KR101349617B1 - 표시장치의 제조방법 - Google Patents
표시장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101349617B1 KR101349617B1 KR1020070075732A KR20070075732A KR101349617B1 KR 101349617 B1 KR101349617 B1 KR 101349617B1 KR 1020070075732 A KR1020070075732 A KR 1020070075732A KR 20070075732 A KR20070075732 A KR 20070075732A KR 101349617 B1 KR101349617 B1 KR 101349617B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light absorbing
- light
- electrode layer
- film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 326
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 194
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 218
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 24
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 22
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 17
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 7
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1215
- 239000010408 film Substances 0.000 description 286
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 245
- 230000008569 process Effects 0.000 description 89
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 82
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 70
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 64
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 60
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 54
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 42
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 41
- 230000006870 function Effects 0.000 description 41
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 39
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 35
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 30
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 30
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 29
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 28
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 26
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 25
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 23
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 23
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 20
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 17
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 17
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 17
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 15
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 15
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 13
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 12
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 11
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 11
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 8
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 7
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 6
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 6
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 6
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 5
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 4
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoethenylideneazanide Chemical group [N-]=C=[C+]C#N POXIZPBFFUKMEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 3
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 3
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000291 Poly(9,9-dioctylfluorene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N calcium sulfide Chemical compound [Ca]=S JGIATAMCQXIDNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N lithium nitride Chemical compound [Li]N([Li])[Li] IDBFBDSKYCUNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-prop-1-ynoxybenzene Chemical compound CC#COC1=C(Cl)C=CC(Cl)=C1Cl RTSZQXSYCGBHMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROZZAWZLZXTPHU-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyltetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=C3C=CC=CC3=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 ROZZAWZLZXTPHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBMPIWRNYHXYBC-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n,3-n,3-n,5-n,5-n-hexakis(3-methylphenyl)benzene-1,3,5-triamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OBMPIWRNYHXYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 WMAXWOOEPJQXEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicyclohexylthiophene Chemical compound C1CCCCC1C1=CSC=C1C1CCCCC1 LNILPZLJSRHNPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 3-(4-octylphenyl)thiophene Chemical compound C1=CC(CCCCCCCC)=CC=C1C1=CSC=C1 CHMILGIDWWDNMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBXOOYPCIDHXGH-UHFFFAOYSA-N 3-butylpentane-2,4-dione Chemical compound CCCCC(C(C)=O)C(C)=O MBXOOYPCIDHXGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBNBPEQRHOIIMO-UHFFFAOYSA-N 3-cyclohexyl-4-methylthiophene Chemical compound CC1=CSC=C1C1CCCCC1 UBNBPEQRHOIIMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- 125000004860 4-ethylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 5,12-diphenyltetracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 DWSKWYAKBATHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 9-[4-[3,5-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 XCICDYGIJBPNPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- WYZWJLZUSHFFOR-UHFFFAOYSA-N C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5CCCN6CCCC(=C56)C=4OC3=O)=NC2=C1 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5CCCN6CCCC(=C56)C=4OC3=O)=NC2=C1 WYZWJLZUSHFFOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N C545T Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC=4C=C5C6=C(C=4OC3=O)C(C)(C)CCN6CCC5(C)C)=NC2=C1 MSDMPJCOOXURQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 241001175904 Labeo bata Species 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000282 Poly(3-cyclohexylthiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXCPKOVYHBLWCU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Sn+2]=O.[In+3] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Sn+2]=O.[In+3] QXCPKOVYHBLWCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- VZSNNUDOANMGNX-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-phenylphenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 VZSNNUDOANMGNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N azanylidynelanthanum Chemical compound [La]#N QCLQZCOGUCNIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N azanylidyneyttrium Chemical compound [Y]#N AJXBBNUQVRZRCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- XBYNNYGGLWJASC-UHFFFAOYSA-N barium titanium Chemical compound [Ti].[Ba] XBYNNYGGLWJASC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJXXCWDIBHXWOH-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[Ta+5].[Ta+5].[Ta+5].[Ta+5] BJXXCWDIBHXWOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQKDYYAZGHBAPR-UHFFFAOYSA-M copper;copper(1+);sulfanide Chemical compound [SH-].[Cu].[Cu+] AQKDYYAZGHBAPR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N coumarin 30 Chemical compound C1=CC=C2N(C)C(C=3C4=CC=C(C=C4OC(=O)C=3)N(CC)CC)=NC2=C1 JRUYYVYCSJCVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N gallium(iii) sulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[S-2].[Ga+3].[Ga+3] BVSHTEBQPBBCFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K iridium(3+) pyridine-2-carboxylate Chemical compound [Ir+3].[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=N1 AOZVYCYMTUWJHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M silver;silver;sulfanide Chemical compound [SH-].[Ag].[Ag+] FSJWWSXPIWGYKC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XXCMBPUMZXRBTN-UHFFFAOYSA-N strontium sulfide Chemical compound [Sr]=S XXCMBPUMZXRBTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N strontium titanium Chemical compound [Ti].[Sr] RGZQGGVFIISIHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/265—Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
간략화된 제조 공정과 제조 기술에 의해 재료의 이용 효율을 향상시키면서 제조될 수 있는 표시장치를 제공하는 것이 목적이다. 광 흡수층이 형성되고, 절연층이 상기 광 흡수층 위에 형성되고, 상기 광 흡수층 및 상기 절연층에 선택적으로 레이저광이 조사되어 상기 광 흡수층의 조사 영역과 상기 절연층의 조사영역이 제거되고, 이에 따라 개구가 상기 광 흡수층과 상기 절연층 상에 형성되고 도전막이 개구에 형성되어 상기 광 흡수층과 접촉하게 된다. 상기 도전막은 노출된 광 흡수층과 접촉하도록 개구에 형성되어, 상기 광 흡수층과 상기 도전막 사이에 절연막이 끼워진 채로 서로 전기적으로 접속된다.
표시장치, 광 흡수층, 절연층, 도전막, 이용 효율
Description
본 발명은, 박막의 적층 구조를 갖는 표시장치의 제조방법에 관한 것이다. 자세하게는 표시장치를 제조하는 공정에서, 박막에 개구를 형성하는 공정에 관한 것이다.
박막트랜지스터(이하, 「TFT」라고 함) 및 이것을 사용한 전자회로는, 반도체막, 절연막 및 도전막 등의 각종 박막을 기판상에 적층하여, 적절하게 포토리소그래피기술에 의해 소정의 패턴을 형성하여 제조되어 있다. 포토리소그래피기술은, 포토마스크라고 불리는 투명한 평판면상에 광이 통과되지 않는 재료로 형성한 회로 등의 패턴을, 광을 이용하여 목적으로 하는 기판상에 전사하는 기술이고, 반도체집적회로 등의 제조공정에서 널리 사용되고 있다.
종래의 포토리소그래피기술을 사용한 제조공정에서는, 포토레지스트라고 불리는 감광성의 유기수지 재료를 사용하여 형성되는 마스크 패턴 취급에서만도, 노광, 현상, 소성, 박리와 같은 다단계의 공정이 필요하게 된다. 따라서, 포토리소그래피 공정의 회수가 증가할 수록, 제조비용은 필연적으로 오르게 된다. 이러한 문제점을 개선하기 위해서, 포토리소그래피 공정을 삭감하여 TFT를 제조하는 것이 시도되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에서는, 포토리소그래피 공정에 의해서 형성된 레지스트 마스크를, 일회 사용한 후, 팽윤에 의해 부피팽창시켜 다른 형상의 레지스트 마스크로서 다시 사용하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 공개특허공보2000-133636호
본 발명은, TFT 및 이것을 사용하는 전자회로 및 TFT에 의해서 형성되는 표시장치의 제조공정에서 포토리소그래피 공정의 회수를 삭감하고, 제조공정을 간략화하여, 1변이 1미터를 넘는 대면적의 기판에도, 낮은 비용으로 수율 좋게 제조할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 절연층을 개재하여 적층하는 박막(도전층, 반도체층)끼리를 전기적으로 접속하는 경우, 절연층에 개구(소위 콘택트 홀이 됨)를 형성한다. 이 경우, 절연층상에 마스크층을 형성하지 않고, 레이저광의 조사에 의해서 선택적으로 개구를 형성한다. 조사하는 광을 흡수하는 기능을 갖는 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 절연층을 적층한 후, 광 흡수층 및 절연층의 적층에 있어서 개구를 형성하는 영역에 선택적으로, 절연층측으로부터 레이저광을 조사한다. 레이저광은 절연층을 투과하지만, 광 흡수층에 흡수된다. 광 흡수층은 흡수한 레이저광의 에너지에 의해서 가열되어 증발하여, 위에 적층되어 있던 절연층을 파괴한다. 따라서, 광 흡수층 및 절연층에 개구가 형성되고, 절연층 아래의 광 흡수층의 일부가 개구의 측벽 및 저면(또는 측벽만)에 노출된다.
광 흡수층은 도전성 재료를 사용한 도전층이나, 반도체 재료를 사용한 반도체층 등 도전성을 갖는 재료를 사용하여 제조하면, 노출된 광 흡수층과 접하도록 개구에 도전막을 형성함으로써, 광 흡수층 및 도전막은 절연층을 개재하여 전기적 으로 접속할 수 있다. 요컨대, 본 발명에서는, 도전층, 반도체층으로서 기능하는 광 흡수층상에 형성된 절연층에 대한 개구 형성을, 광 흡수층에 레이저광을 조사함으로써 행하고, 레이저 어브레이션(ablation)에 의해서 광 흡수층의 레이저 조사영역을 증발시켜, 절연층에 개구를 형성한다.
레이저광에 의해서 선택적으로 개구를 형성할 수 있기 때문에 마스크층을 형성하지 않아도 되어 공정 및 재료를 삭감할 수 있다. 또한 레이저광은 대단히 작은 스폿에 집광할 수 있기 때문에, 가공해야 하는 광 흡수층 및 절연층을 소정의 형상으로 높은 정밀도로 가공할 수 있고, 또한 단시간에 순간적으로 가열되기 때문에, 가공영역 이외의 영역을 거의 가열하지 않아도 좋다고 하는 이점이 있다.
또한, 박막을 원하는 패턴으로 가공할 때에 사용하는 도전층, 반도체층 등을, 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성한다. 도전막이나 반도체막 등의 광 흡수막을 투광성의 전치기판에 형성하고, 전치기판측으로부터 레이저광을 선택적으로 조사함으로써, 레이저광의 조사영역에 대응하는 광 흡수막을, 피전치기판에 전치하고, 광 흡수층인 도전층이나 반도체층을 원하는 형상(패턴)으로 형성한다. 본 명세서에서, 최초의 공정에서 광 흡수막인 도전막이나 반도체막을 형성하고, 레이저광이 조사되는 기판을 전치기판, 최종적으로 선택적으로 광 흡수층인 도전층이나 반도체층이 형성되는 기판을 피전치기판이라고도 한다. 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성할 수 있기 때문에, 공정 간략화, 저비용화 등을 달성할 수 있다.
본 발명의 표시장치의 제조방법의 하나는, 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층 상에 절연층을 형성하고, 광 흡수층 및 절연층에 선택적으로 레이저광을 조사하여, 광 흡수층의 조사영역 및 절연층의 조사영역을 제거하여 광 흡수층 및 절연층에 개구를 형성하고, 개구에 광 흡수층과 접하도록 도전막을 형성한다.
본 발명의 표시장치의 제조방법의 하나는, 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 절연층을 형성하고, 광 흡수층 및 절연층에 선택적으로 레이저광을 조사하여, 광 흡수층의 조사영역의 일부 및 절연층의 조사영역을 제거하여 광 흡수층 및 절연층에 개구를 형성하고, 개구에 광 흡수층과 접하도록 도전막을 형성한다.
본 발명의 표시장치의 제조방법의 하나는, 도전층을 형성하고, 도전층상에 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 절연층을 형성하고, 광 흡수층 및 절연층에 선택적으로 레이저광을 조사하여, 광 흡수층의 조사영역 및 절연층의 조사영역을 제거하여 광 흡수층 및 절연층에 개구를 형성하고, 개구에 광 흡수층 및 도전층과 접하도록 도전막을 형성한다.
본 발명의 표시장치의 제조방법의 하나는, 도전층을 형성하고, 도전층상에 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 절연층을 형성하고, 광 흡수층 및 절연층에 선택적으로 레이저광을 조사하여, 광 흡수층의 조사영역의 일부 및 절연층의 조사영역을 제거하여 광 흡수층 및 절연층에 개구를 형성하고, 개구에 광 흡수층과 접하도록 도전막을 형성한다.
본 발명의 표시장치의 제조방법의 하나는, 도전층을 형성하고, 도전층상에 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 절연층을 형성하고, 광 흡수층 및 절연층에 선택적으로 레이저광을 조사하여, 도전층의 일부, 광 흡수층의 조사영역 및 절연층 의 조사영역을 제거하여 도전층, 광 흡수층 및 절연층에 개구를 형성하고, 개구에 광 흡수층 및 도전층과 접하도록 도전막을 형성한다.
상기에서 형성하는 광 흡수층은, 조사되는 레이저광을 흡수하면 좋고, 도전성 재료를 사용하면 도전층으로 할 수 있고, 반도체 재료를 사용하면 반도체층으로 할 수 있다. 표시장치를 구성하는 어떤 도전층, 반도체층에 사용할 수 있다. 예를 들면 도전층으로서는, 배선층, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 및 화소 전극층 등에 사용할 수 있다.
상기 구성에 있어서 광 흡수층으로서 도전성 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면, 크롬, 탄탈, 은, 몰리브덴, 니켈, 티타늄, 코발트, 구리, 또는 알루미늄 중 일종 또는 복수를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 광 흡수층으로서 반도체 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면, 실리콘(규소), 게르마늄, 실리콘게르마늄, 갈륨비소, 산화몰리브덴, 산화주석, 산화비스무스, 산화바나듐, 산화니켈, 산화아연, 비화갈륨, 질화갈륨, 산화인듐, 인화인듐, 질화인듐, 황화카드뮴, 텔루루화카드뮴, 티타늄산스트론튬 등의 무기 반도체 재료를 사용할 수 있다. 또한 광 흡수층에 수소나 불활성 기체(헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 네온(Ne), 크세논(Xe) 등)를 첨가하여도 좋다. 개구를 형성하는 절연층은 레이저광을 투과하는 재료, 예를 들면 투광성의 무기절연 재료, 또는 유기수지 등을 사용하여 형성할 수 있다.
본 발명은 표시 기능을 갖는 장치인 표시장치에도 사용할 수 있고, 본 발명을 사용하는 표시장치에는, 일렉트로루미네선스(이하 「EL」이라고도 함)라고 불리는 발광을 발현하는 유기물, 무기물, 또는 유기물과 무기물의 혼합물을 포함하는 층을, 전극간에 개재시킨 발광소자와 TFT가 접속된 발광표시장치나, 액정 재료를 갖는 액정소자를 표시소자로서 사용하는 액정표시장치 등이 있다. 본 발명에 있어서, 표시장치는, 표시소자(액정소자나 발광소자 등)를 갖는 장치를 말한다. 또, 기판상에 액정소자나 EL 소자 등의 표시소자를 포함하는 복수의 화소나 그들의 화소를 구동시키는 주변 구동회로가 형성된 표시 패널 본체이어도 좋다. 또, 플렉시블 프린트 서킷(FPC)이나 프린트 배선기반(PWB)이 장착된 것(IC나 저항소자나 용량소자나 인덕터나 트랜지스터 등)도 포함하여도 좋다. 또, 편광판이나 위상차판 등의 광학시트를 포함하고 있어도 좋다. 또, 백 라이트(도광판이나 프리즘시트나 확산시트나 반사시트나 광원(LED나 냉음극관 등)을 포함하고 있어도 좋음)를 포함하고 있어도 좋다.
또, 표시소자나 표시장치는, 여러 가지의 형태를 사용하거나, 여러 가지의 소자를 가질 수 있다. 예를 들면, EL 소자(유기 EL 소자, 무기 EL 소자 또는 유기물 및 무기물을 포함하는 EL 소자), 전자방출소자, 액정소자, 전자잉크, 그레이팅라이트 밸브(GLV), 플라스마 디스플레이(PDP), 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), 압전 세라믹 디스플레이, 카본나노튜브 등, 전기자기적 작용에 의해 콘트라스트가 변화하는 표시매체를 적용할 수 있다. 또, EL 소자를 사용한 표시장치로서는 EL 디스플레이, 전자방출소자를 사용한 표시장치로서는 필드 이미션 디스플레이(FED)나 SED 방식 평면형 디스플레이(SED:Surface-conduction Electron-emitter Disply) 등, 액정소자를 사용한 표시장치로서는 액정 디스플레이, 투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 전자잉크를 사용한 표시장치로서는 전자페이퍼가 있다.
또한, 본 발명을 사용하여 반도체소자(트랜지스터, 메모리소자나 다이오드 등)를 포함하는 회로를 갖는 장치나, 프로세서회로를 갖는 칩 등의 반도체장치를 제조할 수 있다. 또, 본 발명에 있어서, 반도체장치는, 반도체 특성을 이용하는 것으로 기능할 수 있는 장치를 가리킨다.
본 발명에 의해, 표시장치 등을 구성하는 배선 등의 구성물, 및 그들을 절연층을 개재하여 전기적으로 접속하는 콘택트 홀을 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여 형성할 수 있다. 따라서, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 관해서, 도면을 사용하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위로부터 일탈하지 않고 그 형태 및 상세를 여러가지로 변경할 수 있는 것은 당업자이면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하에 개시하는 실시형태의 기재내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또, 이하에 설명하는 본 발명의 구성에 있어서, 동일부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 다른 도면간에서 공통으로 사용하고, 그 반복되는 설명은 생략한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 더욱 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 콘택트 홀의 형성방법에 관해서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.
절연층을 개재하여 적층하는 박막(도전층, 반도체층)끼리를 전기적으로 접속하는 경우, 절연층에 개구(소위 콘택트 홀이 됨)를 형성한다. 이 경우, 절연층상에 마스크층을 형성하지 않고, 레이저광의 조사에 의해서 선택적으로 개구를 형성한다. 조사하는 광을 흡수하는 기능을 갖는 광 흡수층을 형성하고, 광 흡수층상에 절연층을 적층한 후, 광 흡수층 및 절연층의 적층에 있어서 개구를 형성하는 영역에 선택적으로, 절연층측으로부터 레이저광을 조사한다. 레이저광은 절연층을 투과하지만, 광 흡수층에 흡수된다. 광 흡수층은 흡수한 레이저광의 에너지에 의해서 가열되어 증발하여, 위에 적층되어 있던 절연층을 파괴한다. 따라서, 광 흡수층 및 절연층에 개구가 형성되고, 절연층 아래의 광 흡수층의 일부가 개구의 측벽 및 저면(또는 측벽만)에 노출된다.
광 흡수층은 도전성 재료를 사용한 도전층이나, 반도체 재료를 사용한 반도체층 등 도전성을 갖는 재료를 사용하여 제조하면, 노출된 광 흡수층과 접하도록 개구에 도전막을 형성함으로써, 광 흡수층 및 도전막은 절연층을 개재하여 전기적으로 접속할 수 있다. 요컨대, 본 발명에서는, 도전층, 반도체층으로서 기능하는 광 흡수층상에 형성된 절연층에 대한 개구 형성을, 광 흡수층에 레이저광을 조사함으로써 행하여, 레이저 어브레이션에 의해서 광 흡수층의 레이저 조사영역상의 절연층에 개구를 형성한다.
레이저광에 의해서 선택적으로 개구를 형성할 수 있기 때문에 마스크층을 형성하지 않아도 되어 공정 및 재료를 삭감할 수 있다. 또한 레이저광은 대단히 작은 스폿에 집광할 수 있기 때문에, 가공해야 하는 절연층을 소정의 형상으로 높은 정밀도로 가공할 수 있고, 또한 단시간에 순간적으로 가열되기 때문에, 가공영역 이외의 영역을 거의 가열하지 않아도 된다고 하는 이점이 있다.
도 1을 사용하여 구체적으로 설명한다. 본 실시형태에서는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 기판(720)상에, 광 흡수층(721), 절연층(722)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(721)으로서 도전성을 갖는 재료를 사용하여, 도전층으로서 기능할 수 있는 것으로 한다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(721)으로서 크롬을 사용한다.
도 1b에 도시하는 바와 같이, 절연층(722)측으로부터 레이저광(723)을 선택적으로 광 흡수층(721)에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 광 흡수층(721)의 조사영역은 증발하여, 광 흡수층(721)의 조사영역상의 절연층(722)은 제거된다. 따라서, 개구(725)를 형성할 수 있다. 광 흡수층(721)은 광 흡수층(728a, 728b)으로 분리되고, 절연층(722)은 절연층(727a)과 절연층(727b)으로 분리된다(도 1c 참조). 광 흡수층(721) 및 기판(720)이 노출된 개구(725)에 도전막(726)을 형성하고, 광 흡수층(721)과 도전막(726)을 전기적으로 접속할 수 있다(도 1d 참조).
레이저광(레이저 빔이라고도 함)을 처리영역에 묘화하는, 레이저 빔 묘화 장치에 관해서, 도 30을 참조하여 설명한다. 본 실시형태에서는, 레이저 빔을 처리영역에 직접 조사하여 처리하기 위해서, 레이저 빔 직접 묘화장치를 사용한다. 도 30에 도시하는 바와 같이 레이저 빔 직접 묘화 장치(1001)는, 레이저 빔을 조사할 때의 각종 제어를 실행하는 퍼스널 컴퓨터(1002; 이하, PC와 나타냄)와, 레이저 빔을 출력하는 레이저 발진기(1003)와, 레이저 발진기(1003)의 전원(1004)과, 레이저 빔을 감쇠시키기 위한 광학계(1005; ND필터)와, 레이저 빔의 강도를 변조하기 위한 음향광학변조기(1006; AOM)와, 레이저 빔의 단면의 확대 또는 축소를 하기 위한 렌즈, 광로를 변경하기 위한 미러 등으로 구성되는 광학계(1007), X스테이지 및 Y스테이지를 갖는 기판이동기구(1009)와, PC로부터 출력되는 제어 데이터를 디지털-아날로그 변환하는 D/A 변환부(1010)와, D/A 변환부로부터 출력되는 아날로그 전압에 따라서 음향광학변조기(1006)를 제어하는 드라이버(1011)와, 기판이동기구(1009)를 구동하기 위한 구동신호를 출력하는 드라이버(1012)를 구비하고 있다.
레이저 발진기(1003)로서는, 자외광, 가시광, 또는 적외광을 발진하는 것이 가능한 레이저 발진기를 사용할 수 있다. 레이저 발진기로서는, KrF, ArF, XeCl, Xe 등의 엑시머 레이저 발진기, He, He-Cd, Ar, He-Ne, HF 등의 기체 레이저 발진기, YAG, GdVO4, YVO4, YLF, YAlO3 등의 결정에 Cr, Nd, Er, Ho, Ce, Co, Ti 또는 Tm을 도프한 결정을 사용한 고체 레이저 발진기, GaN, GaAs, GaAlAs, InGaAsP 등의 반도체 레이저 발진기를 사용할 수 있다. 또, 고체 레이저 발진기에 있어서는, 기본파, 기본파의 제 2 고조파 내지 제 5 고조파를 적용하는 것이 바람직하다. 레이저 발진기로부터 사출되는 레이저광의 형상이나 레이저광의 진로를 조정하기 위해서, 셔터, 미러 또는 하프 미러 등의 반사체, 실린드리컬 렌즈나 볼록 렌즈 등에 의해서 구성되는 광학계가 설치되어 있어도 좋다.
또한, 펄스 발진의 레이저광의 발진 주파수를 0.5MHz 이상으로 하여, 통상 사용되고 있는 수십Hz 내지 수백Hz의 주파수대보다도 현저하게 높은 주파수대를 사용하여 레이저 결정화를 하여도 좋다. 펄스폭을 피코초 대, 또는 펨트초(10-15초)대의 펄스 레이저를 사용하여도 좋다.
또한, 희가스나 질소 등의 불활성가스 분위기 중에서 레이저광을 조사하도록 하여도 좋고, 감압하에서 레이저광의 조사를 하여도 좋다.
다음에, 레이저 빔 직접 묘화 장치를 사용한 막의 개질처리에 관해서 설명한다. 기판(1008)이 기판이동기구(1009)에 장착되면, PC(1002)는 도면 외의 카메라에 의해서, 기판에 장착되어 있는 마커의 위치를 검출한다. 이어서, PC(1002)는, 검출한 마커의 위치 데이터와, 미리 입력되어 있는 묘화 패턴 데이터에 기초하여, 기판이동기구(1009)를 이동시키기 위한 이동 데이터를 생성한다. 이 후, PC(1002)가, 드라이버(1011)를 통해서 음향광학변조기(1006)의 출력광량을 제어함으로써, 레이저 발진기(1003)로부터 출력된 레이저 빔은, 광학계(1005)에 의해서 감쇠된 후, 음향광학변조기(1006)에 의해서 소정의 광량이 되도록 광량이 제어된다. 한편, 음향광학변조기(1006)로부터 출력된 레이저 빔은, 광학계(1007)에서 광로 및 빔형을 변화시켜, 렌즈에서 집광한 후, 기판상에 형성된 하지막에 상기 빔을 조사하여, 막을 개질처리한다. 이 때, PC(1002)가 생성한 이동 데이터에 따라서, 기판이동기구(1009)를 X방향 및 Y방향으로 이동 제어한다. 이 결과, 소정의 장소에 레 이저 빔이 조사되어, 막의 개질처리가 행하여진다.
단파장의 레이저광일 수록, 빔 직경을 짧게 집광하는 것이 가능하기 때문에, 미세한 폭의 영역을 처리하기 위해서는, 단파장의 레이저 빔을 조사하는 것이 바람직하다.
또한, 레이저 빔의 막 표면에서의 스폿 형상은, 점형, 원형, 타원형, 구형, 또는 선형(엄밀하게는 가늘고 긴 직사각 형상)이 되도록 광학계에서 가공되어 있다.
또한, 도 30에 도시한 장치는, 기판의 표면측으로부터 레이저광을 조사하여 노광하는 예를 개시하였지만, 광학계나 기판이동기구를 적절하게 변경하고, 기판의 이면측으로부터 레이저광을 조사하여 노광하는 레이저 빔 묘화 장치로 하여도 좋다.
또, 여기에서는, 기판을 이동하여 선택적으로 레이저 빔을 조사하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 레이저 빔을 XY축방향에 주사하여 레이저 빔을 조사할 수 있다. 이 경우, 광학계(1007)에 폴리곤미러나 갈바노미러를 사용하는 것이 바람직하다.
광 흡수층(721)은 증착법, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 구성물을 원하는 패턴으로 전사, 또는 묘사할 수 있는 방법, 예를 들면 각종 인쇄법(스크린(공판)인쇄, 오프셋(평판)인쇄, 철판인쇄나 그라비아(요판)인쇄 등 원하는 패턴으로 형성되는 방법), 디스펜서법, 선택적인 도포법 등도 사용할 수 있다.
광 흡수층(721)으로서 크롬, 몰리브덴, 니켈, 티타늄, 코발트, 구리, 텅스텐, 또는 알루미늄 중 일종 또는 복수를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 광 흡수층으로서 반도체 재료를 사용할 수도 있고, 예를 들면, 실리콘(규소), 게르마늄, 실리콘게르마늄, 갈륨비소, 산화몰리브덴, 산화주석, 산화비스무스, 산화바나듐, 산화니켈, 산화아연, 비화갈륨, 질화갈륨, 산화인듐, 인화인듐, 질화인듐, 황화카드뮴, 텔루루화카드뮴, 티타늄산스트론튬 등의 무기 반도체 재료를 사용할 수 있다. 또한 광 흡수층에 수소나 불활성 기체(헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 네온(Ne), 크세논(Xe) 등)을 첨가하여도 좋다.
도 1에 있어서는, 레이저광(723)의 조사에 의해서 광 흡수층(721)이 증발하여, 절연층(722)에 개구(725)를 형성하고 있고, 절연층 아래의 광 흡수층에 있어서 기판(720)이 노출될 때까지 레이저 어브레이션에 의해서 제거된 예이다. 절연층 아래에 형성된 광 흡수층에 이르는 개구를 형성하는 다른 예를 도 2a 내지 2d에 도시한다.
도 2a 내지 2d는, 절연층 아래의 광 흡수층의 상방부(上方部)부만이 레이저광에 의해 레이저 어브레이션된 예로, 개구 저면에는 광 흡수층이 잔존하고 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(700)상에, 광 흡수층(701), 절연층(702)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(701)으로서 도전성을 갖는 재료를 사용하여, 도전층으로서 기능할 수 있는 것으로 한다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(701)으로서 크롬을 사용한다.
도 2b에 도시하는 바와 같이, 절연층(702)측으로부터 레이저광(703)을 선택적으로 광 흡수층(701)에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 광 흡수층(701)의 조사영역은 일부 증발하여, 광 흡수층(701)의 조사영역상의 절연층(702)은 제거된다. 따라서, 개구(705)를 형성할 수 있다. 광 흡수층(701)은 광 흡수층(708)으로 가공되고, 절연층(702)은 절연층(707a)과 절연층(707b)으로 분리된다(도 2c 참조). 광 흡수층(701)이 노출된 개구(705)에 도전막(706)을 형성하고, 광 흡수층(701)과 도전막(706)을 전기적으로 접속할 수 있다(도 2d 참조).
또한, 콘택트 홀로서 기능하는 개구의 형상도 측면이 저면에 대하여 수직이 아니어도 좋고, 개구의 측변이 테이퍼(taper)를 갖는 형상이어도 좋다. 예를 들면 개구의 형상이 사발형이고, 개구 측면은 저면에 대하여 테이퍼를 갖는 형상으로 되어 있어도 좋다.
이와 같이, 절연층에 형성된 개구에 있어서 절연층 아래의 광 흡수층과 절연층상의 도전막을 전기적으로 접속시킨다. 레이저광의 조사 조건(에너지 강도, 조사시간 등) 및 절연층, 도전층의 재료의 성질(열전도율, 융점, 비점 등)에 의해서 절연층에 형성되는 개구의 크기나 형상은 제어할 수 있다.
레이저광의 직경에 의해서 결정하는 조사영역에 대한 개구의 크기는, 레이저광의 에너지의 크기에 의존하여, 레이저광의 에너지가 충분할 정도로 크면 에너지는 조사영역 주변까지 전달되어, 절연층에 레이저광의 조사영역보다 큰 개구를 형성한다. 반대로 레이저광의 에너지가 작으면, 절연층에는 조사영역과 거의 같은 크기의 개구가 형성된다.
이와 같이, 레이저광의 에너지를 제어함으로써, 절연층에 형성하는 개구의 크기도 적절하게 제어할 수 있다.
레이저광의 조사에 의해 개구를 형성한 후, 액체로 개구 부근에 잔존하는 도전성 재료나 절연성 재료(도전층 또는 절연층이 제거된 부분의 잔존물)를 세정하여, 잔존물을 제거하여도 좋다. 이 경우, 세정에 물 등의 무반응 물질을 사용하여도 좋고, 절연층과 반응하는(용해하는) 에천트 등의 약액을 사용하여도 좋다. 에천트를 사용하면 개구가 오버 에칭되어, 먼지 등이 제거되어 표면이 더욱 평탄화된다. 또한 개구를 확대할 수도 있다.
레이저광에 의해서 선택적으로 개구를 형성할 수 있기 때문에 마스크층을 형성하지 않아도 공정 및 재료를 삭감할 수 있다. 또한 레이저광은 대단히 작은 스폿에 집광할 수 있기 때문에, 가공해야 하는 도전층 및 절연층을 소정의 형상으로 높은 정밀도로 가공할 수 있고, 또한 단시간에 순간적으로 가열되기 때문에, 가공영역 이외의 영역을 거의 가열하지 않아도 좋다고 하는 이점이 있다.
이와 같이 복잡한 포토리소그래피 공정, 마스크층의 형성 등을 하지 않고, 레이저광 조사에 의해서 도전층과 도전층을 전기적으로 접속하는 개구(콘택트 홀)를 절연층에 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명을 사용하여 표시장치를 제조하면, 공정을 간략화할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 콘택트 홀의 형성방법에 관해서, 도 34 내지 도 36을 참조하여 설명한다.
본 실시형태에서는, 실시형태 1에 있어서, 광 흡수층과 도전층의 적층과 절연층을 개재하여 도전막을 전기적으로 접속하는 예를 개시한다.
도 34를 사용하여 구체적으로 설명한다. 본 실시형태에서는, 도 34에 도시하는 바와 같이, 기판(730)상에, 도전층(739), 광 흡수층(731), 절연층(732)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(731)으로서 도전성을 갖는 재료를 사용하여, 도전층으로서 기능할 수 있는 것으로 한다. 또한, 도전층(739)도 레이저광을 흡수하는 재료를 사용하여 형성하여, 광 흡수층으로 하여도 좋다.
도전층(739), 및 광 흡수층(731)은 적층 구조로 되어 있고, 본 실시형태는, 광 흡수층(731)에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용하고, 도전층(739)에는 광 흡수층(731)으로부터도 증발하기 어려운 고융점 금속(본 실시형태에서는 텅스텐)을 사용한다.
도 34b에 도시하는 바와 같이, 절연층(732)측으로부터 레이저광(733)을 선택적으로 광 흡수층(731)에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 광 흡수층의 조사영역이 증발하여, 광 흡수층(731)의 조사영역상의 절연층(732)은 제거된다. 따라서 도전층(739)에 이르는 개구(735)를 형성할 수 있다. 광 흡수층(731)은 광 흡수층(738a, 738b)으로 분리되고, 절연층(732)은 절연층(737a)과 절연층(737b)으로 분리된다(도 34c 참조). 도전층(739) 및 광 흡수층(731)이 노출된 개구(735)에 도전 막(736)을 형성하고, 도전층(739)과 광 흡수층(731)과 도전막(736)을 전기적으로 접속할 수 있다(도 34d 참조).
도 34에 있어서는, 레이저광(733)의 조사에 의해서 광 흡수층(731)이 증발하여, 절연층(732)에 개구(735)를 형성하고 있고, 절연층 아래의 광 흡수층에 있어서 도전층(739)이 노출될 때까지 레이저 어브레이션에 의해서 제거된 예이다. 절연층 아래에 형성된 광 흡수층에 이르는 개구를 형성하는 다른 예를 도 35a 내지 35d에 도시한다.
도 35a 내지 35d는, 절연층 아래의 광 흡수층의 상방부만이 레이저광에 의해 레이저 어브레이션된 예이고, 개구 저면에는 광 흡수층이 잔존하고 있다. 도 35에 도시하는 바와 같이, 기판(710)상에, 도전층(719), 광 흡수층(711), 절연층(712)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(711)으로서 도전성을 갖는 재료를 사용하여, 도전층으로서 기능할 수 있는 것으로 한다. 또한, 도전층(719)도 레이저광을 흡수하는 재료를 사용하여 형성하여, 광 흡수층으로 하여도 좋다.
도전층(19), 및 광 흡수층(711)은 적층 구조로 되어 있고, 본 실시형태는, 광 흡수층(711)에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용하고, 도전층(719)에는 광 흡수층(711)으로부터도 증발하기 어려운 고융점 금속(본 실시형태에서는 텅스텐)을 사용한다.
도 35b에 도시하는 바와 같이, 절연층(712)측으로부터 레이저광(713)을 선택적으로 광 흡수층(711)에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 광 흡수층의 일부의 조사영역이 증발하여, 광 흡수층(711)의 조사영역상의 절연층(712)은 제거된다. 따 라서, 개구(715)를 형성할 수 있다. 광 흡수층(711)은 광 흡수층(718)으로 가공되고, 절연층(712)은 절연층(717a)과 절연층(717b)으로 분리된다(도 35c 참조). 광 흡수층(718)이 노출된 개구(715)에 도전막(716)을 형성하고, 도전층(719)과 광 흡수층(711)과 도전막(716)을 전기적으로 접속할 수 있다(도 35d 참조).
또한, 레이저광 조사에 의해, 광 흡수층 아래의 도전층도 제거되어 개구를 형성하여도 좋다. 도전층에 형성되는 개구는 기판이 노출될 때까지 형성되어도 좋고, 도전층의 상부만 제거되고, 개구 저면에 도전층이 잔존하여 형성되어도 좋다. 도 36에, 광 흡수층 아래의 도전층까지 개구가 형성되는 예를 개시한다.
도 36에 도시하는 바와 같이, 기판(740)상에, 도전층(749), 광 흡수층(741), 절연층(742)이 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 광 흡수층(741)으로서 도전성을 갖는 재료를 사용하여, 도전층으로서 기능할 수 있는 것으로 한다. 또한, 도전층(749)도 레이저광을 흡수하는 재료를 사용하여 형성하여, 광 흡수층으로 하여도 좋다.
도전층(749), 및 광 흡수층(741)은 적층 구조로 되어 있고, 본 실시형태는, 광 흡수층(741)에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용하고, 도전층(749)에는 광 흡수층(741)으로부터도 증발하기 어려운 고융점 금속(본 실시형태에서는 텅스텐)을 사용한다.
도 36b에 도시하는 바와 같이, 절연층(742)측으로부터 레이저광(743)을 선택적으로 광 흡수층(741)에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 도전층 및 광 흡수층의 조사영역이 증발하여, 광 흡수층(741)의 조사영역상의 절연층(742)은 제거된다. 따라서, 기판(740)에 이르는 개구(745)를 형성할 수 있다. 도전층(749)은 도전층(750a, 750b)으로 분리되고, 광 흡수층(741)은 광 흡수층(748a, 748b)으로 분리되고, 절연층(742)은 절연층(747a)과 절연층(747b)으로 분리된다(도 36c 참조). 도전층(750a, 750b), 광 흡수층(748a, 748b)이 노출된 개구(745)에 도전막(746)을 형성하고, 도전층(750a, 750b)과 광 흡수층(748a, 748b)과 도전막(746)을 전기적으로 접속할 수 있다(도 36d 참조).
이와 같이, 광 흡수층은 도전층(또는 반도체층)과 적층하여도 좋고, 광 흡수층 자체, 도전층 자체도 복수층 적층하여도 좋다.
레이저광의 조사에 의해 개구를 형성한 후, 액체로 개구 부근에 잔존하는 도전성 재료나 절연성 재료(도전층 또는 절연층이 제거된 부분의 잔존물)를 세정하여, 잔존물을 제거하여도 좋다. 이 경우, 세정에 물 등의 무반응 물질을 사용하여도 좋고, 절연층과 반응하는(용해하는) 에천트 등의 약액을 사용하여도 좋다. 에천트를 사용하면 개구가 오버 에칭되어, 먼지 등이 제거되어 표면이 더욱 평탄화된다. 또한 개구를 확대할 수도 있다.
이와 같이, 절연층에 형성된 개구에 있어서 절연층 아래의 광 흡수층과 절연층상의 도전막을 전기적으로 접속시킨다. 본 실시형태에서는, 도전층상에 승화성이 높은 금속으로 이루어지는 광 흡수층을 형성하고, 레이저광에 의해서 광 흡수층에 에너지를 부여함으로써 광 흡수층 및 도전층상에 형성된 절연층에 개구를 형성한다. 레이저광의 조사 조건(에너지 강도, 조사시간 등) 및 절연층, 도전층의 재료의 성질(열전도율, 융점, 비점 등)에 의해서 절연층에 형성되는 개구의 크기나 형상은 제어할 수 있다. 레이저광의 크기 및 형성되는 개구의 크기의 예를 도 4에 도시한다.
기판(300)상에, 도전층(309(309a, 309b, 309c)), 광 흡수층(301)이 적층되어 형성되고, 도전층(309(309a, 309b, 309c)) 및 광 흡수층(301)을 덮도록 절연층(302)이 형성되어 있다. 도 4에 있어서, 도전층(309(309a, 309b, 309c))은 복수의 박막을 포함하는 적층 구조를 도시하고, 예를 들면, 도전층(309a)에 티타늄, 도전층(309b)에 알루미늄, 도전층(309c)에 티타늄, 광 흡수층(301)에 크롬을 사용할 수 있다. 또한 도전층(309(309a, 309b, 309c))에는 텅스텐이나 몰리브덴 등도 사용할 수 있다. 물론, 광 흡수층(301)도 적층 구조로 할 수 있고, 구리와 크롬의 적층 등을 사용할 수 있다.
절연층(302) 및 광 흡수층(301)에 레이저 직경(L1)의 레이저광(303)을 선택적으로 조사한다. 레이저광(303)의 에너지가 크면, 도 4c와 같이, 광 흡수층(301)에 주어지는 에너지도 커져, 광 흡수층(301)에 있어서 조사영역 및 그 주변까지 열이 전도된다. 따라서, 광 흡수층 및 광 흡수층(301)상에 형성된 절연층(302)에는 레이저광(303)의 직경(L1)보다 큰 직경(L2)을 갖는 개구(305)가 형성된다. 이상과 같이, 광 흡수층(301)은 광 흡수층(308a, 308b)으로 분리되고, 절연층(302)은 절연층(307a, 307b)으로 분단되어, 개구(305)가 형성된다. 도전층(309c), 광 흡수층(308a, 308b)이 노출된 개구(305)에 도전막(306)을 형성하고, 도전층(309(309a, 309b, 309c)) 및 광 흡수층(308a, 308b)과 도전막(306)이 전기적으로 접속한다(도 4d 참조).
레이저광의 직경에 의해서 결정하는 조사영역에 대한 개구의 크기는, 레이저광의 에너지의 크기에 의존하여, 레이저광의 에너지가 충분할 정도로 크면 에너지는 조사영역 주변까지 전달되어, 절연층에 레이저광의 조사영역보다 큰 개구를 형성한다. 반대로 레이저광의 에너지가 작으면, 절연층에는 조사영역과 거의 같은 크기의 개구가 형성된다.
이와 같이, 레이저광의 에너지를 제어함으로써, 절연층에 형성하는 개구의 크기도 적절하게 제어할 수 있다.
레이저광에 의해서 선택적으로 개구를 형성할 수 있기 때문에 마스크층을 형성하지 않아도 되어 공정 및 재료를 삭감할 수 있다. 또한 레이저광은 대단히 작은 스폿에 집광할 수 있기 때문에, 가공해야 하는 도전층 및 절연층을 소정의 형상으로 높은 정밀도로 가공할 수 있다, 또한 단시간에 순간적으로 가열되기 때문에, 가공영역 이외의 영역을 거의 가열하지 않아도 좋다고 하는 이점이 있다.
이와 같이 복잡한 포토리소그래피 공정, 마스크층의 형성을 하지 않고, 레이저광 조사에 의해서 도전층과 도전층을 전기적으로 접속하는 개구(콘택트 홀)를 절연층에 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명을 사용하여 표시장치를 제조하면, 공정을 간략화할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조 하는 것을 목적으로 한 표시장치의 제조방법에 관해서, 도 3을 참조하여 설명한다.
본 실시형태에서는, 박막을 원하는 패턴으로 가공할 때에 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고 도전층, 반도체층 등의 구성물(패턴이라고도 함)을 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성한다. 본 발명에 있어서, 구성물(패턴이라고도 함)은 박막트랜지스터나 표시장치를 구성하는, 배선층, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층 등의 도전층, 반도체층, 마스크층, 절연층 등을 말하고, 소정의 형상을 갖고 형성되는 모든 구성요소를 포함한다.
본 실시형태에서는, 도전막이나 반도체막 등의 광 흡수막을 투광성의 전치기판에 형성하고, 전치기판측으로부터 레이저광을 선택적으로 조사함으로써, 레이저광의 조사영역에 대응하는 광 흡수막을, 피전치기판에 전치하고, 광 흡수층인 도전층이나 반도체층을 원하는 형상(패턴)으로 형성한다. 본 명세서에서, 최초의 공정에서 광 흡수막인 도전막이나 반도체막을 형성하고, 레이저광이 조사되는 기판을 전치기판, 최종적으로 선택적으로 광 흡수층인 도전층이나 반도체층이 형성되는 기판을 피전치기판이라고도 한다. 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성할 수 있기 때문에, 공정 간략화, 저비용화 등을 달성할 수 있다.
본 실시형태에서 개시하는 박막의 형성방법을, 도 3을 사용하여 상세하게 설명한다. 도 3에 있어서, 전치기판인 제 1 기판(2201)상에 광 흡수막(2202)이 형성되고, 광 흡수막(2202)이 내측이 되도록, 제 1 기판(2201) 및 피전치기판인 제 2 기판(2200)이 대향하여 설치되어 있다.
기판(2201)측으로부터, 기판(2201)을 투과시켜 레이저광(2203)을 선택적으로 광 흡수막(2202)에 조사한다. 레이저광(2203)이 조사된 영역의 광 흡수막(2202)은, 레이저광(2203)을 흡수하고, 그 열 등의 에너지에 의해 제 2 기판(2200)측에 광 흡수층(2205)으로서 전치된다. 한편, 레이저광(2203)이 조사되지 않은 영역은, 광 흡수막(2204a, 2204b)으로서 제 1 기판(2201)측에 잔존한다. 이와 같이, 광 흡수층(2206)인 박막을 원하는 패턴으로 가공할 때에 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고, 도전층, 반도체층 등의 구성물(패턴이라고도 함)을 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성한다.
레이저광은, 실시형태 1에서 설명한 레이저광과 같은 것을 사용하여, 마찬가지로 조사할 수 있고, 도 30에 의해 도시한 레이저 조사 묘화 장치를 사용하면 좋다. 따라서 여기에서는 상세한 설명을 생략한다.
레이저광에 의해 전치 후, 광 흡수층에 가열처리를 하여도 좋고, 레이저광을 조사하여도 좋다.
전치물인 광 흡수막(2202)에는, 조사되는 광을 흡수하는 재료를 사용하고, 제 1 기판(2201)에는 조사되는 광을 투과하는, 투광성의 기판을 사용한다. 본 발명을 사용하면, 자유롭게 여러 가지의 기판에 전치할 수 있기 때문에, 기판 재료의 선택성의 폭이 확대된다. 또한 저가의 재료를 기판으로서 선택할 수도 있고, 용도에 맞추어 넓은 기능을 갖게 할 수 있을 뿐만 아니라, 저비용으로 표시장치를 제조할 수 있다.
본 실시형태의 박막 형성방법은, 박막트랜지스터나 표시장치를 구성하는, 배 선층, 게이트 전극층, 소스 전극층, 드레인 전극층 등의 도전층, 반도체층, 마스크층, 절연층 등의 형성에 사용할 수 있고, 광 흡수층으로서 원하는 재료를 사용한 막을 형성하고, 그 막이 흡수하는 광을 선택하여 조사하면 좋다.
예를 들면, 전치하는 광 흡수막으로서 도전성 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면, 크롬, 탄탈, 은, 몰리브덴, 니켈, 티타늄, 코발트, 구리, 또는 알루미늄 중 일종 또는 복수를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 광 흡수막으로서 반도체 재료를 사용할 수도 있고, 예를 들면, 실리콘(규소), 게르마늄, 실리콘게르마늄, 갈륨비소, 산화몰리브덴, 산화주석, 산화비스무스, 산화바나듐, 산화니켈, 산화아연, 비화갈륨, 질화갈륨, 산화인듐, 인화인듐, 질화인듐, 황화카드뮴, 텔루루화카드뮴, 티타늄산스트론튬 등의 무기 반도체 재료를 사용할 수 있다. 또한 광 흡수막에 수소나 불활성 기체(헬륨(He), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 네온(Ne), 크세논(Xe) 등)를 첨가하여도 좋다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 4)
도 25a는 본 발명에 관계되는 표시 패널의 구성을 도시하는 상면도이고, 절연 표면을 갖는 기판(2700)상에 화소(2702)를 매트릭스형으로 배열시킨 화소부(2701), 주사선측 입력단자(2703), 신호선측 입력단자(2704)가 형성되어 있다. 화소수는 여러가지의 규격에 따라서 형성하면 좋고, XGA이며 RGB를 사용한 풀컬러표시이면 1024×768×3(RGB), UXGA이며 RGB를 사용한 풀컬러표시이면 1600×1200×3(RGB), 풀스펙 하이비전(full-spec high vision)에 대응시켜, RGB를 사용한 풀컬러표시이면 1920×1080×3(RGB)로 하면 좋다.
화소(2702)는, 주사선측 입력단자(2703)로부터 연장하는 주사선과, 신호선측 입력단자(2704)로부터 연장하는 신호선이 교차하는 것으로, 매트릭스형으로 배치된다. 화소(2702)의 각각은, 스위칭소자와 이것에 접속하는 화소 전극이 구비되고 있다. 스위칭소자의 대표적인 일례는 TFT이고, TFT의 게이트 전극측이 주사선과, 소스 또는 드레인측이 신호선과 접속됨으로써, 개개의 화소를 외부로부터 입력하는 신호에 의해서 독립하여 제어 가능하게 하고 있다.
도 25a는, 주사선 및 신호선에 입력하는 신호를, 외부 장착의 구동회로에 의해 제어하는 표시 패널의 구성을 도시하고 있지만, 도 26a에 도시하는 바와 같이, COG(Chip on Glass)방식에 의해 드라이버 IC(2751)를 기판(2700)상에 실장하여도 좋다. 또한 다른 실장형태로서, 도 26b에 도시하는 바와 같은 TAB(Tape Automated Bonding)방식을 사용하여도 좋다. 드라이버 IC는 단결정 반도체기판에 형성된 것이어도 좋고, 유리기판상에 TFT로 회로를 형성한 것이어도 좋다. 도 26에 있어서, 드라이버 IC(2751)는, FPC(2750)와 접속하고 있다.
또한, 화소에 형성하는 TFT를, 결정성이 높은 다결정(미결정) 반도체로 형성하는 경우에는, 도 25b에 도시하는 바와 같이 주사선측 구동회로(3702)를 기판(3700)상에 형성할 수도 있다. 도 25b에 있어서, 3701은 화소부이고, 신호선측 구동회로는, 도 25a와 같이 외부 장착의 구동회로에 의해 제어한다. 본 발명에서 형성하는 TFT와 같이, 화소에 형성하는 TFT를 이동도가 높고, 다결정(미결정) 반도체, 단결정 반도체 등으로 형성하는 경우는, 도 25c는, 주사선 구동회로(4702)와, 신호선 구동회로(4704)를 기판(4700)상에 일체로 형성할 수도 있다.
본 발명의 실시형태에 관해서, 도 8 내지 도 14를 참조하여 설명한다. 더욱 자세하게는, 본 발명을 적용한, 역스태거형 박막트랜지스터를 갖는 표시장치의 제조방법에 관해서 설명한다. 도 8 내지 도 13a는 표시장치화소부의 상면도이고, 도 8 내지 도 13b는, 도 8 내지 도 13a에 있어서의 선 A-C에 의한 단면도, 도 13c는 선 B-D에 의한 단면도이다. 도 14a, 도 14b도 표시장치의 단면도이다.
기판(100)은, 바륨붕규산유리, 알루미노붕규산유리 등으로 이루어지는 유리기판, 석영기판, 금속기판, 또는 본 제조공정의 처리온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 플라스틱기판을 사용한다. 또한, 기판(100)의 표면이 평탄화되도록 CMP법 등에 의해서 연마하여도 좋다. 또, 기판(100)상에, 절연층을 형성하여도 좋다. 절연층은, CVD법, 플라즈마 CVD법, 스퍼터링법, 스핀코트법 등의 여러가지 방법에 의해, 규소를 포함하는 산화물 재료, 질화물 재료를 사용하여, 단층 또는 적층하여 형성된다. 이 절연층은, 형성하지 않아도 좋지만, 기판(100)으로부터의 오염물질 등을 차단하는 효과가 있다.
기판(100)상에, 게이트 전극층(103(103a, 103b), 104(104a, 104b))을 형성한다. 게이트 전극층(103(103a, 103b), 104(104a, 104b))은, Ag, Au, Ni, Pt, Pd, Ir, Rh, Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu로부터 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료로 형성하면 좋다. 또한, 인 등의 불순물원소를 도핑한 다결정실리콘막으로 대표되는 반도체막이나, AgPdCu 합금을 사용하여도 좋다. 또한, 단층 구조라도 복수층의 구조이어도 좋고, 예를 들면, 질화텅스텐막과 몰리브덴(Mo)막의 2층 구조로 하여도 좋고, 막 두께 50nm의 텅스텐막, 막 두께 500nm의 알루미늄과 실리콘의 합금(Al-Si)막, 막 두께 30nm의 질화티타늄막을 순차 적층한 3층 구조로 하여도 좋다. 또한, 3층 구조로 하는 경우, 제 1 도전막의 텅스텐 대신에 질화텅스텐을 사용하여도 좋고, 제 2 도전막의 알루미늄과 실리콘의 합금(Al-Si)막 대신에 알루미늄과 티타늄의 합금막(Al-Ti)을 사용하여도 좋고, 제 3 도전막의 질화티타늄막 대신에 티타늄막을 사용하여도 좋다.
게이트 전극층(103a, 103b, 104a, 104b)은, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성하고, 마스크층을 사용하여 가공하여 형성할 수 있다. 또한, 구성물을 원하는 패턴으로 전사, 또는 묘사할 수 있는 방법, 예를 들면 각종 인쇄법(스크린(공판)인쇄, 오프셋(평판)인쇄, 철판인쇄나 그라비아(요판)인쇄 등 원하는 패턴으로 형성되는 방법), 액적토출법, 디스펜서법, 선택적인 도포법 등도 사용할 수 있다.
도전막의 가공은, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해 에칭가공하면 좋다. ICP(Inductively Coupled Plasma: 유도 결합형 플라즈마) 에칭법을 사용하여, 에칭 조건(코일형 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극온도 등)을 적절하게 조절함으로써, 전극층을 테이퍼 형상으로 에칭할 수 있 다. 또, 에칭용가스로서는, Cl2, BCl3, SiCl4 또는 CCl4 등을 대표로 하는 염소계가스, CF4, SF6 또는 NF3 등을 대표로 하는 불소계가스 또는 O2를 적절하게 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는, 게이트 전극층의 형성은, 전치기판상에 광 흡수막인 도전막을 형성 후, 레이저광에 의해서 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성한다. 기판(101)상에 광 흡수막을, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성한다.
전치기판인 기판(101)상에 광 흡수막이 형성되고, 광 흡수막이 내측이 되도록, 기판(101) 및 피전치기판인 기판(100)을 대향하여 설치한다.
기판(101)측으로부터, 기판(101)을 투과시켜 레이저광(112a, 112b, 112c, 112d)을 선택적으로 광 흡수막에 조사한다. 레이저광(112a, 112b, 112c, 112d)이 조사된 영역의 광 흡수막은, 레이저광(112a, 112b, 112c, 112d)을 흡수하고, 그 열 등의 에너지에 의해 기판(100)측에 게이트 전극층(103(103a, 103b), 104(104a, 104b))으로서 전치된다. 한편, 레이저광(112a, 112b, 112c, 112d)이 조사되지 않은 영역은, 광 흡수막(102a, 102b, 102c, 102d)으로서 기판(101)측에 잔존한다. 이와 같이, 광 흡수막을 선택적으로 전치하여, 게이트 전극층(103(103a, 103b), 104(104a, 104b))을 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고, 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성한다(도 8a 내지 8c 참조).
레이저광에 의해 전치 후, 광 흡수층에 가열처리를 하여도 좋고, 레이저광을 조사하여도 좋다.
전치물인 광 흡수막에는, 조사되는 광을 흡수하는 재료를 사용하고, 기판(101)에는 조사되는 광을 투과하는, 투광성의 기판을 사용한다. 본 발명을 사용하면, 자유롭게 여러 가지의 기판에 전치할 수 있기 때문에, 기판 재료의 선택성의 폭이 확대된다. 또한 저가의 재료를 기판으로서 선택할 수도 있고, 용도에 맞추어 넓은 기능을 갖게 할 수 있을 뿐만 아니라, 저비용으로 표시장치를 제조할 수 있다.
다음에, 게이트 전극층(103(103a, 103b), 104(104a, 104b))의 위에 게이트 절연층(105)을 형성한다. 게이트 절연층(105)으로서는, 규소의 산화물 재료 또는 질화물 재료 등의 재료로 형성하면 좋고, 적층이어도 좋고 단층이어도 좋다. 본 실시형태에서는, 질화규소막, 산화규소막의 2층의 적층을 사용한다. 또한 이들이나, 산화질화규소막의 단층, 3층 이상으로 이루어지는 적층이어도 좋다. 적합하게는, 치밀한 막질을 갖는 질화규소막을 사용하면 좋다. 또한, 액적토출법으로 형성되는 도전층에 은이나 구리 등을 사용하는 경우, 그 위에 배리어막으로서 질화규소막이나 NiB막을 형성하면, 불순물의 확산을 막아, 표면을 평탄화하는 효과가 있다. 또, 낮은 성막온도에서 게이트 리크전류가 적은 치밀한 절연막을 형성하기 위해서는, 아르곤 등의 희가스원소를 반응가스에 포함시켜, 형성되는 절연막 중에 혼입시키면 좋다.
다음에 게이트 절연층(105)에 개구(107)를 형성한다. 레지스트나 폴리이미 드 등의 절연체로 이루어지는 마스크층을 액적토출법을 사용하여 형성하고, 그 마스크층을 사용하여, 에칭가공에 의해 게이트 절연층(105)의 일부에 개구(107)를 형성하고, 그 하층측에 배치되어 있는 게이트 전극층(104)의 일부를 노출시킬 수 있다. 에칭가공은 플라즈마 에칭(드라이 에칭) 또는 웨트 에칭의 어느 쪽을 채용하여도 좋지만, 대면적기판을 처리하기 위해서는 플라즈마 에칭이 적합하다. 에칭가스로서는, CF4, NF3, Cl2, BCl3 등의 불소계 또는 염소계의 가스를 사용하여, He나 Ar 등의 불활성가스를 적절하게 첨가하여도 좋다. 또한, 대기압방전의 에칭가공을 적용하면, 국소적인 방전가공도 가능하고, 기판의 전체면에 마스크층을 형성할 필요는 없다.
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 사용하여 개구(107)를 형성한다(도 9a 내지 9c 참조). 게이트 절연층(105)측으로부터 레이저광(106)을 선택적으로 게이트 전극층(104)에 조사하고, 조사된 에너지에 의해 게이트 전극층(104)의 조사영역의 일부는 증발하여, 게이트 전극층(140)이 된다. 게이트 전극층(140)상의 게이트 절연층(105)은 제거되어, 개구(107)를 형성할 수 있다. 게이트 전극층(140)이 노출된 개구(107)에 소스 전극층 또는 드레인 전극층을 형성하는 도전막을 형성하고, 게이트 전극층(140)과 소스 전극층 또는 드레인 전극층은 전기적으로 접속할 수 있다. 개구(107)의 형성은, 반도체층을 형성한 후에 행하여도 좋다.
다음에 반도체층을 형성한다. 1도전성형을 갖는 반도체층은 필요에 따라서 형성하면 좋다. 또한 n형을 갖는 반도체층을 형성하고, n채널형 TFT의 NMOS 구조, p형을 갖는 반도체층을 형성한 p채널형 TFT의 PMOS 구조, n채널형 TFT와 p채널형 TFT와의 CMOS 구조를 제조할 수 있다. 또한, 도전성을 부여하기 위해서, 도전성을 부여하는 원소를 도핑에 의해서 첨가하여, 불순물영역을 반도체층에 형성하는 것으로, n채널형 TFT, p채널형 TFT를 형성할 수도 있다. n형을 갖는 반도체층을 형성하는 대신에, PH3가스에 의한 플라즈마처리를 함으로써, 반도체층에 도전성을 부여하여도 좋다.
반도체층을 형성하는 재료는, 실란이나 게르만으로 대표되는 반도체 재료가스를 사용하여 기상성장법이나 스퍼터링법으로 제조되는 어몰퍼스 반도체(이하 「AS」이라고도 함), 상기 비정질 반도체를 광에너지나 열에너지를 이용하여 결정화시킨 다결정 반도체, 또는 세미어몰퍼스(미결정 또는 마이크로크리스탈이라고도 불린다. 이하 「SAS」라고도 함) 반도체 등을 사용할 수 있다. 반도체층은 각종수단(스퍼터법, LPCVD법, 또는 플라즈마 CVD법 등)에 의해 성막할 수 있다.
SAS는, 비정질과 결정 구조(단결정, 다결정을 포함함)의 중간적인 구조를 갖고, 자유 에너지적으로 안정된 제 3 상태를 갖는 반도체로, 단거리 질서(short-range order)를 갖고 격자 왜곡을 갖는 결정질인 영역을 포함하고 있다. 적어도 막 중의 일부의 영역에는, 0.5 내지 20nm의 결정영역을 관측할 수 있고, 규소를 주성분으로 하는 경우에는 라만 스펙트럼이 520cm-1보다도 저파수측으로 시프트하고 있다. X선 회절에서는 규소 결정 격자에 유래하게 되는 (111), (220)의 회절 피크 가 관측된다. 미결합수(댕글링 본드)를 종단화하기 위해서 수소 또는 할로겐을 적어도 1원자% 또는 그 이상 포함시키고 있다. SAS는, 규소를 포함하는 기체를 글로방전분해(플라즈마 CVD)하여 형성한다. 규소를 포함하는 기체로서는, SiH4, 이외에도 Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, SiF4 등을 사용하는 것이 가능하다. 또한 F2, GeF4를 혼합시켜도 좋다. 이 규소를 포함하는 기체를 H2, 또는, H2와 He, Ar, Kr, Ne로부터 선택된 일종 또는 복수종의 희가스원소로 희석하여도 좋다. 희석율은 2 내지 1000배의 범위, 압력은 개략 0.1Pa 내지 133Pa의 범위, 전원 주파수는 1MHz 내지 120MHz, 바람직하게는 13MHz 내지 60MHz이다. 기판 가열온도는 300℃ 이하가 바람직하고, 100 내지 200℃의 기판 가열온도에서도 형성 가능하다. 여기에서, 주로 성막시에 받아들여지는 불순물원소로서, 산소, 질소, 탄소 등의 대기성분에 유래하는 불순물은 1×1020cm-3 이하로 하는 것이 바람직하고, 특히, 산소 농도는 5×1019cm-3 이하, 바람직하게는 1×1019cm-3 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 헬륨, 아르곤, 크립톤, 네온 등의 희가스원소를 포함시켜 격자 왜곡을 더욱 조장시키는 것으로 안정성이 증가하여 양호한 SAS를 얻을 수 있다. 또한 반도체층으로서 불소계가스로 형성되는 SAS층에 수소계가스로 형성되는 SAS층을 적층하여도 좋다.
어몰퍼스 반도체(amorphous semiconductor)로서는, 대표적으로는 수소화어몰퍼스실리콘, 결정성 반도체로서는 대표적으로는 폴리실리콘 등을 들 수 있다. 폴 리실리콘(다결정실리콘)에는, 800℃ 이상의 프로세스 온도를 거쳐서 형성되는 폴리실리콘을 주재료로서 사용한 소위 고온 폴리실리콘이나, 600℃ 이하의 프로세스 온도에서 형성되는 폴리실리콘을 주재료로서 사용한 소위 저온폴리실리콘, 또한 결정화를 촉진하는 원소 등을 첨가하여 결정화시킨 폴리실리콘 등을 포함하고 있다. 물론, 상술한 바와 같이, 세미어몰퍼스 반도체 또는 반도체층의 일부에 결정상(結晶相)을 포함하는 반도체를 사용할 수도 있다.
반도체층에, 결정성 반도체층을 사용하는 경우, 그 결정성 반도체층의 제조방법은, 각종의 방법(레이저 결정화법, 열 결정화법, 또는 니켈 등의 결정화를 조장하는 원소를 사용한 열 결정화법 등)을 사용하면 좋다. 또한, SAS인 미결정 반도체를 레이저 조사하여 결정화하여, 결정성을 높일 수 있다. 결정화를 조장하는 원소를 도입하지 않는 경우는, 비정질규소막에 레이저광을 조사하기 전에, 질소 분위기하에서 500℃로 1시간 가열함으로써 비정질규소막의 함유 수소 농도를 1×1020atoms/㎤ 이하로까지 방출시킨다. 이것은 수소를 많이 포함한 비정질규소막에 레이저광을 조사하면 비정질규소막이 파괴되어 버리기 때문이다.
비정질 반도체층에 대한 금속원소의 도입의 방법으로서는, 상기 금속원소를 비정질 반도체층의 표면 또는 그 내부에 존재시킬 수 있는 수법이면 특별히 한정은 없고, 예를 들면 스퍼터법, CVD법, 플라즈마처리법(플라즈마 CVD법도 포함함), 흡착법, 금속염의 용액을 도포하는 방법을 사용할 수 있다. 이 중 용액을 사용하는 방법은 간편하고, 금속원소의 농도 조정이 용이하다고 하는 점에서 유용하다. 또 한, 이때 비정질 반도체층의 표면의 습윤성을 개선하여, 비정질 반도체층의 표면 전체에 수용액을 넓게 퍼지게 하기 위해서, 산소 분위기 중에서의 UV광의 조사, 열산화법, 하이드록시라디칼을 포함하는 오존수 또는 과산화수소에 의한 처리 등에 의해, 산화막을 성막하는 것이 바람직하다.
비정질 반도체층의 결정화는, 열 처리와 레이저광 조사에 의한 결정화를 조합하여도 좋고, 열처리나 레이저광 조사를 단독이고, 복수회 행하여도 좋다.
또한, 결정성 반도체층을, 직접 기판에 플라즈마법에 의해 형성하여도 좋다. 또한, 선형 플라즈마법을 사용하여, 결정성 반도체층을 선택적으로 기판에 형성하여도 좋다.
반도체로서, 유기 반도체 재료를 사용하여, 인쇄법, 디스펜서법, 스프레이법, 스핀코트법, 액적토출법 등으로 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 에칭 공정이 필요하기 때문에, 공정수를 삭감하는 것이 가능하다. 유기 반도체로서는, 펜타센 등의 저분자 재료, 고분자 재료 등이 사용되고, 유기색소, 도전성고분자 재료 등의 재료도 사용할 수 있다. 본 발명에 사용하는 유기 반도체 재료로서는, 그 골격이 공액 2중 결합으로 구성되는 π전자공액계의 고분자 재료가 바람직하다. 대표적으로는, 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리(3-알킬티오펜), 폴리티오펜 유도체 등의 가용성의 고분자 재료를 사용할 수 있다.
그 외에도 본 발명에 사용할 수 있는 유기 반도체 재료로서는, 가용성의 전구체를 성막한 후에 처리함으로써 반도체층을 형성할 수 있는 재료가 있다. 또, 이러한 유기 반도체 재료로서는, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌), 폴리아세틸렌, 폴리아세틸렌 유도체, 폴리아릴렌비닐렌 등이 있다.
전구체를 유기 반도체로 변환할 때는, 가열처리뿐만 아니라 염화수소가스 등의 반응촉매를 첨가하는 것이 이루어진다. 또한, 이들의 가용성 유기 반도체 재료를 용해시키는 대표적인 용매로서는, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠, 디클로로벤젠, 아니솔, 클로로포름, 디클로로메탄, γ부틸락톤, 부틸셀로솔브, 사이클로헥산, NMP(N-메틸-2-피롤리돈), 사이클로헥사논, 2-부타논, 디옥산, 디메틸포름아미드(DMF) 또는, THF(테트라하이드로푸란) 등을 적용할 수 있다.
본 실시형태에서는, 반도체층 및 1도전형을 갖는 반도체층의 형성은, 전치기판상에 광 흡수막인 반도체막을 형성 후, 레이저광에 의해서 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 전치하여 형성한다. 기판(114)상에 광 흡수막인 반도체막을, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성한다.
전치기판인 기판(114)상에 광 흡수막이 형성되고, 광 흡수막이 내측이 되도록, 기판(114) 및 피전치기판인 기판(100)을 대향하여 설치한다.
기판(114)측으로부터, 기판(114)을 투과시켜 레이저광(115a, 115b)을 선택적으로 광 흡수막에 조사한다. 레이저광(115a, 115b)이 조사된 영역의 광 흡수막은, 레이저광(115a, 115b)을 흡수하고, 그 열 등의 에너지에 의해 기판(100)측에 1도전형을 갖는 반도체층(110a, 110b, 111a, 111b)으로서 전치된다. 한편, 레이저광(115a, 115b)이 조사되지 않은 영역은, 광 흡수막(113a 내지 113f)으로서 기 판(114)측에 잔존한다. 반도체층(108 및 109)도 1도전형을 갖는 반도체층과 같이 레이저광을 사용한 전치법에 의해 형성할 수 있다. 이와 같이, 광 흡수막을 선택적으로 전치하여, 반도체층(108, 109), 1도전형을 갖는 반도체층(110a, 110b, 111a, 111b)을 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고, 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성한다(도 10a 내지 10c 참조).
레이저광에 의해 전치 후, 광 흡수층에 가열처리를 하여도 좋고, 레이저광을 조사하여도 좋다.
전치물인 광 흡수막에는, 조사되는 광을 흡수하는 재료를 사용하고, 기판(114)에는 조사되는 광을 투과하는, 투광성의 기판을 사용한다. 본 발명을 이용하면, 자유롭게 여러 가지의 기판에 전치할 수 있기 때문에, 기판 재료의 선택성의 폭이 확대된다. 또한 저가의 재료를 기판으로서 선택할 수도 있고, 용도에 맞추어 넓은 기능을 갖게 할 수 있을 뿐만 아니라, 저비용으로 표시장치를 제조할 수 있다.
본 실시형태에서는, 반도체층(108, 109) 및 1도전형을 갖는 반도체층(110a, 110b, 111a, 111b)으로서 비정질 반도체층을 형성한다. 본 실시형태에서는, 1도전형을 갖는 반도체막으로서, n형을 부여하는 불순물원소인 인(P)을 포함하는 n형을 갖는 반도체막을 형성한다. 1도전형을 갖는 반도체막은, 소스영역 및 드레인영역으로서 기능한다. 1도전형을 갖는 반도체막은 필요에 따라서 형성하면 좋고, n형을 부여하는 불순물원소(P, As)를 갖는 n형을 갖는 반도체막이나 p형을 부여하는 불순물원소 (B)를 갖는 p형을 갖는 반도체막을 형성할 수 있다.
기판(100)상에, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(116, 117, 118, 119)을 형성한다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층(116, 117, 118, 119)은, Ag(은), Au(금), Cu(동), W(텅스텐), Al(알루미늄), Mo(몰리브덴), Ta(탄탈), Ti(티타늄)으로부터 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료 등을 사용할 수 있다. 또한, 투광성을 갖는 인듐주석산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐주석산화물(ITSO), 유기인듐, 유기주석, 산화아연, 질화티타늄 등을 조합하여도 좋다.
소스 전극층 또는 드레인 전극층(116, 117, 118, 119)은, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성하고, 마스크층을 사용하여 가공하여 형성할 수 있다. 또한, 구성물을 원하는 패턴으로 전사, 또는 묘사할 수 있다 방법, 예를 들면 각종 인쇄법(스크린(공판)인쇄, 오프셋(평판)인쇄, 철판인쇄나 그라비아(요판)인쇄 등 원하는 패턴으로 형성되는 방법), 액적토출법, 디스펜서법, 선택적인 도포법 등도 사용할 수 있다.
도전막의 가공은, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해 에칭가공하면 좋다. ICP(Inductively Coupled Plasma: 유도 결합형 플라즈마) 에칭법을 사용하여, 에칭 조건(코일형 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극온도 등)을 적절하게 조절함으로써, 전극층을 테이퍼 형상으로 에칭할 수 있다. 또, 에칭용가스로서는, Cl2, BCl3, SiCl4 또는 CCl4 등을 대표로 하는 염소계가 스, CF4, SF6 또는 NF3 등을 대표로 하는 불소계가스 또는 O2를 적절하게 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는, 소스 전극층 또는 드레인 전극층의 형성은, 전치기판상에 광 흡수막인 도전막을 형성 후, 레이저광에 의해서 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성한다. 기판(121)상에 광 흡수막을, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성한다.
전치기판인 기판(121)상에 광 흡수막이 형성되고, 피전치기판인 기판(100)과 광 흡수막이 내측이 되도록, 기판(121) 및 기판(100)을 대향하여 설치한다.
기판(121)측으로부터, 기판(121)을 투과시켜 레이저광(122a, 122b, 122c, 122d)을 선택적으로 광 흡수막에 조사한다. 레이저광(122a, 122b, 112c, 122d)이 조사된 영역의 광 흡수막은, 레이저광(122a, 122b, 112c, 122d)을 흡수하고, 그 열 등의 에너지에 의해 기판(100)측에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(116, 117, 118, 119)으로서 전치된다. 한편, 레이저광(122a, 122b, 112c, 122d)이 조사되지 않은 영역은, 광 흡수막(120a, 120b, 120c, 120d, 120e, 120f)으로서 기판(121)측에 잔존한다. 이와 같이, 광 흡수막을 선택적으로 전치하여, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(116, 117, 118, 119)을 포토리소그래피 공정을 사용하지 않고, 선택적으로 원하는 형상을 갖도록 형성한다(도 11a 내지 11c 참조).
레이저광에 의해 전치 후, 광 흡수층에 가열처리를 하여도 좋고, 레이저광을 조사하여도 좋다.
전치물인 광 흡수막에는, 조사되는 광을 흡수하는 재료를 사용하고, 기판(121)에는 조사되는 광을 투과하는, 투광성의 기판을 사용한다. 본 발명을 사용하면, 자유롭게 여러 가지의 기판에 전치할 수 있기 때문에, 기판 재료의 선택성의 폭이 확대된다. 또한 저가의 재료를 기판으로서 선택할 수도 있고, 용도에 맞추어 넓은 기능을 갖게 할 수 있을 뿐만 아니라, 저비용으로 표시장치를 제조할 수 있다.
소스 전극층 또는 드레인 전극층(116)은 소스 배선층으로서도 기능하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(118)은 전원선으로서도 기능한다.
게이트 절연층(105)에 형성한 개구(107)에 있어서, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(117)과 게이트 전극층(140)을 전기적으로 접속시킨다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층(118)의 일부는 용량소자를 형성한다.
이상의 공정에서 역스태거형 박막트랜지스터인 트랜지스터(139a, 139b)를 제조한다(도 11a 내지 11c 참조).
게이트 절연층(105) 및 트랜지스터(139a, 139b) 위에 절연층(123)을 형성한다.
절연층(123)은, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 액적토출법이나, 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등 패턴이 형성되는 방법), 스핀코트법 등의 도포법, 침지법, 디스펜서법 등을 사용할 수도 있다.
절연층(123)은, 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄, DLC(diamond-like carbon), 질소함유탄소(CN), 폴리실라잔, 그 밖의 무기절연성 재료를 포함하는 물질로부터 선택된 재료로 형성할 수 있다. 또한, 실록산을 포함하는 재료를 사용하여도 좋다. 또한, 유기절연성 재료를 사용하여도 좋고, 유기 재료로서는, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트 또는 벤조사이클로부텐을 사용할 수 있다. 또한, 옥사졸수지를 사용할 수도 있고, 예를 들면 광경화형 폴리벤조옥사졸 등을 사용할 수 있다.
다음에 절연층(123)에 개구(125)를 형성한다. 본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 사용하여 개구(125)를 형성한다. 절연층(123)측으로부터 레이저광(124)을 선택적으로 소스 전극층 또는 드레인 전극층(119)에 조사하여, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(119)의 조사영역의 일부를 증발하여, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(141)으로 한다. 조사된 에너지에 의해 소스 전극층 또는 드레인 전극층(119)의 조사영역상의 절연층(123)은 제거되어, 개구(125)를 형성할 수 있다(도 12a 내지 12c 참조).
소스 전극층 또는 드레인 전극층(141)이 노출된 개구(125)에 화소 전극으로서 기능하는 발광소자의 제 1 전극층(126)을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(141)과 제 1 전극층(126)은 전기적으로 접속할 수 있다.
제 1 전극층(126)도 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판 에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다.
본 실시형태에 있어서는, 제 1 전극층의 형성은, 도전막을 형성 후, 마스크층에 의해서 원하는 형상으로 가공하여 형성한다.
제 1 전극층(126)은, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 제 1 전극층(126)을 형성하는 도전성 재료로서는, 인듐주석산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐주석산화물(ITSO), 산화아연(ZnO) 등으로 형성할 수 있다. 더욱 바람직하게는, ITO에 산화규소가 2 내지 10중량% 포함된 타깃을 사용하여 스퍼터링법으로 산화규소를 포함하는 산화인듐주석을 사용한다. 이 밖에, ZnO에 갈륨(Ga)을 도프한 도전성 재료, 산화규소를 포함하여 산화인듐에 2 내지 20중량%의 산화아연(ZnO)을 혼합한 타깃을 사용하여 형성된 산화물 도전성 재료인 인듐아연산화물(IZO(indium zinc oxide))을 사용하여도 좋다.
마스크층은, 에폭시수지, 페놀수지, 노볼락수지, 아크릴수지, 멜라민수지, 우레탄수지 등의 수지 재료를 사용한다. 또한, 벤조사이클로부텐, 파릴렌, 플루오르화아릴렌에테르, 투과성을 갖는 폴리이미드 등의 유기 재료, 실록산계 중합체 등의 중합에 의해 생성된 화합물 재료, 수용성 호모 폴리머와 수용성 공중합체를 포함하는 조성물 재료 등을 사용하여 액적토출법으로 형성한다. 또는, 감광제를 포함하는 시판하는 레지스트 재료를 사용하여도 좋고, 예를 들면, 포지티브형 레지스트 또는 네거티브형 레지스트를 사용하여도 좋다. 어느 재료를 사용한다고 해도, 그 표면 장력과 점도는, 용매의 농도를 조정하는, 계면활성제 등을 첨가하는 등 하 여 적절하게 조정한다.
제 1 전극층(126)의 가공은, 드라이 에칭 또는 웨트 에칭에 의해 에칭가공하면 좋다. ICP(Inductively Coupled Plasma: 유도 결합형 플라즈마) 에칭법을 사용하여, 에칭 조건(코일형 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극에 인가되는 전력량, 기판측의 전극온도 등)을 적절하게 조절함으로써, 전극층을 테이퍼 형상으로 에칭할 수 있다. 또, 에칭용가스로서는, Cl2, BCl3, SiCl4 또는 CCl4 등을 대표로 하는 염소계가스, CF4, SF6 또는 NF3 등을 대표로 하는 불소계가스 또는 O2를 적절하게 사용할 수 있다.
제 1 전극층(126)은, 그 표면이 평탄화되도록, CMP법, 폴리비닐알콜계의 다공질체로 식정(拭淨)하여, 연마하여도 좋다. 또한 CMP법을 사용한 연마 후에, 제 1 전극층(126)의 표면에 자외선 조사, 산소 플라즈마처리 등을 하여도 좋다.
이상의 공정에 의해, 기판(100)상에 보텀 게이트형 TFT와 제 1 전극층(126)이 접속된 표시 패널용 TFT 기판이 완성한다. 또한 본 실시형태의 TFT는 역스태거형이다.
다음에, 절연층(131; 격벽이라고도 불림)을 선택적으로 형성한다. 절연층(131)은, 제 1 전극층(126)상에 개구부를 갖도록 형성한다. 본 실시형태에서는, 절연층(131)을 전체면에 형성하고, 레지스트 등의 마스크에 의해서, 에칭하여 가공한다. 절연층(131)을, 직접 선택적으로 형성할 수 있는 액적토출법, 인쇄법, 디스펜서법 등을 사용하여 형성하는 경우는, 에칭에 의한 가공은 반드시 필요하지는 않 다.
절연층(131)은, 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄 그 밖의 무기절연성 재료, 또는 아크릴산, 메타크릴산 및 이들의 유도체, 또는 폴리이미드, 방향족폴리아미드, 폴리벤조이미다졸 등의 내열성고분자, 또는 실록산계 재료를 출발 재료로서 형성된 규소, 산소, 수소로 이루어지는 화합물 중 Si-0-Si 결합을 포함하는 무기실록산, 규소에 결합할 수소가 메틸이나 페닐과 같은 유기 기초에 의하여 치환된 유기실록산계의 절연 재료로 형성할 수 있다. 아크릴, 폴리이미드 등의 감광성, 비감광성의 재료를 사용하여 형성하여도 좋다. 절연층(131)은 곡률반경이 연속적으로 변화하는 형상이 바람직하고, 위에 형성되는 전계발광층(132), 제 2 전극층(133)의 피복성이 향상된다.
또한, 액적토출법에 의해, 절연층(131)을 조성물을 토출하여 형성한 후, 그 평탄성을 높이기 위해서 표면을 압력에 의해서 프레스하여 평탄화하여도 좋다. 프레스의 방법으로서는, 롤러형의 것을 표면에 주사함으로써, 요철을 경감하는, 평탄한 판상의 것으로 표면을 수직으로 프레스하는 등 하여도 좋다. 또한 용제 등에 의해서 표면을 연화, 또는 융해시켜 에어나이프로 표면의 요철부를 제거하여도 좋다. 또한, CMP법을 사용하여 연마하여도 좋다. 이 공정은, 액적토출법에 의해서 요철이 생기는 경우에, 그 표면을 평탄화하는 경우 적용할 수 있다. 이 공정에 의해 평탄성이 향상되면, 표시 패널의 표시 불균일함 등을 방지할 수 있고, 고섬세한 화상을 표시할 수 있다.
표시 패널용 TFT 기판인 기판(100)의 위에, 발광소자를 형성한다(도 14a, 14b 참조).
전계발광층(132)을 형성하기 전에, 대기압 중에서 200℃의 열처리를 하여 제 1 전극층(134), 절연층(131) 중 또는 표면에 흡착되어 있는 수분을 제거한다. 또한, 감압하에서 200 내지 400℃, 바람직하게는 250 내지 350℃로 열처리를 하고, 그대로 대기에 노출시키지 않고 전계발광층(132)을 진공증착법이나, 감압하의 액적토출법으로 형성하는 것이 바람직하다.
전계발광층(132)으로서, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 발광을 나타내는 재료를, 각각 증착 마스크를 사용한 증착법 등에 의해서 선택적으로 형성한다. 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 발광을 나타내는 재료는 컬러필터와 같이, 액적토출법에 의해 형성할 수도 있고(저분자 또는 고분자 재료 등), 이 경우 마스크를 사용하지 않아도, RGB를 나누어 도포할 수 있기 때문에 바람직하다. 전계발광층(132)상에 제 2 전극층(133)을 적층 형성하여, 발광소자를 사용한 표시 기능을 갖는 표시장치가 완성된다.
도시하지 않지만, 제 2 전극층(133)을 덮도록 하여 패시베이션막(passivation film)을 형성하는 것은 유효하다. 표시장치를 구성할 때에 형성하는 패시베이션(보호)막은, 단층 구조이어도 좋고 다층 구조이어도 좋다. 패시베이션막으로서는, 질화규소(SiN), 산화규소(SiO2), 산화질화규소(SiON), 질화산화규소(SiNO), 질화알루미늄(AlN), 산화질화알루미늄(AlON), 질소함유량이 산소함유량보다도 많은 질화산화알루미늄(AlNO) 또는 산화알루미늄, DLC(diamond-like carbon), 질소함유탄소(CNx)를 포함하는 절연막으로 이루어지고, 상기 절연막을 단층 또는 조합한 적층을 사용할 수 있다. 예를 들면 질소함유탄소막(CNx), 질화규소막(SiN)과 같은 적층, 또한 유기 재료를 사용할 수도 있고, 스티렌폴리머 등 고분자의 적층이어도 좋다. 또한, 실록산 재료를 사용하여도 좋다.
이 때, 커버리지가 좋은 막을 패시베이션막으로서 사용하는 것이 바람직하고, 탄소막, 특히 DLC막을 사용하는 것은 유효하다. DLC막은 실온으로부터 100℃ 이하의 온도범위에서 성막 가능하기 때문에, 내열성이 낮은 전계발광층의 상방에도 용이하게 성막할 수 있다. DLC막은, 플라즈마 CVD법(대표적으로는, RF 플라즈마 CVD법, 마이크로파 CVD법, 전자 사이클로트론 공명(ECR) CVD법, 열필라멘트 CVD법 등), 연소염법(燃燒炎法), 스퍼터법, 이온빔증착법, 레이저증착법 등으로 형성할 수 있다. 성막에 사용하는 반응가스는, 수소가스와, 탄화수소계의 가스(예를 들면 CH4, C2H2, C6H6 등)를 사용하여, 글로방전에 의해 이온화하여, 부(負)의 자기 바이어스가 가해진 캐소드에 이온을 가속충돌시켜 성막한다. 또한, CN막은 반응가스로서 C2H4가스와 N2가스를 사용하여 형성하면 좋다. DLC막은 산소에 대한 블로킹 효과가 높아, 전계발광층의 산화를 억제하는 것이 가능하다. 그 때문에, 이 후에 계속되는 밀봉공정을 하는 동안에 전계발광층이 된다고 하는 문제를 방지할 수 있다.
시일(seal)재를 형성하고, 밀봉기판을 사용하여 밀봉한다. 그 후, 게이트 전극층(103)과 전기적으로 접속하여 형성되는 게이트 배선층에, 플렉시블 배선기판을 접속하여, 외부와의 전기적인 접속을 하여도 좋다. 이것은, 소스 배선층이기도 한 소스 전극층 또는 드레인 전극층(116)과 전기적으로 접속하여 형성되는 소스 배선층도 동일하다.
소자를 갖는 기판(100)과 밀봉기판의 사이에는 충전제를 봉입하여 밀봉한다.충전제의 봉입에는 적하법을 사용할 수도 있다. 충전제 대신에, 질소 등의 불활성가스를 충전하여도 좋다. 또한, 건조제를 표시장치 내에 설치함으로써, 발광소자의 수분에 의한 열화를 방지할 수 있다. 건조제의 설치장소는, 밀봉기판측이어도, 소자를 갖는 기판(100)측이어도 좋고, 시일재가 형성되는 영역에 기판에 오목부를 형성하여 설치하여도 좋다. 또한, 밀봉기판의 구동회로영역이나 배선영역 등 표시에 기여하지 않은 영역에 대응하는 장소에 설치하면, 건조제가 불투명한 물질이어도 개구율을 저하시키지 않는다. 충전제에 흡습성의 재료를 포함하도록 형성하고, 건조제의 기능을 갖게 하여도 좋다. 이상으로부터, 발광소자를 사용한 표시 기능을 갖는 표시장치가 완성된다.
본 실시형태에서는, 스위칭 TFT는 싱글게이트 구조를 개시하였지만, 더블게이트 구조 등의 멀티게이트 구조이어도 좋다. 또한 반도체를 SAS나 결정성 반도체를 사용하여 제조한 경우, 1도전형을 부여하는 불순물의 첨가에 의해서 불순물영역을 형성할 수도 있다. 이 경우, 반도체층은 농도가 다른 불순물영역을 갖고 있어도 좋다. 예를 들면, 반도체층의 채널영역 근방, 게이트 전극층과 적층하는 영역은, 저농도 불순물영역으로 하고, 그 외측의 영역을 고농도 불순물영역으로 하여도 좋다.
본 실시형태는 실시형태 1 내지 3과 적절하게 조합할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 더욱 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 하는 표시장치의 예에 관해서 설명한다. 자세하게는 표시소자에 발광소자를 사용하는 발광표시장치에 관해서 설명한다. 본 실시형태에 있어서의 표시장치의 제조방법을, 도 15를 참조하여 상세하게 설명한다.
절연 표면을 갖는 기판(150)의 위에 하지막으로서, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition) 등에 의해 질화산화규소막을 사용하여 하지막(151a)을 10 내지 200nm(바람직하게는 50 내지 150nm) 형성하고, 산화질화규소막을 사용하여 하지막(151b)을 50 내지 200nm(바람직하게는 100 내지 150nm) 적층한다. 또는 아크릴산, 메타크릴산 및 이들의 유도체, 또는 폴리이미드, 방향족 폴리아미드, 폴리벤조이미다졸 등의 내열성고분자, 또는 실록산수지를 사용하여도 좋다. 또한, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 비닐수지, 에폭시수지, 페놀수지, 노볼락수지, 아크릴수지, 멜라민수지, 우레탄수지 등의 수지 재료를 사용하여도 좋다. 또한, 벤조사이클로부텐, 파릴렌, 플루오르화아릴렌에테르, 폴리이미드 등의 유기 재료, 수용성 호모 폴리머와 수용성 공중합체를 포함하는 조성물 재료 등을 사용하여도 좋다. 또한, 옥사졸수지를 사용할 수도 있고, 예를 들면 광경화형 폴리벤조옥사졸 등을 사용할 수 있다.
또한, 액적토출법이나, 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등 패턴이 형성되는 방법), 스핀코트법 등의 도포법, 침지법, 디스펜서법 등을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 플라즈마 CVD법을 사용하여 하지막(151a), 하지막(151b)을 형성한다. 기판(150)으로서는 유리기판, 석영기판이나 실리콘기판, 금속기판, 또는 스테인레스기판의 표면에 절연막을 형성한 것을 사용하여도 좋다. 또한, 본 실시형태의 처리온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 플라스틱기판을 사용하여도 좋고, 필름과 같은 가요성기판을 하여도 좋다. 플라스틱기판으로서는 PET(폴리에틸렌텔레프탈레이트), PEN(폴리에틸렌나프탈레이트), PES(폴리에텔설폰)로 이루어지는 기판, 가요성기판으로서는 아크릴 등의 합성 수지를 사용할 수 있다. 본 실시형태에서 제조하는 표시장치는, 기판(150)을 통과시켜 발광소자로부터의 광을 추출하는 구성이기 때문에, 기판(150)은 투광성을 가질 필요가 있다.
하지막으로서는, 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소 등을 사용할 수 있고, 단층이어도 좋고, 2층, 3층과 같은 적층 구조이어도 좋다.
이어서, 하지막상에 반도체막을 형성한다. 반도체막은 25 내지 200nm(바람직하게는 30 내지 150nm)의 두께로 각종 수단(스퍼터법, LPCVD법, 또는 플라즈마 CVD법 등)에 의해 성막하면 좋다. 본 실시형태에서는, 비정질 반도체막을, 레이저 결정화하여, 결정성 반도체막으로 하는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
이렇게 하여 얻어진 반도체막에 대하여, 박막트랜지스터의 임계치전압을 제 어하기 위해서 미량의 불순물원소(붕소 또는 인)의 도핑을 하여도 좋다. 이 불순물원소의 도핑은, 결정화공정 전의 비정질 반도체막에 행하여도 좋다. 비정질 반도체막의 상태에서 불순물원소를 도핑하면, 그 후의 결정화를 위한 가열처리에 의해서, 불순물의 활성화도 할 수 있다. 또한, 도핑시에 생기는 결함 등도 개선할 수 있다.
다음에 결정성 반도체막을, 원하는 형상으로 에칭가공하여, 반도체층을 형성한다.
에칭가공은, 플라즈마 에칭(드라이 에칭) 또는 웨트 에칭의 어느 쪽을 채용하여도 좋지만, 대면적기판을 처리하기 위해서는 플라즈마 에칭이 적합하다. 에칭가스로서는, CF4, NF3 등의 불소계, 또는 Cl2, BCl3 등의 염소계의 가스를 사용하여, He나 Ar 등의 불활성가스를 적절하게 첨가하여도 좋다. 또한, 대기압방전의 에칭가공을 적용하면, 국소적인 방전가공도 가능하고, 기판의 전면에 마스크층을 형성할 필요는 없다.
본 발명에 있어서, 배선층 또는 전극층을 형성하는 도전층이나, 소정의 패턴을 형성하기 위한 마스크층 등을, 액적토출법과 같은 선택적으로 패턴을 형성할 수 있는 방법에 의해 형성하여도 좋다. 액적토출(분출)법(그 방식에 따라서는, 잉크젯법이라고도 불림)은, 특정한 목적으로 조합된 조성물의 액적을 선택적으로 토출(분출)하여 소정의 패턴(도전층이나 절연층 등)을 형성할 수 있다. 이 때, 피형성영역에 습윤성이나 밀착성을 제어하는 처리를 하여도 좋다. 또한, 패턴을 전사(전 치), 또는 묘사할 수 있는 방법, 예를 들면 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등 패턴이 형성되는 방법), 디스펜서법 등도 사용할 수 있다.
반도체층을 덮는 게이트 절연층을 형성한다. 게이트 절연층은 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터법 등을 사용하여, 두께를 10 내지 150nm로 하여 규소를 포함하는 절연막으로 형성한다. 게이트 절연층으로서는, 질화규소, 산화규소, 산화질화규소, 질화산화규소로 대표되는 규소의 산화물 재료 또는 질화물 재료 등의 재료로 형성하면 좋고, 적층이어도 좋고 단층이어도 좋다. 또한, 절연층은 질화규소막, 산화규소막, 질화규소막의 3층의 적층, 산화질화규소막의 단층, 2층으로 이루어지는 적층이어도 좋다.
이어서, 게이트 절연층상에 게이트 전극층을 형성한다. 게이트 전극층은, 스퍼터링법, 증착법, CVD법 등의 수법에 의해 형성할 수 있다. 게이트 전극층은 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 네오듐(Nd)으로부터 선택된 원소, 또는 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료로 형성하면 좋다. 또한, 게이트 전극층으로서 인 등의 불순물원소를 도핑한 다결정실리콘막으로 대표되는 반도체막이나, AgPdCu 합금을 사용하여도 좋다. 또한, 게이트 전극층은 단층이어도 좋고 적층이어도 좋다.
본 실시형태에서는 게이트 전극층을 테이퍼 형상을 갖도록 형성하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 게이트 전극층을 적층 구조로 하고, 1층만이 테이퍼 형상을 갖고, 다른쪽은 이방성 에칭에 의해서 수직의 측면을 갖고 있어도 좋다. 본 실시형태와 같이, 테이퍼 각도도 적층하는 게이트 전극층간에서 달라도 좋고, 동일하여도 좋다. 테이퍼 형상을 함으로써, 그 위에 적층하는 막의 피복성이 향상되고, 결함이 경감되기 때문에 신뢰성이 향상된다.
게이트 전극층을 형성할 때의 에칭 공정에 의해서, 게이트 절연층은 다소 에칭되어, 막 두께가 감소하는(이른바 막 감소) 경우가 있다.
반도체층에 불순물원소를 첨가하여, 불순물영역을 형성한다. 불순물영역은, 그 농도를 제어함으로써 고농도 불순물영역 및 저농도 불순물영역으로 할 수 있다. 저농도 불순물영역을 갖는 박막트랜지스터를, LDD(Light doped drain) 구조라고 부른다. 또한 저농도 불순물영역은, 게이트 전극과 겹치도록 형성할 수 있고, 이러한 박막트랜지스터를, GOLD(Gate overlaped LDD) 구조라고 부른다. 또한 박막트랜지스터의 극성은, 불순물영역에 인(P) 등을 사용함으로써 n형으로 한다. p형으로 하는 경우는, 붕소(B) 등을 첨가하면 좋다.
본 실시형태에서는, 불순물영역이 게이트 절연층을 개재하여 게이트 전극층과 겹치는 영역을 Lov 영역으로 나타내고, 불순물영역이 게이트 절연층을 개재하여 게이트 전극층과 겹치지 않는 영역을 Loff 영역으로 나타낸다. 도 15에서는, 불순물영역에서 빗금과 흰 바탕으로 나타내고 있지만, 이것은, 흰 바탕부분에 불순물원소가 첨가되어 있지 않다는 것을 나타내는 것은 아니고, 이 영역의 불순물원소의 농도 분포가 마스크나 도핑 조건을 반영하고 있는 것을 직감적으로 이해할 수 있도록 하였기 때문이다. 또, 이것은 본 명세서의 다른 도면에 있어서도 동일하다.
불순물원소를 활성화하기 위해서 가열처리, 강광의 조사, 또는 레이저광의 조사를 하여도 좋다. 활성화와 동시에 게이트 절연층에 대한 플라즈마 데미지나 게이트 절연층과 반도체층과의 계면에 대한 플라즈마 데미지를 회복할 수 있다.
이어서, 게이트 전극층, 게이트 절연층을 덮는 제 1 층간 절연층을 형성한다. 본 실시형태에서는, 절연막(167)과 절연막(168)의 적층 구조로 한다. 절연막(167) 및 절연막(168)은, 스퍼터법, 또는 플라즈마 CVD를 사용한 질화규소막, 질화산화규소막, 산화질화규소막, 산화규소막 등을 사용할 수 있고, 다른 규소를 포함하는 절연막을 단층 또는 3층 이상의 적층 구조로 하여도 좋다.
또, 질소 분위기 중에서, 300 내지 550℃에서 1 내지 12시간의 열처리를 하여, 반도체층을 수소화하는 공정을 행한다. 바람직하게는, 400 내지 500℃에서 행한다. 이 공정은 층간 절연층인 절연막(167)에 포함되는 수소에 의해 반도체층의 댕글링 본드를 종단하는 공정이다. 본 실시형태에서는, 410℃에서 가열처리를 한다.
절연막(167), 절연막(168)으로서는 다른 질화알루미늄(AlN), 산화질화알루미늄(AlON), 질소함유량이 산소함유량보다도 많은 질화산화알루미늄(AlNO) 또는 산화알루미늄, 다이아몬드라이크카본(DLC), 질소함유탄소(CN), 폴리실라잔, 그 밖의 무기절연성 재료를 포함하는 물질로부터 선택된 재료로 형성할 수 있다. 또한, 실록산을 포함하는 재료를 사용하여도 좋다. 또한, 유기절연성 재료를 사용하여도 좋고, 유기 재료로서는, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트 또는 벤조사이클로부텐을 사용할 수 있다. 또한, 옥사졸수지를 사용할 수도 있고, 예를 들면 광경화형 폴리벤조옥사졸 등을 사용할 수 있다.
이어서, 절연막(167), 절연막(168), 게이트 절연층에 반도체층에 이르는 콘 택트 홀(개구)을 형성한다.
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 사용하여 개구를 형성한다. 절연막(167), 절연막(168)측으로부터 레이저광을 선택적으로 반도체층의 소스영역 및 드레인영역에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 반도체층의 소스영역 및 드레인영역의 조사영역의 일부를 증발하여, 반도체층의 소스영역 및 드레인영역의 조사영역상의 절연막(167), 절연막(168), 게이트 절연층은 제거된다. 따라서, 개구를 형성할 수 있다.
반도체층의 소스영역 및 드레인영역이 노출된 개구에 소스 전극층 또는 드레인 전극층을 형성하고, 반도체층의 소스영역 및 드레인영역과 소스 전극층 또는 드레인 전극층은 전기적으로 접속할 수 있다.
소스 전극층 또는 드레인 전극층은, PVD법, CVD법, 증착법 등에 의해 도전막을 성막한 후, 원하는 형상으로 가공하여 형성할 수 있다. 또한, 액적토출법, 인쇄법, 디스펜서법, 전해도금법 등에 의해, 소정의 장소에 선택적으로 도전층을 형성할 수 있다. 또는 리플로법(reflow method), 다마신법(damascene method)을 이용하여도 좋다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층의 재료는, Ag, Au, Cu, Ni, Pt, Pd, Ir, Rh, W, Al, Ta, Mo, Cd, Zn, Fe, Ti, Si, Ge, Zr, Ba 등의 금속 또는 그 합금, 또는 그 금속질화물을 사용하여 형성한다. 또한, 이들의 적층 구조로 하여도 좋다.
본 실시형태에 개시하는 표시장치를 구성하는 게이트 전극층, 반도체층, 소스 전극층, 드레인 전극층도 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전 성 재료나 반도체 재료를 사용한 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성할 수 있다. 따라서 포토리소그래피 공정을 사용하지 않기 때문에 공정이 간략화되고, 재료의 로스도 방지할 수 있기 때문에, 저비용화를 달성할 수 있다.
이상의 공정에서 주변 구동회로영역(204)에 Lov 영역에 p형 불순물영역을 갖는 p채널형 박막트랜지스터인 박막트랜지스터(285), Lov 영역에 n채널형 불순물영역을 갖는 n채널형 박막트랜지스터인 박막트랜지스터(275)를, 화소영역(206)에 Loff 영역에 n형 불순물영역을 갖는 멀티 채널형 n채널형 박막트랜지스터인 박막트랜지스터(265), Lov 영역에 p형 불순물영역을 갖는 p채널형 박막트랜지스터인 박막트랜지스터(255)를 갖는 액티브 매트릭스기판을 제조할 수 있다.
본 실시형태에 한정되지 않고, 박막트랜지스터는 채널 형성영역이 1개 형성되는 싱글게이트 구조이어도 좋고, 2개 형성되는 더블게이트 구조 또는 3개 형성되는 트리플게이트 구조이어도 좋다. 또한, 주변 구동회로영역의 박막트랜지스터도, 싱글게이트 구조, 더블게이트 구조 또는 트리플게이트 구조이어도 좋다.
다음에 제 2 층간 절연층으로서 절연막(181)을 형성한다. 도 15에 있어서, 스트라이브에 의해 분리를 위한 분리 영역(201), FPC의 접착부인 외부단자 접속영역(202), 주변부의 끌고 돌아다니기 배선영역인 배선영역(203), 주변 구동회로영역(204), 화소영역(206)이다. 배선영역(203)에는 배선(179a), 배선(179b)이 형성되고, 외부단자 접속영역(202)에는, 외부단자와 접속하는 단자 전극층(178)이 형성되어 있다.
절연막(181)으로서는 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소, 질화알루미늄(AlN), 질소를 포함하는 산화알루미늄(AlON; 산화질화알루미늄이라고도 함), 산소를 포함하는 질화산화알루미늄(AlNO; 질화산화알루미늄이라고도 함), 산화알루미늄, DLC, 질소함유탄소(CN), PSG(인유리), BPSG(인붕소유리), 알루미나, 그 밖의 무기절연성 재료를 포함하는 물질로부터 선택된 재료로 형성할 수 있다. 또한, 실록산수지를 사용하여도 좋다. 또한, 유기절연성 재료를 사용하여도 좋고, 유기 재료로서는, 감광성, 비감광성 중 어느 것이나 좋고, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트 또는 벤조사이클로부텐, 저유전율(Low-k) 재료를 사용할 수 있다. 또한, 옥사졸수지를 사용할 수도 있고, 예를 들면 광경화형 폴리벤조옥사졸 등을 사용할 수 있다. 평탄화를 위해서 형성하는 층간 절연층으로서는, 내열성 및 절연성이 높고, 또한, 평탄화율이 높은 것이 요구되기 때문에, 절연막(181)의 형성방법으로서는, 스핀코트법으로 대표되는 도포법을 사용하면 바람직하다.
절연막(181)은, 기타 딥법(dipping), 스프레이 도포, 닥터나이프(doctor knife), 롤코터(roll coater), 커튼코터(curtain coater), 나이프코터(knife coater), CVD법, 증착법 등을 채용할 수 있다. 액적토출법에 의해 절연막(181)을 형성하여도 좋다. 액적토출법을 사용한 경우에는 재료액을 절약할 수 있다. 또한, 액적토출법과 같이 패턴을 전사, 또는 묘사할 수 있는 방법, 예를 들면 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등 패턴이 형성되는 방법), 디스펜서법 등도 사용할 수 있다.
화소영역(206)의 절연막(181)에 미세한 개구, 요컨대 콘택트 홀을 형성한다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층은 절연막(181)에 형성된 개구로 제 1 전극층(185)과 전기적으로 접속하고 있다. 절연막(181)에 형성되는 개구를 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 본 실시형태는, 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용한다. 절연막(181)측으로부터 레이저광을 선택적으로 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 조사한다. 조사된 에너지에 의해 소스 전극층 또는 드레인 전극층의 조사영역의 일부는 증발하여, 소스 전극층 또는 드레인 전극층의 조사영역상의 절연막(181)은 제거된다. 따라서, 개구를 형성할 수 있다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 노출된 개구에 제 1 전극층(185)을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 제 1 전극층(185)은 전기적으로 접속할 수 있다.
제 1 전극층(185)은 양극, 또는 음극으로서 기능하고, Ti, Ni, W, Cr, Pt, Zn, Sn, In, 또는 Mo로부터 선택된 원소, 또는 질화티타늄, TiSiXNY, WSiX, 질화텅스텐, WSiXNY, NbN 등의 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료를 주성분으로 하는 막 또는 그들의 적층막을 총 막 두께 100nm 내지 800nm의 범위로 사용하면 좋다.
본 실시형태에서는, 표시소자로서 발광소자를 사용하여, 발광소자로부터의 광을 제 1 전극층(185)측에서 추출하는 구조이기 때문에, 제 1 전극층(185)이 투광성을 갖는다. 제 1 전극층(185)으로서, 투명도전막을 형성하고, 원하는 형상으로 에칭하는 것으로 제 1 전극층(185)을 형성한다.
본 발명에서는, 투광성 전극층인 제 1 전극층(185)에, 구체적으로는 투광성을 갖는 도전성 재료로 이루어지는 투명도전막을 사용하면 좋고, 산화텅스텐을 포함하는 인듐산화물, 산화텅스텐을 포함하는 인듐아연산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐주석산화물 등을 사용할 수 있다. 물론, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 산화규소를 첨가한 인듐주석산화물(ITSO) 등도 사용할 수 있다.
또한, 투광성을 갖지 않는 금속막과 같은 재료에서도 막 두께를 얇게(바람직하게는, 5nm 내지 30nm 정도의 두께) 하여 광을 투과 가능한 상태로 하여 두는 것으로, 제 1 전극층(185)으로부터 광을 방사하는 것이 가능해진다. 또한, 제 1 전극층(185)에 사용할 수 있는 금속박막으로서는, 티타늄, 텅스텐, 니켈, 금, 백금, 은, 알루미늄, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 및 그들의 합금으로 이루어지는 도전막 등을 사용할 수 있다.
제 1 전극층(185)은, 증착법, 스퍼터법, CVD법, 인쇄법, 디스펜서법 또는 액적토출법 등을 사용하여 형성할 수 있다. 본 실시형태에서는, 제 1 전극층(185)으로서, 산화텅스텐을 포함하는 인듐아연산화물을 사용하여 스퍼터링법에 의해서 제조한다. 제 1 전극층(185)은, 바람직하게는 총 막 두께 100nm 내지 800nm의 범위로 사용하면 좋다. 제 1 전극층(185)도 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다.
제 1 전극층(185)은, 그 표면이 평탄화되도록, CMP법, 폴리비닐알콜계의 다공질체로 식정하여, 연마하여도 좋다. 또한 CMP법을 사용한 연마 후에, 제 1 전극층(185)의 표면에 자외선 조사, 산소 플라즈마처리 등을 하여도 좋다.
제 1 전극층(185)을 형성 후, 가열처리를 하여도 좋다. 이 가열처리에 의해, 제 1 전극층(185) 중에 포함되는 수분은 방출된다. 따라서, 제 1 전극층(185)은 탈가스 등이 생기지 않기 때문에, 제 1 전극층상에 수분에 의해서 열화되기 쉬운 발광 재료를 형성하여도, 발광 재료는 열화되지 않고, 신뢰성이 높은 표시장치를 제조할 수 있다.
다음에, 제 1 전극층(185)의 단부, 소스 전극층 또는 드레인 전극층을 덮는 절연층(186; 격벽, 장벽 등이라고 불림)을 형성한다.
절연층(186)으로서는 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소 등을 사용할 수 있고, 단층이어도 좋고, 2층, 3층과 같은 적층 구조이어도 좋다. 또한, 절연층(186)의 다른 재료로서, 질화알루미늄, 산소함유량이 질소함유량보다도 많은 산화질화알루미늄, 질소함유량이 산소함유량보다도 많은 질화산화알루미늄 또는 산화알루미늄, 다이아몬드라이크카본(DLC), 질소함유탄소, 폴리실라잔, 그 밖의 무기절연성 재료를 포함하는 물질로부터 선택된 재료로 형성할 수 있다. 실록산을 포함하는 재료를 사용하여도 좋다. 또한, 유기절연성 재료를 사용하여도 좋고, 유기 재료로서는, 감광성, 비감광성 중 어느 것이나 좋고, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트 또는 벤조사이클로부텐을 사용할 수 있다. 또한, 옥사졸수지를 사용할 수도 있고, 예를 들면 광경화형 폴리벤조옥사졸 등을 사 용할 수 있다.
절연층(186)은, 스퍼터링법, PVD법(Physical Vapor Deposition), 감압 CVD법(LPCVD법), 또는 플라즈마 CVD법 등의 CVD법(Chemical Vapor Deposition), 또한, 선택적으로 패턴을 형성할 수 있는 액적토출법이나, 패턴이 전사 또는 묘사할 수 있는 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등 패턴이 형성되는 방법), 디스펜서법, 기타 스핀코트법 등의 도포법, 침지법 등을 사용할 수도 있다.
원하는 형상으로 가공하는 에칭가공은, 플라즈마 에칭(드라이 에칭) 또는 웨트 에칭의 어느 쪽을 채용하여도 좋다. 대면적기판을 처리하기 위해서는 플라즈마 에칭이 적합하다. 에칭가스로서는, CF4, NF3 등의 불소계의 가스, 또는 Cl2, BCl3 등의 염소계의 가스를 사용하여, He나 Ar 등의 불활성가스를 적절하게 첨가하여도 좋다. 또한, 대기압방전의 에칭가공을 적용하면, 국소적인 방전가공도 가능하고, 기판의 전체면에 마스크층을 형성할 필요는 없다.
도 15a에 도시하는 접속영역(205)에 있어서, 제 2 전극층과 같은 공정, 같은 재료로 형성되는 배선층은 게이트 전극층과 같은 공정, 같은 재료로 형성되는 배선층과 전기적으로 접속한다.
제 1 전극층(185)의 위에는 발광층(188)이 형성된다. 또, 도 15에서는 1화소밖에 도시하지 않았지만, 본 실시형태에서는 R(빨강), G(초록), B(파랑)의 각 색에 대응한 전계 전극층을 만들어 나누고 있다.
다음에, 발광층(188)의 위에 도전막으로 이루어지는 제 2 전극층(189)이 형 성된다. 제 2 전극층(189)으로서는, Al, Ag, Li, Ca, 또는 이들의 합금이나 화합물 MgAg, MgIn, AlLi, CaF2, 또는 질화칼슘을 사용하면 좋다. 이렇게 해서 제 1 전극층(185), 발광층(188) 및 제 2 전극층(189)으로 이루어지는 발광소자(190)가 형성된다(도 15b 참조).
도 15에 도시한 본 실시형태의 표시장치에 있어서, 발광소자(190)로부터 발한 광은, 제 1 전극층(185)측으로부터, 도 15b 중의 화살표시의 방향으로 투과하여 사출된다.
본 실시형태에서는, 제 2 전극층(189)상에 패시베이션막(보호막)으로서 절연층을 형성하여도 좋다. 이와 같이 제 2 전극층(189)을 덮도록 하여 패시베이션막을 형성하는 것은 유효하다. 패시베이션막으로서는, 질화규소, 산화규소, 산화질화규소, 질화산화규소, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄, 질소함유량이 산소함유량보다도 많은 질화산화알루미늄 또는 산화알루미늄, 다이아몬드라이크카본(DLC), 질소함유탄소를 포함하는 절연막으로 이루어지고, 상기 절연막을 단층 또는 조합한 적층을 사용할 수 있다. 또는 실록산수지를 사용하여도 좋다.
이 때, 커버리지가 좋은 막을 패시베이션막으로서 사용하는 것이 바람직하고, 탄소막, 특히 DLC막을 사용하는 것은 유효하다. DLC막은 실온으로부터 100℃ 이하의 온도범위로 성막 가능하기 때문에, 내열성이 낮은 발광층(188)의 상방에도 용이하게 성막할 수 있다. DLC막은, 플라즈마 CVD법(대표적으로는, RF 플라즈마 CVD법, 마이크로파 CVD법, 전자 사이클로트론 공명(ECR) CVD법, 열필라멘트 CVD법 등), 연소염법, 스퍼터법, 이온빔증착법, 레이저증착법 등으로 형성할 수 있다. 성막에 사용하는 반응가스는, 수소가스와, 탄화수소계의 가스(예를 들면 CH4, C2H2, C6H6 등)을 사용하여, 글로방전에 의해 이온화하여, 부의 자기 바이어스가 가해진 캐소드에 이온을 가속충돌시켜 성막한다. 또한, CN막은 반응가스로서 C2H4가스와 N2가스를 사용하여 형성하면 좋다. DLC막은 산소에 대한 블로킹 효과가 높고, 발광층(188)의 산화를 억제하는 것이 가능하다. 그 때문에, 이 후에 계속되는 밀봉공정을 행하는 동안에 발광층(188)이 산화된다고 하는 문제를 방지할 수 있다.
이와 같이 발광소자(190)가 형성된 기판(150)과, 밀봉기판(195)을 시일재(192)에 의해서 고착하여, 발광소자를 밀봉한다(도 15 참조). 시일재(192)로서는, 대표적으로는 가시광경화성, 자외선경화성 또는 열경화성의 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 비스페놀 A형 액상수지, 비스페놀 A형 고형수지, 함브롬에폭시수지, 비스페놀 F형 수지, 비스페놀 AD형수지, 페놀형수지, 크레졸형수지, 노볼락형수지, 환상지방족에폭시수지, 에피비스형에폭시수지, 글리시딜에스테르수지, 글리시딜아민계수지, 헤테로사이클릭식에폭시수지, 변성에폭시수지 등의 에폭시수지를 사용할 수 있다. 또, 시일재로 둘러싸인 영역에는 충전재(193)를 충전하여도 좋고, 질소 분위기하에서 밀봉함으로써, 질소 등을 봉입하여도 좋다. 본 실시형태는, 하면(下面) 사출형이기 때문에, 충전재(193)는 투광성을 가질 필요는 없지만, 충전재(193)를 투과하여 광을 추출하는 구조의 경우는, 투광성을 가질 필요가 있다. 대표적으로는 가시광경화, 자외선경화 또는 열경화의 에폭시수지를 사 용하면 좋다. 이상의 공정에서, 본 실시형태에 있어서의, 발광소자를 사용한 표시 기능을 갖는 표시장치가 완성된다. 또한 충전재는, 액상의 상태로 적하하여, 표시장치 내에 충전할 수도 있다. 충전제로서, 건조제 등의 흡습성을 포함하는 물질을 사용하면, 한층 더 흡수 효과를 얻을 수 있고, 소자의 열화를 막을 수 있다.
EL 표시 패널 내에는 소자의 수분에 의한 열화를 방지하기 위해서, 건조제가 설치된다. 본 실시형태에서는, 건조제는, 화소영역을 둘러싸도록 밀봉기판에 형성된 오목부에 설치되어, 박형화를 방해하지 않는 구성으로 한다. 또한, 게이트 배선층에 대응하는 영역에도 건조제를 형성하고, 흡수 면적을 넓게 하면, 흡수 효과가 높다. 또한, 직접 발광하지 않는 게이트 배선층상에 건조제를 형성하면, 광 추출 효율을 저하시키지도 않는다.
또, 본 실시형태에서는, 유리기판으로 발광소자를 밀봉한 경우를 개시하지만, 밀봉의 처리란, 발광소자를 수분으로부터 보호하기 위한 처리이고, 커버재로 기계적으로 봉입하는 방법, 열경화성수지 또는 자외광경화성수지로 봉입하는 방법, 금속산화물이나 질화물 등의 배리어 능력이 높은 박막에 의해 밀봉하는 방법 중 어느 것을 사용한다. 커버재로서는, 유리, 세라믹, 플라스틱 또는 금속을 사용할 수 있지만, 커버재측에 광을 방사시키는 경우는 투광성이어야만 한다. 또한, 커버재와 상기 발광소자가 형성된 기판은 열경화성수지 또는 자외광경화성수지 등의 시일재를 사용하여 접합되고, 열처리 또는 자외광 조사처리에 의해서 수지를 경화시켜 밀폐공간을 형성한다. 이 밀폐공간 중에 산화바륨으로 대표되는 흡습재를 형성하는 것도 유효하다. 이 흡습재는, 시일재의 위에 접하여 형성하여도 좋고, 발광소 자로부터의 광을 방해하지 않는, 격벽의 위나 주변부에 형성하여도 좋다. 또, 커버재와 발광소자가 형성된 기판과의 공간을 열경화성수지 또는 자외광경화성수지로 충전하는 것도 가능하다. 이 경우, 열경화성수지 또는 자외광경화성수지 중에 산화바륨으로 대표되는 흡습재를 첨가하여 두는 것은 유효하다.
또한, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 제 1 전극층이 직접 접하여 전기적인 접속을 하지 않고, 배선층을 개재하여 접속하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 외부단자 접속영역(202)에 있어서, 단자 전극층(178)에 이방성 도전층(196)에 의해서 FPC(194)를 접속하여, 외부와 전기적으로 접속하는 구조로 한다. 또한 표시장치의 상면도인 도 15a에서 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에서 제조되는 표시장치는 신호선 구동회로를 갖는 주변 구동회로영역(204), 주변 구동회로영역(209) 이외에, 주사선 구동회로를 갖는 주변 구동회로영역(207), 주변 구동회로영역(208)이 형성되어 있다.
본 실시형태에서는, 상기와 같은 회로로 형성하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 주변 구동회로로서 IC 칩을 상술한 COG 방식이나 TAB 방식에 의해서 실장한 것이어도 좋다. 또한, 게이트선 구동회로, 소스선 구동회로는 복수이어도 단수이어도 좋다.
또한, 본 발명의 표시장치에 있어서, 화면표시의 구동방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 점순차 구동방법이나 선순차 구동방법이나 면순차 구동방법 등을 사용하면 좋다. 대표적으로는, 선순차 구동방법으로 하여, 시분할 계조 구동방법이나 면적 계조 구동방법을 적절하게 사용하면 좋다. 또한, 표시장치의 소스 선에 입력하는 영상신호는, 아날로그 신호이어도 좋고, 디지털 신호이어도 좋고, 또, 영상신호에 맞추어 구동회로 등을 설계하면 좋다.
본 실시형태는 실시형태 1 내지 3과 적절하게 조합할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 6)
본 발명을 적용하여 박막트랜지스터를 형성하고, 상기 박막 트랜지스터를 사용하여 표시장치를 형성할 수 있지만, 발광소자를 사용하여, 게다가, 상기 발광소자를 구동하는 트랜지스터로서 n채널형 트랜지스터를 사용한 경우, 상기 발광소자로부터 발생하는 광은, 하방 방사, 상방 방사, 양쪽 방사 중 어느 것을 행한다. 여기에서는, 각각의 경우에 응한 발광소자의 적층 구조에 관해서, 도 17을 참조하여 설명한다.
또한, 본 실시형태에서는, 본 발명을 적용한 채널 보호형 박막트랜지스터(461, 471, 481)를 사용한다. 박막트랜지스터(481)는, 투광성을 갖는 기판(480)상에 형성되고, 게이트 전극층(493), 게이트 절연층(497), 반도체층(482), n형을 갖는 반도체층(495a), n형을 갖는 반도체층(495b), 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487a), 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b), 채널 보호층(496), 절연층(499), 배선층(498)에 의해 형성된다. 게이트 전극층, 반도체층, 소스 전극층, 드레인 전극층 등은 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다. 공정이 간략화되고, 재료의 로스도 방지할 수 있기 때문에, 저비용화를 달성할 수 있다.
본 실시형태에서 개시하는 도 17a 내지 17c에 있어서, 절연층(499)에 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b)에 이르는 콘택트 홀(개구)을 형성한다.
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 사용하여 개구를 형성한다. 절연층(499)측으로부터 레이저광을 선택적으로 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b)에 조사하고, 조사된 에너지에 의해 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b)의 일부, 및 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b)의 조사영역상의 절연층(499)은 제거되어, 게이트 절연층(497)에 이르는 개구를 형성할 수 있다.
소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b) 및 게이트 절연층(497)이 노출된 개구에 배선층(498)을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b)과 배선층(498)은 전기적으로 접속할 수 있다. 배선층(498)은 발광소자의 제 1 전극층(484)으로 형성되기 때문에, 배선층(498)을 개재하여 박막트랜지스터(481)와 발광소자가 전기적으로 접속된다.
본 실시형태에서는, 반도체층으로서 비정질 반도체층을 사용한다. 그러나 본 실시형태에 한정되지 않고, 반도체층으로서 결정성 반도체층을 사용하여, 1도전형 반도체층으로서 n형을 갖는 반도체층을 사용할 수도 있다. n형을 갖는 반도체 층을 형성하는 대신에, PH3가스에 의한 플라즈마처리를 함으로써, 반도체층에 도전성을 부여하여도 좋다. 폴리실리콘과 같은 결정성 반도체층을 사용하는 경우, 1도전형 반도체층을 형성하지 않고, 결정성 반도체층에 불순물을 도입(첨가)하여 1도전형을 갖는 불순물영역을 형성하여도 좋다. 또한, 펜타센 등의 유기 반도체를 사용할 수도 있고, 유기 반도체를 액적토출법 등에 의해서 선택적으로 형성하면, 가공공정을 간략화할 수 있다.
반도체층으로서 결정성 반도체층을 사용하는 경우를 설명한다. 우선, 비정질 반도체층을 결정화하여, 결정성 반도체층을 형성한다. 결정화공정에서, 비정질 반도체층에 결정화를 촉진하는 원소(촉매원소, 금속원소라고도 나타냄)를 첨가하여, 열처리(550℃ 내지 750℃에서 3분 내지 24시간)에 의해 결정화를 한다. 결정화를 조장하는 원소로서는, 이 규소의 결정화를 조장하는 금속원소로서는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 금(Au)으로부터 선택된 일종 또는 복수 종류를 사용할 수 있다.
결정화를 촉진하는 원소를 결정성 반도체층으로부터 제거, 또는 경감하기 위해서, 결정성 반도체층에 접하여, 불순물원소를 포함하는 반도체층을 형성하고, 게터링 싱크로서 기능시킨다. 불순물원소로서는, n형을 부여하는 불순물원소, p형을 부여하는 불순물원소나 희가스원소 등을 사용할 수 있고, 예를 들면 인(P), 질소(N), 비소(As), 안티몬(Sb), 비스무스(Bi), 붕소(B), 헬륨(He), 네온(Ne), 아르 곤(Ar), Kr(크립톤), Xe(크세논)부터 선택된 일종 또는 복수종을 사용할 수 있다. 결정화를 촉진하는 원소를 포함하는 결정성 반도체층에, n형을 갖는 반도체층을 형성하고, 열처리(550℃ 내지 750℃에서 3분 내지 24시간)를 한다. 결정성 반도체층 중에 포함되는 결정화를 촉진하는 원소는, n형을 갖는 반도체층 중으로 이동하고, 결정성 반도체층 중의 결정화를 촉진하는 원소는 제거, 또는 경감되어, 반도체층이 형성된다. 한편 n형을 갖는 반도체층은, 결정성을 촉진하는 원소인 금속원소를 포함하는, n형을 갖는 반도체층이 되고, 그 후 원하는 형상으로 가공되어 n형을 갖는 반도체층이 된다. 이와 같이 n형을 갖는 반도체층은, 반도체층의 게터링 싱크로서도 기능하고, 그대로 소스영역 및 드레인영역으로서도 기능한다.
반도체층의 결정화공정과 게터링 공정을 복수의 가열처리에 의해 행하여도 좋고, 결정화공정과 게터링 공정을 한번의 가열처리에 의해 행할 수도 있다. 이 경우는, 비정질 반도체층을 형성하고, 결정화를 촉진하는 원소를 첨가하여, 게터링 싱크가 되는 반도체층을 형성한 후, 가열처리를 하면 좋다.
본 실시형태에서는, 게이트 절연층을 복수층의 적층으로 형성하고, 게이트 절연층(497)으로서 게이트 전극층(493)측으로부터 질화산화규소막, 산화질화규소막을 형성하여, 2층의 적층 구조로 한다. 적층되는 절연층은, 같은 챔버 내에서 진공을 깨지 않고 동일 온도하에서, 반응가스를 바꾸면서 연속적으로 형성하면 좋다. 진공을 깨지 않고 연속적으로 형성하면, 적층하는 막끼리의 계면이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
채널 보호층(496)은, 액적토출법을 사용하여 폴리이미드 또는 폴리비닐알콜 등을 적하(drop)하여도 좋다. 그 결과, 노광공정을 생략할 수 있다. 채널 보호층으로서는, 무기 재료(산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소 등), 감광성 또는 비감광성의 유기 재료(유기수지 재료; 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트, 벤조사이클로부텐 등), 저유전율 재료 등의 일종, 또는 복수종으로 이루어지는 막, 또는 이들의 막의 적층 등을 사용할 수 있다. 또한, 실록산 재료를 사용하여도 좋다. 제조법으로서는, 플라즈마 CVD법이나 열 CVD법 등의 기상성장법이나 스퍼터링법을 사용할 수 있다. 또한, 액적토출법이나, 디스펜서법, 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등 패턴이 형성되는 방법)을 사용할 수도 있다. 도포법으로 얻어지는 SOG막 등도 사용할 수 있다.
우선, 기판(480)측으로 방사하는 경우, 요컨대 하방 방사를 하는 경우에 관해서, 도 17a를 참조하여 설명한다. 이 경우, 박막트랜지스터(481)에 전기적으로 접속하도록, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(487b)에 접하여, 배선층(498), 제 1 전극층(484), 전계발광층(485), 제 2 전극층(486)이 차례로 적층된다. 광이 투과하는 기판(480)은 적어도 가시영역의 광에 대하여 투광성을 가질 필요가 있다.
다음에, 기판(460)과 반대측으로 방사하는 경우, 요컨대 상방 방사를 하는 경우에 관해서, 도 17b를 참조하여 설명한다. 박막트랜지스터(461)는, 상술한 박막트랜지스터(481)와 같이 형성할 수 있다. 박막트랜지스터(461)에 전기적으로 접속하는 소스 전극층 또는 드레인 전극층(462)이 제 1 전극층(463)과 접하여, 전기적으로 접속한다. 제 1 전극층(463), 전계발광층(464), 제 2 전극층(465)이 차례로 적층된다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층(462)은 반사성을 갖는 금속층이고, 발광소자로부터 방사되는 광을 화살표시의 상면에 반사한다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층(462)은 제 1 전극층(463)과 적층하는 구조로 되어 있기 때문에, 제 1 전극층(463)에 투광성의 재료를 사용하여, 광이 투과하여도, 상기 광은 소스 전극층 또는 드레인 전극층(462)에 있어서 반사되어, 기판(460)과 반대측으로 방사된다. 물론 제 1 전극층(463)을, 반사성을 갖는 금속막을 사용하여 형성하여도 좋다. 발광소자로부터 방출하는 광은 제 2 전극층(465)을 투과하여 방출되기 때문에, 제 2 전극층(465)은, 적어도 가시영역의 광에 대하여 투광성을 갖는 재료로 형성한다.
마지막으로, 광이 기판(470)측과 그 반대측의 양측으로 방사되는 경우, 요컨대 양쪽 방사를 하는 경우에 관해서, 도 17c를 참조하여 설명한다. 박막트랜지스터(471)도 채널 보호형 박막트랜지스터이다. 박막트랜지스터(471)의 반도체층에 전기적으로 접속하는 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 배선층(475), 제 1 전극층(472)이 전기적으로 접속하고 있다. 제 1 전극층(472), 전계발광층(473), 제 2 전극층(474)이 차례로 적층된다. 이 때, 제 1 전극층(472)과 제 2 전극층(474)의 어느 것이나 적어도 가시영역에서 투광성을 갖는 재료, 또는 광을 투과할 수 있는 두께로 형성하면, 양쪽 방사가 실현된다. 이 경우, 광이 투과하는 절연층이나 기판(470)도 적어도 가시영역의 광에 대하여 투광성을 가질 필요가 있다.
본 실시형태는, 실시형태 1 내지 5와 각각 자유롭게 조합하는 것이 가능하다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 표시장치의 예에 관해서 설명한다. 자세하게는 표시소자에 발광소자를 사용하는 발광표시장치에 관해서 설명한다.
본 실시형태에서는, 본 발명의 표시장치의 표시소자로서 적용할 수 있는 발광소자의 구성을, 도 22를 참조하여 설명한다.
도 22는 발광소자의 소자 구조이고, 제 1 전극층(870)과 제 2 전극층(850)의 사이에, 유기 화합물과 무기화합물을 혼합하여 이루어지는 전계발광층(860)이 협지되어 있는 발광소자이다. 전계발광층(860)은, 도시한 바와 같이, 제 1 층(804), 제 2 층(803), 제 3 층(802)으로 구성되어 있다.
우선, 제 1 층(804)은, 제 2 층(803)에 홀을 수송하는 기능을 하는 층이고, 적어도 제 1 유기 화합물과, 제 1 유기 화합물에 대하여 전자수용성을 나타내는 제 1 무기화합물을 포함하는 구성이다. 중요한 것은, 단지 제 1 유기 화합물과 제 1 무기화합물이 혼합되어 있는 것은 아니고, 제 1 무기화합물이 제 1 유기 화합물에 대하여 전자수용성을 나타내는 점이다. 이러한 구성으로 하는 것으로, 본래 내재적인 캐리어를 거의 갖지 않는 제 1 유기 화합물에 많은 홀 캐리어가 발생하여, 극히 우수한 홀 주입성 및 홀 수송성을 나타낸다.
따라서 제 1 층(804)은, 무기화합물을 혼합함으로써 얻어진다고 생각되고 있는 효과(내열성의 향상 등)뿐만 아니라, 우수한 도전성(제 1 층(804)에 있어서는 특히, 홀 주입성 및 수송성)도 얻을 수 있다. 이것은, 서로 전자적인 상호 작용을 미치지 않는 유기 화합물과 무기화합물을 단순히 혼합한 종래의 홀 수송층에서는 얻을 수 없는 효과이다. 이 효과에 의해, 종래보다도 구동전압을 낮게 할 수 있다. 또한, 구동전압의 상승을 초래하지 않고 제 1 층(804)을 두껍게 할 수 있기 때문에, 먼지 등에 기인하는 소자의 단락도 억제할 수 있다.
그런데, 상술한 바와 같이, 제 1 유기 화합물에는 홀 캐리어가 발생하기 때문에, 제 1 유기 화합물로서는 홀 수송성의 유기 화합물이 바람직하다. 홀 수송성의 유기 화합물로서는, 예를 들면, 프탈로시아닌(약칭: H2Pc),구리프탈로시아닌(약칭: CuPc), 바나딜프탈로시아닌(약칭: VOPc), 4,4',4''-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트리페닐아민(약칭: MTDATA), 1,3,5-트리스[N,N-디(m-톨릴)아미노]벤젠(약칭: m-MTDAB), N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(약칭: NPB), 4,4'-비스{N-[4-디(m-톨릴)아미노]페닐-N-페닐아미노}비페닐(약칭: DNTPD), 4,4',4''-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(약칭: TCTA) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또한, 상술한 화합물 중에서도, TDATA, MTDATA, m-MTDAB, TPD, NPB, DNTPD, TCTA 등으로 대표되는 방향족아민화합물은, 홀 캐리어가 발생하기 쉽고, 제 1 유기 화합물로서 적합한 화 합물군이다.
한편, 제 1 무기화합물은, 제 1 유기 화합물로부터 전자를 받아들이기 쉬운 것이면 어떤 것이어도 좋고, 여러가지의 금속산화물 또는 금속질화물이 가능하지만, 주기표 제4족 내지 제12족 중 어느 하나의 전이 금속산화물이 전자수용성을 나타내기 쉬워 적합하다. 구체적으로는, 산화티타늄, 산화지르코늄, 산화바나듐, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화레늄, 산화루테늄, 산화아연 등을 들 수 있다. 또한, 상술한 금속산화물 중에서도, 주기표 제4족 내지 제8족 중 어떤 전이 금속산화물은 전자수용성이 높은 경우가 많고, 바람직한 1군이다. 특히 산화바나듐, 산화몰리브덴, 산화텅스텐, 산화레늄은 진공증착이 가능하고 다루기 쉽기 때문에 적합하다.
또, 제 1 층(804)은, 상술한 유기 화합물과 무기화합물의 조합을 적용한 층을, 복수 적층하여 형성하고 있어도 좋다. 또한, 다른 유기 화합물 또는 다른 무기화합물을 더욱 포함하고 있어도 좋다.
다음에, 제 3 층(802)에 관해서 설명한다. 제 3 층(802)은, 제 2 층(803)에 전자를 수송하는 기능을 하는 층이고, 적어도 제 3 유기 화합물과, 제 3 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 나타내는 제 3 무기화합물을 포함하는 구성이다. 중요한 것은, 단지 제 3 유기 화합물과 제 3 무기화합물이 혼합되어 있는 것은 아니고, 제 3 무기화합물이 제 3 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 나타내는 점이다. 이러한 구성으로 하는 것으로, 본래 내재적인 캐리어를 거의 갖지 않는 제 3 유기 화합물에 많은 전자캐리어가 발생하고, 극히 우수한 전자 주입성 및 전자 수송성을 나타낸다.
따라서 제 3 층(802)은, 무기화합물을 혼합함으로써 얻어진다고 생각되고 있는 효과(내열성의 향상 등)뿐만 아니라, 우수한 도전성(제 3 층(802)에 있어서는 특히, 전자 주입성 및 수송성)도 얻을 수 있다. 이것은, 서로 전자적인 상호 작용을 미치지 않는 유기 화합물과 무기화합물을 단순히 혼합한 종래의 전자 수송층에서는, 얻을 수 없는 효과이다. 이 효과에 의해, 종래보다도 구동전압을 낮게 할 수 있다. 또한, 구동전압의 상승을 초래하지 않고 제 3 층(802)을 두껍게 할 수 있기 때문에, 먼지 등에 기인하는 소자의 단락도 억제할 수 있다.
그런데, 상술한 바와 같이, 제 3 유기 화합물에는 전자캐리어가 발생하기 때문에, 제 3 유기 화합물로서는 전자 수송성의 유기 화합물이 바람직하다. 전자 수송성의 유기 화합물로서는, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리노레이토)알루미늄(약칭: Alq3), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리노레이토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]-퀴놀리네이토)베릴륨(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이토)( 4-페닐페노라트)알루미늄(약칭: BAlq), 비스[2-(2'-하이드록시페닐)벤조옥사졸레이토]아연(약칭: Zn(BOX)2), 비스[2-(2'-하이드록시페닐)벤조티아졸레이토]아연(약칭: Zn(BTZ)2), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 바소쿠프로인(약칭: BCP), 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 2,2',2''-(1,3,5-벤조트리일)-트리스(1-페닐-1H-벤조이미다졸)(약칭: TPBI), 3-(4-비페니릴)-4-페닐-5-(4-tert-부 틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: TAZ), 3-(4-비페니릴)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(약칭: p-EtTAZ) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또한, 상술한 화합물 중에서도, Alq3, Almq3, BeBq2, BAlq, Zn(BOX)2, Zn(BTZ)2 등으로 대표되는 방향족환을 포함하는 킬레이트 배위자(chelate ligand)를 갖는 킬레이트 금속착체나, BPhen, BCP 등으로 대표되는 페난트롤린 골격을 갖는 유기 화합물이나, PBD, OXD-7 등에 대표되는 옥사디아졸 골격을 갖는 유기 화합물은, 전자캐리어가 발생하기 쉽고, 제 3 유기 화합물로서 적합한 화합물군이다.
한편, 제 3 무기화합물은, 제 3 유기 화합물에 전자를 부여하기 쉬운 것이면 어떤 것이어도 좋고, 여러가지의 금속산화물 또는 금속질화물이 가능하지만, 알칼리 금속산화물, 알칼리토류 금속산화물, 희토류 금속산화물, 알칼리 금속질화물, 알칼리토류 금속질화물, 희토류 금속질화물이 전자 공여성을 나타내기 쉬워 적합하다. 구체적으로는, 산화리튬, 산화스트론튬, 산화바륨, 산화에르븀, 질화리튬, 질화마그네슘, 질화칼슘, 질화이트륨, 질화란탄 등을 들 수 있다. 특히 산화리튬, 산화바륨, 질화리튬, 질화마그네슘, 질화칼슘은 진공증착이 가능하고 다루기 쉽기 때문에 적합하다.
또, 제 3 층(802)은, 상술한 유기 화합물과 무기화합물의 조합을 적용한 층을, 복수 적층하여 형성하고 있어도 좋다. 또한, 다른 유기 화합물 또는 다른 무기화합물을 더욱 포함하고 있어도 좋다.
다음에, 제 2 층(803)에 관해서 설명한다. 제 2 층(803)은 발광 기능을 하 는 층이고, 발광성의 제 2 유기 화합물을 포함한다. 또한, 제 2 무기화합물을 포함하는 구성이어도 좋다. 제 2 층(803)은, 여러가지의 발광성의 유기 화합물, 무기화합물을 사용하여 형성할 수 있다. 단, 제 2 층(803)은, 제 1 층(804)이나 제 3 층(802)과 비교하여 전류가 흐르기 어렵다고 생각되기 때문에, 그 막 두께는 10nm 내지 100nm 정도가 바람직하다.
제 2 유기 화합물로서는, 발광성의 유기 화합물이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 9,10-디(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 9,10-디(2-나프틸)-2-tert-부틸안트라센(약칭: t-BuDNA), 4,4'-비스(2,2-디페닐비닐)비페닐(약칭: DPVBi), 쿠마린30, 쿠마린6, 쿠마린545, 쿠마린545T, 페릴렌, 루블렌, 페리플라텐, 2,5,8,11-테트라(tert-부틸)페릴렌(약칭: TBP), 9,10-디페닐테트라센(약칭: DPA), 5,12-디페닐테트라센, 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-[p-(디메틸아미노)스티릴]-4H-피란(약칭: DCM1), 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-[2-(쥬롤리딘-9-일)에테닐]-4H-피란(약칭: DCM2), 4-(디시아노메틸렌)-2,6-비스[p-(디메틸아미노)스티릴]-4H-피란(약칭: BisDCM) 등을 들 수 있다. 또한, 비스[2-(4',6'-디플루오로페닐)피리디네이토-N, C2']이리듐(피콜리나트)(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트리플루오로메틸)페닐]피리디네이토-N, C2'} 이리듐(피콜리나트)(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 트리스(2-페닐피리디네이토-N, C2') 이리듐(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디네이토- N, C2') 이리듐(아세틸아세토네이트)(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스[2-(2'-티에닐)피리디네이토-N, C3']이리듐(아세틸아세토네이트)(약칭: Ir(thp)2(acac)), 비스(2-페닐퀴노네이트-N, C2')이리듐(아세틸아세토네이트)(약칭: Ir(pq)2(acac)), 비스[2-(2'-벤조티에닐)피리디네이토-N, C3 ']이리듐(아세틸아세토네이트)(약칭: Ir(btp)2(acac)) 등의 인광을 방출할 수 있는 화합물을 사용할 수도 있다.
제 2 층(803)을 1중항 여기 발광 재료(singlet excitation light-emitting material) 외에, 금속착체 등을 포함하는 3중항 여기 발광 재료를 사용하여도 좋다. 예를 들면, 적색의 발광성의 화소, 녹색의 발광성의 화소 및 청색의 발광성의 화소 중, 휘도 반감시간이 비교적 짧은 적색의 발광성의 화소를 3중항 여기 발광 재료로 형성하고, 다른 것을 1중항 여기 발광 재료로 형성한다. 3중항 여기 발광 재료는 발광 효율이 좋기 때문에, 같은 휘도를 얻는 데 소비전력이 적어도 된다고 하는 특징이 있다. 즉, 적색화소에 적용한 경우, 발광소자에 흘리는 전류량이 적어도 되기 때문에, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 저소비전력화로서, 적색의 발광성의 화소와 녹색의 발광성의 화소를 3중항 여기 발광 재료로 형성하고, 청색의 발광성의 화소를 1중항 여기 발광 재료로 형성하여도 좋다. 인간의 시감도(視感度)가 높은 녹색의 발광소자도 3중항 여기 발광 재료로 형성하는 것으로, 더욱 저소비전력화를 도모할 수 있다.
또한, 제 2 층(803)에 있어서는, 상술한 발광을 나타내는 제 2 유기 화합물뿐만 아니라, 또 다른 유기 화합물이 첨가되어 있어도 좋다. 첨가할 수 있는 유기 화합물로서는, 예를 들면, 앞에 설명한 TDATA, MTDATA, m-MTDAB, TPD, NPB, DNTPD, TCTA, Alq3, Almq3, BeBq2, BAlq, Zn(BOX)2, Zn(BTZ)2, BPhen, BCP, PBD, OXD-7, TPBI, TAZ, p-EtTAZ, DNA, t-BuDNA, DPVBi 등 외에, 4,4'-비스(N-카바졸일)비페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카바졸일)페닐]벤젠(약칭: TCPB) 등을 사용할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 이와 같이 제 2 유기 화합물 이외로 첨가하는 유기 화합물은, 제 2 유기 화합물을 효율 좋게 발광시키기 위해서, 제 2 유기 화합물의 여기 에너지보다도 큰 여기 에너지를 갖고, 또한 제 2 유기 화합물보다도 많이 첨가되어 있는 것이 바람직하다(이것에 의하여, 제 2 유기 화합물의 농도 소광을 막을 수 있다). 또는, 다른 기능으로서, 제 2 유기 화합물과 마찬가지로 발광을 나타내도 좋다(이것에 의하여, 백색발광 등도 가능해진다).
제 2 층(803)은, 발광 파장대가 다른 발광층을 화소마다 형성하고, 컬러표시를 하는 구성으로 하여도 좋다. 전형적으로는, R(빨강), G(초록), B(파랑)의 각 색에 대응한 발광층을 형성한다. 이 경우에도, 화소의 광방사측에 그 발광파장대의 광을 투과하는 필터를 형성한 구성으로 하는 것으로, 색순도의 향상이나, 화소부의 경면화(비침)의 방지를 도모할 수 있다. 필터를 형성하는 것으로, 종래 필요시되었던 원편광판 등을 생략하는 것이 가능해지고, 발광층으로부터 방사되는 광의 손실을 없앨 수 있다. 또, 비스듬하게 화소부(표시화면)를 본 경우에 일어나는 색 조의 변화를 저감할 수 있다.
제 2 층(803)에서 사용할 수 있는 재료는 저분자계 유기발광 재료이어도 좋고, 고분자계 유기발광 재료이어도 좋다. 고분자계 유기발광 재료는 저분자계와 비교하여 물리적 강도가 높고, 소자의 내구성이 높다. 또한 도포에 의해 성막하는 것이 가능하기 때문에, 소자의 제조이 비교적 용이하다.
발광색은, 발광층을 형성하는 재료로 결정되기 때문에, 이들을 선택하는 것으로 원하는 발광을 나타내는 발광소자를 형성할 수 있다. 발광층의 형성에 사용할 수 있는 고분자계의 전계발광 재료는, 폴리파라페닐렌비닐렌계, 폴리파라페닐렌계, 폴리티오펜계, 폴리플루오렌계를 들 수 있다.
폴리파라페닐렌비닐렌계에는, 폴리(파라페닐렌비닐렌)[PPV]의 유도체, 폴리(2,5-디알콕시-1,4-페닐렌비닐렌)[RO-PPV], 폴리(2-(2'-에틸-헥소시)-5-메톡시-1,4-페닐렌비닐렌)[MEH-PPV], 폴리(2-(디알콕시페닐)-1,4-페닐렌비닐렌)[ROPh-PPV] 등을 들 수 있다. 폴리파라페닐렌계에는, 폴리파라페닐렌[PPP]의 유도체, 폴리(2,5-디알콕시-1,4-페닐렌)[RO-PPP], 폴리(2,5-디헥소시-1,4-페닐렌) 등을 들 수 있다. 폴리티오펜계에는, 폴리티오펜[PT]의 유도체, 폴리(3-알킬티오펜)[PAT], 폴리(3-헥실티오펜)[PHT], 폴리(3-사이클로헥실티오펜)[PCHT], 폴리(3-사이클로헥실-4-메틸티오펜)[PCHMT], 폴리(3,4-디사이클로헥실티오펜)[PDCHT], 폴리[3-(4-옥틸페닐)-티오펜][POPT], 폴리[3-(4-옥틸페닐)-2,2티오펜][PTOPT] 등을 들 수 있다. 폴리플루오렌계에는, 폴리플루오렌[PF]의 유도체, 폴리(9,9-디알킬플루오렌)[PDAF], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌)[PDOF] 등을 들 수 있다.
상기 제 2 무기화합물로서는, 제 2 유기 화합물의 발광을 소광하기 어려운 무기화합물이면 어떤 것이어도 좋고, 여러가지의 금속산화물이나 금속질화물을 사용할 수 있다. 특히, 주기표 제13족 또는 제14족의 금속산화물은, 제 2 유기 화합물의 발광을 소광하기 어렵기 때문에 바람직하고, 구체적으로는 산화알루미늄, 산화갈륨, 산화규소, 산화게르마늄이 적합하다. 단, 이들에 한정되지 않는다.
또, 제 2 층(803)은, 상술한 유기 화합물과 무기화합물의 조합을 적용한 층을, 복수 적층하여 형성하고 있어도 좋다. 또한, 다른 유기 화합물 또는 다른 무기화합물을 더욱 포함하고 있어도 좋다. 발광층의 층 구조는 변화할 수 있는 것으로, 특정한 전자 주입영역이나 발광영역을 구비하지 않은 대신에, 전자 주입용 전극층을 구비하거나, 발광성의 재료를 분산시켜 구비하거나 하는 변형은, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 허용될 수 있는 것이다.
상기와 같은 재료로 형성한 발광소자는, 순방향으로 바이어스하는 것으로 발광한다. 발광소자를 사용하여 형성하는 표시장치의 화소는, 단순 매트릭스방식, 또는 액티브 매트릭스방식으로 구동할 수 있다. 어떻든간에, 개개의 화소는, 어떤 특정한 타이밍으로 순방향 바이어스를 인가하여 발광시키게 되지만, 어떤 일정기간은 비발광상태로 되어 있다. 이 비발광시간에 역방향의 바이어스를 인가하는 것으로 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 발광소자에서는, 일정 구동 조건하에서 발광 강도가 저하되는 열화나, 화소 내에서 비발광영역이 확대하여 외관상 휘도가 저하되는 열화 모드가 있지만, 순방향 및 역방향으로 바이어스를 인가하는 교류적인 구동을 하는 것으로, 열화의 진행을 느리게 할 수 있고, 발광표시장치의 신뢰 성을 향상시킬 수 있다. 또한, 디지털 구동, 아날로그 구동 중 어느 것이나 적용 가능하다.
따라서, 밀봉기판에 컬러필터(착색층)를 형성하여도 좋다. 컬러필터(착색층)는, 증착법이나 액적토출법에 의해서 형성할 수 있고, 컬러필터(착색층)를 사용하면, 고세밀한 표시를 할 수도 있다. 컬러필터(착색층)에 의해, 각 RGB의 발광스펙트럼에 있어서 넓은 피크가 날카로운 피크가 되도록 보정할 수 있기 때문이다.
단색의 발광을 나타내는 재료를 형성하여, 컬러필터나 색변환층을 조합함으로써 풀컬러표시를 할 수 있다. 컬러필터(착색층)나 색변환층은, 예를 들면 밀봉기판에 형성하고, 소자기판에 접합하면 좋다.
물론 단색발광의 표시를 하여도 좋다. 예를 들면, 단색발광을 사용하여 에어리어 컬러타입(area color type)의 표시장치를 형성하여도 좋다. 에어리어 컬러타입은, 패시브 매트릭스형 표시부가 알맞고 있고, 주로 문자나 기호를 표시할 수 있다.
제 1 전극층(870) 및 제 2 전극층(850)은 일함수를 고려하여 재료를 선택할 필요가 있고, 그리고 제 1 전극층(870) 및 제 2 전극층(850)은, 화소 구성에 의해 어느 것이나 양극, 또는 음극이 될 수 있다. 구동용 박막트랜지스터의 극성이 p채널형인 경우, 도 22a와 같이 제 1 전극층(870)을 양극, 제 2 전극층(850)을 음극으로 하면 좋다. 또한, 구동용 박막트랜지스터의 극성이 n채널형인 경우, 도 22b와 같이, 제 1 전극층(870)을 음극, 제 2 전극층(850)을 양극으로 하면 바람직하다. 제 1 전극층(870) 및 제 2 전극층(850)에 사용할 수 있는 재료에 관해서 설명한다. 제 1 전극층(870), 제 2 전극층(850)이 양극으로서 기능하는 경우는 일함수가 큰 재료(구체적으로는 4.5eV 이상의 재료)가 바람직하고, 제 1 전극층, 제 2 전극층(850)이 음극으로서 기능하는 경우는 일함수가 작은 재료(구체적으로는 3.5eV 이하의 재료)가 바람직하다. 그렇지만, 제 1 층(804)의 홀 주입 특성, 홀 수송 특성이나, 제 3 층(802)의 전자 주입 특성, 전자 수송 특성이 우수하기 때문에, 제 1 전극층(870), 제 2 전극층(850) 모두, 거의 일함수의 제한을 받지 않고, 여러가지의 재료를 사용할 수 있다.
도 22a, 22b에 있어서의 발광소자는, 제 1 전극층(870)으로부터 광을 추출하는 구조이기 때문에, 제 2 전극층(850)은, 반드시 광투광성을 가질 필요는 없다. 제 2 전극층(850)으로서는, Ti, Ni, W, Cr, Pt, Zn, Sn, In, Ta, Al, Cu, Au, Ag, Mg, Ca, Li 또는 Mo로부터 선택된 원소, 또는 질화티타늄, TiSiXNY, WSiX, 질화텅스텐, WSiXNY, NbN 등의 상기 원소를 주성분으로 하는 합금 재료 또는 화합물 재료를 주성분으로 하는 막 또는 그들의 적층막을 총 막 두께 100nm 내지 800nm의 범위로 사용하면 좋다.
제 2 전극층(850)은, 증착법, 스퍼터법, CVD법, 인쇄법, 디스펜서법 또는 액적토출법 등을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 제 2 전극층(850)에 제 1 전극층(870)에서 사용하는 재료와 같은 투광성을 갖는 도전성 재료를 사용하면, 제 2 전극층(850)으로부터도 광을 추출하는 구조가 되고, 발광소자로부터 방사되는 광은, 제 1 전극층(870)과 제 2 전극층(850) 의 양쪽으로부터 방사되는 양면 방사 구조로 할 수 있다.
또, 제 1 전극층(870)이나 제 2 전극층(850)의 종류를 바꾸는 것으로, 본 발명의 발광소자는 여러 가지의 변형(variation)을 갖는다.
도 22b는, 전계발광층(860)이, 제 1 전극층(870)측으로부터 제 3 층(802), 제 2 층(803), 제 1 층(804)의 순서로 구성되어 있는 케이스이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 발광소자는, 제 1 전극층(870)과 제 2 전극층(850)의 사이에 협지된 층이, 유기 화합물과 무기화합물이 복합된 층을 포함하는 전계발광층(860)으로 이루어져 있다. 그리고, 유기 화합물과 무기화합물을 혼합함으로써, 각각 단독으로는 얻을 수 없는 높은 캐리어 주입성, 캐리어 수송성이라는 기능을 얻을 수 있는 층(즉, 제 1 층(804) 및 제 3 층(802))이 형성되어 있는 유기 및 무기복합형 발광소자이다. 또한, 상기 제 1 층(804), 제 3 층(802)은, 제 1 전극층(870)측에 형성되는 경우, 특히 유기 화합물과 무기화합물이 복합된 층일 필요가 있고, 제 2 전극층(850)측에 형성되는 경우, 유기 화합물, 무기화합물뿐이어도 좋다.
또, 전계발광층(860)은 유기 화합물과 무기화합물이 혼합된 층이지만, 그 형성방법으로서는 여러가지의 수법을 사용할 수 있다. 예를 들면, 유기 화합물과 무기화합물의 양쪽을 저항가열에 의해 증발시켜, 공증착하는 수법을 들 수 있다. 기타, 유기 화합물을 저항가열에 의해 증발시키는 한편, 무기화합물을 일렉트론 빔(EB)에 의해 증발시켜, 공증착하여도 좋다. 또한, 유기 화합물을 저항가열에 의해 증발시키는 동시에, 무기화합물을 스퍼터링하여, 양쪽을 동시에 퇴적하는 수법 도 들 수 있다. 기타, 습식법에 의해 성막하여도 좋다.
또한, 제 1 전극층(870) 및 제 2 전극층(850)에 관해서도 마찬가지로, 저항가열에 의한 증착법, EB 증착법, 스퍼터링, 습식법 등을 사용할 수 있다. 또한, 제 1 전극층(870) 및 제 2 전극층(850)도 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다.
도 22c는, 도 22a에 있어서, 제 1 전극층(870)에 반사성을 갖는 전극층을 사용하고, 제 2 전극층(850)에 투광성을 갖는 전극층을 사용하고 있고, 발광소자로부터 방사된 광은 제 1 전극층(870)에서 반사되어, 제 2 전극층(850)을 투과하여 방사된다. 마찬가지로 도 22d는, 도 22b에 있어서, 제 1 전극층(870)에 반사성을 갖는 전극층을 사용하고, 제 2 전극층(850)에 투광성을 갖는 전극층을 사용하고 있고, 발광소자로부터 방사된 광은 제 1 전극층(870)에서 반사되어, 제 2 전극층(850)을 투과하여 방사된다.
본 실시형태는, 상기한 발광소자를 갖는 표시장치에 관한 실시형태와 자유롭게 조합하는 것이 가능하다. 본 실시형태는, 상기한 실시형태 1 내지 5 각각과 적절하게 자유롭게 조합할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치 등을 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 8)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 표시장치의 예에 관해서 설명한다. 자세하게는 표시소자에 발광소자를 사용하는 발광표시장치에 관해서 설명한다. 본 실시형태에서는, 본 발명의 표시장치의 표시소자로서 적용할 수 있는 발광소자의 구성을, 도 23 및 도 24를 참조하여 설명한다.
일렉트로루미네선스를 이용하는 발광소자는, 발광 재료가 유기 화합물인지, 무기화합물인지에 의해서 구별되어, 일반적으로, 전자는 유기 EL 소자, 후자는 무기 EL 소자라고 불리고 있다.
무기 EL 소자는, 그 소자 구성에 의해, 분산형 무기 EL 소자와 박막형 무기 EL 소자로 분류된다. 전자는, 발광 재료의 입자를 바인더 중에 분산시킨 전계발광층을 갖고, 후자는, 발광 재료의 박막으로 이루어지는 전계발광층을 갖고 있는 점에 차이는 있지만, 고전계이고 가속된 전자를 필요로 하는 점에서는 공통이다. 또, 얻어지는 발광의 메카니즘으로서는, 도너 준위와 억셉터 준위를 이용하는 도너-억셉터 재결합형 발광과, 금속이온의 내각 전자 천이(inner-shell electron transition)를 이용하는 국재형(localized type) 발광이 있다. 일반적으로, 분산형 무기 EL에서는 도너-억셉터 재결합형 발광, 박막형 무기 EL 소자에서는 국재형 발광인 경우가 많다.
본 발명에서 사용할 수 있는 발광 재료는, 모체 재료와 발광 중심이 되는 불순물원소로 구성된다. 함유시키는 불순물원소를 변화시키는 것으로, 여러 가지 색 의 발광을 얻을 수 있다. 발광 재료의 제조방법으로서는, 고상법이나 액상법(공침법) 등의 여러 가지의 방법을 사용할 수 있다. 또한, 분무열분해법, 복분해법, 전구체의 열분해 반응에 의한 방법, 역미셸법(reversed micelle method)이나 이들의 방법과 고온소성을 조합한 방법, 동결건조법 등의 액상법 등도 사용할 수 있다.
고상법은, 모체 재료와, 불순물원소 또는 불순물원소를 포함하는 화합물을 칭량하여, 유발(mortar)에서 혼합, 전기로에서 가열, 소성을 하여 반응시켜, 모체 재료에 불순물원소를 함유시키는 방법이다. 소성온도는, 700 내지 1500℃가 바람직하다. 온도가 지나치게 낮은 경우는 고상반응이 진행되지 않고, 온도가 지나치게 높은 경우는 모체 재료가 분해되어 버리기 때문이다. 또, 분말상태로 소성을 하여도 좋지만, 펠릿상태로 소성을 하는 것이 바람직하다. 비교적 고온에서의 소성을 필요로 하지만, 간단한 방법이기 때문에, 생산성이 좋아 대량생산에 적합하다.
액상법(공침법)은, 모체 재료 또는 모체 재료를 포함하는 화합물과, 불순물원소 또는 불순물원소를 포함하는 화합물을 용액 중에서 반응시켜, 건조시킨 후, 소성을 하는 방법이다. 발광 재료의 입자가 균일하게 분포하여, 입자 직경이 작고 낮은 소성온도에서도 반응이 진행할 수 있다.
발광 재료에 사용하는 모체 재료로서는, 황화물, 산화물, 질화물을 사용할 수 있다. 황화물로서는, 예를 들면, 황화아연(ZnS), 황화카드뮴(CdS), 황화칼슘(CaS), 황화이트륨(Y2S3), 황화갈륨(Ga2S3), 황화스트론튬(SrS), 황화바륨(BaS) 등 을 사용할 수 있다. 또한, 산화물로서는, 예를 들면, 산화아연(ZnO), 산화이트륨(Y2O3) 등을 사용할 수 있다. 또한, 질화물로서는, 예를 들면, 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN) 등을 사용할 수 있다. 또, 셀렌화아연(ZnSe), 텔루루화아연(ZnTe) 등도 사용할 수 있고, 황화칼슘-갈륨(CaGa2S4), 황화스트론튬-갈륨(SrGa2S4), 황화바륨-갈륨(BaGa2S4) 등의 3원계의 혼정(ternary mixed crystal)이어도 좋다.
국재형 발광의 발광 중심으로서, 망간(Mn), 구리(Cu), 사마륨(Sm), 테르븀(Tb), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 유로퓸(Eu), 세륨(Ce), 프로세오듐(Pr) 등을 사용할 수 있다. 또, 불소(F), 염소(Cl) 등의 할로겐원소가 첨가되어 있어도 좋다. 할로겐원소는 전하 보상으로서 기능할 수도 있다.
한편, 도너-억셉터 재결합형 발광의 발광 중심으로서, 도너 준위를 형성하는 제 1 불순물원소 및 억셉터 준위를 형성하는 제 2 불순물원소를 포함하는 발광 재료를 사용할 수 있다. 제 1 불순물원소는, 예를 들면, 불소(F), 염소(Cl), 알루미늄(Al) 등을 사용할 수 있다. 제 2 불순물원소로서는, 예를 들면, 구리(Cu), 은(Ag) 등을 사용할 수 있다.
도너-억셉터 재결합형 발광의 발광 재료를 고상법을 사용하여 합성하는 경우, 모체 재료와, 제 1 불순물원소 또는 제 1 불순물원소를 포함하는 화합물과, 제 2 불순물원소 또는 제 2 불순물원소를 포함하는 화합물을 각각 칭량하여, 유발에서 혼합한 후, 전기로에서 가열, 소성을 한다. 모체 재료로서는, 상술한 모체 재료를 사용할 수 있고, 제 1 불순물원소 또는 제 1 불순물원소를 포함하는 화합물로서는, 예를 들면, 불소(F), 염소(Cl), 황화알루미늄(Al2S3) 등을 사용할 수 있고, 제 2 불순물원소 또는 제 2 불순물원소를 포함하는 화합물로서는, 예를 들면, 구리(Cu), 은(Ag), 황화구리(Cu2S), 황화은(Ag2S) 등을 사용할 수 있다. 소성온도는, 700 내지 1500℃가 바람직하다. 온도가 지나치게 낮은 경우는 고상반응이 진행되지 않고, 온도가 지나치게 높은 경우는 모체 재료가 분해되어 버리기 때문이다. 또, 분말상태로 소성을 하여도 좋지만, 펠릿상태로 소성을 하는 것이 바람직하다.
또한, 고상반응을 이용하는 경우의 불순물원소로서, 제 1 불순물원소와 제 2 불순물원소로 구성되는 화합물을 조합하여 사용하여도 좋다. 이 경우, 불순물원소가 확산되기 쉽고, 고상반응이 진행되기 쉬워지기 때문에, 균일한 발광 재료를 얻을 수 있다. 또, 여분의 불순물원소가 들어가지 않기 때문에, 순도가 높은 발광 재료를 얻을 수 있다. 제 1 불순물원소와 제 2 불순물원소로 구성되는 화합물로서는, 예를 들면, 염화구리(CuCl), 염화은(AgCl) 등을 사용할 수 있다.
또, 이들의 불순물원소의 농도는, 모체 재료에 대하여 O.01 내지 10atom%이면 좋고, 바람직하게는 0.05 내지 5atom%의 범위이다.
박막형 무기 EL의 경우, 전계발광층은, 상기 발광 재료를 포함하는 층이고, 저항가열증착법, 전자빔증착(EB 증착)법 등의 진공증착법, 스퍼터링법 등의 물리기상성장법(PVD), 유기 금속 CVD법, 하이드라이드 수송 감압 CVD법 등의 화학기상성장법(CVD), 원자층 에피택시법(ALE) 등을 사용하여 형성할 수 있다.
도 23a 내지 23c에 발광소자로서 사용할 수 있는 박막형 무기 EL 소자의 일례를 도시한다. 도 23a 내지 23c에 있어서, 발광소자는, 제 1 전극층(50), 전계발광층(52), 제 2 전극층(53)을 포함한다.
도 23b 및 도 23c에 도시하는 발광소자는, 도 23a의 발광소자에 있어서, 전극층과 전계발광층 사이에 절연층을 형성하는 구조이다. 도 23b에 도시하는 발광소자는, 제 1 전극층(50)과 전계발광층(52)의 사이에 절연층(54)을 갖고, 도 23c에 도시하는 발광소자는, 제 1 전극층(50)과 전계발광층(52)의 사이에 절연층(54a), 제 2 전극층(53)과 전계발광층(52)의 사이에 절연층(54b)을 갖고 있다. 이와 같이 절연층은 전계발광층을 사이에 두는 한 쌍의 전극층 중 한쪽의 사이에만 형성하여도 좋고, 양쪽의 사이에 형성하여도 좋다. 또한 절연층은 단층이어도 좋고 복수층으로 이루어지는 적층이어도 좋다.
또한, 도 23b에서는 제 1 전극층(50)에 접하도록 절연층(54)이 형성되어 있지만, 절연층과 전계발광층의 순서를 반대로 하여, 제 2 전극층(53)에 접하도록 절연층(54)을 형성하여도 좋다.
분산형 무기 EL 소자의 경우, 입자형의 발광 재료를 바인더 중에 분산시켜 막상(膜狀)의 전계발광층을 형성한다. 발광 재료의 제조방법에 의해서, 충분히 원하는 크기의 입자를 얻을 수 없는 경우는, 유발 등으로 분쇄 등에 의해서 입자형으로 가공하면 좋다. 바인더는, 입자형의 발광 재료를 분산한 상태로 고정하여, 전계발광층으로서의 형상으로 유지하기 위한 물질이다. 발광 재료는, 바인더에 의해서 전계발광층 중에 균일하게 분산하여 고정된다.
분산형 무기 EL 소자의 경우, 전계발광층의 형성방법은, 선택적으로 전계발광층을 형성할 수 있는 액적토출법이나, 인쇄법(스크린인쇄나 오프셋인쇄 등), 스핀코트법 등의 도포법, 침지법, 디스펜서법 등을 사용할 수도 있다. 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는, 10 내지 1000nm의 범위이다. 또한, 발광 재료 및 바인더를 포함하는 전계발광층에 있어서, 발광 재료의 비율은 50중량% 이상80중량% 이하로 하면 좋다.
도 24a 내지 24c에 발광소자로서 사용할 수 있는 분산형 무기 EL 소자의 일례를 도시한다. 도 24a에 있어서의 발광소자는, 제 1 전극층(60), 전계발광층(62), 제 2 전극층(63)의 적층 구조를 갖고, 전계발광층(62) 중에 바인더에 의해서 유지된 발광 재료(61)를 포함한다.
또한, 제 1 전극층(50, 60), 제 2 전극층(53, 63)도 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다.
본 실시형태에 사용할 수 있는 바인더로서는, 유기 재료나 무기 재료를 사용할 수 있고, 유기 재료 및 무기 재료의 혼합 재료를 사용하여도 좋다. 유기 재료로서는, 시아노에틸셀룰로스계수지와 같이, 비교적 유전율이 높은 폴리머나, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌계수지, 실리콘수지, 에폭시수지, 플루오르화비닐리덴 등의 수지를 사용할 수 있다. 또한, 방향족폴리아미드, 폴리벤조이미다졸 등의 내열성 고분자, 또는 실록산수지를 사용하여도 좋다. 또, 실록산수지는, Si-0-Si 결합을 포함하는 수지에 상당한다. 실록산은, 실리콘(Si)과 산소(0)의 결합 으로 골격 구조가 구성된다. 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기(예를 들면 알킬기, 방향족탄화수소)가 사용된다. 치환기로서, 플루오로기를 사용하여도 좋다. 또는 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기와 플루오로기를 사용하여도 좋다. 또한, 폴리비닐알콜, 폴리비닐부티랄 등의 비닐수지, 페놀수지, 노볼락수지, 아크릴수지, 멜라민수지, 우레탄수지, 옥사졸수지(폴리벤조옥사졸) 등의 수지 재료를 사용하여도 좋다. 이들의 수지에, 티타늄산바륨(BaTiO3)이나 티타늄산스트론튬(SrTiO3) 등의 고유전율의 미립자를 적절히 혼합하여 유전율을 조정할 수도 있다.
바인더에 포함되는 무기 재료로서는, 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산소 및 질소를 포함하는 규소, 질화알루미늄(AlN), 산소 및 질소를 포함하는 알루미늄 또는 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), BaTiO3, SrTiO3, 티타늄산납(PbTiO3), 니오브산칼륨(KNbO3), 니오브산납(PbNbO3), 산화탄탈(Ta2O5), 탄탈산바륨(BaTa2O6), 탄탈산리튬(LiTaO3), 산화이트륨(Y2O3), 산화지르코늄(ZrO2), 그 밖의 무기 재료를 포함하는 물질로부터 선택된 재료로 형성할 수 있다. 유기 재료에, 유전율이 높은 무기 재료를 포함시킴으로써(첨가 등에 의해서), 발광 재료 및 바인더로 이루어지는 전계발광층의 유전율을 더욱 제어할 수 있고, 또 유전율을 크게 할 수 있다. 바인더에 무기 재료와 유기 재료의 혼합층을 사용하여, 높은 유전율로 하면, 발광 재료에 의해 큰 전하를 유기할 수 있다.
제조공정에서, 발광 재료는 바인더를 포함하는 용액 중에 분산되지만 본 실시형태에 사용할 수 있는 바인더를 포함하는 용액의 용매로서는, 바인더 재료가 용해되어, 전계발광층을 형성하는 방법(여러가지의 웨트 프로세스) 및 원하는 막 두께에 적합한 점도의 용액을 제조할 수 있는 용매를 적절하게 선택하면 좋다. 유기용매 등을 사용할 수 있고, 예를 들면 바인더로서 실록산수지를 사용하는 경우는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA라고도 함), 3-메톡시-3메틸-1-부탄올(MMB라고도 함) 등을 사용할 수 있다.
도 24b 및 도 24c에 도시하는 발광소자는, 도 24a의 발광소자에 있어서, 전극층과 전계발광층 사이에 절연층을 형성하는 구조이다. 도 24b에 도시하는 발광소자는, 제 1 전극층(60)과 전계발광층(62)의 사이에 절연층(64)을 갖고, 도 24c에 도시하는 발광소자는, 제 1 전극층(60)과 전계발광층(62)의 사이에 절연층(64a), 제 2 전극층(63)과 전계발광층(62)의 사이에 절연층(64b)을 갖고 있다. 이와 같이 절연층은 전계발광층을 사이에 두는 한 쌍의 전극층 중 한쪽의 사이에만 형성하여도 좋고, 양쪽의 사이에 형성하여도 좋다. 또한 절연층은 단층이어도 좋고 복수층으로 이루어지는 적층이어도 좋다.
또한, 도 24b에서는 제 1 전극층(60)에 접하도록 절연층(64)이 형성되어 있지만, 절연층과 전계발광층의 순서를 반대로 하여, 제 2 전극층(63)에 접하도록 절연층(64)을 형성하여도 좋다.
도 23에 있어서의 절연층(54), 도 24에 있어서의 절연층(64)과 같은 절연층은, 특별히 한정되지 않지만, 절연 내압이 높고, 치밀한 막질인 것이 바람직하고, 또, 유전율이 높은 것이 바람직하다. 예를 들면, 산화실리콘(SiO2), 산화이트륨(Y2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화하프늄(HfO2), 산화탄탈(Ta2O5), 티타늄산바륨(BaTiO3), 티타늄산스트론튬(SrTiO3), 티타늄산연(PbTiO3), 질화실리콘(Si3N4), 산화지르코늄(ZrO2) 등이나 이들의 혼합막 또는 2종 이상의 적층막을 사용할 수 있다. 이들의 절연층은, 스퍼터링, 증착, CVD 등에 의해 성막할 수 있다. 또한, 절연층은 이들 절연 재료의 입자를 바인더 중에 분산하여 성막하여도 좋다. 바인더 재료는, 전계발광층에 포함되는 바인더와 같은 재료, 방법을 사용하여 형성하면 좋다. 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 내지 1000nm의 범위이다.
본 실시형태에서 개시하는 발광소자는, 전계발광층을 사이에 두는 한 쌍의 전극층간에 전압을 인가하는 것으로 발광을 얻을 수 있지만, 직류 구동 또는 교류 구동 중 어느 것에서나 동작할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치 등을 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
본 실시형태는, 상기한 실시형태 1 내지 5 각각과 적절하게 자유롭게 조합할 수 있다.
(실시형태 9)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 표시장치의 예에 관해서 설명한다. 자세하게는 표시소자에 액정표시소자를 사용하는 액정표시장치에 관해서 설명한다.
도 19a는, 액정표시장치의 상면도이고, 도 19b는 도 19a의 선 G-H에서의 단면도이다.
도 19a에서 개시하는 바와 같이, 화소영역(606), 주사선 구동회로인 구동회로영역(608a), 구동회로영역(608b)이, 시일재(692)에 의해서, 기판(600)과 대향기판(695)의 사이에 밀봉되고, 기판(600)상에 드라이버 IC에 의해서 형성된 신호선 구동회로인 구동회로영역(607)이 형성되어 있다. 화소영역(606)에는 트랜지스터(622) 및 용량소자(623)가 형성되고, 구동회로영역(608b)에는 트랜지스터(620) 및 트랜지스터(621)를 갖는 구동회로가 형성되어 있다. 기판(600)에는, 상기 실시형태와 같은 절연기판을 적용할 수 있다. 또한 일반적으로 합성 수지로 이루어지는 기판은, 다른 기판과 비교하여 내열온도가 낮은 것이 우려되지만, 내열성이 높은 기판을 사용한 제조공정 후, 전치함으로써도 채용하는 것이 가능해진다.
화소영역(606)에는, 하지막(604a), 하지막(604b)을 개재하여 스위칭소자가 되는 트랜지스터(622)가 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 트랜지스터(622)에 멀티게이트형 박막트랜지스터(TFT)를 사용하고, 소스영역 및 드레인영역으로서 기능하는 불순물영역을 갖는 반도체층, 게이트 절연층, 2층의 적층 구조인 게이트 전극층, 소스 전극층 및 드레인 전극층을 갖고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층은, 반도체층의 불순물영역과 화소 전극층(630)에 접하여 전기적으로 접속하고 있다.
소스 전극층 및 드레인 전극층은 적층 구조로 되어 있고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644a, 644b)은 절연층(615)에 형성된 개구에서 화소 전극층(630)과 전기적으로 접속하고 있다. 절연층(615)에 형성되는 개구를 실시형태 2에서 개시한 바와 같이 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 본 실시형태는, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644b)에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644a)에는 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644b)으로부터도 증발하기 어려운 고융점 금속(본 실시형태에서는 텅스텐)을 사용한다. 절연층(615)측으로부터 레이저광을 선택적으로 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644a, 644b)에 조사하고, 조사된 에너지에 의해 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644b)의 조사영역 및 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644b)의 조사영역상의 절연층(615)은 제거되어, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644a)에 이르는 개구를 형성할 수 있다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644a, 644b)이 노출된 개구에 화소 전극층(630)을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층(644a, 644b)과 화소 전극층(630)은 전기적으로 접속할 수 있다.
박막트랜지스터는, 많은 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 활성층으로서, 결정성 반도체막을 적용한다. 결정성 반도체막상에는, 게이트 절연막을 개재하여 게이트 전극이 형성된다. 상기 게이트 전극을 사용하여 상기 활성층에 불순물원소를 첨가할 수 있다. 이와 같이 게이트 전극을 사용한 불순물원소의 첨가에 의해, 불순물원소 첨가를 위한 마스크를 형성할 필요는 없다. 게이트 전극은, 단층 구조, 또는 적층 구조를 가질 수 있다. 불순물영역은, 그 농도를 제어함으로써 고농도 불순물영역 및 저농도 불순물영역으로 할 수 있다. 이와 같이 저농도 불순물영역을 갖는 박막트랜지스터를, LDD(Light doped drain) 구조라고 부른다. 또한 저농도 불순물영역은, 게이트 전극과 겹치도록 형성할 수 있고, 이러한 박막트랜지스터를, GOLD(Gate overlaped LDD) 구조라고 부른다. 또한 박막트랜지스터의 극성은, 불순물영역에 인(P) 등을 사용함으로써 n형으로 한다. p형으로 하는 경우는, 붕소(B) 등을 첨가하면 좋다. 그 후, 게이트 전극 등을 덮는 절연막(611) 및 절연막(612)을 형성한다. 절연막(611; 및 절연막(612))에 혼입된 수소원소에 의해, 결정성 반도체막의 댕글링 본드를 종단할 수 있다.
또 평탄성을 높이기 위해서, 층간 절연층으로서 절연층(615)을 형성하여도 좋다. 절연층(615)에는, 유기 재료, 또는 무기 재료, 또는 이들의 적층 구조를 사용할 수 있다. 예를 들면 산화규소, 질화규소, 산화질화규소, 질화산화규소, 질화알루미늄, 산화질화알루미늄, 질소함유량이 산소함유량보다도 많은 질화산화알루미늄 또는 산화알루미늄, DLC, 폴리실라잔, 질소함유탄소(CN), PSG(인유리), BPSG(인붕소유리), 알루미나, 그 밖의 무기절연성 재료를 포함하는 물질로부터 선택된 재료로 형성할 수 있다. 또한, 유기절연성 재료를 사용하여도 좋고, 유기 재료로서는, 감광성, 비감광성 어느 것이나 좋고, 폴리이미드, 아크릴, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, 레지스트 또는 벤조사이클로부텐, 실록산수지 등을 사용할 수 있다. 또, 실록산수지는, Si-0-Si 결합을 포함하는 수지에 상당한다. 실록산은, 실리콘(Si)과 산소(0)의 결합으로 골격 구조가 구성된다. 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기(예를 들면 알킬기, 방향족탄화수소)가 사용된다. 치환기로서, 플 루오로기를 사용하여도 좋다. 또는 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기와, 플루오로기를 사용하여도 좋다.
또한 결정성 반도체막을 사용함으로써, 화소영역과 구동회로영역을 동일기판상에 일체로 형성할 수 있다. 그 경우, 화소영역의 트랜지스터와, 구동회로영역(608b)의 트랜지스터는 동시에 형성된다. 구동회로영역(608b)에 사용하는 트랜지스터는, CMOS 회로를 구성한다. CMOS 회로를 구성하는 박막트랜지스터는, GOLD 구조이지만, 트랜지스터(622)와 같은 LDD 구조를 사용할 수도 있다.
본 실시형태에 한정되지 않고, 화소영역의 박막트랜지스터는 채널 형성영역이 1개 형성되는 싱글게이트 구조이어도 좋고, 2개 형성되는 더블게이트 구조 또는 3개 형성되는 트리플게이트 구조이어도 좋다. 또한, 주변 구동회로영역의 박막트랜지스터도, 싱글게이트 구조, 더블게이트 구조 또는 트리플게이트 구조이어도 좋다.
또, 본 발명은 본 실시형태에서 개시한 박막트랜지스터에 한하지 않고, 톱 게이트형(예를 들면 순스태거형), 보텀 게이트형(예를 들면, 역스태거형), 또는 채널영역의 상하에 게이트 절연막을 개재하여 배치된 2개의 게이트 전극층을 갖는, 듀얼게이트형이나 그 밖의 구조에 있어서도 적용할 수 있다.
다음에, 화소 전극층(630)을 덮도록, 인쇄법이나 액적토출법에 의해, 배향막이라고 불리는 절연층(631)을 형성한다. 또, 절연층(631)은, 스크린인쇄법이나 오프셋인쇄법을 사용하면, 선택적으로 형성할 수 있다. 그 후, 러빙처리를 한다. 이 러빙처리는 액정의 모드, 예를 들면 VA 모드일 때에는 처리를 하지 않을 때가 있다. 배향막으로서 기능하는 절연층(633)도 절연층(631)과 동일하다. 계속해서, 시일재(692)를 액적토출법에 의해 화소를 형성한 주변의 영역에 형성한다.
그 후, 배향막으로서 기능하는 절연층(633), 대향 전극으로서 기능하는 도전층(634), 컬러필터로서 기능하는 착색층(635), 편광자(641; 편광판이라고도 함)가 형성된 대향기판(695)과, TFT 기판인 기판(600)을 스페이서(637)를 개재하여 접합하고, 그 공극(空隙)에 액정층(632)을 형성한다. 본 실시형태의 액정표시장치는 투과형이기 때문에, 기판(600)의 소자를 갖는 면과 반대측에도 편광자(643; 편광판)를 형성한다. 편광자는, 접착층에 의해서 기판에 형성할 수 있다. 시일재에는 충전제가 혼입되어 있어도 좋고, 또 대향기판(695)에는, 차폐막(블랙 매트릭스) 등이 형성되어 있어도 좋다. 또, 컬러필터 등은, 액정표시장치를 풀컬러표시로 하는 경우, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)을 나타내는 재료로 형성하면 좋고, 모노 컬러표시로 하는 경우, 착색층을 없애거나, 또는 적어도 하나의 색을 나타내는 재료로 형성하면 좋다.
또, 백 라이트에 RGB의 발광다이오드(LED) 등을 배치하여, 시분할에 의해 컬러표시하는 연속부가법혼색법(필드 시퀀셜법)을 채용할 때에는, 컬러필터를 형성하지 않는 경우가 있다. 블랙 매트릭스는, 트랜지스터나 CM0S 회로의 배선에 의한 외광의 반사를 저감하기 위해서, 트랜지스터나 CM0S 회로와 겹치도록 형성하면 좋다. 또, 블랙 매트릭스는, 용량소자에 겹치도록 형성하여도 좋다. 용량소자를 구성하는 금속막에 의한 반사를 방지할 수 있기 때문이다.
액정층을 형성하는 방법으로서, 디스펜서식(적하식)이나, 소자를 갖는 기 판(600)과 대향기판(695)을 접합하고 나서 모세관 현상을 사용하여 액정을 주입하는 주입법을 사용할 수 있다. 적하법은, 주입법을 적용하기 어려운 대형기판을 취급할 때에 적용하면 좋다.
스페이서는 수㎛의 입자를 살포하여 형성하는 방법이어도 좋지만, 본 실시형태에서는 기판 전체면에 수지막을 형성한 후 이것을 에칭가공하여 형성하는 방법을 채용하였다. 이와 같은 스페이서의 재료를, 스피너(spinner)로 도포한 후, 노광과 현상처리에 의해서 소정의 패턴으로 형성한다. 또 크린오븐 등에서 150 내지 200℃로 가열하여 경화시킨다. 이렇게 하여 제조되는 스페이서는 노광과 현상처리의 조건에 따라서 형상이 다를 수 있지만, 바람직하게는, 스페이서의 형상은 기둥형이고 정상부가 평탄한 형상이 되도록 하면, 대향측의 기판을 접합하였을 때 액정표시장치로서의 기계적인 강도를 확보할 수 있다. 형상은 원추형, 각뿔형 등을 사용할 수 있고, 특별한 한정은 없다.
계속해서, 화소영역과 전기적으로 접속되어 있는 단자 전극층(678a, 678b)에, 이방성 도전체층(696)을 개재하여, 접속용 배선기판인 FPC(694)를 형성한다. FPC(694)는, 외부로부터의 신호나 전위를 전달하는 역할을 한다. 상기 공정을 거쳐서, 표시 기능을 갖는 액정표시장치를 제조할 수 있다.
또 트랜지스터가 갖는 배선, 게이트 전극층, 화소 전극층(630), 대향 전극층인 도전층(634)은, 인듐주석산화물(ITO), 산화인듐에 산화아연(ZnO)을 혼합한 IZO(indiumzinc oxide), 산화인듐에 산화규소(SiO2)를 혼합한 도전 재료, 유기인듐, 유기주석, 산화텅스텐을 포함하는 인듐산화물, 산화텅스텐을 포함하는 인듐아연산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐산화물, 산화티타늄을 포함하는 인듐주석산화물, 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 바나듐(V), 니오브(Nb),탄탈(Ta), 크롬(Cr), 코발트(Co), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag) 등의 금속 또는 그 합금, 또는 그 금속질화물로부터 선택할 수 있다.
편광판과, 액정층의 사이에 위상차판을 가진 상태로 적층하여도 좋다.
또, 본 실시형태에서는 TN형 액정 패널에 관해서 개시하고 있지만, 상기한 프로세스는 다른 방식의 액정 패널에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다. 예를 들면, 유리기판과 평행하게 전계를 인가하여 액정을 배향시키는 횡전계방식의 액정 패널에 본 실시형태를 적용할 수 있다. 또한, VA(Vertical Alignment)방식의 액정 패널에 본 실시형태를 적용할 수 있다.
도 5와 도 6은, VA형 액정 패널의 화소 구조를 도시하고 있다. 도 5는 평면도이고, 도면 중에 도시하는 절단선 I-J에 대응하는 단면 구조를 도 6에 도시하고 있다. 이하의 설명에서는 이 양 도면을 참조하여 설명한다.
이 화소 구조는, 하나의 화소에 복수의 화소 전극이 있고, 각각의 화소 전극에 TFT가 접속되어 있다. 각 TFT는, 다른 게이트 신호로 구동되도록 구성되어 있다. 즉, 멀티도메인 설계된 화소에 있어서, 개개의 화소 전극에 인가하는 신호를, 독립하여 제어하는 구성을 갖고 있다.
화소 전극층(1624)은 개구(1623; 콘택트 홀)에 의해, 배선층(1618)에서 TFT(1628)와 접속하고 있다. 또한, 화소 전극층(1626)은 개구(1627; 콘택트 홀)에 의해, 배선층(1619)에서 TFT(1629)와 접속하고 있다. TFT(1628)의 게이트 배선층(1602)과, TFT(1629)의 게이트 전극층(1603)에는, 다른 게이트 신호를 부여할 수 있도록 분리되어 있다. 한편, 데이터선으로서 기능하는 배선층(1616)은, TFT(1628)와 TFT(1629)에서 공통으로 사용되고 있다.
화소 전극층(1624)과 화소 전극층(1626)은, 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다. 이와 같이 본 발명을 사용하면, 공정이 간략화되고, 재료의 로스를 막을 수 있기 때문에, 저비용으로 생산성 좋게 표시장치를 제조할 수 있다.
화소 전극층(1624)과 화소 전극층(1626)의 형상은 다르고, 슬릿(1625)에 의해서 분리되어 있다. V자형으로 확대되는 화소 전극층(1624)의 외측을 둘러싸도록 화소 전극층(1626)이 형성되어 있다. 화소 전극층(1624)과 화소 전극층(1626)에 인가하는 전압의 타이밍을, TFT(1628) 및 TFT(1629)에 따라 다르게 한 것으로, 액정의 배향을 제어하고 있다. 대향기판(1601)에는, 차광막(1632), 착색층(1636), 대향 전극층(1640)이 형성되어 있다. 또한, 착색층(1636)과 대향 전극층(1640)의 사이에는 평탄화막(1637)이 형성되어, 액정의 배향 산란을 막고 있다. 도 7에 대향기판측의 구조를 도시한다. 대향 전극층(1640)은 다른 화소간에서 공통화되어 있는 전극이지만, 슬릿(1641)이 형성되어 있다. 이 슬릿(1641)과, 화소 전극층(1624) 및 화소 전극층(1626)측의 슬릿(1625)을 교대로 맞물리도록 배치하는 것 으로, 경사 전계를 효과적으로 발생시켜 액정의 배향을 제어할 수 있다. 이것에 의해, 액정이 배향되는 방향을 장소에 따라서 다르게 할 수 있어, 시야각을 확대하고 있다.
이와 같이, 화소 전극층으로서 유기 화합물과 무기화합물을 복합화시킨 복합 재료를 사용하여 액정 패널을 제조할 수 있다. 이러한 화소 전극을 사용함으로써, 인듐을 주성분으로 하는 투명도전막을 사용할 필요가 없고, 원재료면에서 보틀넥을 해소할 수 있다.
본 실시형태는, 상기한 실시형태 1 내지 3과 적절하게 자유롭게 조합할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 10)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 표시장치의 예에 관해서 설명한다. 자세하게는 표시소자에 액정표시소자를 사용하는 액정표시장치에 관해서 설명한다.
도 18에 나타내는 표시장치는, 기판(250)상에, 화소영역에 역스태거형 박막트랜지스터인 트랜지스터(220), 화소 전극층(251), 절연층(252), 절연층(253), 액정층(254), 스페이서(281), 절연층(235), 대향 전극층(256), 컬러필터(258),블랙 매트릭스(257), 대향기판(210), 편광판(231; 편광자), 편광판(233; 편광자), 밀봉영역에 시일재(282), 단자 전극층(287), 이방성 도전층(288), FPC(286)가 형성되어 있다.
본 실시형태에서 제조되는 역스태거형 박막트랜지스터인 트랜지스터(220)의 게이트 전극층, 반도체층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 및 화소 전극층(251)은 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성 재료 또는 반도체 재료를 사용한 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다. 이와 같이 본 발명을 사용하면, 공정이 간략화되고, 재료의 로스를 막을 수 있기 때문에, 저비용으로 생산성 좋게 표시장치를 제조할 수 있다.
본 실시형태에서는, 반도체층으로서 비정질 반도체를 사용하고 있고, 1도전성형을 갖는 반도체층은 필요에 따라서 형성하면 좋다. 본 실시형태에서는, 반도체층과 1도전형을 갖는 반도체층으로서 비정질 n형 반도체층을 적층한다. 또한 n형 반도체층을 형성하고, n채널형 박막트랜지스터의 NMOS 구조, p형 반도체층을 형성한 p채널형 박막트랜지스터의 PM0S 구조, n채널형 박막트랜지스터와 p채널형 박막트랜지스터의 CM0S 구조를 제조할 수 있다.
또한, 도전성을 부여하기 위해서, 도전성을 부여하는 원소를 도핑에 의해서 첨가하여, 불순물영역을 반도체층에 형성하는 것으로, n채널형 박막트랜지스터, P채널형 박막트랜지스터를 형성할 수도 있다. n형 반도체층을 형성하는 대신에, PH3 가스에 의한 플라즈마처리를 함으로써, 반도체층에 도전성을 부여하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 트랜지스터(220)는 n채널형 역스태거형 박막트랜지스터로 되어 있다. 또한, 반도체층의 채널영역상에 보호층을 형성한 채널 보호형 역스태거형 박막트랜지스터를 사용할 수도 있다.
이어서, 백 라이트 유닛(352)의 구성에 관해서 설명한다. 백 라이트 유닛(352)은, 형광을 발하는 광원(361)으로서 냉음극관, 열음극관, 발광다이오드, 무기 EL, 유기 EL이, 형광을 효율적으로 도광판(365)에 유도하기 위한 램프 리플렉터(362), 형광이 전반사하면서 전면에 광을 유도하기 위한 도광판(365), 명도의 불균일함을 저감하기 위한 확산판(366), 도광판(365)의 아래로 누설된 광을 재이용하기 위한 반사판(364)을 갖도록 구성되어 있다.
백 라이트 유닛(352)에는, 광원(361)의 휘도를 조정하기 위한 제어회로가 접속되어 있다. 제어회로로부터의 신호 공급에 의해, 광원(361)의 휘도를 제어할 수 있다.
트랜지스터(220)의 소스 전극층 또는 드레인 전극층은 절연층(252)에 형성된 개구에서 화소 전극층(251)과 전기적으로 접속하고 있다. 절연층(252)에 형성되는 개구를 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 본 실시형태는, 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용한다. 절연층(252)측으로부터 레이저광을 선택적으로 소스 전극층 또는 드레인 전극층에 조사하고, 조사된 에너지에 의해, 소스 전극층 또는 드레인 전극층의 조사영역 및 소스 전극층 또는 드레인 전극 층의 조사영역상의 절연층(252)은 제거되어, 개구를 형성할 수 있다. 소스 전극층 또는 드레인 전극층이 노출된 개구에 화소 전극층(251)을 형성하고, 소스 전극층 또는 드레인 전극층과 화소 전극층(251)을 전기적으로 접속할 수 있다.
본 실시형태는 실시형태 1 내지 3과 적절하게 조합할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 11)
본 실시형태에서는, 신뢰성도 높고, 또 간략화한 공정에서 저비용으로 제조하는 것을 목적으로 한 표시장치의 일례에 관해서 설명한다.
도 21은, 본 발명을 적용한 액티브 매트릭스형 전자페이퍼를 도시한다. 도 21에서는 액티브 매트릭스형을 개시하지만, 본 발명은 패시브 매트릭스형에도 적용할 수 있다.
전자페이퍼로서 트위스트볼 표시방식을 사용할 수 있다. 트위스트볼 표시방식은, 백과 흑으로 분리되어 칠해진 구형(球形)입자를 제 1 전극층 및 제 2 전극층의 사이에 배치하고, 제 1 전극층 및 제 2 전극층에 전위차를 발생시킨 구형입자의 방향을 제어함으로써, 표시를 하는 방법이다.
트랜지스터(581)는 역코플러너형 박막트랜지스터이고, 게이트 전극층(582), 게이트 절연층(584), 배선층(585a), 배선층(585b), 반도체층(586)을 포함한다. 또 한 배선층(585b)은 제 1 전극층(587a)과 절연층(598)에 형성하는 개구에서 접하고 있어 전기적으로 접속하고 있다. 제 1 전극층(587a, 587b)과 제 2 도전층(588)의 사이에는 흑색영역(590a) 및 백색영역(590b)을 갖고, 주위에 액체로 채워져 있는 캐비티(594)를 포함하는 구형입자(589)가 형성되어 있고, 구형입자(589)의 주위는 수지 등의 충전재(595)로 충전되어 있다(도 21 참조).
본 실시형태에 있어서, 게이트 전극층, 반도체층, 소스 전극층, 드레인 전극층, 전극층 등은 실시형태 3에서 개시하는 바와 같이, 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하여도 좋다. 본 발명을 사용하면, 공정이 간략화되고, 재료의 로스도 방지할 수 있기 때문에, 저비용화를 달성할 수 있다.
배선층(585b)은 절연층(598)에 형성된 개구에서 제 1 전극층(587a)와 전기적으로 접속하고 있다. 절연층(598)에 형성되는 개구를 실시형태 1에서 개시한 바와 같이 레이저광을 조사함으로써 형성할 수 있다. 본 실시형태는, 배선층(585b)에 비교적 증발하기 쉬운 저융점 금속(본 실시형태에서는 크롬)을 사용한다. 절연층(598)측으로부터 레이저광을 선택적으로 배선층(585b)에 조사하고, 조사된 에너지에 의해 배선층(585b)의 조사영역 및 배선층(585b)의 조사영역상의 절연층(598)은 제거되어, 게이트 절연층(584)에 이르는 개구를 형성할 수 있다. 배선층(585b)이 노출된 개구에 제 1 전극층(587a)을 형성하고, 배선층(585b)과 제 1 전극층(587a)은 전기적으로 접속할 수 있다.
또한, 트위스트볼 대신에, 전기영동소자를 사용하는 것도 가능하다. 투명한 액체와, 정(正)으로 대전한 흰 미립자와 부(負)로 대전한 검은 미립자를 봉입한 직경10㎛ 내지 200㎛ 정도의 마이크로캡슐을 사용한다. 제 1 전극층과 제 2 전극층의 사이에 형성되는 마이크로캡슐은, 제 1 전극층과 제 2 전극층에 의해서, 전장(電場)이 주어지면, 흰 미립자와, 검은 미립자가 반대의 방향으로 이동하여, 백 또는 흑을 표시할 수 있다. 이 원리를 응용한 표시소자가 전기영동표시소자이고, 일반적으로 전자페이퍼라고 불리고 있다. 전기영동표시소자는, 액정표시소자와 비교하여 반사율이 높기 때문에, 보조 라이트는 불필요하고, 또한 소비전력이 작고, 어둑어둑한 장소에서도 표시부를 인식하는 것이 가능하다. 또한, 표시부에 전원이 공급되지 않는 경우에도, 한번 표시한 상을 유지하는 것이 가능하기 때문에, 전파발신원으로부터 표시 기능 첨부 표시장치를 멀리한 경우에도, 표시된 상을 보존하여 두는 것이 가능해진다.
트랜지스터는 스위칭소자로서 기능할 수 있는 것이면, 어떠한 구성으로 형성하여도 좋다. 반도체층도 비정질 반도체, 결정성 반도체, 다결정 반도체, 미결정 반도체 등 여러 가지의 반도체를 사용할 수 있고, 유기 화합물을 사용하여 유기트랜지스터를 형성하여도 좋다.
본 실시형태에서는, 구체적으로는, 표시장치의 구성이 액티브 매트릭스형 경우에 관해서 개시하지만, 물론 본 발명은 패시브 매트릭스형 표시장치에도 적용할 수 있다. 패시브 매트릭스형 표시장치에 있어서도 배선층, 전극층 등을 전치기판에 도전성을 갖는 광 흡수막을 형성 후, 레이저광으로 조사함으로써, 선택적으로 피전치기판에 원하는 형상으로 가공하여 형성하면 좋다.
본 실시형태는, 상기한 실시형태 1 내지 3과 적절하게 자유롭게 조합할 수 있다.
본 발명에 의해, 표시장치를 구성하는 배선 등의 구성물을, 원하는 형상으로 형성할 수 있다. 또한 복잡한 포토리소그래피 공정을 경감하여, 간략화된 공정에서 표시장치를 제조할 수 있기 때문에, 재료의 로스가 적고, 비용절감도 달성할 수 있다. 따라서 고성능, 고신뢰성의 표시장치를 수율 좋게 제조할 수 있다.
(실시형태 12)
다음에, 실시형태 4 내지 11에 의해서 제조되는 표시 패널에 구동용 드라이버회로를 실장하는 형태에 관해서 설명한다.
우선, COG 방식을 채용한 표시장치에 관해서, 도 26a를 참조하여 설명한다. 기판(2700)상에는, 문자나 화상 등의 정보를 표시하는 화소부(2701)가 형성된다. 복수의 구동회로가 형성된 기판을, 구형상으로 분단(division)하고, 분단 후의 구동회로(2751; 드라이버 IC라고도 표기)는, 기판(2700)상에 실장된다. 도 26a는 복수의 드라이버 IC(2751), 드라이버 IC(2751)의 앞에 FPC(2750)를 실장하는 형태를 도시한다. 또한, 분할하는 크기를 화소부의 신호선측의 근처의 길이와 거의 같게 하여, 단수의 드라이버 IC에, 상기 드라이버 IC의 앞에 테이프를 실장하여도 좋다.
또한, TAB 방식을 채용하여도 좋고, 그 경우는, 도 26b에서 도시하는 바와 같이 복수의 테이프를 접착하여, 상기 테이프에 드라이버 IC를 실장하면 좋다. COG 방식의 경우와 같이, 단수의 테이프에 단수의 드라이버 IC를 실장하여도 좋고, 이 경우에는, 강도의 문제때문에, 드라이버 IC를 고정하는 금속편 등을 함께 접착 하면 좋다.
이들의 표시 패널에 실장되는 드라이버 IC는, 생산성을 향상시키는 관점에서, 1변이 300mm 내지 1000mm 이상의 구형상의 기판상에 복수개 만들어 넣으면 좋다.
요컨대, 기판상에 구동회로부와 입출력단자를 하나의 유닛으로 하는 회로 패턴을 복수개 형성하고, 마지막으로 분할하여 추출하면 좋다. 드라이버 IC의 장변의 길이는, 화소부의 1변의 길이나 화소피치를 고려하여, 장변이 15 내지 80mm, 단변이 1 내지 6mm의 구형상으로 형성하여도 좋고, 화소부의 1변, 또는 화소부의 1변과 각 구동회로의 1변을 더한 길이로 형성하여도 좋다.
드라이버 IC의 IC 칩에 대한 외형 치수의 우위성은 장변의 길이에 있고, 장변이 15 내지 80mm로 형성된 드라이버 IC를 사용하면, 화소부에 대응하여 실장하는 데 필요한 수가 IC 칩을 사용하는 경우보다도 적어도 되어, 제조상의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 유리기판상에 드라이버 IC를 형성하면, 모체로서 사용하는 기판의 형상으로 한정되지 않기 때문에 생산성을 손상시키지 않는다. 이것은, 원형 실리콘 웨이퍼로부터 IC 칩을 추출하는 경우와 비교하면, 큰 우위점이다.
또한, 도 25b와 같이 주사선측 구동회로(3702)는 기판상에 일체로 형성되는 경우, 화소부(3701)의 외측의 영역에는, 신호선측의 구동회로가 형성된 드라이버 IC가 실장된다. 이들의 드라이버 IC는, 신호선측의 구동회로이다. RGB 풀컬러에 대응한 화소부를 형성하기 위해서는, XGA 클래스에서 신호선의 개수가 3072개 필요하고, UXGA 클래스에서는 4800개가 필요하게 된다. 이러한 개수로 형성된 신호선 은, 화소부(3701)의 단부(端部)에서 수블록마다 구분하여 인출선을 형성하고, 드라이버 IC의 출력단자의 피치에 맞추어 모인다.
드라이버 IC는, 기판상에 형성된 결정질 반도체에 의해 형성되는 것이 적합하고, 상기 결정질 반도체는 연속발광의 레이저광을 조사하는 것으로 형성되는 것이 적합하다. 따라서, 상기 레이저광을 발생시키는 발진기로서는, 연속발광의 고체 레이저 또는 기체 레이저를 사용한다. 연속발광의 레이저를 사용하면, 결정결함이 적고, 대입자 직경의 다결정 반도체층을 사용하여, 트랜지스터를 작성하는 것이 가능해진다. 또한 이동도나 응답속도가 양호하기 때문에 고속 구동이 가능하고, 종래보다도 소자의 동작 주파수를 향상시킬 수 있고, 특성 불균일이 적기 때문에 높은 신뢰성을 얻을 수 있다. 또, 한층더 동작 주파수의 향상을 목적으로 하여, 트랜지스터의 채널 길이방향과 레이저광의 주사방향과 일치시키면 좋다. 이것은, 연속발광 레이저에 의한 레이저 결정화공정에서는, 트랜지스터의 채널 길이방향과 레이저광의 기판에 대한 주사방향이 거의 평행(바람직하게는 -30도 이상 30도 이하)일 때, 가장 높은 이동도를 얻을 수 있기 때문이다. 또 채널 길이방향은, 채널 형성영역에서, 전류가 흐르는 방향, 환언하면 전하가 이동하는 방향과 일치한다. 이와 같이 제조한 트랜지스터는, 결정립이 채널 길이방향으로 연장하는 다결정 반도체층에 의해서 구성되는 활성층을 갖고, 이것은 결정립계가 거의 채널 길이방향을 따라 형성되어 있는 것을 의미한다.
레이저 결정화를 하기 위해서는, 레이저광을 대폭적으로 압축하는 것이 바람직하고, 그 레이저광의 형상(빔스폿)의 폭은, 드라이버 IC의 단변과 같은 폭의 1mm 이상 3mm 이하 정도로 하는 것이 좋다. 또한, 피조사체에 대하여, 충분하고 또한 효율적인 에너지밀도를 확보하기 위해서, 레이저광의 조사영역은, 선형인 것이 바람직하다. 단, 여기에서 말하는 선형은, 엄밀한 의미에서 선을 뜻하고 있는 것은 아니고, 애스펙트비가 큰 직사각형 또는 장타원형을 의미한다. 예를 들면, 애스펙트비가 2 이상(바람직하게는 10 이상 10000 이하)의 것을 가리킨다. 이와 같이, 레이저광의 형상(빔스폿)의 폭을 드라이버 IC의 단변과 같은 길이로 하는 것으로, 생산성을 향상시킨 표시장치의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 26a, 26b와 같이 주사선 구동회로 및 신호선 구동회로의 양쪽으로서, 드라이버 IC를 실장하여도 좋다. 그 경우에는, 주사선측과 신호선측에서 사용하는 드라이버 IC의 사양을 다른 것으로 하면 좋다.
화소부는, 신호선과 주사선이 교차하여 매트릭스를 형성하고, 각 교차부에 대응하여 트랜지스터가 배치된다. 본 발명은, 화소부에 배치되는 트랜지스터로서, 비정질 반도체 또는 세미어몰퍼스 반도체를 채널부로 한 TFT를 사용하는 것을 특징으로 한다. 비정질 반도체는, 플라즈마 CVD법이나 스퍼터링법 등의 방법에 의해 형성한다. 세미어몰퍼스 반도체는, 플라즈마 CVD법으로 300℃ 이하의 온도에서 형성하는 것이 가능하고, 예를 들면, 외치 550×650mm의 무알칼리 유리기판이어도, 트랜지스터를 형성하는 데 필요한 막 두께를 단시간에 형성한다고 하는 특징을 갖는다. 이러한 제조기술의 특징은, 대화면의 표시장치를 제조하는 데에 있어서 유효하다. 또한, 세미어몰퍼스 TFT는, SAS로 채널 형성영역을 구성함으로써 2 내지 10㎠/V·sec의 전계 효과 이동도를 얻을 수 있다. 또한 본 발명을 사용하면, 패턴 을 원하는 형상으로 제어성 좋게 형성할 수 있기 때문에, 미세한 배선도 쇼트 등의 불량이 생기지 않고 안정적으로 형성할 수 있다. 이와 같이, 시스템 온 패널화를 실현한 표시 패널을 제조할 수 있다.
반도체층을 SAS로 형성한 TFT를 사용함으로써, 주사선측 구동회로도 기판상에 일체형으로 형성할 수 있고, 반도체층을 AS로 형성한 TFT를 사용하는 경우에는, 주사선측 구동회로 및 신호선측 구동회로의 양쪽을 드라이버 IC를 실장하면 좋다.
이 경우에는, 주사선측과 신호선측에서 사용하는 드라이버 IC의 사양을 다른 것으로 하는 것이 적합하다. 예를 들면, 주사선측의 드라이버 IC를 구성하는 트랜지스터에는 30V 정도의 내압이 요구되지만, 구동 주파수는 100kHz 이하이고, 비교적 고속동작은 요구되지 않는다. 따라서, 주사선측의 드라이버를 구성하는 트랜지스터의 채널 길이(L)는 충분히 크게 설정하는 것이 적합하다. 한편, 신호선측의 드라이버 IC의 트랜지스터에는, 12V 정도의 내압이 있으면 충분하지만, 구동 주파수는 3V에서 65MHz 정도이고, 고속동작이 요구된다. 그 때문에, 드라이버를 구성하는 트랜지스터의 채널 길이 등은 미크론 룰(micron rule)로 설정하는 것이 적합하다.
드라이버 IC의 실장방법은, 특별히 한정되는 것이 아니라, COG 방법이나 와이어 본딩 방법, 또는 TAB 방법을 사용할 수 있다.
드라이버 IC의 두께는, 대향기판과 같은 두께로 하는 것으로, 양자간의 높이는 거의 같은 것이 되어, 표시장치 전체로서의 박형화에 기여한다. 또한, 각각의 기판을 같은 재질로 제조함으로써, 이 표시장치에 온도변화가 생겨도 열응력이 발 생하지 않고, TFT로 제조된 회로의 특성을 손상시키지 않는다. 그 외에도, 본 실시형태에서 개시하는 바와 같이 IC 칩보다도 장척의 드라이버 IC로 구동회로를 실장함으로써, 1개의 화소영역에 대하여, 실장되는 드라이버 IC의 개수를 줄일 수 있다.
이상과 같이 하여, 표시 패널에 구동회로를 넣을 수 있다.
(실시형태 13)
실시형태 4 내지 11에 의해서 제조되는 표시 패널(EL 표시 패널, 액정표시 패널)에 있어서, 반도체층을 비정질 반도체, 또는 SAS로 형성하고, 주사선측의 구동회로를 기판상에 형성하는 예를 개시한다.
도 31은, 1 내지 15㎠/V·sec의 전계 효과 이동도를 얻을 수 있는 SAS를 사용한 n채널형 TFT에서 구성하는 주사선측 구동회로의 블록도를 도시하고 있다.
도 31에서 8500으로 도시하는 블록이 1단분의 샘플링 펄스를 출력하는 펄스 출력회로에 상당하고, 시프트 레지스터는 n개의 펄스 출력회로에 의해 구성된다. 8501은 버퍼회로이고, 그 앞에 화소(8502)가 접속된다.
도 32는, 펄스 출력회로(8500)의 구체적인 구성을 도시한 것이고, n채널형 TFT(8601 내지 8613)로 회로가 구성되어 있다. 이 때, SAS를 사용한 n채널형 TFT의 동작 특성을 고려하여, TFT의 사이즈를 결정하면 좋다. 예를 들면, 채널 길이를 8㎛으로 하면, 채널폭은 10 내지 80㎛의 범위로 설정할 수 있다.
또한, 버퍼회로(8501)의 구체적인 구성을 도 33에 도시한다. 버퍼회로도 마찬가지로 n채널형 TFT(8620 내지 8635)로 구성되어 있다. 이때, SAS를 사용한 n채 널형 TFT의 동작 특성을 고려하여, TFT의 사이즈를 결정하면 좋다. 예를 들면, 채널 길이를 10㎛로 하면, 채널폭은 10 내지 1800㎛의 범위로 설정하게 된다.
이러한 회로를 실현하기 위해서는, TFT 상호를 배선에 의해서 접속할 필요가 있다.
이상과 같이 하여, 표시 패널에 구동회로를 넣을 수 있다.
(실시형태 14)
본 실시형태를 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은, 본 발명을 적용하여 제조되는 TFT 기판(2800)을 사용하여 EL 표시 모듈을 구성하는 일례를 도시하고 있다. 도 16에 있어서, TFT 기판(2800)상에는, 화소에 의해 구성된 화소부가 형성되어 있다.
도 16에서는, 화소부의 외측이고, 구동회로와 화소의 사이에, 화소에 형성된 것과 같은 TFT 또는 그 TFT의 게이트와 소스 또는 드레인의 한쪽을 접속하여 다이오드와 같이 동작시킨 보호회로부(2801)가 구비되어 있다. 구동회로(2809)는, 단결정 반도체로 형성된 드라이버 IC, 유리기판상에 다결정 반도체막으로 형성된 스틱 드라이버 IC, 또는 SAS로 형성된 구동회로 등이 적용되어 있다.
TFT 기판(2800)은, 액적토출법으로 형성된 스페이서(2806a), 스페이서(2806b)를 개재하여 밀봉기판(2820)과 고착되어 있다. 스페이서는, 기판의 두께가 얇고, 또한 화소부의 면적이 대형화된 경우에도, 2장의 기판의 간격을 일정하게 유지하기 위해서 형성하여 두는 것이 바람직하다. TFT(2802), TFT(2803)와 각각 접속하는 발광소자(2804), 발광소자(2805)상으로, TFT 기판(2800)과 밀봉기 판(2820)의 사이에 있는 공극에는 적어도 가시영역의 광에 대하여 투광성을 갖는 수지 재료를 충전하여 고체화하여도 좋고, 무수화한 질소 또는 불활성 기체를 충전시켜도 좋다.
도 16에서는 발광소자(2804), 발광소자(2805)를 상방 방사형(톱 이미션형;top emission mode)의 구성으로 한 경우를 도시하고, 도면 중에 나타내는 화살표시의 방향으로 광을 방사하는 구성으로 하고 있다. 각 화소는, 화소를 적색, 녹색, 청색으로 하여 발광색을 다르게 하여 두는 것으로, 다색 표시를 할 수 있다. 또한, 이 때 밀봉기판(2820)측에 각 색에 대응한 착색층(2807a), 착색층(2807b), 착색층(2807c)을 형성하여 두는 것으로, 외부로 방사되는 발광의 색순도를 높일 수 있다. 또한, 화소를 백색발광소자로서 착색층(2807a), 착색층(2807b), 착색층(2807c)과 조합하여도 좋다.
외부회로인 구동회로(2809)는, 외부회로기판(2811)의 일단에 형성된 주사선 또는 신호선 접속단자와, 배선기판(2810)으로 접속된다. 또한, TFT 기판(2800)에 접하여 또는 근접시켜, 열을 기기의 외부로 전하기 위해서 사용되는, 파이프형의 고효율의 열전도 디바이스인 히트파이프(2813)와 방열판(2812)을 형성하고, 방열 효과를 높이는 구성으로 하여도 좋다.
또, 도 16에서는, 톱 이미션의 EL 모듈로 하였지만, 발광소자의 구성이나 외부회로기판의 배치를 바꾸어 보텀 이미션 구조(bottom emission mode)는 물론 상면, 하면 양쪽으로부터 광이 방사하는 양쪽 방사 구조로 하여도 좋다. 톱 이미션형 구성의 경우, 격벽이 되는 절연층을 착색하여 블랙 매트릭스로 하여 사용하여도 좋다. 이 격벽은 액적토출법에 의해 형성할 수 있고, 폴리이미드 등의 수지 재료에, 안료계의 흑색수지나 카본 블랙 등을 혼합시켜 형성하면 좋고, 그 적층이어도 좋다.
또한, EL 표시 모듈은, 위상차판이나 편광판을 사용하여, 외부로부터 입사하는 광의 반사광을 차단하도록 하여도 좋다. 또한 상방 방사형 표시장치이면, 격벽이 되는 절연층을 착색하여 블랙 매트릭스로 하여 사용하여도 좋다. 이 격벽은 액적토출법 등에 의해서도 형성할 수 있고, 안료계의 흑색수지나, 폴리이미드 등의 수지 재료에, 카본 블랙 등을 혼합시켜도 좋고, 그 적층이어도 좋다. 액적토출법에 의해서, 다른 재료를 같은 영역에 복수회 토출하여, 격벽을 형성하여도 좋다. 위상차판, 위상차판으로서는 λ/4판과 λ/2판을 사용하여, 광을 제어할 수 있도록 설계하면 좋다. 구성으로서는, TFT 소자기판측으로부터 차례로, 발광소자, 밀봉기판(밀봉재), 위상차판, 위상차판(λ/4판, λ/2판), 편광판이라는 구성이 되고, 발광소자로부터 방사된 광은, 이들을 통과하여 편광판측으로부터 외부로 방사된다. 이 위상차판이나 편광판은 광이 방사되는 측에 설치하면 좋고, 양쪽 방사되는 양쪽 방사형 표시장치이면 양쪽에 설치할 수도 있다. 또한, 편광판의 외측에 반사방지막을 갖고 있어도 좋다. 이것에 의해, 더욱 고섬세하고 정밀한 화상을 표시할 수 있다.
TFT 기판(2800)에 있어서, 화소부가 형성된 측에 시일재나 접착성의 수지를 사용하여 수지필름을 접착하여 밀봉 구조를 형성하여도 좋다. 본 실시형태에서는, 유리기판을 사용하는 유리밀봉을 개시하였지만, 수지에 의한 수지밀봉, 플라스틱에 의한 플라스틱 밀봉, 필름에 의한 필름 밀봉, 등 여러 가지의 밀봉 방법을 사용할 수 있다. 수지필름의 표면에는 수증기의 투과를 방지하는 가스 배리어막을 형성하여 두면 좋다. 필름 밀봉 구조로 하는 것으로, 한층더 박형화 및 경량화를 도모할 수 있다.
본 실시형태는, 실시형태 1 내지 8, 실시형태 12, 실시형태 13과 각각 조합하여 사용하는 것이 가능하다.
(실시형태 15)
본 실시형태를 도 20a 및 도 20b를 참조하여 설명한다. 도 20a, 도 20b는, 본 발명을 적용하여 제조되는 TFT 기판(2600)을 사용하여 액정표시 모듈을 구성하는 일례를 도시하고 있다.
도 20a는 액정표시 모듈의 일례이고, TFT 기판(2600)과 대향기판(2601)이 시일재(2602)에 의해 고착되고, 그 사이에 화소부(2603)와 액정층(2604)이 형성되어 표시영역을 형성하고 있다. 착색층(2605)은 컬러표시를 하는 경우에 필요하고, RGB 방식의 경우는, 빨강, 초록, 파랑의 각 색에 대응한 착색층이 각 화소에 대응하여 형성되어 있다. TFT 기판(2600)과 대향기판(2601)의 외측에는 편광판(2606, 2607), 확산판(2613)이 배치되어 있다. 광원은 냉음극관(2610)과 반사판(2611)에 의해 구성되고, 회로기판(2612)은, 플렉시블 배선기판(2609)에 의해 TFT 기판(2600)과 접속되고, 컨트롤회로나 전원회로 등의 외부회로가 내장되어 있다. 또한 편광판과, 액정층의 사이에 위상차판을 가진 상태로 적층하여도 좋다.
액정표시 모듈에는, TN(Twisted Nematic) 모드, IPS(In-Plane-Switching) 모 드, FFS(Fringe Field Switching) 모드, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 모드, PVA(Patterned Vertical Alignment), ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell) 모드, OCB(Optical Compensated Birefringence) 모드, FLC(Ferroelectric Liquid Crystal) 모드, AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal) 등을 사용할 수 있다.
도 20b는 도 20a의 액정표시 모듈에 OCB 모드를 적용한 일례이고, FS-LCD(Field sequential-LCD)로 되어 있다. FS-LCD는, 1프레임기간에 적색발광과 녹색발광과 청색발광을 각각 행하는 것으로, 시간분할을 사용하여 화상을 합성하여 컬러표시를 하는 것이 가능하다. 또한, 각 발광을 발광다이오드 또는 냉음극관 등으로 하기 때문에, 컬러필터가 불필요하다. 따라서, 3원색의 컬러필터를 나열하여, 각 색의 표시영역을 한정할 필요가 없고, 어떤 영역에서나 3색 모든 표시를 할 수 있다. 한편, 1프레임기간에 3색의 발광을 하기 위해서, 액정의 고속의 응답이 요구된다. 본 발명의 표시장치에, FS 방식을 사용한 FLC 모드, 및 OCB 모드를 적용하여, 고성능으로 고화질의 표시장치, 또한 액정텔레비전장치를 완성시킬 수 있다.
OCB 모드의 액정층은, 소위 π셀 구조를 갖고 있다. π셀 구조는, 액정분자의 프리틸트각이 액티브 매트릭스기판과 대향기판의 기판간의 중심, 면에 대하여 면대칭의 관계로 배향된 구조이다. π셀 구조의 배향상태는, 기판간에 전압이 인가되어 있지 않을 때는 스프레이 배향이 되어, 전압을 인가하면 밴드 배향으로 이행한다. 이 밴드 배향이 백표시가 된다. 더욱 전압을 인가하면 밴드 배향의 액정 분자가 양 기판과 수직으로 배향하여, 광이 투과하지 않은 상태가 된다. 또, OCB 모드로 하면, 종래의 TN 모드보다 약 10배 빠른 고속 응답성을 실현할 수 있다.
또한, FS 방식에 대응하는 모드로서, 고속동작이 가능한 강유전성 액정(FLC : Ferroelectric Liquid Crystal)을 사용한 HV(Half V)-FLC, SS(Surface Stabilized)-FLC 등도 사용할 수 있다. OCB 모드는 점도가 비교적 낮은 네마틱액정을 사용하고, HV-FLC, SS-FLC에는, 강유전상을 갖는 스메틱액정을 사용할 수 있다.
또한, 액정표시 모듈의 고속 광학 응답속도는, 액정표시 모듈의 셀 갭을 좁게 하는 것으로 고속화한다. 또한 액정 재료의 점도를 내리는 것으로도 고속화할 수 있다. 상기 고속화는, TN 모드의 액정표시 모듈의 화소영역의 화소피치가 30㎛ 이하인 경우에 더욱 효과적이다. 또한, 인가전압을 순간만 높게(또는 낮게) 하는 오버드라이브법에 의해, 또 고속화가 가능하다.
도 20b의 액정표시 모듈은 투과형 액정표시 모듈을 도시하고 있고, 광원으로서 적색광원(2910a), 녹색광원(2910b), 청색광원(2910c)이 형성되어 있다. 광원은 적색광원(2910a), 녹색광원(2910b), 청색광원(2910c)의 각각 온오프를 제어하기 위해서, 제어부(2912)가 설치되어 있다. 제어부(2912)에 의해서, 각 색의 발광은 제어되고, 액정에 광이 입사되어, 시간분할을 사용하여 화상을 합성하여, 컬러표시가 행하여진다.
이상과 같이 본 발명을 사용하면, 고섬세, 고신뢰성의 액정표시 모듈을 제조할 수 있다.
본 실시형태는, 실시형태 1 내지 3, 실시형태 9 내지 13과 각각 조합하여 사용하는 것이 가능하다.
(실시형태 16)
본 발명에 의해서 형성되는 표시장치에 의해서, 텔레비전장치(단순히 텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 부름)를 완성시킬 수 있다. 도 27은 텔레비전장치의 주요한 구성을 나타내는 블록도를 도시하고 있다.
도 25a는 본 발명에 관계되는 표시 패널의 구성을 나타내는 상면도이고, 절연 표면을 갖는 기판(2700)상에 화소(2702)를 매트릭스형으로 배열시킨 화소부(2701), 주사선측 입력단자(2703), 신호선측 입력단자(2704)가 형성되어 있다. 화소수는 여러가지의 규격에 따라서 형성하면 좋고, XGA이며 RGB를 사용한 풀컬러표시이면 1024×768×3(RGB), UXGA이며 RGB를 사용한 풀컬러표시이면 1600×1200×3(RGB), 풀스펙 하이비전에 대응시켜, RGB를 사용한 풀컬러표시이면 1920×1080×3(RGB)으로 하면 좋다.
화소(2702)는, 주사선측 입력단자(2703)로부터 연장하는 주사선과, 신호선측 입력단자(2704)로부터 연장하는 신호선이 교차하는 것으로, 매트릭스형으로 배치된다. 화소부(2701)의 화소 각각에는, 스위칭소자와 이것에 접속하는 화소 전극층이 구비되어 있다. 스위칭소자의 대표적인 일례는 TFT이고, TFT의 게이트 전극층측이 주사선과, 소스 또는 드레인측이 신호선과 접속됨으로써, 개개의 화소를 외부로부터 입력하는 신호에 의해서 독립하여 제어 가능하게 하고 있다.
도 25a는, 주사선 및 신호선에 입력하는 신호를, 외부 장착의 구동회로에 의 해 제어하는 표시 패널의 구성을 도시하고 있지만, 도 26a에 도시하는 바와 같이, COG(Chip on Glass)방식에 의해 드라이버 IC(2751)를 기판(2700)상에 실장하여도 좋다. 또한 다른 실장형태로서, 도 26b에 도시하는 바와 같은 TAB(Tape Automated Bonding)방식을 사용하여도 좋다. 드라이버 IC는 단결정 반도체기판에 형성된 것이어도 좋고, 유리기판상에 TFT로 회로를 형성한 것이어도 좋다. 도 26에 있어서, 드라이버 IC(2751)는, FPC(2750; Flexible printed circuit)와 접속하고 있다.
또한, 화소에 형성하는 TFT를 결정성을 갖는 반도체로 형성하는 경우에는, 도 25b에 도시하는 바와 같이 주사선측 구동회로(3702)를 기판(3700)상에 형성할 수도 있다. 도 25b에 있어서, 화소부(3701)는, 신호선측 입력단자(3704)와 접속한 도 25a와 같이 외부 장착의 구동회로에 의해 제어한다. 화소에 형성하는 TFT를 이동도가 높은, 다결정(미결정) 반도체, 단결정 반도체 등으로 형성하는 경우는, 도 25c에 도시하는 바와 같이, 화소부(4701), 주사선 구동회로(4702)와, 신호선 구동회로(4704)를 기판(4700)상에 일체로 형성할 수도 있다.
표시 패널에는, 도 25a에서 도시하는 바와 같은 구성으로 하고, 도 27에 있어서, 화소부(901)만이 형성되어 주사선측 구동회로(903)와 신호선측 구동회로(902)가, 도 26b와 같은 TAB 방식에 의해 실장되는 경우와, 도 26a와 같은 COG 방식에 의해 실장되는 경우와, 도 25b에 도시하는 바와 같이 TFT를 형성하고, 화소부(901)와 주사선측 구동회로(903)를 기판상에 형성하여 신호선측 구동회로(902)를 별도 드라이버 IC로서 실장하는 경우, 또한 도 27에서 도시하는 바와 같이 화소부(901)와 신호선측 구동회로(902)와 주사선측 구동회로(903)를 기판상에 일체로 형성하는 경우 등이 있지만, 어떠한 형태로 하여도 좋다.
도 27에 있어서, 그 밖의 외부회로의 구성으로서, 영상신호의 입력측에서는, 튜너(904)에서 수신한 신호 중, 영상신호를 증폭하는 영상신호증폭회로(905)와, 거기로부터 출력되는 신호를 빨강, 초록, 파랑의 각 색에 대응한 색신호로 변환하는 영상신호처리회로(906)와, 그 영상신호를 드라이버 IC의 입력사양으로 변환하기 위한 컨트롤회로(907) 등으로 이루어져 있다. 컨트롤회로(907)는, 주사선측과 신호선측에 각각 신호가 출력한다. 디지털 구동하는 경우에는, 신호선측에 신호분할회로(908)를 형성하고, 입력 디지털 신호를 m개로 분할하여 공급하는 구성으로 하여도 좋다.
튜너(904)에서 수신한 신호 중, 음성신호는, 음성신호증폭회로(909)에 보내지고, 그 출력은 음성신호처리회로(910)를 거쳐서 스피커(913)에 공급된다. 제어회로(911)는 수신국(수신 주파수)이나 음량의 제어정보를 입력부(912)로부터 받아, 튜너(904)나 음성신호처리회로(910)에 신호를 송출한다.
이들의 표시 모듈을, 도 28a, 28b에 도시하는 바와 같이, 케이스에 넣어, 텔레비전장치를 완성시킬 수 있다. 표시 모듈로서 액정표시 모듈을 사용하면 액정텔레비전장치, EL 모듈을 사용하면 EL 텔레비전장치, 또한 플라즈마 텔레비전, 전자페이퍼 등도 제조할 수 있다. 도 28a에 있어서, 표시 모듈에 의해 주화면(2003)이 형성되고, 기타 부속설비로서 스피커부(2009), 조작 스위치 등이 구비되어 있다. 이와 같이, 본 발명에 의해 텔레비전장치를 완성시킬 수 있다.
케이스(2001)에 표시용 패널(2002)이 내장되고, 수신기(2005)에 의해 일반의 텔레비전방송의 수신을 비롯하여, 모뎀(2004)을 통해서 유선 또는 무선에 의한 통신네트워크에 접속함으로써 1방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자간, 또는 수신자간끼리)의 정보통신을 할 수 있다. 텔레비전장치의 조작은, 케이스에 내장된 스위치 또는 다른 리모콘장치(2006)에 의해 행하는 것이 가능하고, 이 리모콘장치에도 출력하는 정보를 표시하는 표시부(2007)가 형성되어 있어도 좋다.
또한, 텔레비전장치에도, 주화면(2003) 외에 서브화면(2008)을 제 2 표시용 패널로 형성하고, 채널이나 음량 등을 표시하는 구성이 부가되어 있어도 좋다. 이 구성에 있어서, 주화면(2003) 및 서브화면(2008)을 본 발명의 액정표시용 패널로 형성할 수 있고, 주화면(2003)을 시야각이 우수한 EL 표시용 패널로 형성하고, 서브화면을 저소비전력으로 표시 가능한 액정표시용 패널로 형성하여도 좋다. 또한, 저소비전력화를 우선시키기 위해서는, 주화면(2003)을 액정표시용 패널로 형성하고, 서브화면을 EL 표시용 패널로 형성하고, 서브화면은 점멸 가능하게 하는 구성으로 하여도 좋다. 본 발명을 사용하면, 이러한 대형기판을 사용하여, 많은 TFT나 전자부품을 사용하여도, 신뢰성이 높은 표시장치로 할 수 있다.
도 28b는 예를 들면 20 내지 80인치의 대형 표시부를 갖는 텔레비전장치로, 케이스(2010), 표시부(2011), 조작부인 리모콘장치(2012), 스피커부(2013) 등을 포함한다. 본 발명은, 표시부(2011)의 제조에 적용된다. 도 28b의 텔레비전장치는, 벽걸이형으로 되어 있어, 설치하는 스페이스를 넓게 필요로 하지 않는다.
물론, 본 발명은 텔레비전장치에 한정되지 않고, 퍼스널 컴퓨터의 모니터를 비롯하여, 철도의 역이나 공항 등에서의 정보표시반이나, 가두에서의 광고표시반 등 특히 대면적의 표시매체로서 여러 가지의 용도에 적용할 수 있다.
본 실시형태는, 상기한 실시형태 1 내지 15와 적절하게 자유롭게 조합할 수 있다.
(실시형태 17)
본 발명에 관계되는 전자기기로서, 텔레비전장치(단순히 텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 부름), 디지털카메라, 디지털비디오카메라 등의 카메라, 휴대전화장치(단지 휴대전화기, 휴대전화라고도 부름), PDA 등의 휴대정보단말, 휴대형 게임기, 컴퓨터용 모니터, 컴퓨터, 카오디오 등의 음향재생장치, 가정용 게임기 등의 기록매체를 구비한 화상재생장치 등을 들 수 있다. 그 구체적인 예에 관해서, 도 29를 참조하여 설명한다.
도 29a에 도시하는 휴대정보단말기기는, 본체(9201), 표시부(9202) 등을 포함하고 있다. 표시부(9202)는, 본 발명의 표시장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 간략화한 공정에서 저비용으로 제조할 수 있기 때문에, 고신뢰성의 휴대정보단말기기를 저가격으로 제공할 수 있다.
도 29b에 도시하는 디지털비디오카메라는, 표시부(9701), 표시부(9702) 등을 포함하고 있다. 표시부(9701)는 본 발명의 표시장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 간략화한 공정에서 저비용으로 제조할 수 있기 때문에, 고신뢰성의 디지털비디오카메라를 저가격으로 제공할 수 있다.
도 29c에 도시하는 휴대전화기는, 본체(9101), 표시부(9102) 등을 포함하고 있다. 표시부(9102)는, 본 발명의 표시장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 간략화한 공정에서 저비용으로 제조할 수 있기 때문에, 고신뢰성의 휴대전화기를 저가격으로 제공할 수 있다.
도 29d에 나타내는 휴대형 텔레비전장치는, 본체(9301), 표시부(9302) 등을 포함하고 있다. 표시부(9302)는, 본 발명의 표시장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 간략화한 공정에서 저비용으로 제조할 수 있기 때문에, 고신뢰성의 텔레비전장치를 저가격으로 제공할 수 있다. 또한 텔레비전장치로서는, 휴대전화기 등의 휴대단말에 탑재하는 소형부터, 운반을 할 수 있는 중형, 또, 대형(예를 들면 40인치 이상)까지, 폭넓은 것에, 본 발명의 표시장치를 적용할 수 있다.
도 29e에 도시하는 휴대형 컴퓨터는, 본체(9401), 표시부(9402) 등을 포함하고 있다. 표시부(9402)는, 본 발명의 표시장치를 적용할 수 있다. 그 결과, 간략화한 공정에서 저비용으로 제조할 수 있기 때문에, 고신뢰성의 컴퓨터를 저가격으로 제공할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 표시장치에 의해, 고신뢰성의 전자기기를 저가격으로 제공할 수 있다.
본 실시형태는, 상기한 실시형태 1 내지 16과 적절하게 자유롭게 조합할 수 있다.
도 1은 본 발명을 설명하는 개념도.
도 2는 본 발명을 설명하는 개념도.
도 3은 본 발명을 설명하는 개념도.
도 4는 본 발명을 설명하는 개념도.
도 5는 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 6은 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 7은 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 8은 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 9는 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 10은 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 11은 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 12는 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 13은 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 14는 본 발명의 표시장치의 제조방법을 설명하는 도면.
도 15는 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 16은 본 발명의 표시 모듈의 구성예를 설명하는 단면도.
도 17은 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 18은 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 19는 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 20은 본 발명의 표시 모듈의 구성예를 설명하는 단면도.
도 21은 본 발명의 표시장치를 설명하는 도면.
도 22는 본 발명에 적용할 수 있는 발광소자의 구성을 설명하는 도면.
도 23은 본 발명에 적용할 수 있는 발광소자의 구성을 설명하는 도면.
도 24는 본 발명에 적용할 수 있는 발광소자의 구성을 설명하는 도면.
도 25는 본 발명의 표시장치의 상면도.
도 26은 본 발명의 표시장치의 상면도.
도 27은 본 발명이 적용되는 전자기기의 주요한 구성을 도시하는 블록도.
도 28은 본 발명이 적용되는 전자기기를 도시하는 도면.
도 29는 본 발명이 적용되는 전자기기를 도시하는 도면.
도 30은 본 발명에 적용할 수 있는 레이저 직접 묘화 장치의 구성을 설명하는 도면.
도 31은 본 발명의 표시 패널에 있어서 주사선측 구동회로를 TFT로 형성하는 경우의 회로 구성을 설명하는 도면.
도 32는 본 발명의 표시 패널에 있어서 주사선측 구동회로를 TFT로 형성하는 경우의 회로 구성을 설명하는 도면(시프트 레지스터회로).
도 33은 본 발명의 표시 패널에 있어서 주사선측 구동회로를 TFT로 형성하는 경우의 회로 구성을 설명하는 도면(버퍼회로).
도 34는 본 발명을 설명하는 개념도.
도 35는 본 발명을 설명하는 개념도.
도 36은 본 발명을 설명하는 개념도.
Claims (12)
- 삭제
- 표시장치 제조 방법에 있어서:광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 및 상기 절연층에 선택적으로 레이저 광을 방출함으로써 상기 광 흡수층의 조사 영역의 일부 및 상기 절연층의 조사 영역을 제거하여, 상기 광 흡수층 및 상기 절연층에 개구를 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층과 접촉하도록 상기 개구에 도전막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층은 도전성 재료를 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 삭제
- 표시장치 제조 방법에 있어서:도전층을 형성하는 단계;상기 도전층 위에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 및 상기 절연층에 선택적으로 레이저 광을 방출함으로써 상기 광 흡수층의 조사 영역의 일부 및 상기 절연층의 조사 영역을 제거하여, 상기 광 흡수층 및 상기 절연층에 개구를 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층과 접촉하도록 상기 개구에 도전막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광 흡수층은 도전성 재료를 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 표시장치 제조 방법에 있어서:도전층을 형성하는 단계;상기 도전층 위에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 위에 절연층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 및 상기 절연층에 선택적으로 레이저 광을 방출함으로써 상기 도전층의 일부, 상기 광 흡수층의 조사 영역, 및 상기 절연층의 조사 영역을 제거하여, 상기 도전층, 상기 광 흡수층, 및 상기 절연층에 개구를 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 및 상기 도전층과 접촉하도록 상기 개구에 도전막을 형성하는 단계를 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 광 흡수층은 도전성 재료를 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 광 흡수층은 크롬, 탄탈, 은, 몰리브덴, 니켈, 티타늄, 코발트, 구리, 또는 알루미늄을 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 제 2 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 흡수층은 반도체 재료를 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 광 흡수층은 실리콘을 포함하는, 표시장치 제조 방법.
- 제 2 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연층은 상기 레이저 광을 투과시키는, 표시장치 제조 방법.
- 제 2 항, 제 4 항 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 표시장치는 휴대 정보 단말, 비디오 카메라, 휴대전화, 텔레비전, 및 컴퓨터로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나인, 표시장치 제조 방법.
- 제 2 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 광 흡수층은 크롬, 탄탈, 은, 몰리브덴, 니켈, 티타늄, 코발트, 구리, 또는 알루미늄을 포함하는, 표시장치 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-00205624 | 2006-07-28 | ||
JP2006205624 | 2006-07-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080011120A KR20080011120A (ko) | 2008-01-31 |
KR101349617B1 true KR101349617B1 (ko) | 2014-01-09 |
Family
ID=39022844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070075732A KR101349617B1 (ko) | 2006-07-28 | 2007-07-27 | 표시장치의 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7943287B2 (ko) |
KR (1) | KR101349617B1 (ko) |
CN (1) | CN101114611B (ko) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994021B2 (en) | 2006-07-28 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
KR101346246B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2013-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 제작방법 |
US8563431B2 (en) * | 2006-08-25 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7749907B2 (en) * | 2006-08-25 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
DE102006053890A1 (de) * | 2006-11-14 | 2008-05-21 | Eads Deutschland Gmbh | Kampfstoff-Detektor zur Detektion chemischer Kampfstoffe, Herstellungsverfahren und Verwendung eines Substrats als Kampfstoff-Detektor |
JP5205042B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US20100283717A1 (en) * | 2007-09-26 | 2010-11-11 | Hidekazu Oka | Illuminating device and display device |
US8056222B2 (en) * | 2008-02-20 | 2011-11-15 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Laser-based technique for the transfer and embedding of electronic components and devices |
WO2009107548A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and manufacturing method of light-emitting device |
US8182863B2 (en) * | 2008-03-17 | 2012-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and manufacturing method of light-emitting device |
CN101927453B (zh) * | 2009-06-20 | 2015-05-06 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 浅沟槽隔离结构的研磨装置 |
KR102047354B1 (ko) | 2010-02-26 | 2019-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US8525393B1 (en) * | 2011-01-12 | 2013-09-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Bimaterial microelectromechanical system (MEMS) solar power generator |
CN105789680B (zh) | 2011-08-08 | 2019-05-28 | 应用材料公司 | 具有用于激光图案化的集成光热阻挡层的薄膜结构和装置 |
US9958709B2 (en) | 2013-08-16 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Dynamic optical valve for mitigating non-uniform heating in laser processing |
KR102096800B1 (ko) * | 2013-11-26 | 2020-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
CN103887157B (zh) * | 2014-03-12 | 2021-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学掩膜板和激光剥离装置 |
CN104716197B (zh) * | 2015-03-25 | 2019-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种氧化物薄膜晶体管及制作方法和阵列基板、显示装置 |
CA3043791A1 (en) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | Institut National De La Recherche Scientifique | Method and system of laser-driven impact acceleration |
JP6616368B2 (ja) * | 2017-09-14 | 2019-12-04 | ファナック株式会社 | レーザ加工前に光学系の汚染レベルに応じて加工条件を補正するレーザ加工装置 |
CN109348100B (zh) * | 2018-10-17 | 2020-10-23 | 宁波为森智能传感技术有限公司 | 一种摄像模组及其组装工艺 |
CN109040567B (zh) * | 2018-10-17 | 2020-09-15 | 宁波为森智能传感技术有限公司 | 摄像模组及组装工艺 |
JP7391297B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-12-05 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
CN110600427A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示装置的制作方法及柔性显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11266068A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-09-28 | Canon Inc | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP2003249740A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法及び有孔部材 |
JP2005286317A (ja) | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにelテレビジョン |
Family Cites Families (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4594471A (en) * | 1983-07-13 | 1986-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US4713518A (en) * | 1984-06-08 | 1987-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device manufacturing methods |
AU583423B2 (en) * | 1985-09-21 | 1989-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device free from the electrical shortage through a semiconductor layer and method for manufacturing same |
KR900006772B1 (ko) * | 1985-11-06 | 1990-09-21 | 세미콘닥터 에너지 라보라토리 컴파니 리미티드 | 반도체층을 통한 전기적 단락이 없는 반도체 장치와 그 제조방법 |
US4752455A (en) * | 1986-05-27 | 1988-06-21 | Kms Fusion, Inc. | Pulsed laser microfabrication |
JPH0820638B2 (ja) * | 1986-08-08 | 1996-03-04 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 液晶装置およびその作製方法 |
JPS6384789A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
US5708252A (en) * | 1986-09-26 | 1998-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Excimer laser scanning system |
US4970196A (en) * | 1987-01-15 | 1990-11-13 | The Johns Hopkins University | Method and apparatus for the thin film deposition of materials with a high power pulsed laser |
US6261856B1 (en) * | 1987-09-16 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
US4937129A (en) * | 1988-01-06 | 1990-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film pattern structure formed on a glass substrate |
US4895735A (en) * | 1988-03-01 | 1990-01-23 | Texas Instruments Incorporated | Radiation induced pattern deposition |
US5187601A (en) * | 1988-03-07 | 1993-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for making a high contrast liquid crystal display including laser scribing opaque and transparent conductive strips simultaneously |
US6048588A (en) * | 1988-07-08 | 2000-04-11 | Cauldron Limited Partnership | Method for enhancing chemisorption of material |
US5501938A (en) * | 1989-03-30 | 1996-03-26 | Rexham Graphics Inc. | Ablation-transfer imaging/recording |
US5171650A (en) * | 1990-10-04 | 1992-12-15 | Graphics Technology International, Inc. | Ablation-transfer imaging/recording |
JPH02272815A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子の周波数微調整装置 |
US4987006A (en) * | 1990-03-26 | 1991-01-22 | Amp Incorporated | Laser transfer deposition |
US5173441A (en) * | 1991-02-08 | 1992-12-22 | Micron Technology, Inc. | Laser ablation deposition process for semiconductor manufacture |
JP3071851B2 (ja) * | 1991-03-25 | 2000-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置 |
US5292686A (en) * | 1991-08-21 | 1994-03-08 | Triquint Semiconductor, Inc. | Method of forming substrate vias in a GaAs wafer |
JP2592369B2 (ja) * | 1991-08-22 | 1997-03-19 | 富士通株式会社 | 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法 |
US5292559A (en) * | 1992-01-10 | 1994-03-08 | Amp Incorporated | Laser transfer process |
DE4228274C2 (de) * | 1992-08-26 | 1996-02-29 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontaktierung von auf einem Träger angeordneten elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen |
US5373627A (en) * | 1993-11-23 | 1994-12-20 | Grebe; Kurt R. | Method of forming multi-chip module with high density interconnections |
US5480097A (en) * | 1994-03-25 | 1996-01-02 | General Electric Company | Gas atomizer with reduced backflow |
US5567336A (en) * | 1994-10-24 | 1996-10-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding |
US5935462A (en) * | 1994-10-24 | 1999-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Repair of metal lines by electrostatically assisted laser ablative deposition |
US5683601A (en) * | 1994-10-24 | 1997-11-04 | Panasonic Technologies, Inc. | Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding |
US5866444A (en) * | 1995-03-21 | 1999-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Integrated circuit and method of fabricating the same |
TW284907B (en) * | 1995-06-07 | 1996-09-01 | Cauldron Lp | Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation |
JP3830623B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2006-10-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶性半導体膜の作製方法 |
JP3391717B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2003-03-31 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
US6159832A (en) * | 1998-03-18 | 2000-12-12 | Mayer; Frederick J. | Precision laser metallization |
JP3236266B2 (ja) | 1998-10-27 | 2001-12-10 | 鹿児島日本電気株式会社 | パターン形成方法 |
US6177151B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-01-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Matrix assisted pulsed laser evaporation direct write |
US6335151B1 (en) * | 1999-06-18 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Micro-surface fabrication process |
TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
US6641933B1 (en) * | 1999-09-24 | 2003-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting EL display device |
US6384427B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-05-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
KR100720066B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
JP3813402B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2006-08-23 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6815329B2 (en) * | 2000-02-08 | 2004-11-09 | International Business Machines Corporation | Multilayer interconnect structure containing air gaps and method for making |
US6413852B1 (en) * | 2000-08-31 | 2002-07-02 | International Business Machines Corporation | Method of forming multilevel interconnect structure containing air gaps including utilizing both sacrificial and placeholder material |
JP4993830B2 (ja) * | 2000-11-11 | 2012-08-08 | 三星電子株式会社 | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
KR20020038482A (ko) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
US6690081B2 (en) * | 2000-11-18 | 2004-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Compliant wafer-level packaging devices and methods of fabrication |
JP3542031B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2004-07-14 | 松下電器産業株式会社 | 冷陰極形成方法、及び電子放出素子並びにその応用デバイス |
JP3810629B2 (ja) | 2000-11-24 | 2006-08-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその半導体装置の製造方法 |
US6762124B2 (en) * | 2001-02-14 | 2004-07-13 | Avery Dennison Corporation | Method for patterning a multilayered conductor/substrate structure |
JP5181317B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2013-04-10 | Nltテクノロジー株式会社 | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
JP2003115650A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Yazaki Corp | 回路体の製造方法および製造装置 |
TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
JP3910908B2 (ja) * | 2002-10-29 | 2007-04-25 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用基板及びこの製造方法、並びに半導体装置 |
WO2004070810A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の製造方法 |
JP3940796B2 (ja) | 2003-03-19 | 2007-07-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電子供与性ガスの光検知方法 |
CN100467141C (zh) * | 2003-04-25 | 2009-03-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 图形的制作方法和液滴排出装置 |
WO2004097915A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 液滴吐出装置、パターンの形成方法、および半導体装置の製造方法 |
US7202155B2 (en) * | 2003-08-15 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing wiring and method for manufacturing semiconductor device |
EP1542272B1 (en) * | 2003-10-06 | 2016-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7226819B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method |
CN100464429C (zh) * | 2003-10-28 | 2009-02-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备及其制造方法,以及液晶电视接收机 |
US8742421B2 (en) * | 2003-12-02 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing the same, and television apparatus |
US7462514B2 (en) * | 2004-03-03 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television |
US7498647B2 (en) * | 2004-06-10 | 2009-03-03 | Micron Technology, Inc. | Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers |
US7247529B2 (en) * | 2004-08-30 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
JP2008515654A (ja) * | 2004-10-12 | 2008-05-15 | ナノシス・インク. | 導電性ポリマー及び半導体ナノワイヤに基づいてプラスチック電子部品を製造するための完全に集積化された有機層プロセス |
KR101074389B1 (ko) * | 2004-11-05 | 2011-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 식각 방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
US7732349B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of insulating film and semiconductor device |
US7579224B2 (en) * | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7651932B2 (en) * | 2005-05-31 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing antenna and method for manufacturing semiconductor device |
US7542301B1 (en) * | 2005-06-22 | 2009-06-02 | Alien Technology Corporation | Creating recessed regions in a substrate and assemblies having such recessed regions |
JP2007019014A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置及びその製造方法 |
KR20070035234A (ko) * | 2005-09-27 | 2007-03-30 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판의 제조 방법 및 이를 제조하기 위한 제조 장치 |
US8048473B2 (en) * | 2006-07-04 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
TWI427682B (zh) * | 2006-07-04 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
US7994021B2 (en) * | 2006-07-28 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
TWI427702B (zh) * | 2006-07-28 | 2014-02-21 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置的製造方法 |
TWI412079B (zh) * | 2006-07-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 製造顯示裝置的方法 |
KR101346246B1 (ko) * | 2006-08-24 | 2013-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 제작방법 |
US7651896B2 (en) * | 2006-08-30 | 2010-01-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8148259B2 (en) * | 2006-08-30 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5110830B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2012-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US20090152743A1 (en) * | 2007-12-15 | 2009-06-18 | Houssam Jomaa | Routing layer for a microelectronic device, microelectronic package containing same, and method of forming a multi-thickness conductor in same for a microelectronic device |
-
2007
- 2007-07-26 US US11/881,232 patent/US7943287B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-27 KR KR1020070075732A patent/KR101349617B1/ko active IP Right Grant
- 2007-07-30 CN CN2007101371282A patent/CN101114611B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11266068A (ja) * | 1998-01-14 | 1999-09-28 | Canon Inc | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
JP2003249740A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工方法及び有孔部材 |
JP2005286317A (ja) | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及びその作製方法、液晶テレビジョン、並びにelテレビジョン |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080011120A (ko) | 2008-01-31 |
US7943287B2 (en) | 2011-05-17 |
US20080182207A1 (en) | 2008-07-31 |
CN101114611B (zh) | 2011-07-06 |
CN101114611A (zh) | 2008-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101349617B1 (ko) | 표시장치의 제조방법 | |
KR101411960B1 (ko) | 표시장치의 제조방법 | |
KR101346246B1 (ko) | 표시장치 제작방법 | |
KR101407371B1 (ko) | 표시장치의 제작방법 | |
KR101326560B1 (ko) | 표시장치의 제작방법 | |
TWI427702B (zh) | 顯示裝置的製造方法 | |
TWI427682B (zh) | 顯示裝置的製造方法 | |
KR101351813B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR101414125B1 (ko) | 반도체장치의 제조 방법 및 에칭장치 | |
KR20080037594A (ko) | 반도체 장치의 제작 방법 | |
JP2008033284A (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP5230145B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP5371143B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP5127338B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP5041903B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2008034832A (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2008052268A (ja) | 表示装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161220 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171219 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181226 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191217 Year of fee payment: 7 |