JP2889449B2 - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

Info

Publication number
JP2889449B2
JP2889449B2 JP32179592A JP32179592A JP2889449B2 JP 2889449 B2 JP2889449 B2 JP 2889449B2 JP 32179592 A JP32179592 A JP 32179592A JP 32179592 A JP32179592 A JP 32179592A JP 2889449 B2 JP2889449 B2 JP 2889449B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
dust
housing
stage
pellicle film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP32179592A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06168864A (ja
Inventor
啓之 荒木
泰隆 青山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Original Assignee
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC filed Critical Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority to JP32179592A priority Critical patent/JP2889449B2/ja
Publication of JPH06168864A publication Critical patent/JPH06168864A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2889449B2 publication Critical patent/JP2889449B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置や液晶表示
装置の製造工程における露光工程で用いられるレチクル
に形成されたペリクル膜と称される保護膜に付着したゴ
ミを除去する洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図10は、ペリクル膜2が形成されたレ
チクル1を示す図である。図10(1)はレチクル1の
断面図であり、図10(2)はその平面図である。レチ
クル1は、ガラス基板上に、遮光性材料であるたとえば
クロムによって配線パターン4を形成した、いわゆるマ
スクである。レチクル1の両表面には、厚さが数十μm
の、たとえばニトロセルローズから成るペリクル膜2が
配置されている。該ペリクル膜2は、配線パターン4の
形成面全面を覆うように、すなわち図10(2)に示さ
れる斜線部分全体に配置されている。さらに、ペリクル
膜2は、金枠3によってレチクル1との間に数mm程度
の間隔を保って配置されている。このように、ペリクル
膜2を設けることによって、レチクル1の配線パターン
4の形成面上に直接ゴミが付着することが防止され、露
光時において、ゴミが配線パターンとして転写されるこ
とによって生じる配線パターンの短絡を低減することが
できる。
【0003】図11は、露光時におけるペリクル膜2の
役割を説明するための図である。図11(1)はペリク
ル膜2を使用しない場合を表し、図11(2)はペリク
ル膜2を使用した場合を表す。図11(1)に示される
ように、配線パターン4が形成されたレチクル1表面に
ゴミ5が付着すると、レンズ6を用いて露光を行った場
合、ゴミ5による結像点Sは配線パターンが転写されて
形成される基板7のレンズ6側表面7a上に形成され
る。このため、ゴミ5による配線パターンの短絡が生じ
て基板7は不良品となり、半導体装置や液晶表示装置の
生産性を低下させる。
【0004】一方、図11(2)に示されるようにペリ
クル膜2を使用した場合、該ペリクル膜2はレチクル1
の配線パターン4の形成面全面に対して形成されてお
り、ゴミ5はペリクル膜2上に付着する。このような状
態で露光を行うと、ゴミ5による結像点Sは、基板7を
越えた地点に形成される。このため、ゴミ5による悪影
響を低減させることができ、生産性を向上することが可
能となる。
【0005】しかしながら、ペリクル膜2上に付着する
ゴミ5の大きさによっては、ペリクル膜2を設けても配
線パターン4の短絡を生じることとなる。一般に、数十
〜数百μmであればその影響はないが、数百μm以上で
は短絡が生じる。このため、数百μm以上の大きさのゴ
ミは、除去する必要がある。
【0006】前記数百μm以上の大きさのゴミの除去
は、図12に示されるように、エアーガン8を用いて実
施する。該エアーガン8からは、フィルタによってゴミ
が除去された、たとえば窒素(N2)ガスが噴射され
る。作業者は、露光装置内からペリクル膜2が形成され
たレチクル1を取出し、エアーガン8によってゴミの付
着部分、あるいはペリクル膜2全体に窒素(N2)ガス
を吹付けてゴミを除去する。これらの作業は、全て手作
業で実施される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ゴミ
の除去作業は、全て手作業で行われ、また露光工程を一
時的に中断させて行われるので、手間がかかり、作業効
率が低下するという問題が生じる。また、手作業によっ
て行われるので、非常に薄いペリクル膜2をエアーガン
8や手で破損する恐れがある。前記ペリクル膜2は、破
損した場合、貼り替えることが可能であるが、費用や時
間がかかるという問題が生じる。さらに、洗浄度の高い
露光装置内から取出して行われるため、出入れ時に浮遊
しているゴミが付着したり、除去したゴミが再付着する
などの問題が生じる。
【0008】本発明の目的は、保護膜を破損することな
く、表面の付着物を効率よく除去することができる洗浄
装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、一側壁面に開
口部が形成されたハウジングと、透光性材料から成る基
板の表面に遮光性材料で配線パターンが形成され、透光
性を有する保護膜が表面から間隔をあけて形成されるレ
チクルを、前記開口部からハウジング内に搬入および搬
出する搬送手段と、前記搬送手段によって搬入されたレ
チクルを鉛直状態と水平状態とに角変位して保持する保
持手段と、前記鉛直状態に保持されたレチクルの表面に
対して気体流を噴射する気体流噴射手段とを含むことを
特徴とする洗浄装置である。
【0010】また本発明の洗浄装置は、前記ハウジング
内に設けられ、前記気体流噴射手段から噴射された気体
を排気する排気手段を備えることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明に従えば、ハウジングに形成された開口
部から搬送手段によってペリクル膜と称される保護膜が
形成されたレチクルが搬入され、保持手段によって水平
状態に保持される。水平状態に保持されたレチクルは、
保持手段の角変位によって鉛直状態に保持され、気体流
噴射手段からレチクルの表面に対して気体流が噴射さ
れ、レチクルの保護膜表面に付着した付着物が吹飛ばさ
れて除去される。気体流の噴射が終わると、レチクルを
保持する保持手段が角変位し、レチクルが再び水平状態
に保持される。水平状態に保持されたレチクルは、搬送
手段によってハウジング内から搬出される。したがっ
て、付着物の除去は機械的に効率よく実施され、非常に
薄い保護膜の破損を低減して保護膜の貼り替えなどに必
要とする費用や時間を低減することができる。
【0012】また、噴射された気体は、排気手段によっ
て排気されるので、除去された付着物も吸引されてハウ
ジングの外部に排出され、保護膜への再付着を防止する
ことができる。
【0013】さらに、この洗浄装置を露光装置と一体化
することによって、洗浄度の高い露光装置からレチクル
を取出すことなく付着物を除去することができ、ゴミの
付着をさらに低減させることができる。
【0014】
【実施例】図1は本発明の一実施例である洗浄装置11
の側面を切取った側面図であり、図2は洗浄装置11の
上面を切取った平面図である。洗浄装置11は、ハウジ
ング12によって覆われて構成される。ハウジング12
には開口部である搬送口12aが形成され、またハウジ
ング12の内側表面12bには、後述するエアーシャワ
14と、エアーシャワ14から噴射された窒素(N2
ガスを排気する排気口13が形成されている。さらに、
このハウジング12の内部には、レチクル51を保持
し、角変位する保持手段が形成されている。
【0015】前記保持手段は、後述するレチクル51が
落下しないように設けられる複数の止め具16,17を
有するステージ15を含んで構成される。ステージ15
は軸18に固定されており、後述する駆動機構によって
軸25の回転が軸18に伝達されて前記ステージ15が
角変位する。また、軸18,25は、フレーム19の挿
通孔19aに回転可能な状態で挿通されている。前記ス
テージ15は、レチクル51を確実に支えるために、図
2に示すように2つ設けられている。このような構成の
洗浄装置11は、後述する露光装置31と一体化されて
形成される。
【0016】図3は露光装置31の概略的構成を示す平
面図であり、図4はその側面図である。露光装置31
は、ワーク、すなわち配線パターンが転写されて形成さ
れる基板などが保管されるワークカセット32と、ワー
クを搬送するための搬送アーム33とを備えるワーク収
納部34、X−Yステージ35、ゴミ検出装置37、レ
チクルケース38、前述した洗浄装置11、レチクル5
1を搬送するための搬送アーム21、投影レンズ39、
および排気手段40を含んで構成される。
【0017】露光装置31の排気手段40には、たとえ
ばHEPA(High EfficiencyParticle Air)フィルタ
が設けられており、この装置31の内部が最適な清浄度
に保たれている。X−Yステージ35には、ワークカセ
ット32に保管されるワークが設置される。このワーク
の設置は、搬送アーム33によって実施される。X−Y
ステージ35は、モータ36X,36Yによって方向X
と方向Yとの2方向に移動することが可能であり、この
調整によって微妙な位置合わせが実施される。
【0018】X−Yステージ35の上方には、前述した
洗浄装置11と、ゴミ検出装置37と、レチクルケース
38と、投影レンズ39と、レチクル51を搬送する搬
送アーム21とが配置されている。ゴミ検出装置37
は、たとえば光散乱法によってレチクル51に形成され
たペリクル膜52上にゴミが付着しているかどうかを検
出する手段である。レチクルケース38は、レチクル5
1を収納するケースである。また、投影レンズ39は、
レチクル51に形成された配線パターンを前記X−Yス
テージ35上に設置されたワークに転写する際に使用さ
れるレンズであり、このレンズ39を上下方向に移動さ
せることによって焦点合わせを行って、配線パターンを
転写させる。レチクルケース38、ゴミ検出装置37、
および洗浄装置11におけるレチクル51の出入れや、
これらの装置間での搬送、露光経路上への搬送は、搬送
アーム21で搬送経路T上を走査することによって実施
される。
【0019】搬送アーム21は、図2に示されるように
細長い棒状の2つの先端部22を有している。また、先
端部22の最先端には、凸部23がそれぞれ形成されて
いる。レチクル51は、このような搬送アーム21上に
設置されて搬送される。搬送アーム21の2つの先端部
22は間隔をあけて形成されているため、レチクル51
に形成されたペリクル膜52を破損することはなく、さ
らに露光処理も問題なく実施することができる。また、
ステージ15に保持されたレチクル51の取出しは、前
記凸部23でレチクル51を引出すことによって問題な
く実施される。
【0020】図5は、前述した洗浄装置11内に設けら
れるステージ15にレチクル51を保持するための止め
具16,17を示す斜視図である。図5(1)はステー
ジ15に形成された止め具16を示し、図5(2)は止
め具17を示す。前記搬送アーム21によって洗浄装置
11内に搬入されたレチクル51は、止め具16,17
と、ステージ15との間に挟持されるとともに、止め具
16の一方表面16aおよび止め具17の一方表面17
aが、レチクル51の一方側面51aと当接する。した
がって、上下方向や左右方向の振動などによってレチク
ル51がステージ15から落下することが防止される。
また、レチクル51の他方側面51bは、止め具16の
他方表面16bと当接される。したがって、止め具16
の他方表面16bを下方として、ステージ15を傾斜さ
せてもレチクル51が滑り落ちることはなく、ステージ
15に保持される。
【0021】図6は、ステージ15の角変位機構の概略
を示す斜視図である。軸18はステージ15に固定さ
れ、軸25はモータ20に接続されている。軸18,2
5は、フレーム19の挿通孔19aに回転可能な状態で
挿通されている。モータ20を駆動することによって生
じる軸25の回転力は、ベルト24によって軸18に伝
達され、軸18に固定されたステージ15を水平状態と
鉛直状態とに角変位する。また、軸25には、軸25の
回転を制御するセンサ26が形成されており、ステージ
15が水平状態、あるいは鉛直状態に角変位するのに要
する角度だけ軸25が角変位すると、角変位が停止する
ように設定される。この角変位機構は、図示しない昇降
手段によって昇降する。
【0022】図7は、前記エアーシャワ14の構造を示
す斜視図である。図7(1)はエアーシャワ14全体を
覆うハウジング27の一方表面27aを示す斜視図であ
り、図7(2)はハウジング27の他方表面27bを示
す斜視図である。ハウジング27には複数の挿通孔28
が形成されており、該挿通孔28に直径が5mm程度の
管29がそれぞれ挿通されている。該管29からは、適
当な圧力に加圧され、かつゴミが除去された気体、たと
えば窒素(N2)ガスが噴射される。
【0023】図8は、ペリクル膜52が形成されたレチ
クル51を示す図である。図8(1)はレチクル51の
断面図であり、図8(2)はその平面図である。レチク
ル51は、ガラス基板上に、遮光性材料であるたとえば
クロムによって配線パターン54を形成した、いわゆる
マスクである。レチクル51の両表面には、厚さが数十
μmの、たとえばニトロセルローズから成るペリクル膜
52が配置されている。該ペリクル膜52は、配線パタ
ーン54全面を覆うように、すなわち図8(2)に示さ
れる斜線部分全体に配置されている。さらに、ペリクル
膜52は、金枠53によってレチクル51との間に数m
m程度の間隔を保って配置されている。このように、ペ
リクル膜52を設けることによって、レチクル51の配
線パターン54の形成面上に直接ゴミが付着することが
防止され、露光時においてゴミが転写されることによっ
て生じる配線パターンの短絡を低減することができる。
【0024】図9は、洗浄装置11の洗浄処理を段階的
に説明するための側面図である。ゴミ検出装置37によ
って、ゴミが付着していると判断されると、洗浄装置1
1で付着したゴミの除去処理が行われる。図9(1)に
示されるように、搬送アーム21上に設置されたレチク
ル51が、洗浄装置11の搬送口12aから搬入されて
ステージ15上に保持される。レチクル51がステージ
15上に完全に保持されると、搬送アーム21は洗浄装
置11の外部に出ていく。次に、モータ20を駆動して
ステージ15を図9(2)に示す方向Aにほぼ90°だ
け角変位させる。
【0025】レチクル51が保持されたステージ15
は、フレーム19とともにエアーシャワ14から噴き出
す窒素(N2)ガスが、レチクル51上のペリクル膜5
2に吹き付けられる位置、たとえば図9(3)に示す方
向Bに下降する。次に、エアーシャワ14から窒素(N
2)ガスが、たとえば10秒間噴き出し、レチクル51
上のペリクル膜52に付着したゴミを吹き飛ばす。この
とき、複数設けられたエアーシャワ14によってレチク
ル51の両表面に形成されたペリクル膜52が同時に処
理されてもよいし、あるいは片面ずつ処理されてもよ
い。除去されたゴミは、排気口13から窒素(N2)ガ
スとともに排気される。したがって、除去したゴミがペ
リクル膜52に再付着することが防止される。この排気
は、前記エアーシャワ14が動作すると同時に開始して
もよいし、エアーシャワ14が停止した後に開始しても
よい。また、排気時間は、たとえば10秒間、あるいは
12秒間とされる。このようにして、ゴミの除去が終了
すると、ステージ15はフレーム19とともに図9
(4)に示す方向Cに上昇する。
【0026】続いて、モータ20を駆動して、ステージ
15を図9(5)に示す方向Dにほぼ90°だけ角変位
させる。ゴミの除去が終了したレチクル51は、搬送ア
ーム21によって洗浄装置11から外部に搬出される。
搬出されたレチクル51は、たとえばゴミ検出装置37
に搬送されてゴミが付着しているかどうかが判断され
る。ゴミが付着している場合は、上述した洗浄処理が繰
返され、ゴミが付着していない場合は次の処理、たとえ
ば露光処理が実施される。
【0027】以上のように本実施例によれば、洗浄装置
11にはエアーシャワ14と排気口13とが設けられ、
ペリクル膜52が形成されたレチクル51は、搬送口1
2aからハウジング12の内部に搬入され、ステージ1
5に保持されて洗浄処理される。また、洗浄装置11
は、露光装置31と一体化されている。したがって、ゴ
ミの除去を機械的に、かつペリクル膜52を破損するこ
となく行うことができる。また、レチクル51の両表面
に配置されたペリクル膜52は、ハウジング12の内部
に設けられた複数のエアーシャワ14によって同時に処
理されるため、効率よくゴミを除去することができる。
【0028】さらに、除去されたゴミは、排気口13か
ら排出されるとともに、洗浄装置11は洗浄度の高い露
光装置31と一体化されるため、浮遊しているゴミが付
着することや、除去したゴミが再付着することがなくな
る。
【0029】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、保護膜が
形成されたレチクルは、搬送手段によってハウジングの
開口部からハウジング内に搬入され、保持手段に保持さ
れる。保持されたレチクルには、気体流噴射手段から気
体流が噴射されて、保護膜に付着した付着物が除去され
る。したがって、付着物の除去を機械的に、効率よく実
施することができ、保護膜の破損を低減することができ
る。
【0030】また、本発明によれば、除去された付着物
は、排気手段によってハウジングの外部に排出されるた
め、保護膜への再付着を防止することができ、効率よく
確実に除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である洗浄装置11の側面を
切取った側面図である。
【図2】洗浄装置11の上面を切取った平面図である。
【図3】露光装置31の概略的構成を示す平面図であ
る。
【図4】露光装置31の概略的構成を示す側面図であ
る。
【図5】ステージ15にレチクル51を保持するための
止め具16,17を示す斜視図である。
【図6】ステージ15の角変位機構の概略を示す斜視図
である。
【図7】エアーシャワ14を示す斜視図である。
【図8】ペリクル膜52が形成されたレチクル51を示
す図である。
【図9】洗浄装置11の洗浄処理を段階的に説明するた
めの側面図である。
【図10】ペリクル膜2が形成されたレチクル1を示す
図である。
【図11】露光時におけるペリクル膜2の役割を説明す
るための図である。
【図12】従来の洗浄方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
11 洗浄装置 12 ハウジング 12a 搬送口 13 排気口 14 エアーシャワ 15 ステージ 21 搬送アーム 51 レチクル 52 ペリクル膜
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/027 B08B 5/00 G03F 1/08

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一側壁面に開口部が形成されたハウジン
    グと、 透光性材料から成る基板の表面に遮光性材料で配線パタ
    ーンが形成され、透光性を有する保護膜が表面から間隔
    をあけて形成されるレチクルを、前記開口部からハウジ
    ング内に搬入および搬出する搬送手段と、 前記搬送手段によって搬入されたレチクルを鉛直状態と
    水平状態とに角変位して保持する保持手段と、 前記鉛直状態に保持されたレチクルの表面に対して気体
    流を噴射する気体流噴射手段とを含むことを特徴とする
    洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記ハウジング内に設けられ、前記気体
    流噴射手段から噴射された気体を排気する排気手段を備
    えることを特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
JP32179592A 1992-12-01 1992-12-01 洗浄装置 Expired - Lifetime JP2889449B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32179592A JP2889449B2 (ja) 1992-12-01 1992-12-01 洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32179592A JP2889449B2 (ja) 1992-12-01 1992-12-01 洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06168864A JPH06168864A (ja) 1994-06-14
JP2889449B2 true JP2889449B2 (ja) 1999-05-10

Family

ID=18136505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32179592A Expired - Lifetime JP2889449B2 (ja) 1992-12-01 1992-12-01 洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2889449B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6395102B1 (en) * 1997-08-25 2002-05-28 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for in-situ reticle cleaning at photolithography tool
TWI235410B (en) * 2004-07-16 2005-07-01 Toppan Chunghwa Electronic Co Method for cleaning semiconductor device
US20070146658A1 (en) * 2005-12-27 2007-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US10871722B2 (en) * 2018-07-16 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photomask purging system and method
WO2021078534A1 (en) * 2019-10-22 2021-04-29 Asml Netherlands B.V. Membrane cleaning apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06168864A (ja) 1994-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8286293B2 (en) Substrate cleaning device and substrate processing apparatus including the same
US7766565B2 (en) Substrate drying apparatus, substrate cleaning apparatus and substrate processing system
JPH0845832A (ja) 処理方法及び処理装置
JP4877075B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP5183993B2 (ja) 基板処理装置
US7641406B2 (en) Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP2889449B2 (ja) 洗浄装置
JP3248970B2 (ja) 基板端縁洗浄装置
JP2006120889A (ja) 半導体装置の製造方法及びその方法に用いられる半導体ウェハホルダ
JP2002011641A (ja) 切削装置の撮像機構
JP4882480B2 (ja) 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体
JP3225452B2 (ja) 処理装置
JP2002233808A (ja) 液処理装置
JPH06163344A (ja) 洗浄装置
JP2003140322A (ja) レチクル清浄化装置
JPH11274126A (ja) 基板洗浄方法および該洗浄方法に用いられる洗浄装置
JP3752136B2 (ja) 現像処理装置および現像処理方法
TWI806788B (zh) 光罩清潔設備、光罩翻轉機構及光罩清潔方法
JP7316104B2 (ja) ウエハ搬送装置
JP2003188070A (ja) 処理システム
JPH07181467A (ja) 基板のクリーニング方法およびその装置
JP2002019958A (ja) 基板ハンドリング設備
KR100861221B1 (ko) 반도체 제조장비의 척 표면 이물질 제거장치
JP2009032887A (ja) 基板処理装置
JPH05217885A (ja) 周辺露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080219

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090219

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100219

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110219

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120219

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219

Year of fee payment: 14

EXPY Cancellation because of completion of term