TWI335450B - Film cleaning method and apparatus - Google Patents

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Description

1335450 . 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種薄膜之清除方法及用以清除薄 膜之設備，更詳而言之，係有關於一種在大氣狀態下使用 電漿清除薄膜之方法及設備。 【先前技術】
傳統液晶面板（TFT ~ LCD)之製程必須於乾式及濕式 之間反覆地切換，而為了加快製程，目前的面板廠皆儘量 將TFT LCD之各製程於乾式環境中進行，惟光阻之去除 仍必須將面板浸泡於去光阻液中。
以汉泡方式去除光阻後必須將面板再加以風乾而造 成製程成本的增加以及製程上的延誤，且因應大尺寸面板 =需求，上述缺點將隨著面板尺寸越大而有更嚴重之影 響。為了加速面板之製程，某些廠商開始利用電漿清除光 阻，電漿清除屬於乾式製程，因此可使面板之整體製程皆 =乾式環境下完成，就提升產量而言，原本以浸泡去 除光阻之製程一小時可生產75片而也 生屋75片面板，而改以電漿清除 後’產能可提升至-小時生產1〇〇〜12〇片面板。 〜然而’電襞去除光阻之過程必須於真空之環境下進 :來=㈣導入氣體並添加催化劑以產生電衆，如此 來雖美向了產能但卻提高了製程成本。 而為了降低產生電漿的成本 . 公引级尸山 风丰DainiPP〇n Screen Mfg W發展出—種於大氣下產 術，嗜灸朋埜1A 屯水从進仃表面清除之技 。月參閱第1A圖’電極板u 1 〇之間係形成有電場偏 19438 5 1335450 壓並於其中導5丨反應氣體A而產生錢，而基材1〇可藉 著通過兩電純之間以進行表面清除。基材ig可為㈣ 色之布料或欲進行表面接著之材料，基材ig亦可為液晶 面板，藉著電漿之作用清除表面之光阻。 然而，將液晶面板直接通過電場後，經常發現面板上 的電子元件遭受電場的破壞，因此，Daini卿n s㈣抑 公司又針對關於利用大氣電漿進行表面清除之方式作了 以下改良，請參閲第1B圖’與第1A圖不同之處係在於基 材10並非直接通過電極板la、lb之間，而是使電極板土 la、lb垂直於該基材10並引導電漿垂直射向基材，並 藉由移動基材10而使基材1〇完整地與電漿作用。接續並 可將產生電漿之相置模組化而成為—例如為電裝喷 嘴之設備。 ' 當基材10為表面具光阻之液晶面板時，垂直射向面 板之電漿可將大部份光阻去除，然而部份光阻未能與電漿 t反應完全而形成微粒狀之副產物，此副產物會四散飛射， 最後將因重力而散佈於面板表面，如此一來將影響面板之 良率。 為了解決電漿反應副產物的問題，有人提出將面板設 於電漿產生器上方，而電漿垂直向上射向面板，利用重力 使飛射之副產物自然掉落。惟液晶面板之表面雖看似平 整，實則具有許多微結構，而正向射至面板表面之電漿， 可輕易地將微結構正面上之光阻去除，然而微結構側向上 的光阻則難以完全被清除。另外，亦因大尺寸面板的需求 19438 6 1335450 之》又備可^除電漿反應之副產物以達提升液晶面板之良 率，並可節省製造成本，因此具有高度產業利用價值。 【實施方式】 • 以下請配合圖式說明本發明之具體實施例，以使所屬 •技術中具有通常知識者可輕易地瞭解本發明之技術特徵 與達成功效。 明參閱第2A圖至第2C圖，係顯示本發明之薄膜之清 除方法。 ^ 如第2A圖所示，本發明之薄膜之清除方法，用以清 除一基板3上之薄膜30，其中，該基板3可為一液晶面 板，而該薄膜30可為液晶面板表面上之光阻。 如第2B圖所示，首先，提供一電漿產生器21以及一 抽氣裝置22於該基板3之上方，該電漿產生器21所應用 之氣體例如可為乾燥空氣（Clean dry air)或氮氣（n2)， 並於一般大氣環境下生成電漿。 % 接著，調整該電漿產生器21使其射出之電漿束21〇 斜射於该薄膜30上，並使該抽氣裝置22設於對應該電漿 束210之反射路徑上，以吸除該薄膜3〇經電漿束2丨〇反 .應後未反應完全而產生之副產物30，，俾保持該基板3夺 面之清潔。 、 為使電漿產生器21完整地清除液晶面板上之光阻， 可使該電漿產生器21 0及抽氣裝置22對稱於一旋轉軸旋 轉且平行移動於該基板3，更詳而言之，可提供一殼體 包覆該電漿產生器21以及抽氣裝置22俾由馬達帶動使其 19438 9 1335450 ‘ 可一體旋轉。 而由於基板3係為液晶面板，因此具有許多微結構 31 ’光阻（薄膜30)係敷設於該微結構31之正向及侧向， -本發明之去除薄臈之方法，將電漿束210斜射於基板3， •因此可完整清除微結構31正向及側向上之光阻。 如第2C圖所示’復包括提供一反應感測器23其設於 該I渡產生器21及抽氣裝置22之間以感測是否已將薄膜 30清除乾淨’而感測方式可為偵測副產物3〇,仍有生成與 、否或^貞測基板3之材質，當於—區域横測至無副產物3〇, 之產生或偵測到基板3之材質時，表示該區域之光阻已反 應兀畢且電漿反應之副產物3〇，亦已清除，因此感測訊號 回饋後可將電漿產生益21及抽氣裝置2 2移往別處以清除 光阻。 請參閱帛3圖，本發明亦揭*一用以清除薄膜之設備 應用於清除一基板3上之薄膜3〇，係至少包括：電漿 生益21 ’係供斜射電漿束21〇至該薄膜3〇以將該薄膜 自該基板3上清除；抽氣裝置22，係位於該電漿產生 器21所射出之電漿束21〇對應之反射路徑上以吸取電 漿反應後薄膜30未反應而生成之物3()，俾保持該基 板3表面之清潔。另外’復包括—反應感測器23設於電 漿產生益21及抽氣裝置22之間以感測是否已將薄膜3〇 清除乾淨。 請參閱第4圖，電漿產生器21末端亦可設有複數角 度不同之噴射道211以射出角度不同之電漿束21()，該抽 19438 10 1335450 . 氣裝置22亦可配合電衆束21〇射出角度之不同而調整傾 斜角度，且該抽氣裝置22末端並可設計為廣口式以儘量 吸除所有副產物3 〇 ’。 相較於習知技術將電漿正向射於基板上而造成㈣ 反應副產物沉積於基板比面之現象，本發明之薄膜之清除 方法’利用將電聚斜射於薄膜，而於電衆對應之反射路徑 上吸除副產物，以清除絕大多數電t反應之副產物。 又，習知將電漿正向射於基板上之技術，亦造成液晶 面板表面微結制向之光阻不易清除，而本發明之薄膜之 2方法，其電㈣斜射至基板，俾清除液晶面板表面微 結構側向之光阻。 再者，習知技術雖有將電衆向上喷射清除液晶面板上 之先阻而使反應副產物自然掉落之方法，惟製程中將液晶 面板倒轉將造成成本之增加，而本發明Μ 設備，可使液晶面板於生產線上保持同
省製造成本。 βΑτ’Μ 由上可知，本發明之薄膜之清除方法及用以清除薄膜 =備，可清除㈣反應之副產物以達提升液晶面板之良 率’並可節省製造成本’因此具有高度產業利用價值。 惟以上所述之具體實施例，僅係用以例釋本發明之特 ==而非用以限定本發明之可實施範嘴，在未脫離 本發月上揭之㈣與技㈣#下，任何運用本發明 内容而完成之等效改變及修飾，均仍應為下 二 範圍所涵蓋。 甲μ專利 19438 11 工335450 * . 【圖式簡單說明】 • 第1A圖及第1B圖係顯示習 除之示意圖； ^知使用大氣電漿作表面清 第2A圖至第一2C圖係顯示本發明之薄膜之清除方法; 帛3 ®係顯7^本發明之用以清除薄膜之設備之一# ' 施例；以及 貝 ' 第4圖係顯示本發明之用以清除薄膜之設備之另— 實施例。
【主要元件符號說明】 la、ib 電極板 10 基材 2 去除薄膜之設備 20 殼體 21 電漿產生器 211 噴射道 210 電漿束 丨22 抽氣褒置 23 反應感測器 3 基板 30 薄膜 30， 副產物 31 微結構 A 氣體
19438 12

Claims (1)

1335450、、 *申請專利範圍： 一種薄膜之清除方法， 包括： 次告本I 用以清除一基板上之薄膜， 係 上方； 提仏t漿產生器以及一抽氣褒置設於該基板 π調整該錢產生n使其射出之電漿束斜射於該 薄膜上，錢姉氣裝置設於對應該錢束之反射路 徑上’以吸除該薄膜經電渡反應後未反應完全而產生 »之副產物，俾保持該基板表面之清潔；以及 使該電漿產生器以及抽氣裴置對稱於一旋轉軸 旋轉。 2. 如申請專利範圍第i項之薄膜之清除方法，復包括使 該電聚產生器以及抽氣裝置平行移動於該基板。 3. 如申請專利範圍帛i項之薄膜之清除方法，其中，該 基板係為液晶面板，而該薄膜係為光阻。 • 4.如申請專利範圍第！項之薄膜之清除方法，其中，該 電^生器及抽氣裝置之間係設有一反應感測器以 決定是否已將薄膜清除乾淨。 -5·如申請專利範圍第4項之薄膜之清除方法，其中，該 應感測H係用以感測該副產物，當無副產物時表示 反應完成。 6.如申請專利範圍第4項之薄膜之清除方法，其中，該 反應感測器係用以感測基板之材質，當感測到基板材 質時表示反應已完成。 19438(修正版) 13 1335450 第95117089號專利申請索 (99年8月26日） 7. 從 （99年8月 一種用以清除薄膜之設備，係供清除一基板上之薄 膜，係包括： 電漿產生器，係供斜射電漿至該薄膜以將該薄膜 自該基板上清除；以及 抽氣裝置，係位於該電漿產生器所射出之電漿所 、士 ^之反射路徑上’以吸取該薄膜經電毁反應後未反 應完全而產生之副產物而保持該基板表面之清潔，盆 2 ’該電漿產生器以及抽氣裝置係對稱於 旋 轉。 ^申清專利範圍第7項之用以清除薄膜之設備，其 9如由:電裝產生器以及抽氣裝置係由一殼體包覆。 .凊專利範圍第7項之用以清除薄膜之設備，其 ίο 4由_基板係為液晶面板，而該_係為光阻。 如申請專利範圍第7項 用以清除溥膜之設備，其 :。帽產生器及抽氣裝置之間設有一反應感測 U·如申請專利範圍第1〇 ψ ^ ^ ^ ^ ，之用以清除溥膜之設備，其 反應係為感測電毁反應副產物之感測 如申請專利範圍第Μ 中，# 6W /項之用以〉月除薄膜之設備，其 A如申；專;=基板特性之感測器。 中，該電山AW清除薄膜之設備，其 角度之電漿。 碥设有複數噴射道以射出不同 1舛38(修正版) 14 14.如申铁(99年8月26 e . ^專利祀圍第13項之用以清除薄膜之設備，其 傾斜^氣裝置係對應不同嗔射道射出的電黎而調整 .^申明專利範圍第7項之用以清除薄膜之設備，其 中，該抽氣裝置之末端係呈廣口狀。 :申二專利範圍第7項之用以清除薄膜之設備，其 4 °亥電毅產生器及該抽氣裳置係供平行移動於該基 亀 板。 17.-種用以清除薄膜之設備，係供清除一基板上之薄 膜’係包括： 電裝產生H ’係供斜射電漿至該薄膜以將該薄膜 自5亥基板上清除；以及 抽氣裝置，係位於該電漿產生器所射出之電漿所 對=之反射路徑上’以吸取該薄膜經電漿反應後未反 應70王而產生之副產物而保持該基板表面之清潔； 舜其中，該電漿產生器以及抽氣裝置係由一殼體包 覆’且該殼體係受-馬達帶動而使該電漿產生器及抽 氣裝置一體旋轉。 18.如申請專利範圍第17項之用以清除薄膜之設備，其 中，該電漿產生器以及抽氣裝置係對稱於一旋轉軸旋 轉0 15 19438(修正版)
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