KR101553417B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101553417B1
KR101553417B1 KR1020100114721A KR20100114721A KR101553417B1 KR 101553417 B1 KR101553417 B1 KR 101553417B1 KR 1020100114721 A KR1020100114721 A KR 1020100114721A KR 20100114721 A KR20100114721 A KR 20100114721A KR 101553417 B1 KR101553417 B1 KR 101553417B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
module
substrate
transfer
wafer
unusable
Prior art date
Application number
KR1020100114721A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110097600A (ko
Inventor
겐이찌로오 마쯔야마
다께시 마쯔모또
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20110097600A publication Critical patent/KR20110097600A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101553417B1 publication Critical patent/KR101553417B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60Substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 멀티 모듈을 구성하는 모듈이 사용 불가 모듈로 되었을 때에 있어서, 기판의 반송을 빠르게 행하여, 제품 불량의 발생을 억제하는 것이다.
기판을 반송처 모듈로 반송하기 전에, 당해 반송처 모듈이 사용 불가로 되었을 때에는, 기판의 반송처를, 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈로 변경한다. 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 상기 반송 수단이, 예를 들어 반송 사이클의 상류 단부의 모듈에 대해 액세스하기 전일 때에는, 변경 후의 반송처 모듈 내에서 앞의 기판이 반출할 수 있는 상태로 될 때까지 반송 사이클을 진행시키도록 제어를 행한다. 또한, 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 상기 반송 수단이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 상류측에 위치하고 있을 때에는, 변경 후의 반송처 모듈 내에서 앞의 기판이 반출할 수 있는 상태로 될 때까지, 반송 수단의 반송 동작을 대기하도록 제어를 행한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 글래스 기판) 등의 기판의 표면에 처리액을 공급하여 소정의 기판 처리, 예를 들어 레지스트액의 도포나, 노광 후의 현상 처리 등을 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스에 있어서는, 포토리소그래피라고 불리는 기술에 의해, 기판에 대해 레지스트 패턴의 형성이 행해지고 있다. 이 기술은, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함) 등의 기판에, 레지스트액을 도포하여 당해 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하여, 포토마스크를 사용하여 당해 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행함으로써 원하는 패턴을 얻는, 일련의 공정에 의해 행해지고 있다.
이와 같은 처리는 일반적으로 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치를 사용하여 행해진다. 예를 들어 이 장치에서는, 도 18에 도시한 바와 같이, 다수매의 웨이퍼를 수납한 캐리어(10)로부터 웨이퍼가 전달 아암(12)에 의해 처리부(1B)로 전달되어, 당해 처리부(1B) 내에 있어서, 반사 방지막 형성 모듈(도시하지 않음)에 있어서의 반사 방지막의 형성이나, 도포 모듈(13)에 있어서의 레지스트막의 형성이 행해진 후, 인터페이스부(1C)를 통해 노광 장치(1D)로 반송된다. 한편 노광 처리 후의 웨이퍼는, 다시 처리부(1B)로 복귀되어 현상 모듈(14)에서 현상 처리가 행해져, 이후 원래의 캐리어(10) 내로 복귀되도록 되어 있다. 상기 반사 방지막이나 레지스트막의 형성 처리 전후나 현상 처리 전후에는 선반 모듈(15a 내지 15c)에 다단으로 배열된 가열 모듈이나 냉각 모듈에 의해 웨이퍼의 가열 처리나 냉각 처리가 행해진다.
처리부(1B) 내에 있어서는, 웨이퍼는 메인 아암(16A, 16B)에 의해, 각 모듈끼리의 사이에서 반송되지만, 웨이퍼는 상기한 처리가 실시되는 데 있어서, 소정의 경로로 반송되도록 미리 프로그램되어 있어, 처리 예정의 모든 웨이퍼에 대해, 미리 각각이 어느 타이밍에 어느 모듈로 반송되는지를 정한 반송 스케줄이 메모리 내에 기억되어 있고, 웨이퍼는 당해 반송 스케줄에 따라서 반송된다. 웨이퍼가 놓이는 장소를 모듈이라고 부르면, 상기 반송 스케줄은 웨이퍼에 순서를 할당하여, 웨이퍼의 순서와 모듈의 순서를 대응시켜 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열로 배열하여 작성한 것이다.
여기서 레지스트 패턴 형성 장치에서는 처리량 향상의 관점으로부터, 멀티 모듈이 설정되는 경우가 많다. 이 멀티 모듈이라 함은, 반송의 순서가 동일하며, 웨이퍼에 대해 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈을 말하지만, 트러블이나 메인터넌스 등의 이유에 의해 멀티 모듈을 구성하는 모듈을 사용할 수 없게 되는 경우가 있다. 이 경우의 웨이퍼의 반송에 대해서는, 예를 들어 특허 문헌 1에 제안되어 있다. 이 방법은, 사용할 수 없는 모듈로 반송 예정인 웨이퍼를 일단 퇴피 모듈로 반송하고, 멀티 모듈을 구성하는 다른 사용 가능한 모듈에서 다른 웨이퍼의 처리가 종료된 후, 퇴피 모듈로 대피시켜 두었던 웨이퍼를 상기 다른 사용 가능한 모듈로 반송한다고 하는 것이다.
그러나, 처리량 향상을 도모하기 위해 처리부(1B)에서는 처리에 관련되는 모듈을 다수 내장하는 것이 요청되고 있어, 퇴피 모듈의 설치 스페이스를 확보하는 것이 어려워지고 있다. 또한, 멀티 모듈에서는, 복수개의 모듈에, 동시기에 약액 교환이나 펌프 메인터넌스 등의 메인터넌스나, 노즐의 트러블 등이 발생하는 경우가 있다. 이때 복수개의 모듈을 사용할 수 없는 경우에 대응하기 위해서는, 복수개의 퇴피 모듈을 준비하는 것이 필요해지지만, 이와 같은 스페이스의 확보는 곤란하다.
또한, 퇴피 모듈 대신에, 반송 스케줄에 내장되어 있는 전달 스테이지에 웨이퍼를 일단 대피시키려고 하면, 반송 스케줄에 기재된 반송 사이클에 따라서 웨이퍼를 반송할 수 없게 되어, 웨이퍼의 반송의 정지나, 반송 지연 등의 사태가 발생한다. 이로 인해, 예를 들어 가열 모듈에서 웨이퍼의 정류가 일어나, 당해 모듈 내에서 웨이퍼가 과열되고, 이에 의해 막질이 악화되어, 웨이퍼의 제품 불량을 일으켜 버릴 우려가 발생한다.
일본 특허 출원 공개 제2006-203003호 공보(단락 0037 내지 0039)
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되었을 때에 있어서도, 기판의 반송처를 사용 가능 모듈로 변경하여 반송함으로써, 기판의 반송을 빠르게 행하여, 기판의 제품 불량의 발생을 억제하는 기술을 제공하는 데 있다.
이로 인해 본 발명은, 각각 기판이 적재되는 동시에 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군을 구비하고, 모듈군 중에는, 반송의 순서가 동일하며, 기판에 대해 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈로 이루어지는 멀티 모듈이 포함되고,
반송 수단에 의해, 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고, 다음의 모듈의 기판을 수취한 후 당해 다음의 모듈로 선행의 기판을 전달하고, 이와 같이 하여 각 모듈에 놓인 기판을 순서가 하나 뒤인 모듈로 이동시킴으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 당해 하나의 반송 사이클을 실행한 후, 다음의 반송 사이클로 이행하여, 각 반송 사이클을 순차적으로 실행함으로써 상기 모듈군 중 순서가 작은 모듈로부터 순서가 큰 모듈로 기판이 순차적으로 반송되어 소정의 처리가 행해지고,
통상 시에는 상기 멀티 모듈의 각 모듈에 대해 그 앞의 모듈로부터 기판의 일정한 순서로 분배되는 기판 처리 장치에 있어서,
기판에 순서를 할당하여, 기판의 순서와 각 모듈을 대응시켜 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열로 배열하여 작성된 반송 스케줄을 기억하는 기억부와,
상기 반송 스케줄을 참조하여, 반송 사이클 데이터에 기입되어 있는 기판을 그 기판에 대응하는 모듈로 반송하도록 상기 반송 수단을 제어하고, 이에 의해 반송 사이클을 실행하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는 상기 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 적어도 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 하기 (1) 및 (2)의 동작이 행해지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
(1) 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 상기 반송 수단이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 하류측에 위치하거나 또는 반송 사이클의 상류 단부의 모듈에 대해 액세스하기 전일 때에는,
(1-a) 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 기판의 반송처를, 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈로 변경한다.
(1-b) 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈일 때에는, 더 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 한다.
(1-c) 이와 같이 하여 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 기판이 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 수단을 대기시키지 않고, 기판이 반출할 수 있는 상태로 될 때까지 반송 사이클을 진행시킨다.
(2) 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 반송 사이클이 개시되어 있고, 상기 반송 수단이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 상류측에 위치하고 있을 때에는,
(2-a) 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 기판의 반송처를, 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈로 변경한다.
(2-b) 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈일 때에는, 더 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 한다.
(2-c) 이와 같이 하여 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 기판이 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 수단의 반송 동작을, 적어도 상기 반송처로서 결정된 모듈보다도 상류측에서 대기한다.
본 발명에 따르면, 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈중 적어도 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 기판의 반송처를, 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 사용 가능한 모듈로 변경하여, 기판을 빠르게 반송하고 있으므로, 모듈 내에 기판이 정류함으로써 발생하는 기판의 제품 불량을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 레지스트 패턴 형성 장치의 실시 형태를 도시하는 평면도.
도 2는 상기 레지스트 패턴 형성 장치를 도시하는 사시도.
도 3은 상기 레지스트 패턴 형성 장치를 도시하는 측부 단면도.
도 4는 상기 레지스트 패턴 형성 장치의 제어부의 일례를 도시하는 구성도.
도 5는 상기 레지스트 패턴 형성 장치에 있어서의 제3 블록의 모듈군의 일례를 도시하는 구성도.
도 6은 상기 제3 블록에 있어서의 반송 레시피의 일례를 도시하는 설명도.
도 7은 상기 제3 블록에 있어서의 반송 스케줄의 일례를 도시하는 설명도.
도 8은 상기 제3 블록에 있어서의 반송 스케줄의 일례를 도시하는 설명도.
도 9는 상기 레지스트 패턴 형성 장치에서 행해지는 처리의 흐름도.
도 10은 상기 제3 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예와 반송 스케줄의 일례를 도시하는 설명도.
도 11은 상기 제3 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예와 반송 스케줄의 일례를 도시하는 설명도.
도 12는 상기 제3 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예와 반송 스케줄의 일례를 도시하는 설명도.
도 13은 상기 제3 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예를 도시하는 설명도.
도 14는 레지스트 패턴 형성 장치의 제3 블록과 제4 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예를 도시하는 설명도.
도 15는 레지스트 패턴 형성 장치의 제1 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예를 도시하는 설명도.
도 16은 상기 제1 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예를 도시하는 설명도.
도 17은 상기 제3 블록에 있어서의 웨이퍼의 반송예를 도시하는 설명도.
도 18은 종래의 레지스트 패턴 형성 장치의 일례를 도시하는 평면도.
이하, 본 발명의 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치의 일례에 대해, 도면을 참조하면서 간단하게 설명한다. 도 1은 상기 레지스트 패턴 형성 장치의 일 실시 형태의 평면도를 도시하고, 도 2는 도 1의 개략 사시도이다. 이 장치는, 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)과 노광 장치(S4)를 구비하고 있다. 캐리어 블록(S1)에서는, 적재대(21) 상에 적재된 밀폐형의 캐리어(20)로부터 전달 수단(C)이 웨이퍼(W)를 취출하여, 당해 블록(S1)에 인접된 처리 블록(S2)으로 전달하는 동시에, 상기 전달 수단(C)이, 처리 블록(S2)에서 처리된 처리 완료된 웨이퍼(W)를 수취하여 상기 캐리어(20)로 복귀시키도록 구성되어 있다.
상기 처리 블록(S2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 이 예에서는 현상 처리를 행하기 위한 제1 블록(DEV층)(B1), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 블록(BCT층)(B2), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제3 블록(COT층)(B3), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제4 블록(TCT층)(B4)을 하부로부터 순서대로 적층하여 구성되어 있다.
이들 제1 내지 제4 블록(B1 내지 B4)은 대략 동일하게 구성되어 있고, 다른 블록과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 모듈이 다단으로 배치된 선반 유닛(U1)과, 각각 약액을 도포하는 액처리 모듈을 복수개 구비한 액처리 모듈군(L)과, 상기 액처리 모듈군(L)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 가열ㆍ냉각계의 모듈을 다단으로 배치한 선반 유닛(U2)과, 이들 선반 유닛(U1, U2)의 각 부와 액처리 모듈군(L)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송 수단을 이루는 반송 아암(A1 내지 A4)을 구비하고 있다.
예를 들어, 상기 제1 내지 제4 블록(B1 내지 B4)은, 도 1에 도시한 바와 같이 도면 중 Y방향으로 연신되는 반송로(R)를 각각 구비하고 있고, 상기 반송 아암(A1 내지 A4)은 당해 반송로(R)에 있어서, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 도면 중 Y축 방향으로 이동 가능하게 구성되는 동시에, 웨이퍼(W)의 이면측 주연 영역을 지지하기 위한 2개의 포크를 구비하고 있고, 이들 포크가 서로 독립되어 진퇴할 수 있도록 구성되어 있다.
액처리 모듈군(L)과 선반 유닛(U2)은 상기 반송로(R)를 따라서 서로 대향하도록 배치되어 있다. 또한, 제2 내지 제4 블록(B2 내지 B4)에 있어서는, 액처리 모듈군(L)은 복수개, 예를 들어 4개의 액처리 모듈이 반송로(R)를 따라서 배열되도록 배열되어 있다. 이들 액처리 모듈로서는, 제2 블록(B2)에서는, 레지스트의 하층측의 반사 방지막 형성용 약액을 도포하는 액처리 모듈(BCT), 제3 블록(B3)에서는 레지스트액을 도포하는 액처리 모듈(COT), 제4 블록(B4)에서는 레지스트의 상층측의 반사 방지막 형성용 약액을 도포하는 액처리 모듈(TCT)이 각각 설치된다. 또한, 제1 블록(B1)에 있어서는, 예를 들어 액처리 모듈군(L)에서는 반송로(R)를 따라서 배열되는 4개의 액처리 모듈(DEV)이 2단에 걸쳐서 설치되어 있고, 약액으로서 현상액이 도포되도록 되어 있다.
상기 선반 유닛(U1)은, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이 상기 선반 유닛(U1)의 근방에 설치된 승강 가능한 전달 아암(D)에 의해 당해 선반 유닛(U1)의 각 부끼리의 사이에서 웨이퍼(W)가 반송되도록 구성되어 있다. 이 선반 유닛(U1)에는 온도 조절용 냉각 유닛을 겸한 전달 모듈(CPL)이나, 복수매의 웨이퍼(W)를 적재 가능한 버퍼를 겸한 전달 모듈(BF)이 다단으로 설치되어 있다. 상기 선반 유닛(U2)에는 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈(GHP, GHA) 등이 내장되어 있다. 또한, 제1 블록(DEV층)(B1)에는 인터페이스 블록(S3)측에 선반 유닛(U3)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U3)에는 당해 블록(B1)과 인터페이스 블록(S3) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위해 사용되는 전달 모듈(CPL, TRS)이 다단으로 설치되어 있다.
이와 같은 도포, 현상 장치에서의 웨이퍼(W)의 흐름의 일례에 대해 설명하면, 캐리어 블록(S1)으로부터의 웨이퍼(W)는 상기 선반 유닛(U1)의 하나의 전달 모듈, 예를 들어 제2 블록(B2)의 대응하는 전달 모듈(CPL2)로 전달 수단(C)에 의해 순차적으로 반송된다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 반송 아암(A2)에 의해, 제2 블록(B2) 내에 있어서, 액처리 모듈(BCT) → 가열 모듈(GHA) → 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF2)의 경로로 반송되어, 웨이퍼(W)에는 반사 방지막이 형성된다.
그 후, 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL3)로 반송되고, 계속해서 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해, 제3 블록(B3) 내에 있어서, 액처리 모듈(COT) → 가열 모듈(GHA) → 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BF3)의 경로로 반송되어, 웨이퍼(W)에는 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다. 또한, 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는, 제4 블록(B4)에서 다시 반사 방지막이 형성되는 경우도 있다. 이 경우에는, 웨이퍼(W)는 전달 모듈(CPL4)을 통해 반송 아암(A4)으로 전달되어, 반사 방지막이 형성된 후, 반송 아암(A4)에 의해 전달 모듈(BF4)로 전달된다.
한편, 제1 블록(B1) 내의 상부에는, 선반 유닛(U1)에 설치된 전달 모듈(CPL11)로부터 선반 유닛(U3)에 설치된 전달 모듈(CPL12)로 웨이퍼(W)를 직접 반송하기 위한 전용의 반송 수단인 셔틀 아암(E)이 설치되어 있다. 레지스트막이나 다시 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 전달 모듈(BF3, BF4)을 통해 전달 모듈(CPL11)로 전달되고, 여기서부터 셔틀 아암(E)에 의해 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(CPL12)로 직접 반송되어, 인터페이스 블록(S3)에 도입되게 된다.
계속해서, 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되어, 소정의 노광 처리가 행해진 후, 선반 유닛(U3)의 전달 모듈(TRS6)에 적재되어 처리 블록(S2)으로 복귀된다. 복귀된 웨이퍼(W)는 제1 블록(B1)에서 현상 처리가 행해지고, 반송 아암(A1)에 의해 선반 유닛(U1)에 있어서의 전달 수단(C)의 액세스 범위의 전달 모듈(TRS1)로 반송되어, 전달 수단(C)을 통해 캐리어(20)로 복귀된다.
이때 웨이퍼(W)는 제1 내지 제4 블록(B1 내지 B4)에 있어서의 각각의 모듈군에 대해, 후술하는 반송 스케줄에 따라서 반송 아암(A1 내지 A4)에 의해 각 블록마다 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 이때 각 블록(B1 내지 B4)에서는, 각각의 반송 아암(A1 내지 A4)에 의해, 각각의 모듈군에 있어서, 하나의 모듈로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 다음의 모듈의 웨이퍼(W)를 수취한 후 당해 다음의 모듈로 선행의 웨이퍼(W)를 전달하고, 이와 같이 하여 각 모듈에 놓인 웨이퍼(W)를 순서가 하나 뒤인 모듈로 이동시킴으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 당해 하나의 반송 사이클을 실행한 후, 다음의 반송 사이클로 이행하여, 각 반송 사이클을 순차적으로 실행함으로써 상기 모듈군 중 순서가 작은 모듈로부터 순서가 큰 모듈로 웨이퍼(W)가 순차적으로 반송되어 소정의 처리가 행해지도록 되어 있다.
여기서 각 처리 블록(B1 내지 B4) 내에서는, 반송 아암(A1 내지 A4)은 선반 유닛(U1)의 상기 반송 사이클의 상류 단부의 모듈인 전달 모듈(CPL)로부터 웨이퍼를 수취하여, 당해 웨이퍼를 상술한 반송 경로를 따라서, 순차적으로 상기 반송 사이클의 하류 단부의 전달 모듈(BF)까지 반송하고, 이와 같이 하여 처리 블록(B1 내지 B4) 내에서 각각 반송 사이클을 행하도록 구성되어 있다.
그리고, 상술한 레지스트 패턴 형성 장치는, 각 모듈의 레시피의 관리나, 웨이퍼(W)의 반송 플로우(반송 경로)의 레시피의 관리, 각 모듈에 있어서의 처리, 전달 수단(C), 전달 아암(D), 반송 아암(A1 내지 A4), 셔틀 아암(E), 인터페이스 아암(F) 등의 구동 제어를 행하는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(3)를 구비하고 있다. 이 제어부(3)는 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용, 즉 웨이퍼(W)에 대해 소정의 레지스트 패턴을 형성하기 위한, 각 모듈에 있어서의 처리나 웨이퍼(W)의 반송 등이 실시되도록 스텝(명령)군을 구비한, 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램을 구비하고 있다. 그리고 이들 프로그램이 제어부(3)에 판독됨으로써, 제어부에 의해 레지스트 패턴 형성 장치 전체의 작용이 제어된다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들어 플렉시블 디스크, 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 저장된다.
도 4는 제어부(3)의 구성을 도시하는 것으로, 실제로는 CPU(중앙 모듈), 프로그램 및 메모리 등에 의해 구성되지만, 본 발명에서는 모듈이 사용 불가로 되었을 때의 웨이퍼(W)의 반송에 특징이 있으므로, 여기서는 그것에 관련되는 구성 요소의 일부를 블록화하여 설명하는 것으로 한다.
도 4 중 부호 30은 버스이고, 이 버스(30)에 레시피 저장부(31), 레시피 선택부(32), 반송 스케줄 변경부(33), 반송 제어부(34), 반송 제어 프로그램(35), 알람 발생 수단(36) 등이 접속되어 있다. 또한, 각 모듈(M)은 컨트롤러(C0)를 통해 제어부(3)에 접속되어 있고, 각각의 모듈(M)에서 트러블이 발생했을 때에는, 당해 모듈(M)로부터 컨트롤러(C0)를 통해 제어부(3)에 알람 신호가 출력되도록 되어 있다. 또한, 이 모듈(M)에는, 예를 들어 선반 유닛(U1 내지 U3)에 내장된 모든 모듈과, 액처리 모듈이 포함된다.
레시피 저장부(31)는 기억부에 상당하는 부위로, 예를 들어 웨이퍼(W)의 반송 경로가 기록되어 있는 반송 레시피나, 이 반송 레시피에 기초하여, 로트 내의 모든 웨이퍼(W)에 대해 어느 타이밍에 어느 모듈로 반송하는지 등의 내용의 반송 스케줄이나, 웨이퍼(W)에 대해 행하는 처리 조건 등이 기록된 복수의 레시피가 저장되는 부위이다. 레시피 선택부(32)는 레시피 저장부(31)에 저장된 레시피로부터 적당한 것을 선택하는 부위로, 사용하는 모듈(M)의 선택 등도 할 수 있도록 되어 있다.
반송 스케줄 변경부(33)는, 후술하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 반송 중에, 당해 웨이퍼(W)의 반송 예정의 모듈이 사용 불가 모듈로 되었을 때에, 반송 스케줄을 변경하는 부위이다. 반송 제어부(34)는 상기 반송 스케줄을 참조하여, 반송 사이클 데이터에 기입되어 있는 웨이퍼를, 그 웨이퍼에 대응하는 모듈로 반송하도록, 전달 수단(C)이나 전달 아암(D), 반송 아암(A1 내지 A2), 셔틀 아암(E), 인터페이스 아암(F)을 제어하고, 이에 의해 반송 사이클을 실행하는 수단이다.
반송 제어 프로그램(35)은 웨이퍼(W)의 반송 중에, 당해 웨이퍼(W)의 반송 예정의 모듈이 사용 불가 모듈로 되었을 때에 구동하는 프로그램이다. 이 프로그램은, 예를 들어 각각의 모듈에서 트러블이 발생했을 때에, 각각의 모듈로부터 컨트롤러(C0)를 통해 출력되는 알람 신호에 기초하여 구동된다. 그리고, 사용 불가 모듈이 발생했을 때에는 알람 발생 수단(36)에 의해 알람을 출력하는 동시에, 반송처의 모듈을 변경 가능한지 판단하여, 변경 가능한 경우에는 반송 스케줄 변경부(33)에 의해 반송 스케줄을 변경하고, 반송 제어부(34)에 의해 새로운 반송 스케줄에 따라서 웨이퍼의 반송을 행하도록, 반송 아암(A1 내지 A4) 등에 의한 웨이퍼(W)의 반송 제어를 실시한다. 한편 반송처의 모듈이 변경 가능하지 않은 경우에는, 반송 제어부(34)에 의해 반송 아암(A1 내지 A4) 등에 지령을 출력하여 웨이퍼의 반송을 정지하거나, 사용 불가 모듈의 하류측에 있어서의 웨이퍼의 반송을 실행한다. 상기 알람 발생 수단(36)에 의해서는, 램프의 점등이나 알람음의 발생, 표시 화면으로의 알람 표시 등의 알람 발생이 행해진다.
여기서 상기 사용 불가 모듈이라 함은, 모듈에 트러블이 발생하였거나, 메인터넌스 등에 의해, 웨이퍼를 반입할 수 없는 모듈을 말한다. 또한, 반송처의 모듈이 변경 가능한 경우라 함은, 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있는 경우를 말한다. 이때 멀티 모듈이라 함은, 웨이퍼가 각각 적재되는 동시에 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군 중에서, 반송의 순서가 동일하며, 웨이퍼에 대해 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈, 즉 반송 레시피가 동일한 스텝에 설정된 복수의 모듈을 말한다.
또한, 반송처의 모듈이 변경 가능하지 않은 경우라 함은, 반송 레시피가 동일한 스텝에 하나의 모듈밖에 설정되어 있지 않은 경우나, 반송 레시피가 동일한 스텝에 복수의 모듈이 설정되어 있지만, 사용할 수 있는 상태에 있는 모듈이 없는 경우이다.
여기서 제3 블록(B3)(이하 「COT층(B3)」이라고 함)에 설치되는 모듈군의 일례에 대해 도 5에 도시한다. 선반 유닛(U1)에는 당해 COT층(B3)으로 웨이퍼를 반입할 때에 사용되는 3개의 전달 모듈(CPL31 내지 CPL33)과, 당해 COT층(B3)으로부터 웨이퍼를 반출할 때에 사용되는 1개의 전달 모듈(BF3)이 설치되어 있다. 이 전달 모듈(BF3)은 복수매의 웨이퍼가 다단으로 적재되도록 구성되어 있다. 또한, 액처리 모듈군(L)은 4개의 액처리 모듈(COT1 내지 COT4)을 구비하고 있고, 선반 유닛(U2)에는 8개의 가열 모듈(GHP31 내지 GHP38)과, 2개의 가열 모듈(GHA31, GHA32)이 배열되어 있다.
이 예에서는, 상기 액처리 모듈(COT1 내지 COT4)은 각각 그 내부에 기판이 대략 수평으로 적재되는 기판 보유 지지부와, 이 기판 보유 지지부의 주위를 둘러싸는 컵을 구비하고 있고, 이 기판 보유 지지부를 모듈이라고 부르는 것으로 한다. COT층(B3)에 설치되는 모든 모듈은 노광 전에 기판에 도포막을 형성하기 위한 모듈군에 상당한다. 또한 이들 모듈은 모두가 사용되는 것은 아니고, 처리 레시피에 따라서 사용되는 모듈이 선택된다.
또한, COT층(B3)의 반송 레시피의 일례에 대해 도 6에 도시한다. 이때 사용되는 모듈로서, 반송 레시피의 스텝 1에서는 3개의 전달 모듈(CPL31 내지 CPL33), 스텝 2에서는 4개의 액처리 모듈(COT1 내지 COT4), 스텝 3에서는 5개의 가열 모듈(GHP31 내지 GHP35)이 각각 설정되는 것으로 한다. 따라서 COT층(B3)에서는, 스텝 1의 전달 모듈(CPL31 내지 CPL33), 스텝 2의 액처리 모듈(COT1 내지 COT4), 스텝 3의 가열 모듈(GHP31 내지 GHP35)이 각각 멀티 모듈로 구성되어 있다.
계속해서 통상 시의 반송 스케줄에 대해, 도 7을 사용하여 설명한다. 당해 반송 스케줄은, 도 6의 반송 레시피와 사용 모듈로부터 작성된 COT층(B3)에 있어서의 반송 스케줄의 일부를 도시하고 있다. COT층(B3)에서는, 이 반송 스케줄에 따라서 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 이와 같이, 통상 시에는 멀티 모듈의 각 모듈, 예를 들어 액처리 모듈(COT1 내지 COT4)에 대해 그 앞의 모듈인 전달 모듈(CPL31 내지 CPL33)로부터 웨이퍼가 일정한 순서로 분배되도록 되어 있다. 그리고, 당해 로트의 처음의 웨이퍼(W1)는 사이클 1에 있어서 반송 레시피의 처음의 스텝 1의 전달 모듈(CPL31)로 전달 아암(D)으로부터 반입되고, 사이클 4에서 다음의 스텝 2의 액처리 모듈(COT31)로 반송되고, 사이클 8에서 다음의 스텝 3의 가열 모듈(GHP31)로, 사이클 13에서 마지막의 스텝 4의 전달 모듈(BF3)로 각각 반송된다. 전달 모듈(BF3)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 다음의 공정을 실시하는 다른 블록[B1(B4)]으로 반송된다. 이하 모듈에 대해서는, CPL, COT, GHP, BF로서 설명한다.
여기서 사이클 13에 있어서의 반송 아암(A3)의 동작에 대해 설명하면, 한쪽의 포크에 의해 CPL31로부터 웨이퍼(W10)를 반출한 후, COT2까지 이동하고, 여기서 다른 쪽의 포크에 의해 COT2 내의 웨이퍼(W6)를 반출한 후, 한쪽의 포크 상의 웨이퍼(W10)를 당해 COT2로 반입한다. 그리고 GHP31까지 이동하여, 한쪽의 포크로 GHP31 내의 웨이퍼(W1)를 반출한 후, 다른 쪽의 포크 상의 웨이퍼(W6)를 당해 GHP31로 반입한다. 계속해서 BF3까지 이동하여, 한쪽의 포크 상의 웨이퍼(W1)를 당해 BF3으로 전달하는 것이 행해지고 있다.
계속해서 반송 스케줄 변경부(33)에 있어서의 반송 스케줄의 변경에 대해 설명한다. 여기서는 케이스 1, 케이스 2의 경우로 나누어, 반송 스케줄의 변경이 행해진다. 우선 케이스 1에서는,
사용 불가 모듈이 발생되었을 때에, 반송 아암(A1 내지 A4)이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 하류측에 위치하거나 또는 반송 사이클의 상류 단부의 모듈에 대해 액세스하기 전일 때에는, 다음의 조건을 만족시키도록, 새로운 반송 스케줄이 작성된다.
(1-a) 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈[반송원(conveying origin) 모듈]에 놓여 있는 웨이퍼(W)의 반송처를, 당해 웨이퍼(W)의 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈(반송처 모듈)로 변경한다. 여기서 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈이라 함은, 반송 레시피에 있어서의 전스텝을 실시하는 모듈을 말한다.
(1-b) 당해 웨이퍼(W)의 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈일 때에는, 또한 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 한다. 당해 웨이퍼(W)의 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈이다라고 함은, (1-a)에서 변경된 반송처 모듈이 사용 불가 모듈인 경우를 말한다.
(1-c) 이와 같이 하여 결정된 반송처 모듈 내에서 앞의 웨이퍼(W)를 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 아암(A1 내지 A4)을 대기시키지 않고, 웨이퍼(W)를 반출할 수 있는 상태로 될 때까지 반송 사이클을 진행시킨다.
여기서 각 블록(B1 내지 B4)은 각각 웨이퍼(W)를 반입하기 위한 반입용 스테이지와, 각각의 블록(B1 내지 B4)으로 웨이퍼(W)를 반출하기 위한 반출용 스테이지를 구비하고 있다. 그리고, 반입용 스테이지에 대해 반송 아암(A1 내지 A4)이 액세스 동작을 개시한 시점이 「반송 사이클의 개시 시점」, 반출용 스테이지에 대해 반송 아암(A1 내지 A4)이 액세스 동작을 종료한 시점이 「반송 사이클의 종료 시점」에 상당한다. 따라서, 「반송 사이클의 상류 단부의 모듈」이라 함은 반입용 스테이지이고, 「사용 불가 모듈보다도 하류측에 위치한다」라고 함은, 사용 불가 모듈에 대해 액세스한 후, 반출용 스테이지에 액세스하여 종료할 때까지를 말한다. COT층(B3)에서는, 예를 들어 도 6에 도시하는 반송 레시피가 설정되어 있는 경우에는, 전달 모듈(CPL31 내지 CPL33)이 반입용 스테이지, 전달 모듈(BF3)이 반출용 스테이지에 각각 상당한다.
또한 케이스 2에서는,
사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 반송 사이클이 개시되어 있고, 상기 반송 아암(A1 내지 A4)이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 상류측에 위치하고 있을 때에는, 다음의 조건을 만족시키도록 새로운 반송 스케줄이 작성된다. 여기서, 「반송 사이클이 개시되어 있고, 반송 아암(A1 내지 A4)이, 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 상류측에 위치한다」라고 함은, 반송 아암(A1 내지 A4)이 반입용 스테이지에 액세스한 후, 사용 불가 모듈에 액세스할 때까지를 말한다.
(2-a) 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 웨이퍼(W)의 반송처를, 당해 웨이퍼(W)의 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈로 변경한다.
(2-b) 당해 웨이퍼(W)의 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈일 때에는, 다시 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 한다.
(2-c) 이와 같이 하여 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 웨이퍼(W)를 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 아암(A3)의 반송 동작을, 적어도 상기 반송처로서 결정된 모듈보다도 상류측에서 대기한다.
이와 같이 변경된 반송 스케줄에 대해, 로트의 5번째의 웨이퍼(W5)를 COT1로 반송하기 전에, COT1이 사용 불가 모듈로 된 경우에 대해, 케이스 1의 (1-a)를 예로 들어 도 8에 도시한다. 또한, COT1의 하류측에 있어서의 반송 스케줄은 케이스 2도 마찬가지이므로, 케이스 2의 반송 스케줄에 대해서는 생략한다.
이 경우에는, 사용 불가 모듈(COT1)로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈(CPL32)에 놓여 있는 웨이퍼(W5)의 반송처를, 당해 웨이퍼(W5)의 다음의 웨이퍼(W6)가 반입되어야 할 모듈(COT2)로 변경한다. 그리고, 다음의 웨이퍼(W6) 이후에 대해서도, 다음의 웨이퍼(W7)가 반입되어야 할 모듈(COT3)로 반송처를 순차적으로 변경한다.
그리고, 이와 같이 하여 결정된 반송처 모듈(COT2) 내에서 앞의 웨이퍼(W2)를 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 아암(A3)을 대기시키지 않고, 웨이퍼(W2)를 반출할 수 있는 상태로 될 때까지 반송 사이클을 진행시킨다. 이로 인해, 이 케이스 1에서는, 사이클 9까지 웨이퍼(W5)를 반송원 모듈(CPL32) 내에서 대기시킨 후, 당해 웨이퍼(W5)를 반송처 모듈(COT2)로 반송한다.
또한, 웨이퍼(W6) 이후, 모두 COT1을 사용하지 않는 스케줄로 변경하지만, 이때, 멀티 모듈(COT)의 모듈 수가 3개로 감소하고 있으므로, 사이클 12에서 웨이퍼(W8)를 COT2로 반송할 수 있도록, 체류 사이클 수를 3으로부터 2로 감소시키도록 반송 스케줄의 변경이 행해진다.
또한, 케이스 2의 경우에는, 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 웨이퍼(W)를 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 아암(A3)의 반송 동작을, 적어도 상기 반송처로서 결정된 모듈(COT2)보다도 상류측에서 대기한다. 즉, 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 웨이퍼(W)를 반출할 수 있는 상태로 될 때까지, 웨이퍼(W5)를 보유 지지한 반송 아암(A3)을, 새로운 반송처 모듈(COT2)보다도 상류측에서 대기시키도록 제어가 행해진다.
이와 같이 하여 상기 제어부(3)는 상기 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 적어도 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되고, 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 상기한 (1) 및 (2)의 동작이 행해지도록 구성되게 된다.
계속해서 본 실시 형태의 작용 설명을, COT층(B3)을 예로 들어, 도 9에 도시하는 흐름도를 사용하여 설명한다. 우선, 기판인 웨이퍼(W)에 대한 처리를 개시하는 데 앞서, 오퍼레이터가 처리 레시피나 반송 레시피, 반송 스케줄의 선택을 행한다. 이에 의해, 상기 통상 시의 반송 스케줄에 따라서, 반송 아암(A3)에 의해 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 그리고, 반송원 모듈 앞으로 반송 아암(A3)의 이동이 완료되었을 때에(스텝 S11), 반송처 모듈로 웨이퍼(W)가 반송 가능한지 여부를 판단하여(스텝 S12), 예이면 스텝 S13으로 진행하고, 아니오이면 스텝 S14로 진행한다.
스텝 S14에서는, 반송처 모듈을 변경할 수 있는지 여부를 판단하여, 예이면 스텝 S15로 진행한다. 아니오이면 스텝 S16으로 진행하여, 사용 불가 모듈보다도 하류측으로 반송 가능한 웨이퍼(W)가 있는지 판단한다. 그리고, 예이면 상기 하류측의 웨이퍼(W)의 반송을 행하고(스텝 S17), 아니오이면 웨이퍼(W)의 반송을 정지한다(스텝 S18).
한편 스텝 S14에서 예(반송처 모듈을 변경할 수 있음)라고 판단했을 때에는, 스텝 S15에서 새로운 반송 스케줄을 작성하여 반송처 모듈을 변경하고, 새로운 반송처 모듈이 웨이퍼 반송 가능한 상태로 되면(스텝 S19), 스텝 S13에서 반송원 모듈로부터 웨이퍼(W)를 반출한다. 또한, 새로운 반송처 모듈이 웨이퍼 반송 가능한 상태라 함은, 당해 반송처 모듈로 반송 아암(A3)이 액세스 가능하면, 당해 새로운 반송처 모듈 내에 놓이기 전의 웨이퍼(W)가 반출 가능한 상태를 말한다.
그리고, 반송처 모듈 앞으로 반송 아암(A3)을 이동시키고(스텝 S20), 다시 반송처 모듈로 웨이퍼(W)가 반송 가능한지 여부를 판단한다(스텝 S21). 그리고, 예이면 스텝 S22로 진행하여 반송처 모듈로 웨이퍼(W)를 반입하고, 아니오이면 스텝 S23으로 진행하여, 반송처 모듈을 변경할 수 있는지 여부를 판단한다. 이에 의해, 예이면 스텝 S24로 진행하여 새로운 반송 스케줄을 작성하여 반송처 모듈을 변경하고, 새로운 반송처 모듈이 웨이퍼의 반입 가능한 상태로 되면(스텝 S25), 스텝 S20으로 복귀하여, 반송을 속행한다. 한편 아니오이면 스텝 S26으로 진행하여, 반송처 모듈 앞에서 웨이퍼(W)를 보유 지지한 채, 반송 아암에 의한 반송을 정지한다.
계속해서 개개의 케이스에 대해 설명한다. 여기서는 도 10의 (a)에 도시한 바와 같이, 반송원 모듈이 CPL31이며, 반송처 모듈이 COT1이고, 웨이퍼(W5)를 COT1로 반송하기 전에 당해 COT1에 트러블이 발생한 경우를 예로 들어 설명한다. 도 10의 (b)는 통상 시의 반송 스케줄의 일부를 도시하고 있다.
우선 케이스 1의 (1-a)의 상태에 대해 설명하면, 반송 아암(A3)을 반송원 모듈(CPL31) 앞으로 이동시킨 후, 반송처 모듈(COT1)에 당해 웨이퍼(W5)를 반송 가능한지 확인하여, 당해 COT1이 사용 불가 모듈인 것을 인정했을 때, 상술한 바와 같이 도 11의 (a)에 도시하는 새로운 반송 스케줄로 변경하여, 반송처를 새로운 반송처 모듈인 COT2로 변경한다. 계속해서 COT2로 웨이퍼(W5)를 반송 가능한 상태로 된 후, CPL31로부터 웨이퍼(W5)를 반출하여 COT2 앞으로 반송하여, 당해 COT2로 당해 웨이퍼(W5)를 반입한다. 또한, 웨이퍼(W5) 이후의 웨이퍼(W)에 대해서도, 마찬가지로 다음의 웨이퍼(W)의 반송처가 새로운 반송처 모듈로 되도록 반송 스케줄이 변경되어 있다. 이 케이스 1에서는 웨이퍼(W5)는 반송원 모듈(CPL31) 내에서 반송을 대기하고 있고, COT1 내의 웨이퍼(W1)는 반출되어 있다.
또한, 케이스 2의 (2-a)의 상태에 대해 설명하면, 반송원 모듈(CPL31)로부터 웨이퍼(W5)를 반출하여, 반송처 모듈(COT1) 앞으로 웨이퍼(W5)를 이동시킨 후, COT1로 당해 웨이퍼(W5)를 반송 가능한지 확인하여, 당해 COT1이 사용 불가 모듈인 것을 인정했을 때, 상술한 바와 같이 도 11의 (b)에 도시하는 새로운 반송 스케줄로 변경하여, 반송처를 새로운 반송처 모듈인 COT2로 변경한다. 계속해서, COT2로 웨이퍼(W5)를 반송 가능한 상태로 된 후, 당해 COT2 앞으로 웨이퍼(W5)를 이동시켜, 당해 COT2로의 당해 웨이퍼(W5)를 반입한다. 웨이퍼(W5)의 후속의 웨이퍼(W)에 대해서도, 마찬가지로 반송처 모듈을 변경하도록 새로운 반송 스케줄이 작성되어 있다. 도 11의 반송 스케줄에 있어서 「WAIT」는 웨이퍼(W)의 반송을 대기한 사이클을 도시하고 있고, 이 케이스 2에서는 웨이퍼(W5)는 트러블이 발생한 COT1 앞에서 반송 아암(A3)에 보유 지지된 상태로 반송을 대기하고 있다. 또한, COT1 내의 웨이퍼(W1)는 반출되지 않고, COT1 내에 머무르고 있다.
이와 같은 실시 형태에서는, 상기 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 적어도 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈(반송원 모듈)에 놓여 있는 웨이퍼(W)의 반송처(반송처 모듈)를, 당해 웨이퍼(W)의 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈로 변경하고 있으므로, 웨이퍼(W)의 반송을 빠르게 행할 수 있다.
즉, 도 7의 통상 시의 반송 스케줄에 도시한 바와 같이, 통상 시에는, 예를 들어 웨이퍼(W5)는 사이클 8에서 COT1로 반송되고, 사이클 17에서 BF3으로 반송된다. 이에 대해, COT1이 사용 불가 모듈로 되었을 때에는, 도 8의 반송 스케줄에 도시한 바와 같이, 예를 들어 웨이퍼(W5)는 사이클 9에서 COT2로 반송되고, 웨이퍼(W5)의 후속의 웨이퍼(W)도, 순차적으로 1개씩 뒤로 밀린 사이클에서 각각으로 반송된다. 이와 같이 웨이퍼(W5) 이후의 웨이퍼(W)에서는 1 사이클분 대기하지만, 도중에 반송이 정지하지 않고 지체 없이 빠르게 반송이 행해진다.
이로 인해, 가열 모듈(GHP)에서 웨이퍼(W)가 정류하고, 이에 의해 웨이퍼(W)가 과열되어, 막질이 악화되는 등의 사태의 발생을 억제할 수 있어, 결과적으로 웨이퍼(W)의 제품 불량의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 반송 스케줄에서 사용 가능한 COT의 대수가 줄었으므로, COT 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 체류 사이클 수를 줄이도록 반송 스케줄을 변경하면, 웨이퍼(W2) 이후의 웨이퍼(W)는 통상 시와 동일한 사이클 14에서 BF3으로 반송할 수 있어, 다른 블록(B1, B2, B4)으로의 웨이퍼(W)의 전달이 지연되지 않고, 당해 웨이퍼(W)의 반송을 빠르게 행할 수 있다.
또한, 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암이, 사용 불가 모듈에 대해 어떤 위치에 있는지에 의해, 상술한 바와 같이 케이스 1, 케이스 2로 나누어, 반송 아암의 이동을 다른 방법으로 제어하고 있으므로, 어떤 타이밍에 사용 불가 모듈이 발생해도 빠르게 대응할 수 있어, 반송 아암의 제어가 용이해진다.
이상에 있어서, 케이스 1의 (1-b), 케이스 2의 (2-b)에 기재한 바와 같이, (1-a)에서 변경된 새로운 반송처 모듈이 사용 불가 모듈인 경우에는, 다시 다음의 웨이퍼(W)가 반입되어야 할 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 하는 것이 행해진다. 이 예에 대해, 예를 들어 웨이퍼(W5)를 COT1로 반송하기 전에 COT1과 COT2가 사용 불가 모듈로 된 경우를 예로 들어, 도 12에 도시하는 새로운 반송 스케줄을 참조하여 설명한다.
도 12의 (a)는 상기한 케이스 1에 대응하는 것으로, 반송원 모듈로부터 웨이퍼(W5)를 반출하기 전에, COT1, COT2가 사용 불가 모듈로 되어 있으므로, 웨이퍼(W5)의 새로운 반송처를, 통상 시에 있어서의 후속의 웨이퍼(W6)의 반송처(COT2)로 변경하려고 하지만, 이 COT2도 사용 불가 모듈이므로, 더 후속의 웨이퍼(W7)의 반송처(COT3)로 변경하도록 반송 스케줄이 변경된다. 그리고, COT3에 웨이퍼(W5)를 반입할 수 있는 상태까지, 반송원 모듈(CPL31) 내에서 웨이퍼(W5)를 대기시켜, COT3으로부터 앞의 웨이퍼(W3)가 반출되면, 당해 웨이퍼(W5)를 COT3으로 반입한다. 웨이퍼(W5) 이후의 웨이퍼에 대해서도, 마찬가지로 반송처를 변경하여, 사용 가능 모듈로 순차적으로 반송하도록 반송 스케줄이 변경된다.
또한, 도 12의 (b)는 상기한 케이스 2에 대응하는 것으로, 반송원 모듈(CPL31)로부터 웨이퍼(W5)를 반출한 후에, COT1, COT2가 사용 불가 모듈로 되지만, 웨이퍼(W5)의 새로운 반송처를, 통상 시에 있어서의 후속의 웨이퍼(W6)의 반송처(COT2)로 변경하려고 했을 때에, 이 COT2도 사용 불가 모듈이므로, 더 후속의 웨이퍼(W7)의 반송처(COT3)로 변경하도록 새로운 반송 스케줄을 작성한다. 그리고, COT3에 웨이퍼(W5)를 반입할 수 있는 상태까지, 웨이퍼(W5)를 새로운 반송처 모듈(COT3)의 상류측에서 반송 아암(A3)에 보유 지지한 상태로 대기시켜, COT3으로부터 앞의 웨이퍼(W3)가 반출되면, 당해 웨이퍼(W5)를 COT3으로 반입한다. 웨이퍼(W5) 이후의 웨이퍼에 대해서도, 마찬가지로 반송처를 변경하여, 사용 가능 모듈로 순차적으로 반송하도록 반송 스케줄이 변경된다.
또한, 멀티 모듈의 모든 모듈이 사용 불가 모듈로 된 경우에 대해서는, 다음과 같이 반송 아암의 제어를 행하도록 제어부(3)가 구성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 반송원 모듈로부터 반출하기 전에 반송처의 모듈이 모두 사용 불가로 되었을 때에는, 반송원 모듈로부터 웨이퍼(W)의 반출을 행하지 않도록 제어된다. 또한, 웨이퍼(W)를 반송원 모듈로부터 반출한 후에 반송처의 모듈이 모두 사용 불가로 되었을 때에는, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 채 반송처 모듈 앞에서 반송을 정지하도록 제어된다.
또한, 반송 레시피에 있어서의 동일한 스텝에 설정된 모듈이 하나인 경우에, 당해 모듈이 사용 불가 모듈로 된 경우에는, 다음과 같이 반송 아암의 제어를 행하도록 제어부(3)가 구성되어 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 반송원 모듈로부터 반출하기 전에 반송처 모듈이 사용 불가로 되었을 때에는, 반송원 모듈로부터 웨이퍼(W)의 반출을 행하지 않도록 제어된다. 또한, 웨이퍼(W)를 반송원 모듈로부터 반출한 후에 반송처 모듈이 사용 불가로 되었을 때에는, 웨이퍼(W)를 보유 지지한 채 반송처 모듈 앞에서 반송을 정지하도록 제어가 행해진다.
또한, 동일한 블록에서, 반송 레시피가 다른 스텝을 실행하는 복수의 모듈이 사용 불가 모듈로 되었을 때에 대해 설명한다. 이 경우에는, 다음과 같이 웨이퍼(W)의 반송 제어를 행하도록 제어부(3)가 구성되어 있다. 즉, 사용 불가 모듈과 동일한 스텝에 설정된 모듈이 사용 가능하면, 웨이퍼(W)의 새로운 반송처를, 각각의 통상 시에 있어서의 후속의 웨이퍼(W)의 반송처로 변경하여, 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 제어가 행해진다. 예를 들어, 도 13에 COT층(B3)에서 COT1, GHP34가 사용 불가 모듈로 된 경우를 도시하지만, 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 새로운 반송처를 통상 시에 있어서의 후속의 웨이퍼(W)의 반송처(COT2, GHP35)로 변경하여, 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 제어된다.
또 다른 블록에서, 복수의 모듈이 사용 불가 모듈로 되었을 때에 대해 설명한다. 이 경우에는, 다음과 같이 웨이퍼(W)의 반송 제어가 행해지도록 제어부(3)가 구성되어 있다. 즉, 사용 불가 모듈과 동일한 스텝에 설정된 모듈이 사용 가능하면, 웨이퍼(W)의 새로운 반송처를, 각각의 통상 시에 있어서의 후속의 웨이퍼(W)의 반송처로 변경하여, 웨이퍼(W)의 반송을 행한다. 예를 들어, 도 14에 COT층(B3)에서 COT1, TCT층(B4)에서 GHA42가 사용 불가 모듈로 된 경우를 도시하지만, 이 경우에는, 웨이퍼(W)의 새로운 반송처를 통상 시에 있어서의 후속의 웨이퍼(W)의 반송처(COT2, GHA43)로 변경하여, 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 제어된다.
또한, 노광 전에 기판에 도포막을 형성하기 위한 모듈군에는, 제3 블록(COT층)(B3)의 모듈군뿐만 아니라, 레지스트막의 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위한 모듈군인 제2 블록(BCT층)(B2)의 모듈군과, 레지스트막의 상층측의 반사 방지막을 형성하기 위한 모듈군인 제4 블록(TCT층)(B4)의 모듈군이 포함된다. 또한, 노광 후에 기판에 대해 행하는 처리이며, 현상을 포함하는 처리를 행하기 위한 모듈군은 제1 블록(DEV층)(B1)의 모듈군이 상당한다. 이와 같은 COT층(B3) 이외의 블록(B1, B2, B4)에 있어서도, 상술한 COT층(B3) 내와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다.
여기서 DEV층(B1)에서는, 액처리 모듈(DEV)이 2단에 걸쳐서 설치되어 있으므로, 당해 DEV층(B1) 내에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송에 대해 간단하게 설명한다. 여기서는 도 15에 도시한 바와 같이, 액처리 모듈(DEV)이 1단에 4개씩 배열되어, 합계 8개의 액처리 모듈(DEV1 내지 DEV8)이 설치되어 있는 경우를 예로 들어 설명한다. 당해 DEV층(B1)에 있어서도 COT층(B3)과 마찬가지로, 각각의 액처리 모듈(DEV1 내지 DEV8)은 각각 그 내부에 기판이 대략 수평으로 적재되는 기판 보유 지지부와, 이 기판 보유 지지부의 주위를 둘러싸는 컵을 구비하고 있고, 이 기판 보유 지지부를 모듈이라고 부르는 것으로 한다.
도 15 중 부호 5A 내지 부호 5D는 기판 보유 지지부 상의 웨이퍼(W)에 대해 현상액을 공급하기 위한 처리 노즐로, 각 단의 양측에 각각 1개의 처리 노즐이 설치되어 있다. 이들 처리 노즐은 반송 레시피 설정에 의해 사용되는 노즐이 설정되어, 각 단의 처리 노즐 중, 양쪽의 처리 노즐을 사용하는 경우, 어느 한쪽의 처리 노즐을 사용하는 경우의 어떤 설정이라도 행할 수 있다. 예를 들어, 반송 레시피 설정에 의해 양측의 처리 노즐을 사용하도록 설정되는 경우에는, DEV1, DEV2, DEV3에 대해서는 노즐(5A)에 의해 처리를 행하고, DEV5, DEV6, DEV7에 대해서는 노즐(5B)에 의해 처리를 행하고, DEV4, DEV8에 대해서는 2개의 노즐(5C, 5D)에 의해 각각 처리를 행하도록 되어 있다.
또한, 각 모듈(DEV1 내지 DEV8)에 기재한 괄호 내의 숫자는 웨이퍼(W)의 반입 순서이고, 이 순서로 웨이퍼(W)를 반입함으로써, 공통의 노즐을 사용하는 모듈끼리의 사이, 즉 DEV1과 DEV2와 DEV3, DEV5와 DEV6과 DEV7끼리의 사이에서, 연속해서 웨이퍼(W)를 반입하지 않고, 복수회, 이 예에서는 2사이클분 반송 사이클이 비게 된다. 이와 같이 반송 사이클이 비는 것에 의해, 공통 노즐을 사용하는 모듈 사이에서는, 한쪽의 모듈에서 현상 처리를 행하고 있는 동안에, 다른 쪽의 모듈에 대해 웨이퍼(W)의 반입출을 행할 수 있다. 즉, 공통 노즐을 사용하는 모듈에 있어서, 노즐 점유에 의한 프로세스 개시 지연을 방지할 수 있으므로, 원활하게 현상 처리를 행할 수 있다.
예를 들어, 도 5에 도시하는 구성을 사용하여, 현상 처리를 행하는 경우, 통상 시의 반송에서는, 웨이퍼(W1)는 DEV1, 웨이퍼(W2)는 DEV5, 웨이퍼(W3)는 DEV4, 웨이퍼(W4)는 DEV2, 웨이퍼(W5)는 DEV6, 웨이퍼(W6)는 DEV8, 웨이퍼(W7)는 DEV3, 웨이퍼(W8)는 DEV7로 반송된다. 여기서 웨이퍼(W6)를 DEV8로 반송하기 전에, 도 16의 (a)에 도시한 바와 같이, DEV8이 사용 불가 모듈로 된 경우에는, 다음의 웨이퍼(W7)가 반송되는 DEV3으로 웨이퍼(W6)의 반송처를 변경하고, 계속해서 후속의 웨이퍼(W)를 마찬가지로, 순차적으로 다음의 웨이퍼(W)가 반송되는 모듈로 반송처를 변경하여, 웨이퍼(W6) 이후의 웨이퍼(W)의 반송을 행하도록 제어부(3)에 의해 반송 제어가 행해진다.
이에 의해, 공유 노즐을 사용하는 모듈 사이에서는, DEV8이 사용 불가 상태로 된 후에 있어서도, 연속해서 웨이퍼(W)를 반입하지 않고, 1 사이클분 반송 사이클이 비게 되어, 상술한 바와 같이 원활한 현상 처리를 속행할 수 있다. 또한, 단순히 인접하는 모듈로 반송처를 변경하려고 하면, 도 16의 (b)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W6)를 DEV7로 반입하고, 웨이퍼(W6) 이후의 웨이퍼(W7)를 도시한 바와 같이 반송하지만, 이와 같이 하면, DEV6과 DEV7끼리의 사이에서는, 공통의 노즐을 사용하는 모듈 사이에서, 연속하는 웨이퍼(W5, W6)가 반입되게 되어, 웨이퍼(W6)를 DEV7로 반입하기까지 대기 시간이 발생하여, 원활한 반송이 도중에 끊기게 된다.
이상에 있어서, 웨이퍼(Wn)가 반송처 모듈(M1)로 반송되기 전에, 당해 모듈(M1)이 사용 불가 모듈로 되어, 새롭게 반송처가 반송처 모듈(M2)로 변경된 경우에 있어서, 당해 모듈(M2)에 있어서의 처리 레시피(R2)가, 원래의 반송처 모듈(M1)에 있어서의 처리 레시피(R1)와 다른 경우에는, 새로운 반송처를 당해 모듈(M2)로 변경한 후, 제어부(3)로부터 모듈(M2)로 처리 레시피(R1)를 전송하고, 이후 웨이퍼(Wn)가 당해 모듈(M2)로 반송되도록 제어부(3)에 의해 제어가 행해진다.
또한, 상술한 장치에서 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 이미 캐리어 블록(S1)으로부터 웨이퍼(W)의 불출이 행해지고 있는 로트에 대해서는, 그대로 웨이퍼(W)의 불출을 속행하도록 제어부(3)에 의해 제어된다. 한편 사용 불가 모듈이 발생했을 때에 캐리어 블록(S1)으로부터 웨이퍼(W)의 불출이 행해지고 있지 않은 로트에 대해서는, 불출을 행하도록 해도 좋고, 불출을 정지하도록 해도 좋다.
또한, 상술한 장치에 있어서의 더미 디스펜스에 대해서는 다음과 같이 제어부(3)로부터 제어 지령이 출력된다. 즉, 사용 불가 모듈이 발생했을 때에, 로트의 선두의 웨이퍼(W)를 반송하기 전에, 사용 불가 모듈 이외의 모듈에서 더미 디스펜스가 필요할 때에는, 당해 더미 디스펜스가 종료된 후, 웨이퍼(W)의 반송을 개시하도록 제어된다. 또한, 사용 불가 모듈의 더미 디스펜스에 대해서는, 공유 노즐에 있어서 더미 디스펜스가 필요해졌을 때에는, 공유 노즐을 사용하는 모듈의 하나가 사용 가능 모듈인 경우에는, 더미 디스펜스를 실시하도록 제어된다. 한편 사용 불가 모듈에 있어서의 공유 노즐 이외의 노즐에 대해서는, 더미 디스펜스가 필요해진 경우라도, 디스펜스는 실시하지 않도록 제어된다. 또한, 사용 불가 모듈과 동일한 모듈군의 사용 가능 모듈에 대해서는, 공유 노즐 이외의 노즐에서 더미 디스펜스가 필요해졌을 때에는 디스펜스를 실시하도록 제어된다.
또한, 멀티 모듈에 있어서 사용 불가 모듈이 발생하고 있는 상태이고 또한 사용 불가 모듈이 발생한 경우에는, 사용 가능한 모듈이 있으면, 당해 모듈을 사용하여 반송을 속행하고, 사용 가능한 모듈이 없으면, 웨이퍼(W)의 반송을 정지하도록 제어된다. 이때, 반송 아암(A1 내지 A4)이 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있지 않은 경우에는, 사용 불가 모듈의 하류측에 있어서의 반송에 대해서는 속행하도록 제어된다.
또한, 사용 불가 모듈이 복귀되어, 사용 가능 모듈로 된 경우에 대해서는, 사용 불가 모듈이 사용 가능 모듈로 된 시점에서, 당해 사용 불가 모듈을 포함하는 멀티 모듈로 반송하고 있지 않은 웨이퍼(W)로부터, 당해 사용 가능 모듈로 반송하도록 제어부(3)에 의해 제어된다. 또한, 사용 가능 모듈로 되었는지 여부는, 각 모듈(M)로부터 컨트롤러(C0)를 통해, 복귀한 취지를 제어부(3)에 출력해도 좋고, 오퍼레이터가 복귀한 취지를 입력하도록 해도 좋다.
예를 들어, COT4가 사용 불가 모듈이고, 웨이퍼(W4)를 반송하기 전에 COT4가 사용 가능 모듈로 복귀한 경우를 예로 들어, 도 17을 사용하여 설명한다. 도 17의 (a)는 COT4가 사용 가능 모듈로 복귀하기 전의 웨이퍼(W)의 반송 순서를 도시하고 있고, 반송원 모듈인 CPL31의 웨이퍼(W4)는 COT1로, CPL32의 웨이퍼(W5)는 COT2로, CPL33의 웨이퍼(W6)는 COT3으로 반송되도록 되어 있다.
이에 대해, 도 17의 (b)는 COT4가 사용 가능 모듈로 복귀한 후의 웨이퍼(W)의 반송 순서를 도시하고 있고, COT4가 사용 가능하게 된 시점에서, 당해 COT4를 포함하는 멀티 모듈로 반송하고 있지 않은 웨이퍼(W4)로부터, 당해 COT4로 반송되는 것을 도시하고 있다. 이와 같이 사용 불가 모듈이 사용 가능하게 된 시점으로부터, 당해 모듈로의 웨이퍼(W)의 반송을 재개하고 있으므로, 모듈이 사용 가능하게 되는 즉시 사용하게 되어, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.
이상에 있어서 본 발명은 반도체 웨이퍼뿐만 아니라 액정 디스플레이용 글래스 기판(LCD 기판) 등의 기판을 처리하는 도포, 현상 장치에도 적용할 수 있다.
W : 반도체 웨이퍼
C : 전달 수단
A1 내지 A4 : 반송 아암
D : 전달 아암
E : 셔틀 아암
F : 인터페이스 아암
3 : 제어부
31 : 레시피 저장부
32 : 레시피 선택부
33 : 반송 스케줄 변경부
34 : 반송 제어부
35 : 반송 제어 프로그램

Claims (4)

  1. 각각 기판이 적재되는 동시에 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군을 구비하고, 모듈군 중에는, 반송의 순서가 동일하며, 기판이 대해 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈로 이루어지는 멀티 모듈이 포함되고,
    반송 수단에 의해, 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고, 다음의 모듈의 기판을 수취한 후 당해 다음의 모듈로 선행의 기판을 전달하고, 이와 같이 하여 각 모듈에 놓인 기판을 순서가 하나 뒤인 모듈로 이동시킴으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 당해 하나의 반송 사이클을 실행한 후, 다음의 반송 사이클로 이행하여, 각 반송 사이클을 순차적으로 실행함으로써 상기 모듈군 중 순서가 작은 모듈로부터 순서가 큰 모듈로 기판이 순차적으로 반송되어 소정의 처리가 행해지고,
    통상 시에는, 상기 멀티 모듈의 각 모듈에 대해 그 앞의 모듈로부터 기판의 일정한 순서로 분배되는 기판 처리 장치에 있어서,
    기판에 순서를 할당하여, 기판의 순서와 각 모듈을 대응시켜 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열로 배열하여 작성된 반송 스케줄을 기억하는 기억부와,
    상기 반송 스케줄을 참조하여, 반송 사이클 데이터에 기입되어 있는 기판을 그 기판에 대응하는 모듈로 반송하도록 상기 반송 수단을 제어하고, 이에 의해 반송 사이클을 실행하는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는 상기 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 적어도 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 하기 (2)의 동작이 행해지도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
    (2) 사용 불가 모듈이 발생하고 또한 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 기판이 반출할 수 있는 상태인 때에, 반송 사이클이 개시되어 있고, 상기 반송 수단이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 상류측에 위치하고 있을 때에는,
    (2-a) 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 기판의 반송처를, 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈로 변경한다.
    (2-b) 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈일 때에는, 더 다음의 기판이 반입되어야 할 사용 가능한 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 한다.
    (2-c) 이와 같이 하여 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 기판을 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 수단의 반송 동작을, 적어도 상기 반송처로서 결정된 모듈보다도 상류측에서 대기한다.
    (2-d) 상기 (2-b)와 같이 하여 결정된 새로운 반송처의 모듈 내에 반입된 기판의 체류 사이클 수를, 사용 불가 모듈이 발생하지 않고 있을 때의 체류 사이클 수로부터 사용 불가 모듈의 수를 뺀 수로 하여 반송 스케줄을 변경한다.
  2. 제1항에 있어서, 노광 전에 기판에 도포막을 형성하기 위한 모듈군과, 노광 후에 기판에 대해 행하는 처리이며, 현상을 포함하는 처리를 행하기 위한 모듈군을 포함하고, 기판에 대해 레지스트를 도포하고, 또한 노광 후의 기판을 현상하는 도포, 현상 장치에 있어서, 이들 도포막을 형성하기 위한 모듈군 및 현상을 포함하는 처리를 행하기 위한 모듈군은 각각 전용의 반송로를 구비하고, 전용의 반송 수단에 의해 모듈군 사이에서 기판의 반송을 행하는 것으로, 각각 기판이 적재되는 동시에 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군은, 노광 전에 기판에 도포막을 형성하기 위한 모듈군인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 노광 전에 기판에 도포막을 형성하기 위한 모듈군과, 노광 후에 기판에 대해 행하는 처리이며, 현상을 포함하는 처리를 행하기 위한 모듈군을 포함하고, 기판에 대해 레지스트를 도포하고, 또한 노광 후의 기판을 현상하는 도포, 현상 장치에 있어서, 이들 도포막을 형성하기 위한 모듈군 및 현상을 포함하는 처리를 행하기 위한 모듈군은 각각 전용의 반송로를 구비하고, 전용의 반송 수단에 의해 모듈군 사이에서 기판의 반송을 행하는 것으로, 각각 기판이 적재되는 동시에 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군은, 노광 후에 기판에 대해 행하는 처리이며, 현상을 포함하는 처리를 행하기 위한 모듈군인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  4. 각각 기판이 적재되는 동시에 반송의 순서가 정해져 있는 모듈군을 구비하고, 모듈군 중에는 반송의 순서가 동일하며, 기판에 대해 동일한 처리를 행하는 복수의 모듈로 이루어지는 멀티 모듈이 포함되고,
    반송 수단에 의해, 하나의 모듈로부터 기판을 취출하고, 다음의 모듈의 기판을 수취한 후 당해 다음의 모듈로 선행의 기판을 전달하고, 이와 같이 하여 각 모듈에 놓인 기판을 순서가 하나 뒤인 모듈로 이동시킴으로써 하나의 반송 사이클을 실행하고, 당해 하나의 반송 사이클을 실행한 후, 다음의 반송 사이클로 이행하여, 각 반송 사이클을 순차적으로 실행함으로써 상기 모듈군 중 순서가 작은 모듈로부터 순서가 큰 모듈로 기판이 순차적으로 반송되어 소정의 처리가 행해지고,
    통상 시에는, 상기 멀티 모듈의 각 모듈에 대해서는 그 앞의 모듈로부터 기판의 일정한 순서로 분배되는 기판 처리 방법에 있어서,
    기판에 순서를 할당하여, 기판의 순서와 각 모듈을 대응시켜 반송 사이클을 지정한 반송 사이클 데이터를 시계열로 배열하여 작성된 반송 스케줄을 참조하여, 상기 반송 수단에 의해 반송 사이클 데이터에 기입되어 있는 기판을 그 기판에 대응하는 모듈로 반송하는 공정과,
    상기 멀티 모듈을 구성하는 복수의 모듈 중 적어도 하나가 사용할 수 없는 사용 불가 모듈로 되고 또한 적어도 하나가 사용할 수 있는 상태에 있을 때에는, 하기 (2)의 동작이 행해지는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
    (2) 사용 불가 모듈이 발생하고 또한 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 기판이 반출할 수 있는 상태인 때에, 반송 사이클이 개시되어 있고, 상기 반송 수단이 반송 사이클에 있어서 상기 사용 불가 모듈보다도 상류측에 위치하고 있을 때에는,
    (2-a) 사용 불가 모듈로 반입할 예정인, 사용 불가 모듈의 하나 앞의 모듈에 놓여 있는 기판의 반송처를, 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈로 변경한다.
    (2-b) 당해 기판의 다음의 기판이 반입되어야 할 모듈이 사용 불가 모듈일 때에는, 더 다음의 기판이 반입되어야 할 사용 가능한 모듈을 검색하고, 이와 같이 하여 사용 가능한 모듈을 찾아서 당해 사용 가능한 모듈을 반송처로 한다.
    (2-c) 이와 같이 하여 결정된 반송처의 모듈 내에서 앞의 기판이 반출할 수 있는 상태에 없을 때에는, 반송 수단의 반송 동작을, 적어도 상기 반송처로서 결정된 모듈보다도 상류측에서 대기한다.
    (2-d) 상기 (2-b)와 같이 하여 결정된 새로운 반송처의 모듈 내에 반입된 기판의 체류 사이클 수를, 사용 불가 모듈이 발생하지 않고 있을 때의 체류 사이클 수로부터 사용 불가 모듈의 수를 뺀 수로 하여 반송 스케줄을 변경한다.
KR1020100114721A 2010-02-24 2010-11-18 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101553417B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010039093A JP5168300B2 (ja) 2010-02-24 2010-02-24 基板処理装置及び基板処理方法
JPJP-P-2010-039093 2010-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110097600A KR20110097600A (ko) 2011-08-31
KR101553417B1 true KR101553417B1 (ko) 2015-09-15

Family

ID=44476617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100114721A KR101553417B1 (ko) 2010-02-24 2010-11-18 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8560108B2 (ko)
JP (1) JP5168300B2 (ko)
KR (1) KR101553417B1 (ko)
CN (1) CN102169848B (ko)
TW (1) TWI492003B (ko)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090314607A1 (en) * 2006-07-27 2009-12-24 Advantest Corporation Electronic device conveying method and electronic device handling apparatus
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5065167B2 (ja) * 2007-09-20 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理システム
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5565422B2 (ja) * 2012-02-08 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5959914B2 (ja) * 2012-04-18 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板搬送方法および記憶媒体
JP6214861B2 (ja) * 2012-08-29 2017-10-18 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置と基板処理装置の電源管理方法
JP6105982B2 (ja) 2012-09-21 2017-03-29 株式会社Screenホールディングス スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
JP5928283B2 (ja) * 2012-09-28 2016-06-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板搬送方法及び記憶媒体
JP6049394B2 (ja) 2012-10-22 2016-12-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板の搬送制御方法
US20140261572A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Dainippon Screen Mfg.Co., Ltd. Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP6123740B2 (ja) * 2014-06-17 2017-05-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造ライン及び半導体装置の製造方法
CN111108823B (zh) * 2017-09-26 2021-07-23 株式会社富士 元件安装线的安装精度测定***及安装精度测定方法
JP7163106B2 (ja) * 2018-08-28 2022-10-31 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラム
JP7226949B2 (ja) 2018-09-20 2023-02-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理システム
JP7247743B2 (ja) * 2019-05-20 2023-03-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7316959B2 (ja) * 2020-03-16 2023-07-28 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及びウェーハ搬送方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050197729A1 (en) 2004-03-03 2005-09-08 Makio Higashi Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009278138A (ja) 2009-08-24 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW309503B (ko) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JPH11260883A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6535784B2 (en) * 2001-04-26 2003-03-18 Tokyo Electron, Ltd. System and method for scheduling the movement of wafers in a wafer-processing tool
EP1569262A3 (en) * 2004-02-28 2008-04-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
JP2005262367A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Tokyo Electron Ltd 搬送ロボットの搬送ズレ確認方法及び処理装置
JP4401879B2 (ja) * 2004-07-07 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板の回収方法及び基板処理装置
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4577886B2 (ja) 2005-01-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4560022B2 (ja) * 2006-09-12 2010-10-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
JP5139253B2 (ja) * 2008-12-18 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空搬送装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050197729A1 (en) 2004-03-03 2005-09-08 Makio Higashi Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2009278138A (ja) 2009-08-24 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201142553A (en) 2011-12-01
TWI492003B (zh) 2015-07-11
KR20110097600A (ko) 2011-08-31
JP5168300B2 (ja) 2013-03-21
CN102169848B (zh) 2014-10-15
CN102169848A (zh) 2011-08-31
JP2011176122A (ja) 2011-09-08
US20110206486A1 (en) 2011-08-25
US8560108B2 (en) 2013-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101553417B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4356936B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP5266965B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5392190B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
KR101010779B1 (ko) 도포, 현상 장치, 그 방법 및 기억 매체
JP5187274B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101513748B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP5246184B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2008141134A (ja) 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
WO2015198885A1 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法および基板処理装置
KR101676049B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20200133671A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2010186812A (ja) 基板処理装置
JP2009026916A (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法並びに記憶媒体
JP4702446B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5565422B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5348290B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP4640469B2 (ja) 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
KR20150032635A (ko) 도포, 현상 장치, 도포, 현상 장치의 운전 방법 및 기억 매체
JP4496073B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP7347658B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP6573693B2 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法および基板処理装置
JP5267691B2 (ja) 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP5904294B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant