KR20200019618A - 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물 - Google Patents

활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물 Download PDF

Info

Publication number
KR20200019618A
KR20200019618A KR1020197036510A KR20197036510A KR20200019618A KR 20200019618 A KR20200019618 A KR 20200019618A KR 1020197036510 A KR1020197036510 A KR 1020197036510A KR 20197036510 A KR20197036510 A KR 20197036510A KR 20200019618 A KR20200019618 A KR 20200019618A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
active ester
ester compound
preferable
unsaturated bond
Prior art date
Application number
KR1020197036510A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102494828B1 (ko
Inventor
유타카 사토우
가즈히사 야모토
Original Assignee
디아이씨 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 디아이씨 가부시끼가이샤 filed Critical 디아이씨 가부시끼가이샤
Publication of KR20200019618A publication Critical patent/KR20200019618A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102494828B1 publication Critical patent/KR102494828B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/003—Esters of saturated alcohols having the esterified hydroxy group bound to an acyclic carbon atom
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/76—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/76—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C69/80—Phthalic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4223—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4246—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof polymers with carboxylic terminal groups
    • C08G59/4269—Macromolecular compounds obtained by reactions other than those involving unsaturated carbon-to-carbon bindings
    • C08G59/4276—Polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326—Organic insulating material consisting of one material containing O
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/56—Ring systems containing bridged rings
    • C07C2603/58—Ring systems containing bridged rings containing three rings
    • C07C2603/60—Ring systems containing bridged rings containing three rings containing at least one ring with less than six members
    • C07C2603/66—Ring systems containing bridged rings containing three rings containing at least one ring with less than six members containing five-membered rings
    • C07C2603/68—Dicyclopentadienes; Hydrogenated dicyclopentadienes

Abstract

본 발명은, 얻어지는 경화물이 저유전정접이며, 또한, 보다 내열성이 우수한 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다. 구체적으로는, 하기 화학식(1)
Figure pct00023

(상기 화학식(1) 중, Ar1이, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고, Ar2이, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고, 이때, 상기 Ar1 및 상기 Ar2의 적어도 하나가, 불포화 결합 함유 치환기를 갖고, n이, 2 또는 3의 정수이다)
으로 표시되는 활성 에스테르 화합물, 및 이것을 사용한 경화성 조성물과 그 경화물을 제공한다.

Description

활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물
본 발명은, 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 소형화, 고성능화가 진행되고 있고, 이것에 수반해서 사용되는 각종 재료의 요구 성능이 향상하고 있다. 예를 들면, 반도체 패키지 기판에서는, 신호의 고속화, 고주파화가 진행되고 있고, 전기에너지 손실이 낮은 재료, 즉, 저유전정접의 재료가 요구되고 있다.
이와 같은 저유전정접의 재료로서, 예를 들면, 특허문헌 1에는, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물, (C) 스미어 억제 성분, 및 (D) 무기 충전제를 함유하는 수지 조성물에 따른 발명이 기재되어 있다. 이때, 상기 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우에, 상기 (B) 활성 에스테르 화합물, 상기 (C) 스미어 억제 성분, 및 상기 (D) 무기 충전제가, 각각 소정의 함유율이며, 또한, 상기 (C) 스미어 억제 성분이 고무 입자인 것을 특징으로 하고 있다.
특허문헌 1에는, 상기 수지 조성물에 의하면, 경화물의 저유전정접화를 달성할 수 있는 것이 기재되어 있다. 또한, 상기 경화물을 구멍 뚫기 가공해서 조화(粗化) 처리한 후의 비아홀 내의 스미어(수지 잔사)를 억제할 수 있는 것도 기재되어 있다.
또, 특허문헌 1에 기재된 (B) 활성 에스테르 화합물은, 1분자 중에 활성 에스테르기를 1개 이상 갖는 화합물인 것, 및 수지 조성물의 경화물의 유전정접을 낮게 할 수 있는 것이 기재되어 있다.
일본 특개2016-156019호 공보
특허문헌 1에는, 활성 에스테르 화합물 등을 사용함에 의해, 얻어지는 경화물의 유전정접을 낮게 할 수 있는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이와 같은 경화물은, 내열성이 반드시 충분하다고 할 수 없는 경우가 있는 것이 판명되었다.
그래서, 본 발명은, 얻어지는 경화물이 저유전정접이며, 또한, 보다 내열성이 우수한 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 예의 연구를 행했다. 그 결과, 소정의 활성 에스테르 화합물에 의해, 상기 과제가 해결될 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키는데 이르렀다.
즉, 본 발명은, 하기 화학식(1)으로 표시되는 활성 에스테르 화합물에 관한 것이다.
Figure pct00001
이때, 상기 화학식(1) 중, Ar1이, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고, Ar2이, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고, 이때, 상기 Ar1 및 상기 Ar2의 적어도 하나가, 불포화 결합 함유 치환기를 갖고, n이, 2 또는 3의 정수이다.
본 발명에 따르면, 얻어지는 경화물이 저유전정접이며, 또한, 보다 내열성이 우수한 활성 에스테르 화합물이 제공된다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세히 설명한다.
<활성 에스테르 화합물>
본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물은 하기 화학식(1)으로 표시된다.
Figure pct00002
화학식(1)으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 사용함에 의해, 저유전정접이며, 또한, 보다 내열성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 그 이유는 반드시 명백하지는 않지만, 이하의 이유에 의한 것으로 추찰된다.
우선, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물이 갖는 에스테르 결합은, 두 방향족환을 결합하는 것이고, 후술하는 에폭시 수지가 갖는 에폭시기와 높은 반응성을 갖는다. 이 높은 반응성에 의해, 에폭시기의 개환에 의해 발생하는 히드록시기의 발생을 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물은, 분자 중에 히드록시기를 갖지 않거나, 또는 거의 갖지 않는다. 이 때문에, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물이 반응해서 얻어지는 경화물 중에, 활성 에스테르 화합물 유래의 히드록시기는 존재하지 않거나, 또는 거의 존재하지 않는다.
이와 같이, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물에 의하면, 경화 시에 있어서의 히드록시기의 발생을 방지 또는 억제할 수 있다. 일반적으로, 극성이 높은 히드록시기는, 유전정접을 상승시키는 것이 알려져 있지만, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물을 사용함으로써 경화물에 있어서의 저유전정접을 실현할 수 있다.
또한, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물은, 후술하는 에폭시 수지의 에폭시기와 반응 활성을 갖는 에스테르 결합을 둘 또는 셋 가진다. 그 결과, 경화물의 가교 밀도가 높아지고, 내열성이 향상할 수 있다.
또한, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물은, 적어도 하나의 불포화 결합 함유 치환기를 갖는다. 이 때문에, 에폭시기, 에스테르 결합에 의거한 가교뿐만 아니라, 불포화 결합 함유 치환기에 의거한 가교가 발생하게 되고, 보다 높은 가교 밀도를 실현할 수 있다.
즉, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물이 불포화 결합 함유 치환기를 가짐에 의해, 얻어지는 경화물은 한층 더 높은 내열성을 실현할 수 있다.
또, 놀랍게도, 상기 불포화 결합 함유 치환기의 존재에 의해, 얻어지는 경화물의 유전정접이 보다 낮아질 수 있다. 이와 같은 효과는, 불포화 결합 함유 치환기에 의해, 얻어지는 경화물이 전체적으로 극성이 낮아짐으로써, 그 결과, 전기에너지의 손실이 저감되는 것 등에 의한 것으로 추찰된다.
상기 활성 에스테르 화합물로서는, 후술하는 조성물로서 조정할 때의 핸들링성이나, 그 경화물의 내열성, 유전특성과의 밸런스가 보다 우수한 관점에서, 상온(25℃)에서 액체이거나, 혹은, 그 연화점 또는 융점이 40℃∼200℃의 범위인 것이 바람직하다.
화학식(1) 중, Ar1은, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고, 그 탄소 원자수는 3∼30의 범위인 것이 바람직하다. 후술하는 바와 같이, 화학식(1) 중의 n은 2 또는 3의 정수이므로, 제1 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자 중 둘 또는 셋이 「-C(O)OAr2」로 치환되는 것으로 된다.
상기 제1 방향족환기로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등의 단환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것; 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등의 축환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것 등의, 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋이 제거된 것; 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 페닐피리딜메탄, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등의 알킬렌에 의해 연결되는 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것 등을 들 수 있다.
Ar1에 따른 제1 방향족환기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제1 방향족환기의 치환기」란, 상기 제1 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나와 치환되는 것이다. 제1 방향족환기의 치환기의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼15의 알킬옥시카르보닐기, 탄소 원자수 2∼15의 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
탄소 원자수 1∼10의 알킬기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 이소헥실기, n-노닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기를 들 수 있다.
탄소 원자수 1∼10의 알콕시기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기 등을 들 수 있다.
탄소 원자수 2∼15의 알킬옥시카르보닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸옥시카르보닐기, 에틸옥시카르보닐기, 프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, 부틸옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
탄소 원자수 2∼15의 알킬카르보닐옥시기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, 프로필카르보닐옥시기, 이소프로필카르보닐옥시기, 부틸카르보닐옥시기, n-부틸카르보닐옥시기, 이소부틸카르보닐옥시기, sec-부틸카르보닐옥시기, tert-부틸카르보닐옥시기 등을 들 수 있다.
할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
상술 중, Ar1은, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 6∼30의 제1 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다. Ar1이 제1 방향족 탄화수소기이면, 비공유 전자쌍에 의한 유전정접의 상승을 방지 또는 억제할 수 있고, 얻어지는 경화물이 보다 저유전정접으로 될 수 있으므로 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, 「제1 방향족 탄화수소기」란, 제1 방향족환기 중, 탄소 원자 및 수소 원자로 구성되는 방향족 탄화수소기를 의미한다.
상기 제1 방향족 탄화수소기로서는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌으로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것 등의 방향족 탄화수소 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 탄화수소 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 테르페닐, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋이 제거된 것; 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등의 알킬렌에 의해 연결되는 방향족 탄화수소 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것 등을 들 수 있다.
Ar1에 따른 제1 방향족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제1 방향족 탄화수소기의 치환기」란, 상기 제1 방향족 탄화수소기를 구성하는 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나와 치환되는 것이다. 당해 방향족 탄화수소기의 치환기는, 탄소 원자 및 수소 원자로 구성될 수 있다. 방향족 탄화수소기의 치환기의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기를 들 수 있다. 이때, 상기 탄소 원자수 1∼10의 알킬기로서는 상술한 것을 들 수 있다. 또, 상술의 제1 방향족 탄화수소기의 치환기는 단독으로 갖고 있어도 되고, 2종 이상이 조합되어 갖고 있어도 된다.
상술 중, Ar1은, 벤젠, 톨루엔, o-자일렌, m-자일렌, p-자일렌, 나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸나프탈렌, 1,5-디메틸나프탈렌, 2,6-디메틸나프탈렌, 2,7-디메틸나프탈렌, 2,3,6,7-로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것임이 보다 바람직하고, 벤젠, 톨루엔, 나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸나프탈렌으로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것임이 더 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌으로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것임이 특히 바람직하고, 벤젠으로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것임이 가장 바람직하다.
일 실시형태에 있어서, Ar1은, 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다. 당해 불포화 결합 함유 치환기는, 불포화 결합을 포함하는 관능기이고, 탄소 원자수는 2∼30의 것이 바람직하다.
불포화 결합 함유 치환기의 구체예로서는, 탄소 원자수 2∼30의 알케닐기, 탄소 원자수 2∼30의 알키닐기 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 2∼30의 알케닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기, 5-헥세닐기, 1-옥테닐기, 2-옥테닐기, 1-운데세닐기, 1-펜타데세닐기, 3-펜타데세닐기, 7-펜타데세닐기, 1-옥타데세닐기, 2-옥타데세닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로옥테닐기, 1,3-부타디에닐기, 1,4-부타디에닐기, 헥사-1,3-디에닐기, 헥사-2,5-디에닐기, 펜타데카-4,7-디에닐기, 헥사-1,3,5-트리에닐기, 펜타데카-1,4,7-트리에닐기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 탄소 원자수 2∼30의 알키닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 에티닐기, 프로파르길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1,3-부타디이닐기 등을 들 수 있다.
Ar1의 바람직한 구조로서는, 하기 식(2-1)∼(2-17)을 들 수 있다.
Figure pct00003
이때, 상기 식(2-1)∼(2-17)에 있어서, 「*」는, 「-C(O)OAr2」에 결합하는 위치를 나타낸다. 또, 「-*」는 방향환의 어느 위치에 결합되어 있어도 된다.
이들 중, 식(2-1)∼(2-11)인 것이 바람직하고, 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7), (2-9)인 것이 보다 바람직하고, 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7)인 것이 더 바람직하다. 또한, 방향족 에스테르 화합물(A-1)의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 (2-1), (2-2)인 것이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, (2-6), (2-7)인 것이 바람직하다.
또, 식(2-1)∼(2-17)의 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나가 불포화 결합 함유기와 치환하여 있어도 된다.
Ar2은, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고, 탄소 원자수는 3∼30의 범위인 것이 바람직하다. 상기 화학식(1)의 기재로부터도 명백한 바와 같이, 제2 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자 중의 하나가 「-OC(O)Ar1」로 치환되는 것으로 된다.
상기 제2 방향족환기로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이속사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등의 단환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것; 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등의 축환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등의 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것; 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 페닐피리딜메탄, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등의 알킬렌에 의해 연결되는 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 보다 유전특성이 우수한 경화물이 얻어지므로, Ar2은 치환 또는 비치환의 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 바람직하다. 또한, 활성 에스테르 화합물의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 벤젠환인 것이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, 나프탈렌환인 것이 바람직하다.
Ar2에 따른 제2 방향족환기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제2 방향족환기의 치환기」란, 상기 제2 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나와 치환되는 것이다. 제2 방향족환기의 치환기의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼15의 알킬옥시카르보닐기, 탄소 원자수 2∼15의 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 이때, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 탄소 원자수 2∼15의 알킬옥시카르보닐기, 탄소 원자수 2∼15의 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자로서는 상술한 것을 들 수 있다.
상술 중, Ar2은, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 6∼30의 제2 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하다. Ar2이 제2 방향족 탄화수소기이면, 비공유 전자쌍에 의한 유전율의 상승을 방지 또는 억제할 수 있고, 얻어지는 경화물이 저유전정접으로 될 수 있으므로 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, 「제2 방향족 탄화수소기」란, 제2 방향족환기 중, 탄소 원자 및 수소 원자로 구성되는 방향족 탄화수소기를 의미한다.
상기 제2 방향족 탄화수소기로서는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌으로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등의 방향족 탄화수소 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 탄화수소 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 테르페닐, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것; 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등의 알킬렌에 의해 연결되는 방향족 탄화수소 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등을 들 수 있다.
Ar2에 따른 제2 방향족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제2 방향족 탄화수소기의 치환기」란, 상기 제2 방향족 탄화수소기를 구성하는 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나와 치환되는 것이다. 당해 방향족 탄화수소기의 치환기는, 탄소 원자 및 수소 원자로 구성될 수 있다. 방향족 탄화수소기의 치환기의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기를 들 수 있다. 이때, 상기 탄소 원자수 1∼10의 알킬기로서는 상술한 것을 들 수 있다. 또, 상술의 제2 방향족 탄화수소기의 치환기는 단독으로 갖고 있어도 되고, 2종 이상이 조합되어 갖고 있어도 된다.
상술 중, Ar2은, 벤젠, 톨루엔, o-자일렌, m-자일렌, p-자일렌, 나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸나프탈렌, 1,5-디메틸나프탈렌, 2,6-디메틸나프탈렌, 2,7-디메틸나프탈렌, 2,3,6,7-로부터 수소 원자가 하나 제거된 것임이 보다 바람직하고, 벤젠, 톨루엔, 나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸나프탈렌으로부터 수소 원자가 하나 제거된 것임이 더 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌으로부터 수소 원자가 하나 제거된 것임이 특히 바람직하고, 벤젠으로부터 수소 원자가 하나 제거된 것임이 가장 바람직하다.
일 실시형태에 있어서, Ar2은, 상술한 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 상기 불포화 결합 함유 치환기는 단독으로 갖고 있어도 되고, 2종 이상이 조합되어 갖고 있어도 된다.
Ar2의 바람직한 구조로서는, 하기 식(3-1)∼(3-17)을 들 수 있다.
Figure pct00004
이때, 상기 식(3-1)∼(3-17)에 있어서, 「*」는, 「-OC(O)Ar1」에 결합하는 위치를 나타낸다. 또, 「-*」는 방향환의 어느 위치에 결합되어 있어도 된다.
이들 중, 식(3-1)∼(3-11)인 것이 바람직하고, 식(3-1), (3-6), (3-9)인 것이 보다 바람직하고, 식(3-1), (3-6)인 것이 더 바람직하다.
또, 식(3-1)∼(3-17)의 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나가 불포화 결합 함유기와 치환하여 있어도 된다.
상기 화학식(1)에 있어서, 상술의 Ar1 및 Ar2의 적어도 하나는, 탄소 원자수 2∼30의 알케닐기인 불포화 결합 함유 치환기를 갖는다. 즉, Ar1만이 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 되고, Ar2만이 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 되고, Ar1 및 Ar2이 모두 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다.
일 실시형태에 따르면, Ar2의 적어도 하나가 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 바람직하고, 모든 Ar2이 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 보다 바람직하고, Ar1이 불포화 결합 함유 치환기를 갖지 않으며, 또한, 모든 Ar2이 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 더 바람직하다. 불포화 결합 함유 치환기가 Ar2에 존재하면, 경화물에 있어서의 내열성과 유전정접의 밸런스가 보다 우수하므로 바람직하다.
일 실시형태에 따르면, 불포화 결합 함유 치환기는, Ar2의 산소 원자가 결합하는 위치에 대해서, 오르토 위치에 결합되는 것이 바람직하다. 불포화 결합 함유 치환기가, Ar2의 산소 원자가 결합하는 위치에 대해서, 오르토 위치에 결합하면 입체 장해에 의해 분자 운동이 억제되고, 경화물에 있어서의 유전정접이 보다 낮아지므로 바람직하다.
또한, 일 실시형태에 따르면, 불포화 결합 함유 치환기의 수는 특히 제한되지 않지만, 1∼6인 것이 바람직하고, 2∼6인 것이 바람직하고, 2∼3인 것이 더 바람직하다. 바람직한 일 실시형태에 있어서, 불포화 결합 함유 치환기의 도입이 용이한 관점에서, 불포화 결합 함유 치환기의 수는 후술하는 n과 동수(同數)인 것이 바람직하다.
또한, 일 실시형태에 따르면, 화학식(1)에 있어서, Ar1이, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 6∼30의 제1 방향족 탄화수소기이고, Ar2이, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 6∼30의 제2 방향족 탄화수소기인 것이 바람직하고, Ar1이 상기 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7), (2-9)이고, Ar2이 상기 식(3-1), (3-6), (3-9)인 것이 보다 바람직하고, Ar1이 상기 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7)이고, Ar2이 상기 식(3-1), (3-6)인 것이 더 바람직하다. Ar1 및 Ar2이 각각 제1 방향족 탄화수소기 및 제2 방향족 탄화수소기이면, 비공유 전자쌍에 의한 유전율의 상승을 방지 또는 억제할 수 있고, 얻어지는 경화물이 보다 저유전정접으로 될 수 있으므로 바람직하다.
상기 화학식(1)에 있어서, n은 2 또는 3의 정수이다. 즉, 활성 에스테르 화합물은, 두 방향족환을 결합하는 에스테르 결합을 둘 또는 셋 갖는다. 또, 일 실시형태에 있어서, 에폭시기와 반응할 수 있는 에스테르 결합이 많아, 보다 높은 가교 밀도를 실현할 수 있고, 내열성이 높아질 수 있는 관점에서는, n은 3인 것이 바람직하다. 한편, 활성 에스테르 화합물이 저점도이며 핸들링하기 쉬운 관점에서는, n은 2인 것이 바람직하다.
상술의 화학식(1)으로 표시되는 활성 에스테르 화합물의 구체적인 구조로서는, 특히 제한되지 않지만, 하기 화학식(4-1)∼(4-43)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
상기 화학식(4-1)∼(4-43) 중, 화학식(4-1)∼(4-39)인 것이 바람직하고, 화학식(4-1)∼(4-3), (4-10)∼(4-13), (4-18)∼(4-39)인 것이 보다 바람직하고, 화학식(4-1)∼(4-3), (4-12), (4-13), (4-19)∼(4-21), (4-23)∼(4-26), (4-29), (4-30), (4-32)∼(4-39)인 것이 더 바람직하고, 화학식(4-1), (4-2), (4-12), (4-13), (4-26), (4-32), (4-37)인 것이 특히 바람직하다.
또한, 활성 에스테르 화합물의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 (4-1), (4-2), (4-12), (4-13)인 것이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, (4-26), (4-32), (4-37)인 것이 바람직하다.
<활성 에스테르 화합물의 제조 방법>
활성 에스테르 화합물의 제조 방법은 특히 제한되지 않으며, 적의(適宜) 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 활성 에스테르 화합물의 제조 방법은, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 3∼30의 제1 방향족환기를 갖는 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체와, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 3∼30의 제2 방향족환기를 갖는 페놀 화합물을 반응시키는 공정을 포함한다.
이때, 상기 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체 및 페놀 화합물의 적어도 하나가, 치환 또는 비치환의 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이고, 당해 불포화 결합 함유 치환기의 탄소 원자수는 2∼30의 범위인 것이 바람직하다.
(폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체)
상기 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체는, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기를 갖는다. 이때, 「폴리카르복시산 화합물의 유도체」로서, 카르복시산의 산할로겐화물 등을 들 수 있다.
상기 제1 방향족환기 및 제1 방향족환기의 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다.
구체적인 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체는 하기 화학식(5-1)∼(5-15)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00009
상기 화학식(5-1)∼(5-15)에 있어서, R1은 히드록시기, 할로겐 원자이다. 또한, R2은 불포화 결합 함유 치환기이다. 이때, 상기 불포화 결합 함유 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다. 또한, p는, 2 또는 3이다. 또한, q는 0 또는 1 이상의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이고, 더 바람직하게는 0이다. 또, 상기 화학식에 있어서의 방향환 상의 치환기의 위치에 대해서는, 편의상 동일한 방향환 상으로 기재하고 있지만, 예를 들면, 상기 화학식(5-7) 등에 있어서, R1OC, R2은 서로 다른 벤젠환 상으로 치환하여 있어도 되고, 1분자 중에 있어서의 치환기의 개수가, p 및 q인 것을 나타내고 있다.
구체적인 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체로서는, 특히 제한되지 않지만, 이소프탈산, 테레프탈산, 5-알릴이소프탈산, 2-알릴테레프탈산 등의 벤젠디카르복시산; 트리멜리트산, 5-알릴트리멜리트산 등의 벤젠트리카르복시산; 나프탈렌-1,5-디카르복시산, 나프탈렌-2,3-디카르복시산, 나프탈렌-2,6-디카르복시산, 나프탈렌-2,7-디카르복시산, 3-알릴나프탈렌-1,4-디카르복시산, 3,7-디알릴나프탈렌-1,4-디카르복시산 등의 나프탈렌디카르복시산; 2,4,5-피리딘트리카르복시산 등의 피리딘트리카르복시산; 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리카르복시산 등의 트리아진카르복시산; 이들의 산할로겐화물 등을 들 수 있다. 이들 중, 벤젠디카르복시산, 벤젠트리카르복시산인 것이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산, 이소프탈산클로리드, 테레프탈산클로리드, 1,3,5-벤젠트리카르복시산, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드인 것이 보다 바람직하고, 이소프탈산클로리드, 테레프탈산클로리드, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드인 것이 더 바람직하다.
상술의 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
(페놀 화합물)
페놀 화합물은, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 갖고, 바람직하게는 탄소 원자수 3∼30의 범위이다. 이때, 방향족환기 및 방향족환기의 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다.
구체적인 페놀 화합물은 하기 화학식(6-1)∼(6-17)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00010
상기 화학식(6-1)∼(6-17)에 있어서, R2은 불포화 결합 함유 치환기이다. 이때, 상기 불포화 결합 함유 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다. 또한, q는 0 또는 1 이상의 정수이고, 바람직하게는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 1 또는 2이고, 더 바람직하게는 1이다. q가 2 이상일 경우, 방향환 상의 결합 위치는 임의이며, 예를 들면, 화학식(6-6)의 나프탈렌환이나 화학식(6-17)의 복소환에 있어서는 어느 환 상으로 치환하여 있어도 되고, 화학식(6-9) 등에서는, 1분자 중에 존재하는 벤젠환의 어느 환 상으로 치환하여 있어도 되는 것을 나타내고, 1분자 중에 있어서의 치환기의 개수가 q인 것을 나타내고 있다.
구체적인 페놀 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀; 나프톨; 2-알릴페놀, 3-알릴페놀, 4-알릴페놀, 4-메틸-2-알릴페놀, 6-메틸-2-알릴페놀, 오이게놀 등의 알릴페놀; 2-(1-프로페닐)페놀, 이소오이게놀 등의 프로페닐알코올; 2-(3-부테닐)페놀, 2-(1-에틸-3-부테닐)페놀 등의 부테닐페놀; 카르다놀 등의 장쇄 알케닐페놀; 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨, 3-알릴-1-나프톨, 3-알릴-1-나프톨 등의 알릴나프톨을 들 수 있다. 이들 중, 알릴페놀, 알릴나프톨인 것이 바람직하고, 2-알릴페놀, 4-메틸-2-알릴페놀, 6-메틸-2-알릴페놀, 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨인 것이 보다 바람직하고, 2-알릴페놀, 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨인 것이 더 바람직하다.
또한, 에스테르 화합물의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 벤젠환 골격을 갖는 2-알릴페놀 등이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, 나프탈렌환 골격을 갖는 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨 등이 바람직하다.
상술의 페놀 화합물 또는 그 유도체는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체 및 페놀 화합물의 사용량으로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀 화합물의 히드록시기의 몰수에 대한 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체의, 카르복시기 및/또는 할로겐화아실기 등의 유도기의 몰수의 몰비〔(카르복시기 및/또는 할로겐화아실기 등의 유도기)/(히드록시기)〕가, 0.8∼3.0인 것이 바람직하고, 0.9∼2.0인 것이 보다 바람직하고, 1.0∼1.2인 것이 더 바람직하다.
반응 조건에 대해서는 특히 제한되지 않으며, 적의 공지의 방법이 채용될 수 있다.
반응 시의 pH는, 특히 제한되지 않지만, 11 이상인 것이 바람직하다. 이때, pH의 조정은, 염산, 황산, 질산, 아세트산 등의 산; 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 암모니아 등의 염기가 사용될 수 있다.
반응 온도도 특히 제한되지 않으며, 20∼100℃인 것이 바람직하고, 40∼80℃인 것이 보다 바람직하다.
반응 압력도 특히 제한되지 않으며, 상압인 것이 보다 바람직하다.
반응 시간도 특히 제한되지 않으며, 0.5∼10시간인 것이 바람직하고, 1∼5시간인 것이 보다 바람직하다.
<조성물>
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 조성물이 제공된다. 당해 조성물은, 활성 에스테르 화합물, 및 에폭시 수지를 포함한다. 그 외에, 필요에 따라서, 다른 수지, 용매, 다른 경화제, 첨가제 등을 더 포함하고 있어도 된다.
[활성 에스테르 화합물]
활성 에스테르 화합물로서는, 본 발명에 따른 활성 에스테르 화합물을 포함한다. 활성 에스테르 화합물은, 에폭시 수지의 경화제로서의 기능 등을 갖는다.
활성 에스테르 화합물은, 상술한 것이 사용되므로 여기에서는 설명을 생략한다.
활성 에스테르 화합물의 함유량은, 특히 제한되지 않지만, 조성물의 고형분에 대해서, 2∼80질량%인 것이 바람직하고, 5∼70질량%인 것이 보다 바람직하다. 활성 에스테르 화합물의 함유량이 2질량% 이상이면, 경화물에서의 저유전정접화할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 활성 에스테르 화합물의 함유량이 80질량% 이하이면, 경화물에 있어서의 내열성과 유전정접의 밸런스가 우수하므로 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, 「조성물의 고형분」이란, 조성물 중에 있어서, 용매를 제외한 성분의 총질량을 의미한다.
일 실시형태에 있어서, 에폭시 수지의 사용량에 대한 활성 에스테르 화합물의 사용량의 질량비(활성 에스테르 화합물/에폭시 수지)는, 1.0초인 것이 바람직하고, 1.1∼5.0인 것이 보다 바람직하고, 1.2∼3.0인 것이 보다 바람직하다. 상기 질량비가 1.0 초과이면, 경화물에서 보다 저유전정접으로 될 수 있으므로 바람직하다. 또, 일반적으로는, 활성 에스테르 화합물의 사용량이 에폭시 수지의 사용량을 웃돌면, 활성 에스테르 화합물의 사용량의 상대적인 증가에 수반하여 저유전정접으로 된다. 그러나, 한편 에폭시 수지와 미반응의 활성 에스테르 화합물의 존재에 의해 내열성이 저하하는 경향이 있었다. 이것에 대하여, 본 형태에 따른 활성 에스테르 화합물은, 에폭시 수지와 반응을 하지 않아도, 불포화 결합 함유 치환기 그 자체가 가교하기 때문에, 경화물에 있어서의 내열성이 유지될 수 있다. 즉, 경화물에 있어서의 내열성을 유지하면서, 저유전정접을 실현할 수 있는 것이다.
[다른 경화제]
일 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 활성 에스테르 화합물과 함께, 다른 경화제를 병용해도 된다.
다른 경화제로서는, 특히 제한되지 않지만, 다른 활성 에스테르 화합물, 아민경화제, 이미다졸경화제, 산무수물경화제, 페놀수지경화제 등을 들 수 있다.
상기 다른 활성 에스테르 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 상술의 활성 에스테르 화합물 이외의 활성 에스테르 화합물(본 명세서에 있어서 「다른 활성 에스테르 화합물」이라고도 한다)을 들 수 있다. 다른 활성 에스테르 화합물의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 2 이상의 페놀성 수산기를 갖는 제1 방향족 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 제2 방향족 화합물과, 2 이상의 카르복시기를 갖는 제3 방향족 화합물 또는 그 유도체와의 반응 생성물을 들 수 있다. 이때, 상기 다른 활성 에스테르 화합물은 분자 중에 불포화 결합 함유 치환기를 갖지 않는다.
상기 제1 방향족 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 다가 페놀 화합물, 페놀성 수산기 함유 화합물과 중합성 화합물과의 중합체 등을 들 수 있다.
상기 다가 페놀 화합물로서는, 카테콜, 레조르시놀, 하이드로퀴논, 비스페놀A, 비스페놀F, 1,5-디히드록시나프탈렌, 1,6-디히드록시나프탈렌, 2,6-디히드록시나프탈렌, 디히드록시벤조페논, 트리히드록시벤조페논, 테트라히드록시벤조페논 등을 들 수 있다.
또한, 페놀성 수산기 함유 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 상기 다가 페놀 화합물, 및 페놀, 1-나프톨, 2-나프톨, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸 등을 들 수 있다.
또한 중합성 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 1,3-부타디엔, 1,5-헥사디엔, 디시클로펜타디엔, 트리시클로펜타디엔, 테트라시클로펜타디엔, 펜타시클로펜타디엔, 헥사시클로펜타디엔 등의 지방족 디엔 화합물; 디비닐벤젠, 디비닐비페닐 등의 방향족 디엔 화합물; 디메톡시메틸벤젠, 디메톡시메틸비페닐, 비스페놀A메톡시 부가물, 비스페놀A에톡시 부가물, 비스페놀F메톡시 부가물, 비스페놀F에톡시 부가물 등의 알콕시메틸 화합물을 들 수 있다.
상기 제2 방향족 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 상술의 페놀 화합물 중, 불포화 결합 함유 치환기를 갖지 않는 것을 들 수 있다.
상기 제3 방향족 화합물 또는 그 유도체로서는, 특히 제한되지 않지만, 상술의 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체 중, 불포화 결합 함유 치환기를 갖지 않는 것을 들 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 다른 활성 에스테르 화합물로서는, 하기 화학식(7)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00011
상기 화학식(7)에 있어서, R3은, 각각 독립해서, 페닐 또는 나프틸이다. 또한, s는, 각각 독립해서, 0 또는 1이다. 또한, r은 평균값으로서 0.05∼2.5이다.
상기 아민경화제로서는, 특히 제한되지 않지만, 디에틸렌트리아민(DTA), 트리에틸렌테트라민(TTA), 테트라에틸렌펜타민(TEPA), 디프로필렌디아민(DPDA), 디에틸아미노프로필아민(DEAPA), N-아미노에틸피페라진, 멘센디아민(MDA), 이소포론디아민(IPDA), 1,3-비스아미노메틸시클로헥산(1,3-BAC), 피페리딘, N,N,-디메틸피페라진, 트리에틸렌디아민 등의 지방족 아민; m-자일렌디아민(XDA), 메탄페닐렌디아민(MPDA), 디아미노디페닐메탄(DDM), 디아미노디페닐설폰(DDS), 벤질메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다.
상기 이미다졸경화제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 에폭시-이미다졸어덕트 등을 들 수 있다.
상기 산무수물경화제로서는, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 무수벤조페논테트라카르복시산, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트, 무수말레산, 테트라히드로무수프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 엔도메틸렌테트라히드로무수프탈산, 메틸엔도메틸렌테트라히드로무수프탈산, 메틸부테닐테트라히드로무수프탈산, 도데세닐무수숙신산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 무수숙신산, 메틸시클로헥센디카르복시산무수물 등을 들 수 있다.
상기 페놀수지경화제로서는, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 나프톨노볼락 수지, 비스페놀노볼락 수지, 비페닐노볼락 수지, 디시클로펜타디엔-페놀 부가형 수지, 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 트리페놀메탄형 수지, 테트라페놀에탄형 수지, 아미노트리아진 변성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
상술의 다른 경화제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
다른 경화제의 함유량은, 특히 제한되지 않지만, 활성 에스테르 화합물에 대해서, 2∼80질량%인 것이 바람직하고, 5∼70질량%인 것이 보다 바람직하다. 경화제의 함유량이 2질량% 이상이면, 속경화성(速硬化性)을 겸비할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 경화제의 함유량이 80질량% 이하이면, 경화물의 기계 물성을 겸비할 수 있으므로 바람직하다.
[에폭시 수지]
에폭시 수지는, 분자 중에 2 이상의 에폭시기를 포함하고, 상기 에폭시기로 가교 네트워크를 형성함으로써 경화시킬 수 있는 경화성 수지이다.
상기 에폭시 수지로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, α-나프톨노볼락형 에폭시 수지, β-나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬형 에폭시 수지, 페놀비페닐아랄킬형 에폭시 수지 등의 아랄킬형 에폭시 수지; 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀AP형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 비스페놀B형 에폭시 수지, 비스페놀BP형 에폭시 수지, 비스페놀C형 에폭시 수지, 비스페놀E형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 테트라브로모비스페놀A형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지, 테트라메틸비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 골격 및 디글리시딜옥시벤젠 골격을 갖는 에폭시 수지 등의 비페닐형 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 비나프톨형 에폭시 수지; 비나프틸형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔페놀형 에폭시 수지 등의 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지; 테트라글리시딜디아미노디페닐메탄형 에폭시 수지, 트리글리시딜-p-아미노페놀형 에폭시 수지, 디아미노디페닐설폰의 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 글리시딜아민형 에폭시 수지; 2,6-나프탈렌디카르복시산디글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 헥사히드로무수프탈산의 글리시딜에스테르형 에폭시 수지 등의 디글리시딜에스테르형 에폭시 수지; 디벤조피란, 헥사메틸디벤조피란, 7-페닐헥사메틸디벤조피란 등의 벤조피란형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.
이들 중, 페놀비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔페놀형 에폭시 수지인 것이 바람직하다.
또, 상술의 에폭시 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 150∼500g/당량(eq.)인 것이 바람직하고, 200∼350g/당량인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 150g/당량 이상이면, 얻어지는 경화물의 내열성이 보다 우수하므로 바람직하고, 한편, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 500g/당량 이하이면, 얻어지는 경화물의 내열성과 유전정접의 밸런스가 보다 우수하므로 바람직하다.
에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 200∼5000인 것이 바람직하고, 300∼3000인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 중량 평균 분자량이 200 이상이면, 속경화성을 겸비할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량이 5000 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」의 값은 이하의 방법에 의해 측정된 값을 채용하는 것으로 한다. 즉, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)를 이하의 조건에 의해 측정해서 얻어진 값을 채용한다.
GPC의 측정 조건
측정 장치 : 도소가부시키가이샤제 「HLC-8320 GPC」
칼럼 : 도소가부시키가이샤제 가드칼럼 「HXL-L」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G4000HXL」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G3000HXL」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G2000HXL」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G2000HXL」
검출기 : RI(시차 굴절계)
데이터 처리 : 도소가부시키가이샤제 「GPC 워크 스테이션 EcoSEC-Work Station」
칼럼 온도 : 40℃
전개 용매 : 테트라히드로퓨란
유속 : 1.0ml/분
표준 : 상기 「GPC-8320 GPC」의 측정 매뉴얼에 준거해서, 분자량이 기지의 하기의 단분산 폴리스티렌을 사용했다.
사용 폴리스티렌
도소가부시키가이샤제 「A-500」
도소가부시키가이샤제 「A-1000」
도소가부시키가이샤제 「A-2500」
도소가부시키가이샤제 「A-5000」
도소가부시키가이샤제 「F-1」
도소가부시키가이샤제 「F-2」
도소가부시키가이샤제 「F-4」
도소가부시키가이샤제 「F-10」
도소가부시키가이샤제 「F-20」
도소가부시키가이샤제 「F-40」
도소가부시키가이샤제 「F-80」
도소가부시키가이샤제 「F-128」
시료 : 수지 고형분 환산으로 1.0질량%의 테트라히드로퓨란 용액을 마이크로 필터로 여과한 것(50μl).
에폭시 수지의 함유량은, 특히 제한되지 않지만, 활성 에스테르 화합물에 대해서, 2∼80질량%인 것이 바람직하고, 5∼70질량%인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 함유량이 2질량% 이상이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다. 한편, 에폭시 수지의 함유량이 80질량% 이하이면, 경화물에 있어서의 유전특성과 내열성의 밸런스가 보다 우수하므로 바람직하다.
[다른 수지]
일 실시형태에 있어서, 조성물은 다른 수지를 포함하고 있어도 된다. 또, 본 명세서에 있어서, 「다른 수지」란, 에폭시 수지 이외의 수지를 의미한다.
다른 수지의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 말레이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리말레이미드 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리이미드 수지, 시아네이트에스테르 수지, 벤조옥사진 수지, 트리아진 함유 크레졸노볼락 수지, 시안산에스테르 수지, 스티렌-무수말레산 수지, 디알릴비스페놀이나 트리알릴이소시아누레이트 등의 알릴기 함유 수지, 폴리인산에스테르, 인산에스테르-카보네이트 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 다른 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
[용매]
일 실시형태에 있어서, 조성물은 용매를 포함하고 있어도 된다. 상기 용매는, 조성물의 점도를 조정하는 기능 등을 갖는다.
용매의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온 등의 케톤; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 에스테르; 셀로솔브, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
용매의 사용량으로서는, 조성물의 전질량에 대해서, 10∼80질량%인 것이 바람직하고, 20∼70질량%인 것이 보다 바람직하다. 용매의 사용량이 10질량% 이상이면, 핸들링성이 우수하므로 바람직하다. 한편, 용매의 사용량이 80질량% 이하이면, 다른 기재와의 함침성이 우수하므로 바람직하다.
[첨가제]
일 실시형태에 있어서, 조성물은 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 당해 첨가제로서는, 경화촉진제, 난연제, 충전제 등을 들 수 있다.
(경화촉진제)
경화촉진제로서는, 특히 제한되지 않지만, 인계 경화촉진제, 아민계 경화촉진제, 이미다졸계 경화촉진제, 구아니딘계 경화촉진제, 요소계 경화촉진제, 과산화물, 아조 화합물 등을 들 수 있다.
상기 인계 경화촉진제로서는, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리파라톨릴포스핀, 디페닐시클로헥실포스핀, 트리시클로헥실포스핀 등의 유기 포스핀 화합물; 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트 등의 유기 포스파이트 화합물; 에틸트리페닐포스포늄브로미드, 벤질트리페닐포스포늄클로리드, 부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄디시아나미드, 부틸페닐포스포늄디시아나미드, 테트라부틸포스포늄데칸산염 등의 포스포늄염 등을 들 수 있다.
아민계 경화촉진제로서는, 트리에틸아민, 트리부틸아민, N,N-디메틸-4-아미노피리딘(DMAP), 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-운데센-7(DBU), 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-노넨-5(DBN) 등을 들 수 있다.
이미다졸계 경화촉진제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5히드록시메틸이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린 등을 들 수 있다.
구아니딘계 경화촉진제로서는, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-시클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-부틸비구아니드, 1-시클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드 등을 들 수 있다.
상기 요소계 경화촉진제로서는, 3-페닐-1,1-디메틸 요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸 요소, 클로로페닐 요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸 요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸 요소 등을 들 수 있다.
상기 과산화물, 아조 화합물로서는, 벤조일퍼옥사이드, p-클로로벤조일퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 디이소프로필퍼옥시카보네이트, 디-2-에틸헥실퍼옥시카보네이트, 아조비스이소부티로니트릴 등을 들 수 있다.
상술의 경화촉진제 중, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 디메틸아미노피리딘을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 상술의 경화촉진제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
경화촉진제의 사용량은, 에폭시 수지 100질량부에 대해서, 0.01∼5질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼3인 것이 더 바람직하다. 경화촉진제의 사용량이 0.01질량부 이상이면, 경화성이 우수하므로 바람직하다. 한편, 경화촉진제의 사용량이 5질량부 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다.
(난연제)
난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 무기 인계 난연제, 유기 인계 난연제, 할로겐계 난연제 등을 들 수 있다.
상기 무기 인계 난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 적린(赤燐); 인산일암모늄, 인산이암모늄, 인산삼암모늄, 폴리인산암모늄 등의 인산암모늄; 인산아미드 등을 들 수 있다.
상기 유기 인계 난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸애시드포스페이트, 에틸애시드포스페이트, 이소프로필애시드포스페이트, 디부틸포스페이트, 모노부틸포스페이트, 부톡시에틸애시드포스페이트, 2-에틸헥실애시드포스페이트, 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 모노이소데실애시드포스페이트, 라우릴애시드포스페이트, 트리데실애시드포스페이트, 스테아릴애시드포스페이트, 이소스테아릴애시드포스페이트, 올레일애시드포스페이트, 부틸피로포스페이트, 테트라코실애시드포스페이트, 에틸렌글리콜애시드포스페이트, (2-히드록시에틸)메타크릴레이트애시드포스페이트 등의 인산에스테르; 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 디페닐포스핀옥사이드 등 디페닐포스핀; 10-(2,5-디히드록시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(1,4-디옥시나프탈렌)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 디페닐포스피닐히드로퀴논, 디페닐포스페닐-1,4-디옥시나프탈린, 1,4-시클로옥틸렌포스피닐-1,4-페닐디올, 1,5-시클로옥틸렌포스피닐-1,4-페닐디올 등의 인 함유 페놀; 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(2,5-디히드로옥시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(2,7-디히드로옥시나프틸)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 등의 환상 인 화합물; 상기 인산에스테르, 상기 디페닐포스핀, 상기 인 함유 페놀과, 에폭시 수지나 알데히드 화합물, 페놀 화합물과 반응시켜서 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다.
상기 할로겐계 난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 브롬화폴리스티렌, 비스(펜타브로모페닐)에탄, 테트라브로모비스페놀A비스(디브로모프로필에테르), 1,2-비스(테트라브로모프탈이미드), 2,4,6-트리스(2,4,6-트리브로모페녹시)-1,3,5-트리아진, 테트라브로모프탈산 등을 들 수 있다.
상술의 난연제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
난연제의 사용량은, 에폭시 수지 100질량부에 대해서, 0.1∼50질량부인 것이 바람직하고, 1∼30인 것이 보다 바람직하다. 난연제의 사용량이 0.1질량부 이상이면, 난연성을 부여할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 난연제의 사용량이 50질량부 이하이면, 유전특성을 유지하면서 난연성을 부여할 수 있으므로 바람직하다.
(충전제)
충전제로서는, 유기 충전제, 무기 충전제를 들 수 있다. 충전제는, 신장을 향상시키는 기능, 기계적 강도를 향상시키는 기능 등을 갖는다.
상기 유기 충전제로서는, 특히 제한되지 않지만, 폴리아미드 입자 등을 들 수 있다.
상기 무기 충전제로서는, 특히 제한되지 않지만, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘 산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티타늄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 인산텅스텐산지르코늄, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 카본 블랙 등을 들 수 있다.
이들 중, 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 이때, 실리카로서는, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 충전제는, 필요에 따라서 표면 처리되어 있어도 된다. 이 때 사용될 수 있는 표면 처리제로서는, 특히 제한되지 않지만, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 메르캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등이 사용될 수 있다. 표면 처리제의 구체예로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실라잔 등을 들 수 있다.
또, 상술의 충전제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
충전제의 평균 입경은, 특히 제한되지 않으며, 0.01∼10㎛인 것이 바람직하고, 0.03∼5㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.05∼3㎛인 것이 더 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서 「입경」이란, 입자의 윤곽선 상의 2점 간의 거리 중, 최대의 길이를 의미한다. 또한, 「평균 입경」은, 주사형 전자현미경(SEM)에 의해 얻어진 이미지에 있어서, 1화면 중의 임의의 100개의 입자의 입경을 측정하고, 그 평균값을 산출의 방법에 의해 측정된 값을 채용하는 것으로 한다.
충전제의 사용량은, 에폭시 수지 100질량부에 대해서, 0.5∼95질량부인 것이 바람직하고, 5∼80질량부인 것이 보다 바람직하다. 충전제의 사용량이 0.5질량부 이상이면, 저열팽창성을 부여할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 충전제의 사용량이 95질량부 이하이면, 특성과 성형성의 밸런스가 우수하므로 바람직하다.
<경화물(활성 에스테르 화합물의 경화물)>
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상술의 활성 에스테르 화합물을 경화해서 이루어지는 경화물이 제공된다.
상술의 활성 에스테르 화합물은, 불포화 결합 함유 치환기를 가지므로 단독 중합이 가능하여, 경화물을 얻을 수 있다.
또, 상기 경화물에는, 필요에 따라서, 상술의 경화제, 첨가제, 경화촉진제 등을 포함하고 있어도 된다.
활성 에스테르 화합물은 그 자체가 유전정접이 낮으므로, 얻어지는 단독 중합체에 따른 경화물도 또한 유전정접이 낮아질 수 있다. 이것에 의해, 프린트 배선 기판, 빌드업 필름의 용도에 호적하게 적용할 수 있다.
가열 경화할 때의 가열 온도는, 특히 제한되지 않지만, 150∼300℃인 것이 바람직하고, 175∼250℃인 것이 보다 바람직하다.
<경화물(조성물의 경화물)>
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상술의 조성물을 경화해서 이루어지는 경화물이 제공된다. 당해 경화물은, 저유전정접이며, 또한, 보다 내열성이 우수하므로, 반도체 패키지 기판, 프린트 배선 기판, 빌드업 접착 필름, 반도체 봉지(封止) 재료 등의 전자재 용도에 사용할 수 있다. 또한, 그 외에, 접착제, 도료 등의 용도에도 적용할 수 있다.
또, 본 형태에 따른 경화물(조성물의 경화물)은, 상술의 경화물(활성 에스테르 화합물의 경화물)과 마찬가지의 조건에 의해 얻을 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예를 사용해서 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 실시예의 기재로 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에 오르토알릴페놀 268g(2.0mol), 톨루엔 1200g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환했다. 다음으로, 이소프탈산클로리드 203g(1.0mol)을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환했다. 테트라부틸암모늄브로미드 0.6g을 첨가하고, 질소가스 퍼지 처리를 행하면서, 계 내를 60℃ 이하로 제어하고, 20% 수산화나트륨 수용액 412g을 3시간 걸쳐서 적하하고, 적하 종료 후, 1.0시간 교반했다. 반응 종료 후, 정치 분액에 의해 수층을 제거했다. 얻어진 톨루엔층에 추가로 물을 투입해서 15분간 교반하고, 정치 분액에 의해 수층을 제거했다. 이 조작을 수층의 pH가 7로 될 때까지 반복했다. 그리고, 가열 감압 건조함으로써, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 얻었다.
Figure pct00012
얻어진 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량은 투입비로부터 산출했다. 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량은, 199g/당량(eq.)이었다.
또한, 활성 에스테르 화합물의 E형 점도(25℃)를 측정했다. 그 결과, 활성 에스테르 화합물의 E형 점도(25℃)는 6000mPa.s였다.
[실시예 2]
오르토알릴페놀 대신에, 오이게놀 328g(2.0mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 얻었다.
Figure pct00013
실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량을 산출했더니, 229g/당량(eq.)이었다.
또한, 활성 에스테르 화합물의 융점은 DSC 측정기를 사용해서 3℃/min의 승온 조건에서 측정했다. 그 결과, 활성 에스테르 화합물의 융점은 133℃였다.
[실시예 3]
오르토알릴페놀 대신에, 이소오이게놀 328g(2.0mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 얻었다.
Figure pct00014
실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량을 산출했더니, 229g/당량(eq.)이었다.
또한, 실시예 2와 마찬가지의 방법으로 활성 에스테르 화합물의 융점을 측정했더니, 166℃였다.
[실시예 4]
(알릴나프톨의 조제)
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에 1-나프톨 144g(1.0mol), 톨루엔 200g, 20% 수산화나트륨 수용액 240g(1.2mol)을 투입했다. 얻어진 용액을 교반하면서 80℃까지 승온하고, 이것에 염화알릴 92g(1.2mol)을 3시간 걸쳐서 적하했다. 반응 종료 후, 물 200g으로 3회 세정하고, 가열 감압 조건 하에서 톨루엔 등을 증류 제거함으로써, 알릴나프톨을 얻었다.
얻어진 알릴나프톨의 수산기 당량을 아세틸화법으로 측정했다. 그 결과, 알릴나프톨의 수산기 당량은, 195g/당량(eq.)이었다.
또, 얻어진 알릴나프톨은, 이하의 화학식으로 표시된다.
Figure pct00015
이때, 상기 화학식에 있어서, n은, 0, 1, 또는 2의 정수이고, n의 평균값은 1이다.
(활성 에스테르 화합물)
오르토알릴페놀 대신에, 상기에서 조제한 알릴나프톨 390g(2.0mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 얻었다.
Figure pct00016
또, 상기 화학식 중, n은, 0, 1, 또는 2의 정수이고, n의 평균값은 1이다.
실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량을 산출했더니, 260g/당량(eq.)이었다.
또한, 활성 에스테르 화합물의 연화점을 B&R법으로 측정했다. 그 결과, 활성 에스테르 화합물의 연화점은 62℃였다.
[실시예 5]
오르토알릴페놀 대신에, 카르다놀 601g(2.0mol)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 얻었다.
Figure pct00017
이때, R은, -C15H31(알킬), -C7H14-CH=CH-C6H13(모노엔), -C7H14-CH=CH-CH2-CH=CH-C3H7(디엔), -C7H14-CH=CH-CH2-CH=CH-CH2-CH=CH2(트리엔)의 혼합물(알킬:모노엔:디엔:트리엔=5:35:20:40)이고, 이때, 모노엔, 디엔, 및 트리엔의 이중결합은 시스체이다.
실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량 및 활성 에스테르 화합물의 E형 점도(25℃)를 측정했더니, 각각 365g/당량(eq.) 및 430mPa.s였다.
[실시예 6]
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에 오르토알릴페놀 403g(3.0mol), 톨루엔 1200g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환했다. 다음으로, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드 265질량부(1.0mol)를 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환했다. 테트라부틸암모늄브로미드 0.6g을 첨가하고, 질소가스 퍼지 처리를 행하면서, 계 내를 60℃ 이하로 제어하고, 20% 수산화나트륨 수용액 618g을 3시간 걸쳐서 적하하고, 적하 종료 후, 1.0시간 교반했다. 반응 종료 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 정제함으로써, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 얻었다.
Figure pct00018
실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량을 측정했더니, 186g/당량(eq.)이었다.
또한, 실시예 2와 마찬가지의 방법으로 활성 에스테르 화합물의 융점을 측정했더니, 133℃였다.
[비교예 1]
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에 디시클로펜타디엔과 페놀과의 중부가 반응 수지(수산기 당량 : 165g/eq, 연화점 : 85℃) 165g(1mol), 1-나프톨 72g(0.5mol), 및 톨루엔 630g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환했다. 다음으로, 이소프탈산클로리드 152g(0.75mol)을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환했다. 테트라부틸암모늄브로미드 0.6g을 첨가하고, 질소가스 퍼지 처리를 행하면서, 계 내를 60℃ 이하로 제어하고, 20% 수산화나트륨 수용액 315g을 3시간 걸쳐서 적하하고, 적하 종료 후, 1.0시간 교반했다. 반응 종료 후, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 정제함으로써, 하기 화학식으로 표시되는 활성 에스테르 화합물을 포함하는 생성물을 얻었다.
Figure pct00019
이때, m의 평균값은 2이다.
실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 활성 에스테르 화합물의 에스테르기 당량을 산출했더니, 223g/당량(eq.)이었다.
또한, 실시예 4와 마찬가지의 방법으로 활성 에스테르 화합물의 연화점을 측정했더니, 150℃였다.
[평가]
실시예 1∼5 및 비교예 1에서 제조한 활성 에스테르 화합물을 사용해서, 내열성 및 유전정접을 평가했다.
(평가 샘플의 조제)
하기 표 1에 기재된 배합에 따라, 조성물 1∼8을 제조했다. 또, 에폭시 수지로서는, HP-7200H(디시클로펜타디엔페놀형 에폭시 수지, 에폭시 당량 : 277g/당량(eq.), DIC가부시키가이샤제)를, 경화 촉매로서는 디메틸아미노피리딘(DMAP)을 사용했다. 표 중의 숫자는 질량 기준이다.
[표 1]
Figure pct00020
얻어진 조성물 1∼8을, 형틀(11㎝×9㎝×2.4㎜)에 흘려 넣고, 프레스를 사용해서 180℃에서 20분간 가열했다. 얻어지는 성형물을 형틀로부터 꺼내고, 175℃에서 5시간, 다음으로 250℃에서 2시간 경화시킴으로써 경화물 1∼8(평가 샘플)을 얻었다.
(내열성)
평가 샘플(두께 : 2.4㎜)을 폭 5㎜, 길이 54㎜의 사이즈로 잘라내고, 이것을 시험편으로 했다. 당해 시험편을, 고체 점탄성 측정 장치 RSAII(레오메트릭스샤제)를 사용하여, 렉탱귤러 텐션법에 의한 DMA(동적 점탄성) 측정에 의해 탄성률 변화점(tanδ 변화율이 큰)의 온도를 측정했다. 복수의 탄성률 변화점이 측정된 경우는, 가장 높은 온도를 내열성으로서 평가했다. 이때, 측정 조건은, 주파수가 1Hz이고, 승온 속도가 3℃/분이다. 얻어진 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
(유전정접)
네트워크 애널라이저 E8362C(애질런트·테크놀러지가부시키가이샤제)를 사용해서 공동 공진법에 의해 유전정접을 측정했다. 보다 상세하게는, 105℃에서 2시간 가열 진공 건조 후, 온도 23℃, 습도 50%의 실내에 24시간 보관한 후의 평가 샘플의 1GHz에서의 유전정접을 측정했다. 얻어진 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure pct00021
표 2의 결과로부터, 실시예 1∼6의 활성 에스테르 화합물을 사용한 경화물 1∼7은, 비교예 1의 활성 에스테르 화합물을 사용한 경화물 8에 비해서 내열성이 높은 것을 알 수 있었다. 또한, 경화물 1∼7은 경화물 8에 비해서, 유전정접이 낮은 값으로 되어 있는 것을 알 수 있었다.

Claims (11)

  1. 하기 화학식(1):
    Figure pct00022

    (상기 화학식(1) 중,
    Ar1이, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고,
    Ar2이, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고,
    이때, 상기 Ar1 및 상기 Ar2의 적어도 하나가, 불포화 결합 함유 치환기를 갖고, n이, 2 또는 3의 정수이다)
    으로 표시되는 활성 에스테르 화합물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 불포화 결합 함유 치환기가, 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기인, 활성 에스테르 화합물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 Ar2의 적어도 하나가, 불포화 결합 함유 치환기를 갖는, 활성 에스테르 화합물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 불포화 결합 함유 치환기가, 상기 Ar2의 산소 원자가 결합하는 위치에 대해서, 오르토 위치에 결합되는, 활성 에스테르 화합물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar1이, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 6∼30의 제1 방향족 탄화수소기이고,
    상기 Ar2이, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 6∼30의 제2 방향족 탄화수소기인, 활성 에스테르 화합물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 활성 에스테르 화합물을 경화해서 이루어지는, 경화물.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 활성 에스테르 화합물과, 에폭시 수지를 포함하는, 조성물.
  8. 제7항에 기재된 조성물을 경화해서 이루어지는, 경화물.
  9. 제7항에 기재된 조성물을 사용해서 이루어지는, 프린트 배선 기판.
  10. 제7항에 기재된 조성물을 사용해서 이루어지는, 반도체 봉지(封止) 재료.
  11. 제7항에 기재된 조성물을 사용해서 이루어지는, 빌드업 필름.
KR1020197036510A 2017-06-21 2018-04-24 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물 KR102494828B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017121335 2017-06-21
JPJP-P-2017-121335 2017-06-21
PCT/JP2018/016547 WO2018235424A1 (ja) 2017-06-21 2018-04-24 活性エステル化合物並びにこれを用いた組成物および硬化物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200019618A true KR20200019618A (ko) 2020-02-24
KR102494828B1 KR102494828B1 (ko) 2023-02-01

Family

ID=64737053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197036510A KR102494828B1 (ko) 2017-06-21 2018-04-24 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11407708B2 (ko)
JP (2) JP7093519B2 (ko)
KR (1) KR102494828B1 (ko)
CN (1) CN110770203B (ko)
TW (1) TWI786133B (ko)
WO (1) WO2018235424A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102371132B1 (ko) * 2021-05-13 2022-03-11 주식회사 신아티앤씨 에폭시용 난연성 경화제 조성물 및 이를 포함하는 에폭시용 난연성 경화제

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7057905B2 (ja) * 2018-03-29 2022-04-21 Dic株式会社 硬化性組成物及びその硬化物
WO2019188332A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 Dic株式会社 硬化性組成物及びその硬化物
TW201946945A (zh) * 2018-05-15 2019-12-16 日商Ｄｉｃ股份有限公司 環氧（甲基）丙烯酸酯樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物及物品
JP2020050793A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
CN112079722A (zh) * 2019-06-13 2020-12-15 苏州生益科技有限公司 活性酯化合物、树脂组合物及具有其的半固化片、绝缘薄膜、覆金属箔层压板、印制线路板
JP7200861B2 (ja) * 2019-07-12 2023-01-10 味の素株式会社 樹脂組成物
JP7396246B2 (ja) 2020-10-27 2023-12-12 味の素株式会社 封止用途の樹脂組成物
KR20230159431A (ko) 2021-03-23 2023-11-21 아지노모토 가부시키가이샤 디에스테르 화합물
CN113403121B (zh) * 2021-04-26 2022-06-21 中国科学院兰州化学物理研究所 一种用于聚醚润滑油的离子液体防锈抗磨添加剂

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0489691A2 (en) * 1990-12-05 1992-06-10 Ciba-Geigy Ag Tetraallylesters as coreactants for bismaleimides
US20020151731A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-17 Pews R. Garth Novel epoxide derivatives of allylarylphenols
JP2016156019A (ja) 2012-05-31 2016-09-01 味の素株式会社 樹脂組成物

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4037034A (en) 1975-03-27 1977-07-19 Exxon Research And Engineering Company Photodegradable polyolefin composition containing a dinaphthylphthalate
JPS5936608B2 (ja) * 1975-06-05 1984-09-05 住友化学工業株式会社 新規な多価ビニル芳香族化合物の製造方法
FR2313343A1 (fr) 1975-06-05 1976-12-31 Sumitomo Chemical Co Nouveaux composes polyvinyliques aromatiques, leur procede de preparation et leur utilisation notamment comme plastifiant reticulant pour le caoutchouc
NL8803066A (nl) 1988-12-15 1990-07-02 Philips Nv Gietharssamenstelling, werkwijze voor het inkapselen van een elektronische component en ingekapselde elektronische component.
JPH11349666A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Kanagawa University エポキシ樹脂組成物
JP4303333B2 (ja) * 1998-08-21 2009-07-29 新日本石油株式会社 光学素子用フィルム
US7019104B1 (en) 1999-11-01 2006-03-28 Kaneka Corporation Diamine novel acid dianhydride and novel polyimide composition formed therefrom
JP4058672B2 (ja) * 2002-02-28 2008-03-12 大日本インキ化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物およびその硬化物
JP4608852B2 (ja) 2002-10-15 2011-01-12 チッソ株式会社 液晶性ビニルケトン誘導体およびその重合体
EP2146701B1 (en) * 2007-04-12 2013-10-16 Rutgers, The State University of New Jersey Biodegradable polyanhydrides with natural bioactive molecules
WO2012002119A1 (ja) * 2010-07-02 2012-01-05 Dic株式会社 熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、活性エステル樹脂、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及びビルドアップフィルム
KR101502488B1 (ko) 2012-06-28 2015-03-13 주식회사 엘지화학 중합성 액정 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물 및 광학 이방체
JP6376395B2 (ja) * 2014-12-05 2018-08-22 Dic株式会社 活性エステル化合物、活性エステル樹脂、硬化性組成物、その硬化物、ビルドアップフィルム、半導体封止材料、プリプレグ、回路基板、及び活性エステル樹脂の製造方法
JP6025952B1 (ja) * 2015-11-11 2016-11-16 エア・ウォーター株式会社 ビニルベンジル化フェノール化合物、当該ビニルベンジル化フェノール化合物の製造方法、活性エステル樹脂、当該活性エステル樹脂の製造方法、熱硬化性樹脂組成物、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物、層間絶縁材料、プリプレグ、およびプリプレグの製造方法
CN106700073B (zh) * 2016-12-03 2019-04-12 苏州大学 一种改性双马来酰亚胺树脂及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0489691A2 (en) * 1990-12-05 1992-06-10 Ciba-Geigy Ag Tetraallylesters as coreactants for bismaleimides
US20020151731A1 (en) * 2001-04-17 2002-10-17 Pews R. Garth Novel epoxide derivatives of allylarylphenols
JP2016156019A (ja) 2012-05-31 2016-09-01 味の素株式会社 樹脂組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102371132B1 (ko) * 2021-05-13 2022-03-11 주식회사 신아티앤씨 에폭시용 난연성 경화제 조성물 및 이를 포함하는 에폭시용 난연성 경화제
WO2022239955A1 (ko) * 2021-05-13 2022-11-17 주식회사 신아티앤씨 에폭시용 난연성 경화제 조성물 및 이를 포함하는 에폭시용 난연성 경화제

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018235424A1 (ja) 2020-04-23
US11407708B2 (en) 2022-08-09
CN110770203A (zh) 2020-02-07
CN110770203B (zh) 2022-07-15
JP7093519B2 (ja) 2022-06-30
TW201904933A (zh) 2019-02-01
WO2018235424A1 (ja) 2018-12-27
KR102494828B1 (ko) 2023-02-01
JP7068668B2 (ja) 2022-05-17
JP2021059581A (ja) 2021-04-15
TWI786133B (zh) 2022-12-11
US20200207700A1 (en) 2020-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102494828B1 (ko) 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물
KR102388192B1 (ko) 경화성 조성물 및 그 경화물
JP7010288B2 (ja) 活性エステル樹脂並びにこれを用いた組成物および硬化物
JP7114987B2 (ja) 硬化性組成物及びその硬化物
JP7057905B2 (ja) 硬化性組成物及びその硬化物
CN111918891B (zh) 固化性组合物及其固化物
JP7389967B2 (ja) リン含有活性エステル、硬化性樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、及び、半導体装置
WO2023074258A1 (ja) 活性エステル化合物
WO2023021900A1 (ja) 活性エステル化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant