TW507309B - Probe pin for a probe card - Google Patents

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TW507309B TW090125798A TW90125798A TW507309B TW 507309 B TW507309 B TW 507309B TW 090125798 A TW090125798 A TW 090125798A TW 90125798 A TW90125798 A TW 90125798A TW 507309 B TW507309 B TW 507309B
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Kazunari Mikami
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Description

507309
五、發明說明（1) 本發明係有關於一種測試卡用之測針，牲Μ H + ^ 1 狩別是有關於 一種用以測試半導體電路（semi con due tor cim ·+、丄、
…丄。i rcu 11 )或lS I 之電性（electric characteristics)之具有測針之測試 卡0 β [習知技術]
在將晶圓分割成複數個別晶片（Chips)之前，藉由測 試卡或電路測試器（circuit tester)係可對於用以作為半 導體電路（semi conductor circuit )之晶圓上的半導體晶 片（semiconductor chips)進行電路性質的測試。 第1圖係表示用以對於半導體晶片進行測試之一般測 試卡10。該測試卡10包括有一卡片板（card plate)14與複 數測針（probe pins)16，其中，該卡片板14係具有一 /中心 孔（06111^&18口61'1：1^6)12，複數測針16係貼附於該卡片板 1 4之底面的外周圍區域上，並且這些測針丨6係以向下延伸 方式、沿著一傾斜方向（31&111：11^(^1^(；1：1〇11)而自周圍區 域朝向於該卡片板1 4之中心孔1 2。各測針1 6之末端（t i p) 係恰好位於該中心孔1 2之下方位置上。
一連通塞子（via plug )22係貫穿該卡片板14，其中， 各測針16之基部（base)係鄰接於該連通塞子22之底部，並 且各測針1 6係可藉由一連接線（丨n t e r c 〇 n n e c七w i r e ) 2 6、 該連通塞子22而分別連接於一卡片端部（card terminal)26 ’同時該卡片端部26係電性連接於一電路測 試器（未圖示）。該測針丨6係具有一末端部（t i p
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第4頁 507309
portion)，該末端部於實質上係沿著垂直方向進行沿伸， 並且於該卡片板14之上、鄰接於該中心孔12之周圍:設 於有了測針支持件（pin supp〇rt)24，其中，該測針°又 ，24係以鄰接該測針丨6之末端部的方式以對於該測針1 6進 =支承、，該測針支持件24係採用環氧樹脂所製成。一般而 言，半導體晶圓（semiconduct〇r wafer)2〇之半導體晶片 係採用該測試卡1G來進行測試，其方式係藉由將各測曰曰針^ 之末端滑動接觸於該半導體晶片之晶片電極（chip electrodes)之上而達成。
該測針1 6之材質係採用如鎢（tungsten) (ff)、含鈽鎢 (rhernum-containing tungsten)(ReW)、鈹銅（beryni· copper)(BeCu)等硬金屬（hard metal)所製 屬係具有相當理想的可加工性（w〇rkabiHty)及彈^金 (elasticity)。於該測針16之製作過程中，由這些硬金屬 材料所形成之鑄錠（ingot)係可經由延伸而形成了且有圓 形斷面、小直徑之線材。於上述硬金屬材料中，由於含筛 鎢（ReW)係具有高彈性、超抗耐磨耗性、高加工性或是具 有可被形成直徑為數十微米之金屬線等理想特性，該含鈽
鎢（ReW)係為這些硬金屬材料中最適合用以製作該測針i 6 然$，含鈽鎢（Reff)材料之表面卻相當容易被氧化。 例而。，於氧化環境（〇^(^衍〇1131111^61^)中放置24小 時之含飾鶴（ReW)材斜夕/ / 、热+ 何针之表面係會被氧化膜（oxidation film)所覆盍，該氧化膜齡 > 乳化膜所具有之南電阻值將會增加該測
507309 五、發明說明（3) " ^ ~ -- 針、該晶片電極之間的接觸阻抗（c〇ntact resistanee>。 此外，雖然該晶片電極亦可採用鋁材所製成，由於 鋁材相當容易氧化而形成氧化膜，並且在該测針之反覆摩 擦作用下所產生之鋁粉相當容易粘著於該測針之末端 上，這些鋁粉除了會於該測針之末端部上形成氧化膜^ 外，同時亦會增加該測針、Μ晶片電極之間的接觸阻抗。 為解決上述問題，當藉由該測針對於該半導體晶$完 成了數十次或數百次之测試步驟後，附著於該測針之末端 部上的氧化膜係可藉由研磨或拋光工具（grinding 〇r iol^ihirg)之研磨或拋光的作用下而被移除。然而，該研 磨或拋光工具等设備除了提高成本之 於該半導體晶片之測試時間。 丌曰曰力對 r十1 38039號專利案中係揭露出具有金屬本體 霜Π之一測#，並且於成型後之該金屬本體 之上係塗覆有一非氧化金屬薄膜（n〇n —〇xidizaMe 。在藉由金屬包覆法（metallization)於 成了數微米之非氧化金屬薄膜之後，繼而於 一真玉=兄（vacuum 或非氧化環境 金屬自該非氧化金屬薄。：：：-熱處理方式將非氧化 M ^ ^ ± m n寻膜擴政至該鎢本體之上，如此便可 之底部為基準且對於各測之上，並且在以該卡片板 下’複數測針之間係可cc進行適當的研磨之 丁』有相當均勻的高度。
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第6頁 507309 五、發明說明（4) •然而，上述JP-A- 1 1 -38039號專利案仍具有以下缺 點· (1)於熱處理過程中，當該測針之表面變換其位置 時，鎢原子便會經由金屬固體擴散（metaUic MHd diffusion)方式而自該鎢本體而擴散至該非氧化金屬薄 膜， 太且(古2)Λ於在該鶴本體而擴散、該非氧化金屬薄膜之間 m ί的黏者性(adherence) ’因而在該鎢本體而擴 散、該非氧化金屬薄膜之間極為容易產生剝離現象、 (peel-off); (3)雖然藉由拋光處理以增加該鎢本體 =增；度等方式係可以增加該鎢本體而 ϊΐ該間的黏著性，但此-方式亦會 Α愿在具有均勻高度之複數測針的作用下，該非氧化 η:測針之末端部的摩擦作用而被移除。 ,.r：i
β Μ # m ^ 所徒供一種具有較低阻抗之測針，咨A ;測=於該半導體晶片進行了重覆測試步‘ 發：侍ί:係可以不必再進行研磨或拋光處理。此外：： 2係有關於具有該测針之一本 於該測試卡之製作方法。 1 j吋也如出了關 本發明之目的係在於提供一 包括一金屬本體（metal 1彳,,^ J八卡之劂針，該測針 骽UetalUc body)、一鍍鎳薄臈（nickei
plating 其中，該 薄膜係由 者所製成 本發 包括^—^ 上，各測 薄膜，該 膜係由鉑 係形成該 ilm)及非氧化薄膜（non-oxidizable film)， 鍍鎳薄膜係形成於該金屬本體之上，而該非氧化 舶族金 f (Platinum gr〇up metals)中之至少一 "亥非氧化薄膜係形成該鍍鎳薄膜之上。 月之另目的係在於提供一種測試卡，該測試卡 片板及複數測針，各測針係固定於該卡片板之 針係包括有一金屬本體、一鍍鎳薄膜及一非氡化 ?鎳薄膜係形成於該金屬本體之上，該非氧化薄
私金屬中之至少一者所製成，並且該非氧化薄膜 鍍鎳薄膜之上。 、 、本發明之又一目的係在於提供一種測試卡之製造方 法，包括以下步驟：藉由將複數金屬線（metallic wires) 以錐狀成型（taper-shaping)、彎_(bending)的方式而形 成複數金屬本體（„1以311丨(：b〇dy);將各金屬本體固定於 一卡片板，對於固定在該卡片板之各金屬本體之複數末端 (tips)進行拋光處理，在相對於該卡片板之表面下之係可 使知各金屬本體於實質上具有均勻高度；對於固定在該卡 片板之各金屬本體進行電鍍，使得各金屬本體上形成了連
續之一鍍鎳薄膜（nickel plating film)及一非氧化薄膜 (non-oxidizable film) 〇 基於上述所提出之本發明之測針、測試卡及用以製作 該測試卡之方法可知，該鍍鎳薄膜係用以做為一平滑底層 薄膜（under lying fUm)，藉由該鍍鎳薄膜除了可以增加 該金屬本體與該底層非氧化金屬薄膜之間的黏著性之外，
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第8頁
金屬做層(barrier layer)以防止於該 金屬固體擴散。該f::金：之間產生 (:=·入該)金屬本體之表面上二或 =，、中的錄原 黏著性。 ㈢’、σ以使得該金屬本體具有理想的 片電ΐ:產滑表面的作用.下，經由該1 上，並且當該巧”薄膜之
外，該測i之部上不會產生氣化之 、· T 不鳊邛亦可不必再進行拋光處理。 為讓本發明之上述目的、特徵及 ;文特舉-較佳實施例，並配合所附圖式女 圖式簡單說明 ， 第1圖係表示根據具有複數測針（pr〇be pins)之一 測試卡（probe card)之剖面圖。 第2圖係表示根據本發明之一實施例中之一測針 (probe pins)的側視圖。 第3圖係表示根據第2圖中之該測針之局部放大剖面 圖。 第4圖係表示根據實施例中之該測針之接觸阻抗 (contact resistance)、與晶片電極（chip electr〇des)
507309 五、發明說明（7) 接觸時之重覆時間（repetiti〇n time)2 夠試卡 第5圖係表示根據實施例中之 ^ $關係圖 之 之 程序步驟的流程圖。 t 乍 第6係表示用以在該金屬本體之上形 電鍍系統（electric plating system)之Γϊ電鍍薄膜 σ，]面示意圖 符號說明 1 4〜卡片板； 1 6 a〜基部； 1 6 c〜彎曲部； 26〜中間連接線； 3 4〜底層鎳薄膜； 42〜電鍍池； 46〜循環泵； 50A、50B〜治且； 54、56〜塾片； SI、S2、S3、S4〜第一 1 6〜測針； 1 6 b〜錐部； 16d〜末端部； 32〜金屬本體； 36〜非氧化金屬薄膜； 44〜管件； 4 8〜陽極； 52〜固定元件； 、二、三、四步驟。 實施例 以下將特舉一較佳實施例且配合所附圖式進行詳細說 明。 請參閱第2圖，圖中係表示根據本發明之一實施例中 之測針1 6 ’該刪針1 6所具有之形狀係相似於習用測針之形 狀’並且由' ^片板（card plate)(未圖示）的方向所觀察
2133-4416-PF;ahddub.ptd 507309 五、發明說明（8) 之該測針1 6係具有連續的外型。該測針1 6包括有一基部 (base p〇rti〇n)16a、一錐部（taper portion)16b、一彎 曲部（bend)16c 及一末端部（tip portion)16d。該基部 16a 係具有一最大直徑（maximum diameter)。該錐部16b係具 有一較小直徑（smaller diameter)，並且該錐部16b係沿 著一傾斜方向（slanted direction)進行延伸且朝向於末 端。該彎曲部16c所具有之彎形角度約大於90度。該末端 部1 6d於實質上係沿著垂直方向進行延伸。 第3圖係表示出該測針1 6之末端部1 6 d的相關結構，其 中，該測針16係包括有一金屬本體（metallic body)或針 本體（pin body)32、一電鍍薄膜（plating film)34、一非 氧化金屬薄膜（non-oxidizable metallic film)(保護膜 (overcoat))36。該金屬本體32係由含鈽鎢 (rhenium-containing tungsten，ReW)所製成。該電鍍薄 膜34係為由鎳（Ni )所製成且形成於該金屬本體32之上，並 且藉由該電鍍薄膜34做為一底層電鍍薄膜（underlying plating film)。該非氧化金屬薄膜36係形成於該底層電 鍍薄膜34之上’並且該非氧化金屬薄膜36係由鉑族金屬 (platinum group metals)所製成 。 該金屬本體32係採用直徑為〇· 之含鈽鶴線所製 成’並且該金屬本體32亦可藉由嫣（tungsten)或鈹銅 (beryllium copper，BeCu)材料所製成。藉由電鍍過程 (electric-plating process)所形成於該金屬本體32之上 的該電鍍薄膜34的厚度為3微米（mirc〇meters)。
507309 五、發明說明（9) '~ --- 4iiit(rh〇dium，Rh)金屬以電鍍方式所製成之該非 屬薄賴的厚度w微米，其中，铑金屬係由銘族 金屬中所選出，並且於铑金屬與該晶片電極（chip mc=〇des)之間係可具有相當穩定的接觸情況。铑金屬 係基於以下情況而具有較長的使用壽命： 铑金屬於溫度500 t之下係為會產生氧化現象； (2 )於鉑族金屬中係以铑金屬具有最小比電阻 ‘ (specific resistance)； 麗筏)分姥金屬不會擴散至該晶片電極之銘金屬，該紹金 屬係為該晶片電極之主要元件；以及 (4)姥金屬的硬度高達Hv8〇〇至Hvl〇〇〇之間。 於第1圖中係表示出本實施例中之複數 般的測試卡之中。 《 - π π $由貼附有測針之該測試卡係可對於重覆接觸測試後 貝施例的各項特徵加以量測，而其中係主要對於各例 鋁層上附加有銅之複數晶片電極之間的接觸阻抗 二=進行量測，該晶片電極係形成於微 工"早 ^(micr0 control ier units，MCUs)之上。 在進行各例子、晶片電極之間的第一次接觸之後且進 =X UP、12· 5χ 1〇3、47· 5χ ι〇3、ιι〇χ ι〇3 次重覆接 後’便可對於各例子、晶片電極之間的接觸阻抗進行 I淠’並且於各量測過程期間、任兩量測過程之間係不會 為了要清潔作業而對於測針進行接地。第4圖係表示各量 貝過転之後的結果，其中，圓點（circular d〇ts)係表示
507309 五、發明說明（ίο) ' 1— 所測得之接觸阻抗，而虛線係表示所測得之接觸阻抗的平 1值（mean value),並且由圖中係可看出平均初始接觸阻 杬（mean initial contact resistance)為 1·〇 歐姆（Q)。 、 此外，採用一般測針之其它相關例子係仍需要藉由上 述方式，行製作及量測，並且在這些相關的例子之量测過 程中所得到之平均初始接觸阻抗為1 · 0歐姆。然而，當接 觸阻抗超過2· 5歐姆時，重覆接觸次數超過5χ 1〇3之^的 j分則，法對於該半導體晶片之各電性特徵進行量測，因 必須停止相關的量測程序。於第4圖中係以三角點 d:ts)表示經由上述方式所量測之相關例子 抗。 几，、’且以實線（solid 1 ine)表示平均接觸阻 本實之實施例與相關例子之間的比較可知，藉由 特別的是’在重覆接觸次觸阻抗。更 〇〇〇個丰導體曰u从、丨 10之後或在進行11 ^ 曰日片的測试過程之後，本實施例中夕垃艇_ 抗係仍可保有低於丨5歐Μ+貫施例中之接觸阻 關例子的接觸阻抗M t # 而採用一般測針之相 ^ ^5, 0 0 〇 Λ i ^ ^ x 103 - ^ ^ 因此，在相較於採用一般測針H後便會超過丨.5歐姆。 測針係可藉由其 ^ ^ 目胃例子下，本實施例之 的產生。 所，、有之較兩電阻的特性以防止氧化現象 在進行重覆接觸之後，太垂 測針之末端進行研磨^ ^例係可不必再藉由對該 次拋先等方式以使得該測針與該晶片
2133'44l6-PF；ahddub. ptd 第13頁 五、發明說明（11) 電極之間的接觸阻抗降低 單位時間内對於丰莫雜a μ A吁靶 如此除了可以提高 少於測，過，中所需之時間與成本。 门時亦可減 “ i ί注意的是，由於做為底層電鍍薄膜該铑·趙七非 薄膜係具有較長的使用壽命及較佳的非 極上是不會存在有铑成份的。 …曰片電 除了上述於第1圖中所提出的相關製作方式之外，於 5田圖中係針對本發明之另一實施例中之測試卡的製作程 序提出相關的說明。於第一步驟（S1)中，各測針之金屬本 體係由含鈽鎢製成之金屬線經由錐狀成型 (taper shaping)、彎曲（bending)而得，該金屬線之彎曲 部分係接近於該測針之末端部，並且藉由熱處理方式以控 制該金屬線之硬度及移除内部之殘留應力。 於第二步驟S2中係藉由模化樹脂（mold resin)將該測 針16之金屬本體貼附且固定於一卡片板（card plate)14之 上，其後針對各測針1 6而於該卡片板1 4之上形成了 一中間 連接線（interconnect wire)26。在以該卡片板14之底部 為基準下，於第三步驟S3中係對個測針16之末端進行接， 並且藉由拋光處理使得各測針1 6具有均勻的高度。 請參閱第3圖，於第四步驟S4中係藉由一電鍍處理 (electric plating process)於該測針16之各金屬本體上 形成了具有3微米厚（3- /zm-thick)之底層鎳薄膜 (underlying nickel film)34及具有1微米厚之姥薄膜。
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第14頁 507309 五、發明說明（12) "—" ^ 請參閱第6圖，於步驟S4中所使用之該電鍍系統包括 有一電鑛池（plating bath)42、一液體循環系統（liquici circulating system)及一陽極（an〇(je)48。該測針 16 用之 電鍍液係放置於該電鍍池42之中，並且藉由該液體循環系 統中之一管件（tube)44及一循環泵（circu；[ar pUmp)46以 對於該電鍍池42中之電鍍液進行循環作業處理，而該陽極 48係設置於該電鍍液之中。該陽極48與與做為陰極使用之 該測針1 6係共同組合為一成對電極。 ❿ 於該電鍍池42中之一固定元件（fixing member)52上 係形成有一成對治具（j igs)50A、50B，在藉由該治具 50A、50B對於該卡片板38進行夾持的作用下，包含有該末 端部1 6 d之大部分的該測針1 6便可完全浸入於該電鍍液之 中。於該固定元件52中係包括有一成對墊片（gasket)54、 56 ’該墊片54、56係分別設置於該治具50A、該卡片板38 之間與該治具50B、該卡片板38之間，如此係可防止該電 鍍液自該電鍍池42之中流失。 藉由採用第6圖中之該電鍍系統的該電鍍程序係可經 由以下步驟來形成該鎳薄膜（nickel plating film)與錢 薄膜（rhodium f i lm): (1)室溫之下，藉由濃度為1%之氫酸（hydrochloric acid)、硫酸（suifuric acid)或石肖酸（nitric acid)進行 該金屬本體32之酸清洗（acid cleaning)處理，並且在位 於一循環液體流（circulating liquid flow)中的該金屬 本體32、該陽極48之間（或以浸入（i匪ersion)方式來取
第15頁 2133-4416-PF;ahddub.ptd 507309
代）施加卜8伏特之固定電壓以進行電解（61^“〇1”丨3)處 理； 五、發明說明（13) (2 )室溫之下’藉由水對於循環清潔水流 (circulating clean water flow)中之該金屬本體32 進行 2 0 - 1 2 0秒之徹底清潔處理； (3) 於室溫至50 °C之間，藉由濃度為卜別％之氫氧化納 (sodium hydroxide)或納鉀鹼（s〇dium p〇tash)以浸入（或
於1-8伏特之固定電壓下進行電解處理）方式於一循環液體 流中進行!分鐘之鹼清潔（alkaH cleaning)處理； (4) 至溫之下’於循環清潔水流中藉由水進行2〇 —12〇 秒之徹底清潔處理，此一步驟係相同於步驟（2 ); ()至之下藉由》辰度為1%之氫酸、硫酸或確酸進 仃酸清洗處理，並且藉由卜8伏特之固定電壓（或浸入方 式）進行電解處理，此一步驟係相同於步驟（丨）； (6 )至溫之下’於循環清潔水流中進行2 0 _ 1 2 0秒之徹 底々潔處理，此一步驟係相同於步驟（2 );
、（7)於室溫至5〇它之間，藉由濃度為卜2〇%之氫氧化納 或納鉀鹼、以浸入（或於卜8伏特之固定電壓下進行電解處 理）方式於/一循環液體流中進行2_丨〇分鐘之鹼清潔處理， 此一步驟係相同於步驟（3); (8)至溫之下’於循環清潔水流中進行20- 1 20秒之徹 底清潔處▲理’此一步驟係相同於步驟（2); / ( ^溫之下，藉由濃度為1 %之氫酸、硫酸或硝酸進 行1 5刀里之酉夂’月洗處理，此一步驟係相同於步驟（3 );
507309 五、發明說明（14) (10) 於30-5(TC之間，藉由50- 1 20ml/L氫酸溶液 (hydrochloric acid solution(50-120ml 氫酸/ 一公升 水））、100-300g/L鎳氯化物溶液（nickel chloride solution)之混合物進行20-120秒之鎳衝擊電鑛 (Ni-strike plating)，並且於垂直方向上之往復液體流 (reciprocal liquid flow)中對於沿垂直方向上設置之複 數電極之間施加卜1 5伏特的固定電壓； (11) 室溫之下，於循環清潔水流中進行20- 1 20秒之徹 底清潔處理，此一步驟係相同於步驟（2 );
(12) 於20 - 70°C之間，藉由1 50 - 320 g/L硫酸鎳溶液 (nickel sulfate solution)、40-80 g/L 鎳氣化物溶液、 15 - 60 g/L侧酸溶液、適當的上釉劑量（giazing料⑼^等 之混合物以進行2-6分鐘、厚度為1-5微米之鎳層金屬的電 鍍作業，並且於垂直方向上之往復液體流中對於沿垂直方 向上設置之複數電極之間施加1-8伏特的固定電壓，其 中，藉由步驟（10)、（12)係可形成了3微米厚之底層鍍鎳 薄膜34 ; (1 3 )室溫之下，於循環清潔水流中進行2 〇 — 1 2 0秒之徹 底清潔處理，此一步驟係相同於步驟（2 );
(14)於 20 - 60 °C 之間，藉由 1-5 g/L 鍺溶液（rh〇dium solution)、40- 1 00 ml/L 硫酸溶液（suifuric acid solution)之混合物以進行20-1 80秒、厚度為0·2-2微米之 铑層金屬的電鍍作業，並且於垂直方向上之往復液體流中 對於沿垂直方向上設置之複數電極之間施加卜8伏特的固
507309 五、發明說明（15) 定電壓，例如·· 1微米厚之鍍铑薄膜36 ; (15) 至，孤之下’對於铑之恢復（recovery)進行20-120 秒之水清3理’此-步驟係相同於步驟(2); (16) 室/JDL之下’於循環清潔水流中進行20- 1 20秒之徹 底清潔處，、i此一步驟係相同於步驟（2); (17) 至·之下’藉由純水（pure water)進行 之徹底清潔處理；以及 (18) 藉由一循環 IPA 溶液（circulating ιρΑ * solution)進行酒精清潔（alc〇h〇1處理例 如：在將水自該測針所移除且將該測試卡自該治具移除之 後，於室溫之下進行2〇_12〇秒之酒精清潔處理。 上述之铑金屬亦可藉由包括有銀（iridium， Ir)、鉑 (platmum, Pt)及釕（ruthenium，Ru)之鉑族金屬所取 代。 該鍍鎳薄膜34的厚度係以介於2_4微米之間為佳，而 厚度小於2微米之下的鍍鎳薄膜34係僅限於做為底層 用換。之雖然藉由厚度大於4微米之該鍍鎳薄膜 34 =可以稍微提高該測試卡之平滑性（sm〇〇thi叫）與阻芦 功旎（barrier functions)，但於該測試卡之製作成太: 亦會相對地提高。 上 、該非氧化金屬薄膜36的厚度係以介於〇· 5 —丨· 5微米 圭’並且厚度小於0.5微米之下的該非氧化金^ 36係仍可提供適當的機械強度，而厚度大於15微米 的該非氧化金屬薄膜36則相對地會提高製作成本。
507309 五、發明說明（16) 於該鍍鎳薄膜34、該非氧化金屬薄膜36之 係以採用熱浸法（hot diPping)或電鍍技 乍中 又以採用電鍍技術尤佳。 比 而其中
雖然本發明已以較佳會A 阳立丨士恭⑽ / 貝方也例揭露如上，麸盆甘非ra 限制本發明，任何熟習此項技藐 “、、具並非用以 神和範圍内，當可做更動與潤= 在不脫離本發明之精 當事後附之中請專利範園;S定者:二本發明之保護範圍
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第19頁

Claims (1)

  1. /、'申請專利範圍 L —種測試卡之測針，包括. 一金屬本體； C括 一鑛鎳薄膜，带士 -非氧化薄腺ί該金屬本體之上；以及 非氣化·Μ ^ 4 由鉑族金屬中之至少—者所$ & 4 '化丄專膜係形成該鍍錄薄膜之上。 考所製成’该 中，兮I^晴專利範圍第1項所述之測試卡之測斜A 鑛心膜。化薄膜係為錢铑薄膜、鍍銀薄《、鑛麵薄膜或 中，3該2圍第1項所述之測試卡之測針，其 t一種測試卡，包括： i成。 卡片板及複數測針，該等測針係 上，各該等測針係白虹士 ^ ^ ^ ^㈡疋於該卡片板之 氧化薄膜，兮二=有一金屬本體、一鍍鎳薄膜及-非 薄金屬中之至少一者所製成，並且該2 漘膜係形成該鍍鎳薄膜之上。 升虱化 5二如申請專利範圍第丨項所述之測試卡，豆 膜。匕薄膜係為鑛姥薄膜、鑛銀薄膜、❹薄膜或錄舒薄非 6·如申請專利範圍第1項所述之測試卡，其中， 屬本體係由鶴、含鈽鎢或鈹銅所製成。 ’、^金 7三一種測試卡之製造方法，包括以下步驟·· 藉由將複數金屬線以錐狀成型、彎 數金屬本體； 幻万式而形成複 第20頁 2133-4416-PF;ahddub.ptd 507309 六、申請專利範圍 ^^ 將該等金屬本體 對於固定在該十定於一卡片板； 拋光處理，在相對於二板之該等金屬本體之複數末端進行 屬本體於實質上具有=卡;^板之表面下之係可使得該等金 /、 弓勻高度；以及 ^ ^於固定在該卡片板之該等金屬本體進行電鍍，使得 該等金屬本體上形成了連續之一鍍鎳薄膜及一非氧化薄 膜。 、 . 8.如申請專利範圍第7項所述之測試#^之±製造方法， 其中，該電鍍步驟係於該等金屬本體之^末端之鄰近位 置上採用了 一液體流。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103534599A (zh) * 2011-01-13 2014-01-22 株式会社山景工程 检查用探头的制造方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1285915C (zh) * 2001-07-02 2006-11-22 日本发条株式会社 导电性接头
JP4045084B2 (ja) * 2001-08-17 2008-02-13 株式会社神戸製鋼所 電気的接続検査装置
US8225481B2 (en) * 2003-05-19 2012-07-24 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Diffusion bonded composite material and method therefor
JP4723195B2 (ja) * 2004-03-05 2011-07-13 株式会社オクテック プローブの製造方法
US7023231B2 (en) * 2004-05-14 2006-04-04 Solid State Measurements, Inc. Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof
KR20050123309A (ko) * 2004-06-24 2005-12-29 주식회사 새한마이크로텍 반도체 장치 탐침용 프로브핀
WO2006064546A1 (ja) 2004-12-14 2006-06-22 Advantest Corporation コンタクトピン、それを用いたプローブカード及び電子部品試験装置
JP4523438B2 (ja) * 2005-02-03 2010-08-11 山一電機株式会社 プローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法
JP4216823B2 (ja) * 2005-03-04 2009-01-28 田中貴金属工業株式会社 プローブピン及び該ブロ−ブビンを備えたブロ−ブカ−ド
JP4676224B2 (ja) * 2005-03-23 2011-04-27 東京特殊電線株式会社 プローブ針及びその製造方法
JP4584140B2 (ja) * 2005-12-26 2010-11-17 志忠 王 プローブカードに設置されたプローブ針表面の処理方法
KR101159074B1 (ko) * 2006-01-14 2012-06-25 삼성전자주식회사 도전성 탄소나노튜브 팁, 이를 구비한 스캐닝 프로브마이크로스코프의 탐침 및 상기 도전성 탄소나노튜브 팁의제조 방법
KR100764631B1 (ko) * 2006-04-13 2007-10-08 (주)티에스이 프로브 팁 라운드 형상 가공 방법
US20080122470A1 (en) * 2006-11-27 2008-05-29 Wen-Yu Lu Probe installed to a probe card
JP5046909B2 (ja) 2007-12-21 2012-10-10 株式会社日本マイクロニクス 電気試験用接触子、これを用いる電気的接続装置、及び接触子の製造方法
JP4213761B1 (ja) * 2008-02-27 2009-01-21 田中貴金属工業株式会社 硬度、加工性、並びに、防汚特性に優れたイリジウム合金
KR100949984B1 (ko) * 2008-06-30 2010-03-26 장경규 프로브 카드용 니들
KR100940010B1 (ko) * 2009-08-24 2010-02-03 이성광 프로브 핀 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 프로브 핀
JP5691193B2 (ja) 2010-02-26 2015-04-01 富士通セミコンダクター株式会社 コンタクタ、半導体装置の試験装置、及び半導体装置の製造方法
JP2012037401A (ja) * 2010-08-09 2012-02-23 Sankei Engineering:Kk 検査用プローブの製造方法
CN102375080B (zh) * 2010-08-20 2014-08-13 旺矽科技股份有限公司 组合式探针头
JP5340462B2 (ja) * 2012-08-14 2013-11-13 株式会社サンケイエンジニアリング 検査用プローブの製造方法
TWI574013B (zh) * 2013-03-15 2017-03-11 穩懋半導體股份有限公司 探針卡、探針結構及其製造方法
EP2894483B1 (en) * 2014-01-09 2018-06-27 Multitest elektronische Systeme GmbH Contact tip and contact element and method of producing the same
US10330701B2 (en) * 2014-02-22 2019-06-25 International Business Machines Corporation Test probe head for full wafer testing
EP3241028B1 (en) * 2014-12-30 2020-02-05 Technoprobe S.p.A Contact probe for testing head
CN106935524B (zh) 2015-12-24 2020-04-21 台湾积体电路制造股份有限公司 探针卡和晶圆测试***及晶圆测试方法
CN107881537B (zh) * 2017-03-22 2019-07-02 珠海市斗门区永兴盛金属塑料制品有限公司 一种铍铜表面镀镍钨磷合金及其制备方法
KR102072634B1 (ko) * 2018-10-17 2020-02-03 한국생산기술연구원 부식 및 전기적 특성을 향상시킨 프로브카드 니들
JP7146663B2 (ja) * 2019-02-15 2022-10-04 株式会社荏原製作所 基板ホルダ及びめっき装置
JP2021076486A (ja) * 2019-11-11 2021-05-20 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
JP2022060711A (ja) 2020-10-05 2022-04-15 東京特殊電線株式会社 コンタクトプローブ
CN114921839B (zh) * 2022-05-19 2023-11-10 强一半导体(苏州)股份有限公司 一种用于探针针尾镀金的方法及定位治具
CN115029747A (zh) * 2022-07-26 2022-09-09 上海泽丰半导体科技有限公司 一种探针处理方法及探针

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US900316A (en) * 1907-05-04 1908-10-06 Alexis Alexander Shukoff Process of making terpene esters.
JPS5922810B2 (ja) 1977-07-19 1984-05-29 カネボウ株式会社 ポリエステルミシン糸の製造法
US4837622A (en) 1985-05-10 1989-06-06 Micro-Probe, Inc. High density probe card
JPS63310977A (ja) 1987-02-25 1988-12-19 Marubishi Kinzoku Kogyo Kk 精密スプリングに成形加工されることを目的とするめつきハイカ−ボンワイヤ−
JPH01169367A (ja) 1987-12-25 1989-07-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 微小電極抵抗測定用プローブ
JPH01287484A (ja) 1988-05-16 1989-11-20 Hitachi Ltd プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体ｌｓｉ検査装置
JPH0212070A (ja) 1988-06-30 1990-01-17 Toshiba Corp 検査装置の製造方法
US5134365A (en) * 1989-07-11 1992-07-28 Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained
JPH03180769A (ja) 1989-12-11 1991-08-06 Kobe Steel Ltd 検査用触子
JP2769015B2 (ja) 1990-03-08 1998-06-25 株式会社神戸製鋼所 電子回路基板検査用プローバーピンヘッド及びその製造方法
US5325052A (en) * 1990-11-30 1994-06-28 Tokyo Electron Yamanashi Limited Probe apparatus
JP2502231B2 (ja) 1991-12-17 1996-05-29 株式会社東京カソード研究所 プロ―ブカ―ド検査装置
DE4204244A1 (de) 1992-02-13 1993-08-19 Porsche Ag Antriebsverbindung mit drehschwingungsdaempfung im antriebsstrang eines kraftfahrzeugs
JPH0795079B2 (ja) 1992-04-28 1995-10-11 日本電子材料株式会社 プローブカード
JPH05322930A (ja) 1992-05-15 1993-12-07 Nippon Maikuronikusu:Kk プローブ組立体およびその製造方法
JPH06249879A (ja) 1993-03-01 1994-09-09 Kobe Steel Ltd プローブユニットの製造方法
JPH07248337A (ja) 1994-03-11 1995-09-26 Okano Denki Kk コンタクトプローブ
KR100212169B1 (ko) 1996-02-13 1999-08-02 오쿠보 마사오 프로브, 프로브의 제조, 그리고 프로브를 사용한 수직동작형 프로브 카드 어셈블리
JPH09236619A (ja) 1996-02-29 1997-09-09 Nippon Denshi Zairyo Kk 縦型プローブカード
DE19617488C2 (de) 1996-05-02 2002-03-07 Gustav Krueger Kontaktelement für lösbare elektrische Verbindungen
JPH1031034A (ja) 1996-07-17 1998-02-03 Denki Kagaku Kogyo Kk 平行度調整器付きプローブカード
US5900316A (en) * 1996-12-06 1999-05-04 International Business Machines Corporation Flexible conductive sheet
JP3164535B2 (ja) * 1997-07-24 2001-05-08 日本電子材料株式会社 プローブ先端部の改質方法
JP3279246B2 (ja) 1997-09-12 2002-04-30 三菱電機株式会社 半導体装置のテスト用プローブ針とその製造方法、このプローブ針を用いたプローブ装置、このプローブ針による半導体装置のテスト方法、およびこのプローブ針によりテストされた半導体装置
EP1351060B1 (en) 1997-07-24 2005-10-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a test probe for semiconductor devices
JP3280327B2 (ja) 1997-10-02 2002-05-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション テスト・プローブ構造体及びその製造方法
JP3123483B2 (ja) 1997-10-28 2001-01-09 日本電気株式会社 プローブカード及びプローブカード形成方法
JP3458684B2 (ja) 1997-11-28 2003-10-20 三菱マテリアル株式会社 コンタクトプローブ
JPH11273818A (ja) 1998-03-26 1999-10-08 Matsushita Seisakusho:Kk 半導体素子検査用ソケットのコンタクト
KR20000059158A (ko) 2000-07-19 2000-10-05 홍영희 프로브, 프로브 카드 및 프로브의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103534599A (zh) * 2011-01-13 2014-01-22 株式会社山景工程 检查用探头的制造方法

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