KR20080053202A - 이미지 센서 모듈 - Google Patents
이미지 센서 모듈 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080053202A KR20080053202A KR1020070126107A KR20070126107A KR20080053202A KR 20080053202 A KR20080053202 A KR 20080053202A KR 1020070126107 A KR1020070126107 A KR 1020070126107A KR 20070126107 A KR20070126107 A KR 20070126107A KR 20080053202 A KR20080053202 A KR 20080053202A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- die
- substrate
- lens
- image sensor
- sensor module
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/57—Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 기판상에 형성된 마이크로 렌즈 영역을 갖는 다이, 기판상에서 다이 위쪽에 형성된 렌즈 홀더, 렌즈 홀더에 형성된 렌즈를 포함하는 이미지 센서 모듈을 제공한다. 필터는 렌즈 홀더 내에, 렌즈와 다이 사이에 형성되고, 적어도 하나의 능동 소자는 기판에 형성되며 렌즈 홀더 내에 엄폐된다. 도전성 범프 또는 LGA는 기판의 저면에 형성된다.
촬상 소자, 이미지 센서, 보호층, 렌즈 홀더, 공극, LGA
Description
본 발명은 이미지 센서에 관한 것으로, 구체적으로는 이미지 센서 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
디지털 카메라의 보급과 함께, 최근 고체 촬상 소자에 대한 요구가 증가하고 있다. 상보적인 금속-옥사이드 반도체(CMOS) 기술에 의해 제조가능하고, 생산 단가가 낮은 CMOS 이미지 센서가 최근 주목받고 있다. CMOS 이미지 센서의 픽셀 섹션은 매트릭스 형태로 배열된 복수의 단위 픽셀(unit pixels)을 포함한다. 단위 픽셀들 각각은 광다이오드와, 광다이오드에 축적된 시그널 전하를 판독하도록 구성된 판독 트랜지스터를 포함한다. 게이트 전압 발생기는 판독 트랜지스터의 게이트 전극에 접속된다. 선택 스위치는 판독 트랜지스터를 턴온 및 턴오프 하도록 게이트 전극에 인가된 전압을 전환한다.
전술한 바와 같이, 디지털 이미지 기술은 디지털 카메라, 이미지 스캐너 등 과 같은 촬영 장치(image shooting instrument)에 폭넓게 사용되고 있다. 종래의 CMOS 센서는 회로 기판에 배치된다. CMOS 센서는 자신이 고정되는 다이를 포함한다. 렌즈 고정부(lens seat)는 CMOS 센서의 다이 상에 이미지를 포커싱하기 위한 포커싱 렌즈를 구비한다. 이 포커싱 렌즈를 통해 이미지 신호는 다이에 의해 디지털 프로세서로 보내지고, 여기서 아날로그 신호는 디지털 신호로 변환된다. CMOS 센서의 다이는 적외선 광선 및 먼지(dust particles)에 대해 비교적 민감하다. 원하지 않은 먼지가 센서로부터 제거되지 않는다면, 촬상 장치의 품질은 저하하게 된다. 이를 해결하고자 수동적으로 먼지를 제거하면 감광성 칩(senitive chip)이 손상될 수 있다. 통상적으로, 이미지 센서 모듈은 COB 또는 LCC(Leadless Chip Carrier) 방식을 사용하여 제조된다. COB 방식의 단점은 센싱 영역 상의 먼지 오염으로 인하여 패키징 프로세서 동안 제조수율이 낮은데 있다. 게다가, LCC 방식의 단점은 센싱 영역 상의 먼지 오염으로 인하여 패키징 비용이 높고 제조수율이 낮은데 있다.
또한, 마이크로 렌즈는 고상(solid state) 촬상 장치로서 이용되는 반도체상의 광학적 소자(components)이다. 마이크로 렌즈의 설계 및 제조에서 매우 중요한 고려사항중 하나는 광감도(photosensitivity)이다. 마이크로 렌즈 광감도가 열화되는 한가지 이유는 각각의 마이크로 렌즈의 영역이 최적값 아래로 감소되는데 있다. 에폭시 마모(epoxy wearing out)로 인해 투명도(transparency)가 악화되고, 잠재적인 신뢰도가 떨어진다. Yoshikazu Sano 등에 의해 1996년 5월 7일 ON-CHIP SCREEN TYPE SOLID STATE IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF라는 명칭으로 출원된 미국 특허 제5,514,888호에는 실리콘 기판상에 전하-결합 소자(CCDs)를 형성하기 위한 방법이 개시되어 있다. 마이크로 렌즈 어레이는 종래의 리소그래피 및 리플로우(lithography and re-flow) 기술을 사용하여 CCD 위에 형성된다.
전술한 관점에서, 본 발명은 이상의 단점을 극복할 수 있는 향상된 패키지 구조를 제공한다.
따라서, 본 발명의 주 목적은 커넥터 없이 메인 보드에 접속될 수 있는 이미지 센서 모듈용의 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 작은 풋프린트(foot print)(폼 팩터(form factor))를 갖는 이미지 센서를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 마더보드(MB) 상에서 재조작 가능한(re-workable) 이미지 센서 모듈을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판상에 형성된 마이크로 렌즈 영역을 갖는 다이, 상기 기판상에 그리고 상기 다이 위쪽에 형성된 렌즈 홀더, 상기 렌즈 홀더에 형성된 렌즈를 포함하는 이미지 센서 모듈을 제공한다. 필터는 상기 렌즈 홀더 내에, 상기 렌즈와 상기 다이 사이에 형성되고, 적어도 하나의 능동 소자는 상기 기판에 형성되며 상기 렌즈 홀더 내에 엄폐된다. 도전성 범프 또는 LGA는 상기 기판의 저면에 형성된다. 다이는 상기 다이에 형성된 와이어를 통해 상기 도전성 범프에 접속된다. 이미지 센서는 CMOS 또는 CCD 이미지 센서이다. 기판은 세라믹, 글래스, 수지 물질, 석영, 금속, 합금, 플라스틱 물질(PCB)을 포함한다. IR 필터링 층은 TiO2 또는 광촉매제를 포함한다.
본 발명에 따른 스킴(scheme)은 COB, CSP 타입 패키지와 호환가능하고, 커넥터 없이 마더 보드(MB)에 연결될 수 있다. 또한, 본 발명의 스킴은 작은 풋프린트를 제공할 수 있으며, 이는 장치 크기를 소형화할 수 있다. 솔더 조인트 단자(solder joint terminal)는 LGA, BGA일 수 있다. 또한, 이미지 센서 스킴은 MB상에서 재조작 가능하다. 모듈 조립 동안 먼지 오염을 방지하기 위해 보호층이 마이크로 렌즈 상에 형성되기 때문에, 본 발명의 스킴은 모듈/시스템 조립 공정동안 최대 제조수율을 얻을 수 있다.
본 발명의 일부 실시예를 이하에 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이들 실시예로 제한되는 것은 아니고 넓은 범위의 다른 실시예에서 실시될 수 있다는 것을 이해해야 할 것이며, 따라서 본 발명의 범위는 실시예가 아닌 첨부된 특허청구범위에 의해 제한되어야 한다. 또한, 상이한 구성요소의 컴포넌트들은 스캐일대로 도시되지는 않는다. 본 발명을 간결하고 명확하게 이해하기 위해, 컴포넌트와 관련된 일부 치수는 확대되고, 필요없는 부분은 도시하지 않는다. 본 발명의 구조는 CSP(chip scale package), FBGA(fine-pitch ball grid array) 및 COB(chip on board) 타입의 패키지에 적용될 수 있다. 본 발명은 종래의 다이 패키지에 비해 저비용 그리고 간단한 공정의 이득을 제공한다. 본 발명의 스킴은 종래 패키지에 의해 발생된 비용 문제를 해결할 수 있다. 또한 FBGA 패키지의 데이터 프로세싱 속도는 상호-접속 와이어 설계를 위한 종래의 TSOP(thin small outline package) 방식 보다 신속하다.
가공된 웨이퍼(100)에는 디바이스(이하 소자로 언급되기도 함)가 내부에 형성된 복수의 다이스(dice)가 유지된다. 일 실시예에서, 디바이스는 자체에 형성된 이미지 센서를 포함한다. 이미지 센서는 CCD 또는 CMOS 센서를 포함한다. 도 1을 참조하면, 이미지 센서 모듈(300)은 접착막(미도시)을 통해 기판(301) 상에 형성된 이미지 다이(302)를 포함한다. 접착막(이하 탄성막으로도 언급됨)의 재료는 적당한 접착 물질이 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 탄성 물질은 BCB(Benzo Cyclo Butene), SINR(Siloxane polymer), 에폭시, 폴리이미드 또는 수지를 포함한다. 게다가, 탄성막은 프린팅, 코팅 또는 탭핑 방식을 이용하여 형성될 수 있다. 기판(301)은 글래스, 세라믹, 플라스틱, 수지, 금속, 합금, 실리콘, PCB 물질 또는 석영(quartz)을 포함한다. 일례에 있어서, 기판(301)은 PCB, BT, FR4, FR5일 수 있다. 기판(301)의 두께는 300㎛ 내지 600㎛ 범위에 있다. 와이어(303)는 다이(302)와, 기판(301) 아래 형성된 콘택트 패드(309) 사이에 접속되며, 콘택트 패드(309)는 구리, 알루미늄 또는 합금으로 형성될 수 있다. 따라서, 신호는 콘택트 패드(309)로부터 입력 또는 출력될 수 있고, 콘택트 패드는, 예를 들면, LGA 단자 핀 일 수 있다. 렌즈 홀더(306)는 렌즈(308)를 유지하기 위해 기판(301) 상에 고정된다. IR 필터 등의 필터(307)는 렌즈(308)와 다이(302) 사이에서 렌즈 홀더(138)에 고정된다. 대안적으로, 본 발명은 IR 필터링 층으로서 작용하도록 글래스 위쪽에 형성된 필터층을 포함할 수도 있으며, 필터층은 필터로서 작용하기 위해 글래스의 상면 또는 하면에 코팅될 수 있다. 일 실시예에서, IR 필터링 층은 TiO2 또는 광촉매제를 포함한다. 필터(307)는 원하지 않는 IR 광선을 여과 및/또는 마이크로 렌즈가 먼지 오염되는 것을 방지한다. 사용자는 마이크로 렌즈의 손상없이 글래스 상의 먼지를 제거하기 위해 액상 또는 기상 플러쉬(flush)를 사용할 수 있다.
마이크로 렌즈 영역은 이미지 센서(302)의 최상면에 일반적으로 형성된다. 보호층(310)은 마이크로 렌즈 영역 위에 형성된다. 다른층이 컬러 필터층 위에 일반적으로 형성된다. 마이크로 렌즈의 형성하기 위한 공지된 몇몇의 공지된 기술이 있다. 마이크로 렌즈에 적합하다고 알려진 하나의 물질은 멜라민 수지와 총칭 노볼락계 수지(generic novolac base resin)의 혼합물이다.
도 1을 참조하면, 적어도 하나의 능동형 소자(304)는 렌즈 홀더(306) 내에 다이(302)에 인접한 기판상에 형성될 수 있다. 패키지 모듈 구조(300)로부터, 마이크로 렌즈는 다이(302)의 최상면에 형성된다. 콘택트 패드(309)는 기판(301)의 저면에 위치된다. 다이(302)와 필터(307) 사이에는 공극(air space)이 형성된다. 렌 즈 홀더(306)의 가이드 핀(305)은 기판(301) 기판 내부로 형성되어 렌즈 홀더(306)가 고정된다. 기판의 형상은 정방형, 장방형 또는 다른 적당한 형상일 수 있다. 바람직하게, 능동형 소자(304)는 렌즈 홀더(306) 내측에 형성되고, 능동형 소자(304)는 렌즈 홀더(306)에 의해 엄폐(shield)된다. 능동형 소자는 캐패시터, 레지스터, 인덕터 등을 포함하지만 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1로부터, 콘택트 패드(309)는 기판의 외주부 둘레에 LGA 스킴으로 배열된다. 대안적으로, 콘택트는 도 2에 도시한 바와 같은 BGA 타입의 경우에서 매트릭스 형태로 구성된다.
도 2를 참조하면, 도 2는 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 대부분의 스킴 및 배치는 전술한 실시예와 유사하므로, 유사한 부분에 대해서는 중복을 피하기 위해 그에 대한 설명은 생략한다. 도시된 바와 같이, 와이어(303)는 다이(302)와, 기판(301)의 하면에 형성된 콘택트 패드(309) 사이에 결합되며, 콘택트 패드(309)는 구리, 알루미늄, 또는 합금으로 형성될 수 있다. 따라서, 신호는 콘택트 패드(309)로부터 출력 또는 입력될 수 있으며, 콘택트 패드는, 예를 들면, LGA 단자 핀일 수 있다. 렌즈 홀더(306)는 기판(301)에 부착되어 렌즈(308)와, 렌즈(308)와 다이(302) 사이에 위치된 필터(307)를 유지 및 수용한다. 도면으로부터 알 수 있듯이, 콘택트 패드(309)는 도전성 범프(409)로 대체되었다. 이 스킴은 LGA 타입으로 언급된다. 대안적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, LGA(leadless grid array) 땜납(503)이 LGA 스킴에서 다이(501) 아래에 형성된다. 이 경우, 도 1에 도시한 실시에서와 같은 와이어는 필요하지 않다. LGA 땜납(503)은 매트릭스 형태이고, 기 판(501) 위의 콘택트 패드에 접속된다. 이 스킴에서, 다이 크기는 하나의 패키지 크기와 비슷하며, 즉 이는 칩 스캐일 패키지(CSP)로 불린다. 이 스킴에서는 결합 와이어는 필요하지 않고, 다이는 LGA 땜납(509)에 대한 다이(501) 아래의 LGA 땜납(503)을 통해 외부로 연결된다. 이 타입은 다이(501) 위에 PL(보호층)을 갖는 CSP 타입으로 언급된다. PL은 마이크로 렌즈가 먼지 오염되는 것을 방지할 수 있으며, 사용자는 액상 또는 기상 플러시를 사용하여 마이크로 렌즈의 손상없이 글래스 상의 먼지를 제거할 수 있다.
본 발명의 스킴은 COB, CSP 타입의 패키지에 적용될 수 있다. 이 모듈은 커넥터 없이 마더보드(MB)에 연결될 수 있다. CIS 모듈을 마더보드 상에 재치하기 위해 SMT 프로세스를 도입할 수 있다. 이 스킴에 의해 제공되는 이점은 이 모듈이 작은 풋프린트를 제공한다는 점이다. 솔더 조인트 단자는 LGA, BGA일 수 있다. 또한, 이미지 센서 스킴은 마더보드 상에서 재조작 가능하다. 이 스킴은, 먼지 오염을 방지하기 위해 마이크로 렌즈상에 보호층이 형성되기 때문에 모듈/시스템 조립 공정 동안 높은 제조수율을 얻을 수 있다.
일 실시예에서, 보호층은 투명 물질을 포함하고, 보호 물질은 코팅 또는 그루잉(gluing) 방식에 의해 형성될 수 있다. 기판(301)은 LGA 패드 또는 외부 소자와의 접속을 위한 솔더볼을 포함할 수 있다. 이 모듈에서, 마이크로 렌즈는 마이크로 렌즈 영역에 형성되며, 공극은 다이(301)와 필터(307) 사이에 형성된다. 이 스 킴은 마이크로 렌즈가 먼지 오염되는 것을 방지할 수 있다. 사용자는 액상 또는 기상 플러시를 이용하여 마이크로 렌즈의 손상 없이 글래스 상의 먼지를 제거할 수 있다.
이상 본 발명의 특정 실시예를 설명하였지만, 첨부된 특허청구범위로 제한된 본 발명의 범위 내에서 각종 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다.
도 1은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 이미지 센서 모듈을 개략적으로 도시한 도면.
Claims (10)
- 이미지 센서 모듈에 있어서,기판상에 형성된 마이크로 렌즈를 구비한 다이;상기 기판상에서 상기 다이 위쪽으로 형성된 렌즈 홀더;상기 렌즈 홀더 내에 형성된 렌즈;상기 렌즈와 상기 다이 사이에서, 상기 렌즈 홀더내에 형성된 필터;상기 기판 상에 형성되고 상기 렌즈 홀더 내에 엄폐된 적어도 하나의 능동형 소자; 및상기 기판의 저면에 형성된 도전성 범프를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 다이는 상기 다이에 형성된 와이어를 통해 상기 도전성 범프로 접속되고, 상기 필터는 IR 필터링 층이며, 상기 IR 필터링 층은 TiO2 또는 광촉매제를 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 기판은 세라믹, 글래스, 수지 물질, 석영, 금속, 합금, 플라스틱 물질 또는 PCB(print circuit board) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
- 이미지 센서 모듈에 있어서,기판상에 형성된 마이크로 렌즈 영역을 갖는 다이;상기 기판상에서, 상기 다이 위로 형성된 렌즈 홀더;상기 렌즈 홀더 내에 형성된 렌즈;상기 렌즈 홀더 내측에서, 상기 렌즈와 상기 다이 사이에 형성된 필터;상기 기판 상에 형성되고, 상기 렌즈 홀더 내측에 엄폐되 적어도 하나의 능동형 소자; 및상기 기판의 저면에 형성된 LGA(leadless grid array)를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제4항에 있어서,상기 다이는 상기 다이에 형성된 와이어를 통해 상기 LGA로 접속되고, 여기 서 상기 필터는 IR 필터링 층이고, 상기 IR 필터링 층은 TiO2 또는 광촉매제를 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
- 제4항에 있어서,상기 기판은 세라믹, 글래스, 수지 물질, 석영, 금속, 합금, 플라스틱 물질 또는 PCB(print circuit board) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
- 제4항에 있어서,상기 다이 아래에 형성된 LGA 솔더; 및상기 다이의 마이크로 렌즈상에 형성된 보호층을 더 포함하고,상기 LGA 솔더는 상기 기판의 저면에서 외주 영역 둘레에 형성된 콘택트 패드를 포함하며,상기 보호층은 투명 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
- 기판상에 형성된 마이크로 렌즈 영역을 구비한 CSP(chip scale package);상기 기판상에, 상기 다이 위로 형성된 렌즈 홀더;상기 렌즈 홀더 내에 형성된 렌즈;상기 렌즈 홀더 내측에, 상기 렌즈와 상기 다이 사이에 형성된 필터;상기 기판상에 형성되고 상기 렌즈 홀더 내측에 엄폐된 적어도 하나의 능동형 소자; 및상기 다이의 저면에 형성된 제1 LGA(leadless grid array) 및 상기 기판의 저면에 형성된 제2 LGA를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서 모듈.
- 제8항에 있어서,상기 다이는 상기 제1 LGA를 통해 상기 제2 LGA로 접속되고, 상기 필터는 IR 필터링 층이며, 상기 IR 필터링 층은 TiO2 또는 광촉매제를 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
- 제8항에 있어서,상기 기판은 세라믹, 글래스, 수지 물질, 석영, 금속, 합금, 플라스틱 물질 또는 PCB(print circuit board) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는이미지 센서 모듈.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/608,254 | 2006-12-08 | ||
| US11/608,254 US7566854B2 (en) | 2006-12-08 | 2006-12-08 | Image sensor module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080053202A true KR20080053202A (ko) | 2008-06-12 |
Family
ID=39363394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070126107A KR20080053202A (ko) | 2006-12-08 | 2007-12-06 | 이미지 센서 모듈 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7566854B2 (ko) |
| JP (1) | JP2008167426A (ko) |
| KR (1) | KR20080053202A (ko) |
| CN (1) | CN101197359A (ko) |
| DE (1) | DE102007058190A1 (ko) |
| SG (1) | SG143208A1 (ko) |
| TW (1) | TW200834907A (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8975599B2 (en) * | 2007-05-03 | 2015-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Image sensor, lithographic apparatus comprising an image sensor and use of an image sensor in a lithographic apparatus |
| JP2009182104A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
| JP5375219B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2013-12-25 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 撮像装置 |
| DE102011005629A1 (de) * | 2011-03-16 | 2012-09-20 | Robert Bosch Gmbh | Bildsensor-Modul und Verfahren zum Herstellen eines solchen |
| CN103780847A (zh) | 2012-10-24 | 2014-05-07 | 霍尼韦尔国际公司 | 基于板上芯片的高度集成的成像器 |
| US9231124B2 (en) | 2013-09-25 | 2016-01-05 | Delphi Technologies, Inc. | Ball grid array packaged camera device soldered to a substrate |
| US9665757B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-05-30 | Hand Held Products, Inc. | Indicia reader for size-limited applications |
| KR102256719B1 (ko) | 2014-05-12 | 2021-05-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| DE102014114066A1 (de) * | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Pilz Gmbh & Co. Kg | Kameraeinheit zum Überwachen eines Raumbereichs |
| JP6230520B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | プリント回路板及び電子機器 |
| US10049246B2 (en) | 2014-12-23 | 2018-08-14 | Hand Held Products, Inc. | Mini-barcode reading module with flash memory management |
| CN107818274A (zh) * | 2016-09-14 | 2018-03-20 | 手持产品公司 | 堆叠式pcb可回流焊解码器模块 |
| CN106534655B (zh) * | 2017-01-11 | 2019-04-16 | Oppo广东移动通信有限公司 | 摄像头模组及移动终端 |
| KR102473650B1 (ko) * | 2018-04-13 | 2022-12-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈 및 그의 깊이 정보 추출 방법 |
| US11515347B2 (en) | 2020-01-20 | 2022-11-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Dam of image sensor module having sawtooth pattern and inclined surface on its inner wall and method of making same |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0576144B1 (en) * | 1992-05-22 | 1998-08-05 | Matsushita Electronics Corporation | Solid state image sensor and manufacturing method thereof |
| US6483101B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Molded image sensor package having lens holder |
| US20030042587A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Tsung-Jen Lee | IC packaging and manufacturing methods |
| JP4198072B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置、光学装置用モジュール及び半導体装置の製造方法 |
| US7061106B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-06-13 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package |
| JP2006148710A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Sharp Corp | 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法 |
| US7279782B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-10-09 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | FBGA and COB package structure for image sensor |
| US20070210246A1 (en) * | 2005-04-14 | 2007-09-13 | Amkor Technology, Inc. | Stacked image sensor optical module and fabrication method |
| US7268335B2 (en) * | 2006-01-27 | 2007-09-11 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensing devices, image sensor modules, and associated methods |
-
2006
- 2006-12-08 US US11/608,254 patent/US7566854B2/en active Active
-
2007
- 2007-11-27 SG SG200718102-7A patent/SG143208A1/en unknown
- 2007-12-04 DE DE102007058190A patent/DE102007058190A1/de not_active Withdrawn
- 2007-12-05 TW TW096146349A patent/TW200834907A/zh unknown
- 2007-12-06 KR KR1020070126107A patent/KR20080053202A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-12-07 CN CNA2007101969934A patent/CN101197359A/zh active Pending
- 2007-12-07 JP JP2007316699A patent/JP2008167426A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200834907A (en) | 2008-08-16 |
| JP2008167426A (ja) | 2008-07-17 |
| DE102007058190A1 (de) | 2008-06-12 |
| SG143208A1 (en) | 2008-06-27 |
| CN101197359A (zh) | 2008-06-11 |
| US20080135728A1 (en) | 2008-06-12 |
| US7566854B2 (en) | 2009-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7566854B2 (en) | Image sensor module | |
| KR100724194B1 (ko) | 이미지 센서용 ｆｂｇａ 및 ｃｏｂ 패키지 구조물 | |
| US7994598B2 (en) | Electronic assembly for image sensor device | |
| US7679167B2 (en) | Electronic assembly for image sensor device and fabrication method thereof | |
| TWI411295B (zh) | 影像感測元件之電子裝置、晶圓級透鏡組 | |
| US7863105B2 (en) | Image sensor package and forming method of the same | |
| JP2008228308A (ja) | ビルドインパッケージキャビティを有するイメージセンサモジュールおよびその方法 | |
| US20060098244A1 (en) | Image sensor assembly and method for fabricating the same | |
| KR20080069549A (ko) | 이미지 센서 모듈 및 그 방법 | |
| JP2009049973A (ja) | Ｃｍｏｓイメージセンサパッケージ | |
| US8951858B2 (en) | Imager device with electric connections to electrical device | |
| US7335870B1 (en) | Method for image sensor protection | |
| KR100725317B1 (ko) | 보호층을 구비한 이미지 센서 | |
| KR100881458B1 (ko) | 마이크로렌즈 보호패턴을 갖는 촬상소자, 카메라모듈, 및그 제조방법 | |
| US20140132813A1 (en) | Camera module having passive components | |
| KR100640336B1 (ko) | 이미지 센서 조립체 | |
| KR20060002431A (ko) | 카메라 모듈 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |