KR20020032375A - 프로브 핀, 프로브 카드 및 프로브 카드의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
프로브 카드는 카드 플레이트 (14) 및 카드 플레이트 (14) 상에 고정된 복수의 프로브 핀들을 구비한다. 각 프로브 핀 (16) 은 레늄 함유 텅스텐으로 이루어진 금속 바디 (32) 및 도금액의 액체 유동을 이용한 도금 기술로 금속 바디 (32) 상에 연속적으로 형성시킨 니켈막 (34) 및 로듐막 (36) 을 갖는다.
Description
본 발명은 프로브 카드용 프로브 핀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 반도체 회로 또는 LSI의 전기적 특성 테스트용 프로브 카드의 프로브 핀에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 웨이퍼 상에 반도체 칩으로서 제작된 반도체 회로는, 웨이퍼를 복수의 독립적인 칩으로 분리하기 전에 프로브 카드 및 회로 테스터로 전기적 특성에 관한 제품 테스트를 거친다.
도 1은 반도체 칩의 테스트에 사용하는 전형적인 프로브 카드를 나타낸 것이다. 도면 부호 10으로 지정된 프로브 카드는, 내부에 중앙 애퍼쳐 (12)가 있는 카드 플레이트 (14) 및 카드 플레이트 (14) 의 저부 표면의 외주 영역에 부착되고 그 외주 영역에서 카드 플레이트 (14) 의 중앙 애퍼쳐 (12) 쪽으로 경사 방향으로하방으로 연장하는 복수의 프로브 핀들을 포함한다. 각 프로브 핀 (16) 의 팁은 중앙 애퍼쳐 (12) 의 직하부에 위치한다.
각 프로브 핀 (16) 의 기단부는, 카드 플레이트 (14)를 관통하는 비어 플러그 (22) 의 저부와 접촉하며, 비어 플러그 및 결속선 (26) 을 통해 카드 터미널 (28) 에 연결된다. 카드 터미널 (28) 은 도시되지 않은 회로 테스터에 전기적으로 연결한다. 프로브 핀 (16)은, 거의 수직방향으로 유도된 팁부를 가지며, 에폭시 수지로 이루어지고, 카드 플레이트 (14) 상의 중앙 애퍼쳐 (12) 의 외주 근처에 형성된 핀 서포트 (24) 에 의해 그 팁 부 주변에서 지지된다. 일반적으로, 프로브 핀 (16)의 팁이 반도체 웨이퍼 (20) 에서 테스트 중인 반도체 칩의 칩 전극 (18) 상을 미끄러져 가는 동안, 프로브 카드 (10) 로 반도체 칩을 테스트한다.
프로브 핀 (16)은, 텅스텐 (W), 텅스텐을 함유한 레늄 (ReW), 베릴늄 구리 (BeCu) 등과 같은 강철로 이루어지며, 우수한 기능성 및 우수한 탄성을 갖는다. 프로브 핀 (16) 의 제작을 위해서, 원형 단면을 가진 미소 직경의 금속선을 형성하도록, 강 철 잉곳을 인장시킨다. 큰 탄성, 우수한 내마모성, 및 우수한 기능성 또는 수십 마이크로미터의 직경을 가진 금속선으로 형성시키기에 적합한 성질 때문에, ReW가 프로브 핀 (16) 의 재료로서 가장 적합하다.
상기 설명한 바와 같이, ReW가 현재의 프로브 핀 재료용으로서 가장 적합하다는 것은 이미 알려져 있지만, ReW는 그 표면이 쉽게 산화되는 단점이 있다. 예컨데, 하루 동안 산화 분위기에서 방치된 ReW는, 표면이 산화되어 더 높은 전기저항을 갖는 산화막으로 코팅됨으로써, 프로브 핀과 칩 전극 사이의 접촉 저항이 증가된다.
또한, 일반적으로, 프로브 핀과 접촉하는 칩 전극도 산화되기 쉬운 알루미늄으로 이루어지기 때문에, 프로브 핀의 팁은, 칩 전극과 반복적으로 접촉한 후, 알루미늄 분말이 부착되고, 그 분말이 산화되어, 프로브 핀의 팁이 알루미늄 산화 막으로 코팅된다. 이것에 의해서도 접촉 저항이 증가된다.
상기 문제점을 해결하기 위해, 수십 또는 수백 개의 반도체 칩을 테스트하는데 프로브 핀을 사용한 후 연마 또는 폴리싱 기구를 사용하여 프로브 핀의 팁을 연마하거나 폴리싱한다. 기구로 연마를 행하는 것은 테스트에 요하는 비용과 시간을 증가시킨다.
특허공보 JP-A-11-38039호에는, 금속 바디의 성형공정 후, 비산화성 금속막으로 금속 바디를 코팅시킨 프로브 핀이 기술되어있다. 텅스텐으로 이루어진 금속 바디상에 금속화공정에 의해 수 마이크로미터의 두께로 비산화성 막을 형성한 후, 진공 분위기 또는 비산화성 분위기에서의 열처리로 비산화성 금속막에서 텅스텐 바디로 비산화성 금속을 확산시켜, 텅스텐 바디의 내산화성을 향상시킨다. 다음으로, 결과물인 복수의 프로브 핀을 카드 플레이트에 부착하고 고정한 후, 카드 플레이트의 저부에 대하여 균일한 높이를 갖도록 프로브 핀들의 팁을 연마한다.
그러나, 상기 특허 공보에서 설명한 프로브 핀은 다음과 같은 단점이 있다.
(1) 열처리 동안, 텅스텐 바디로부터 비산화성 금속막으로 금속의 고체 확산에 의해 텅스텐도 확산하여, 프로브 핀의 표면 상태가 변한다.
(2) 텅스텐 바디와 비산화성 금속막 사이의 불량한 접착이 그들 사이의 박리를 초래하는 경향이 있다.
(3) 텅스텐 바디의 표면을 매끈하도록 폴리싱을 하거나, 큰 두께를 갖도록 금속막을 형성하여 상기 접착을 개선할 수 있으나, 이는 프로브 카드의 비용을 증가시킨다.
(4) 균일한 높이를 갖도록 프로브 핀의 팁을 연마함으로써, 비산화성 금속막이 제거되는 경향이 있다.
종래 기술의 상기 문제점을 고려하여, 본 발명의 목적은, 반복적인 칩 전극과의 접촉 후 폴리싱 또는 연마 공정 없이도 칩 전극과 더 낮은 접촉 저항을 갖는 프로브 핀을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 프로브 핀을 갖는 프로브 카드 및 그 프로브 카드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
제 1 태양으로서, 본 발명은, 금속 바디, 금속 바디 상에 형성된 니켈 도금막, 및 니켈 도금막 상에 형성되고 백금족 금속 중 하나 이상으로 이루어진 비산화성 막을 포함하는 프로브 카드용 프로브 핀을 제공한다.
제 2 태양으로서, 본 발명은, 카드 플레이트 및 카드 플레이트 상에 고정시킨 복수의 프로브 핀들을 포함하는 프로브 카드를 제공하며, 각 프로브 핀은 금속 바디, 금속 바디 상에 형성된 니켈 도금막, 및 니켈 도금막 상에 형성된 백금족 금속 중 하나 이상으로 이루어진 비산화성 금속막을 포함한다.
제 3 태양으로서, 본 발명은, 금속선의 테이퍼 성형 및 절곡 공정으로 복수의 금속 바디를 형성하는 단계, 그 금속 바디를 카드 플레이트에 고정시키고, 금속 바디가 카드 플레이트의 표면에 대해 거의 균일한 높이를 갖도록 그 카드 플레이트 상에 고정된 금속 바디들의 팁을 폴리싱하는 단계, 및 금속 바디 상에 니켈 도금막과 비산화성 금속막을 연속적으로 형성하도록 카드 플레이트상에 프로브 바디를 도금하는 단계를 포함하는, 프로브 카드 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 프로브 핀 및 프로브 카드와 본 발명의 방법에 의해 제작한 프로브 카드에 따르면, 니켈 도금막은, 금속 바디와 그것을 덮는 비산화성 금속막 사이의 부착력을 개선하는 평활 하지층 (Smoothing Underlying Layer), 및 금속 바디의 금속과 비산화성 금속막의 금속 사이의 금속 고체 확산 방지용 장벽층으로서 기능한다. 니켈 도금막은 앵커 (anchor) 기능을 갖는데, 이때 니켈 도금막 내부의 니켈이 금속 바디 표면 상에 침적 (depression) 되어 금속 바디에 대해 우수한 부착력을 갖도록 한다.
또한, 니켈 도금막의 매끈한 표면은 비산화성 금속막에 대해서도 매끈한 표면을 제공하여, 칩 전극의 알루미늄 분말이 비산화성 금속막 상에 부착되는 것을 방지한다. 따라서, 반도체 칩의 칩 전극과의 무수한 반복 접촉 후, 프로브 핀의 팁을 폴리싱하지 않아도, 프로브 핀의 팁이 거의 산화되지 않는다.
다음으로, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 상기 및 그외 목적, 특징들과 이점들을 설명한다.
도 1은 복수의 프로브 핀을 갖는 전형적인 프로브 카드의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 프로브 핀의 측면도.
도 3은 도 2의 프로브 핀의 확대 단면도.
도 4는 칩 전극과 실시예의 프로브 핀의 접촉 저항과 접촉 반복 횟수 사이의 관계를 나타낸 그래프.
도 5는 실시예의 프로브 핀을 사용한 프로브 카드의 제조 공정 단계를 나타낸 순서도.
도 6은 금속 바디 상에 도금막을 형성하는 전기 도금 시스템의 개략적인 단면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 프로브 카드12: 중앙 애퍼쳐
14: 기판 본체16: 프로브 핀
16a: 기단부16b: 테이퍼부
16c: 절곡부16d: 팁부
22: 비어 플러그24: 에폭시 수지
26: 결속선28: 카드 터미널
32: 금속 바디34: 니켈 도금막
36: 비산화성 금속막40: 전기 도금 시스템
42: 도금 조 44: 순환용 튜브
46: 순환용 펌프48: 양극
50A, B: 지그 (jigs)52: 고정용 부재
54, 56: 가스켓
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 프로브 핀은 종래의 프로브 핀과 유사한 형태이다. 더욱 상세하게는, 도면 부호 16으로 지정된 프로브 핀은, 카드 플레이트 (미도시) 로부터 볼 때 순서대로, 최대 직경을 갖는 기단부 (16a), 경사방향으로 연장되고 팁 쪽으로 더 작은 직경을 갖는 테이퍼부 (16b), 다소 90°이상의 각을 갖는 절곡부 (16c), 및 거의 수직방향으로 연장되는 팁부 (16d) 를 구비한다.
프로브 핀 (16) 의 팁부 (16d) 를 나타낸 도 3을 참조하면, 프로브 핀 (16)은, 금속 바디 또는 레늄 함유 텅스텐으로 이루어진 핀 바디 (32), 하지 도금막으로서 니켈 (Ni) 로 이루어지고 금속 바디 (32) 상에 형성된 도금막 (34), 및 백금족으로 이루어지고 하지 도금막 (34) 상에 형성된 비산화성 금속막 (오버코트) (36) 을 구비한다.
금속 바디 (32) 는 직경이 대략 0.2 mm인 레늄 함유 텅스텐 선으로서 형성한다. 텅스텐 또는 베릴륨 구리로도 금속 바디 (32) 를 형성할 수 있다. 금속 바디 (32) 상에 하지 도금막 (34) 을 전기 도금 공정으로 3 마이크로미터 두께로 형성시킨다.
비산화성 금속막 (36)은, 1 마이크로미터 두께의 로듐으로 형성하고, 전기 도금 공정에 의해 형성한다. 다음의 성질로 인해, 칩 전극과 안정한 접촉을 얻으며 더 긴 수명을 가지기 때문에, 백금족 금속으로부터 로듐을 선택한다.
(1) 로듐은 500℃ 이하의 온도에선 산화하지 않는다.
(2) 로듐은 백금족 금속 중 최저 비저항을 갖는다.
(3) 로듐은 칩 전극의 주 성분인 알루미늄 내로 확산하는 경향이 적다.
(4) 로듐은 Hv800 과 Hv 1000 사이의 고경도를 갖는다.
본 실시예의 프로브 핀들은, 도 1에서 나타낸 바와 같은 전형적인 프로브 카드에 사용한다.
반복적인 접촉 테스트 후의 실시예의 특성 측정을 위해, 본 실시예의 프로브 핀의 샘플을 카드 바디에 부착하였다. 샘플 및 각각 구리를 첨가한 알루미늄을 포함하는 칩 전극 사이의 접촉 저항을 측정하였다. 칩 전극을 마이크로 제어 유닛 (MCUs) 상에 형성하였다.
1회 접촉, 약 4×103회, 약 12.5×103회, 약 47.5×103회, 및 약 110×103회의 반복적인 접촉 후에, 각 샘플과 칩 전극 사이의 접촉 저항을 측정하였다. 이 측정에서는, 측정하는 동안 및 측정 간에, 크리닝을 위한 프로브 핀의 연마를 행하지 않았다. 도 4는 측정의 결과를 나타낸 것으로, 측정된 접촉 저항을 원점으로 도시하고, 평균값을 파선으로 나타낸다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 평균 초기 접촉 저항은 1.0 ohm (Ω) 이었다.
또한, 종래의 프로브 핀인 비교 샘플을 제작하였고, 유사하게 측정을 하였다. 이 측정에서는, 비교 샘플의 평균 초기 접촉 저항이 1.0 ohm 이었지만, 5×103회의 반복 접촉 후에는 반도체 칩의 전기적 특성을 측정할 수 없을 정도로 접촉 저항이 2.5 ohm을 초과하였으며, 측정을 중지하였다. 도 4에서, 비교 샘플에 대해 측정한 접촉 저항을 삼각형점으로 나타내고, 평균 접촉 저항은 실선으로나타내었다.
실시예의 샘플과 비교 샘플 사이의 접촉 저항의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예에 따른 프로브 핀은 종래의 프로브 핀의 접촉 저항에 비해 우수한 접촉 저항을 갖는다. 더욱 상세히 설명하면, 본 실시예의 샘플은, 110×103회의 반복 접촉 후 또는 110,000개의 반도체 칩을 평가한 후에도 1.5 ohm 미만의 우수한 접촉 저항을 나타내었지만, 종래 프로브 핀의 비교 샘플은, 5×103회의 반복 접촉 후 또는 5000개의 반도체 칩을 평가한 후에는 접촉 저항을 측정할 수 없었다. 따라서, 실시예의 프로브 핀이 종래의 프로브 핀에 비해 내산화성이 더 크다고 결론내렸다.
반복 접촉 후 프로브 핀과 칩 전극간의 접촉 저항을 허용 수준까지 감소시키기 위해, 실시예의 프로브 핀의 팁을 연마 또는 폴리싱하는 것은 불필요하다. 이는 반도체 칩 테스트의 처리량을 증가시켜, 평가에 요하는 비용 및 시간을 감소시킨다.
실시예의 프로브 핀과 접촉하는 칩 전극 상에 전혀 로듐 성분이 없다는 것은 주목할 만하다. 이는, 하지 도금막으로 인해 로듐 막 또는 비산화성 금속막이 쉽게 마모되지 않으며, 더 긴 수명을 가짐을 의미한다.
도 1과 함께, 본 발명의 제조 공정을 나타낸 도 5를 참조하면, 제 1 단계 (S1) 에서, 로듐 텅스텐으로 제작된 금속선의 테이퍼 성형, 및 팁부 근처에서 그 테이퍼 선의 절곡, 및 경도 제어와 잔존 응력 제거를 위한 그 선의 열처리에 의해프로브 핀의 금속 바디를 형성한다.
다음으로, 제 2 단계 (S2)에서, 몰드 수지 (24) 를 사용하여 카드 플레이트 (14) 상에 결과물인 프로브 핀 (16) 의 금속 바디를 부착하여 고정시킨 후, 카드 플레이트 (14) 상에 각각의 프로브 핀 (16) 용 결속선 (26) 을 형성한다.
다음으로, 제 3 단계 (S3) 에서, 카드 플레이트 (14) 에 대해 균일한 높이를 갖도록 프로브 핀 (16) 의 팁을 연마 및 폴리싱을 한다.
제 4 단계 (S4) 에서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 전기 도금 공정을 사용하여, 각 프로브 핀 (16) 의 금속 바디에 3 ㎛ 두께의 하지 니켈막 (34) 및 1 ㎛ 두께의 로듐막 (36) 을 도금한다.
도 6을 참조하면, 제 4 단계에서 사용한 전기 도금 시스템은, 프로브 핀 (32) 의 도금용 도금액을 담는 도금 조 (bath) (42), 도금 조 (42) 에 배치된 도금액 순환용 튜브 (44) 및 순환용 펌프 (46) 를 구비하는 액체 순환 시스템, 및 도금액 내부에 음극을 구성하는 프로브 핀과 함께 한쌍의 전극을 형성하며 프로브 핀 (32) 에 대응되는 양극 (48) 을 포함한다.
도금 조 (42) 는 도금 액에 프로브 핀 (32)의 팁을 포함한 대부분이 잠기도록 그 사이에 카드 플레이트 (38)을 고정시키는 한 쌍의 지그 (jig) (50A 및 50B) 를 가진 고정용 부재 (52) 를 갖는다. 고정용 부재 (52) 는, 지그 (50A)와 카드 플레이트 (38) 사이 및 지그 (50B) 와 카드 플레이트 (38) 사이에 한쌍의 가스켓 (54 및 56) 을 가져, 각각 도금액이 도금 조 (42) 로부터 유출되는 것을 방지한다.
도 6의 니켈막 및 로듐막 형성용 전기 도금 시스템을 사용하는 전기 도금 공정은,
(1) 순환 액 유동 (circulating liquid flow) 내에서, 농도 1 %의 염산, 황산, 또는 질산을 사용하여, 실온에서, 2 내지 15 분 동안 금속 바디와 양극 (48) 사이에 1 내지 8 볼트의 일정 전압을 가하는 전기 분해 (또는 대안으로, 이머젼 (immersion)) 에 의하여 금속 바디 (32)를 산 세정하는 단계;
(2) 순환 세정수 유동 (circulating clean water flow) 내, 실온에서, 20 내지 120 초 동안 금속 바디 (32) 를 완전 물 세정 (thorough water cleaning) 하는 단계;
(3) 순환 액 유동 내, 1 내지 20 %의 수산화 나트륨 또는 나트륨 칼륨을 사용하여, 실온 내지 50 ℃에서, 2 내지 10 분 동안 이머젼 (또는 1 내지 8 볼트의 일정 전압을 인가하는 전기 분해) 에 의하여 알카리 세정하는 단계;
(4) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안 완전 물 세정하는 단계;
(5) 단계 (1) 와 유사하게, 농도 1 %의 염산, 황산, 또는 질산을 사용하여, 실온에서, 2 내지 15 분 동안, 1 내지 8 볼트의 일정 전압을 인가하는 전기 분해 (또는 이머젼) 에 의하여 산 세정하는 단계;
(6) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 완전 물 세정하는 단계;
(7) 단계 (3) 와 유사하게, 1 내지 20 %의 수산화 나트륨 또는 나트륨 칼륨을 사용하여, 실온 내지 50 ℃에서, 2 내지 10 분 동안, 이머젼 (또는 1 내지 8 볼트의 일정 전압을 인가하는 전기 분해) 에 의하여 알카리 세정하는 단계;
(8) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 완전 물 세정하는 단계;
(9) 단계 (1) 와 유사하게, 농도 1 %의 염산, 황산, 또는 질산을 사용하여, 실온에서, 1 내지 5 분 동안, 이머젼에 의한 산 세정하는 단계;
(10) 수직 방향의 액체 역류 내, 50 내지 120 ml/L의 염산 수용액 (물 1 L 당 염산 50-120 ml) 및 100 내지 300 g/L의 염화 니켈 수용액의 혼합 용액을 사용하여, 30 내지 50 ℃에서, 20 내지 120 초 동안, 수직방향으로 배치된 전극 사이에 1 내지 15 볼트의 일정 전압을 인가하는 Ni-스트라이크 도금하는 단계;
(11) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 완전 물 세정하는 단계;
(12) 수직 방향의 액체 역류 내, 150 내지 320 g/L 의 황산 니켈 수용액, 40 내지 80 g/L 염화 니켈 수용액, 15 내지 60 g/L 붕산 수용액, 및 적당량의 광촉제 (glazing agent) 의 혼합 용액을 사용하고, 20 내지 70 ℃에서, 2 내지 6분 동안, 수직 방향으로 배치된 전극 사이에 1 내지 8 볼트의 일정 전압을 인가하여, 1 내지 5 마이크로미터까지 Ni을 도금하는 단계로서, 단계 (10) 및 (12)는 3 ㎛ 두께의 하지 니켈 도금막 (34)를 형성하는 Ni 도금하는 단계;
(13) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 완전 물 세정하는 단계;
(14) 수직 방향의 액체 역류 내, 1 내지 5 g/L의 로듐 수용액 및 40 내지 100 ml/L의 황산 수용액의 혼합 용액을 사용하여, 20 내지 60 ℃에서, 20 내지 180 초 동안, 수직 방향으로 배치된 전극들간에 1 내지 8 볼트의 일정 전압을 인가하여, 0.2 내지 2 마이크로미터 두께의 로듐을 도금하는 단계로서, 예컨데, 1 ㎛의 두께의 로듐 도금막 (36) 을 형성하는 로듐 도금 단계;
(15) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 로듐을 복구하기 위하여 물 세정하는 단계;
(16) 단계 (2) 와 유사하게, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 완전 물 세정하는 단계;
(17) 순수한 물을 사용하여, 실온에서, 20 내지 120 초 동안, 완전 물 세정하는 단계; 및,
(18) 지그에서 카드 플레이트를 제거한 후, 순환하는 IPA 수용액을 사용하여, 예컨데, 실온에서 20 내지 120초 동안 알콜 세정함으로써, 프로브 핀으로부터 수분을 제거하는 단계를 포함한다.
이리듐 (Ir), 백금 (Pt) 및 루세늄 (Ru) 을 포함하는 백금족 금속 중 다른 금속으로 로듐을 대체할 수도 있다.
니켈 도금막 (34) 의 바람직한 두께는 2 내지 4 마이크로미터 범위이다. 2 마이크로미터 미만의 니켈 도금막 (34) 의 두께는 하지 층으로서 제한된 기능을 한다. 한편, 4 마이크로미터를 초과하는 두께는 프로브 카드의 비용을 증가시키지만, 스무딩 및 장벽 기능을 거의 개선시키지 않는다.
비산화성 금속막 (36) 의 바람직한 두께는 0.5 내지 1.5 마이크로미터 범위이다. 0.5 마이크로미터 미만의 비산화성 금속막 (36) 의 두께는 제한된 기계적 강도를 제공할 수 있지만, 1.5 마이크로미터를 초과하는 두께는 비용을 증대시킨다.
니켈 도금막 (34) 및 비산화성 금속막 (36) 을 형성하는 공정은 핫 디핑 (hor dipping) 또는 전기 도금 기술을 사용하는 것이 바람직하며, 이중 후자가 더욱 바람직하다.
상기 실시예를 단지 예로서 설명하였기 때문에, 본 발명도 상기 실시예에만 제한되지 아니며, 또한 당업자는 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 여러가지 변형 및 변경을 용이하게 행할 수 있다.
본 발명에 의하면, 프로브 핀의 본체를 구성하는 금속 바디 상에 니켈 하지 도금막 및 백금족 금속 중 하나 이상의 금속으로 이루어진 비산화성 금속막을 연속적으로 형성시킨 프로브 핀을 제공하여, 전극과의 접촉 회수가 증가하더라도, 프로브 핀의 팁부의 연마 및 폴리싱없이도 프로브 핀과 칩 전극의 접촉 저항값을 상한값 이하로 유지할 수 있으며, 내마찰성, 도전성, 내산화성이 우수한 프로브 핀 및 그 프로브 핀을 구비한 프로브 카드를 실현한다.
또한, 본 발명은, 프로브 핀을 프로브 카드에 장착한 채 전기 도금 방법에 의해 프로브의 금속 바디 상에 연속적으로 니켈 도금막 및 비산화성 금속막을 형성함으로써, 본 발명에 관한 프로브 카드의 고생산성 제조 방법을 제공한다.
Claims (8)
- 금속 바디 (32) 및 상기 금속 바디 (12) 상에 형성된 백금 계열족 금속 중 하나 이상의 원소로 이루어진 비산화성 금속막 (36) 을 포함하는 프로브 카드용 프로브 핀에 있어서,상기 금속 바디 (32) 및 상기 비산화성 막 (36) 사이에 니켈 도금막 (34) 을 배치하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비산화성 막 (36) 은 로듐 (Rh), 이리듐 (Ir), 백금 (Pt) 및 루세늄 (Ru) 도금막인 것을 특징으로 하는 프로브 핀
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 바디 (32) 는 텅스텐 (W), 레늄 함유 텅스텐 (ReW) 또는 베릴늄 구리 (BeCu) 로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀.
- 카드 플레이트 (14) 및 상기 카드 플레이트 (14) 상에 고정시킨 복수의 프로브 핀들 (16) 을 구비하는 프로브 카드로서,각각의 상기 프로브 핀 (16) 은, 금속 바디 (32) 및 상기 금속 바디 (32) 상에 형성된 백금족 금속 중 하나 이상으로 이루어진 비산화성 막 (36)을 포함하며, 상기 금속 바디 (32) 및 상기 비산화성 막 (36) 사이에 니켈 도금막 (34) 을 배치하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 비산화성 막 (36) 은 로듐 (Rh), 이리듐 (Ir), 백금 (Pt), 및 루세늄 (Ru) 도금막인 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속 바디 (32) 는 텅스텐 (W), 레늄 함유 텅스텐 (ReW) 또는 베릴늄 구리 (BeCu) 로 형성하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
- 금속 선의 테이퍼 성형 및 절곡에 의한 복수의 금속 바디 (32) 를 형성하는 단계,카드 플레이트 (14) 에 상기 금속 바디 (32) 를 고정시키는 단계, 및상기 금속 바디 (32) 가 상기 카드 플레이트 (14) 의 표면에 대하여 거의 균일한 높이를 갖도록, 상기 플레이트 (14) 상에 고정한 상기 금속 바디 (32) 의 팁을 폴리싱하는 단계를 포함하는 프로브 카드의 제조 방법에 있어서,상기 금속 바디 (32) 상에 니켈 도금막 (34) 및 비산화성 금속막 (36) 을 연속적으로 형성하도록, 상기 카드 플레이트 상에 고정시킨 상기 프로브 바디 (32) 를 도금하는 단계를 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 도금하는 단계는 상기 금속 바디 (32) 의 팁 부근에 서 액체 유동을 이용하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드의 제조 방법.
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