JPH09275095A - プロセス処理方法およびその装置 - Google Patents

プロセス処理方法およびその装置

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JPH09275095A
JPH09275095A JP8346696A JP8346696A JPH09275095A JP H09275095 A JPH09275095 A JP H09275095A JP 8346696 A JP8346696 A JP 8346696A JP 8346696 A JP8346696 A JP 8346696A JP H09275095 A JPH09275095 A JP H09275095A
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JP
Japan
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gas
supplied
processing chamber
vacuum pump
exhaust
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JP8346696A
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Katsuro Mizukoshi
克郎 水越
Mikio Hongo
幹雄 本郷
Akira Shimase
朗 嶋瀬
Toshio Yamada
利夫 山田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

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Abstract

(57)【要約】 【課題】本課題は、同一処理室内においてエッチング処
理およびＣＶＤ処理等を安全に実現できるようにしたプ
ロセス処理方法およびその装置を提供することにある。 【解決手段】本発明は、プロセス処理装置において、処
理室内を排気すべく高真空排気可能なターボポンプ４１
ａを前記処理室７に接続し、該ターボプンプのバックを
排気し、更にパージガスを流し続けてプロセスガスが留
まらないようにするＤｒｙポンプ４１ｂを接続し、これ
らポンプの間に圧力検知手段１１ｂを設け、該圧力検知
手段によって検知される排気圧力が所望の値以上になっ
たとき、処理室７内へのプロセスガスの供給を停止する
ように制御する制御装置８１を備えたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一処理室内にお
いて、エッチングガスやＣＶＤガス等の各種プロセスガ
スを切り替えて用い、ＬＳＩ等の被加工物にアシストエ
ッチング処理やＣＶＤ処理等のプロセス処理を切り替え
て施すプロセス処理方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光、イオンビーム、電子ビーム等
のエネルギービームは、ＬＳＩ等の被加工物上の微細領
域に照射可能なことからＬＳＩの修正や露光等に用いら
れている。
【０００３】最近では、エッチングガスやＣＶＤガス等
のプロセスガスと組み合わせた加工技術が研究されてい
る。この技術は、前記エネルギービームの与えるエネル
ギーによりプロセスガスを活性化して化学反応を誘起す
ることで、被加工物の選択的な除去（アシストエッチン
グ）や成膜（ＣＶＤ）を行うものである。
【０００４】例えば、特開平１−２９７８２４号公報
（第１の従来技術）において、光エッチングによるＬＳ
Ｉの選択的除去を行った後、同一装置内で該除去部分に
光ＣＶＤによる膜形成を行う方法が開示されている。こ
の方法は、先ず、反応装置内でフッ素系のエッチングガ
スを流しながら選択的にレーザ光を照射することでＬＳ
Ｉの基板あるいは絶縁膜の選択的除去を行う。次に、エ
ッチングガスをＳｉＯ2用あるいはＷＦ6＋ＳｉＨ4とい
ったＣＶＤガスに切り換えて供給する。そして、該雰囲
気中でエッチング時のレーザ照射箇所に再びレーザ照射
を行ってＳｉＯ2膜あるいはＷ膜を形成する。
【０００５】この方法によれば、選択的除去から膜形成
までＬＳＩを外気に曝すことなく行うため、該ＬＳＩの
汚染を少なくできる。また、同一装置で前記処理を行う
ため、スループットの向上が図れるといった効果が得ら
れる。
【０００６】また、特開平２−６２０３９号公報（第２
の従来技術）において、集束したエネルギービームとプ
ロセスガスを加工目的に応じて組み合わせ用い、ＬＳＩ
を修正する方法および装置を開示している。この従来技
術２によれば、同一処理室内でアシストエッチングによ
るＬＳＩ内の絶縁膜やＡｌ配線の選択除去、およびＣＶ
ＤによるＬＳＩ上への補修配線の局所形成を行ってい
る。エッチングガスにはＣＦ4、ＳＦ6、ＣＣｌ4、Ｃｌ2
等を用いており、ＳｉＯ2のエッチングにＣＦ4、Ａｌの
エッチングにＣＣｌ4を適用した例が示されている。特
にエッチングにおいて、ＬＳＩの被加工層の変化に対応
して精度良く加工するために、用いるエッチングガスの
種類毎にガスノズルを分けることでガスの切り替え時間
を短縮しているほか、昇温冷却機構により被加工物の温
度を短時間に制御し、ガスの脱着時間を制御する構成と
なっている。
【０００７】また、特開平５−７７６３号公報（第３の
従来技術）においては、排出弁の状態に基づいて、供給
弁の切替えの可否を行うインターロック機構を設けた給
排ガスの切替システムが知られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＬＳＩのようにエッチ
ング処理およびＣＶＤ処理を繰り返し行う場合、上記第
１および第２の従来技術のように同一処理室内でプロセ
スガスを切り換えるのみで成し得るならば、第１の従来
技術に記載されているようにスループットの向上等、多
大な効果が期待できる。
【０００９】しかし、同一処理室内でエッチングおよび
ＣＶＤを行う場合、安全性に対する配慮を十分に行う必
要がある。なぜなら、エッチングガスとＣＶＤガスとが
処理室内あるいは排気用の真空ポンプ内等で混合した場
合、それらの組み合わせにより爆発的に反応することが
ある。例えば、ＳｉＯ2のエッチング処理に用いられる
ＸｅＦ2とＳｉＯ2のＣＶＤ処理に用いられるＳｉ(ＯＣ2
Ｈ5)4を混合すると激しく反応する。また、本願発明者
らの実験によれば、前記ＸｅＦ2とＷ膜のＣＶＤに用い
られるＷ(ＣＯ)6とを混合してもガス同士・粉末同士に
関係なく、激しい発火が見られた。上記両従来技術にお
いては、このような危険性を考慮されていない。
【００１０】例えば、上記第１の従来技術では、エッチ
ングガスおよびＣＶＤガスの反応室への供給口およびガ
ス排出口も共通である。そして、単にエッチングガスか
ＣＶＤガスに切り換える記載は有るものの、プロセスガ
スの切り替え時における安全性に対する配慮の記載がな
い。このような構成において、用いるプロセスガスを前
記のように互いに反応し合うガスを選択した場合、ガス
供給口および排出口および排気手段（真空ポンプ）が特
に危険である。
【００１１】また、上記第２の従来技術では、用いるエ
ッチングガスの種類毎にガスノズルを設け、ガスノズル
の吐出口あるいはその付近にガス供給のためのバルブを
設けていることから、上記第１の従来技術に比べて危険
性は低い。しかし、ガスノズル同士が接近していること
から、万一エッチング用のバルブとＣＶＤ用のバルブと
が開いた場合、ノズル付近で反応が生じ、被加工物およ
び周辺の部品を破損あるいは汚染する。また、常温では
粉末のＷ(ＣＯ)6を加熱・昇華させてＣＶＤガスとして
用いた場合、排気系統の配管内に再結晶化することがあ
る。そこにＣｌ2等のエッチングガスが流れてくると反
応して配管損傷などの事故を生ずる場合がある。
【００１２】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、同一処理室内において、エッチング処理およ
びＣＶＤ処理等を安全に実現できるようにしたプロセス
処理方法およびその装置を提供することにある。
【００１３】また本発明の他の目的は、同一処理室内に
おいて、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッ
チング処理およびＣＶＤ処理を安全に実現できるように
したプロセス処理方法およびその装置を提供することに
ある。
【００１４】また本発明の他の目的は、同一処理室内に
おいて、エッチング処理およびＣＶＤ処理等を安全に実
現し、しかも排気ガスの無害化をはかったプロセス処理
装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、エッチング用およびＣＶＤ用のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエ
ッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガスの各々に対し
てエネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて
前記被加工物に対してエッチングおよびＣＶＤの各プロ
セス処理を行うプロセス処理方法であって、前記一方の
プロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧力以下にな
るまで排気した後他方用のプロセスガスを前記処理室内
に設置された被加工物上に供給することを特徴とするプ
ロセス処理方法である。
【００１６】また本発明は、エッチング用およびＣＶＤ
用のプロセスガスの各々を、エッチング用およびＣＶＤ
用に対応した各ノズルから、処理室内に設置された被加
工物に対して切り替えて供給し、これら切り替えられて
供給されたエッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガス
の各々に対してエネルギーを与えて活性化して化学反応
を誘起させて前記被加工物に対してエッチングおよびＣ
ＶＤの各プロセス処理を行うプロセス処理方法であっ
て、前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望
の圧力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガス
を前記処理室内に設置された被加工物上に供給すること
を特徴とするプロセス処理方法である。
【００１７】即ち、本発明は、エッチングガスあるいは
ＣＶＤガスのどちらか一方を使用後、他方のガスと混合
しても発火等の反応を生じない圧力以下まで排気後、他
方のガスを導入することを特徴とする。具体的には、例
えばエッチングガスにＸｅＦ2、ＣＶＤガスにＷ(ＣＯ)6
を用いた場合、エッチング処理後、ＣＶＤガスを導入す
る前に処理室内を３２．５Ｐａより十分安全度をとった
１０~2Ｐａ以下まで排気する。あるいは、パージガスを
導入し、該パージガスと共に処理室内を１０~2Ｐａ以下
まで排気する。
【００１８】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガス（エッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガス）の
各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切り替
えて供給し、これら切り替えられて供給された第１およ
び第２のプロセスガスの各々により前記被加工物に対し
て第１および第２（エッチングおよびＣＶＤ）の各プロ
セス処理を行うプロセス処理装置であって、前記第１の
プロセスガスを前記被加工物上に吹き付ける第１のノズ
ルと前記第２のプロセスガスを前記被加工物上に吹き付
ける第２のノズルとを個別に移動機構によって加工位置
から退避可能に構成し、前記第１および第２のノズルが
個別に加工位置または退避位置にあるのか否かを検知す
る検知手段を設け、前記第１のノズルを、第１のプロセ
スガス供給源に第１の配管によって第１のガス供給バル
ブを介して接続し、前記第２のノズルを、第２のプロセ
スガス供給源に第２の配管によって第２のガス供給バル
ブを介して接続し、前記検知手段から検知される前記各
ノズルの位置情報に基づいて前記第１および第２のガス
供給バルブの開閉を制御する制御装置を設けたことを特
徴とするプロセス処理装置である。
【００１９】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガス（エッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガス）の
各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切り替
えて供給し、これら切り替えられて供給された第１およ
び第２（エッチングおよびＣＶＤ）のプロセスガスの各
々により前記被加工物に対して第１および第２の各プロ
セス処理を行うプロセス処理装置であって、前記処理室
内を排気すべく高真空排気可能な第１の真空ポンプを前
記処理室に接続し、該第１の真空ポンプのバックを排気
し、更にパージガスを流し続けて前記プロセスガスが留
まらないようにする第２の真空ポンプを接続し、前記第
１の真空ポンプと第２の真空ポンプとの間の配管に前記
第１の真空ポンプによる排気圧力を検知する圧力検知手
段を設け、該圧力検知手段によって検知される前記第１
の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上になったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止する制御装置を備えたことを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
【００２０】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
１および第２のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第１および第２の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第１の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第１の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
２の真空ポンプを接続し、前記第１の真空ポンプと第２
の真空ポンプとの間の配管に前記第１の真空ポンプによ
る排気圧力を検知する圧力検知手段を設け、該圧力検知
手段によって検知される前記第１の真空ポンプによる排
気圧力が所望の値以上になったとき、少なくとも前記処
理室内への前記プロセスガスの供給を停止すると共に表
示手段にトラブル表示を行う制御装置を備えたことを特
徴とするプロセス処理装置である。
【００２１】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
１および第２のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第１および第２の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第１の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第１の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
２の真空ポンプを接続し、該第２の真空ポンプに供給す
るパージガスの供給流量または供給圧力を検知する検知
手段を設け、該検知手段によって検知されるパージガス
の供給流量または供給圧力が所望の値より下がったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止する制御装置を備えたことを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
【００２２】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
１および第２のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第１および第２の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第１の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第１の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
２の真空ポンプを接続し、該第２の真空ポンプに供給す
るパージガスの供給流量または供給圧力を検知する検知
手段を設け、該検知手段によって検知されるパージガス
の供給流量または供給圧力が所望の値より下がったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止すると共に表示手段にトラブル表示を行う制御
装置を備えたことを特徴とするプロセス処理装置であ
る。
【００２３】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
１および第２のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第１および第２の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気する排気手段
を設け、前記処理室内の圧力を検知する圧力検知手段を
設け、前記被加工物に対して一方のプロセス処理を終了
後前記圧力検知手段によって検知される処理室内の圧力
が所望の値以下になるまで前記処理室内への他方のプロ
セスガスの供給を停止する制御装置を備えたことを特徴
とするプロセス処理装置である。
【００２４】また本発明は、第１および第２のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
１および第２のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第１および第２の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第１の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第１の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
２の真空ポンプを接続し、該第２の真空ポンプの後段に
分岐配管を接続して排気用バルブを介して前記各プロセ
スガスに対応させた除害手段を設けたことを特徴とする
プロセス処理装置である。
【００２５】以上説明したように、本発明によれば、同
一処理室内において、エッチング処理およびＣＶＤ処理
等を安全に実現することができる。
【００２６】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッチン
グ処理およびＣＶＤ処理を安全に実現することができ
る。
【００２７】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガスをノズ
ルを用いて被加工物上に局所的に供給してイオンビーム
等によるアシストエッチング処理およびＣＶＤ処理を安
全に実現することができる。
【００２８】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング処理およびＣＶＤ処理等を安全に実現
し、しかも排気ガスの無害化をはかることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態を図１乃
至図３を参照して具体的に説明する。
【００３０】図１は、集束イオンビームをエネルギービ
ームとして用い、ＬＳＩ等の被加工物にアシストエッチ
ング処理およびＣＶＤ処理を同一処理室内で施す処理装
置の一実施の形態を示す構成図である。
【００３１】図１において、イオン源１から引き出し電
極６１によって引き出されたイオンビーム２は、集束レ
ンズ（静電レンズ、荷電粒子光学系）６３により集束さ
れ、被加工物１００に照射される。この時、イオンビー
ム２は、ブランキング電極６２およびデフレクタ電極６
４とそれらのコントローラ（制御装置）８１により、被
加工物１００へのイオンビーム照射のＯＮ・ＯＦＦおよ
び偏向が制御される。イオンビーム２の照射に伴って被
加工物１００から発生する２次電子あるいは２次イオン
を２次粒子ディテクタ６５により検出し、被加工物１０
０の像をコントローラ８１ノモニタ８２上に表示する。
この像を用いて観察および後述の各処理のための位置合
わせを行う。
【００３２】チャンバ３は、中央部にイオンビーム２通
過のための開口を有する仕切り板４によって、イオン光
学鏡筒部６と処理室７との２室に分かれる。イオン光学
鏡筒部６内には、上記したイオン源１、集束レンズ６
３、ブランキング電極６２、デフレクタ電極６４を設置
し、処理室７内に２次粒子ディテクタ６５を設置してい
る。そして、チャンバ３の側面に設けた排気手段９によ
り、高真空状態を保持している。
【００３３】一方、処理室７内には、被加工物１００を
搭載し、ＸＹＺの３軸方向の任意箇所に移動可能なステ
ージ１０が設置されている。そして、コントローラ（制
御装置）８１は、上記ステージ１０の位置決めおよび走
行（移動）をも制御するものとする。
【００３４】プロセスガス供給手段は、ＣＶＤガス供給
手段とエッチングガス供給手段との２系統である。両手
段とも、被加工物１００上にプロセスガスを供給するた
めのガスノズル２２と、該ノズル２２の退避位置か前進
位置かを検出する位置検出手段を備えたノズル移動機構
２３と、ＣＶＤまたはエッチングに用いるプロセスガス
発生手段２４と、プロセスガス供給のＯＮ，ＯＦＦを行
うためのガス供給バブル２６と、これらを結ぶプロセス
ガス供給配管２５とで構成される。そして、ノズル移動
機構２３は、コントローラ（制御装置）８１によって、
監視制御される。コントローラ（制御装置）８１は、Ｃ
ＰＵと、制御プログラムを格納したＲＯＭと、各種バル
ブの開閉状態、真空計１１ａ〜１１ｃで計測された圧力
データ、ガスノズル２２ｄ，２２ｅの前進、待避の状
態、イオンビーム２の制御情報等を格納するＲＡＭおよ
びディスク等の外部記憶装置と、キーボードやマウス等
の入力手段８３と、モニタを行うディスプレイ、液晶表
示装置等の表示手段８２と、印刷装置やディスク等の出
力手段とで構成されている。
【００３５】前記ガスノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）の
移動機構２３（２３ｄ，２３ｅ）の具体例を図２に２つ
の形態示す。
【００３６】図２（ａ）は、ガスノズル２２（２２ｄ，
２２ｅ）を直線的に移動させる一例である。ガスノズル
２２（２２ｄ，２２ｅ）は固定治具３１を介してボール
ネジのナット３２に固定しており、対するボールネジの
ネジ３３はカップリング３４を介してモータ３５に連結
している。処理室６の内壁に固定したステージ３６には
モータ３５を固定しており、ナット３２をスライドさせ
るガイドを設けている。そして、モータ３５の回転運動
はボールネジとガイドにより直線運動に変換され、ガス
ノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）はその軸方向に移動す
る。ガスノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）の入口側には配
管２５（２５ｄ，２５ｅ）の一部であるフレキシブルチ
ューブ３７を継手３８を介して接続している。尚、本実
施の形態では、ガスノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）をそ
の軸方向に移動させているが、駆動系をガスノズル２２
（２２ｄ，２２ｅ）の軸に直交させ、その方向に移動さ
せても良い。
【００３７】図２（ｂ）は、ガスノズル２２（２２ｄ，
２２ｅ）を回転移動させる一例である。ガスノズル２２
（２２ｄ，２２ｅ）はカップリング３４を介して回転駆
動源３５に連結している。該回転駆動源３５は、パルス
モータあるいはロータリーソレノイド等から成るもの
で、処理室６内壁に固定したステージ３６に固定してい
る。該駆動源３５がパルスモータの場合、所定数のパル
スを与えることでガスノズル２２を所定角度回転させる
ことができる。尚、駆動系の配置等を替えて、水平方向
に回転させているガスノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）を
垂直方向に回転させても良い。さらに、図２（ａ）の直
線移動方式と組み合わせ、エッチング処理とＣＶＤ処理
とのガス種切り替え時のノズル移動は直線移動方式を用
い、被加工物１００搬送時のノズル退避時には回転移動
方式を用いる、といった構成にしても良い。尚、前述の
ノズル位置検知手段としては、回転駆動源３５に設けた
ロータリーエンコーダ、あるいはステージ３６の適当な
位置に設けた光センサあるいは磁気センサ等がある。
【００３８】エッチングおよびＣＶＤのためのプロセス
ガス発生手段２４ｅ、２４ｄの構成は、各処理に用いる
プロセスガスの蒸気圧によって異なる。例えば、Ｃｌ2
やＣＦ4といったエッチングガス、ＷＦ6やＳiＨ4といっ
たＣＶＤガスの様に室温中でも高い蒸気圧が得られる場
合においては、プロセスガスを充填したボンベと該ボン
ベからのガス供給圧を調整するための圧力調整弁とで構
成する。しかし、室温中では粉末の昇華性材料（Ｘe
Ｆ2、Ｗ(ＣＯ)6、等）や液体材料（Ｓi(ＯＣ2Ｈ5)4等）
の様に、低蒸気圧の材料からプロセスガスを得る場合に
は、プロセスガス材料を充填したボンベと、該材料を加
熱して蒸気圧を高めるためのヒータと測温体から成る加
熱手段で構成される。そして、ガスノズル２２（２２
ｄ，２２ｅ）および該ノズルからガス発生手段２４（２
４ｄ，２４ｅ）に至るまでのプロセスガス供給バルブ２
６（２６ｄ，２６ｅ）およびプロセスガス配管２５（２
５ｄ，２５ｅ）にも加熱手段を設けることで低温部での
再結晶化または再液化によるガス圧低下を防止でき、プ
ロセスガス供給量が安定する。ここで用いる加熱手段は
テープ状ヒータと測温体であり、これらを当該部分に巻
き付ける。もし、該手段をガスノズル２２（２２ｄ，２
２ｅ）の加熱に用いるだけの寸法的な余裕が無い場合に
は、ガスノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）の内面あるいは
外面にフィルム状ヒータを設ける。例えば、図３（ａ）
に示すように厚膜抵抗体５１と絶縁体５２ａ、５２ｂと
を積層して形成したヒータ５０をガスノズル２２（２２
ｄ．２２ｅ）の外面あるいは内面に直接形成する。併せ
て、該ヒータ５０上あるいは対面に測温体５３も形成す
る。また、該ヒータ５０のパターンを図３（ｂ）のよう
なストライプ状あるいはスパイラル状に形成する。これ
により、寸法的な制約のあるガスノズル２２（２２ｄ．
２２ｅ）でも均一加熱が可能となる。そして、このよう
な加熱手段はガスノズル２２（２２ｄ，２２ｅ）のみな
らず、プロセスガス供給配管２５（２５ｄ，２５ｅ）に
も適用できる。
【００３９】排気系は、高真空排気が可能なターボポン
プ（第１の真空ポンプ）４１ａと、該ターボポンブ４１
ａのバックを排気するためのＤｒｙ（ドライ）ポンプ
（第２の真空ポンプ）４１ｂと、該Ｄｒｙポンプ４１ｂ
からの排気をプロセスガスに対応した除害手段４６（４
６ｄ，４６ｅ）に切り替えるための排気用バルブ４２
（４２ｄ，４２ｅ）と、Ｄｒｙポンプ４１ｂから除害手
段４６（４６ｄ，４６ｅ）までを結ぶ排気用配管４４
（４４ｄ，４４ｅ）から構成される。なお、４４ｄはＣ
ＶＤガス排気用配管であり、４４ｅはエッチングガス排
気用配管である。４２ｄはＣＶＤガス排気用バルブであ
り、４２ｅはエッチングガス排気用バルブである。４６
ｄはＣＶＤガス用除害手段であり、４６ｅはエッチング
ガス用除害手段である。そして、Ｄｒｙポンプ４１ｂ
は、該ポンプ４１ｂ内でのエッチングガスとＣＶＤガス
との反応を防止するための不活性ガス２０によるパージ
手段を備えている。該パージ手段は、不活性ガス供給の
ＯＮ・ＯＦＦを行うためのパージガス供給バルブ１３
と、パージのための不活性ガス２０を任意の流量でＤｒ
ｙポンプ４１ｂに供給するためのマスフローコントロー
ラ（ＭＦＣ）１４と、図示しない不活性ガス発生源から
Ｄｒｙポンプ４１ｂまでを結ぶパージ配管１２とからな
る。またターボポンプ４１ａとＤｒｙポンプ４１ｂとの
間には、ターボポンプ４１ａからの排気圧力を監視する
ための真空計１１ｂを設けている。
【００４０】尚、本実施の形態に示した全てのバルブ１
３、２６ｅ、２６ｄ、４２ｅ、４２ｄ、７１〜７４、７
７には、バルブの開閉状態を検知する手段が設けてあ
る。そして全てのバルブに設けられた検知手段で検知さ
れたバルブの開閉状態のデータがコントローラ（制御装
置）８１に送信される。従って、コントローラ（制御装
置）８１より全てのバルブの開閉状態を監視・制御する
ことができる。
【００４１】ここで、制御装置８１は、イオンビーム２
の照射およびステージ１０の制御を行うほか、上記ノズ
ル２２の移動を制御する。そして、一方のガスノズル
（例えば、エッチング用ガスノズル２２ｅ）が加工位置
に前進している場合、他方のガスノズル（例えば、ＣＶ
Ｄ用ガスノズル２２ｄ）は原点位置あるいは所定の位置
に退避しており、加工位置に出てくることはない。また
ガスイズル２２（２２ｅ，２２ｄ）が加工位置にある時
以外にプロセスガスの供給バルブ２６は開くことはな
い。これにより、ＣＶＤ用のガスノズル２２ｄとエッチ
ング用のガスノズル２２ｅ同士が接近し、両ノズル２２
ｄ，２２ｅからのプロセスガス吹き出しによる反応が生
じることがない。
【００４２】即ち、この実施の形態によれば、ノズル位
置検出手段（図示せず）を備えたノズル移動機構２３
ｄ，２３ｅを設け、ノズル２２ｄとノズル２２ｅとの間
の距離を大きくし、一方のノズルが加工位置に有ると
き、他方のノズルは待避して加工位置に出られないよう
に構成し、加工位置にあるノズルのみからプロセスガス
供給を可能にしたことにより、ノズル２２ｄとノズル２
２ｅとの間において、エッチング用ガス（例えば、ＣＣ
ｌ4、ＣＦ4、ＸｅＦ2等のハロゲン化合物）とＣＶＤ用
ガス（例えば、Ｗ(ＣＯ)6、Ｍｏ(ＣＯ)6、Ｃｒ(ＣＯ)6
等の金属カルボニル）との反応を防止することができ
る。
【００４３】また、処理室７以降でのプロセスガス同士
の反応を防止するために、コントローラ（制御装置）８
１は、処理に対応した排気バルブ４２が開いていない時
は、その処理に必要なプロセスガスの供給バルブ２６は
開かないように監視制御する。また、コントローラ（制
御装置）８１は、一方のプロセス処理終了後、処理室７
内が所定の圧力（１０~2Ｐａ）以下（例えば、１０~4Ｐ
ａ以下）に排気されるまで、あるいは処理室７内を所定
の圧力（１０~2Ｐａ）以下（例えば、１０~4Ｐａ以下）
に排気後、所定の時間（約３０秒〜６０秒）が経過する
までは、他方のプロセス処理に移行できないように監視
制御している。ところで、図５には、例えば、エッチン
グガスにＸｅＦ2、ＣＶＤガスにＷ(ＣＯ)6を用いた場
合、それらの混合による発火領域を示す。従って、処理
室７内を３２．５Ｐａ以下まで排気すれば、Ｗ(ＣＯ)6
を処理室７内に導入しても発火する危険性は無くなる。
但し、より安全性を期するならば、処理室７内が所定の
圧力（１０~2Ｐａ）以下（例えば、１０~4Ｐａ以下）に
排気されるまで、あるいは処理室７内を所定の圧力（１
０~2Ｐａ）以下（例えば、１０~4Ｐａ以下）に排気後、
所定の時間（約３０秒〜６０秒）が経過するまで、他の
プロセスガスの供給を行わないようにすれば、エッチン
グ用ガスとＣＶＤ用ガスとの反応を防止することができ
る。
【００４４】本実施の形態の排気手段として、ターボポ
ンプ４１ａとＤｒｙポンプ４１ｂを組み合わせた１系統
を用いているが、これらのポンプ４１内でのプロセスガ
スの反応を防止するために、上記したようにＤｒｙポン
プ４１ｂ内にパージガスを常に所定量流し続け、Ｄｒｙ
ポンプ４１ｂ内にプロセスガスが留まらないようにして
いる。また、ターボポンプ４１ａに対しても、該ポンプ
４１ａとＤｒｙポンプ４１ｂとの間に設けた真空計１１
ｂでターボポンプ４１ａの排気圧力を監視し、この監視
された排気圧力データがコントローラ８１に送信され、
コントローラ８１は所定圧力（例えば、１Ｐａ）を越え
た場合には、直ちにプロセスガスの供給バルブ２５を閉
じると共に、イオンビーム２の照射も停止するように制
御する。そして、トラブルの内容をモニタ８２上に表示
する。また、コントローラ８１は、プロセスガスに対応
した排気用バルブ４２が開いていない場合には、ガスノ
ズル２２（２２ｄ，２２ｅ）を加工位置に移動せず、プ
ロセスガスの供給バルブ２６（２６ｄ，２６ｅ）も開か
ず、トラブル表示を行うように監視制御している。
【００４５】即ち、この実施の形態によれば、ターボポ
ンプ４１ａとＤｒｙポンプ４１ｂとから成る真空ポンプ
（１系統で排気する。）を用い、不活性ガス２０による
パージ手段（不活性ガスを常に所定量流しつづけるマス
フローコントローラ）１４をＤｒｙポンプ４１ｂに接続
してＤｒｙポンプ４１ｂ内にプロセスガスが留まらない
ようにし、ターボポンプ４１ａとＤｒｙポンプ４１ｂと
の間の配管に圧力検知手段（真空計）１１ｂを設け、不
活性ガスをＤｒｙポンプ４１ｂに流しながら処理室７内
を排気し、ターボポンプ４１ａ内を常に所定圧力以下に
保つように構成することにより、ターボポンプ４１ａ内
も含め、排気系９内でのエッチング用ガス（例えば、Ｃ
Ｃｌ4、ＣＦ4、ＸｅＦ2等のハロゲン化合物）とＣＶＤ
用ガス（例えば、Ｗ(ＣＯ)6、Ｍｏ(ＣＯ)6、Ｃｒ(ＣＯ)
6等の金属カルボニル）との反応を防止することができ
る。
【００４６】ところで、マスフローコントローラ１４に
よって供給されるパージ用の不活性ガスの供給流量ある
いは供給圧力を、マスフローコントローラ１４に備えら
れた検知手段により検知（計測）し、検知（計測）され
たパージ用の不活性ガスの供給流量あるいは供給圧力が
所定値より下がった場合には、制御装置８１は、直ちに
ガス供給バルブ２６ｄ，２６ｅを介してのプロセスガス
の供給を停止すると共に、ブランキング電極６２による
イオンビーム２の照射を停止し、その旨を例えばモニタ
８２上にトラブル表示を行うことにより、排気系内での
反応を防止し、その後の対策を施すことができる。
【００４７】またターボポンプ４１ａとＤｒｙポンプ４
１ｂとの間の配管に圧力検知手段（真空計）１１ｂを設
け、所定圧力以上になった場合、制御装置８１は、直ち
にガス供給バルブ２６ｄ，２６ｅを介してのプロセスガ
スの供給を停止すると共に、ブランキング電極６２によ
るイオンビーム２の照射を停止し、その旨を例えばモニ
タ８２上にトラブル表示を行うことにより、排気系内で
の反応を防止し、その後の対策を施すことができる。
【００４８】また上記実施の形態によれば、Ｄｒｙポン
プ４１ｂの後段に分岐配管４４ｄ，４４ｅを介してプロ
セスガスに対応した除害手段４６ｄ，４６ｅを設け、分
岐配管４４ｄ，４４ｅの各々に、動作状態検知手段を備
えた排気方向切替えるための排気用バルブ４２ｄ，４２
ｅを設け、これらの排気バルブ４２ｄ，４２ｅが切り替
わらない場合には、制御装置８１は、例えばモニタ８２
上にトラブル表示を行い、先に進まないように構成した
ことにより安全性を確保し、しかも排気ガスの無害化を
実現することができる。
【００４９】次に、本実施の形態を用いたエッチングお
よびＣＶＤ処理の手順を説明する。
【００５０】（１）待機状態 処理室排気バルブ７１と切換バルブ７３と高真空排気バ
ルブ７２とが開の状態で、ターボポンプ４１ａおよびＤ
ｒｙポンプ４１ｂにより、処理室７およびロード室８は
高真空に排気されている。エッチング用のガスノズル２
２ｅとＣＶＤ用のガスノズル２２ｄとは、コントローラ
８１からの指令により、被加工物１００の搬送時に障害
とならぬように、原点位置まで待避している。
【００５１】（２）被加工物の導入手順 高真空排気バルブ７２を閉じ、ロード室８の排気を停止
する。次に、リークバルブ７７を開けてロード室８内に
不活性ガス２０をほぼ大気圧になるまで導入する。
【００５２】ロード室８の扉７８を開けて被加工物１０
０を搬送機構７６に載置する。扉７８を閉じた後、処理
室排気バルブ７１および切換バルブ７３を閉じて処理室
７の排気を停止後、低真空バルブ７４を開け、ロード室
８内をＤｒｙポンプ４１ｂで排気する。コントローラ
（制御装置）８１は、ロード室８内が所定の圧力（例え
ば、１Ｐａ）に達したならば、低真空バルブ７４を閉
じ、切換バルブ７３および高真空バルブ７２を開けてロ
ード室８内の排気手段をターボポンプ４１ａにするよう
に制御する。次に、コントローラ（制御装置）８１は、
所定の圧力（例えば、１０~4Ｐａ）に達したならば、処
理室排気バルブ７１を開けて処理室７内の排気を再開す
ると共に、ゲートバルブ５を開くように制御する。この
ゲートバルブ５の開閉は手動で行っても良い。
【００５３】次に、搬送機構７６により被加工物１００
をステージ１０上に載置し、ゲートバルブ５および高真
空排気バルブ７２を閉じる。
【００５４】（３）被加工物のアライメント コントローラ（制御装置）８１によってブランキング電
極６２およびディフレクタ電極６４を制御して被加工物
１００にイオンビーム２を照射・走査し、被加工物１０
０からの２次電子あるいは２次イオンを２次粒子ディテ
クタ６５で検出し、モニタ８２上に被加工物１００の観
察像を表示する。該観察像を参照しつつ、コントローラ
（制御装置）８１は、焦点およびスティグマを調整後、
被加工物１００に設けられたアライメントマークを基
に、ステージ１０の座標軸に対する被加工物１００の傾
きや座標軸のズレを求める。このアライメント走査後、
ブランキング電極６２によりイオンビーム２の照射をＯ
ＦＦにしておく。
【００５５】（４）アシストエッチング処理 本実施の形態の装置は、予め制御装置８１に与えている
処理データに基づいて処理を行う。最初の処理がアシス
トエッチングの場合、制御装置８１は、先ずＣＶＤガス
排気用バルブ４２ｄを閉じ、エッチングガス排気用バル
ブ４２ｅを開けるように制御する。次いで、制御装置８
１は、ノズル移動機構２３ｅを駆動制御して、ガスノズ
ル２２ｅを原点位置から加工位置に前進させる。
【００５６】次に、制御装置８１は、ブランキング電極
６２を制御することによりイオンビーム２の照射を再開
すると共に、加工位置データと前記アライメント操作時
の結果に基づいてステージ１０等を制御してイオンビー
ム照射光軸に対するエッチング処理の位置合わせを行
う。このイオンビーム照射光軸に対するエッチング処理
の位置合わせは、デフレクタ電極６４のデフレクタ量に
補正（オフセット）を与えても良い。
【００５７】位置合わせ後、制御装置８１はガス供給バ
ルブ２６ｅを開けるべく制御することにより、被加工物
１００上にエッチングガスを吹き付け、加工領域にエッ
チングガス雰囲気を形成する。該雰囲気形成後のエッチ
ングガスは、ターボポンプ４１ａにより処理室７から排
出後、Ｄｒｙポンプ４１ｂおよび排気用バルブ４２ｅを
経て除害手段４６ｅにより無害化されて大気中に放出さ
れる。
【００５８】前記エッチングガス雰囲気形成後、制御装
置８１は、加工データに基づいてイオンビーム２の照射
・走査を制御することにより、被加工物１００の被照射
部はアシストエッチングされる。エッチング終了後、制
御装置８１からの制御に基づいて、ブランキング電極６
２によりイオンビーム２の照射を停止すると共に、供給
バルブ２６ｅを閉じるように制御してエッチングガス供
給を停止する。次いで、制御装置８１はノズル移動機構
２３ｅを駆動制御してガスノズル２２ｅを加工位置から
所定量あるいは原点位置まで退避させ、観察あるいは次
の加工位置合わせ時にノズル２２ｅ内に残留したガスに
よる余計なエッチングが生じないようにしておく。そし
て、エッチング処理箇所が複数有る場合には、制御装置
８１は、ノズル移動機構２３ｅを駆動制御して前記位置
合わせからガスノズル２２ｅの退避までを繰り返し行
い、全てのエッチングが終了したならばガスノズル２２
ｅを原点位置まで退避させる。
【００５９】（５）ＣＶＤ処理 次にＣＶＤ処理を行う場合、制御装置８１は、先ず処理
室７内の真空度を確認する。ここで、所定の圧力以下に
達していない場合には、制御装置８１は、次の動作に移
行せず、排気を持続するように制御する。そして、制御
装置８１は、所定の圧力に達した時点、あるいはそこか
ら一定時間経過後、排気用バルブ４２の切替（４２ｅを
閉、４２ｄを開）を行った後、ノズル移動機構２３ｄを
駆動制御してガスノズル２２ｄを原点位置から加工位置
に前進させる。
【００６０】次に、エッチング処理同様、制御装置８１
は、ブランキング電極６２を制御してイオンビーム２の
照射を再開すると共に、加工位置データと前記アライメ
ント操作時の結果に基づいてステージ１０等を制御して
イオンビーム照射光軸に対するＣＶＤ処理の位置合わせ
を行う。このイオンビーム照射光軸に対するエッチング
処理の位置合わせは、デフレクタ電極６４のデフレクタ
量に補正（オフセット）を与えても良い。
【００６１】位置合わせ後、制御装置８１は、ガス供給
バルブ２６ｄを開けるように制御して被加工物１００上
にＣＶＤガスを吹き付け、加工領域にＣＶＤガス雰囲気
を形成する。該雰囲気形成後のＣＶＤガスは、ターボポ
ンプ４１ａにより処理室７から排出後、Ｄｒｙポンプ４
１ｂおよび排気用バルブ４２ｄを経て除害手段４６ｄに
より無害化されて大気中に放出される。
【００６２】前記ＣＶＤガス雰囲気形成後、制御装置８
１は、加工データに基づいてイオンビーム２の照射・走
査を制御することにより、被加工物１００の被照射部は
成膜処理される。該処理終了後、制御装置８１は、ブラ
ンキング電極６２を制御してイオンビーム２の照射を停
止すると共に、供給バルブ２６ｄを閉じるように制御し
てＣＶＤガス供給を停止する。次いで、制御装置８１
は、ノズル移動機構２３ｄを駆動制御してガスノズル２
２ｄを加工位置から所定量あるいは原点位置まで退避さ
せ、観察あるいは次の加工位置合わせ時にノズル２２ｄ
内に残留したガスによる余計な成膜が生じないようにし
ておく。そして、ＣＶＤ処理箇所が複数有る場合には、
制御装置８１は、ノズル移動機構２３ｅを駆動制御して
前記位置合わせからガスノズル２２ｄの退避までを繰り
返し行い、全ての成膜処理が終了したならばガスノズル
２２ｄを原点位置まで退避させる。
【００６３】以上が本発明に係る実施の形態によるエッ
チングおよびＣＶＤ処理の手順である。この後、被加工
物１００を処理室７内から取り出して終了となる。
【００６４】（６）被加工物の取り出し ＣＶＤ用とエッチング用の両ガスノズル２２を被加工物
１００の搬送時に障害とならぬように、原点位置まで待
避させる。
【００６５】コントローラ（制御装置）８１は、真空計
１１ｃによりロード室８内の圧力（真空度）を測定し、
所定の圧力範囲（例えば、１０~3〜１０~4Ｐａ）以下で
あるならば、ゲートバルブ５を開けるように制御する。
なお、ゲートバルブ５の開閉は、手動で行っても良い。
もし、リーク等により上記圧力以上である場合には、コ
ントローラ（制御装置）８１は、処理室排気バルブ７１
を閉じるように制御し、高真空排気バルブ７２を開けて
ターボポンプ４１ａによりロード室８内を所定圧力範囲
まで排気後、高真空排気バルブ７２を閉じ、処理室排気
バルブ７１を開けた後、ゲートバルブ５を開けるように
制御する。
【００６６】その後、ステージ１０を搬送位置にまで移
動させ、搬送機構７６によりステージ１０上から被加工
物１００を受け取り、ゲートバルブ５を閉じる。
【００６７】次に、リークバルブ７７を開けてロード室
８内に不活性ガス２０をほぼ大気圧になるまで導入す
る。ロード室８の扉を開けて被加工物１００を搬送機構
７６から受け取った後、扉７８を閉じ、処理室排気バル
ブ７１および切換バルブ７３を閉じて処理室７の排気を
停止後、低真空バルブ７４を開け、ロード室８内をＤｒ
ｙポンプ４１ｂで排気する。コントローラ（制御装置）
８１は、ロード室８内が所定の圧力（例えば、１Ｐａ）
に達したならば、低真空バルブ７４を閉じ、切換バルブ
７３および高真空バルブ７２を開けてロード室８内の排
気手段をターボポンプ４１ａにするように制御する。コ
ントローラ（制御装置）８１は、所定の圧力（例えば、
１０~4Ｐａ）に達したならば、処理室排気バルブ７１を
開けて処理室７内の排気を再開するように制御する。
【００６８】なお、プロセスガスとして、エッチング用
には、例えばＦ2、Ｃｌ2等のハロゲンガスやＣＣｌ4、
ＣＦ4、ＸｅＦ2等のハロゲン化合物が用いられ、またＣ
ＶＤ用には、Ｗ(ＣＯ)6、Ｍｏ(ＣＯ)6、Ｃｒ(ＣＯ)6等
の金属カルボニル、あるいはＡｌ(ＣＨ3)3、Ａｌ(ｉ−
Ｃ4Ｈ9）3等のアルキル金属の他に、Ｓｉ(ＯＣ2Ｈ5)4等
が用いられる。また、ガスノズル２２を増やすことで、
ＳｉＨ4とＮＨ3といった混合ガスを用いることも可能で
ある。
【００６９】以上、エネルギービームとして集束イオン
ビームを用いたエッチング処理およびＣＶＤ処理を行う
実施の形態について説明したが、例えば、プロセスガス
雰囲気に直流あるいは高周波の電圧を印加してプラズマ
を形成し、該プラズマによってプロセスガスを活性化し
て化学反応を誘起することで、被加工物の選択的な除去
（アシストエッチング）や成膜（ＣＶＤ）を行うイオン
あるいはラジカルを用いてＣＶＤやエッチングを行う、
プラズマＣＶＤやプラズマエッチングにも適用可能であ
る。また、プロセスガスについても、エッチングガスや
ＣＶＤガスに限らず、ドーピングガス等にも適用でき
る。従って、エッチング処理とＣＶＤ処理の組み合わせ
だけでなく、ドーピング処理とエッチング処理を同一処
理室内で行うことも可能である。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング処理およびＣＶＤ処理等を安全に実現す
ることができる効果を奏する。
【００７１】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッチン
グ処理およびＣＶＤ処理を安全に実現することができる
効果を奏する。
【００７２】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガスをノズ
ルを用いて被加工物上に局所的に供給してイオンビーム
等によるアシストエッチング処理およびＣＶＤ処理を安
全に実現することができる効果を奏する。
【００７３】また本発明によれば、処理室内の排気を行
う排気系も含めて安全を確保して同一処理室内における
エッチング処理およびＣＶＤ処理等を安全に実現するこ
とができる効果を奏する。
【００７４】また本発明によれば、処理室内の排気を行
う排気系も含めて安全を確保して同一処理室内における
エッチング処理およびＣＶＤ処理等を安全に実現し、し
かも排気ガスの無害化をはかることができる効果を奏す
る。
【００７５】以上のように本発明によれば、一つの処理
室でエッチング処理とＣＶＤ処理とを安全で且つ連続的
に可能となったため、プロセス処理装置の小型化・低価
格化を図れることができる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプロセス処理装置の一実施の形態
を示す全体構成図である。
【図２】本発明に係るガスノズルの移動手段の一実施の
形態を示す構成図である。
【図３】本発明に係るガスノズルの加熱手段の一実施の
形態を示す図である。
【図４】本発明に係るエッチングガスとしてのＸｅＦ2
とＣＶＤガスとしてのＷ(ＣＯ)6を混合した場合の発火
領域を示す図である。
【符号の説明】 １…イオン源、２…イオンビーム、３…チャンバ、４…
仕切板 ５…ゲートバルブ、６…イオン光学鏡筒、７…処理室、
８…ロード室 ９…排気手段、１０…ステージ、１１ａ、１１ｂ、１１
ｃ…真空計 １２…パージ配管、１３…パージガス供給バルブ １４…マスフローコントローラ、２０…不活性ガス（パ
ージガス） ２２、２２ｄ、２２ｅ…ガスノズル ２３、２３ｄ、２３ｅ…ノズル移動手段（ノズル移動機
構） ２４…プロセスガス発生手段、２４ｄ…ＣＶＤガス発生
手段 ２４ｅ…エッチングガス発生手段、２５…プロセスガス
供給配管 ２６、２６ｄ、２６ｅ…プロセスガス供給バルブ ４１ａ…ターボポンプ、４１ｂ…Ｄｒｙポンプ ４２ｄ、４２ｅ…排気用バルブ、４４、４４ｄ、４４ｅ
…排気用配管 ４６ｄ…ＣＶＤガス用除害手段、４６ｅ…エッチングガ
ス用除害手段 ７１…処理室排気バルブ、５０…ヒータ、５１…厚膜抵
抗体、５３…測温体 ７２…高真空排気バルブ、７３…切換バルブ、７４…低
真空排気バルブ ７５…排気用配管、７６…搬送機構、７７…リークバル
ブ １００…被加工物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｂ (72)発明者 山田 利夫 東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製 作所デバイス開発センタ内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】エッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガ
    スの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切
    り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエッ
    チング用およびＣＶＤ用のプロセスガスの各々に対して
    エネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて前
    記被加工物に対してエッチングおよびＣＶＤの各プロセ
    ス処理を行うプロセス処理方法であって、 前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧
    力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガスを前
    記処理室内に設置された被加工物上に供給することを特
    徴とするプロセス処理方法。
  2. 【請求項２】エッチング用およびＣＶＤ用のプロセスガ
    スの各々を、エッチング用およびＣＶＤ用に対応した各
    ノズルから、処理室内に設置された被加工物に対して切
    り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエッ
    チング用およびＣＶＤ用のプロセスガスの各々に対して
    エネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて前
    記被加工物に対してエッチングおよびＣＶＤの各プロセ
    ス処理を行うプロセス処理方法であって、 前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧
    力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガスを前
    記処理室内に設置された被加工物上に供給することを特
    徴とするプロセス処理方法。
  3. 【請求項３】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記第１のプロセスガスを前記被加工物上に吹き付ける
    第１のノズルと前記第２のプロセスガスを前記被加工物
    上に吹き付ける第２のノズルとを個別に移動機構によっ
    て加工位置から退避可能に構成し、前記第１および第２
    のノズルが個別に加工位置または退避位置にあるのか否
    かを検知する検知手段を設け、前記第１のノズルを、第
    １のプロセスガス供給源に第１の配管によって第１のガ
    ス供給バルブを介して接続し、前記第２のノズルを、第
    ２のプロセスガス供給源に第２の配管によって第２のガ
    ス供給バルブを介して接続し、前記検知手段から検知さ
    れる前記各ノズルの位置情報に基づいて前記第１および
    第２のガス供給バルブの開閉を制御する制御装置を設け
    たことを特徴とするプロセス処理装置。
  4. 【請求項４】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第１の真空
    ポンプを前記処理室に接続し、該第１の真空ポンプのバ
    ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
    スガスが留まらないようにする第２の真空ポンプを接続
    し、前記第１の真空ポンプと第２の真空ポンプとの間の
    配管に前記第１の真空ポンプによる排気圧力を検知する
    圧力検知手段を設け、該圧力検知手段によって検知され
    る前記第１の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上
    になったとき、少なくとも前記処理室内への前記プロセ
    スガスの供給を停止する制御装置を備えたことを特徴と
    するプロセス処理装置。
  5. 【請求項５】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第１の真空
    ポンプを前記処理室に接続し、該第１の真空ポンプのバ
    ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
    スガスが留まらないようにする第２の真空ポンプを接続
    し、前記第１の真空ポンプと第２の真空ポンプとの間の
    配管に前記第１の真空ポンプによる排気圧力を検知する
    圧力検知手段を設け、該圧力検知手段によって検知され
    る前記第１の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上
    になったとき、少なくとも前記処理室内への前記プロセ
    スガスの供給を停止すると共に表示手段にトラブル表示
    を行う制御装置を備えたことを特徴とするプロセス処理
    装置。
  6. 【請求項６】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第１の真空
    ポンプを前記処理室に接続し、該第１の真空ポンプのバ
    ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
    スガスが留まらないようにする第２の真空ポンプを接続
    し、該第２の真空ポンプに供給するパージガスの供給流
    量または供給圧力を検知する検知手段を設け、該検知手
    段によって検知されるパージガスの供給流量または供給
    圧力が所望の値より下がったとき、少なくとも前記処理
    室内への前記プロセスガスの供給を停止する制御装置を
    備えたことを特徴とするプロセス処理装置。
  7. 【請求項７】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第１の真空
    ポンプを前記処理室に接続し、該第１の真空ポンプのバ
    ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
    スガスが留まらないようにする第２の真空ポンプを接続
    し、該第２の真空ポンプに供給するパージガスの供給流
    量または供給圧力を検知する検知手段を設け、該検知手
    段によって検知されるパージガスの供給流量または供給
    圧力が所望の値より下がったとき、少なくとも前記処理
    室内への前記プロセスガスの供給を停止すると共に表示
    手段にトラブル表示を行う制御装置を備えたことを特徴
    とするプロセス処理装置。
  8. 【請求項８】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記処理室内を排気する排気手段を設け、前記処理室内
    の圧力を検知する圧力検知手段を設け、前記被加工物に
    対して一方のプロセス処理を終了後前記圧力検知手段に
    よって検知される処理室内の圧力が所望の値以下になる
    まで前記処理室内への他方のプロセスガスの供給を停止
    する制御装置を備えたことを特徴とするプロセス処理装
    置。
  9. 【請求項９】第１および第２のプロセスガスの各々を、
    処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
    し、これら切り替えられて供給された第１および第２の
    プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第１お
    よび第２の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
    って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第１の真空
    ポンプを前記処理室に接続し、該第１の真空ポンプのバ
    ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
    スガスが留まらないようにする第２の真空ポンプを接続
    し、該第２の真空ポンプの後段に分岐配管を接続して排
    気用バルブを介して前記各プロセスガスに対応させた除
    害手段を設けたことを特徴とするプロセス処理装置。
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