KR20070110764A - 필름 제거 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

기판으로부터 필름을 제거하는 방법 및 장치가 개시된다. 상기 방법은 기판위에 플라즈마 발생기 및 흡입 장치를 배치하는 단계, 상기 필름상에 사선으로 플라즈마 발생기로부터 플라즈마 빔을 프로젝팅하는 단계, 상기 플라즈마 발생기에 의해 프로젝팅되는 플라즈마의 반사 경로에 흡입 장치를 배치하는 단계, 및 대기 조건하에서 표면 클린싱 수단으로서 플라즈마를 이용하는 것으로부터 야기되는 부산물의 침적의 결점을 해소하기 위한 목적으로, 기판의 표면을 청결하게 유지하도록 상기 필름에 일어나는 불완전한 플라즈마 반응의 부산물을 흡입하는 단계를 포함한다.
플라즈마 발생기, 기판, 필름, 가스, 부산물

Description

필름 제거 방법 및 장치{FILM REMOVAL METHOD AND APPARATUS}
도 1a 및 1b(종래기술)은 표면 클린싱 수단으로서 대기 플라즈마를 이용하는 것을 포함하는 통상적인 방법의 개략도이며;
도 2a 내지 2c는 본 발명의 필름 제거 방법을 나타내는 개략도이며;
도 3은 본 발명의 필름 제거 장치의 일 구현을 나타내는 개략도이며; 그리고
도 4는 본 발명의 필름 제거 장치의 다른 구현을 나타내는 개략도이다.
본 발명은 필름 제거 방법 및 이의 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기 조건하에서 플라즈마를 이용하여 필름을 제거하는 방법 및 이의 장치에 관한 것이다.
통상적인 액정 패널(TFT-LCD)의 공정은 반복적으로 건조 공정과 습윤 공정간의 스위칭을 수반한다. 공정을 가속하기 위해, 패널 제조자는 오늘날 건조 환경에서 TFT-LCD의 다양한 공정을 수행하지만, 여전히 포토레지스트를 제거하기 위한 포 토레지스트 스트립퍼에 패널을 담그는 것이 요구된다.
포토레지스트를 제거하기 위한 패널 담금은 패널을 공기 건조시키는 것을 수반하며, 이는 고 제조비용을 초래하며 공정을 지연시킨다. 큰 패널에 대해서, 이러한 결점은 패널 크기가 증가함에 따라 심각해진다. 패널 공정을 가속하기 위해, 일부 패널 제조자는 플라즈마에 의해 포토레지스트를 제거한다. 플라즈마-기초 제거는 건조 공정에 속하며, 따라서 패널 공정은 완전히 건조 환경에서 수행될 수 있다. 수율과 관련하여, 포토레지스트-코팅 패널을 담금으로써 포토레지스트를 제거하는 것을 포함하는 공정은 75 피스의 패널을 생산하는데 1시간 걸린다. 반면에, 플라즈마-기초 포토레지스트 제거 공정은 100-120 피스의 패널을 생산한다.
그럼에도 불구하고, 플라즈마-기초 포토레지스트 제거 공정은 진공에서 수행되어야 하며, 그리고 이는 플라즈마를 발생시키기위해 연속적으로 가스 및 촉매를 도입하는 것을 수반한다. 결과적으로, 수율은 증가하나 제조비용 역시 상승한다.
플라즈마 생산 비용을 저감하기 위해, Dainippon Screen Mfg.는 표면 클린싱을 수행하기 위해 플라즈마가 대기 조건에서 발생되는 기술을 개발하였다. 도 1a를 참조하여 설명하면, 플라즈마를 발생시키기 위해, 전계가 전극 플레이트 1a 및 1b를 가로질러 발생되며 반응물, 가스 A을 유도하도록 배열된다. 도 1a를 다시 참조하면, 기판 10은 두 전극 플레이트 1a 및 1b 사이를 통과하고 표면 클린싱을 겪게된다. 기판 10은 건조되어지는 직물이거나 표면이 마운팅되는 물질일 수 있다. 택일적으로, 상기 기판 10은 액정 패널일 수 있으며 이로부터 포토레지스트가 플라즈마에 의해 제거되어진다.
그럼에도 불구하고, 액정 패널을 전계에 적용하는 것은 일반적으로 액정 패널상에 마운팅된 전자 성분에 손상을 준다. 이와 관련하여, Dainippon Screen Mfg.는 상기 언급된 대기 플라즈마-기초 표면 클린싱 기술에 있어 하기와 같은 개선을 이루었다. 도 1b를 참조하여 설명하면, 이는 전극 플레이트 1a와 1b간에 직접적으로 통과하는 대신에, 기판 10이 전극 플레이트 1a 및 1b에 수직으로 배치되며, 이는 플라즈마가 기판 10상에 수직으로 프로젝팅되도록 하며, 또한, 기판 10은 플라즈마와 완전히 반응하도록 이동하는 점에서 도 1a와 상이하다. 플라즈마 발생 장치가 플라즈마 제트로 변환되는 것과 같이 플라즈마 발생 장치를 모듈화하기에 적합하기때문에, 상기 언급된 개선은 제한이 없다.
기판 10이 포토레지스트 코팅 액정 패널인 경우, 액정 패널상에 수직으로 프로젝팅되는 플라즈마는 대부분의 포토레지스트를 제거한다. 그러나, 일부의 포토레지스트는 플라즈마와의 반응에 실패하여 미립자 부산물을 형성한다. 부산물은 튀며 패널상에서 중력에 의해 떨어져 패널 수율에 영향을 준다.
플라즈마 반응의 부산물과 관련된 상기 언급한 결점을 해결하기 위해, 튀어진 부산물이 중력에 의해 자발적으로 떨어지도록 플라즈마를 패널에 위로 향하여 수직으로 프로젝팅하기 위해 플라즈마 발생기위에 패널을 설치하는 것이 일부 제안되었다. 일견하여, 액정 패널의 표면은 외관상 평평하고 평활함에도 불구하고, 이들은 실제로 다량의 마이크로구조 투성이다. 이와 관련하여, 패널에 수직으로 플라즈마를 프로젝팅하는 것은 마이크로구조의 앞면으로부터 포토레지스트를 쉽게 제거하지만, 수직으로 프로젝팅된 플라즈마는 마이크로구조의 측 표면으로부터 포토레 지스트를 완전히 제거하기가 쉽지않다. 또한, 큰 패널의 요구가 증가함에 따라, 공정도중에 큰 패널을 인버팅하는 것은 상당히 불편하다. 불편함을 해소하기 위해, 패널을 적당한 위치에 확보하도록 특별한 걸기 도구가 디자인되었으나 대기에서 큰 패널을 거는 것은 큰 패널이 구부러지기 쉬울 뿐만 아니라 고비용때문에 불만족스럽다. 상기 결점은 또한 플라즈마 반응의 부산물이 갖는 문제를 해결하기 위하여 롤러상에 기판을 배치하는 것을 포함하는 방법이 개시되어 있는 미국 특허 제 6,659,110에도 일어난다.
따라서, 상기 언급한 결점을 해소하기 위한 시도와 관련된 절박한 해결방안이 요구된다.
종래기술의 상기 언급한 결점에 비추어서, 본 발명의 일차적인 목적은 플라즈마 반응의 부산물을 제거하는 필름 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 액정 패널의 수율을 증가시키기 위한 필름 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 액정 패널의 제조비를 최소화하기 위한 필름 제거 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 액정 패널로부터 포토레지스트를 완전히 제거하기 위한 필름 제거 방법을 제공하는 것이다.
상기 및 이외 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 기판으로부터 필름을 제거하는 필름 제거 방법을 개시한다. 상기 필름 제거 방법은 기판위에 플라즈마 발생기 및 흡입 장치를 배치하는 단계, 상기 플라즈마 발생기가 플라즈마 빔을 필름상에 사선으로 프로젝팅하도록 상기 플라즈마 발생기를 조정하는 단계, 기판의 표면을 청결하게 유지할 목적으로 필름에 일어나는 불완전한 플라즈마 반응의 부산물을 흡입하도록 상기 흡입 장치를 플라즈마 빔의 반사 경로에 배치하는 단계를 포함한다.
상기 및 이외 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 또한 기판으로부터 필름을 제거하기 위한 필름 제거 장치를 개시한다. 상기 필름 제거 장치는 플라즈마 발생기 및 흡입 장치를 포함한다. 플라즈마 방생기는 기판으로부터 필름을 제거하도록 필름상에 플라즈마를 사선으로 프로젝팅한다. 흡입 장치는 플라즈마 발생기에 의해 프로젝팅되는 플라즈마의 반사 경로에 배치되며 그리고 기판의 표면을 청결하게 유지할 목적으로 필름에 일어나는 불완전한 플라즈마 반응의 부산물을 흡입하도록 형성된다.
상기 기판은 액정 패널이며 필름은 포토레지스트이다. 플라즈마 발생기가 액정 패널로부터 완전히 포토레지스트를 제거하도록 하기 위해, 플라즈마 발생기 및 흡입 장치는 모두 회전축에 대해 반대로 회전되고 기판에 대해 수평으로 이동된다. 구체적으로, 플라즈마 발생기 및 흡입 장치는 포장에 의해 감싸지고 이에 따라 전체적으로 회전된다.
플라즈마가 기판상에 수직으로 프로젝팅되고 이에 다라 플라즈마 반응의 부 산물이 기판상에 배치되는 종래기술과 달리, 본 발명은 필름 코팅 기판상에 플라즈마를 사선으로 프로젝팅하고, 프로젝팅된 플라즈마의 투여 경로에 나타나는 부산물을 흡입하고, 이에 따라 플라즈마 반응의 부산물을 대부분 제거하는 것을 포함하는 필름 제거 방법을 개시한다.
기판상에 플라즈마를 수직으로 프로젝팅하는 것과 관련된 종래기술은 결점을 갖는다. 즉, 이는 액정 패널의 마이크로구조의 측 표면으로부터 포토레지스트를 제거하기가 어렵다. 반면에, 본 발명의 필름 제거 방법은 액정 패널의 마이크로구조의 측 표면으로부터 포토레지스트를 제거하도록 기판상에 플라즈마를 사선으로 프로젝팅하는 것을 포함한다.
종래기술에 따라 플라즈마 반응의 부산물이 자발적으로 떨어지도록 액정 패널로부터 포토레지스트를 제거하기 위해 플라즈마를 위로 향하여 프로젝팅하는 것이 적합하다. 그럼에도 불구하고, 상기 언급한 방법은 액정 패널을 리버싱하는 것을 수반하여 고비용을 초래한다. 반면에, 본 발명의 필름 제거 장치는 액정 패널이 동일한 방향으로 어셈블리 라인을 통해 통과하는 것이 유지되도록 하여 제조비용을 최소화한다.
간략히, 본 발명은 플라즈마 반응의 부산물을 제거하기 위한 필름 제거 방법 및 이의 장치를 개시하며, 이에 따라 액정 패널의 수율을 증가시키고, 제조비용을 감소시킨다. 나아가, 본 발명은 높은 산업상 이용가능성을 갖는다.
본 발명은 당해 기술분야의 숙련자가 본 발명의 상세한 설명으로부터 본 발 명의 다른 잇점 및 효과를 쉽게 이해할 수 있도록 특정 구현과 함께 본 명세서에 설명된다.
본 발명의 필름 제거 방법을 나타내는 개략도인 도 2a 내지 2c를 참조하여 설명한다.
도 2a에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 필름 제거 방법은 기판 3로부터 그 상부에 배치된 필름 30을 제거하기 위한 것이다. 기판 3은 액정 패널이며, 필름 30은 액정 패널상에 배치된 포토레지스트이다.
도 2b에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 발생기 21 및 흡입 장치 22는 우선 기판 3위에 배치된다. 플라즈마 발생기 21에 적용가능한 가스는 즉, 클린 드라이 에어 및 기체성 N2이다. 그 다음, 플라즈마는 통상의 대기 조건하에서 형성된다.
그 후, 플라즈마 발생기 21은 필름 30상에 플라즈마 빔 210을 사선으로 프로젝팅하도록 플라즈마 발생기를 조정하고, 기판 3의 표면을 청결하게 유지할 목적으로 필름 30 및 플라즈마 빔 210의 불완전한 반응의 부산물 30'을 흡입하도록 플라즈마 빔 210의 반사 경로에 흡입 장치를 배치한다.
플라즈마 발생기 21이 액정 패널로부터 포토레지스트를 완전히 제거되도록 하기 위해, 플라즈마 발생기 21 및 흡입 장치 22는 모두 회전축에 대해 반대로 회전되고 기판 3에 대해 수평으로 이동된다. 구체적으로, 플라즈마 발생기 21 및 흡입 장치 22는 모두 포장 20에 의해 감싸지고 이에 따라 전체적으로 회전된다.
기판 3은 액정 패널이며 이에 따라 다수의 마이크로구조 31을 포함한다. 마이크로구조 31의 앞 표면 및 측 표면은 포토레지스트(필름 30)로 코팅된다. 본 발명의 필름 제거 방법은 기판 3위에 플라즈마 빔 210을 사선으로 프로젝팅하고, 프로젝팅된 플라즈마의 투여 경로에 나타나는 부산물을 흡입하고, 이에 따라 플라즈마 반응의 부산물을 대부분 제거하는 것을 포함한다.
도 2c에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 필름 제거 방법은 또한 필름 30이 이미 완전히 제거되었는지 검출하도록 플라즈마 발생기 21과 흡입 장치 22 사이에 반응 센서 23을 배치하는 것을 포함한다. 검출 메카니즘과 관련하여, 반응 센서 23은 부산물 30'의 형성이 계속 활성적인지 검출하거나, 혹은 기판 3의 흔적의 존재를 검출한다. 일 구역에서 부산물 30'의 불활성적인 형성의 검출은 그 구역에서의 포토레지스트가 이미 플라즈마 반응을 완전히 겪었음을 나타내며, 그리고 플라즈마 반응의 부산물 30'이 이미 완전히 제거되었음을 나타낸다. 감지 신호의 피드백시, 플라즈마 발생기 21 및 흡입 장치 22는 다른 구역으로 이동되어 포토레지스트를 제거할 수 있다.
도 3과 관련하여, 본 발명은 또한 기판 3으로부터 필름 30을 제거하는 필름 제거 장치를 개시한다. 상기 필름 제거 장치 2는 플라즈마 발생기 21 및 흡입 장치 22를 포함한다. 상기 플라즈마 발생기 21은 기판 3으로부터 필름 30을 제거하도록 필름 30상에 플라즈마 빔 210을 사선으로 프로젝팅한다. 상기 흡입 장치 22는 기판 3의 표면을 청결하게 유지할 목적으로 필름 30에 일어나는 불완전한 플라즈마 반응의 부산물 30'을 흡입하도록 플라즈마 발생기 21에 의해 프로젝팅되는 플라즈마 빔 210의 투여 경로에 배치된다. 상기 필름 제거 장치 2는 또한 플라즈마 발생기 21과 흡입 장치 22사이에 배치되고 필름 30이 이미 완전히 제거되었는지 검출하도록 형성된 반응 센서 23을 포함한다.
도 4와 관련하여, 플라즈마 발생기 21의 말단은 모든 방향으로 플라즈마 빔 210을 프로젝팅하기 위해 다른 방향으로 지시하는 다수의 제트 채널 211과 함께 배치된다. 흡입 장치 22는 상기 제트 채널에 의해 다른 방향으로 프로젝팅되는 플라즈마 빔 210에 반응하여 이의 슬로프를 조정한다. 흡입 장치 22는 부산물 30'을 완전히 흡입하도록 와이드-마운티드 말단을 포함한다.
플라즈마가 기판상에 수직으로 프로젝팅되어 플라즈마 반응의 부산물이 기판에 침적는 종래기술과 달리, 본 발명은 필름 코팅 기판상에 플라즈마를 사선으로 프로젝팅하고, 프로젝팅된 플라즈마의 반사 경로에 나타나는 부산물을 흡입하고, 이에 따라 플라즈마 반응의 부산물을 현저히 제거하는 것을 포함한다.
기판상에 플라즈마를 수직으로 프로젝팅하는 것을 포함하는 종래 기술은 결점을 갖는다. 즉, 이는 액정 패널의 마이크로구조의 측 표면으로부터 포토레지스트를 제거하기가 어렵다. 반면에, 본 발명의 필름 제거 방법은 액정 패널의 마이크로구조의 측 표면으로부터 포토레지스트를 제거하도록 기판상에 플라즈마를 사선으로 프로젝팅하는 것을 포함한다.
종래기술에 따라 플라즈마 반응의 부산물이 자발적으로 떨어지도록 액정 패널로부터 포토레지스트를 제거하기 위해 플라즈마를 위로 향하여 프로젝팅하는 것이 적합하다. 그럼에도 불구하고, 상기 언급한 방법은 액정 패널을 리버싱하는 것 을 수반하여 고비용을 초래한다. 반면에, 본 발명의 필름 제거 장치는 액정 패널이 동일한 방향으로 어셈블리 라인을 통해 통과하는 것이 유지되도록 하여 제조비용을 최소화한다.
간략히, 본 발명은 플라즈마 반응의 부산물을 제거하기 위한 필름 제거 방법 및 이의 장치를 개시하며, 이에 따라 액정 패널의 수율을 증가시키고, 제조비용을 감소시킨다. 나아가, 본 발명은 높은 산업상 이용가능성을 갖는다.
상술한 구현은 단지 본 발명의 바람직한 구현으로 제공된다. 이는 본 발명의 범위를 어떠한 방식으로 한정하려는 것은 아니다. 또한, 어느 다른 변경이 본 발명에서 실제로 이루어질 수 있다. 본 발명에 의해 개시된 정신 및 기술적 개념을 벗어나지 않는 모든 등가의 변형 또는 변화는 첨부된 청구범위의 범위내에 포함된다는 것은 당해 기술분야의 숙련자에게 명확할 것이다.
본 발명은 플라즈마 반응의 부산물을 제거하기 위한 필름 제거 방법 및 이의 장치를 개시하며, 이에 따라 액정 패널의 수율을 증가시키고, 제조비용을 감소시킨다.

Claims (10)

  1. 기판위에 플라즈마 발생기 및 흡입 장치를 배치하는 단계; 및
    플라즈마 빔을 상기 플라즈마 발생기로부터 필름상에 사선으로 프로젝팅하도록 상기 플라즈마 발생기를 조정하는 단계
    를 포함하며, 상기 플라즈마 빔은 반사 경로를 가지며 상기 반사 경로에 기판의 표면을 청결하게 유지하기 위해 필름에 일어나는 불완전한 플라즈마 반응의 부산물을 흡입 및 제거하도록 흡입 장치가 배치된 것을 특징으로 하는 기판으로부터 필름을 제거하는 필름 제거 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 플라즈마 발생기 및 흡입 장치를 회전축에 대해 반대로 회전시키고, 플라즈마 발생기 및 흡입 장치를 기판에 대해 수평으로 이동시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 필름 제거 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 액정 패널이며 필름은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 필름 제거 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기 및 흡입 장치에 더하여, 필름이 완전히 제거되었는지 검출하기 위한 반응 센서가 이들 사이에 배치되며, 플라즈마 반응의 완료는 기판의 부산물의 부재 검출 및 흔적(traces)의 존재 검출 중 하나에 의해 표시되는 것을 특징으로 하는 필름 제거 방법.
  5. 기판으로부터 필름을 제거하도록 필름상에 플라즈마를 사선으로 프로젝팅하는 플라즈마 발생기; 및
    플라즈마 발생기에 의해 프로젝팅되는 플라즈마의 반사 경로에 배치되고 기판의 표면을 청결하게 유지하기 위해 필름에 일어나는 불완전한 플라즈마 반응의 부산물을 흡입하도록 형성된 흡입 장치
    를 포함하는 기판으로부터 필름을 제거하기 위한 필름 제거 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기 및 흡입 장치는 포장에 의해 감싸지고 모터에 의해 전체적으로 회전되도록 구동되는 것을 특징으로 하는 필름 제거 장치.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 기판은 액정 패널이며 상기 필름은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 필름 제거 장치.
  8. 제 5항에 있어서, 플라즈마 발생기 및 흡입 장치에 더하여, 플라즈마 반응의 부산물 및 기판의 특성을 검출하기 위한 반응 센서가 이들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 필름 제거 장치.
  9. 제 5항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기는 모든 방향으로 플라즈마를 프로젝팅하기 위한 다수의 제트 채널과 함께 배치된 말단을 포함하며, 상기 흡입 장치는 상기 제트 채널에 의해 프로젝팅되는 플라즈마에 반응하여 이의 슬로프를 조정하는 것을 특징으로 하는 필름 제거 장치.
  10. 제 5항에 있어서, 상기 플라즈마 발생기 및 상기 흡입 장치는 기판에 대해 수평으로 이동되는 것을 특징으로 하는 필름 제거 장치.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010023925A1 (ja) * 2008-09-01 2010-03-04 独立行政法人科学技術振興機構 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びフォトニック結晶製造方法
CN103212553A (zh) * 2012-01-18 2013-07-24 杜邦太阳能有限公司 太阳能电池板清洁***及清洁方法
CN106647182B (zh) * 2016-12-26 2018-11-23 武汉华星光电技术有限公司 一种处理基板表面碳化光阻的方法及装置
TWI697953B (zh) * 2018-06-28 2020-07-01 雷立強光電科技股份有限公司 清潔方法
CN113546934B (zh) * 2021-07-15 2023-03-17 中国原子能科学研究院 池底清洁装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03257182A (ja) * 1990-03-07 1991-11-15 Hitachi Ltd 表面加工装置
US6077384A (en) * 1994-08-11 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US5302237A (en) * 1992-02-13 1994-04-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Localized plasma processing
JP3194022B2 (ja) * 1992-07-06 2001-07-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ表面処理の制御装置
JPH06190269A (ja) * 1992-12-25 1994-07-12 Seiko Epson Corp ドライ洗浄方法およびその装置
US5360980A (en) * 1993-02-26 1994-11-01 High Yield Technology Structure and method for providing a gas purge for a vacuum particle sensor installed in a corrosive or coating environment
US5643394A (en) * 1994-09-16 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
JPH09275095A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Hitachi Ltd プロセス処理方法およびその装置
JPH09321013A (ja) * 1996-05-29 1997-12-12 Olympus Optical Co Ltd 異物除去装置
JPH11354290A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 微粉炭着火用プラズマトーチ
US6390019B1 (en) * 1998-06-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Chamber having improved process monitoring window
JP3704965B2 (ja) * 1998-08-12 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 ドライエッチング方法及び装置
EP1170066A1 (de) 2000-07-05 2002-01-09 Förnsel, Peter Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Walzen oder Bänder
JP2005347278A (ja) * 2000-07-28 2005-12-15 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP3853690B2 (ja) 2002-04-10 2006-12-06 財団法人レーザー技術総合研究所 フォトレジスト剥離除去方法
JP2003334436A (ja) * 2002-05-17 2003-11-25 Konica Minolta Holdings Inc 多孔性プラズマ放電用電極、大気圧プラズマ放電処理装置、薄膜形成方法及び高機能性フィルム
KR100464856B1 (ko) * 2002-11-07 2005-01-05 삼성전자주식회사 표면 식각 방법 및 실리콘 기판 이면 식각 방법.
JP4189324B2 (ja) * 2003-01-27 2008-12-03 パナソニック株式会社 プラズマ処理方法及び装置
KR20110038165A (ko) * 2003-02-05 2011-04-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레지스트 패턴의 형성방법 및 반도체장치의 제조방법
JP3574654B1 (ja) * 2003-11-06 2004-10-06 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2005174879A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Matsushita Electric Works Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP2005177566A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法
JP3716854B2 (ja) * 2004-06-22 2005-11-16 セイコーエプソン株式会社 液晶パネルの製造方法
JP2006035193A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Ricoh Co Ltd 粉体格納容器の洗浄装置および方法

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