TW507309B - Probe pin for a probe card - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title abstract description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 25
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 83
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 83
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 61
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 40
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- -1 platinum group metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000010627 Phaseolus vulgaris Nutrition 0.000 claims 1
- 244000046052 Phaseolus vulgaris Species 0.000 claims 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 claims 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 22
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 35
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 101100493712 Caenorhabditis elegans bath-42 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241000272470 Circus Species 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000012812 general test Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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-
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Description
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五、發明說明(1) 本發明係有關於一種測試卡用之測針,牲Μ H + ^ 1 狩別是有關於 一種用以測試半導體電路(semi con due tor cim ·+、丄、
…丄。i rcu 11 )或lS I 之電性(electric characteristics)之具有測針之測試 卡0 β [習知技術]
在將晶圓分割成複數個別晶片(Chips)之前,藉由測 試卡或電路測試器(circuit tester)係可對於用以作為半 導體電路(semi conductor circuit )之晶圓上的半導體晶 片(semiconductor chips)進行電路性質的測試。 第1圖係表示用以對於半導體晶片進行測試之一般測 試卡10。該測試卡10包括有一卡片板(card plate)14與複 數測針(probe pins)16,其中,該卡片板14係具有一 /中心 孔(06111^&18口61'1:1^6)12,複數測針16係貼附於該卡片板 1 4之底面的外周圍區域上,並且這些測針丨6係以向下延伸 方式、沿著一傾斜方向(31&111:11^(^1^(;1:1〇11)而自周圍區 域朝向於該卡片板1 4之中心孔1 2。各測針1 6之末端(t i p) 係恰好位於該中心孔1 2之下方位置上。
一連通塞子(via plug )22係貫穿該卡片板14,其中, 各測針16之基部(base)係鄰接於該連通塞子22之底部,並 且各測針1 6係可藉由一連接線(丨n t e r c 〇 n n e c七w i r e ) 2 6、 該連通塞子22而分別連接於一卡片端部(card terminal)26 ’同時該卡片端部26係電性連接於一電路測 試器(未圖示)。該測針丨6係具有一末端部(t i p
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portion),該末端部於實質上係沿著垂直方向進行沿伸, 並且於該卡片板14之上、鄰接於該中心孔12之周圍:設 於有了測針支持件(pin supp〇rt)24,其中,該測針°又 ,24係以鄰接該測針丨6之末端部的方式以對於該測針1 6進 =支承、,該測針支持件24係採用環氧樹脂所製成。一般而 言,半導體晶圓(semiconduct〇r wafer)2〇之半導體晶片 係採用該測試卡1G來進行測試,其方式係藉由將各測曰曰針^ 之末端滑動接觸於該半導體晶片之晶片電極(chip electrodes)之上而達成。
該測針1 6之材質係採用如鎢(tungsten) (ff)、含鈽鎢 (rhernum-containing tungsten)(ReW)、鈹銅(beryni· copper)(BeCu)等硬金屬(hard metal)所製 屬係具有相當理想的可加工性(w〇rkabiHty)及彈^金 (elasticity)。於該測針16之製作過程中,由這些硬金屬 材料所形成之鑄錠(ingot)係可經由延伸而形成了且有圓 形斷面、小直徑之線材。於上述硬金屬材料中,由於含筛 鎢(ReW)係具有高彈性、超抗耐磨耗性、高加工性或是具 有可被形成直徑為數十微米之金屬線等理想特性,該含鈽
鎢(ReW)係為這些硬金屬材料中最適合用以製作該測針i 6 然$,含鈽鎢(Reff)材料之表面卻相當容易被氧化。 例而。,於氧化環境(〇^(^衍〇1131111^61^)中放置24小 時之含飾鶴(ReW)材斜夕/ / 、热+ 何针之表面係會被氧化膜(oxidation film)所覆盍,該氧化膜齡 > 乳化膜所具有之南電阻值將會增加該測
507309 五、發明說明(3) " ^ ~ -- 針、該晶片電極之間的接觸阻抗(c〇ntact resistanee>。 此外,雖然該晶片電極亦可採用鋁材所製成,由於 鋁材相當容易氧化而形成氧化膜,並且在該测針之反覆摩 擦作用下所產生之鋁粉相當容易粘著於該測針之末端 上,這些鋁粉除了會於該測針之末端部上形成氧化膜^ 外,同時亦會增加該測針、Μ晶片電極之間的接觸阻抗。 為解決上述問題,當藉由該測針對於該半導體晶$完 成了數十次或數百次之测試步驟後,附著於該測針之末端 部上的氧化膜係可藉由研磨或拋光工具(grinding 〇r iol^ihirg)之研磨或拋光的作用下而被移除。然而,該研 磨或拋光工具等设備除了提高成本之 於該半導體晶片之測試時間。 丌曰曰力對 r十1 38039號專利案中係揭露出具有金屬本體 霜Π之一測#,並且於成型後之該金屬本體 之上係塗覆有一非氧化金屬薄膜(n〇n —〇xidizaMe 。在藉由金屬包覆法(metallization)於 成了數微米之非氧化金屬薄膜之後,繼而於 一真玉=兄(vacuum 或非氧化環境 金屬自該非氧化金屬薄。:::-熱處理方式將非氧化 M ^ ^ ± m n寻膜擴政至該鎢本體之上,如此便可 之底部為基準且對於各測之上,並且在以該卡片板 下’複數測針之間係可cc進行適當的研磨之 丁』有相當均勻的高度。
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第6頁 507309 五、發明說明(4) •然而,上述JP-A- 1 1 -38039號專利案仍具有以下缺 點· (1)於熱處理過程中,當該測針之表面變換其位置 時,鎢原子便會經由金屬固體擴散(metaUic MHd diffusion)方式而自該鎢本體而擴散至該非氧化金屬薄 膜, 太且(古2)Λ於在該鶴本體而擴散、該非氧化金屬薄膜之間 m ί的黏者性(adherence) ’因而在該鎢本體而擴 散、該非氧化金屬薄膜之間極為容易產生剝離現象、 (peel-off); (3)雖然藉由拋光處理以增加該鎢本體 =增;度等方式係可以增加該鎢本體而 ϊΐ該間的黏著性,但此-方式亦會 Α愿在具有均勻高度之複數測針的作用下,該非氧化 η:測針之末端部的摩擦作用而被移除。 ,.r:i
β Μ # m ^ 所徒供一種具有較低阻抗之測針,咨A ;測=於該半導體晶片進行了重覆測試步‘ 發:侍ί:係可以不必再進行研磨或拋光處理。此外:: 2係有關於具有該测針之一本 於該測試卡之製作方法。 1 j吋也如出了關 本發明之目的係在於提供一 包括一金屬本體(metal 1彳,,^ J八卡之劂針,該測針 骽UetalUc body)、一鍍鎳薄臈(nickei
plating 其中,該 薄膜係由 者所製成 本發 包括^—^ 上,各測 薄膜,該 膜係由鉑 係形成該 ilm)及非氧化薄膜(non-oxidizable film), 鍍鎳薄膜係形成於該金屬本體之上,而該非氧化 舶族金 f (Platinum gr〇up metals)中之至少一 "亥非氧化薄膜係形成該鍍鎳薄膜之上。 月之另目的係在於提供一種測試卡,該測試卡 片板及複數測針,各測針係固定於該卡片板之 針係包括有一金屬本體、一鍍鎳薄膜及一非氡化 ?鎳薄膜係形成於該金屬本體之上,該非氧化薄
私金屬中之至少一者所製成,並且該非氧化薄膜 鍍鎳薄膜之上。 、 、本發明之又一目的係在於提供一種測試卡之製造方 法,包括以下步驟:藉由將複數金屬線(metallic wires) 以錐狀成型(taper-shaping)、彎_(bending)的方式而形 成複數金屬本體(„1以311丨(:b〇dy);將各金屬本體固定於 一卡片板,對於固定在該卡片板之各金屬本體之複數末端 (tips)進行拋光處理,在相對於該卡片板之表面下之係可 使知各金屬本體於實質上具有均勻高度;對於固定在該卡 片板之各金屬本體進行電鍍,使得各金屬本體上形成了連
續之一鍍鎳薄膜(nickel plating film)及一非氧化薄膜 (non-oxidizable film) 〇 基於上述所提出之本發明之測針、測試卡及用以製作 該測試卡之方法可知,該鍍鎳薄膜係用以做為一平滑底層 薄膜(under lying fUm),藉由該鍍鎳薄膜除了可以增加 該金屬本體與該底層非氧化金屬薄膜之間的黏著性之外,
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金屬做層(barrier layer)以防止於該 金屬固體擴散。該f::金:之間產生 (:=·入該)金屬本體之表面上二或 =,、中的錄原 黏著性。 ㈢’、σ以使得該金屬本體具有理想的 片電ΐ:產滑表面的作用.下,經由該1 上,並且當該巧”薄膜之
外,該測i之部上不會產生氣化之 、· T 不鳊邛亦可不必再進行拋光處理。 為讓本發明之上述目的、特徵及 ;文特舉-較佳實施例,並配合所附圖式女 圖式簡單說明 , 第1圖係表示根據具有複數測針(pr〇be pins)之一 測試卡(probe card)之剖面圖。 第2圖係表示根據本發明之一實施例中之一測針 (probe pins)的側視圖。 第3圖係表示根據第2圖中之該測針之局部放大剖面 圖。 第4圖係表示根據實施例中之該測針之接觸阻抗 (contact resistance)、與晶片電極(chip electr〇des)
507309 五、發明說明(7) 接觸時之重覆時間(repetiti〇n time)2 夠試卡 第5圖係表示根據實施例中之 ^ $關係圖 之 之 程序步驟的流程圖。 t 乍 第6係表示用以在該金屬本體之上形 電鍍系統(electric plating system)之Γϊ電鍍薄膜 σ,]面示意圖 符號說明 1 4〜卡片板; 1 6 a〜基部; 1 6 c〜彎曲部; 26〜中間連接線; 3 4〜底層鎳薄膜; 42〜電鍍池; 46〜循環泵; 50A、50B〜治且; 54、56〜塾片; SI、S2、S3、S4〜第一 1 6〜測針; 1 6 b〜錐部; 16d〜末端部; 32〜金屬本體; 36〜非氧化金屬薄膜; 44〜管件; 4 8〜陽極; 52〜固定元件; 、二、三、四步驟。 實施例 以下將特舉一較佳實施例且配合所附圖式進行詳細說 明。 請參閱第2圖,圖中係表示根據本發明之一實施例中 之測針1 6 ’該刪針1 6所具有之形狀係相似於習用測針之形 狀’並且由' ^片板(card plate)(未圖示)的方向所觀察
2133-4416-PF;ahddub.ptd 507309 五、發明說明(8) 之該測針1 6係具有連續的外型。該測針1 6包括有一基部 (base p〇rti〇n)16a、一錐部(taper portion)16b、一彎 曲部(bend)16c 及一末端部(tip portion)16d。該基部 16a 係具有一最大直徑(maximum diameter)。該錐部16b係具 有一較小直徑(smaller diameter),並且該錐部16b係沿 著一傾斜方向(slanted direction)進行延伸且朝向於末 端。該彎曲部16c所具有之彎形角度約大於90度。該末端 部1 6d於實質上係沿著垂直方向進行延伸。 第3圖係表示出該測針1 6之末端部1 6 d的相關結構,其 中,該測針16係包括有一金屬本體(metallic body)或針 本體(pin body)32、一電鍍薄膜(plating film)34、一非 氧化金屬薄膜(non-oxidizable metallic film)(保護膜 (overcoat))36。該金屬本體32係由含鈽鎢 (rhenium-containing tungsten,ReW)所製成。該電鍍薄 膜34係為由鎳(Ni )所製成且形成於該金屬本體32之上,並 且藉由該電鍍薄膜34做為一底層電鍍薄膜(underlying plating film)。該非氧化金屬薄膜36係形成於該底層電 鍍薄膜34之上’並且該非氧化金屬薄膜36係由鉑族金屬 (platinum group metals)所製成 。 該金屬本體32係採用直徑為〇· 之含鈽鶴線所製 成’並且該金屬本體32亦可藉由嫣(tungsten)或鈹銅 (beryllium copper,BeCu)材料所製成。藉由電鍍過程 (electric-plating process)所形成於該金屬本體32之上 的該電鍍薄膜34的厚度為3微米(mirc〇meters)。
507309 五、發明說明(9) '~ --- 4iiit(rh〇dium,Rh)金屬以電鍍方式所製成之該非 屬薄賴的厚度w微米,其中,铑金屬係由銘族 金屬中所選出,並且於铑金屬與該晶片電極(chip mc=〇des)之間係可具有相當穩定的接觸情況。铑金屬 係基於以下情況而具有較長的使用壽命: 铑金屬於溫度500 t之下係為會產生氧化現象; (2 )於鉑族金屬中係以铑金屬具有最小比電阻 ‘ (specific resistance); 麗筏)分姥金屬不會擴散至該晶片電極之銘金屬,該紹金 屬係為該晶片電極之主要元件;以及 (4)姥金屬的硬度高達Hv8〇〇至Hvl〇〇〇之間。 於第1圖中係表示出本實施例中之複數 般的測試卡之中。 《 - π π $由貼附有測針之該測試卡係可對於重覆接觸測試後 貝施例的各項特徵加以量測,而其中係主要對於各例 鋁層上附加有銅之複數晶片電極之間的接觸阻抗 二=進行量測,該晶片電極係形成於微 工"早 ^(micr0 control ier units,MCUs)之上。 在進行各例子、晶片電極之間的第一次接觸之後且進 =X UP、12· 5χ 1〇3、47· 5χ ι〇3、ιι〇χ ι〇3 次重覆接 後’便可對於各例子、晶片電極之間的接觸阻抗進行 I淠’並且於各量測過程期間、任兩量測過程之間係不會 為了要清潔作業而對於測針進行接地。第4圖係表示各量 貝過転之後的結果,其中,圓點(circular d〇ts)係表示
507309 五、發明說明(ίο) ' 1— 所測得之接觸阻抗,而虛線係表示所測得之接觸阻抗的平 1值(mean value),並且由圖中係可看出平均初始接觸阻 杬(mean initial contact resistance)為 1·〇 歐姆(Q)。 、 此外,採用一般測針之其它相關例子係仍需要藉由上 述方式,行製作及量測,並且在這些相關的例子之量测過 程中所得到之平均初始接觸阻抗為1 · 0歐姆。然而,當接 觸阻抗超過2· 5歐姆時,重覆接觸次數超過5χ 1〇3之^的 j分則,法對於該半導體晶片之各電性特徵進行量測,因 必須停止相關的量測程序。於第4圖中係以三角點 d:ts)表示經由上述方式所量測之相關例子 抗。 几,、’且以實線(solid 1 ine)表示平均接觸阻 本實之實施例與相關例子之間的比較可知,藉由 特別的是’在重覆接觸次觸阻抗。更 〇〇〇個丰導體曰u从、丨 10之後或在進行11 ^ 曰日片的測试過程之後,本實施例中夕垃艇_ 抗係仍可保有低於丨5歐Μ+貫施例中之接觸阻 關例子的接觸阻抗M t # 而採用一般測針之相 ^ ^5, 0 0 〇 Λ i ^ ^ x 103 - ^ ^ 因此,在相較於採用一般測針H後便會超過丨.5歐姆。 測針係可藉由其 ^ ^ 目胃例子下,本實施例之 的產生。 所,、有之較兩電阻的特性以防止氧化現象 在進行重覆接觸之後,太垂 測針之末端進行研磨^ ^例係可不必再藉由對該 次拋先等方式以使得該測針與該晶片
2133'44l6-PF;ahddub. ptd 第13頁 五、發明說明(11) 電極之間的接觸阻抗降低 單位時間内對於丰莫雜a μ A吁靶 如此除了可以提高 少於測,過,中所需之時間與成本。 门時亦可減 “ i ί注意的是,由於做為底層電鍍薄膜該铑·趙七非 薄膜係具有較長的使用壽命及較佳的非 極上是不會存在有铑成份的。 …曰片電 除了上述於第1圖中所提出的相關製作方式之外,於 5田圖中係針對本發明之另一實施例中之測試卡的製作程 序提出相關的說明。於第一步驟(S1)中,各測針之金屬本 體係由含鈽鎢製成之金屬線經由錐狀成型 (taper shaping)、彎曲(bending)而得,該金屬線之彎曲 部分係接近於該測針之末端部,並且藉由熱處理方式以控 制該金屬線之硬度及移除内部之殘留應力。 於第二步驟S2中係藉由模化樹脂(mold resin)將該測 針16之金屬本體貼附且固定於一卡片板(card plate)14之 上,其後針對各測針1 6而於該卡片板1 4之上形成了 一中間 連接線(interconnect wire)26。在以該卡片板14之底部 為基準下,於第三步驟S3中係對個測針16之末端進行接, 並且藉由拋光處理使得各測針1 6具有均勻的高度。 請參閱第3圖,於第四步驟S4中係藉由一電鍍處理 (electric plating process)於該測針16之各金屬本體上 形成了具有3微米厚(3- /zm-thick)之底層鎳薄膜 (underlying nickel film)34及具有1微米厚之姥薄膜。
2133-4416-PF;ahddub.ptd 第14頁 507309 五、發明說明(12) "—" ^ 請參閱第6圖,於步驟S4中所使用之該電鍍系統包括 有一電鑛池(plating bath)42、一液體循環系統(liquici circulating system)及一陽極(an〇(je)48。該測針 16 用之 電鍍液係放置於該電鍍池42之中,並且藉由該液體循環系 統中之一管件(tube)44及一循環泵(circu;[ar pUmp)46以 對於該電鍍池42中之電鍍液進行循環作業處理,而該陽極 48係設置於該電鍍液之中。該陽極48與與做為陰極使用之 該測針1 6係共同組合為一成對電極。 ❿ 於該電鍍池42中之一固定元件(fixing member)52上 係形成有一成對治具(j igs)50A、50B,在藉由該治具 50A、50B對於該卡片板38進行夾持的作用下,包含有該末 端部1 6 d之大部分的該測針1 6便可完全浸入於該電鍍液之 中。於該固定元件52中係包括有一成對墊片(gasket)54、 56 ’該墊片54、56係分別設置於該治具50A、該卡片板38 之間與該治具50B、該卡片板38之間,如此係可防止該電 鍍液自該電鍍池42之中流失。 藉由採用第6圖中之該電鍍系統的該電鍍程序係可經 由以下步驟來形成該鎳薄膜(nickel plating film)與錢 薄膜(rhodium f i lm): (1)室溫之下,藉由濃度為1%之氫酸(hydrochloric acid)、硫酸(suifuric acid)或石肖酸(nitric acid)進行 該金屬本體32之酸清洗(acid cleaning)處理,並且在位 於一循環液體流(circulating liquid flow)中的該金屬 本體32、該陽極48之間(或以浸入(i匪ersion)方式來取
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代)施加卜8伏特之固定電壓以進行電解(61^“〇1”丨3)處 理; 五、發明說明(13) (2 )室溫之下’藉由水對於循環清潔水流 (circulating clean water flow)中之該金屬本體32 進行 2 0 - 1 2 0秒之徹底清潔處理; (3) 於室溫至50 °C之間,藉由濃度為卜別%之氫氧化納 (sodium hydroxide)或納鉀鹼(s〇dium p〇tash)以浸入(或
於1-8伏特之固定電壓下進行電解處理)方式於一循環液體 流中進行!分鐘之鹼清潔(alkaH cleaning)處理; (4) 至溫之下’於循環清潔水流中藉由水進行2〇 —12〇 秒之徹底清潔處理,此一步驟係相同於步驟(2 ); ()至之下藉由》辰度為1%之氫酸、硫酸或確酸進 仃酸清洗處理,並且藉由卜8伏特之固定電壓(或浸入方 式)進行電解處理,此一步驟係相同於步驟(丨); (6 )至溫之下’於循環清潔水流中進行2 0 _ 1 2 0秒之徹 底々潔處理,此一步驟係相同於步驟(2 );
、(7)於室溫至5〇它之間,藉由濃度為卜2〇%之氫氧化納 或納鉀鹼、以浸入(或於卜8伏特之固定電壓下進行電解處 理)方式於/一循環液體流中進行2_丨〇分鐘之鹼清潔處理, 此一步驟係相同於步驟(3); (8)至溫之下’於循環清潔水流中進行20- 1 20秒之徹 底清潔處▲理’此一步驟係相同於步驟(2); / ( ^溫之下,藉由濃度為1 %之氫酸、硫酸或硝酸進 行1 5刀里之酉夂’月洗處理,此一步驟係相同於步驟(3 );
507309 五、發明說明(14) (10) 於30-5(TC之間,藉由50- 1 20ml/L氫酸溶液 (hydrochloric acid solution(50-120ml 氫酸/ 一公升 水))、100-300g/L鎳氯化物溶液(nickel chloride solution)之混合物進行20-120秒之鎳衝擊電鑛 (Ni-strike plating),並且於垂直方向上之往復液體流 (reciprocal liquid flow)中對於沿垂直方向上設置之複 數電極之間施加卜1 5伏特的固定電壓; (11) 室溫之下,於循環清潔水流中進行20- 1 20秒之徹 底清潔處理,此一步驟係相同於步驟(2 );
(12) 於20 - 70°C之間,藉由1 50 - 320 g/L硫酸鎳溶液 (nickel sulfate solution)、40-80 g/L 鎳氣化物溶液、 15 - 60 g/L侧酸溶液、適當的上釉劑量(giazing料⑼^等 之混合物以進行2-6分鐘、厚度為1-5微米之鎳層金屬的電 鍍作業,並且於垂直方向上之往復液體流中對於沿垂直方 向上設置之複數電極之間施加1-8伏特的固定電壓,其 中,藉由步驟(10)、(12)係可形成了3微米厚之底層鍍鎳 薄膜34 ; (1 3 )室溫之下,於循環清潔水流中進行2 〇 — 1 2 0秒之徹 底清潔處理,此一步驟係相同於步驟(2 );
(14)於 20 - 60 °C 之間,藉由 1-5 g/L 鍺溶液(rh〇dium solution)、40- 1 00 ml/L 硫酸溶液(suifuric acid solution)之混合物以進行20-1 80秒、厚度為0·2-2微米之 铑層金屬的電鍍作業,並且於垂直方向上之往復液體流中 對於沿垂直方向上設置之複數電極之間施加卜8伏特的固
507309 五、發明說明(15) 定電壓,例如·· 1微米厚之鍍铑薄膜36 ; (15) 至,孤之下’對於铑之恢復(recovery)進行20-120 秒之水清3理’此-步驟係相同於步驟(2); (16) 室/JDL之下’於循環清潔水流中進行20- 1 20秒之徹 底清潔處,、i此一步驟係相同於步驟(2); (17) 至·之下’藉由純水(pure water)進行 之徹底清潔處理;以及 (18) 藉由一循環 IPA 溶液(circulating ιρΑ * solution)進行酒精清潔(alc〇h〇1處理例 如:在將水自該測針所移除且將該測試卡自該治具移除之 後,於室溫之下進行2〇_12〇秒之酒精清潔處理。 上述之铑金屬亦可藉由包括有銀(iridium, Ir)、鉑 (platmum, Pt)及釕(ruthenium,Ru)之鉑族金屬所取 代。 該鍍鎳薄膜34的厚度係以介於2_4微米之間為佳,而 厚度小於2微米之下的鍍鎳薄膜34係僅限於做為底層 用換。之雖然藉由厚度大於4微米之該鍍鎳薄膜 34 =可以稍微提高該測試卡之平滑性(sm〇〇thi叫)與阻芦 功旎(barrier functions),但於該測試卡之製作成太: 亦會相對地提高。 上 、該非氧化金屬薄膜36的厚度係以介於〇· 5 —丨· 5微米 圭’並且厚度小於0.5微米之下的該非氧化金^ 36係仍可提供適當的機械強度,而厚度大於15微米 的該非氧化金屬薄膜36則相對地會提高製作成本。
507309 五、發明說明(16) 於該鍍鎳薄膜34、該非氧化金屬薄膜36之 係以採用熱浸法(hot diPping)或電鍍技 乍中 又以採用電鍍技術尤佳。 比 而其中
雖然本發明已以較佳會A 阳立丨士恭⑽ / 貝方也例揭露如上,麸盆甘非ra 限制本發明,任何熟習此項技藐 “、、具並非用以 神和範圍内,當可做更動與潤= 在不脫離本發明之精 當事後附之中請專利範園;S定者:二本發明之保護範圍
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Claims (1)
- /、'申請專利範圍 L —種測試卡之測針,包括. 一金屬本體; C括 一鑛鎳薄膜,带士 -非氧化薄腺ί該金屬本體之上;以及 非氣化·Μ ^ 4 由鉑族金屬中之至少—者所$ & 4 '化丄專膜係形成該鍍錄薄膜之上。 考所製成’该 中,兮I^晴專利範圍第1項所述之測試卡之測斜A 鑛心膜。化薄膜係為錢铑薄膜、鍍銀薄《、鑛麵薄膜或 中,3該2圍第1項所述之測試卡之測針,其 t一種測試卡,包括: i成。 卡片板及複數測針,該等測針係 上,各該等測針係白虹士 ^ ^ ^ ^㈡疋於該卡片板之 氧化薄膜,兮二=有一金屬本體、一鍍鎳薄膜及-非 薄金屬中之至少一者所製成,並且該2 漘膜係形成該鍍鎳薄膜之上。 升虱化 5二如申請專利範圍第丨項所述之測試卡,豆 膜。匕薄膜係為鑛姥薄膜、鑛銀薄膜、❹薄膜或錄舒薄非 6·如申請專利範圍第1項所述之測試卡,其中, 屬本體係由鶴、含鈽鎢或鈹銅所製成。 ’、^金 7三一種測試卡之製造方法,包括以下步驟·· 藉由將複數金屬線以錐狀成型、彎 數金屬本體; 幻万式而形成複 第20頁 2133-4416-PF;ahddub.ptd 507309 六、申請專利範圍 ^^ 將該等金屬本體 對於固定在該十定於一卡片板; 拋光處理,在相對於二板之該等金屬本體之複數末端進行 屬本體於實質上具有=卡;^板之表面下之係可使得該等金 /、 弓勻高度;以及 ^ ^於固定在該卡片板之該等金屬本體進行電鍍,使得 該等金屬本體上形成了連續之一鍍鎳薄膜及一非氧化薄 膜。 、 . 8.如申請專利範圍第7項所述之測試#^之±製造方法, 其中,該電鍍步驟係於該等金屬本體之^末端之鄰近位 置上採用了 一液體流。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000324031A JP2002131334A (ja) | 2000-10-24 | 2000-10-24 | プローブ針、プローブカード、及びプローブカードの作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW507309B true TW507309B (en) | 2002-10-21 |
Family
ID=18801622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090125798A TW507309B (en) | 2000-10-24 | 2001-10-18 | Probe pin for a probe card |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6812723B2 (zh) |
EP (1) | EP1202337B1 (zh) |
JP (1) | JP2002131334A (zh) |
KR (1) | KR100551514B1 (zh) |
DE (1) | DE60120598T2 (zh) |
TW (1) | TW507309B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103534599A (zh) * | 2011-01-13 | 2014-01-22 | 株式会社山景工程 | 检查用探头的制造方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1285915C (zh) * | 2001-07-02 | 2006-11-22 | 日本发条株式会社 | 导电性接头 |
JP4045084B2 (ja) * | 2001-08-17 | 2008-02-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 電気的接続検査装置 |
US8225481B2 (en) * | 2003-05-19 | 2012-07-24 | Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. | Diffusion bonded composite material and method therefor |
JP4723195B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2011-07-13 | 株式会社オクテック | プローブの製造方法 |
US7023231B2 (en) * | 2004-05-14 | 2006-04-04 | Solid State Measurements, Inc. | Work function controlled probe for measuring properties of a semiconductor wafer and method of use thereof |
KR20050123309A (ko) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | 주식회사 새한마이크로텍 | 반도체 장치 탐침용 프로브핀 |
WO2006064546A1 (ja) | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Advantest Corporation | コンタクトピン、それを用いたプローブカード及び電子部品試験装置 |
JP4523438B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-08-11 | 山一電機株式会社 | プローブユニット、プローブアッセンブリ及び電子デバイスの検査方法 |
JP4216823B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2009-01-28 | 田中貴金属工業株式会社 | プローブピン及び該ブロ−ブビンを備えたブロ−ブカ−ド |
JP4676224B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-04-27 | 東京特殊電線株式会社 | プローブ針及びその製造方法 |
JP4584140B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2010-11-17 | 志忠 王 | プローブカードに設置されたプローブ針表面の処理方法 |
KR101159074B1 (ko) * | 2006-01-14 | 2012-06-25 | 삼성전자주식회사 | 도전성 탄소나노튜브 팁, 이를 구비한 스캐닝 프로브마이크로스코프의 탐침 및 상기 도전성 탄소나노튜브 팁의제조 방법 |
KR100764631B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2007-10-08 | (주)티에스이 | 프로브 팁 라운드 형상 가공 방법 |
US20080122470A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-05-29 | Wen-Yu Lu | Probe installed to a probe card |
JP5046909B2 (ja) | 2007-12-21 | 2012-10-10 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気試験用接触子、これを用いる電気的接続装置、及び接触子の製造方法 |
JP4213761B1 (ja) * | 2008-02-27 | 2009-01-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 硬度、加工性、並びに、防汚特性に優れたイリジウム合金 |
KR100949984B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2010-03-26 | 장경규 | 프로브 카드용 니들 |
KR100940010B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2010-02-03 | 이성광 | 프로브 핀 제조방법 및 상기 제조방법에 의해 제조된 프로브 핀 |
JP5691193B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-04-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | コンタクタ、半導体装置の試験装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2012037401A (ja) * | 2010-08-09 | 2012-02-23 | Sankei Engineering:Kk | 検査用プローブの製造方法 |
CN102375080B (zh) * | 2010-08-20 | 2014-08-13 | 旺矽科技股份有限公司 | 组合式探针头 |
JP5340462B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2013-11-13 | 株式会社サンケイエンジニアリング | 検査用プローブの製造方法 |
TWI574013B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-03-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 探針卡、探針結構及其製造方法 |
EP2894483B1 (en) * | 2014-01-09 | 2018-06-27 | Multitest elektronische Systeme GmbH | Contact tip and contact element and method of producing the same |
US10330701B2 (en) * | 2014-02-22 | 2019-06-25 | International Business Machines Corporation | Test probe head for full wafer testing |
EP3241028B1 (en) * | 2014-12-30 | 2020-02-05 | Technoprobe S.p.A | Contact probe for testing head |
CN106935524B (zh) | 2015-12-24 | 2020-04-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 探针卡和晶圆测试***及晶圆测试方法 |
CN107881537B (zh) * | 2017-03-22 | 2019-07-02 | 珠海市斗门区永兴盛金属塑料制品有限公司 | 一种铍铜表面镀镍钨磷合金及其制备方法 |
KR102072634B1 (ko) * | 2018-10-17 | 2020-02-03 | 한국생산기술연구원 | 부식 및 전기적 특성을 향상시킨 프로브카드 니들 |
JP7146663B2 (ja) * | 2019-02-15 | 2022-10-04 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP2021076486A (ja) * | 2019-11-11 | 2021-05-20 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置 |
JP2022060711A (ja) | 2020-10-05 | 2022-04-15 | 東京特殊電線株式会社 | コンタクトプローブ |
CN114921839B (zh) * | 2022-05-19 | 2023-11-10 | 强一半导体(苏州)股份有限公司 | 一种用于探针针尾镀金的方法及定位治具 |
CN115029747A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-09-09 | 上海泽丰半导体科技有限公司 | 一种探针处理方法及探针 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US900316A (en) * | 1907-05-04 | 1908-10-06 | Alexis Alexander Shukoff | Process of making terpene esters. |
JPS5922810B2 (ja) | 1977-07-19 | 1984-05-29 | カネボウ株式会社 | ポリエステルミシン糸の製造法 |
US4837622A (en) | 1985-05-10 | 1989-06-06 | Micro-Probe, Inc. | High density probe card |
JPS63310977A (ja) | 1987-02-25 | 1988-12-19 | Marubishi Kinzoku Kogyo Kk | 精密スプリングに成形加工されることを目的とするめつきハイカ−ボンワイヤ− |
JPH01169367A (ja) | 1987-12-25 | 1989-07-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 微小電極抵抗測定用プローブ |
JPH01287484A (ja) | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Hitachi Ltd | プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体lsi検査装置 |
JPH0212070A (ja) | 1988-06-30 | 1990-01-17 | Toshiba Corp | 検査装置の製造方法 |
US5134365A (en) * | 1989-07-11 | 1992-07-28 | Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha | Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained |
JPH03180769A (ja) | 1989-12-11 | 1991-08-06 | Kobe Steel Ltd | 検査用触子 |
JP2769015B2 (ja) | 1990-03-08 | 1998-06-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 電子回路基板検査用プローバーピンヘッド及びその製造方法 |
US5325052A (en) * | 1990-11-30 | 1994-06-28 | Tokyo Electron Yamanashi Limited | Probe apparatus |
JP2502231B2 (ja) | 1991-12-17 | 1996-05-29 | 株式会社東京カソード研究所 | プロ―ブカ―ド検査装置 |
DE4204244A1 (de) | 1992-02-13 | 1993-08-19 | Porsche Ag | Antriebsverbindung mit drehschwingungsdaempfung im antriebsstrang eines kraftfahrzeugs |
JPH0795079B2 (ja) | 1992-04-28 | 1995-10-11 | 日本電子材料株式会社 | プローブカード |
JPH05322930A (ja) | 1992-05-15 | 1993-12-07 | Nippon Maikuronikusu:Kk | プローブ組立体およびその製造方法 |
JPH06249879A (ja) | 1993-03-01 | 1994-09-09 | Kobe Steel Ltd | プローブユニットの製造方法 |
JPH07248337A (ja) | 1994-03-11 | 1995-09-26 | Okano Denki Kk | コンタクトプローブ |
KR100212169B1 (ko) | 1996-02-13 | 1999-08-02 | 오쿠보 마사오 | 프로브, 프로브의 제조, 그리고 프로브를 사용한 수직동작형 프로브 카드 어셈블리 |
JPH09236619A (ja) | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Nippon Denshi Zairyo Kk | 縦型プローブカード |
DE19617488C2 (de) | 1996-05-02 | 2002-03-07 | Gustav Krueger | Kontaktelement für lösbare elektrische Verbindungen |
JPH1031034A (ja) | 1996-07-17 | 1998-02-03 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 平行度調整器付きプローブカード |
US5900316A (en) * | 1996-12-06 | 1999-05-04 | International Business Machines Corporation | Flexible conductive sheet |
JP3164535B2 (ja) * | 1997-07-24 | 2001-05-08 | 日本電子材料株式会社 | プローブ先端部の改質方法 |
JP3279246B2 (ja) | 1997-09-12 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置のテスト用プローブ針とその製造方法、このプローブ針を用いたプローブ装置、このプローブ針による半導体装置のテスト方法、およびこのプローブ針によりテストされた半導体装置 |
EP1351060B1 (en) | 1997-07-24 | 2005-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a test probe for semiconductor devices |
JP3280327B2 (ja) | 1997-10-02 | 2002-05-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | テスト・プローブ構造体及びその製造方法 |
JP3123483B2 (ja) | 1997-10-28 | 2001-01-09 | 日本電気株式会社 | プローブカード及びプローブカード形成方法 |
JP3458684B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-10-20 | 三菱マテリアル株式会社 | コンタクトプローブ |
JPH11273818A (ja) | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Matsushita Seisakusho:Kk | 半導体素子検査用ソケットのコンタクト |
KR20000059158A (ko) | 2000-07-19 | 2000-10-05 | 홍영희 | 프로브, 프로브 카드 및 프로브의 제조 방법 |
-
2000
- 2000-10-24 JP JP2000324031A patent/JP2002131334A/ja active Pending
-
2001
- 2001-10-18 TW TW090125798A patent/TW507309B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-23 US US09/983,171 patent/US6812723B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-23 EP EP01125135A patent/EP1202337B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-23 DE DE60120598T patent/DE60120598T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-24 KR KR1020010065763A patent/KR100551514B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103534599A (zh) * | 2011-01-13 | 2014-01-22 | 株式会社山景工程 | 检查用探头的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020032375A (ko) | 2002-05-03 |
JP2002131334A (ja) | 2002-05-09 |
US6812723B2 (en) | 2004-11-02 |
KR100551514B1 (ko) | 2006-02-13 |
DE60120598D1 (de) | 2006-07-27 |
EP1202337A3 (en) | 2002-09-18 |
DE60120598T2 (de) | 2007-06-14 |
US20020047721A1 (en) | 2002-04-25 |
EP1202337A2 (en) | 2002-05-02 |
EP1202337B1 (en) | 2006-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |