり、
前記凝固体形成工程は、前記冷却部材を前記初期位置から離れる方向に相対移動させて前記凝固領域を径方向に拡幅して前記凝固体を形成する基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記処理面は、前記基板の回転中心部から前記基板の端縁部までの距離以上の長さに延設された長尺形状を有し、
前記初期位置では、前記処理面の長さ方向における一方端部が前記基板の回転中心部の上方に位置するとともに前記処理面の前記長さ方向における他方端部が前記基板の端縁部の上方に位置するように前記冷却部材を配置し、
前記凝固体形成工程は、前記冷却部材を前記初期位置に位置決めしながら、前記回転中心部を回転中心として前記基板を回転させて前記凝固領域を回転方向に拡幅して前記凝固体を形成する基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記処理面は前記上面と同一形状または前記上面よりも広く、
前記凝固体形成工程は、前記処理面で前記上面を鉛直上方から覆うように前記冷却部材を配置して前記第1工程を実行した後で、前記冷却部材を前記基板に対して相対移動させて前記第2工程を行う、基板処理方法。 - 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の基板処理方法であって、
前記上面から前記凝固体を除去する除去工程をさらに備える、基板処理方法。 - 上面に凝固対象液の液膜が形成された基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
前記凝固対象液の凝固点よりも低温の処理面を有する冷却部材と、
前記基板保持部に保持される基板の上面に対して前記冷却部材を相対移動させる移動部とを備え、
前記処理面が前記液膜に着液するように前記冷却部材を移動させて前記上面と前記処理面とに挟まれる領域に位置する前記凝固対象液を凝固して凝固領域を形成した後で前記冷却部材を移動することで前記凝固領域から前記処理面を剥離させる動作を行って前記液膜を凝固させて凝固体を形成し、
前記処理面は、前記凝固領域との付着力が前記凝固領域と前記上面との付着力よりも小さい材料で構成される
ことを特徴とする、基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記凝固体を前記基板から除去する除去部をさらに備える、基板処理装置。
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