JP2007019014A - 平板表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板と、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース/ドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、基板上に形成されたゲートと、ソース/ドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備える平板表示装置である。絶縁膜は、ゲート絶縁膜と画素電極とを限定する画素定義膜として作用する。
【選択図】図1
Description
110 基板
121 ソース電極
125 ドレイン電極
130 半導体層
140 絶縁膜
145 開口部
150 ゲート
160 下部電極
170 有機膜層
180 上部電極
Claims (28)
- 基板と、
前記基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層と、
基板上に形成されたゲートと、
前記ソース及びドレイン電極とゲートとの間に形成され、開口部を備える絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部によって一部分が露出される画素電極と、を備えることを特徴とする平板表示装置。 - 前記半導体層は、有機半導体物質を含み、
前記ソース及びドレイン電極は、異なる物質からなり、
前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延設されて、前記一つの電極と同じ物質からなることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記ソース及びドレイン電極のうち一つの電極は、ITO、IZO、ZnO及びIn2O3から選択される透過電極を備えるか、またはAg、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物から選択される反射物質とITO、IZO、ZnO及びIn2O3から選択される透明導電物質との積層膜を備える反射電極を備えることを特徴とする請求項2に記載の平板表示装置。
- 前記ソース電極及びドレイン電極のうち他の一つの電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質として、Au、Pd及びPtから選択される導電性物質を含むことを特徴とする請求項2に記載の平板表示装置。
- 前記半導体層は、有機半導体物質を含み、
前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極と連結されて、ソース及びドレイン電極と異なる物質からなることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記ソース及びドレイン電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質として、Au、Pd及びPtから選択される電極物質を含むことを特徴とする請求項5に記載の平板表示装置。
- 前記画素電極は、ITO、IZO、ZnO及びIn2O3から選択される透過電極を備えるか、またはAg、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物から選択される反射物質とITO、IZO、ZnO及びIn2O3から選択される透明導電物質との積層膜を備える反射電極を備えることを特徴とする請求項5に記載の平板表示装置。
- 前記半導体層は、有機半導体物質を含み、
前記ソース/ドレイン電極は、異なる物質からなり、
前記画素電極は、ソース及びドレイン電極のうち一つの電極から延設される反射膜と、前記反射膜とオーバーラップされるように形成された透明電極層とを備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 前記ソース電極/ドレイン電極のうち一つの電極と前記画素電極の前記反射膜とは、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びこれらの化合物から選択され、前記画素電極の前記透明電極層は、前記ITO、IZO、ZnO及びIn2O3から選択されることを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置。
- 前記ソース電極/ドレイン電極のうち他の一つの電極は、前記半導体層より大きい仕事関数を有する電極物質として、Au、Pd、Pt、酸化MoW及びPEDOTから選択される導電性物質を含むことを特徴とする請求項8に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は、有機絶縁膜または無機絶縁膜を備えるか、または有機−無機ハイブリッド膜を備え、単一膜または多層膜からなることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は、SiO2、SiNx、Al2O3、Ta2O5、BST、PZT、PS、フェノール系高分子、アクリル系高分子、ポリイミドのようなイミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、p−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子及びパリレンを含むグループから選択されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な物質として、SiO2、ポリイミド、PVP、パリレン及びPI/Al2O3を含むグループから選択されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は、レーザのビーム波長の吸収帯を有する発色団が混合されるか、または共重合体からなるPVC、PVA、PMMA及びフッ素系高分子物質を含むグループから選択される少なくとも何れか一つ以上の膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜に備えられている発色団の量は、0.005wt%であることを特徴とする請求項14に記載の平板表示装置。
- 前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成可能な物質として、PI/Al2O3、ポリイミド、PVP、パリレン、PVA、PVC、PMMAを含むグループから選択されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、レーザ転写が可能な物質として、異なる種類のポリマーを2つ以上混合した物質を使用するか、またはポリマーに低分子物質を混合した物質を使用することを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。
- 前記ポリマーは、ポリイミド、PVP、PVA、PVC、PMMA、パリレン及びポリスチレンから選択され、前記低分子物質は、ジルコニア及びアルミナから選択されることを特徴とする請求項17に記載の平板表示素子。
- 前記ポリマーと低分子物質とは、1:1ないし1:3の割合で混合することを特徴とする請求項17に記載の平板表示装置。
- 前記半導体層及びソース/ドレイン電極の厚さの和は、5000Å未満であることを特徴とする請求項17に記載の平板表示装置。
- 前記半導体層及びソース/ドレイン電極の厚さの和は、2000ないし3000Åであることを特徴とする請求項20に記載の平板表示装置。
- 基板上で交差して配列される複数のゲートライン及びデータラインと、
前記複数のゲートライン及びデータラインによって限定される複数の画素領域と、をさらに備え、
各画素領域には、前記ソース/ドレイン電極、前記半導体層及び前記ゲートを備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極またはドレイン電極のうち一つに連結される前記画素電極とを備え、
前記絶縁膜の開口部は、各画素領域に配列された画素電極の一部分を露出させるようにメッシュ状に配列されるか、または複数の画素領域のうちゲートラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態またはデータラインに沿って配列される画素電極の一部分を露出させるライン形態に配列されることを特徴とする請求項1に記載の平板表示装置。 - 基板上にソース及びドレイン電極、画素電極、前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされる半導体層を形成する工程と、
前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜を基板上に形成する工程と、
前記半導体層に対応する絶縁膜上にゲートを形成する工程と、を含むことを特徴とする平板表示装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、レーザ吸収が可能な絶縁物質を基板全面に蒸着した後、レーザアブレーション工程を通じて前記開口部に対応する部分をエッチングして形成することを特徴とする請求項23に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、インクジェット方式で形成された絶縁物質を前記開口部に対応する部分を除外した基板上に塗布して形成することを特徴とする請求項23に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜を形成する工程前に、基板の表面をプラズマ処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理工程は、前記開口部に対応する基板の表面をAr及びO2プラズマを利用してプラズマ処理するか、または前記開口部を除外した基板の表面をCF4またはC3F8を利用したフッ素系プラズマを用いてプラズマ処理することを特徴とする請求項26に記載の平板表示装置の製造方法。
- 前記絶縁膜は、レーザ転写法を利用して形成することを特徴とする請求項24に記載の平板表示装置の製造方法。
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