JP7163106B2 - 基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラム - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラム Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラムに関する。
特許文献1に記載されている基板処理装置は、複数のペア処理部と、制御部とを備える。ペア処理部の各々は、安全処理部と、非安全処理部と、副搬送機構とを含む。安全処理部は、ロットを待機させることが可能である。非安全処理部は、ロットを待機させることが不可能である。副搬送機構は、安全処理部と非安全処理部との間でのみロットを搬送する。1ロットは複数の基板からなる。
制御部は、複数のペア処理部ごとに、実体のリソースとは別の仮想リソースを定義する。一方のペア処理部内の非安全処理部による処理に続いて、同じペア処理部内の安全処理部による処理を行うペア内処理の場合には、一方のペア処理部のリソースを使用するとともに、処理期間にわたって同じペア処理部の仮想リソースを使用する。
また、他方のペア処理部内の非安全処理部による処理に続いて、一方のペア処理部内の安全処理部による処理を行う非ペア内処理の場合には、他方のペア処理部内の非安全処理部のリソースと一方のペア処理部内の安全処理部のリソースとを使用するとともに、他方のペア処理部の仮想リソースを非安全処理部における処理期間にわたって使用し、さらに、異なるペア処理部をまたいだ処理期間にわたって、一方のペア処理部の仮想リソースを使用する。
そして、仮想リソースの重複を排除して各リソースの使用タイミングを決定するが、ペア内処理の直後に非ペア内処理を配置しようとすると、非ペア内処理における一方のペア処理部の仮想リソースと、ペア内処理における一方のペア処理部の仮想リソースとが干渉することになるので、非ペア内処理をペア内処理から間隔をあけなければ配置することができない。
従って、ペア内処理の安全処理部で異常が発生しても、後続する非ペア内処理の非安全処理部にロットを投入することを中止できる余裕が生じる。その結果、安全処理部において異常が生じてもロットに対して過剰処理が行われることを抑制できる。
特開2009-238917号公報
しかしながら、特許文献1に記載されている基板処理装置では、非ペア内処理をペア内処理から間隔をあけて配置することで、基板処理装置のスループット(単位時間あたりの基板の処理枚数)を敢えて若干低下させて、ロットの各基板に対する過剰処理を抑制している。
本願の発明者は、基板に対する過剰処理の抑制と、基板処理装置のスループットの低下の抑制との双方に着目して鋭意研究を行った。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対して過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板の処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラムを提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、複数の基板を一括して処理する。基板処理装置は、複数の槽と、搬送機構と、制御部とを備える。複数の槽は、基板を処理する。搬送機構は、前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出する。制御部は、前記複数の槽及び前記搬送機構を制御する。制御部は、設定部と、スケジューラーと、実行部とを含む。設定部は、前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定する。スケジューラーは、基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成する。実行部は、前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させる。前記退避制御情報は、第1制御情報と、第2制御情報とを含む。第1制御情報は、槽に基板を待機させることが可能か否かを示す。第2制御情報は、槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す。前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示す。前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示す。前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示す。前記スケジューラーは、前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第1内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが許容される前記スケジュールを作成する。前記スケジューラーは、前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第2内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが規制される前記スケジュールを作成する。前記退避制御情報が変更された場合、前記スケジューラーは、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更する。前記実行部は、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させる。
本発明の基板処理装置において、基板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、前記設定部は、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記複数の槽は、燐酸液を収容する燐酸槽を含むことが好ましい。前記退避トリガーの発生前に、前記設定部は、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記第1制御情報は、環境情報に対応して、前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含むことが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記設定部は、前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記設定部は、前記環境情報を検出する検出部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定することが好ましい。
本発明の基板処理装置は、通信部をさらに備えることが好ましい。通信部は、前記基板処理装置の外部からネットワークを介して前記環境情報を受信することが好ましい。前記設定部は、前記通信部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記実行部は、処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させることが好ましい。実行部は、未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させることが好ましい。
本発明の基板処理装置は、操作部をさらに備えることが好ましい。操作部は、ユーザーによって操作され、前記ユーザーから前記退避制御情報を変更する入力を受け付けることが好ましい。前記退避制御情報を変更する入力を前記操作部が受け付けたことに応答して、前記設定部は、前記退避制御情報の内容を変更することが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、複数の基板を一括して処理する基板処理装置によって実行される。前記基板処理装置は、複数の槽と、搬送機構とを備える。複数の槽は、基板を処理する。搬送機構は、前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出することが可能である。基板処理方法は、前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定するステップと、基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成するステップと、前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させるステップと、前記退避制御情報が変更された場合、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更するステップと、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させるステップとを含む。前記退避制御情報は、第1制御情報と、第2制御情報とを含む。第1制御情報は、槽に基板を待機させることが可能か否かを示す。第2制御情報は、槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す。前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示す。前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示す。前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示す。前記スケジュールを作成する前記ステップでは、前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第1内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが許容される前記スケジュールを作成し、前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第2内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが規制される前記スケジュールを作成する。
本発明の基板処理方法において、基板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記複数の槽は、燐酸液を収容する燐酸槽を含むことが好ましい。前記退避トリガーの発生前に、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記第1制御情報は、環境情報に対応して、前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記環境情報を検出する検出部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記基板処理装置の外部からネットワークを介して前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定されることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させることが好ましい。未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させることが好ましい。
本発明の基板処理方法において、前記退避制御情報を変更する入力を操作部が受け付けたことに応答して、前記退避制御情報の内容が変更されることが好ましい。
本発明の更に他の局面によれば、コンピュータープログラムは、コンピューターに上記の基板処理方法を実行させる。
本発明によれば、基板に対して過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板の処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる基板処理方法、及びコンピュータープログラムを提供できる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す模式的平面図である。 本実施形態に係る基板処理装置を示すブロック図である。 本実施形態に係る基板処理装置に設定される退避制御情報を示す図である。 本実施形態に係る基板処理装置のスケジュールの一例を示すタイムチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置のスケジュールの一例を示すタイムチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置のスケジュールの一例を示すタイムチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置の第1モードでの基板処理方法の一部を示すフローチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置の第1モードでの基板処理方法の他の一部を示すフローチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置の第1モードでの基板処理方法の更に他の一部を示すフローチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置の第2モードでの基板処理方法の一部を示すフローチャートである。 本実施形態に係る基板処理装置の第2モードでの基板処理方法の他の一部を示すフローチャートである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、X軸、Y軸、及びZ軸は互いに直交し、X軸及びY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。
図1~図11を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置100を説明する。本実施形態に係る基板処理装置100はバッチ式である。従って、基板処理装置100は、複数の基板Wを一括して処理する。具体的には、基板処理装置100は、複数のロットを処理する。複数のロットの各々は複数の基板Wからなる。例えば、1ロットは25枚の基板Wからなる。本実施形態では、基板処理装置100は、各ロットの基板Wに対して、薬液処理、洗浄処理、及び乾燥処理を実行する。基板Wは、例えば、略円板状である。
基板Wは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。
まず、図1を参照して基板処理装置100を説明する。図1は、基板処理装置100を示す模式的平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、複数の収納部1と、投入部3と、払出部7と、受け渡し機構11と、バッファユニットBUと、搬送機構CVと、処理部SPと、コンピューターCMとを備える。処理部SPは複数の槽TAを含む。搬送機構CVは、第1搬送機構CTCと、第2搬送機構WTRと、副搬送機構LF1と、副搬送機構LF2と、副搬送機構LF3と、副搬送機構LF4と、副搬送機構LF5と、副搬送機構LF6とを含む。処理部SPは、乾燥処理部17と、第1処理部19と、第2処理部20と、第3処理部21とを含む。乾燥処理部17は、複数の槽TAのうちの槽LPD1及び槽LPD2を含む。第1処理部19は、複数の槽TAのうちの槽ONB1及び槽CHB1を含む。第2処理部20は、複数の槽TAのうちの槽ONB2及び槽CHB2を含む。第3処理部21は、複数の槽TAのうちの槽ONB3及び槽CHB3を含む。
コンピューターCMは、複数の収納部1、投入部3、払出部7と、受け渡し機構11、バッファユニットBU、搬送機構CV、及び処理部SPを制御する。
複数の収納部1の各々は、複数の基板Wを収容する。各基板Wは水平姿勢で収納部1に収容される。収納部1は、例えば、FOUP(Front Opening Unified Pod)である。
未処理の基板Wを収納する収納部1は、投入部3に載置される。具体的には、投入部3は複数の載置台5を含む。そして、2つの収納部1が、それぞれ、2つの載置台5に載置される。投入部3は、基板処理装置100の長手方向の一方端に配置される。
処理済みの基板Wを収納する収納部1は、払出部7に載置される。具体的には、払出部7は複数の載置台9を含む。そして、2つの収納部1が、それぞれ、2つの載置台9に載置される。払出部7は、処理済みの基板Wを収納部1に収納して収納部1ごと払い出す。払出部7は、基板処理装置100の長手方向の一方端に配置される。払出部7は、投入部3に対して、基板処理装置100の長手方向に直交する方向に対向している。
バッファユニットBUは、投入部3及び払出部7に隣接して配置される。バッファユニットBUは、投入部3に載置された収納部1を基板Wごと内部に取り込むとともに、棚(不図示)に収納部1を載置する。また、バッファユニットBUは、処理済みの基板Wを受け取って収納部1に収納するとともに、棚に収納部1を載置する。バッファユニットBU内には、受け渡し機構11が配置されている。
受け渡し機構11は、投入部3及び払出部7と棚との間で収納部1を受け渡す。また、受け渡し機構11は、受け渡し機構11と搬送機構CVとの間で基板Wのみの受け渡しを行う。具体的には、受け渡し機構11は、受け渡し機構11と搬送機構CVとの間でロットの受け渡しを行う。搬送機構CVは、処理部SPに対してロットを搬入及び搬出する。具体的には、搬送機構CVは、処理部SPの槽TAの各々に対してロットを搬入及び搬出する。処理部SPは、ロットに対して、薬液処理、洗浄処理、及び乾燥処理を実行する。
具体的には、受け渡し機構11は、受け渡し機構11と搬送機構CVの第1搬送機構CTCとの間でロットの受け渡しを行う。第1搬送機構CTCは、受け渡し機構11から受け取ったロットの複数の基板Wの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換した後、第2搬送機構WTRにロットを受け渡す。また、第1搬送機構CTCは、第2搬送機構WTRから処理済みのロットを受け取った後、ロットの複数の基板Wの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、ロットを受け渡し機構11に受け渡す。
第2搬送機構WTRは、基板処理装置100の長手方向に沿って、処理部SPの乾燥処理部17から第3処理部21まで移動可能である。従って、第2搬送機構WTRは、乾燥処理部17、第1処理部19、第2処理部20、及び第3処理部21に対して、ロットを搬入及び搬出する。
乾燥処理部17はロットに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥処理部17の槽LPD1及び槽LPD2の各々が、ロットを収納してロットの複数の基板Wに対して乾燥処理を行う。第2搬送機構WTRは、槽LPD1及び槽LPD2の各々に対してロットを搬入及び搬出する。
乾燥処理部17に隣接して第1処理部19が配置されている。第1処理部19の槽ONB1は、例えば、ロットの複数の基板Wに対してリンス液による洗浄処理を行う。本実施形態では、洗浄処理は、純水による水洗処理である。槽CHB1は、例えば、ロットの複数の基板Wに対して薬液による処理を行う。搬送機構CVの副搬送機構LF1及び副搬送機構LF2は、第1処理部19内でのロットの搬送の他に、第2搬送機構WTRとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構LF1は、ロットを槽ONB1に浸漬したり、ロットを槽ONB1から引き上げたりする。副搬送機構LF2は、ロットを槽CHB1に浸漬したり、ロットを槽CHB1から引き上げたりする。
第1処理部19に隣接して第2処理部20が配置されている。第2処理部20の槽ONB2は、例えば、ロットの複数の基板Wに対してリンス液による洗浄処理を行う。本実施形態では、洗浄処理は、純水による水洗処理である。槽CHB2は、例えば、ロットの複数の基板Wに対して薬液による処理を行う。搬送機構CVの副搬送機構LF3及び副搬送機構LF4は、第2処理部20内でのロットの搬送の他に、第2搬送機構WTRとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構LF3は、ロットを槽ONB2に浸漬したり、ロットを槽ONB2から引き上げたりする。副搬送機構LF4は、ロットを槽CHB2に浸漬したり、ロットを槽CHB2から引き上げたりする。
第2処理部20に隣接して第3処理部21が配置されている。第3処理部21の槽ONB3は、例えば、ロットの複数の基板Wに対してリンス液による洗浄処理を行う。本実施形態では、洗浄処理は、純水による水洗処理である。槽CHB3は、例えば、ロットの複数の基板Wに対して薬液による処理を行う。搬送機構CVの副搬送機構LF5及び副搬送機構LF6は、第3処理部21内でのロットの搬送の他に、第2搬送機構WTRとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構LF5は、ロットを槽ONB3に浸漬したり、ロットを槽ONB3から引き上げたりする。副搬送機構LF6は、ロットを槽CHB3に浸漬したり、ロットを槽CHB3から引き上げたりする。
以上、図1を参照して説明したように、搬送機構CVは、処理部SPの槽TA(槽LPD1、槽LPD2、槽ONB1~槽ONB3、及び、槽CHB1~槽CHB3)の各々に対して基板Wを搬入及び搬出する。そして、複数の槽TAの各々は基板Wを処理する。
次に、図2を参照して基板処理装置100を説明する。図2は、基板処理装置100を示すブロック図である。図2に示すように、基板処理装置100は検出部59をさらに備える。検出部59は環境情報EV1を検出する。検出部59は、有線又は無線により環境情報EV1を制御部51に出力する。環境情報EV1は、基板処理装置100が置かれた環境を表す情報、又は、基板処理装置100の状態を表す情報を含む。
例えば、環境情報EV1は大気圧を示す情報を含む。そして、検出部59は、大気圧を検出する気圧計を含む。例えば、環境情報EV1は温度を示す情報を含む。そして、検出部59は、温度を検出する温度計を含む。温度は、例えば、気温である。気温は、例えば、槽TAに供給する薬液を収容する外部タンクの周囲の気温である。例えば、環境情報EV1は湿度を示す情報を含む。そして、検出部59は、湿度を検出する湿度計を含む。なお、大気圧、温度、及び湿度は、それぞれ、例えば、基板処理装置100の置かれた場所の大気圧、温度、及び湿度を示す。
例えば、環境情報EV1は振動を示す情報を含む。そして、検出部59は、振動を検出する振動計を含む。なお、振動は、例えば、基板処理装置100の置かれた場所又は基板処理装置100の振動である。例えば、環境情報EV1は基板処理装置100の傾斜を示す情報を含む。そして、検出部59は、基板処理装置100の傾斜を検出する傾斜計を含む。例えば、環境情報EV1は、基板処理装置100の構成部品の使用頻度を示す情報を含む。「構成部品の使用頻度を示す情報」は、例えば、槽TAのバルブの開閉の回数、又は、槽TAに液体(リンス液又は薬液)を供給するポンプの駆動回数である。
なお、「基板処理装置100の置かれた場所」は、基板処理装置100が設置された建造物の内部でもよいし、基板処理装置100が設置された建造物の外部(例えば、建造物の周囲)でもよい。また、基板処理装置100は検出部59を備えずに、検出部59が基板処理装置100の外部に配置されていてもよい。
基板処理装置100のコンピューターCMは、制御部51と、記憶部53と、通信部55と、操作部57とを含む。制御部51は、CPU(Central Processing Unit)のようなプロセッサーを含む。記憶部53は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部53は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び/又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部53は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部51のプロセッサーは、記憶部53の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、搬送機構CV、処理部SP、及び検出部59を制御する。
通信部55は、有線又は無線でネットワークNWに接続される。ネットワークNWは、例えば、インターネット、LAN(Local Area Network)、及び公衆電話網を含む。通信部55は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。通信部55は、ネットワークNWに接続された外部コンピューター300と通信する。制御部51は、通信部55を介して、外部コンピューター300と通信する。
外部コンピューター300は、例えば、ホストコンピューター又はサーバーである。ホストコンピューターは複数の基板処理装置100を制御する。外部コンピューター300は、基板処理装置100の外部に設置される。「基板処理装置100の外部」は、基板処理装置100の内部でない限りにおいては、基板処理装置100が設置された建造物の内部であってもよいし、基板処理装置100が設置された建造物の外部であってもよい。
通信部55は、基板処理装置100の外部からネットワークNWを介して環境情報EV2を受信する。具体的には、通信部55は、ネットワークNWを経由して外部コンピューター300から環境情報EV2を受信する。
環境情報EV2は、基板処理装置100が置かれた環境を表す情報を含む。例えば、環境情報EV2は気象情報を含む。気象情報は例えば台風情報を示す。台風情報は、例えば、台風の進路及び強さの情報を含む。例えば、環境情報EV2は地震予測情報を含む。例えば、環境情報EV2は工場内アラーム情報を含む。工場内アラーム情報は、例えば、基板処理装置100が設置された工場内で、リスクの発生を予測するアラームを示す。
以下、環境情報EV1と環境情報EV2とを区別して説明する必要のないときは、環境情報EV1及び環境情報EV2を総称して「環境情報EV」と記載する。
操作部57は、ユーザーによって操作され、ユーザーから各種情報の入力を受け付ける。操作部57は、例えば、ディスプレイ及びポインティングデバイス、又は、タッチパネルを含む。
引き続き図2を参照して制御部51の詳細を説明する。図2に示すように、制御部51は、搬送機構CV及び複数の槽TAを制御する。以下、説明の便宜上、槽TAにロットを搬入するときの搬送機構CVを「ローダーLD」と記載し、槽TAからロットを搬出するときの搬送機構CVを「アンローダーULD」と記載する場合がある。
制御部51は、設定部61と、スケジューラー63と、実行部65とを含む。設定部61は、複数の槽TAの各々に対して、基板Wの退避に関する退避制御情報ESを設定する。退避制御情報ESは、第1制御情報FEと、第2制御情報SEとを含む。
第1制御情報FEは、槽TAに基板Wを待機させることが可能か否かを示す。第1制御情報FEは、第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかを示す。第1内容A1は、槽TAに基板Wを待機させることが可能であることを示す。第2内容A2は、槽TAに基板Wを待機させることが不可能であることを示す。
第2制御情報SEは、槽TAが他の槽TAに収容された基板Wを退避するための場所であるか否かを示す。第2制御情報SEは、第3内容A3及び第4内容A4のうちのいずれかを示す。第3内容A3は、槽TAが他の槽TAに収容された基板Wを退避するための場所であることを示す。第4内容A4は、槽TAが他の槽TAに収容された基板Wを退避するための場所でないことを示す。
図3は、退避制御情報ESを示す図である。図2及び図3に示すように、設定部61は、複数の槽TA(槽LPD1、槽LPD2、槽ONB1~槽ONB3、及び、槽CHB1~槽CHB3)の各々に退避制御情報ES(第1制御情報FE及び第2制御情報SE)を設定する。設定部61は、各槽TAに対して任意の内容の退避制御情報ESを設定可能である。
本実施形態では、一例として、設定部61は、乾燥処理行う槽LPD1及び槽LPD2の各々に対して、第1内容A1の第1制御情報FE及び第4内容A4の第2制御情報SEを設定する。また、一例として、設定部61は、洗浄処理行う槽ONB1~槽ONB3の各々に対して、第1内容A1の第1制御情報FE及び第3内容A3の第2制御情報SEを設定する。さらに、一例として、設定部61は、薬液処理を行う槽CHB1~槽CHB3の各々に対して、環境情報EVに対応して、第1内容A1又は第2内容A2の第1制御情報FEと、第3内容A3又は第4内容A4の第2制御情報SEとを設定する。各退避制御情報ESは、スケジューラー63によって参照される。
スケジューラー63は、スケジュールSCをレシピ及び退避制御情報ESに基づいて作成する。スケジュールSCは、複数のロットを処理するときの複数の槽TAの使用タイミング及び搬送機構CVの動作タイミングを規定する。つまり、スケジュールSCは、基板Wを処理するときの複数の槽TAの使用タイミング及び搬送機構CVの動作タイミングを規定する。スケジュールSCは、時間軸上に配置された複数の個別スケジュールを含む。個別スケジュールは、1つのロットを処理するときの複数の槽TAの使用タイミング及び搬送機構CVの動作タイミングを規定する。つまり、個別スケジュールはロットごと定められる。レシピは、ロットの処理内容及び処理手順を規定する。
具体的には、スケジューラー63は、退避制御情報ESに応じて、スケジュールSC1か、又は、スケジュールSC2かを作成する。ただし、退避制御情報ESが変更された場合は、スケジューラー63は、退避制御情報ESの変更時刻を考慮したスケジュールSC3を作成する。
スケジュールSC1は、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制がなく、複数の槽TAが並行して使用されるスケジュールを示す。従って、スケジュールSC1では、可能な限り複数の槽TAを並行して使用できるため、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。スループットとは、単位時間あたりの基板Wの処理枚数のことである。
スケジュールSC2は、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制があり、特定の槽TAの並行した使用が禁止されているスケジュールを示す。従って、スケジュールSC2では、ある槽TAに収容されたロットを退避トリガーTGの発生に応じて直ちに他の槽TA(空いている槽TA)に退避できる。その結果、ロットの各基板Wに対して薬液による過剰な処理が行われることを抑止できる。
具体的には、スケジュールSC2は、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TA(例えば槽CHB1)と、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定された槽TA(例えば槽ONB1)とが並行して使用されないスケジュールを示す。従って、スケジュールSC2では、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TAに収容されたロットを、退避トリガーTGの発生に応じて直ちに、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定された槽TAに退避できる。
退避トリガーTGとは、基板Wを槽TAから退避させるためのトリガーのことである。具体的には、退避トリガーTGとは、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TAに収容された基板Wを槽TAから退避させるためのトリガーのことである。コンピューターCMは、薬液による基板Wの過剰処理を抑制するために基板Wを槽TAから退避させる事態が発生した時に退避トリガーTGを発生する。また、コンピューターCMは、外部コンピューター300から退避トリガーTGを受信してもよい。
スケジュールSC3は、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制がなくて複数の槽TAが並行して使用される部分と、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制があって特定の槽TAの並行した使用が禁止されている部分とを有するスケジュールを示す。
なお、スケジュールSC1~スケジュールSC3は、スケジュールSCの一例である。
実行部65は、搬送機構CV及び複数の槽TAに、スケジュールSCに従ってロットの処理を実行させる。つまり、実行部65は、搬送機構CV及び複数の槽TAに、スケジュールSCに従って基板Wの処理を実行させる。
少なくとも1つの退避制御情報ESが変更された場合、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。本実施形態では、少なくとも1つの第1制御情報FEの内容が変更された場合、スケジューラー63は、変更後の第1制御情報FEを含む退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。そして、実行部65は、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAにロットの処理を実行させる。つまり、実行部65は、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに基板Wの処理を実行させる。
すなわち、少なくとも1つの退避制御情報ESが変更された場合、スケジューラー63は、スケジュールSC3を作成する。そして、実行部65は、スケジュールSC3に従って搬送機構CV及び複数の槽TAにロットの処理を実行させる。
具体的には、少なくとも1つの退避制御情報ES(具体的には少なくとも1つの第1制御情報FE)が変更されてスケジュールSCが変更された場合、実行部65は、複数のロットのうち処理途中のロットに対して変更前のスケジュールSCを適用して、変更前のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。つまり、実行部65は、処理途中の基板Wに対して変更前のスケジュールSCを適用して、変更前のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに処理途中の基板Wの処理を続行させる。そして、実行部65は、複数のロットのうち未処理のロットに対して変更後のスケジュールSCを適用して、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。つまり、実行部65は、未処理の基板Wに対して変更後のスケジュールSCを適用して、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに未処理の基板Wの処理を実行させる。
従って、本実施形態によれば、ロットの処理途中に退避制御情報ESが変更されてスケジュールSCが変更された場合でも、スケジュールSCが破綻することなく、スケジュールSCに基づくバッチ処理を円滑に継続できる。バッチ処理は、複数のロットを並行して処理することを示す。
加えて、全てのロットを払い出して基板処理装置100を停止させた後にスケジュールを変更することが要求されないため、基板Wの処理のスループットが低下することを抑制できる。
また、薬液による基板Wに対する過剰処理の抑制を優先するスケジュールSC2に従って各ロットを処理している期間に退避トリガーTGが発生した場合、実行部65は、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TA(例えば、槽CHB1~槽CHB3)から、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定された槽TA(例えば、槽ONB1~槽ONB3)にロットを退避するように、搬送機構CVを制御する。その結果、ロットの各基板Wが薬液によって過剰処理されることを抑制できる。
以上、図2及び図3を参照して説明したように、本実施形態によれば、複数の槽TAの各々に対して退避制御情報ES(第1制御情報FE及び第2制御情報SE)が設定される。
従って、各槽TAに対して設定された第1制御情報FEが第1内容A1(待機可)を示している場合、スケジューラー63は、基板Wの処理のスループットを優先してスケジュールSC1を作成できる。その結果、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
一方、ある槽TAに対して設定された第1制御情報FEが第2内容A2(待機不可)を示している場合、スケジューラー63は、槽TAに収容されたロットを退避トリガーTGの発生に応じて直ちに他の槽TAに退避できるようにスケジュールSC2を作成できる。その結果、ロットの各基板Wに対して薬液による過剰な処理が行われることを抑止できる。
加えて、本実施形態では、退避制御情報ESの内容が変更された場合にスケジュールSCが変更され、変更後のスケジュールSCに従ってロットの処理が実行される。従って、退避制御情報ESの第1制御情報FEが第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれを示すかによって、基板Wの処理のスループットの向上を優先するスケジュールSC1か、又は、薬液による基板Wに対する過剰処理の抑制を優先するスケジュールSC2かが作成される。その結果、退避制御情報ESの内容に応じて適切なスケジュールSCが作成されて、基板Wに対して薬液による過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板Wの処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる。
また、本実施形態では、退避トリガーTGの発生前に、設定部61は、複数の槽TAにそれぞれ設定された複数の第1制御情報FEのうち少なくとも1つの第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更する。従って、退避トリガーTGの発生前に、基板Wに対する過剰処理の抑制を優先するスケジュールSC2が作成され、スケジュールSC2に従ってロットが処理される。その結果、退避トリガーTGの発生時に、槽TAからロットを確実に退避させることができて、ロットの各基板Wに対して薬液による過剰処理が行われることを更に効果的に抑制できる。
さらに、本実施形態では、第1制御情報FEは、環境情報EVに対応して、第1内容A1(待機可)及び第2内容A2(待機不可)のうちのいずれかを示す。従って、環境情報EVに応じた好適なスケジュールSCが作成されて、環境情報EVに応じたスケジュールSCに従って各ロットが処理される。その結果、各ロットを更に適切に処理できる。
例えば、複数の槽TAは、燐酸液を収容する燐酸槽を含む。具体的には、槽CHB1~槽CHB3の各々が燐酸槽である。そして、退避トリガーTGの発生前に、設定部61は、燐酸槽に対して設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更する。特に、基板処理装置100が設置されている地域に台風が到来することが予測されている場合において、退避トリガーTGの発生前に、設定部61は、燐酸槽に対して設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2に変更することが有効である。第1制御情報FEの内容の変更が有効な理由は次の通りである。
すなわち、燐酸液を使用して基板Wをエッチングする場合は、十分なエッチングレートを確保するために、燐酸槽では、燐酸液の沸点に近い温度で基板Wを処理することが要求される。一方、台風が到来したり、台風が接近したりすると、基板処理装置100の周囲の大気圧が低下する。つまり、燐酸槽の周囲の大気圧が低下する。燐酸槽の周囲の大気圧が低下すると、燐酸液の沸点が低下する。従って、燐酸液の加熱温度が大気圧の低下前と同じであると、燐酸液の沸点より高い温度で燐酸液が加熱される。その結果、燐酸液の突沸が生じる可能性が、大気圧の低下前と比較して高くなる。
そして、燐酸液の突沸が生じる可能性が高くなる環境下では、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが設定されていると、退避トリガーTGが発生した時に、燐酸槽から基板Wを退避できない可能性がある。その結果、基板Wが燐酸液によって過剰処理される可能性がある。そこで、退避トリガーTGの発生前に、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定することで、スケジュールSC2を作成して、退避トリガーTGが発生した時に直ちに燐酸槽から基板Wを退避する。その結果、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。
なお、「基板処理装置100が設置されている地域に台風が到来することが予測されている場合」は、例えば、環境情報EV1が示す大気圧が閾値気圧TH1以下になった場合、環境情報EV2が示す気象情報が台風の接近を示している場合、又は、ユーザーが各種情報に基づいて台風の接近を察知した場合である。
さらに、本実施形態では、制御部51は、第1モードと第2モードとを有する。第1モードは、環境情報EV1を取得して、環境情報EV1に基づいて各槽TAに退避制御情報ESを設定するモードを示す。第2モードは、操作部57からの入力に基づいて各槽TAに退避制御情報ESを設定するモードを示す。
第1モードでは、設定部61は、環境情報EV1を取得して、環境情報EV1に基づいて第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)及び第2内容A2(待機不可)のうちのいずれかに設定する。
従って、第1モードでは、手動ではなく自動で第1制御情報FEの内容が環境情報EV1又は環境情報EV2に応じて設定される。従って、ユーザーによる設定変更の忘却又はリスク予兆の見逃しによって第1制御情報FEの内容が基板処理装置100の置かれた環境に応じて適切に設定されない事態の発生を抑制できる。つまり、ユーザーによる設定変更の忘却又はリスク予兆の見逃しによってスケジュールSCが基板処理装置100の置かれた環境に応じて適切に作成されない事態を抑制できる。
具体的には、第1モードでは、設定部61は、検出部59から環境情報EV1を取得する。そして、設定部61は、環境情報EV1に基づいて第1制御情報FEの内容を第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかに設定する。従って、本実施形態によれば、設定部61は、検出部59の検出結果である環境情報EV1に応じて第1制御情報FEの内容を適切に設定できる。
例えば、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧が閾値気圧TH1以下になった場合、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC2が作成されて、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。一方、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧が閾値気圧TH1より大きくなった場合、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC1が作成されて、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
例えば、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧の減少が閾値時間TH2継続して発生した場合、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定する。一方、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧の上昇が閾値時間TH2継続して発生した場合、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEを設定する。
なお、閾値気圧TH1及び閾値時間TH2の各々は、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するために環境情報EVと比較される判定基準値の一例である。
また、第1モードでは、通信部55は、環境情報EV2をネットワークNWから受信する。そして、設定部61は、通信部55から環境情報EV2を取得して、環境情報EV2に基づいて第1制御情報FEの内容を第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかに設定する。つまり、設定部61は、基板処理装置100の外部からネットワークNWを介して環境情報EV2を取得する。そして、設定部61は、環境情報EV2に基づいて、第1制御情報FEの内容を第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかに設定する。従って、本実施形態によれば、ネットワークNWから取得した環境情報EV2に基づいて、第1制御情報FEの内容を適切に設定できる。
例えば、設定部61は、環境情報EV2が示す気象情報が台風の接近を示している場合、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC2が作成されて、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。一方、設定部61は、環境情報EV2が示す気象情報が台風の消滅又は進路変更を示している場合、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC1が作成されて、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
一方、第2モードでは、操作部57は、ユーザーから退避制御情報ESを変更する入力を受け付ける。そして、退避制御情報ESを変更する入力を操作部57が受け付けたことに応答して、設定部61は、退避制御情報ESの内容を変更する。従って、本実施形態によれば、ユーザーは、基板処理装置100の置かれた環境及びリスク予兆を考慮して、退避制御情報ESを手動で変更できる。
特に、本実施形態では、ユーザーが手動で退避制御情報ESを変更してスケジュールSCが変更された場合でも、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って処理途中のロットの処理を実行し、変更後のスケジュールSCに従って未処理のロットの処理を実行する。従って、本実施形態によれば、ロットの処理途中に退避制御情報ESが手動で変更されてスケジュールSCが変更された場合でも、スケジュールSCが破綻することなく、スケジュールSCに基づくバッチ処理を円滑に継続できる。
ここで、例えば、ユーザーが各種情報に基づいて台風の接近を察知した場合、操作部57は、ユーザーから燐酸槽に設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更することを示す入力を受け付ける。そこで、設定部61は、第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2に変更する。その結果、スケジュールSC2が作成されて、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。
例えば、ユーザーが各種情報に基づいて台風の消滅又は進路変更を察知した場合、操作部57は、燐酸槽に設定された第1制御情報FEの内容を第2内容A2(待機不可)から第1内容A1(待機可)に変更することを示す入力をユーザーから受け付ける。従って、設定部61は、第1制御情報FEの内容を第2内容A2から第1内容A1に変更する。その結果、スケジュールSC1が作成されて、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
次に、図2及び図4~図6を参照してスケジューラー63が作成するスケジュールSC1~スケジュールSC3を説明する。図4~図6において、処理工程Pの後の数字は、ロット番号を示し、「-」の後が処理工程の番号を表す。また、縦軸はリソースを示し、横軸は時間tを示す。リソースは制御部51による制御対象を示す。
図4は、スケジュールSC1を示すタイムチャートである。スケジュールSC1は、基板Wの処理のスループットを優先している。
図2及び図4に示すように、スケジュールSC1では、処理工程P1-1~処理工程P1-5、処理工程P2-1~処理工程P2-5、処理工程P3-1~処理工程P3-5、処理工程P4-1~処理工程P4-5、処理工程P5-1~処理工程P5-5、処理工程P2-1~処理工程P2-5、…が時間軸上に配置されている。
処理工程P1-1は、ローダーLDがロットを槽CHB1に搬入する工程を示す。処理工程P1-2は、槽CHB1がロットを薬液によって処理する工程を示す。処理工程P1-3は、槽ONB1がロットをリンス液によって洗浄する工程を示す。処理工程P1-4は、槽LPD1がロットを乾燥する工程を示す。処理工程P1-5は、アンローダーULDがロットを槽LPD1から搬出する工程を示す。
ロットが異なる点を除き、処理工程P2-1~処理工程P2-5は、それぞれ、処理工程P1-1~処理工程P1-5と同様である。この点は、処理工程P3-1~処理工程P3-5、処理工程P4-1~処理工程P4-5、処理工程P5-1~処理工程P5-5、及び、処理工程P6-1~処理工程P6-5についても同様である。
スケジュールSC1では、槽ONB1に対して、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定されている。一方、スケジュールSC1では、槽CHB1に対して、第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが設定されている。従って、槽CHB1と槽ONB1とが並行して使用される。その結果、基板Wの処理のスループットを向上できる。なお、例えば、第2処理部20及び第3処理部21でもスケジュールSC1が作成され、第1処理部19~第3処理部21で並行してロットが処理される。
図5は、スケジュールSC2を示すタイムチャートである。スケジュールSC2は、薬液による基板Wの過剰処理の抑制を優先している。
図5に示すように、スケジュールSC2では、図4に示すスケジュールSC1と同様に、処理工程P1-1~処理工程P1-5、処理工程P2-1~処理工程P2-5、処理工程P3-1~処理工程P3-5、処理工程P4-1~処理工程P4-5、…が時間軸上に配置されている。
ただし、スケジュールSC2では、槽CHB1に対して、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定されている。また、槽ONB1に対して、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定されている。従って、槽CHB1と槽ONB1とは並行して使用されない。その結果、退避トリガーTGが発生した時に直ちに槽CHB1の基板Wを槽ONB1に退避できて、薬液による基板Wの過剰処理を抑制できる。なお、例えば、第2処理部20及び第3処理部21でもスケジュールSC2が作成され、第1処理部19~第3処理部21で並行してロットが処理される。
図6は、スケジュールSC3を示すタイムチャートである。スケジュールSC3は、退避制御情報ESの変更時刻を考慮している。
図6に示すように、スケジュールSC3では、図4に示すスケジュールSC1及び図5に示すスケジュールSC2と同様に、処理工程P1-1~処理工程P1-5、処理工程P2-1~処理工程P2-5、処理工程P3-1~処理工程P3-5、処理工程P4-1~処理工程P4-5、処理工程P5-1~処理工程P5-5、…が時間軸上に配置されている。具体的には、スケジュールSC3は、スケジュールSC1とスケジュールSC2とが複合したスケジュールである。
時刻tcは、退避制御情報ESが変更された時刻を示す。具体的には、時刻tcでは、第1制御情報FEの内容が、第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更されている。従って、スケジューラー63は、スケジュールSC1をスケジュールSC2に変更する。
しかしながら、時刻tcでは、スケジュールSC1に従ってロット番号1のロット及びロット番号2のロットが処理途中である。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSC1に従って、搬送機構CV及び槽LPD1、ONB1、CHB1に、処理途中のロット番号1のロット及びロット番号2のロットの処理を続行させる。
一方、時刻tcでは、他のロット番号(ロット番号3、4、…)のロットは未処理である。従って、実行部65は、未処理のロット番号(ロット番号3、4、…)のロットに対しては変更後のスケジュールSC2を適用し、変更後のスケジュールSC2に従って、搬送機構CV及び槽LPD1、ONB1、CHB1に、未処理のロット番号(ロット番号3、4、…)のロットの処理を実行させる。
以上、図6を参照して説明したように、本実施形態によれば、ロットの処理途中の時刻tcに退避制御情報ESが変更されてスケジュールSC1がスケジュールSC2に変更された場合でも、変更後のスケジュールSC2の実行タイミングが調整される。つまり、退避制御情報ES(具体的には第1制御情報FE)の変更は、処理途中のロットの処理に反映されず、未処理のロットの処理に反映される。従って、スケジュールSC1及びスケジュールSC2が破綻することはない。そして、スケジュールSC1とスケジュールSC2とが複合したスケジュールSC3に基づくバッチ処理が円滑に実行される。なお、例えば、第2処理部20及び第3処理部21でもスケジュールSC3が作成され、第1処理部19~第3処理部21で並行してロットが処理される。
次に、図2及び図7~図9を参照して、第1モードで実行される基板処理方法を説明する。図7~図9は、基板処理装置100の第1モードでの基板処理方法を示すフローチャートである。図7~図9に示すように、基板処理方法は、ステップS1~ステップS39を含む。基板処理方法は、基板処理装置100によって実行される。具体的には、コンピューターCMが、コンピュータープログラムを実行することによって、基板処理方法を実行する。
図2及び図7に示すように、ステップS1において、コンピューターCMの制御部51の設定部61は、各槽TAに対して退避制御情報ESを設定する。図7~図9の説明では、図3に示すように各槽TAに対して退避制御情報ESが設定される。また、槽CHB1~槽CHB3の各々に対しては第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが設定される。
ステップS3において、制御部51のスケジューラー63は、レシピ及び退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを作成する。
ステップS5において、制御部51の実行部65は、スケジュールSCに従ってバッチ処理を実行する。
ステップS7において、設定部61は、検出部59又は外部コンピューター300から環境情報EVを取得する。
ステップS9において、設定部61は環境情報EVが第1条件FCDを満足するか否かを判定する。第1条件FCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するための条件である。第1条件FCDが満足されると、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が高いことを示す。一方、第1条件FCDが満足されないと、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が低いことを示す。
第1条件FCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するために環境情報EVと比較される判定基準値を含む。例えば、第1条件FCDは、槽CHB1~槽CHB3の各々が燐酸槽である場合に、「環境情報EV1の示す大気圧が閾値気圧TH1以下であること」である。「閾値気圧TH1」は判定基準値の一例に相当する。
ステップS9で環境情報EVが第1条件FCDを満足しないと判定された場合、処理はステップS11に進む。
ステップS11において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
ステップS11で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。
一方、ステップS11で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS7に進む。
また、ステップS9で環境情報EVが第1条件FCDを満足すると判定された場合、処理は図8のステップS13に進む。
図8に示すように、ステップS13において、設定部61は、退避制御情報ESを変更する。具体的には、設定部61は、槽CHB1~槽CHB3の各々に設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更する。
ステップS15において、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。
ステップS17において、制御部51の実行部65は、未処理のロットの処理タイミングが到来したか否かを判定する。
ステップS17で未処理のロットの処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理はステップS17を繰り返す。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って、搬送機構CV及び各槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。
一方、ステップS17で未処理のロットの処理タイミングが到来したと判定された場合、処理はステップS19に進む。
ステップS19において、実行部65は、変更後のスケジュールに従って、搬送機構CV及び各槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。
ステップS21において、設定部61は、検出部59又は外部コンピューター300から環境情報EVを取得する。
ステップS23において、設定部61は環境情報EVが第2条件SCDを満足するか否かを判定する。第2条件SCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するための条件である。第2条件SCDが満足されると、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が低いことを示す。一方、第2条件SCDが満足されないと、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が高いことを示す。
第2条件SCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するために環境情報EVと比較される判定基準値を含む。例えば、第2条件SCDは、槽CHB1~槽CHB3の各々が燐酸槽である場合に、「環境情報EV1の示す大気圧が閾値気圧TH1より大きいこと」である。「閾値気圧TH1」は判定基準値の一例に相当する。
ステップS23で環境情報EVが第2条件SCDを満足しないと判定された場合、処理はステップS25に進む。
ステップS25において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
ステップS25で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。
一方、ステップS25で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS21に進む。
また、ステップS23で環境情報EVが第2条件SCDを満足すると判定された場合、処理は図9のステップS27に進む。
図9に示すように、ステップS27において、設定部61は、退避制御情報ESを変更する。具体的には、設定部61は、槽CHB1~槽CHB3の各々に設定された第1制御情報FEの内容を第2内容A2(待機不可)から第1内容A1(待機可)に変更する。
ステップS29において、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。
ステップS31において、制御部51の実行部65は、未処理のロットの処理タイミングが到来したか否かを判定する。
ステップS31で未処理のロットの処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理はステップS31を繰り返す。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って、搬送機構CV及び各槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。
一方、ステップS31で未処理のロットの処理タイミングが到来したと判定された場合、処理はステップS33に進む。
ステップS33において、実行部65は、変更後のスケジュールに従って、搬送機構CV及び各槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。
ステップS35において、設定部61は、検出部59又は外部コンピューター300から環境情報EVを取得する。
ステップS37において、設定部61は、環境情報EVが第1条件FCDを満足するか否かを判定する。
ステップS37で環境情報EVが第1条件FCDを満足しないと判定された場合、処理はステップS39に進む。
ステップS39において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
ステップS39で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。
一方、ステップS39で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS35に進む。
また、ステップS37で環境情報EVが第1条件FCDを満足すると判定された場合、処理は図8のステップS13に進む。
以上、図7~図9を参照して説明したように、第1モードでは、検出部59又は外部コンピューター300から取得した環境情報EVに基づいて自動で退避制御情報ESが変更される。
なお、第1条件FCD及び第2条件SCDに含まれる判定基準値は記憶部53に記憶されている。また、判定基準値は、操作部57からの入力によって変更可能である。
次に、図2、図10、及び図11を参照して、第2モードで実行される基板処理方法を説明する。図10及び図11は、基板処理装置100の第2モードでの基板処理方法を示すフローチャートである。図10及び図11に示すように、基板処理方法は、ステップS51~ステップS65を含む。基板処理方法は、基板処理装置100によって実行される。具体的には、コンピューターCMが、コンピュータープログラムを実行することによって、基板処理方法を実行する。
図2及び図10に示すように、ステップS51において、コンピューターCMの制御部51の設定部61は、各槽TAに対して退避制御情報ESを設定する。
ステップS53において、制御部51のスケジューラー63は、レシピ及び退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを作成する。
ステップS55において、制御部51の実行部65は、スケジュールSCに従ってバッチ処理を実行する。
ステップS57において、設定部61は、ユーザーの操作による操作部57からの入力によって退避制御情報ESが変更されたか否かを判定する。
ステップS57で退避制御情報ESが変更されていないと判定された場合、処理はステップS59に進む。
ステップS59において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
ステップS59で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。
一方、ステップS59で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS57に進む。
また、ステップS57で退避制御情報ESが変更されたと判定された場合、処理は図11のステップS61に進む。
図11に示すように、ステップS61において、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。
ステップS63において、制御部51の実行部65は、未処理のロットの処理タイミングが到来したか否かを判定する。
ステップS63で未処理のロットの処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理はステップS63を繰り返す。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び各槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。
一方、ステップS63で未処理のロットの処理タイミングが到来したと判定された場合、処理はステップS65に進む。
ステップS65において、実行部65は、変更後のスケジュールに従って、搬送機構CV及び各槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。そして、処理は図10のステップS57に進む。
以上、図10及び図11を参照して説明したように、第2モードでは、ユーザーの操作による操作部57からの入力に基づいて、手動で退避制御情報ESが変更される。
次に、図2を参照して、処理部SP及び制御部51の動作を記憶部53と関連付けて説明する。図2に示すように、処理部SPは制御ユニット16をさらに備える。制御ユニット16は、制御部51の制御の下、乾燥処理部17、第1処理部19、第2処理部20、及び第3処理部21を制御する。制御ユニット16は、プロセッサー及び記憶装置を含むコンピューターである。
コンピューターCMの記憶部53は、第1領域71と、第2領域73と、退避制御領域75と、レシピ領域77と、プログラム領域79とを有する。退避制御領域75には、複数の槽TAにそれぞれ設定された退避制御情報ESが記憶される。レシピ領域77には、複数のレシピが記憶される。
第1領域71には、レシピ領域77からレシピがコピーされ、退避制御領域75から退避制御情報ESがコピーされる。第2領域73には、第1領域71から、レシピ及び退避制御情報ESがコピーされる。
プログラム領域79には、図7~図11を参照して説明した基板処理方法を実行するコンピュータープログラムが記憶される。記憶部53は、「基板処理方法をコンピューターに実行させるためのコンピュータープログラムを記憶した非一時的コンピューター読取可能記憶媒体」の一例である。
まず、第1モードでの制御部51の設定部61の動作の一例を説明する。設定部61は、基板処理装置100の起動時に、レシピ領域77から特定のレシピを読み出して、第1領域71にコピーする。また、設定部61は、基板処理装置100の起動時に、退避制御領域75から退避制御情報ESを読み出して、第1領域71にコピーする。
また、設定部61は、検出部59及び外部コンピューター300から所定時間間隔で環境情報EVを取得する。そして、設定部61は、環境情報EVに応じて第1領域71に記憶された退避制御情報ESの内容を変更する。例えば、第1領域71に第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、環境情報EVが第1条件FCDを満足すると、設定部61は、第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2(待機不可)に変更する。例えば、第1領域71に第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、環境情報EVが第2条件SCDを満足すると、第1制御情報FEの内容を第2内容A2から第1内容A1(待機可)に変更する。
次に、第2モードでの設定部61の動作の一例を説明する。第2モードでの基板処理装置100の起動時の設定部61の動作は、第1モードでの基板処理装置100の起動時の設定部61の動作と同様である。
操作部57は、ユーザーから退避制御情報ESの入力を受け付ける。そして、設定部61は、第1領域71に記憶された退避制御情報ESの内容を、操作部57に入力された退避制御情報ESの内容に変更する。例えば、第1領域71に第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、操作部57に第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが入力されると、設定部61は、第1領域71に記憶された第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2に変更する。例えば、第1領域71に第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、操作部57に第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが入力されると、設定部61は、第1領域71に記憶された第1制御情報FEの内容を第2内容A2から第1内容A1に変更する。
次に、第1モード及び第2モードの各々での制御部51のスケジューラー63及び実行部65の動作の一例を説明する。
スケジューラー63は、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来するたびに、第1領域71に記憶されたレシピ及び退避制御情報ESを第2領域73にコピーする。換言すれば、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来していない場合には、第1領域71に記憶されたレシピ及び退避制御情報ESは第2領域73にコピーされない。「最初の槽TA」は、ロットが最初に投入される槽TAを示す。例えば、図4~図6の例では、「最初の槽TA」は、槽CHB1である。
そして、スケジューラー63は、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来するたびに、第2領域73に記憶されたレシピ及び退避制御情報ESに基づいて新たにスケジュールSCを作成する。換言すれば、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来していない場合には、新たなスケジュールSCは作成されない。
そして、制御部51の実行部65は、最初の槽TAに新たに搬入されたロットに対して新たなスケジュールSCに従って処理が行われるように、搬送機構CV及び制御ユニット16(各槽TA)を制御する。一方、槽TAで処理途中のロットに対しては、処理途中のロットが最初の槽TAに搬入された時に作成されたスケジュールSCに従って処理が行われる。その結果、本実施形態によれば、スケジュールSCが破綻することなく、円滑にバッチ処理を実行できる。
以上、図1~図11を参照して説明したように、本実施形態によれば、基板Wに対して過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板Wの処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる。
なお、例えば、制御部51は、各種の環境情報EV1及び環境情報EV2を収集及び解析して、ユーザーによって入力された判定基準値を必要とすることなく、大気圧の低下を予測又は検知してもよい。例えば、制御部51は、気象情報等の環境情報EV2に含まれる言語情報を解析して大気圧の低下を予測又は検知してもよい。例えば、制御部51は、天気図、予想天気図、及び大気圧配置図等の画像情報を解析して大気圧の低下を予測又は検知してもよい。例えば、制御部51は、2つ以上の環境情報EVを受け取るか、1つの環境情報EVに対し2つ以上の判断基準を適用するか、又は、それら組み合わせによって複数パターンの大気圧低下及び上昇の予測を行い、実際の大気圧変化傾向と比較することで最も精度の高い予測方法を学習してもよい。予測方法を学習する際に、制御部51は、実際の大気圧変化傾向を予測方法にフィードバックして予測方法を修正することで学習精度を向上させてもよい。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラムに関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
51 制御部
55 通信部
57 操作部
59 検出部
61 設定部
63 スケジューラー
65 実行部
100 基板処理装置
TA、LPD1、LPD2、CHB1~CHB3、ONB1~ONB3 槽
CV 搬送機構
W 基板
ES 退避制御情報
FE 第1制御情報
SE 第2制御情報
A1 第1内容(待機可)
A2 第2内容(待機不可)
A3 第3内容(退避場所)
A4 第4内容(非退避場所)

Claims (19)

  1. 複数の基板を一括して処理する基板処理装置であって、
    基板を処理する複数の槽と、
    前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出する搬送機構と、
    前記複数の槽及び前記搬送機構を制御する制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定する設定部と、
    基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成するスケジューラーと、
    前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させる実行部と
    を含み、
    前記退避制御情報は、
    槽に基板を待機させることが可能か否かを示す第1制御情報と、
    槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す第2制御情報と
    を含み、
    前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示し、
    前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示し、
    前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示し、
    前記スケジューラーは、前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第1内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが許容される前記スケジュールを作成し、
    前記スケジューラーは、前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第2内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが規制される前記スケジュールを作成し、
    前記退避制御情報が変更された場合、前記スケジューラーは、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更し、
    前記実行部は、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させる、基板処理装置。
  2. 板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、前記設定部は、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更する、請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記複数の槽は、燐酸液を収容する燐酸槽を含み、
    前記退避トリガーの発生前に、前記設定部は、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更する、請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 前記第1制御情報は、環境情報に対応して、前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかを示し、
    記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含む、請求項1に記載の基板処理装置。
  5. 前記設定部は、前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定する、請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 前記設定部は、前記環境情報を検出する検出部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定する、請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記基板処理装置の外部からネットワークを介して前記環境情報を受信する通信部をさらに備え、
    前記設定部は、前記通信部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定する、請求項5に記載の基板処理装置。
  8. 前記実行部は、
    処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させ、
    未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させる、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
  9. ユーザーによって操作され、前記ユーザーから前記退避制御情報を変更する入力を受け付ける操作部をさらに備え、
    前記退避制御情報を変更する入力を前記操作部が受け付けたことに応答して、前記設定部は、前記退避制御情報の内容を変更する、請求項8に記載の基板処理装置。
  10. 複数の基板を一括して処理する基板処理装置が実行する基板処理方法であって、
    前記基板処理装置は、
    基板を処理する複数の槽と、
    前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出する搬送機構と
    を備え、
    前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定するステップと、
    基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成するステップと、
    前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させるステップと、
    前記退避制御情報が変更された場合、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更するステップと、
    変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させるステップと
    を含み、
    前記退避制御情報は、
    槽に基板を待機させることが可能か否かを示す第1制御情報と、
    槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す第2制御情報と
    を含
    前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示し、
    前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示し、
    前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示し、
    前記スケジュールを作成する前記ステップでは、
    前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第1内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが許容される前記スケジュールを作成し、
    前記槽に対して設定された前記第1制御情報が前記第2内容を示している場合、前記槽が並行して使用されることが規制される前記スケジュールを作成する、基板処理方法。
  11. 板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更される、請求項10に記載の基板処理方法。
  12. 前記複数の槽は、燐酸液を収容する燐酸槽を含み、
    前記退避トリガーの発生前に、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更される、請求項11に記載の基板処理方法。
  13. 記第1制御情報は、環境情報に対応して、前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかを示し、
    前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含む、請求項10に記載の基板処理方法。
  14. 前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定される、請求項13に記載の基板処理方法。
  15. 前記環境情報を検出する検出部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定される、請求項14に記載の基板処理方法。
  16. 前記基板処理装置の外部からネットワークを介して前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定される、請求項14に記載の基板処理方法。
  17. 処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させ、
    未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させる、請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の基板処理方法。
  18. 前記退避制御情報を変更する入力を操作部が受け付けたことに応答して、前記退避制御情報の内容が変更される、請求項17に記載の基板処理方法。
  19. コンピューターに請求項10から請求項18のいずれか1項に記載の基板処理方法を実行させるためのコンピュータープログラム。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003288109A (ja) 2002-03-27 2003-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びその装置並びにそのプログラム
JP2005197323A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Canon System Solutions Inc プロセスと品質との関係についてのモデル作成装置及びモデル作成方法
JP2009238917A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5168300B2 (ja) * 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6013792B2 (ja) * 2012-06-12 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板搬送装置
JP6298318B2 (ja) * 2014-02-25 2018-03-20 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2016207767A (ja) * 2015-04-20 2016-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003288109A (ja) 2002-03-27 2003-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びその装置並びにそのプログラム
JP2005197323A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Canon System Solutions Inc プロセスと品質との関係についてのモデル作成装置及びモデル作成方法
JP2009238917A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム

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