JPH09275095A - プロセス処理方法およびその装置 - Google Patents
プロセス処理方法およびその装置Info
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- JPH09275095A JPH09275095A JP8346696A JP8346696A JPH09275095A JP H09275095 A JPH09275095 A JP H09275095A JP 8346696 A JP8346696 A JP 8346696A JP 8346696 A JP8346696 A JP 8346696A JP H09275095 A JPH09275095 A JP H09275095A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本課題は、同一処理室内においてエッチング処
理およびCVD処理等を安全に実現できるようにしたプ
ロセス処理方法およびその装置を提供することにある。 【解決手段】本発明は、プロセス処理装置において、処
理室内を排気すべく高真空排気可能なターボポンプ41
aを前記処理室7に接続し、該ターボプンプのバックを
排気し、更にパージガスを流し続けてプロセスガスが留
まらないようにするDryポンプ41bを接続し、これ
らポンプの間に圧力検知手段11bを設け、該圧力検知
手段によって検知される排気圧力が所望の値以上になっ
たとき、処理室7内へのプロセスガスの供給を停止する
ように制御する制御装置81を備えたことを特徴とす
る。
理およびCVD処理等を安全に実現できるようにしたプ
ロセス処理方法およびその装置を提供することにある。 【解決手段】本発明は、プロセス処理装置において、処
理室内を排気すべく高真空排気可能なターボポンプ41
aを前記処理室7に接続し、該ターボプンプのバックを
排気し、更にパージガスを流し続けてプロセスガスが留
まらないようにするDryポンプ41bを接続し、これ
らポンプの間に圧力検知手段11bを設け、該圧力検知
手段によって検知される排気圧力が所望の値以上になっ
たとき、処理室7内へのプロセスガスの供給を停止する
ように制御する制御装置81を備えたことを特徴とす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、同一処理室内にお
いて、エッチングガスやCVDガス等の各種プロセスガ
スを切り替えて用い、LSI等の被加工物にアシストエ
ッチング処理やCVD処理等のプロセス処理を切り替え
て施すプロセス処理方法および装置に関する。
いて、エッチングガスやCVDガス等の各種プロセスガ
スを切り替えて用い、LSI等の被加工物にアシストエ
ッチング処理やCVD処理等のプロセス処理を切り替え
て施すプロセス処理方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光、イオンビーム、電子ビーム等
のエネルギービームは、LSI等の被加工物上の微細領
域に照射可能なことからLSIの修正や露光等に用いら
れている。
のエネルギービームは、LSI等の被加工物上の微細領
域に照射可能なことからLSIの修正や露光等に用いら
れている。
【0003】最近では、エッチングガスやCVDガス等
のプロセスガスと組み合わせた加工技術が研究されてい
る。この技術は、前記エネルギービームの与えるエネル
ギーによりプロセスガスを活性化して化学反応を誘起す
ることで、被加工物の選択的な除去(アシストエッチン
グ)や成膜(CVD)を行うものである。
のプロセスガスと組み合わせた加工技術が研究されてい
る。この技術は、前記エネルギービームの与えるエネル
ギーによりプロセスガスを活性化して化学反応を誘起す
ることで、被加工物の選択的な除去(アシストエッチン
グ)や成膜(CVD)を行うものである。
【0004】例えば、特開平1−297824号公報
(第1の従来技術)において、光エッチングによるLS
Iの選択的除去を行った後、同一装置内で該除去部分に
光CVDによる膜形成を行う方法が開示されている。こ
の方法は、先ず、反応装置内でフッ素系のエッチングガ
スを流しながら選択的にレーザ光を照射することでLS
Iの基板あるいは絶縁膜の選択的除去を行う。次に、エ
ッチングガスをSiO2用あるいはWF6+SiH4とい
ったCVDガスに切り換えて供給する。そして、該雰囲
気中でエッチング時のレーザ照射箇所に再びレーザ照射
を行ってSiO2膜あるいはW膜を形成する。
(第1の従来技術)において、光エッチングによるLS
Iの選択的除去を行った後、同一装置内で該除去部分に
光CVDによる膜形成を行う方法が開示されている。こ
の方法は、先ず、反応装置内でフッ素系のエッチングガ
スを流しながら選択的にレーザ光を照射することでLS
Iの基板あるいは絶縁膜の選択的除去を行う。次に、エ
ッチングガスをSiO2用あるいはWF6+SiH4とい
ったCVDガスに切り換えて供給する。そして、該雰囲
気中でエッチング時のレーザ照射箇所に再びレーザ照射
を行ってSiO2膜あるいはW膜を形成する。
【0005】この方法によれば、選択的除去から膜形成
までLSIを外気に曝すことなく行うため、該LSIの
汚染を少なくできる。また、同一装置で前記処理を行う
ため、スループットの向上が図れるといった効果が得ら
れる。
までLSIを外気に曝すことなく行うため、該LSIの
汚染を少なくできる。また、同一装置で前記処理を行う
ため、スループットの向上が図れるといった効果が得ら
れる。
【0006】また、特開平2−62039号公報(第2
の従来技術)において、集束したエネルギービームとプ
ロセスガスを加工目的に応じて組み合わせ用い、LSI
を修正する方法および装置を開示している。この従来技
術2によれば、同一処理室内でアシストエッチングによ
るLSI内の絶縁膜やAl配線の選択除去、およびCV
DによるLSI上への補修配線の局所形成を行ってい
る。エッチングガスにはCF4、SF6、CCl4、Cl2
等を用いており、SiO2のエッチングにCF4、Alの
エッチングにCCl4を適用した例が示されている。特
にエッチングにおいて、LSIの被加工層の変化に対応
して精度良く加工するために、用いるエッチングガスの
種類毎にガスノズルを分けることでガスの切り替え時間
を短縮しているほか、昇温冷却機構により被加工物の温
度を短時間に制御し、ガスの脱着時間を制御する構成と
なっている。
の従来技術)において、集束したエネルギービームとプ
ロセスガスを加工目的に応じて組み合わせ用い、LSI
を修正する方法および装置を開示している。この従来技
術2によれば、同一処理室内でアシストエッチングによ
るLSI内の絶縁膜やAl配線の選択除去、およびCV
DによるLSI上への補修配線の局所形成を行ってい
る。エッチングガスにはCF4、SF6、CCl4、Cl2
等を用いており、SiO2のエッチングにCF4、Alの
エッチングにCCl4を適用した例が示されている。特
にエッチングにおいて、LSIの被加工層の変化に対応
して精度良く加工するために、用いるエッチングガスの
種類毎にガスノズルを分けることでガスの切り替え時間
を短縮しているほか、昇温冷却機構により被加工物の温
度を短時間に制御し、ガスの脱着時間を制御する構成と
なっている。
【0007】また、特開平5−7763号公報(第3の
従来技術)においては、排出弁の状態に基づいて、供給
弁の切替えの可否を行うインターロック機構を設けた給
排ガスの切替システムが知られている。
従来技術)においては、排出弁の状態に基づいて、供給
弁の切替えの可否を行うインターロック機構を設けた給
排ガスの切替システムが知られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】LSIのようにエッチ
ング処理およびCVD処理を繰り返し行う場合、上記第
1および第2の従来技術のように同一処理室内でプロセ
スガスを切り換えるのみで成し得るならば、第1の従来
技術に記載されているようにスループットの向上等、多
大な効果が期待できる。
ング処理およびCVD処理を繰り返し行う場合、上記第
1および第2の従来技術のように同一処理室内でプロセ
スガスを切り換えるのみで成し得るならば、第1の従来
技術に記載されているようにスループットの向上等、多
大な効果が期待できる。
【0009】しかし、同一処理室内でエッチングおよび
CVDを行う場合、安全性に対する配慮を十分に行う必
要がある。なぜなら、エッチングガスとCVDガスとが
処理室内あるいは排気用の真空ポンプ内等で混合した場
合、それらの組み合わせにより爆発的に反応することが
ある。例えば、SiO2のエッチング処理に用いられる
XeF2とSiO2のCVD処理に用いられるSi(OC2
H5)4を混合すると激しく反応する。また、本願発明者
らの実験によれば、前記XeF2とW膜のCVDに用い
られるW(CO)6とを混合してもガス同士・粉末同士に
関係なく、激しい発火が見られた。上記両従来技術にお
いては、このような危険性を考慮されていない。
CVDを行う場合、安全性に対する配慮を十分に行う必
要がある。なぜなら、エッチングガスとCVDガスとが
処理室内あるいは排気用の真空ポンプ内等で混合した場
合、それらの組み合わせにより爆発的に反応することが
ある。例えば、SiO2のエッチング処理に用いられる
XeF2とSiO2のCVD処理に用いられるSi(OC2
H5)4を混合すると激しく反応する。また、本願発明者
らの実験によれば、前記XeF2とW膜のCVDに用い
られるW(CO)6とを混合してもガス同士・粉末同士に
関係なく、激しい発火が見られた。上記両従来技術にお
いては、このような危険性を考慮されていない。
【0010】例えば、上記第1の従来技術では、エッチ
ングガスおよびCVDガスの反応室への供給口およびガ
ス排出口も共通である。そして、単にエッチングガスか
CVDガスに切り換える記載は有るものの、プロセスガ
スの切り替え時における安全性に対する配慮の記載がな
い。このような構成において、用いるプロセスガスを前
記のように互いに反応し合うガスを選択した場合、ガス
供給口および排出口および排気手段(真空ポンプ)が特
に危険である。
ングガスおよびCVDガスの反応室への供給口およびガ
ス排出口も共通である。そして、単にエッチングガスか
CVDガスに切り換える記載は有るものの、プロセスガ
スの切り替え時における安全性に対する配慮の記載がな
い。このような構成において、用いるプロセスガスを前
記のように互いに反応し合うガスを選択した場合、ガス
供給口および排出口および排気手段(真空ポンプ)が特
に危険である。
【0011】また、上記第2の従来技術では、用いるエ
ッチングガスの種類毎にガスノズルを設け、ガスノズル
の吐出口あるいはその付近にガス供給のためのバルブを
設けていることから、上記第1の従来技術に比べて危険
性は低い。しかし、ガスノズル同士が接近していること
から、万一エッチング用のバルブとCVD用のバルブと
が開いた場合、ノズル付近で反応が生じ、被加工物およ
び周辺の部品を破損あるいは汚染する。また、常温では
粉末のW(CO)6を加熱・昇華させてCVDガスとして
用いた場合、排気系統の配管内に再結晶化することがあ
る。そこにCl2等のエッチングガスが流れてくると反
応して配管損傷などの事故を生ずる場合がある。
ッチングガスの種類毎にガスノズルを設け、ガスノズル
の吐出口あるいはその付近にガス供給のためのバルブを
設けていることから、上記第1の従来技術に比べて危険
性は低い。しかし、ガスノズル同士が接近していること
から、万一エッチング用のバルブとCVD用のバルブと
が開いた場合、ノズル付近で反応が生じ、被加工物およ
び周辺の部品を破損あるいは汚染する。また、常温では
粉末のW(CO)6を加熱・昇華させてCVDガスとして
用いた場合、排気系統の配管内に再結晶化することがあ
る。そこにCl2等のエッチングガスが流れてくると反
応して配管損傷などの事故を生ずる場合がある。
【0012】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決すべく、同一処理室内において、エッチング処理およ
びCVD処理等を安全に実現できるようにしたプロセス
処理方法およびその装置を提供することにある。
決すべく、同一処理室内において、エッチング処理およ
びCVD処理等を安全に実現できるようにしたプロセス
処理方法およびその装置を提供することにある。
【0013】また本発明の他の目的は、同一処理室内に
おいて、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッ
チング処理およびCVD処理を安全に実現できるように
したプロセス処理方法およびその装置を提供することに
ある。
おいて、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッ
チング処理およびCVD処理を安全に実現できるように
したプロセス処理方法およびその装置を提供することに
ある。
【0014】また本発明の他の目的は、同一処理室内に
おいて、エッチング処理およびCVD処理等を安全に実
現し、しかも排気ガスの無害化をはかったプロセス処理
装置を提供することにある。
おいて、エッチング処理およびCVD処理等を安全に実
現し、しかも排気ガスの無害化をはかったプロセス処理
装置を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、エッチング用およびCVD用のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエ
ッチング用およびCVD用のプロセスガスの各々に対し
てエネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて
前記被加工物に対してエッチングおよびCVDの各プロ
セス処理を行うプロセス処理方法であって、前記一方の
プロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧力以下にな
るまで排気した後他方用のプロセスガスを前記処理室内
に設置された被加工物上に供給することを特徴とするプ
ロセス処理方法である。
に、本発明は、エッチング用およびCVD用のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエ
ッチング用およびCVD用のプロセスガスの各々に対し
てエネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて
前記被加工物に対してエッチングおよびCVDの各プロ
セス処理を行うプロセス処理方法であって、前記一方の
プロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧力以下にな
るまで排気した後他方用のプロセスガスを前記処理室内
に設置された被加工物上に供給することを特徴とするプ
ロセス処理方法である。
【0016】また本発明は、エッチング用およびCVD
用のプロセスガスの各々を、エッチング用およびCVD
用に対応した各ノズルから、処理室内に設置された被加
工物に対して切り替えて供給し、これら切り替えられて
供給されたエッチング用およびCVD用のプロセスガス
の各々に対してエネルギーを与えて活性化して化学反応
を誘起させて前記被加工物に対してエッチングおよびC
VDの各プロセス処理を行うプロセス処理方法であっ
て、前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望
の圧力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガス
を前記処理室内に設置された被加工物上に供給すること
を特徴とするプロセス処理方法である。
用のプロセスガスの各々を、エッチング用およびCVD
用に対応した各ノズルから、処理室内に設置された被加
工物に対して切り替えて供給し、これら切り替えられて
供給されたエッチング用およびCVD用のプロセスガス
の各々に対してエネルギーを与えて活性化して化学反応
を誘起させて前記被加工物に対してエッチングおよびC
VDの各プロセス処理を行うプロセス処理方法であっ
て、前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望
の圧力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガス
を前記処理室内に設置された被加工物上に供給すること
を特徴とするプロセス処理方法である。
【0017】即ち、本発明は、エッチングガスあるいは
CVDガスのどちらか一方を使用後、他方のガスと混合
しても発火等の反応を生じない圧力以下まで排気後、他
方のガスを導入することを特徴とする。具体的には、例
えばエッチングガスにXeF2、CVDガスにW(CO)6
を用いた場合、エッチング処理後、CVDガスを導入す
る前に処理室内を32.5Paより十分安全度をとった
10~2Pa以下まで排気する。あるいは、パージガスを
導入し、該パージガスと共に処理室内を10~2Pa以下
まで排気する。
CVDガスのどちらか一方を使用後、他方のガスと混合
しても発火等の反応を生じない圧力以下まで排気後、他
方のガスを導入することを特徴とする。具体的には、例
えばエッチングガスにXeF2、CVDガスにW(CO)6
を用いた場合、エッチング処理後、CVDガスを導入す
る前に処理室内を32.5Paより十分安全度をとった
10~2Pa以下まで排気する。あるいは、パージガスを
導入し、該パージガスと共に処理室内を10~2Pa以下
まで排気する。
【0018】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガス(エッチング用およびCVD用のプロセスガス)の
各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切り替
えて供給し、これら切り替えられて供給された第1およ
び第2のプロセスガスの各々により前記被加工物に対し
て第1および第2(エッチングおよびCVD)の各プロ
セス処理を行うプロセス処理装置であって、前記第1の
プロセスガスを前記被加工物上に吹き付ける第1のノズ
ルと前記第2のプロセスガスを前記被加工物上に吹き付
ける第2のノズルとを個別に移動機構によって加工位置
から退避可能に構成し、前記第1および第2のノズルが
個別に加工位置または退避位置にあるのか否かを検知す
る検知手段を設け、前記第1のノズルを、第1のプロセ
スガス供給源に第1の配管によって第1のガス供給バル
ブを介して接続し、前記第2のノズルを、第2のプロセ
スガス供給源に第2の配管によって第2のガス供給バル
ブを介して接続し、前記検知手段から検知される前記各
ノズルの位置情報に基づいて前記第1および第2のガス
供給バルブの開閉を制御する制御装置を設けたことを特
徴とするプロセス処理装置である。
ガス(エッチング用およびCVD用のプロセスガス)の
各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切り替
えて供給し、これら切り替えられて供給された第1およ
び第2のプロセスガスの各々により前記被加工物に対し
て第1および第2(エッチングおよびCVD)の各プロ
セス処理を行うプロセス処理装置であって、前記第1の
プロセスガスを前記被加工物上に吹き付ける第1のノズ
ルと前記第2のプロセスガスを前記被加工物上に吹き付
ける第2のノズルとを個別に移動機構によって加工位置
から退避可能に構成し、前記第1および第2のノズルが
個別に加工位置または退避位置にあるのか否かを検知す
る検知手段を設け、前記第1のノズルを、第1のプロセ
スガス供給源に第1の配管によって第1のガス供給バル
ブを介して接続し、前記第2のノズルを、第2のプロセ
スガス供給源に第2の配管によって第2のガス供給バル
ブを介して接続し、前記検知手段から検知される前記各
ノズルの位置情報に基づいて前記第1および第2のガス
供給バルブの開閉を制御する制御装置を設けたことを特
徴とするプロセス処理装置である。
【0019】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガス(エッチング用およびCVD用のプロセスガス)の
各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切り替
えて供給し、これら切り替えられて供給された第1およ
び第2(エッチングおよびCVD)のプロセスガスの各
々により前記被加工物に対して第1および第2の各プロ
セス処理を行うプロセス処理装置であって、前記処理室
内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空ポンプを前
記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバックを排気
し、更にパージガスを流し続けて前記プロセスガスが留
まらないようにする第2の真空ポンプを接続し、前記第
1の真空ポンプと第2の真空ポンプとの間の配管に前記
第1の真空ポンプによる排気圧力を検知する圧力検知手
段を設け、該圧力検知手段によって検知される前記第1
の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上になったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止する制御装置を備えたことを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
ガス(エッチング用およびCVD用のプロセスガス)の
各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切り替
えて供給し、これら切り替えられて供給された第1およ
び第2(エッチングおよびCVD)のプロセスガスの各
々により前記被加工物に対して第1および第2の各プロ
セス処理を行うプロセス処理装置であって、前記処理室
内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空ポンプを前
記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバックを排気
し、更にパージガスを流し続けて前記プロセスガスが留
まらないようにする第2の真空ポンプを接続し、前記第
1の真空ポンプと第2の真空ポンプとの間の配管に前記
第1の真空ポンプによる排気圧力を検知する圧力検知手
段を設け、該圧力検知手段によって検知される前記第1
の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上になったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止する制御装置を備えたことを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
【0020】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、前記第1の真空ポンプと第2
の真空ポンプとの間の配管に前記第1の真空ポンプによ
る排気圧力を検知する圧力検知手段を設け、該圧力検知
手段によって検知される前記第1の真空ポンプによる排
気圧力が所望の値以上になったとき、少なくとも前記処
理室内への前記プロセスガスの供給を停止すると共に表
示手段にトラブル表示を行う制御装置を備えたことを特
徴とするプロセス処理装置である。
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、前記第1の真空ポンプと第2
の真空ポンプとの間の配管に前記第1の真空ポンプによ
る排気圧力を検知する圧力検知手段を設け、該圧力検知
手段によって検知される前記第1の真空ポンプによる排
気圧力が所望の値以上になったとき、少なくとも前記処
理室内への前記プロセスガスの供給を停止すると共に表
示手段にトラブル表示を行う制御装置を備えたことを特
徴とするプロセス処理装置である。
【0021】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、該第2の真空ポンプに供給す
るパージガスの供給流量または供給圧力を検知する検知
手段を設け、該検知手段によって検知されるパージガス
の供給流量または供給圧力が所望の値より下がったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止する制御装置を備えたことを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、該第2の真空ポンプに供給す
るパージガスの供給流量または供給圧力を検知する検知
手段を設け、該検知手段によって検知されるパージガス
の供給流量または供給圧力が所望の値より下がったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止する制御装置を備えたことを特徴とするプロセ
ス処理装置である。
【0022】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、該第2の真空ポンプに供給す
るパージガスの供給流量または供給圧力を検知する検知
手段を設け、該検知手段によって検知されるパージガス
の供給流量または供給圧力が所望の値より下がったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止すると共に表示手段にトラブル表示を行う制御
装置を備えたことを特徴とするプロセス処理装置であ
る。
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、該第2の真空ポンプに供給す
るパージガスの供給流量または供給圧力を検知する検知
手段を設け、該検知手段によって検知されるパージガス
の供給流量または供給圧力が所望の値より下がったと
き、少なくとも前記処理室内への前記プロセスガスの供
給を停止すると共に表示手段にトラブル表示を行う制御
装置を備えたことを特徴とするプロセス処理装置であ
る。
【0023】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気する排気手段
を設け、前記処理室内の圧力を検知する圧力検知手段を
設け、前記被加工物に対して一方のプロセス処理を終了
後前記圧力検知手段によって検知される処理室内の圧力
が所望の値以下になるまで前記処理室内への他方のプロ
セスガスの供給を停止する制御装置を備えたことを特徴
とするプロセス処理装置である。
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気する排気手段
を設け、前記処理室内の圧力を検知する圧力検知手段を
設け、前記被加工物に対して一方のプロセス処理を終了
後前記圧力検知手段によって検知される処理室内の圧力
が所望の値以下になるまで前記処理室内への他方のプロ
セスガスの供給を停止する制御装置を備えたことを特徴
とするプロセス処理装置である。
【0024】また本発明は、第1および第2のプロセス
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、該第2の真空ポンプの後段に
分岐配管を接続して排気用バルブを介して前記各プロセ
スガスに対応させた除害手段を設けたことを特徴とする
プロセス処理装置である。
ガスの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して
切り替えて供給し、これら切り替えられて供給された第
1および第2のプロセスガスの各々により前記被加工物
に対して第1および第2の各プロセス処理を行うプロセ
ス処理装置であって、前記処理室内を排気すべく高真空
排気可能な第1の真空ポンプを前記処理室に接続し、該
第1の真空ポンプのバックを排気し、更にパージガスを
流し続けて前記プロセスガスが留まらないようにする第
2の真空ポンプを接続し、該第2の真空ポンプの後段に
分岐配管を接続して排気用バルブを介して前記各プロセ
スガスに対応させた除害手段を設けたことを特徴とする
プロセス処理装置である。
【0025】以上説明したように、本発明によれば、同
一処理室内において、エッチング処理およびCVD処理
等を安全に実現することができる。
一処理室内において、エッチング処理およびCVD処理
等を安全に実現することができる。
【0026】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッチン
グ処理およびCVD処理を安全に実現することができ
る。
て、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッチン
グ処理およびCVD処理を安全に実現することができ
る。
【0027】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング用およびCVD用のプロセスガスをノズ
ルを用いて被加工物上に局所的に供給してイオンビーム
等によるアシストエッチング処理およびCVD処理を安
全に実現することができる。
て、エッチング用およびCVD用のプロセスガスをノズ
ルを用いて被加工物上に局所的に供給してイオンビーム
等によるアシストエッチング処理およびCVD処理を安
全に実現することができる。
【0028】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現
し、しかも排気ガスの無害化をはかることができる。
て、エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現
し、しかも排気ガスの無害化をはかることができる。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態を図1乃
至図3を参照して具体的に説明する。
至図3を参照して具体的に説明する。
【0030】図1は、集束イオンビームをエネルギービ
ームとして用い、LSI等の被加工物にアシストエッチ
ング処理およびCVD処理を同一処理室内で施す処理装
置の一実施の形態を示す構成図である。
ームとして用い、LSI等の被加工物にアシストエッチ
ング処理およびCVD処理を同一処理室内で施す処理装
置の一実施の形態を示す構成図である。
【0031】図1において、イオン源1から引き出し電
極61によって引き出されたイオンビーム2は、集束レ
ンズ(静電レンズ、荷電粒子光学系)63により集束さ
れ、被加工物100に照射される。この時、イオンビー
ム2は、ブランキング電極62およびデフレクタ電極6
4とそれらのコントローラ(制御装置)81により、被
加工物100へのイオンビーム照射のON・OFFおよ
び偏向が制御される。イオンビーム2の照射に伴って被
加工物100から発生する2次電子あるいは2次イオン
を2次粒子ディテクタ65により検出し、被加工物10
0の像をコントローラ81ノモニタ82上に表示する。
この像を用いて観察および後述の各処理のための位置合
わせを行う。
極61によって引き出されたイオンビーム2は、集束レ
ンズ(静電レンズ、荷電粒子光学系)63により集束さ
れ、被加工物100に照射される。この時、イオンビー
ム2は、ブランキング電極62およびデフレクタ電極6
4とそれらのコントローラ(制御装置)81により、被
加工物100へのイオンビーム照射のON・OFFおよ
び偏向が制御される。イオンビーム2の照射に伴って被
加工物100から発生する2次電子あるいは2次イオン
を2次粒子ディテクタ65により検出し、被加工物10
0の像をコントローラ81ノモニタ82上に表示する。
この像を用いて観察および後述の各処理のための位置合
わせを行う。
【0032】チャンバ3は、中央部にイオンビーム2通
過のための開口を有する仕切り板4によって、イオン光
学鏡筒部6と処理室7との2室に分かれる。イオン光学
鏡筒部6内には、上記したイオン源1、集束レンズ6
3、ブランキング電極62、デフレクタ電極64を設置
し、処理室7内に2次粒子ディテクタ65を設置してい
る。そして、チャンバ3の側面に設けた排気手段9によ
り、高真空状態を保持している。
過のための開口を有する仕切り板4によって、イオン光
学鏡筒部6と処理室7との2室に分かれる。イオン光学
鏡筒部6内には、上記したイオン源1、集束レンズ6
3、ブランキング電極62、デフレクタ電極64を設置
し、処理室7内に2次粒子ディテクタ65を設置してい
る。そして、チャンバ3の側面に設けた排気手段9によ
り、高真空状態を保持している。
【0033】一方、処理室7内には、被加工物100を
搭載し、XYZの3軸方向の任意箇所に移動可能なステ
ージ10が設置されている。そして、コントローラ(制
御装置)81は、上記ステージ10の位置決めおよび走
行(移動)をも制御するものとする。
搭載し、XYZの3軸方向の任意箇所に移動可能なステ
ージ10が設置されている。そして、コントローラ(制
御装置)81は、上記ステージ10の位置決めおよび走
行(移動)をも制御するものとする。
【0034】プロセスガス供給手段は、CVDガス供給
手段とエッチングガス供給手段との2系統である。両手
段とも、被加工物100上にプロセスガスを供給するた
めのガスノズル22と、該ノズル22の退避位置か前進
位置かを検出する位置検出手段を備えたノズル移動機構
23と、CVDまたはエッチングに用いるプロセスガス
発生手段24と、プロセスガス供給のON,OFFを行
うためのガス供給バブル26と、これらを結ぶプロセス
ガス供給配管25とで構成される。そして、ノズル移動
機構23は、コントローラ(制御装置)81によって、
監視制御される。コントローラ(制御装置)81は、C
PUと、制御プログラムを格納したROMと、各種バル
ブの開閉状態、真空計11a〜11cで計測された圧力
データ、ガスノズル22d,22eの前進、待避の状
態、イオンビーム2の制御情報等を格納するRAMおよ
びディスク等の外部記憶装置と、キーボードやマウス等
の入力手段83と、モニタを行うディスプレイ、液晶表
示装置等の表示手段82と、印刷装置やディスク等の出
力手段とで構成されている。
手段とエッチングガス供給手段との2系統である。両手
段とも、被加工物100上にプロセスガスを供給するた
めのガスノズル22と、該ノズル22の退避位置か前進
位置かを検出する位置検出手段を備えたノズル移動機構
23と、CVDまたはエッチングに用いるプロセスガス
発生手段24と、プロセスガス供給のON,OFFを行
うためのガス供給バブル26と、これらを結ぶプロセス
ガス供給配管25とで構成される。そして、ノズル移動
機構23は、コントローラ(制御装置)81によって、
監視制御される。コントローラ(制御装置)81は、C
PUと、制御プログラムを格納したROMと、各種バル
ブの開閉状態、真空計11a〜11cで計測された圧力
データ、ガスノズル22d,22eの前進、待避の状
態、イオンビーム2の制御情報等を格納するRAMおよ
びディスク等の外部記憶装置と、キーボードやマウス等
の入力手段83と、モニタを行うディスプレイ、液晶表
示装置等の表示手段82と、印刷装置やディスク等の出
力手段とで構成されている。
【0035】前記ガスノズル22(22d,22e)の
移動機構23(23d,23e)の具体例を図2に2つ
の形態示す。
移動機構23(23d,23e)の具体例を図2に2つ
の形態示す。
【0036】図2(a)は、ガスノズル22(22d,
22e)を直線的に移動させる一例である。ガスノズル
22(22d,22e)は固定治具31を介してボール
ネジのナット32に固定しており、対するボールネジの
ネジ33はカップリング34を介してモータ35に連結
している。処理室6の内壁に固定したステージ36には
モータ35を固定しており、ナット32をスライドさせ
るガイドを設けている。そして、モータ35の回転運動
はボールネジとガイドにより直線運動に変換され、ガス
ノズル22(22d,22e)はその軸方向に移動す
る。ガスノズル22(22d,22e)の入口側には配
管25(25d,25e)の一部であるフレキシブルチ
ューブ37を継手38を介して接続している。尚、本実
施の形態では、ガスノズル22(22d,22e)をそ
の軸方向に移動させているが、駆動系をガスノズル22
(22d,22e)の軸に直交させ、その方向に移動さ
せても良い。
22e)を直線的に移動させる一例である。ガスノズル
22(22d,22e)は固定治具31を介してボール
ネジのナット32に固定しており、対するボールネジの
ネジ33はカップリング34を介してモータ35に連結
している。処理室6の内壁に固定したステージ36には
モータ35を固定しており、ナット32をスライドさせ
るガイドを設けている。そして、モータ35の回転運動
はボールネジとガイドにより直線運動に変換され、ガス
ノズル22(22d,22e)はその軸方向に移動す
る。ガスノズル22(22d,22e)の入口側には配
管25(25d,25e)の一部であるフレキシブルチ
ューブ37を継手38を介して接続している。尚、本実
施の形態では、ガスノズル22(22d,22e)をそ
の軸方向に移動させているが、駆動系をガスノズル22
(22d,22e)の軸に直交させ、その方向に移動さ
せても良い。
【0037】図2(b)は、ガスノズル22(22d,
22e)を回転移動させる一例である。ガスノズル22
(22d,22e)はカップリング34を介して回転駆
動源35に連結している。該回転駆動源35は、パルス
モータあるいはロータリーソレノイド等から成るもの
で、処理室6内壁に固定したステージ36に固定してい
る。該駆動源35がパルスモータの場合、所定数のパル
スを与えることでガスノズル22を所定角度回転させる
ことができる。尚、駆動系の配置等を替えて、水平方向
に回転させているガスノズル22(22d,22e)を
垂直方向に回転させても良い。さらに、図2(a)の直
線移動方式と組み合わせ、エッチング処理とCVD処理
とのガス種切り替え時のノズル移動は直線移動方式を用
い、被加工物100搬送時のノズル退避時には回転移動
方式を用いる、といった構成にしても良い。尚、前述の
ノズル位置検知手段としては、回転駆動源35に設けた
ロータリーエンコーダ、あるいはステージ36の適当な
位置に設けた光センサあるいは磁気センサ等がある。
22e)を回転移動させる一例である。ガスノズル22
(22d,22e)はカップリング34を介して回転駆
動源35に連結している。該回転駆動源35は、パルス
モータあるいはロータリーソレノイド等から成るもの
で、処理室6内壁に固定したステージ36に固定してい
る。該駆動源35がパルスモータの場合、所定数のパル
スを与えることでガスノズル22を所定角度回転させる
ことができる。尚、駆動系の配置等を替えて、水平方向
に回転させているガスノズル22(22d,22e)を
垂直方向に回転させても良い。さらに、図2(a)の直
線移動方式と組み合わせ、エッチング処理とCVD処理
とのガス種切り替え時のノズル移動は直線移動方式を用
い、被加工物100搬送時のノズル退避時には回転移動
方式を用いる、といった構成にしても良い。尚、前述の
ノズル位置検知手段としては、回転駆動源35に設けた
ロータリーエンコーダ、あるいはステージ36の適当な
位置に設けた光センサあるいは磁気センサ等がある。
【0038】エッチングおよびCVDのためのプロセス
ガス発生手段24e、24dの構成は、各処理に用いる
プロセスガスの蒸気圧によって異なる。例えば、Cl2
やCF4といったエッチングガス、WF6やSiH4といっ
たCVDガスの様に室温中でも高い蒸気圧が得られる場
合においては、プロセスガスを充填したボンベと該ボン
ベからのガス供給圧を調整するための圧力調整弁とで構
成する。しかし、室温中では粉末の昇華性材料(Xe
F2、W(CO)6、等)や液体材料(Si(OC2H5)4等)
の様に、低蒸気圧の材料からプロセスガスを得る場合に
は、プロセスガス材料を充填したボンベと、該材料を加
熱して蒸気圧を高めるためのヒータと測温体から成る加
熱手段で構成される。そして、ガスノズル22(22
d,22e)および該ノズルからガス発生手段24(2
4d,24e)に至るまでのプロセスガス供給バルブ2
6(26d,26e)およびプロセスガス配管25(2
5d,25e)にも加熱手段を設けることで低温部での
再結晶化または再液化によるガス圧低下を防止でき、プ
ロセスガス供給量が安定する。ここで用いる加熱手段は
テープ状ヒータと測温体であり、これらを当該部分に巻
き付ける。もし、該手段をガスノズル22(22d,2
2e)の加熱に用いるだけの寸法的な余裕が無い場合に
は、ガスノズル22(22d,22e)の内面あるいは
外面にフィルム状ヒータを設ける。例えば、図3(a)
に示すように厚膜抵抗体51と絶縁体52a、52bと
を積層して形成したヒータ50をガスノズル22(22
d.22e)の外面あるいは内面に直接形成する。併せ
て、該ヒータ50上あるいは対面に測温体53も形成す
る。また、該ヒータ50のパターンを図3(b)のよう
なストライプ状あるいはスパイラル状に形成する。これ
により、寸法的な制約のあるガスノズル22(22d.
22e)でも均一加熱が可能となる。そして、このよう
な加熱手段はガスノズル22(22d,22e)のみな
らず、プロセスガス供給配管25(25d,25e)に
も適用できる。
ガス発生手段24e、24dの構成は、各処理に用いる
プロセスガスの蒸気圧によって異なる。例えば、Cl2
やCF4といったエッチングガス、WF6やSiH4といっ
たCVDガスの様に室温中でも高い蒸気圧が得られる場
合においては、プロセスガスを充填したボンベと該ボン
ベからのガス供給圧を調整するための圧力調整弁とで構
成する。しかし、室温中では粉末の昇華性材料(Xe
F2、W(CO)6、等)や液体材料(Si(OC2H5)4等)
の様に、低蒸気圧の材料からプロセスガスを得る場合に
は、プロセスガス材料を充填したボンベと、該材料を加
熱して蒸気圧を高めるためのヒータと測温体から成る加
熱手段で構成される。そして、ガスノズル22(22
d,22e)および該ノズルからガス発生手段24(2
4d,24e)に至るまでのプロセスガス供給バルブ2
6(26d,26e)およびプロセスガス配管25(2
5d,25e)にも加熱手段を設けることで低温部での
再結晶化または再液化によるガス圧低下を防止でき、プ
ロセスガス供給量が安定する。ここで用いる加熱手段は
テープ状ヒータと測温体であり、これらを当該部分に巻
き付ける。もし、該手段をガスノズル22(22d,2
2e)の加熱に用いるだけの寸法的な余裕が無い場合に
は、ガスノズル22(22d,22e)の内面あるいは
外面にフィルム状ヒータを設ける。例えば、図3(a)
に示すように厚膜抵抗体51と絶縁体52a、52bと
を積層して形成したヒータ50をガスノズル22(22
d.22e)の外面あるいは内面に直接形成する。併せ
て、該ヒータ50上あるいは対面に測温体53も形成す
る。また、該ヒータ50のパターンを図3(b)のよう
なストライプ状あるいはスパイラル状に形成する。これ
により、寸法的な制約のあるガスノズル22(22d.
22e)でも均一加熱が可能となる。そして、このよう
な加熱手段はガスノズル22(22d,22e)のみな
らず、プロセスガス供給配管25(25d,25e)に
も適用できる。
【0039】排気系は、高真空排気が可能なターボポン
プ(第1の真空ポンプ)41aと、該ターボポンブ41
aのバックを排気するためのDry(ドライ)ポンプ
(第2の真空ポンプ)41bと、該Dryポンプ41b
からの排気をプロセスガスに対応した除害手段46(4
6d,46e)に切り替えるための排気用バルブ42
(42d,42e)と、Dryポンプ41bから除害手
段46(46d,46e)までを結ぶ排気用配管44
(44d,44e)から構成される。なお、44dはC
VDガス排気用配管であり、44eはエッチングガス排
気用配管である。42dはCVDガス排気用バルブであ
り、42eはエッチングガス排気用バルブである。46
dはCVDガス用除害手段であり、46eはエッチング
ガス用除害手段である。そして、Dryポンプ41b
は、該ポンプ41b内でのエッチングガスとCVDガス
との反応を防止するための不活性ガス20によるパージ
手段を備えている。該パージ手段は、不活性ガス供給の
ON・OFFを行うためのパージガス供給バルブ13
と、パージのための不活性ガス20を任意の流量でDr
yポンプ41bに供給するためのマスフローコントロー
ラ(MFC)14と、図示しない不活性ガス発生源から
Dryポンプ41bまでを結ぶパージ配管12とからな
る。またターボポンプ41aとDryポンプ41bとの
間には、ターボポンプ41aからの排気圧力を監視する
ための真空計11bを設けている。
プ(第1の真空ポンプ)41aと、該ターボポンブ41
aのバックを排気するためのDry(ドライ)ポンプ
(第2の真空ポンプ)41bと、該Dryポンプ41b
からの排気をプロセスガスに対応した除害手段46(4
6d,46e)に切り替えるための排気用バルブ42
(42d,42e)と、Dryポンプ41bから除害手
段46(46d,46e)までを結ぶ排気用配管44
(44d,44e)から構成される。なお、44dはC
VDガス排気用配管であり、44eはエッチングガス排
気用配管である。42dはCVDガス排気用バルブであ
り、42eはエッチングガス排気用バルブである。46
dはCVDガス用除害手段であり、46eはエッチング
ガス用除害手段である。そして、Dryポンプ41b
は、該ポンプ41b内でのエッチングガスとCVDガス
との反応を防止するための不活性ガス20によるパージ
手段を備えている。該パージ手段は、不活性ガス供給の
ON・OFFを行うためのパージガス供給バルブ13
と、パージのための不活性ガス20を任意の流量でDr
yポンプ41bに供給するためのマスフローコントロー
ラ(MFC)14と、図示しない不活性ガス発生源から
Dryポンプ41bまでを結ぶパージ配管12とからな
る。またターボポンプ41aとDryポンプ41bとの
間には、ターボポンプ41aからの排気圧力を監視する
ための真空計11bを設けている。
【0040】尚、本実施の形態に示した全てのバルブ1
3、26e、26d、42e、42d、71〜74、7
7には、バルブの開閉状態を検知する手段が設けてあ
る。そして全てのバルブに設けられた検知手段で検知さ
れたバルブの開閉状態のデータがコントローラ(制御装
置)81に送信される。従って、コントローラ(制御装
置)81より全てのバルブの開閉状態を監視・制御する
ことができる。
3、26e、26d、42e、42d、71〜74、7
7には、バルブの開閉状態を検知する手段が設けてあ
る。そして全てのバルブに設けられた検知手段で検知さ
れたバルブの開閉状態のデータがコントローラ(制御装
置)81に送信される。従って、コントローラ(制御装
置)81より全てのバルブの開閉状態を監視・制御する
ことができる。
【0041】ここで、制御装置81は、イオンビーム2
の照射およびステージ10の制御を行うほか、上記ノズ
ル22の移動を制御する。そして、一方のガスノズル
(例えば、エッチング用ガスノズル22e)が加工位置
に前進している場合、他方のガスノズル(例えば、CV
D用ガスノズル22d)は原点位置あるいは所定の位置
に退避しており、加工位置に出てくることはない。また
ガスイズル22(22e,22d)が加工位置にある時
以外にプロセスガスの供給バルブ26は開くことはな
い。これにより、CVD用のガスノズル22dとエッチ
ング用のガスノズル22e同士が接近し、両ノズル22
d,22eからのプロセスガス吹き出しによる反応が生
じることがない。
の照射およびステージ10の制御を行うほか、上記ノズ
ル22の移動を制御する。そして、一方のガスノズル
(例えば、エッチング用ガスノズル22e)が加工位置
に前進している場合、他方のガスノズル(例えば、CV
D用ガスノズル22d)は原点位置あるいは所定の位置
に退避しており、加工位置に出てくることはない。また
ガスイズル22(22e,22d)が加工位置にある時
以外にプロセスガスの供給バルブ26は開くことはな
い。これにより、CVD用のガスノズル22dとエッチ
ング用のガスノズル22e同士が接近し、両ノズル22
d,22eからのプロセスガス吹き出しによる反応が生
じることがない。
【0042】即ち、この実施の形態によれば、ノズル位
置検出手段(図示せず)を備えたノズル移動機構23
d,23eを設け、ノズル22dとノズル22eとの間
の距離を大きくし、一方のノズルが加工位置に有ると
き、他方のノズルは待避して加工位置に出られないよう
に構成し、加工位置にあるノズルのみからプロセスガス
供給を可能にしたことにより、ノズル22dとノズル2
2eとの間において、エッチング用ガス(例えば、CC
l4、CF4、XeF2等のハロゲン化合物)とCVD用
ガス(例えば、W(CO)6、Mo(CO)6、Cr(CO)6
等の金属カルボニル)との反応を防止することができ
る。
置検出手段(図示せず)を備えたノズル移動機構23
d,23eを設け、ノズル22dとノズル22eとの間
の距離を大きくし、一方のノズルが加工位置に有ると
き、他方のノズルは待避して加工位置に出られないよう
に構成し、加工位置にあるノズルのみからプロセスガス
供給を可能にしたことにより、ノズル22dとノズル2
2eとの間において、エッチング用ガス(例えば、CC
l4、CF4、XeF2等のハロゲン化合物)とCVD用
ガス(例えば、W(CO)6、Mo(CO)6、Cr(CO)6
等の金属カルボニル)との反応を防止することができ
る。
【0043】また、処理室7以降でのプロセスガス同士
の反応を防止するために、コントローラ(制御装置)8
1は、処理に対応した排気バルブ42が開いていない時
は、その処理に必要なプロセスガスの供給バルブ26は
開かないように監視制御する。また、コントローラ(制
御装置)81は、一方のプロセス処理終了後、処理室7
内が所定の圧力(10~2Pa)以下(例えば、10~4P
a以下)に排気されるまで、あるいは処理室7内を所定
の圧力(10~2Pa)以下(例えば、10~4Pa以下)
に排気後、所定の時間(約30秒〜60秒)が経過する
までは、他方のプロセス処理に移行できないように監視
制御している。ところで、図5には、例えば、エッチン
グガスにXeF2、CVDガスにW(CO)6を用いた場
合、それらの混合による発火領域を示す。従って、処理
室7内を32.5Pa以下まで排気すれば、W(CO)6
を処理室7内に導入しても発火する危険性は無くなる。
但し、より安全性を期するならば、処理室7内が所定の
圧力(10~2Pa)以下(例えば、10~4Pa以下)に
排気されるまで、あるいは処理室7内を所定の圧力(1
0~2Pa)以下(例えば、10~4Pa以下)に排気後、
所定の時間(約30秒〜60秒)が経過するまで、他の
プロセスガスの供給を行わないようにすれば、エッチン
グ用ガスとCVD用ガスとの反応を防止することができ
る。
の反応を防止するために、コントローラ(制御装置)8
1は、処理に対応した排気バルブ42が開いていない時
は、その処理に必要なプロセスガスの供給バルブ26は
開かないように監視制御する。また、コントローラ(制
御装置)81は、一方のプロセス処理終了後、処理室7
内が所定の圧力(10~2Pa)以下(例えば、10~4P
a以下)に排気されるまで、あるいは処理室7内を所定
の圧力(10~2Pa)以下(例えば、10~4Pa以下)
に排気後、所定の時間(約30秒〜60秒)が経過する
までは、他方のプロセス処理に移行できないように監視
制御している。ところで、図5には、例えば、エッチン
グガスにXeF2、CVDガスにW(CO)6を用いた場
合、それらの混合による発火領域を示す。従って、処理
室7内を32.5Pa以下まで排気すれば、W(CO)6
を処理室7内に導入しても発火する危険性は無くなる。
但し、より安全性を期するならば、処理室7内が所定の
圧力(10~2Pa)以下(例えば、10~4Pa以下)に
排気されるまで、あるいは処理室7内を所定の圧力(1
0~2Pa)以下(例えば、10~4Pa以下)に排気後、
所定の時間(約30秒〜60秒)が経過するまで、他の
プロセスガスの供給を行わないようにすれば、エッチン
グ用ガスとCVD用ガスとの反応を防止することができ
る。
【0044】本実施の形態の排気手段として、ターボポ
ンプ41aとDryポンプ41bを組み合わせた1系統
を用いているが、これらのポンプ41内でのプロセスガ
スの反応を防止するために、上記したようにDryポン
プ41b内にパージガスを常に所定量流し続け、Dry
ポンプ41b内にプロセスガスが留まらないようにして
いる。また、ターボポンプ41aに対しても、該ポンプ
41aとDryポンプ41bとの間に設けた真空計11
bでターボポンプ41aの排気圧力を監視し、この監視
された排気圧力データがコントローラ81に送信され、
コントローラ81は所定圧力(例えば、1Pa)を越え
た場合には、直ちにプロセスガスの供給バルブ25を閉
じると共に、イオンビーム2の照射も停止するように制
御する。そして、トラブルの内容をモニタ82上に表示
する。また、コントローラ81は、プロセスガスに対応
した排気用バルブ42が開いていない場合には、ガスノ
ズル22(22d,22e)を加工位置に移動せず、プ
ロセスガスの供給バルブ26(26d,26e)も開か
ず、トラブル表示を行うように監視制御している。
ンプ41aとDryポンプ41bを組み合わせた1系統
を用いているが、これらのポンプ41内でのプロセスガ
スの反応を防止するために、上記したようにDryポン
プ41b内にパージガスを常に所定量流し続け、Dry
ポンプ41b内にプロセスガスが留まらないようにして
いる。また、ターボポンプ41aに対しても、該ポンプ
41aとDryポンプ41bとの間に設けた真空計11
bでターボポンプ41aの排気圧力を監視し、この監視
された排気圧力データがコントローラ81に送信され、
コントローラ81は所定圧力(例えば、1Pa)を越え
た場合には、直ちにプロセスガスの供給バルブ25を閉
じると共に、イオンビーム2の照射も停止するように制
御する。そして、トラブルの内容をモニタ82上に表示
する。また、コントローラ81は、プロセスガスに対応
した排気用バルブ42が開いていない場合には、ガスノ
ズル22(22d,22e)を加工位置に移動せず、プ
ロセスガスの供給バルブ26(26d,26e)も開か
ず、トラブル表示を行うように監視制御している。
【0045】即ち、この実施の形態によれば、ターボポ
ンプ41aとDryポンプ41bとから成る真空ポンプ
(1系統で排気する。)を用い、不活性ガス20による
パージ手段(不活性ガスを常に所定量流しつづけるマス
フローコントローラ)14をDryポンプ41bに接続
してDryポンプ41b内にプロセスガスが留まらない
ようにし、ターボポンプ41aとDryポンプ41bと
の間の配管に圧力検知手段(真空計)11bを設け、不
活性ガスをDryポンプ41bに流しながら処理室7内
を排気し、ターボポンプ41a内を常に所定圧力以下に
保つように構成することにより、ターボポンプ41a内
も含め、排気系9内でのエッチング用ガス(例えば、C
Cl4、CF4、XeF2等のハロゲン化合物)とCVD
用ガス(例えば、W(CO)6、Mo(CO)6、Cr(CO)
6等の金属カルボニル)との反応を防止することができ
る。
ンプ41aとDryポンプ41bとから成る真空ポンプ
(1系統で排気する。)を用い、不活性ガス20による
パージ手段(不活性ガスを常に所定量流しつづけるマス
フローコントローラ)14をDryポンプ41bに接続
してDryポンプ41b内にプロセスガスが留まらない
ようにし、ターボポンプ41aとDryポンプ41bと
の間の配管に圧力検知手段(真空計)11bを設け、不
活性ガスをDryポンプ41bに流しながら処理室7内
を排気し、ターボポンプ41a内を常に所定圧力以下に
保つように構成することにより、ターボポンプ41a内
も含め、排気系9内でのエッチング用ガス(例えば、C
Cl4、CF4、XeF2等のハロゲン化合物)とCVD
用ガス(例えば、W(CO)6、Mo(CO)6、Cr(CO)
6等の金属カルボニル)との反応を防止することができ
る。
【0046】ところで、マスフローコントローラ14に
よって供給されるパージ用の不活性ガスの供給流量ある
いは供給圧力を、マスフローコントローラ14に備えら
れた検知手段により検知(計測)し、検知(計測)され
たパージ用の不活性ガスの供給流量あるいは供給圧力が
所定値より下がった場合には、制御装置81は、直ちに
ガス供給バルブ26d,26eを介してのプロセスガス
の供給を停止すると共に、ブランキング電極62による
イオンビーム2の照射を停止し、その旨を例えばモニタ
82上にトラブル表示を行うことにより、排気系内での
反応を防止し、その後の対策を施すことができる。
よって供給されるパージ用の不活性ガスの供給流量ある
いは供給圧力を、マスフローコントローラ14に備えら
れた検知手段により検知(計測)し、検知(計測)され
たパージ用の不活性ガスの供給流量あるいは供給圧力が
所定値より下がった場合には、制御装置81は、直ちに
ガス供給バルブ26d,26eを介してのプロセスガス
の供給を停止すると共に、ブランキング電極62による
イオンビーム2の照射を停止し、その旨を例えばモニタ
82上にトラブル表示を行うことにより、排気系内での
反応を防止し、その後の対策を施すことができる。
【0047】またターボポンプ41aとDryポンプ4
1bとの間の配管に圧力検知手段(真空計)11bを設
け、所定圧力以上になった場合、制御装置81は、直ち
にガス供給バルブ26d,26eを介してのプロセスガ
スの供給を停止すると共に、ブランキング電極62によ
るイオンビーム2の照射を停止し、その旨を例えばモニ
タ82上にトラブル表示を行うことにより、排気系内で
の反応を防止し、その後の対策を施すことができる。
1bとの間の配管に圧力検知手段(真空計)11bを設
け、所定圧力以上になった場合、制御装置81は、直ち
にガス供給バルブ26d,26eを介してのプロセスガ
スの供給を停止すると共に、ブランキング電極62によ
るイオンビーム2の照射を停止し、その旨を例えばモニ
タ82上にトラブル表示を行うことにより、排気系内で
の反応を防止し、その後の対策を施すことができる。
【0048】また上記実施の形態によれば、Dryポン
プ41bの後段に分岐配管44d,44eを介してプロ
セスガスに対応した除害手段46d,46eを設け、分
岐配管44d,44eの各々に、動作状態検知手段を備
えた排気方向切替えるための排気用バルブ42d,42
eを設け、これらの排気バルブ42d,42eが切り替
わらない場合には、制御装置81は、例えばモニタ82
上にトラブル表示を行い、先に進まないように構成した
ことにより安全性を確保し、しかも排気ガスの無害化を
実現することができる。
プ41bの後段に分岐配管44d,44eを介してプロ
セスガスに対応した除害手段46d,46eを設け、分
岐配管44d,44eの各々に、動作状態検知手段を備
えた排気方向切替えるための排気用バルブ42d,42
eを設け、これらの排気バルブ42d,42eが切り替
わらない場合には、制御装置81は、例えばモニタ82
上にトラブル表示を行い、先に進まないように構成した
ことにより安全性を確保し、しかも排気ガスの無害化を
実現することができる。
【0049】次に、本実施の形態を用いたエッチングお
よびCVD処理の手順を説明する。
よびCVD処理の手順を説明する。
【0050】(1)待機状態 処理室排気バルブ71と切換バルブ73と高真空排気バ
ルブ72とが開の状態で、ターボポンプ41aおよびD
ryポンプ41bにより、処理室7およびロード室8は
高真空に排気されている。エッチング用のガスノズル2
2eとCVD用のガスノズル22dとは、コントローラ
81からの指令により、被加工物100の搬送時に障害
とならぬように、原点位置まで待避している。
ルブ72とが開の状態で、ターボポンプ41aおよびD
ryポンプ41bにより、処理室7およびロード室8は
高真空に排気されている。エッチング用のガスノズル2
2eとCVD用のガスノズル22dとは、コントローラ
81からの指令により、被加工物100の搬送時に障害
とならぬように、原点位置まで待避している。
【0051】(2)被加工物の導入手順 高真空排気バルブ72を閉じ、ロード室8の排気を停止
する。次に、リークバルブ77を開けてロード室8内に
不活性ガス20をほぼ大気圧になるまで導入する。
する。次に、リークバルブ77を開けてロード室8内に
不活性ガス20をほぼ大気圧になるまで導入する。
【0052】ロード室8の扉78を開けて被加工物10
0を搬送機構76に載置する。扉78を閉じた後、処理
室排気バルブ71および切換バルブ73を閉じて処理室
7の排気を停止後、低真空バルブ74を開け、ロード室
8内をDryポンプ41bで排気する。コントローラ
(制御装置)81は、ロード室8内が所定の圧力(例え
ば、1Pa)に達したならば、低真空バルブ74を閉
じ、切換バルブ73および高真空バルブ72を開けてロ
ード室8内の排気手段をターボポンプ41aにするよう
に制御する。次に、コントローラ(制御装置)81は、
所定の圧力(例えば、10~4Pa)に達したならば、処
理室排気バルブ71を開けて処理室7内の排気を再開す
ると共に、ゲートバルブ5を開くように制御する。この
ゲートバルブ5の開閉は手動で行っても良い。
0を搬送機構76に載置する。扉78を閉じた後、処理
室排気バルブ71および切換バルブ73を閉じて処理室
7の排気を停止後、低真空バルブ74を開け、ロード室
8内をDryポンプ41bで排気する。コントローラ
(制御装置)81は、ロード室8内が所定の圧力(例え
ば、1Pa)に達したならば、低真空バルブ74を閉
じ、切換バルブ73および高真空バルブ72を開けてロ
ード室8内の排気手段をターボポンプ41aにするよう
に制御する。次に、コントローラ(制御装置)81は、
所定の圧力(例えば、10~4Pa)に達したならば、処
理室排気バルブ71を開けて処理室7内の排気を再開す
ると共に、ゲートバルブ5を開くように制御する。この
ゲートバルブ5の開閉は手動で行っても良い。
【0053】次に、搬送機構76により被加工物100
をステージ10上に載置し、ゲートバルブ5および高真
空排気バルブ72を閉じる。
をステージ10上に載置し、ゲートバルブ5および高真
空排気バルブ72を閉じる。
【0054】(3)被加工物のアライメント コントローラ(制御装置)81によってブランキング電
極62およびディフレクタ電極64を制御して被加工物
100にイオンビーム2を照射・走査し、被加工物10
0からの2次電子あるいは2次イオンを2次粒子ディテ
クタ65で検出し、モニタ82上に被加工物100の観
察像を表示する。該観察像を参照しつつ、コントローラ
(制御装置)81は、焦点およびスティグマを調整後、
被加工物100に設けられたアライメントマークを基
に、ステージ10の座標軸に対する被加工物100の傾
きや座標軸のズレを求める。このアライメント走査後、
ブランキング電極62によりイオンビーム2の照射をO
FFにしておく。
極62およびディフレクタ電極64を制御して被加工物
100にイオンビーム2を照射・走査し、被加工物10
0からの2次電子あるいは2次イオンを2次粒子ディテ
クタ65で検出し、モニタ82上に被加工物100の観
察像を表示する。該観察像を参照しつつ、コントローラ
(制御装置)81は、焦点およびスティグマを調整後、
被加工物100に設けられたアライメントマークを基
に、ステージ10の座標軸に対する被加工物100の傾
きや座標軸のズレを求める。このアライメント走査後、
ブランキング電極62によりイオンビーム2の照射をO
FFにしておく。
【0055】(4)アシストエッチング処理 本実施の形態の装置は、予め制御装置81に与えている
処理データに基づいて処理を行う。最初の処理がアシス
トエッチングの場合、制御装置81は、先ずCVDガス
排気用バルブ42dを閉じ、エッチングガス排気用バル
ブ42eを開けるように制御する。次いで、制御装置8
1は、ノズル移動機構23eを駆動制御して、ガスノズ
ル22eを原点位置から加工位置に前進させる。
処理データに基づいて処理を行う。最初の処理がアシス
トエッチングの場合、制御装置81は、先ずCVDガス
排気用バルブ42dを閉じ、エッチングガス排気用バル
ブ42eを開けるように制御する。次いで、制御装置8
1は、ノズル移動機構23eを駆動制御して、ガスノズ
ル22eを原点位置から加工位置に前進させる。
【0056】次に、制御装置81は、ブランキング電極
62を制御することによりイオンビーム2の照射を再開
すると共に、加工位置データと前記アライメント操作時
の結果に基づいてステージ10等を制御してイオンビー
ム照射光軸に対するエッチング処理の位置合わせを行
う。このイオンビーム照射光軸に対するエッチング処理
の位置合わせは、デフレクタ電極64のデフレクタ量に
補正(オフセット)を与えても良い。
62を制御することによりイオンビーム2の照射を再開
すると共に、加工位置データと前記アライメント操作時
の結果に基づいてステージ10等を制御してイオンビー
ム照射光軸に対するエッチング処理の位置合わせを行
う。このイオンビーム照射光軸に対するエッチング処理
の位置合わせは、デフレクタ電極64のデフレクタ量に
補正(オフセット)を与えても良い。
【0057】位置合わせ後、制御装置81はガス供給バ
ルブ26eを開けるべく制御することにより、被加工物
100上にエッチングガスを吹き付け、加工領域にエッ
チングガス雰囲気を形成する。該雰囲気形成後のエッチ
ングガスは、ターボポンプ41aにより処理室7から排
出後、Dryポンプ41bおよび排気用バルブ42eを
経て除害手段46eにより無害化されて大気中に放出さ
れる。
ルブ26eを開けるべく制御することにより、被加工物
100上にエッチングガスを吹き付け、加工領域にエッ
チングガス雰囲気を形成する。該雰囲気形成後のエッチ
ングガスは、ターボポンプ41aにより処理室7から排
出後、Dryポンプ41bおよび排気用バルブ42eを
経て除害手段46eにより無害化されて大気中に放出さ
れる。
【0058】前記エッチングガス雰囲気形成後、制御装
置81は、加工データに基づいてイオンビーム2の照射
・走査を制御することにより、被加工物100の被照射
部はアシストエッチングされる。エッチング終了後、制
御装置81からの制御に基づいて、ブランキング電極6
2によりイオンビーム2の照射を停止すると共に、供給
バルブ26eを閉じるように制御してエッチングガス供
給を停止する。次いで、制御装置81はノズル移動機構
23eを駆動制御してガスノズル22eを加工位置から
所定量あるいは原点位置まで退避させ、観察あるいは次
の加工位置合わせ時にノズル22e内に残留したガスに
よる余計なエッチングが生じないようにしておく。そし
て、エッチング処理箇所が複数有る場合には、制御装置
81は、ノズル移動機構23eを駆動制御して前記位置
合わせからガスノズル22eの退避までを繰り返し行
い、全てのエッチングが終了したならばガスノズル22
eを原点位置まで退避させる。
置81は、加工データに基づいてイオンビーム2の照射
・走査を制御することにより、被加工物100の被照射
部はアシストエッチングされる。エッチング終了後、制
御装置81からの制御に基づいて、ブランキング電極6
2によりイオンビーム2の照射を停止すると共に、供給
バルブ26eを閉じるように制御してエッチングガス供
給を停止する。次いで、制御装置81はノズル移動機構
23eを駆動制御してガスノズル22eを加工位置から
所定量あるいは原点位置まで退避させ、観察あるいは次
の加工位置合わせ時にノズル22e内に残留したガスに
よる余計なエッチングが生じないようにしておく。そし
て、エッチング処理箇所が複数有る場合には、制御装置
81は、ノズル移動機構23eを駆動制御して前記位置
合わせからガスノズル22eの退避までを繰り返し行
い、全てのエッチングが終了したならばガスノズル22
eを原点位置まで退避させる。
【0059】(5)CVD処理 次にCVD処理を行う場合、制御装置81は、先ず処理
室7内の真空度を確認する。ここで、所定の圧力以下に
達していない場合には、制御装置81は、次の動作に移
行せず、排気を持続するように制御する。そして、制御
装置81は、所定の圧力に達した時点、あるいはそこか
ら一定時間経過後、排気用バルブ42の切替(42eを
閉、42dを開)を行った後、ノズル移動機構23dを
駆動制御してガスノズル22dを原点位置から加工位置
に前進させる。
室7内の真空度を確認する。ここで、所定の圧力以下に
達していない場合には、制御装置81は、次の動作に移
行せず、排気を持続するように制御する。そして、制御
装置81は、所定の圧力に達した時点、あるいはそこか
ら一定時間経過後、排気用バルブ42の切替(42eを
閉、42dを開)を行った後、ノズル移動機構23dを
駆動制御してガスノズル22dを原点位置から加工位置
に前進させる。
【0060】次に、エッチング処理同様、制御装置81
は、ブランキング電極62を制御してイオンビーム2の
照射を再開すると共に、加工位置データと前記アライメ
ント操作時の結果に基づいてステージ10等を制御して
イオンビーム照射光軸に対するCVD処理の位置合わせ
を行う。このイオンビーム照射光軸に対するエッチング
処理の位置合わせは、デフレクタ電極64のデフレクタ
量に補正(オフセット)を与えても良い。
は、ブランキング電極62を制御してイオンビーム2の
照射を再開すると共に、加工位置データと前記アライメ
ント操作時の結果に基づいてステージ10等を制御して
イオンビーム照射光軸に対するCVD処理の位置合わせ
を行う。このイオンビーム照射光軸に対するエッチング
処理の位置合わせは、デフレクタ電極64のデフレクタ
量に補正(オフセット)を与えても良い。
【0061】位置合わせ後、制御装置81は、ガス供給
バルブ26dを開けるように制御して被加工物100上
にCVDガスを吹き付け、加工領域にCVDガス雰囲気
を形成する。該雰囲気形成後のCVDガスは、ターボポ
ンプ41aにより処理室7から排出後、Dryポンプ4
1bおよび排気用バルブ42dを経て除害手段46dに
より無害化されて大気中に放出される。
バルブ26dを開けるように制御して被加工物100上
にCVDガスを吹き付け、加工領域にCVDガス雰囲気
を形成する。該雰囲気形成後のCVDガスは、ターボポ
ンプ41aにより処理室7から排出後、Dryポンプ4
1bおよび排気用バルブ42dを経て除害手段46dに
より無害化されて大気中に放出される。
【0062】前記CVDガス雰囲気形成後、制御装置8
1は、加工データに基づいてイオンビーム2の照射・走
査を制御することにより、被加工物100の被照射部は
成膜処理される。該処理終了後、制御装置81は、ブラ
ンキング電極62を制御してイオンビーム2の照射を停
止すると共に、供給バルブ26dを閉じるように制御し
てCVDガス供給を停止する。次いで、制御装置81
は、ノズル移動機構23dを駆動制御してガスノズル2
2dを加工位置から所定量あるいは原点位置まで退避さ
せ、観察あるいは次の加工位置合わせ時にノズル22d
内に残留したガスによる余計な成膜が生じないようにし
ておく。そして、CVD処理箇所が複数有る場合には、
制御装置81は、ノズル移動機構23eを駆動制御して
前記位置合わせからガスノズル22dの退避までを繰り
返し行い、全ての成膜処理が終了したならばガスノズル
22dを原点位置まで退避させる。
1は、加工データに基づいてイオンビーム2の照射・走
査を制御することにより、被加工物100の被照射部は
成膜処理される。該処理終了後、制御装置81は、ブラ
ンキング電極62を制御してイオンビーム2の照射を停
止すると共に、供給バルブ26dを閉じるように制御し
てCVDガス供給を停止する。次いで、制御装置81
は、ノズル移動機構23dを駆動制御してガスノズル2
2dを加工位置から所定量あるいは原点位置まで退避さ
せ、観察あるいは次の加工位置合わせ時にノズル22d
内に残留したガスによる余計な成膜が生じないようにし
ておく。そして、CVD処理箇所が複数有る場合には、
制御装置81は、ノズル移動機構23eを駆動制御して
前記位置合わせからガスノズル22dの退避までを繰り
返し行い、全ての成膜処理が終了したならばガスノズル
22dを原点位置まで退避させる。
【0063】以上が本発明に係る実施の形態によるエッ
チングおよびCVD処理の手順である。この後、被加工
物100を処理室7内から取り出して終了となる。
チングおよびCVD処理の手順である。この後、被加工
物100を処理室7内から取り出して終了となる。
【0064】(6)被加工物の取り出し CVD用とエッチング用の両ガスノズル22を被加工物
100の搬送時に障害とならぬように、原点位置まで待
避させる。
100の搬送時に障害とならぬように、原点位置まで待
避させる。
【0065】コントローラ(制御装置)81は、真空計
11cによりロード室8内の圧力(真空度)を測定し、
所定の圧力範囲(例えば、10~3〜10~4Pa)以下で
あるならば、ゲートバルブ5を開けるように制御する。
なお、ゲートバルブ5の開閉は、手動で行っても良い。
もし、リーク等により上記圧力以上である場合には、コ
ントローラ(制御装置)81は、処理室排気バルブ71
を閉じるように制御し、高真空排気バルブ72を開けて
ターボポンプ41aによりロード室8内を所定圧力範囲
まで排気後、高真空排気バルブ72を閉じ、処理室排気
バルブ71を開けた後、ゲートバルブ5を開けるように
制御する。
11cによりロード室8内の圧力(真空度)を測定し、
所定の圧力範囲(例えば、10~3〜10~4Pa)以下で
あるならば、ゲートバルブ5を開けるように制御する。
なお、ゲートバルブ5の開閉は、手動で行っても良い。
もし、リーク等により上記圧力以上である場合には、コ
ントローラ(制御装置)81は、処理室排気バルブ71
を閉じるように制御し、高真空排気バルブ72を開けて
ターボポンプ41aによりロード室8内を所定圧力範囲
まで排気後、高真空排気バルブ72を閉じ、処理室排気
バルブ71を開けた後、ゲートバルブ5を開けるように
制御する。
【0066】その後、ステージ10を搬送位置にまで移
動させ、搬送機構76によりステージ10上から被加工
物100を受け取り、ゲートバルブ5を閉じる。
動させ、搬送機構76によりステージ10上から被加工
物100を受け取り、ゲートバルブ5を閉じる。
【0067】次に、リークバルブ77を開けてロード室
8内に不活性ガス20をほぼ大気圧になるまで導入す
る。ロード室8の扉を開けて被加工物100を搬送機構
76から受け取った後、扉78を閉じ、処理室排気バル
ブ71および切換バルブ73を閉じて処理室7の排気を
停止後、低真空バルブ74を開け、ロード室8内をDr
yポンプ41bで排気する。コントローラ(制御装置)
81は、ロード室8内が所定の圧力(例えば、1Pa)
に達したならば、低真空バルブ74を閉じ、切換バルブ
73および高真空バルブ72を開けてロード室8内の排
気手段をターボポンプ41aにするように制御する。コ
ントローラ(制御装置)81は、所定の圧力(例えば、
10~4Pa)に達したならば、処理室排気バルブ71を
開けて処理室7内の排気を再開するように制御する。
8内に不活性ガス20をほぼ大気圧になるまで導入す
る。ロード室8の扉を開けて被加工物100を搬送機構
76から受け取った後、扉78を閉じ、処理室排気バル
ブ71および切換バルブ73を閉じて処理室7の排気を
停止後、低真空バルブ74を開け、ロード室8内をDr
yポンプ41bで排気する。コントローラ(制御装置)
81は、ロード室8内が所定の圧力(例えば、1Pa)
に達したならば、低真空バルブ74を閉じ、切換バルブ
73および高真空バルブ72を開けてロード室8内の排
気手段をターボポンプ41aにするように制御する。コ
ントローラ(制御装置)81は、所定の圧力(例えば、
10~4Pa)に達したならば、処理室排気バルブ71を
開けて処理室7内の排気を再開するように制御する。
【0068】なお、プロセスガスとして、エッチング用
には、例えばF2、Cl2等のハロゲンガスやCCl4、
CF4、XeF2等のハロゲン化合物が用いられ、またC
VD用には、W(CO)6、Mo(CO)6、Cr(CO)6等
の金属カルボニル、あるいはAl(CH3)3、Al(i−
C4H9)3等のアルキル金属の他に、Si(OC2H5)4等
が用いられる。また、ガスノズル22を増やすことで、
SiH4とNH3といった混合ガスを用いることも可能で
ある。
には、例えばF2、Cl2等のハロゲンガスやCCl4、
CF4、XeF2等のハロゲン化合物が用いられ、またC
VD用には、W(CO)6、Mo(CO)6、Cr(CO)6等
の金属カルボニル、あるいはAl(CH3)3、Al(i−
C4H9)3等のアルキル金属の他に、Si(OC2H5)4等
が用いられる。また、ガスノズル22を増やすことで、
SiH4とNH3といった混合ガスを用いることも可能で
ある。
【0069】以上、エネルギービームとして集束イオン
ビームを用いたエッチング処理およびCVD処理を行う
実施の形態について説明したが、例えば、プロセスガス
雰囲気に直流あるいは高周波の電圧を印加してプラズマ
を形成し、該プラズマによってプロセスガスを活性化し
て化学反応を誘起することで、被加工物の選択的な除去
(アシストエッチング)や成膜(CVD)を行うイオン
あるいはラジカルを用いてCVDやエッチングを行う、
プラズマCVDやプラズマエッチングにも適用可能であ
る。また、プロセスガスについても、エッチングガスや
CVDガスに限らず、ドーピングガス等にも適用でき
る。従って、エッチング処理とCVD処理の組み合わせ
だけでなく、ドーピング処理とエッチング処理を同一処
理室内で行うことも可能である。
ビームを用いたエッチング処理およびCVD処理を行う
実施の形態について説明したが、例えば、プロセスガス
雰囲気に直流あるいは高周波の電圧を印加してプラズマ
を形成し、該プラズマによってプロセスガスを活性化し
て化学反応を誘起することで、被加工物の選択的な除去
(アシストエッチング)や成膜(CVD)を行うイオン
あるいはラジカルを用いてCVDやエッチングを行う、
プラズマCVDやプラズマエッチングにも適用可能であ
る。また、プロセスガスについても、エッチングガスや
CVDガスに限らず、ドーピングガス等にも適用でき
る。従って、エッチング処理とCVD処理の組み合わせ
だけでなく、ドーピング処理とエッチング処理を同一処
理室内で行うことも可能である。
【0070】
【発明の効果】本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現す
ることができる効果を奏する。
て、エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現す
ることができる効果を奏する。
【0071】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッチン
グ処理およびCVD処理を安全に実現することができる
効果を奏する。
て、エネルギビームの内イオンビーム等によるエッチン
グ処理およびCVD処理を安全に実現することができる
効果を奏する。
【0072】また本発明によれば、同一処理室内におい
て、エッチング用およびCVD用のプロセスガスをノズ
ルを用いて被加工物上に局所的に供給してイオンビーム
等によるアシストエッチング処理およびCVD処理を安
全に実現することができる効果を奏する。
て、エッチング用およびCVD用のプロセスガスをノズ
ルを用いて被加工物上に局所的に供給してイオンビーム
等によるアシストエッチング処理およびCVD処理を安
全に実現することができる効果を奏する。
【0073】また本発明によれば、処理室内の排気を行
う排気系も含めて安全を確保して同一処理室内における
エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現するこ
とができる効果を奏する。
う排気系も含めて安全を確保して同一処理室内における
エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現するこ
とができる効果を奏する。
【0074】また本発明によれば、処理室内の排気を行
う排気系も含めて安全を確保して同一処理室内における
エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現し、し
かも排気ガスの無害化をはかることができる効果を奏す
る。
う排気系も含めて安全を確保して同一処理室内における
エッチング処理およびCVD処理等を安全に実現し、し
かも排気ガスの無害化をはかることができる効果を奏す
る。
【0075】以上のように本発明によれば、一つの処理
室でエッチング処理とCVD処理とを安全で且つ連続的
に可能となったため、プロセス処理装置の小型化・低価
格化を図れることができる効果を奏する。
室でエッチング処理とCVD処理とを安全で且つ連続的
に可能となったため、プロセス処理装置の小型化・低価
格化を図れることができる効果を奏する。
【図1】本発明に係るプロセス処理装置の一実施の形態
を示す全体構成図である。
を示す全体構成図である。
【図2】本発明に係るガスノズルの移動手段の一実施の
形態を示す構成図である。
形態を示す構成図である。
【図3】本発明に係るガスノズルの加熱手段の一実施の
形態を示す図である。
形態を示す図である。
【図4】本発明に係るエッチングガスとしてのXeF2
とCVDガスとしてのW(CO)6を混合した場合の発火
領域を示す図である。
とCVDガスとしてのW(CO)6を混合した場合の発火
領域を示す図である。
【符号の説明】 1…イオン源、2…イオンビーム、3…チャンバ、4…
仕切板 5…ゲートバルブ、6…イオン光学鏡筒、7…処理室、
8…ロード室 9…排気手段、10…ステージ、11a、11b、11
c…真空計 12…パージ配管、13…パージガス供給バルブ 14…マスフローコントローラ、20…不活性ガス(パ
ージガス) 22、22d、22e…ガスノズル 23、23d、23e…ノズル移動手段(ノズル移動機
構) 24…プロセスガス発生手段、24d…CVDガス発生
手段 24e…エッチングガス発生手段、25…プロセスガス
供給配管 26、26d、26e…プロセスガス供給バルブ 41a…ターボポンプ、41b…Dryポンプ 42d、42e…排気用バルブ、44、44d、44e
…排気用配管 46d…CVDガス用除害手段、46e…エッチングガ
ス用除害手段 71…処理室排気バルブ、50…ヒータ、51…厚膜抵
抗体、53…測温体 72…高真空排気バルブ、73…切換バルブ、74…低
真空排気バルブ 75…排気用配管、76…搬送機構、77…リークバル
ブ 100…被加工物
仕切板 5…ゲートバルブ、6…イオン光学鏡筒、7…処理室、
8…ロード室 9…排気手段、10…ステージ、11a、11b、11
c…真空計 12…パージ配管、13…パージガス供給バルブ 14…マスフローコントローラ、20…不活性ガス(パ
ージガス) 22、22d、22e…ガスノズル 23、23d、23e…ノズル移動手段(ノズル移動機
構) 24…プロセスガス発生手段、24d…CVDガス発生
手段 24e…エッチングガス発生手段、25…プロセスガス
供給配管 26、26d、26e…プロセスガス供給バルブ 41a…ターボポンプ、41b…Dryポンプ 42d、42e…排気用バルブ、44、44d、44e
…排気用配管 46d…CVDガス用除害手段、46e…エッチングガ
ス用除害手段 71…処理室排気バルブ、50…ヒータ、51…厚膜抵
抗体、53…測温体 72…高真空排気バルブ、73…切換バルブ、74…低
真空排気バルブ 75…排気用配管、76…搬送機構、77…リークバル
ブ 100…被加工物
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 H01L 21/31 B (72)発明者 山田 利夫 東京都青梅市今井2326番地株式会社日立製 作所デバイス開発センタ内
Claims (9)
- 【請求項1】エッチング用およびCVD用のプロセスガ
スの各々を、処理室内に設置された被加工物に対して切
り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエッ
チング用およびCVD用のプロセスガスの各々に対して
エネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて前
記被加工物に対してエッチングおよびCVDの各プロセ
ス処理を行うプロセス処理方法であって、 前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧
力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガスを前
記処理室内に設置された被加工物上に供給することを特
徴とするプロセス処理方法。 - 【請求項2】エッチング用およびCVD用のプロセスガ
スの各々を、エッチング用およびCVD用に対応した各
ノズルから、処理室内に設置された被加工物に対して切
り替えて供給し、これら切り替えられて供給されたエッ
チング用およびCVD用のプロセスガスの各々に対して
エネルギーを与えて活性化して化学反応を誘起させて前
記被加工物に対してエッチングおよびCVDの各プロセ
ス処理を行うプロセス処理方法であって、 前記一方のプロセス処理終了後前記処理室内を所望の圧
力以下になるまで排気した後他方用のプロセスガスを前
記処理室内に設置された被加工物上に供給することを特
徴とするプロセス処理方法。 - 【請求項3】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記第1のプロセスガスを前記被加工物上に吹き付ける
第1のノズルと前記第2のプロセスガスを前記被加工物
上に吹き付ける第2のノズルとを個別に移動機構によっ
て加工位置から退避可能に構成し、前記第1および第2
のノズルが個別に加工位置または退避位置にあるのか否
かを検知する検知手段を設け、前記第1のノズルを、第
1のプロセスガス供給源に第1の配管によって第1のガ
ス供給バルブを介して接続し、前記第2のノズルを、第
2のプロセスガス供給源に第2の配管によって第2のガ
ス供給バルブを介して接続し、前記検知手段から検知さ
れる前記各ノズルの位置情報に基づいて前記第1および
第2のガス供給バルブの開閉を制御する制御装置を設け
たことを特徴とするプロセス処理装置。 - 【請求項4】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空
ポンプを前記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバ
ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
スガスが留まらないようにする第2の真空ポンプを接続
し、前記第1の真空ポンプと第2の真空ポンプとの間の
配管に前記第1の真空ポンプによる排気圧力を検知する
圧力検知手段を設け、該圧力検知手段によって検知され
る前記第1の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上
になったとき、少なくとも前記処理室内への前記プロセ
スガスの供給を停止する制御装置を備えたことを特徴と
するプロセス処理装置。 - 【請求項5】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空
ポンプを前記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバ
ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
スガスが留まらないようにする第2の真空ポンプを接続
し、前記第1の真空ポンプと第2の真空ポンプとの間の
配管に前記第1の真空ポンプによる排気圧力を検知する
圧力検知手段を設け、該圧力検知手段によって検知され
る前記第1の真空ポンプによる排気圧力が所望の値以上
になったとき、少なくとも前記処理室内への前記プロセ
スガスの供給を停止すると共に表示手段にトラブル表示
を行う制御装置を備えたことを特徴とするプロセス処理
装置。 - 【請求項6】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空
ポンプを前記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバ
ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
スガスが留まらないようにする第2の真空ポンプを接続
し、該第2の真空ポンプに供給するパージガスの供給流
量または供給圧力を検知する検知手段を設け、該検知手
段によって検知されるパージガスの供給流量または供給
圧力が所望の値より下がったとき、少なくとも前記処理
室内への前記プロセスガスの供給を停止する制御装置を
備えたことを特徴とするプロセス処理装置。 - 【請求項7】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空
ポンプを前記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバ
ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
スガスが留まらないようにする第2の真空ポンプを接続
し、該第2の真空ポンプに供給するパージガスの供給流
量または供給圧力を検知する検知手段を設け、該検知手
段によって検知されるパージガスの供給流量または供給
圧力が所望の値より下がったとき、少なくとも前記処理
室内への前記プロセスガスの供給を停止すると共に表示
手段にトラブル表示を行う制御装置を備えたことを特徴
とするプロセス処理装置。 - 【請求項8】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記処理室内を排気する排気手段を設け、前記処理室内
の圧力を検知する圧力検知手段を設け、前記被加工物に
対して一方のプロセス処理を終了後前記圧力検知手段に
よって検知される処理室内の圧力が所望の値以下になる
まで前記処理室内への他方のプロセスガスの供給を停止
する制御装置を備えたことを特徴とするプロセス処理装
置。 - 【請求項9】第1および第2のプロセスガスの各々を、
処理室内に設置された被加工物に対して切り替えて供給
し、これら切り替えられて供給された第1および第2の
プロセスガスの各々により前記被加工物に対して第1お
よび第2の各プロセス処理を行うプロセス処理装置であ
って、 前記処理室内を排気すべく高真空排気可能な第1の真空
ポンプを前記処理室に接続し、該第1の真空ポンプのバ
ックを排気し、更にパージガスを流し続けて前記プロセ
スガスが留まらないようにする第2の真空ポンプを接続
し、該第2の真空ポンプの後段に分岐配管を接続して排
気用バルブを介して前記各プロセスガスに対応させた除
害手段を設けたことを特徴とするプロセス処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8346696A JPH09275095A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | プロセス処理方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8346696A JPH09275095A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | プロセス処理方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09275095A true JPH09275095A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13803254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8346696A Pending JPH09275095A (ja) | 1996-04-05 | 1996-04-05 | プロセス処理方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09275095A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007115453A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
JP2007311757A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Ind Technol Res Inst | フィルム除去方法およびフィルム除去装置 |
CN100447944C (zh) * | 2005-09-15 | 2008-12-31 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体设备的干燥方法 |
JP2009505419A (ja) * | 2005-08-18 | 2009-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Si含有膜を成膜する連続的成膜処理方法 |
JP2014534644A (ja) * | 2011-11-17 | 2014-12-18 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 補助ガス供給ポートを含む基板処理装置 |
-
1996
- 1996-04-05 JP JP8346696A patent/JPH09275095A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009505419A (ja) * | 2005-08-18 | 2009-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | Si含有膜を成膜する連続的成膜処理方法 |
CN100447944C (zh) * | 2005-09-15 | 2008-12-31 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体设备的干燥方法 |
JP2007115453A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
JP2007311757A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-29 | Ind Technol Res Inst | フィルム除去方法およびフィルム除去装置 |
US8075790B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-12-13 | Industrial Technology Research Institute | Film removal method and apparatus |
JP2014534644A (ja) * | 2011-11-17 | 2014-12-18 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 補助ガス供給ポートを含む基板処理装置 |
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