KR20060051757A - 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 - Google Patents
다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20060051757A KR20060051757A KR1020050090519A KR20050090519A KR20060051757A KR 20060051757 A KR20060051757 A KR 20060051757A KR 1020050090519 A KR1020050090519 A KR 1020050090519A KR 20050090519 A KR20050090519 A KR 20050090519A KR 20060051757 A KR20060051757 A KR 20060051757A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hydrocarbons
- cyclic
- hydrocarbon
- groups
- formula
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 91
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 294
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 246
- 239000003361 porogen Substances 0.000 claims abstract description 208
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 191
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims abstract description 29
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims abstract description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 125000000467 secondary amino group Chemical class [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims abstract 14
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 109
- 229930195735 unsaturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 109
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 108
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 89
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 85
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 62
- NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N diethoxymethylsilane Chemical compound CCOC([SiH3])OCC NBBQQQJUOYRZCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 33
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 claims description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 29
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 20
- -1 triisopropoxysilane Chemical compound 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims description 13
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 12
- 125000003172 aldehyde group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 claims description 4
- JZGPNMKIIPNQMH-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)(C)C)(OCC)OCC JZGPNMKIIPNQMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- BCLFONZIRGMCRV-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropyl(diethoxy)silane Chemical compound CCO[SiH](CC(C)(C)C)OCC BCLFONZIRGMCRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VOECEDYCLDWDNN-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)C[SiH](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C VOECEDYCLDWDNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LMWRZXGRVUIGGC-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]methylsilane Chemical compound CC(C)(C)OC([SiH3])OC(C)(C)C LMWRZXGRVUIGGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 claims 9
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- JZTYABBFHFUJSS-UHFFFAOYSA-N CC(C)OC([SiH3])OC(C)C Chemical compound CC(C)OC([SiH3])OC(C)C JZTYABBFHFUJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethylsilane Chemical compound COC([SiH3])OC XYYQWMDBQFSCPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012025 fluorinating agent Substances 0.000 claims 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 abstract description 9
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 220
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 85
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 83
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 68
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 42
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 241000894007 species Species 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 8
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 8
- 101100256223 Caenorhabditis elegans cho-1 gene Proteins 0.000 description 7
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 7
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 7
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VCJPCEVERINRSG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylcyclohexane Chemical compound CC1CCC(C)C(C)C1 VCJPCEVERINRSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100425646 Caenorhabditis elegans tmc-1 gene Proteins 0.000 description 6
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930194889 TMC-1 Natural products 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 6
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N α-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZWAJLVLEBYIOTI-OLQVQODUSA-N (1s,6r)-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CCC[C@@H]2O[C@@H]21 ZWAJLVLEBYIOTI-OLQVQODUSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 101710141544 Allatotropin-related peptide Proteins 0.000 description 4
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000010560 atom transfer radical polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001485 positron annihilation lifetime spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 3
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical compound C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJBPUCXTTNLLFT-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyl-ethoxy-ethoxysilylsilane Chemical compound CCO[SiH2][SiH](OCC)CCC(C)(C)C MJBPUCXTTNLLFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVFQMAZOBTXCAZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-Hexanedione Chemical compound CCC(=O)C(=O)CC KVFQMAZOBTXCAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N Acrolein Chemical compound C=CC=O HGINCPLSRVDWNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000015847 Hesperis matronalis Nutrition 0.000 description 2
- 240000004533 Hesperis matronalis Species 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- OPARTXXEFXPWJL-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C OPARTXXEFXPWJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 2
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JBDSSBMEKXHSJF-UHFFFAOYSA-N cyclopentanecarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCC1 JBDSSBMEKXHSJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N phosphite(3-) Chemical class [O-]P([O-])[O-] AQSJGOWTSHOLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001998 small-angle neutron scattering Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- LOHDXSNFEBGLKH-UHFFFAOYSA-N (4-diethoxysilylcyclohexyl)-diethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)C1CCC([SiH](OCC)OCC)CC1 LOHDXSNFEBGLKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWLLDOCFYPKQGB-UHFFFAOYSA-N (4-dimethoxysilylcyclohexyl)-dimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)C1CCC([SiH](OC)OC)CC1 NWLLDOCFYPKQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWFPXWMSGJXUFS-UPHRSURJSA-N (4z)-9-oxabicyclo[6.1.0]non-4-ene Chemical compound C1C\C=C/CCC2OC21 YWFPXWMSGJXUFS-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)ethane Chemical compound C=COCCOC=C ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZXIZRZFGJZWBF-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethyl-2-(2,4,6-trimethylphenoxy)benzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1OC1=C(C)C=C(C)C=C1C OZXIZRZFGJZWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrrole Chemical compound CN1C=CC=C1 OXHNLMTVIGZXSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROSARQDQSHSUPO-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropylsilane Chemical compound C(C(C)(C)C)[SiH3] ROSARQDQSHSUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUUOUUYKIVSIAR-UHFFFAOYSA-N 2-but-3-enyloxirane Chemical compound C=CCCC1CO1 MUUOUUYKIVSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYZXWIIUPKFTI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxirane Chemical compound CC(C)C1CO1 REYZXWIIUPKFTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWPAPPUGNCNJT-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethylbutyl(diethoxy)silane Chemical compound CCO[SiH](OCC)CCC(C)(C)C NOWPAPPUGNCNJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDPCNPCKDGQBAN-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxytetrahydrofuran Chemical compound OC1CCOC1 XDPCNPCKDGQBAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N Eucalyptol Chemical compound C1CC2CCC1(C)OC2(C)C WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N [(1s)-1-fluoro-2-(hydroxyamino)-2-oxoethyl]phosphonic acid Chemical compound ONC(=O)[C@@H](F)P(O)(O)=O PDPXHRBRYUQCQA-SFOWXEAESA-N 0.000 description 1
- ODYWKIPEJXXROV-UHFFFAOYSA-N [3,3-dimethylbutyl-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[SiH](OC(C)(C)C)CCC(C)(C)C ODYWKIPEJXXROV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVJTOOCVOCALB-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(3,3-dimethylbutyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[SiH](OC(C)=O)CCC(C)(C)C VBVJTOOCVOCALB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- HZXFQABHGXHWKC-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH2]OC(C)(C)C HZXFQABHGXHWKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007385 chemical modification Methods 0.000 description 1
- 229930007050 cineol Natural products 0.000 description 1
- 229960005233 cineole Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Natural products O=C1CCCC=C1 FWFSEYBSWVRWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NISGSNTVMOOSJQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentanamine Chemical compound NC1CCCC1 NISGSNTVMOOSJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VELDYOPRLMJFIK-UHFFFAOYSA-N cyclopentanecarbaldehyde Chemical compound O=CC1CCCC1 VELDYOPRLMJFIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N cyclopentanol Chemical compound OC1CCCC1 XCIXKGXIYUWCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- IAUUFEOQWVMTSG-UHFFFAOYSA-N diethoxymethyl(2,2-dimethylpropyl)silane Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]CC(C)(C)C IAUUFEOQWVMTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N ethenone Chemical compound C=C=O CCGKOQOJPYTBIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- KUQWZSZYIQGTHT-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene-3,4-diol Chemical compound C=CC(O)C(O)C=C KUQWZSZYIQGTHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000002462 isocyano group Chemical group *[N+]#[C-] 0.000 description 1
- 210000003734 kidney Anatomy 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- SHOJXDKTYKFBRD-UHFFFAOYSA-N mesityl oxide Natural products CC(C)=CC(C)=O SHOJXDKTYKFBRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000011987 methylation Effects 0.000 description 1
- 238000007069 methylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- MBIVPTHJZVXIGN-UHFFFAOYSA-N n-methylmethanamine;propan-2-one Chemical compound CNC.CC(C)=O MBIVPTHJZVXIGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- CJSZWOGCKKDSJG-UHFFFAOYSA-N nitrocyclopentane Chemical compound [O-][N+](=O)C1CCCC1 CJSZWOGCKKDSJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002537 optical extinction spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003534 oscillatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- YNOGYQAEJGADFJ-UHFFFAOYSA-N oxolan-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CCCO1 YNOGYQAEJGADFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010421 standard material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/045—Silicon oxycarbide, oxynitride or oxycarbonitride glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
- H01L21/02348—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
- H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31695—Deposition of porous oxides or porous glassy oxides or oxide based porous glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
CHO 흐름 (mg/분) | DEMS 흐름 (mg/분) | 전체 흐름 (mg/분) | CHO:DEMS 비 | 증착속도 (nm/분) | 굴절지수 (증착시) |
450 | 150 | 600 | 4.10 | 200 | 1.480 |
400 | 200 | 600 | 2.74 | 230 | 1.470 |
350 | 250 | 600 | 1.91 | 260 | 1.460 |
CHO:DEMS 비 | UV 경화수축 (%) | 굴절지수 (최종) | 유전율 (최종) | 영스 모듈러스 (GPa) | 경도 (GPa) |
4.16 | 28 | 1.340 | 2.49 | 8.0 | 1.2 |
2.78 | 17 | 1.350 | 2.56 | 8.3 | 1.3 |
1.94 | 16 | 1.370 | 2.67 | 9.7 | 1.6 |
포로젠 전구체 | 화학식 | H/C 비 | 분자량 | 밀도 (g/ml) | 굴절지수 | 비등점(℃) |
시클로헥사논(CHO) | C6H10O | 1.67 | 98.15 | 0.947 | 1.450 | 155 |
1,2,4-트리메틸시클로헥산(TMC) | C9H18 | 2.0 | 126.24 | 0.786 | 1.433 | 141-143 |
공정 변수 | TMC-1 | CHO-1 |
플라즈마 파원 (와트) | 600 | 600 |
챔버 압력 (토르) | 8 | 8 |
전극 간격 (밀리-인치) | 350 | 350 |
기판 온도 (℃) | 300 | 300 |
포로젠 흐름 (mg/분) | 435 | 450 |
DEMS 흐름 (mg/분) | 120 | 150 |
포로젠:DEMS 몰비 | 3.86 | 4.10 |
담체 가스 | CO2 | He |
담체 가스 흐름 (sccm) | 200 | 200 |
부가 가스 | O2 | O2 |
부가 가스 흐름 (sccm) | 10 | 10 |
증착율 (nm/분) | 150 | 290 |
굴절지수 | 1.452 | 1.515 |
FT-IR C-Hx 피크 영역 | 3.27 | 5.25 |
필름 | 굴절지수 | 유전율 | UV 경화 수축 (%) | 영스 모듈러스 (GPa) | 경도 (GPa) | FT-IR C-Hx 피크 구역 |
TMC-1 | 1.410 | 2.61 | 7 | 4.8 | 0.6 | 0.6 |
CHO-1 | 1.370 | 2.77 | 6 | 10.8 | 1.5 | 0.9 |
성질 | 증착시 | 최종 |
굴절지수 | 1.486 | 1.340 |
유전율 | n/a | 2.3 |
성질 | 증착시 | 최종 |
굴절지수 | 1.48 | 1.35 |
유전율 | n/a | 2.47 |
경도 | n/a | 0.9 |
신장 모듈러스 | n/a | 6.2 |
Claims (55)
- 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체 및 하기 (a) 내지 (s)로 구성된 군으로부터 선택된 포로젠(porogen) 전구체를 포함하는 전구체 혼합물을 반응시키는 단계를 포함하는, 공극을 갖고 유전율이 2.7 이하인 유기실리케이트 유리 다공성 필름을 기판 상에 형성시키는 화학적 증착 방법:(a) 하나 이상의 알코올기를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(OH)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중의 알코올기의 수로서 1 내지 4이며, 알코올 작용기는 외향고리 및/또는 내향고리일 수 있음];(b) 하나 이상의 에테르기를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2x-2yOz를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 에테르 결합의 수로서 1 내지 4이며, 에테르 결합은 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(c) 하나 이상의 에폭시드기를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며; z는 구조물 내 의 에폭시드기의 수로서 1 내지 4이며, 여기서 에폭시드기는 환형 고리 또는 직쇄에 연결될 수 있음];(d) 하나 이상의 알데히드기를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며; z는 구조물 내의 알데히드기의 수로서 1 내지 4임];(e) 하나 이상의 케톤기를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며; z는 구조물 내의 알데히드기의 수로서 1 내지 4이며, 케톤기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(f) 하나 이상의 카르복실산기를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2x-2y-3z(OOH)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 카르복실산기의 수로서 1 내지 4임];(g) 짝수의 카르복실산기를 함유하고, 산작용기가 탈수되어 환형 무수물기를 형성하며, 구조물이 화학식 CnH2n+2-2x-2y-6z(O3)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 무수물기의 수로서 1 또는 2임];(h) 에스테르기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수이며, 에스테르의 카르보닐기와 컨쥬게이트(conjugate)된 불포화 결합은 없으며, z는 구조물 내의 무수물기의 수로서 1 또는 2임];(i) 에스테르기 및 이 에스테르기의 카르보닐과 컨쥬게이트된 하나 이상의 불포화 결합으로 구성된 아크릴레이트 작용기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 1 이상이고, 상기 불포화 결합 중 하나 이상은 에스테르의 카르보닐기와 콘쥬게이트 되고, z는 구조물 내의 에스테르기의 수로서 1 내지 2임];(j) 에테르 및 카르보닐 작용기 둘다를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2w-2x-2y(O)y(O)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, w는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, y는 구조물 중 케톤 및/또는 알데히드일 수 있는 카르보닐기의 수이며, z는 구조물 내의 에테르기의 수로서 1 또는 2이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있음];(k) 에테르 및 알코올 작용기 둘다를 함유하고 화학식 CnH2n+2-2w-2x-y(OH)y(O)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, w는 구조물 내의 환형 고리 의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, y는 구조물 내의 알코올기의 수이며, z는 구조물 내의 에테르기의 수로서 1 또는 2이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있음];(l) 알코올, 에테르, 카르보닐 및 카르복실산으로부터 선택된 작용기의 임의의 조합을 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2y-3z(OH)w(O)x(O)y(OOH)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서 n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 구조물 내의 알코올기의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 에테르기의 수로서 0 내지 4이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있으며, y는 구조물 중 케톤 및/또는 알데히드일 수 있는 카르보닐기의 수로서 0 내지 3이며, z는 구조물 내의 카르복실산기의 수로서 0 내지 2임];(m) 하나 이상의 1차 아민기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(NH2)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(n) 하나 이상의 2차 아민기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(NH)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 2차 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(o) 하나 이상의 3차 아민기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-3z(N)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 3차 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(p) 하나 이상의 니트로기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(NO2)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 니트로기의 수로서 1 내지 4이며, 니트로 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(q) 아민 및 에테르 작용기 둘다를 갖고, 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 1차 아민기의 수이며, x는 2차 아민기의 수이며, y는 3차 아민기의 수이며, 1<w+x+y<4이며, z는 화합물 중 알코올기의 수로서 1 내지 4이며, 알코올 및/또는 아민기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];(r) 아민 및 알코올 작용기 둘다를 가지며, 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y- z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z를 가진 탄화수소 구조물[여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 1차 아민기의 수이며, x는 2차 아민기의 수이며, y는 3차 아민기의 수이며, 1<w+x+y<4이며, z는 화합물 중 에테르기의 수로서 1 내지 4이며, 에테르 및/또는 아민기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음]; 및(s) 이의 혼합물.
- 제1항에 있어서, 유전율이 1.9 미만인 방법.
- 제1항에 있어서, 다공성 필름이 SivOwCxHyFz를 포함하며, 이 때, v+w+x+y+z = 100 원자%이며, v는 20∼30 원자%이며, w는 20∼45 원자%이며, x는 5∼20 원자%이며, y는 15∼40 원자%이며, z는 0인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, z는 0.5∼7 원자%이며, 하나 이상의 플루오르화제는 SiF4, NF3, F2, COF2, CO2F2 및 HF로 구성된 군으로부터 선택되고 F를 다공성 필름에 도입하기 위해 사용되며, 다공성 필름에서 실질적으로 모든 F가 Si-F 기 내의 Si에 결합되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 필름 내의 50% 이상의 수소가 탄소에 결합되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 다공성 필름은 밀도가 1.5 g/ml 미만인 방법.
- 제1항에 있어서, 공극은 등가 구형 직경이 3 nm 이하인 방법.
- 제1항에 있어서, 다공성 필름의 푸리에 변환 적외선 (FTIR) 스펙트럼이 가스상 제제 중 어떠한 포로젠 전구체도 없는 것을 제외하고는 실질적으로 동일한 방법에 의해 제조된 기준 필름의 기준 FTIR과 실질적으로 동일한 것인 방법.
- 제8항에 있어서, 다공성 필름은 유전율이 가스상 제제 중 어떠한 포로젠 전구체도 없는 것을 제외하고는 실질적으로 동일한 방법에 의해 제조된 기준 필름의 유전율보다 적어도 0.3 작은 것인 방법.
- 제8항에 있어서, 다공성 필름은 유전율이 가스상 제제 중 어떠한 포로젠 전구체도 없는 것을 제외하고는 실질적으로 동일한 방법에 의해 제조된 기준 필름의 유전율보다 적어도 10% 작은 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 다공성 필름은 N2 하에 425℃의 등온에서의 평균 중량 손실이 1.0 중량%/시간 미만인 방법.
- 제1항에 있어서, 다공성 필름은 공기 하에 425℃의 등온에서의 평균 중량 손실이 1.0 중량%/시간 미만인 방법.
- 제1항에 있어서, 포로젠 전구체는 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체와 구별되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체는 화학식 SiR1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2는 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R3는 독립적으로 H, C1-C6 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3임]로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 화학 식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R6은 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R4 및 R5는 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, n+m≥1이며, n+p≤3이며, m+q≤3임]로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R6은 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중 의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R4 및 R5는 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, n+m≥1이며, n+p≤3이며, m+q≤3임]로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R6은 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R4 및 R5는 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R7은 C2-C6의 선형 또는 분 지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, n+m≥1이며, n+p≤3이며, m+q≤3임]로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 화학식 (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t[여기서 R1은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2는 독립적으로 C1-C6 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R3은 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, t는 2 내지 4이며, n+p≤4임]로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 화학 식 (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2는 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R3은 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, t는 1 내지 3이며, n+p≤4임]로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 (N(R1)Si(R1R2))x의 환형 실라잔[여기서, R1 및 R2는 독립적으로 H, C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수일 수 있음]으로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 화학 식 (C(R1R2)Si(R1R2))x의 환형 카르보실란[여기서, R1 및 R2는 독립적으로 H, C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수일 수 있으나, 단 분자 내에 하나 이상의 Si-H 결합이 존재해야 함]으로 표시되는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 디메톡시메틸실란, 디에톡시메틸실란, 디이소프로폭시메틸실란, 디-3차-부톡시메틸실란, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리이소프로폭시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 및 트리-3차-부톡시실란으로 구성된 군으로부터 선택된 일원인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체가 2개 이하의 Si-O 결합을 갖는 제1의 규소 함유 전구체와 3개 이상의 Si-O 결합을 갖는 제2의 규소 함유 전구체의 혼합물이며, 상기 혼합물은 다공성 필름의 화학 조성에 맞도록(tailored) 제공되며, 단 상기 전구체 둘다가 하나 이상의 Si-O 결합을 함유해야 하는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 알코올기를 함유하고, 화학 식 CnH2n+2-2x-2y-z(OH)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 알코올기의 수로서 1 내지 4이며, 알코올 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 에테르기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2yOz를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 에테르 결합의 수로서 1 내지 4이며, 에테르 결합은 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 에폭시드기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 에폭시드기의 수로서 1 내지 4이며, 에폭시드기는 환형 고리 또는 선형 사슬에 연결될 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 알데히드기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이 며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 알데히드기의 수로서 1 내지 4인 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 케톤기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 알데히드기의 수로서 1 내지 4이며, 케톤기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 카르복실산기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-3z(OOH)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 카르복실산기의 수로서 1 내지 4인 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 짝수의 카르복실산기를 함유하고, 산 작용기는 탈수되어 환형 무수물기를 형성시키며, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-6z(O3)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고 리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 무수물 기의 수로서 1 또는 2인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 에스테르 기를 함유하며, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수이며, 에스테르의 카르보닐기와 콘쥬게이트되는 불포화 결합은 없으며, z는 구조물 내의 무수물기의 수로서 1 또는 2인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 에스테르기 및 이 에스테르기의 카르보닐기와 콘쥬게이트된 하나 이상의 불포화 결합으로 구성된 아크릴레이트 작용기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 1 이상이며, 상기 불포화 결합 중 하나 이상은 에스테르의 카르보닐기와 콘쥬게이트되며, z는 구조물 내의 에스테르기의 수로서 1 또는 2인 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 에테르 및 카르보닐 작용기 둘다를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2w-2x-2y(O)y(O)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n 은 1 내지 12이며, w는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, y는 구조물 중 케톤 및/또는 알데히드일 수 있는 카르보닐기의 수이며, z는 구조물 내의 에테르기의 수로서 1 또는 2이며, 에테르기는 외향고리 또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 에테르 및 알코올 작용기 둘다를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2w-2x-y(OH)y(O)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이고, w는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, y는 구조물 내의 알코올기의 수이며, z는 구조물 내의 에테르기의 수로서 1 또는 2이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 알코올, 에테르, 카르보닐, 및 카르복실산으로부터 선택된 작용기의 임의의 조합을 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2y-3z(OH)w(O)x(O)y(OOH)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 구조물 내의 알코올기의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 에테르기의 수로서 0 내지 4이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있으며, y는 구조물 중 케톤 및/또는 알데히드일 수 있는 카르보닐 기의 수로서 0 내지 3이며, z는 구조물 내의 카르복실산기의 수로서 0 내지 2인 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 1차 아민기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(NH2)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 2차 아민기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(NH)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 2차 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 3차 아민기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-3z(N)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 3차 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에서, 포로젠 전구체가 하나 이상의 니트로기를 함유하고, 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(NO2)z을 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 니트로기의 수로서 1 내지 4이며, 니트로 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에서, 포로젠 전구체가 아민 및 에테르 작용기 둘다를 가지며, 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 1차 아민기의 수이며, x는 2차 아민 기의 수이며, y는 3차 아민 기의 수이며, 1<w+x+y<4이며, z는 화합물 중 알코올기의 수로서 1 내지 4이며, 알코올 및/또는 아민 기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제13항에서, 포로젠 전구체가 아민 및 알코올 작용기 둘다를 가지며, CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z를 갖는 탄화수소 구조물로 표시되며, 여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 1차 아민기의 수이며, x는 2차 아민기의 수이며, y는 3차 아민기의 수이며, 1<w+x+y<4이며, z는 화합물 중 에테르 기의 수로서 1 내지 4이며, 에테르 및/또는 아민 기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 전구체 혼합물이 포로젠화된 전구체를 더 포함하는 것인 방법.
- 제19항에 있어서, 포로젠화된 전구체가 1-네오헥실-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 1-네오펜틸-1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 네오펜틸디에톡시실란, 네오헥실디에톡시실란, 네오헥실트리에톡시실란, 네오펜틸트리에톡시실란 및 네오펜틸-디-t-부톡시실란으로 구성된 군으로부터 선택된 일원인 것인 방법.
- 제1항의 방법에 의해 제조되고, 화학식 SivOwCxHyFz[여기서, v+w+x+y+z = 100%이며, v는 10∼35 원자%이며, w는 10∼65 원자%이며, x는 5∼30 원자%이며, y는 10∼50 원자%이며, z는 0∼15 원자%임]로 표시되는 물질로 구성되는 유기실리케이트 유리 다공성 필름으로서, 공극을 가지며 유전율이 2.6 미만인 필름.
- 제44항에 있어서, v는 20∼30 원자%이며, w는 20∼45 원자%이며, x는 5∼25 원자%이며, y는 15∼40 원자%이며, z는 0인 필름.
- 제44항에 있어서, z는 0.5∼7 원자%이며, 다공성 필름 내의 실질적으로 모든 F가 Si-F 기 중의 Si에 결합되는 것인 필름.
- 제44항에 있어서, 함유된 수소의 50% 이상이 탄소에 결합되는 것인 필름.
- 하기 (a) 및 (b)를 포함하는 조성물:(a) 하기 1) 내지 9)로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체:1) 화학식 SiR1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2는 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R3은 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며; 단, 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함];2) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R6은 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R4 및 R5는 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, n+m≥1이며, n+p≤3이며, m+q≤3이며; 단, 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함];3) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R6은 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또 는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R4 및 R5는 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, n+m≥1이며, n+p≤3이며, m+q≤3이며; 단, 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함];4) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R6은 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R4 및 R5는 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R7은 C2-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, n+m≥1이며, n+p≤3이며, m+q≤3이며; 단, 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함];5) 화학식 (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2는 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R3은 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, t는 2 내지 4이며, n+p≤4이며; 단, 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함];6) 화학식 (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2는 독립적으로 C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화 수소이며, R3은 독립적으로 H, C1-C6의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, t는 1 내지 3이며, n+p≤4이며; 단, 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함];7) 화학식 (N(R1)Si(R1R2))x[여기서, R1 및 R2는 독립적으로 H, C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수일 수 있음];8) 화학식 (C(R1R2)Si(R1R2))x[여기서, R1 및 R2는 독립적으로 H, C1-C4의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수일 수 있으며; 단, 단 분자 중에 하나 이상의 Si-H 결합은 존재해야 함]; 및9) 이의 혼합물;(b) 하기 1) 내지 19)로 구성되는 군으로부터 선택되고, 하나 이상의 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체와 구별되는 포로젠;1) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(OH)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중의 알코올기의 수로서 1 내지 4이며, 알코올 작용기는 외향고 리 및/또는 내향고리일 수 있음];2) 화학식 CnH2n+2-2x-2yOz[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 에테르 결합의 수로서 1 내지 4이며, 에테르 결합은 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];3) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며; z는 구조물 내의 에폭시드기의 수로서 1 내지 4이며, 에폭시드기는 환형 고리 또는 직쇄에 연결될 수 있음];4) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며; z는 구조물 내의 알데히드기의 수로서 1 내지 4임];5) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2zOz[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며; z는 구조물 내의 알데히드기의 수로서 1 내지 4이며, 케톤기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];6) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-3z(OOH)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 카르복실산기의 수로서 1 내지 4임];7) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-6z(O3)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 구조물 내의 무수물기의 수로서 1 또는 2임];8) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수이며, 에스테르의 카르보닐기와 컨쥬게이트되는 불포화 결합은 없으며, z는 구조물 내의 무수물기의 수로서 1 또는 2임];9) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(O2)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 1 이상이고, 상기 불포화 결합 중 하나 이상은 에스테르의 카르보닐기와 콘쥬게이트되며, z는 구조물 내의 에스테르기의 수로서 1 또는 2임];10) 화학식 CnH2n+2-2w-2x-2y(O)y(O)z[여기서, n은 1 내지 12이며, w는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, y는 구조물 내의 케톤 및/또는 알데히드일 수 있는 카르보닐기의 수이며, z는 구조물 내의 에테르기의 수로서 1 또는 2이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있음];11) 화학식 CnH2n+2-2w-2x-y(OH)y(O)z[여기서, n은 1 내지 12이며, w는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, y는 구조물 내의 알코올기의 수이며, z는 구조물 내의 에테르기의 수로 서 1 또는 2이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있음];12) 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2y-3z(OH)w(O)x(O)y(OOH)z[여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 구조물 내의 알코올기의 수로서 0 내지 4이며, x는 구조물 내의 에테르기의 수로서 0 내지 4이며, 에테르기는 내향고리 또는 외향고리일 수 있으며, y는 구조물 내의 케톤 및/또는 알데히드일 수 있는 카르보닐기의 수로서 0 내지 3이며, z는 구조물 내의 카르복실산기의 수로서 0 내지 2임];13) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(NH2)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];14) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-2z(NH)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 2차 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];15) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-3z(N)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 3차 아민기의 수로서 1 내지 4이며, 아민 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];16) 화학식 CnH2n+2-2x-2y-z(NO2)z[여기서, n은 1 내지 12이며, x는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, y는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, z는 화합물 중 니트로기의 수로서 1 내지 4이며, 니트로 작용기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];17) 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z[여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 1차 아민기의 수이며, x는 2차 아민기의 수이며, y는 3차 아민기의 수이며, 1<w+x+y<4이며, z는 화합물 중 알코올기의 수로서 1 내지 4이며, 알코올 및/또는 아민 기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음];18) 화학식 CnH2n+2-2u-2v-w-2x-3y-z(NH2)w(NH)x(N)y(OH)z[여기서, n은 1 내지 12이며, u는 구조물 내의 환형 고리의 수로서 0 내지 4이며, v는 구조물 내의 불포화 결합의 수로서 0 내지 n이며, w는 1차 아민기의 수이며, x는 2차 아민기의 수이며, y는 3차 아민기의 수이며, 1<w+x+y<4이며, z는 화합물 중 에테르기의 수로서 1 내지 4이며, 에테르 및/또는 아민 기는 외향- 및/또는 내향고리일 수 있음]; 및19) 이의 혼합물.
- 제48항에 있어서, (c) 하기 1) 내지 9)로 구성된 군으로부터 선택된 포로젠화된 전구체를 더 포함하는 것인 방법:1) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중 불포화된 탄화수소, 환형 탄화수소, 또는 일부 또는 전부가 플루오로화된 탄화수소이며, R2 및 R3는 독립적으로, C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화된 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며; 단, n+p≤4이며, R1 중 하나 이상이 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];2) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-O-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3는 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2, R4, R5 및 R6은 독립적으로 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며; 단, n+m≥1, n+p≤3, m+q≤3이며, R1 및 R3 중 하나 이상이 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];3) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2, R4, R5 및 R6은 독립적으로 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며; 단, n+m≥1, n+p≤3, m+q≤3이며, R1 및 R3 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];4) 화학식 R1 n(OR2)p(O(O)CR4)3-n-pSi-R7-SiR3 m(O(O)CR5)q(OR6)3-m-q[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2, R4, R5, R6, 및 R7은 독립적으로 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 0 내지 3이며, m은 0 내지 3이며, q는 0 내지 3이며, p는 0 내지 3이며; 단, n+m≥1, n+p≤3, m+q≤3이 며, R1, R3 및 R7 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];5) 화학식 (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tCH4-t[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, R2 및 R3은 독립적으로 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, t는 2 내지 4이며; 단, n+p≤4이며, R1 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];6) 화학식 (R1 n(OR2)p(O(O)CR3)4-(n+p)Si)tNH3-t[여기서, R1은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며; R2 및 R3은 독립적으로 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 방향족 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화 된 탄화수소이며, n은 1 내지 3이며, p는 0 내지 3이며, t는 1 내지 3이며; 단, n+p≤4이며, R1 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];7) 화학식 (OSiR1R3)x의 환형 실록산[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수이며; 단, R1 및 R3 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];8) 화학식 (NR1SiR1R3)x의 환형 실라잔[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수이며; 단, R1 및 R3 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함];9) 화학식 (CR1R3SiR1R3)x의 환형 카르보실란[여기서, R1 및 R3은 독립적으로 H 또는 C1-C12의 선형 또는 분지형 탄화수소, 포화 탄화수소, 단일 또는 다중의 불포 화 탄화수소, 환형 탄화수소, 일부 또는 전부가 플루오르화된 탄화수소이며, x는 2 내지 8의 임의의 정수이며; 단, R1 및 R3 중 하나 이상은 포로젠으로서 C3 이상의 탄화수소로 치환되어야 함]; 및10) 이의 혼합물.
- 제1항에 있어서, 예비(preliminary) 필름을, 열 에너지, 플라즈마 에너지, 광자 에너지, 전자 에너지, 초단파 에너지 및 화학 물질로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상의 후처리제로 처리하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제50항에 있어서, 하나 이상의 후처리제는 예비 필름으로부터 실질적으로 모든 포로젠을 제거하기 전, 도중 및/또는 후에 생성된 다공성 유기실리카 유리 필름의 성질을 개선시키는 것인 방법.
- 제50항에 있어서, 추가의 후처리제가 예비 필름으로부터 포로젠의 적어도 일부를 제거하는 것인 방법.
- 제50항에 있어서, 하나 이상의 후처리제가 200 내지 8000 나노미터 범위의 광자 에너지인 방법.
- 제50항에 있어서, 하나 이상의 후처리제가 전자빔에 의해 제공되는 전자 에너지인 방법.
- 제50항에 있어서, 하나 이상의 후처리제가 초임계 유체인 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US61393704P | 2004-09-28 | 2004-09-28 | |
US60/613,937 | 2004-09-28 | ||
US11/228,223 US7332445B2 (en) | 2004-09-28 | 2005-09-19 | Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same |
US11/228,223 | 2005-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060051757A true KR20060051757A (ko) | 2006-05-19 |
KR100642618B1 KR100642618B1 (ko) | 2006-11-10 |
Family
ID=36145688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050090519A KR100642618B1 (ko) | 2004-09-28 | 2005-09-28 | 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7332445B2 (ko) |
EP (2) | EP1666632B1 (ko) |
JP (2) | JP4874614B2 (ko) |
KR (1) | KR100642618B1 (ko) |
CN (1) | CN103276370A (ko) |
MY (1) | MY139520A (ko) |
TW (1) | TWI303671B (ko) |
Families Citing this family (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
US8951342B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-02-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films |
US7384471B2 (en) | 2002-04-17 | 2008-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US20080268177A1 (en) * | 2002-05-17 | 2008-10-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, Porogenated Precursors and Methods for Using the Same to Provide Porous Organosilica Glass Films with Low Dielectric Constants |
US8293001B2 (en) * | 2002-04-17 | 2012-10-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US9061317B2 (en) | 2002-04-17 | 2015-06-23 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US6936551B2 (en) * | 2002-05-08 | 2005-08-30 | Applied Materials Inc. | Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices |
US7060330B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming ultra low k films using electron beam |
US7404990B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
US7288292B2 (en) * | 2003-03-18 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Ultra low k (ULK) SiCOH film and method |
US7253125B1 (en) | 2004-04-16 | 2007-08-07 | Novellus Systems, Inc. | Method to improve mechanical strength of low-k dielectric film using modulated UV exposure |
US9659769B1 (en) | 2004-10-22 | 2017-05-23 | Novellus Systems, Inc. | Tensile dielectric films using UV curing |
US7790633B1 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-07 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
KR100745986B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 다공 생성 물질을 포함하는 충전재를 사용하는 미세 전자소자의 듀얼 다마신 배선의 제조 방법 |
US7892648B2 (en) * | 2005-01-21 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | SiCOH dielectric material with improved toughness and improved Si-C bonding |
US7166531B1 (en) * | 2005-01-31 | 2007-01-23 | Novellus Systems, Inc. | VLSI fabrication processes for introducing pores into dielectric materials |
US7510982B1 (en) | 2005-01-31 | 2009-03-31 | Novellus Systems, Inc. | Creation of porosity in low-k films by photo-disassociation of imbedded nanoparticles |
US8980769B1 (en) | 2005-04-26 | 2015-03-17 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8282768B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-10-09 | Novellus Systems, Inc. | Purging of porogen from UV cure chamber |
US8889233B1 (en) * | 2005-04-26 | 2014-11-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for reducing stress in porous dielectric films |
US8454750B1 (en) | 2005-04-26 | 2013-06-04 | Novellus Systems, Inc. | Multi-station sequential curing of dielectric films |
US8137465B1 (en) | 2005-04-26 | 2012-03-20 | Novellus Systems, Inc. | Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers |
US7892985B1 (en) | 2005-11-15 | 2011-02-22 | Novellus Systems, Inc. | Method for porogen removal and mechanical strength enhancement of low-k carbon doped silicon oxide using low thermal budget microwave curing |
JP4628257B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-02-09 | 三井化学株式会社 | 多孔質膜の形成方法 |
JP4641933B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-03-02 | 三井化学株式会社 | 薄膜形成方法 |
US8398816B1 (en) | 2006-03-28 | 2013-03-19 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatuses for reducing porogen accumulation from a UV-cure chamber |
US20070173071A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | International Business Machines Corporation | SiCOH dielectric |
US20090136667A1 (en) * | 2006-03-31 | 2009-05-28 | Joanne Deval | Novel pore-forming precursors composition and porous dielectric layers obtained therefrom |
FR2905517B1 (fr) * | 2006-09-05 | 2009-04-24 | Air Liquide | Nouveaux precurseurs porogenes et couches dielectriques poreuses obtenues a partir de ceux-ci |
FR2899379B1 (fr) * | 2006-03-31 | 2008-06-06 | Air Liquide | Nouveaux precurseurs porogenes et couches dielectriques poreuses obtenues a partir de ceux-ci |
JP2007318070A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-12-06 | National Institute For Materials Science | 絶縁膜材料、この絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜 |
US7790634B2 (en) * | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
FR2904728B1 (fr) | 2006-08-01 | 2008-11-21 | Air Liquide | Nouveaux precurseurs porogenes et couches dielectriques poreuses obtenues a partir de ceux-ci |
FR2906402A1 (fr) * | 2006-09-21 | 2008-03-28 | Air Liquide | Couche barriere a base de silicium et de carbone pour semiconducteur |
US8465991B2 (en) | 2006-10-30 | 2013-06-18 | Novellus Systems, Inc. | Carbon containing low-k dielectric constant recovery using UV treatment |
US10037905B2 (en) | 2009-11-12 | 2018-07-31 | Novellus Systems, Inc. | UV and reducing treatment for K recovery and surface clean in semiconductor processing |
US7851232B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-12-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment for carbon-containing low-k dielectric repair in semiconductor processing |
US7976634B2 (en) | 2006-11-21 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Independent radiant gas preheating for precursor disassociation control and gas reaction kinetics in low temperature CVD systems |
US7410916B2 (en) * | 2006-11-21 | 2008-08-12 | Applied Materials, Inc. | Method of improving initiation layer for low-k dielectric film by digital liquid flow meter |
US7906174B1 (en) | 2006-12-07 | 2011-03-15 | Novellus Systems, Inc. | PECVD methods for producing ultra low-k dielectric films using UV treatment |
JP5142538B2 (ja) | 2007-01-26 | 2013-02-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US8242028B1 (en) | 2007-04-03 | 2012-08-14 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment of etch stop and hard mask films for selectivity and hermeticity enhancement |
US7955650B2 (en) * | 2007-06-07 | 2011-06-07 | Asm Japan K.K. | Method for forming dielectric film using porogen gas |
US7622162B1 (en) | 2007-06-07 | 2009-11-24 | Novellus Systems, Inc. | UV treatment of STI films for increasing tensile stress |
KR101562681B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2015-10-22 | 에스비에이 머티어리얼스 인코포레이티드 | 저유전율 유전체 |
KR100891146B1 (ko) | 2007-07-30 | 2009-04-06 | 한국과학기술원 | 계층적 기공구조물 및 계층적 기공구조물을 이용한초소수성 및 초친수성 표면 제조방법 |
US20090061649A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | International Business Machines Corporation | LOW k POROUS SiCOH DIELECTRIC AND INTEGRATION WITH POST FILM FORMATION TREATMENT |
US20090061237A1 (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-05 | International Business Machines Corporation | LOW k POROUS SiCOH DIELECTRIC AND INTEGRATION WITH POST FILM FORMATION TREATMENT |
US8211510B1 (en) | 2007-08-31 | 2012-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Cascaded cure approach to fabricate highly tensile silicon nitride films |
US7803722B2 (en) * | 2007-10-22 | 2010-09-28 | Applied Materials, Inc | Methods for forming a dielectric layer within trenches |
US7651959B2 (en) * | 2007-12-03 | 2010-01-26 | Asm Japan K.K. | Method for forming silazane-based dielectric film |
JP5251156B2 (ja) * | 2008-02-12 | 2013-07-31 | Jsr株式会社 | ケイ素含有膜およびその形成方法 |
US8043976B2 (en) * | 2008-03-24 | 2011-10-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Adhesion to copper and copper electromigration resistance |
US20090239363A1 (en) * | 2008-03-24 | 2009-09-24 | Honeywell International, Inc. | Methods for forming doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and dopant-comprising inks for forming such doped regions using non-contact printing processes |
KR20090116477A (ko) * | 2008-05-07 | 2009-11-11 | 삼성전자주식회사 | 초저유전막을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 |
US8053867B2 (en) * | 2008-08-20 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Phosphorous-comprising dopants and methods for forming phosphorous-doped regions in semiconductor substrates using phosphorous-comprising dopants |
US9050623B1 (en) | 2008-09-12 | 2015-06-09 | Novellus Systems, Inc. | Progressive UV cure |
US7951696B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-05-31 | Honeywell International Inc. | Methods for simultaneously forming N-type and P-type doped regions using non-contact printing processes |
US20100151206A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material |
US8518170B2 (en) * | 2008-12-29 | 2013-08-27 | Honeywell International Inc. | Boron-comprising inks for forming boron-doped regions in semiconductor substrates using non-contact printing processes and methods for fabricating such boron-comprising inks |
EP2404945B1 (en) | 2009-03-05 | 2019-12-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric resin composition for film capacitor, process for producing same, and film capacitor |
JP2010212489A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Fujifilm Corp | 組成物 |
US9212420B2 (en) * | 2009-03-24 | 2015-12-15 | Tokyo Electron Limited | Chemical vapor deposition method |
US8324089B2 (en) | 2009-07-23 | 2012-12-04 | Honeywell International Inc. | Compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, methods for fabricating such compositions, and methods for forming doped regions using such compositions |
DE102009035417B4 (de) * | 2009-07-31 | 2014-12-04 | Globalfoundries Dresden Module One Llc & Co. Kg | Größere Dichte von dielektrischen Materialien mit kleinem ε in Halbleiterbauelementen durch Anwenden einer UV-Behandlung |
US8753986B2 (en) * | 2009-12-23 | 2014-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low k precursors providing superior integration attributes |
US9138308B2 (en) | 2010-02-03 | 2015-09-22 | Apollo Endosurgery, Inc. | Mucosal tissue adhesion via textured surface |
US8703625B2 (en) * | 2010-02-04 | 2014-04-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods to prepare silicon-containing films |
ES2623475T3 (es) | 2010-05-11 | 2017-07-11 | Allergan, Inc. | Composiciones de porógenos, métodos para hacerlas y usos |
US8441006B2 (en) * | 2010-12-23 | 2013-05-14 | Intel Corporation | Cyclic carbosilane dielectric films |
US8629294B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-01-14 | Honeywell International Inc. | Borate esters, boron-comprising dopants, and methods of fabricating boron-comprising dopants |
US8889567B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-11-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and methods for low K dielectric layers |
US8975170B2 (en) | 2011-10-24 | 2015-03-10 | Honeywell International Inc. | Dopant ink compositions for forming doped regions in semiconductor substrates, and methods for fabricating dopant ink compositions |
JP5967982B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-08-10 | 東レエンジニアリング株式会社 | プラズマcvd法により形成された化学蒸着膜 |
WO2014022657A1 (en) | 2012-08-02 | 2014-02-06 | Allergan, Inc. | Mucosal tissue adhesion via textured surface |
EP2900289A1 (en) | 2012-09-28 | 2015-08-05 | Allergan, Inc. | Porogen compositions, methods of making and uses |
US20140120739A1 (en) | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Sba Materials, Inc. | Compositions of low-k dielectric sols containing nonmetallic catalysts |
EP3209813B1 (en) * | 2014-10-24 | 2019-03-13 | Versum Materials US, LLC | Compositions and methods using same for deposition of silicon-containing film |
US10388546B2 (en) | 2015-11-16 | 2019-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
US10347547B2 (en) | 2016-08-09 | 2019-07-09 | Lam Research Corporation | Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition |
US9847221B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-12-19 | Lam Research Corporation | Low temperature formation of high quality silicon oxide films in semiconductor device manufacturing |
US11164739B2 (en) * | 2018-02-08 | 2021-11-02 | Versum Materials Us, Llc | Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense OSG films |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2536013A1 (de) | 1975-08-13 | 1977-03-03 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur verbesserung der haltbarkeit von aus siliciumoxiden bestehenden schutzschichten |
AT374298B (de) | 1979-07-26 | 1984-04-10 | Union Carbide Corp | Isolierstoffmischung, insbesondere als isolierung elektrischer draehte oder kabel |
JPH0264931A (ja) | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
US5296624A (en) | 1992-11-25 | 1994-03-22 | Huls America, Inc. | Preparation of sterically-hindered organosilanes |
MY113904A (en) | 1995-05-08 | 2002-06-29 | Electron Vision Corp | Method for curing spin-on-glass film utilizing electron beam radiation |
JPH118237A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Sony Corp | 低誘電率絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置 |
US6627532B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
US6068884A (en) | 1998-04-28 | 2000-05-30 | Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc | Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films |
US6054206A (en) | 1998-06-22 | 2000-04-25 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films |
US6171945B1 (en) | 1998-10-22 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | CVD nanoporous silica low dielectric constant films |
JP3084367B1 (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-04 | キヤノン販売株式会社 | 層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置 |
US6207555B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-03-27 | Electron Vision Corporation | Electron beam process during dual damascene processing |
US6312793B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-06 | International Business Machines Corporation | Multiphase low dielectric constant material |
US6204201B1 (en) | 1999-06-11 | 2001-03-20 | Electron Vision Corporation | Method of processing films prior to chemical vapor deposition using electron beam processing |
ATE418158T1 (de) | 1999-08-17 | 2009-01-15 | Applied Materials Inc | Oberflächenbehandlung von kohlenstoffdotierten sio2-filmen zur erhöhung der stabilität während der o2-veraschung |
US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
US6541367B1 (en) | 2000-01-18 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Very low dielectric constant plasma-enhanced CVD films |
US6764958B1 (en) | 2000-07-28 | 2004-07-20 | Applied Materials Inc. | Method of depositing dielectric films |
JP3882914B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2007-02-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 多相低誘電率材料およびその堆積方法 |
WO2002043119A2 (en) | 2000-10-25 | 2002-05-30 | International Business Machines Corporation | An ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device, a method for fabricating the same, and an electronic device containing the same |
US6531398B1 (en) | 2000-10-30 | 2003-03-11 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing organosillicate layers |
US6583048B2 (en) | 2001-01-17 | 2003-06-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants |
TW540118B (en) | 2001-03-28 | 2003-07-01 | United Microelectronics Corp | Method for increasing the surface wetability of low dielectric constant material |
US7074489B2 (en) * | 2001-05-23 | 2006-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Low dielectric constant material and method of processing by CVD |
JP3418383B2 (ja) | 2001-05-31 | 2003-06-23 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7456488B2 (en) | 2002-11-21 | 2008-11-25 | Advanced Technology Materials, Inc. | Porogen material |
US7384471B2 (en) * | 2002-04-17 | 2008-06-10 | Air Products And Chemicals, Inc. | Porogens, porogenated precursors and methods for using the same to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants |
US7056560B2 (en) | 2002-05-08 | 2006-06-06 | Applies Materials Inc. | Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
US7060330B2 (en) | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method for forming ultra low k films using electron beam |
US7404990B2 (en) * | 2002-11-14 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
EP1420439B1 (en) * | 2002-11-14 | 2012-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films |
TWI240959B (en) * | 2003-03-04 | 2005-10-01 | Air Prod & Chem | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
US7098149B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure |
US7288292B2 (en) | 2003-03-18 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Ultra low k (ULK) SiCOH film and method |
US20040197474A1 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-07 | Vrtis Raymond Nicholas | Method for enhancing deposition rate of chemical vapor deposition films |
US8137764B2 (en) | 2003-05-29 | 2012-03-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Mechanical enhancer additives for low dielectric films |
JP4344841B2 (ja) | 2003-05-30 | 2009-10-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 低誘電率絶縁膜の形成方法 |
KR100554157B1 (ko) | 2003-08-21 | 2006-02-22 | 학교법인 포항공과대학교 | 저유전 특성의 유기 실리케이트 고분자 복합체 |
US20050048795A1 (en) | 2003-08-27 | 2005-03-03 | Chung-Chi Ko | Method for ultra low-K dielectric deposition |
-
2005
- 2005-09-19 US US11/228,223 patent/US7332445B2/en active Active
- 2005-09-27 MY MYPI20054552A patent/MY139520A/en unknown
- 2005-09-27 EP EP20050021056 patent/EP1666632B1/en active Active
- 2005-09-27 EP EP20100010948 patent/EP2281920A1/en not_active Withdrawn
- 2005-09-28 TW TW94133807A patent/TWI303671B/zh active
- 2005-09-28 KR KR1020050090519A patent/KR100642618B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-28 JP JP2005282302A patent/JP4874614B2/ja active Active
- 2005-09-28 CN CN201310216757XA patent/CN103276370A/zh active Pending
-
2009
- 2009-12-11 JP JP2009281999A patent/JP2010114452A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI303671B (en) | 2008-12-01 |
US7332445B2 (en) | 2008-02-19 |
TW200636090A (en) | 2006-10-16 |
KR100642618B1 (ko) | 2006-11-10 |
EP1666632B1 (en) | 2013-04-24 |
CN103276370A (zh) | 2013-09-04 |
JP2006100833A (ja) | 2006-04-13 |
EP1666632A3 (en) | 2008-01-23 |
EP2281920A1 (en) | 2011-02-09 |
MY139520A (en) | 2009-10-30 |
JP4874614B2 (ja) | 2012-02-15 |
JP2010114452A (ja) | 2010-05-20 |
EP1666632A2 (en) | 2006-06-07 |
US20060078676A1 (en) | 2006-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100642618B1 (ko) | 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 | |
KR101911798B1 (ko) | 포로겐, 포로겐화 전구체, 및 이들을 사용하여 낮은 유전 상수를 갖는 다공성 유기실리카 유리 필름을 제공하는 방법 | |
JP4216768B2 (ja) | 有機ケイ酸塩ガラス膜及びその作製方法並びに有機ケイ酸塩ガラス膜作製のための混合物 | |
KR100767246B1 (ko) | 화학 증착 필름의 침착 속도를 강화시키는 방법 | |
US6846515B2 (en) | Methods for using porogens and/or porogenated precursors to provide porous organosilica glass films with low dielectric constants | |
EP1354980A1 (en) | Method for forming a porous SiOCH layer. | |
JP2004312041A (ja) | 低誘電率材料およびcvdによる処理方法 | |
JP5711176B2 (ja) | 組成物 | |
KR20150144284A (ko) | 알킬-알콕시실라사이클릭 화합물 및 이를 사용하여 필름을 증착시키는 방법 | |
TWI729417B (zh) | 矽化合物及使用其沉積膜的方法 | |
US8951342B2 (en) | Methods for using porogens for low k porous organosilica glass films | |
JP2022153428A (ja) | アルコキシシラ環式又はアシルオキシシラ環式化合物及びそれを使用してフィルムを堆積させるための方法 | |
KR20220044839A (ko) | 규소 화합물 및 이를 사용한 필름의 증착 방법 | |
CN1782124B (zh) | 多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法 | |
US11164739B2 (en) | Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense OSG films | |
JP2023542352A (ja) | 誘電体膜の特性を向上させる添加剤 | |
JP2024519069A (ja) | 高弾性率を有する膜を堆積させるための新規な前駆体 | |
KR20220035506A (ko) | 규소 화합물 및 이를 사용하여 막을 증착시키는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120927 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130927 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140929 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150930 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160929 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181001 Year of fee payment: 13 |