KR101168452B1 - 절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막및 그의 형성 방법 - Google Patents
절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막및 그의 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101168452B1 KR101168452B1 KR1020067025860A KR20067025860A KR101168452B1 KR 101168452 B1 KR101168452 B1 KR 101168452B1 KR 1020067025860 A KR1020067025860 A KR 1020067025860A KR 20067025860 A KR20067025860 A KR 20067025860A KR 101168452 B1 KR101168452 B1 KR 101168452B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- formula
- insulating film
- component
- forming
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims abstract description 79
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 24
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 24
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 24
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 16
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 16
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 14
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 10
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 9
- 125000004799 bromophenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 9
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 7
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 7
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 7
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 7
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 7
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000013522 chelant Substances 0.000 claims description 4
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 33
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 17
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 14
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 14
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 10
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 8
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LQJIYGHLYACICO-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)CC LQJIYGHLYACICO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 5
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 5
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 5
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 1,3-dibromo-5-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC(Br)=CC(Br)=C1 OQZAQBGJENJMHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 4-aminobutan-1-ol Chemical compound NCCCCO BLFRQYKZFKYQLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UUZYBYIOAZTMGC-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UUZYBYIOAZTMGC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AMSAPKJTBARTTR-UHFFFAOYSA-N butan-2-yl(trimethoxy)silane Chemical compound CCC(C)[Si](OC)(OC)OC AMSAPKJTBARTTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 4
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound NCC(O)CN UYBWIEGTWASWSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 3
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 3
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 3
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNJDQMRARVPSHZ-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetrabutylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCN(CCCC)CCCC DNJDQMRARVPSHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 2
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1COC(C)CO1 AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylbutoxy)ethanol Chemical compound CCC(CC)COCCO ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Natural products CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COCC(CC)CCCC YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRGXWTOLFOPIKV-UHFFFAOYSA-N 3-(methylamino)propan-1-ol Chemical compound CNCCCO KRGXWTOLFOPIKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-amine Chemical compound COCCCN FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 4-methyldioxolane Chemical compound CC1COOC1 LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATYUKIGQFAGPOB-UHFFFAOYSA-N CCOC(OCC)[SiH2]C[Si](OCC)(OCC)OCC Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]C[Si](OCC)(OCC)OCC ATYUKIGQFAGPOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LHXDLQBQYFFVNW-UHFFFAOYSA-N Fenchone Chemical compound C1CC2(C)C(=O)C(C)(C)C1C2 LHXDLQBQYFFVNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N Heptan-3-ol Chemical compound CCCCC(O)CC RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPLIEAVLKBXZCM-UHFFFAOYSA-N [diethoxy(methyl)silyl]-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)[Si](C)(OCC)OCC VPLIEAVLKBXZCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZEJSBRIMTYSOIH-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(phenyl)silyl]-dimethoxy-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZEJSBRIMTYSOIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 2
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSMIWEAIYFILPL-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCCCC)(OCCCC)C1=CC=CC=C1 OSMIWEAIYFILPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)OCC ZMAPKOCENOWQRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NYROPPYCYUGLLK-UHFFFAOYSA-N diethoxymethyl(diethoxymethylsilylmethyl)silane Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]C[SiH2]C(OCC)OCC NYROPPYCYUGLLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N diethyl(dimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)OC VSYLGGHSEIWGJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 2
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- GPCIFOPQYZCLTR-UHFFFAOYSA-N ethoxy-[ethoxy(diphenyl)silyl]-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si]([Si](OCC)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(OCC)C1=CC=CC=C1 GPCIFOPQYZCLTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N hexane-2,5-diol Chemical compound CC(O)CCC(C)O OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N methanolamine Chemical compound NCO XMYQHJDBLRZMLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940087646 methanolamine Drugs 0.000 description 2
- CWGBHCIGKSXFED-UHFFFAOYSA-N methoxy-[methoxy(dimethyl)silyl]-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)[Si](C)(C)OC CWGBHCIGKSXFED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CEXMDIMEZILRLH-UHFFFAOYSA-N methoxy-[methoxy(diphenyl)silyl]-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si]([Si](OC)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(OC)C1=CC=CC=C1 CEXMDIMEZILRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIHKMUNUGQVFES-UHFFFAOYSA-N n,n,n',n'-tetraethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCN(CC)CCN(CC)CC DIHKMUNUGQVFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)O GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M tetrapropylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC BGQMOFGZRJUORO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FBEVECUEMUUFKM-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC FBEVECUEMUUFKM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IVRXTRZVBJSOLZ-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-[2-tri(butan-2-yloxy)silylphenyl]silane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC=C1[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC IVRXTRZVBJSOLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AKYUXYJGXHZKLL-UHFFFAOYSA-N triethoxy(triethoxysilyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)[Si](OCC)(OCC)OCC AKYUXYJGXHZKLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIINUVYELHEORX-UHFFFAOYSA-N triethoxy(triethoxysilylmethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C[Si](OCC)(OCC)OCC NIINUVYELHEORX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIOGKDWMNMIDEY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(2-triethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1[Si](OCC)(OCC)OCC JIOGKDWMNMIDEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRBRVZDGOJHHFZ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(3-triethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC([Si](OCC)(OCC)OCC)=C1 MRBRVZDGOJHHFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JCGDCINCKDQXDX-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-trimethoxysilylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC[Si](OC)(OC)OC JCGDCINCKDQXDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LMQGXNPPTQOGDG-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trimethoxysilyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)[Si](OC)(OC)OC LMQGXNPPTQOGDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJYGUVIGOGFJOF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trimethoxysilylmethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C[Si](OC)(OC)OC DJYGUVIGOGFJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIRZROVNUPFFNZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(4-trimethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C([Si](OC)(OC)OC)C=C1 YIRZROVNUPFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNMJFQWRASXXMS-UHFFFAOYSA-M trimethyl(phenyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 GNMJFQWRASXXMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N tripropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH](OCCC)OCCC OZWKZRFXJPGDFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- LHXDLQBQYFFVNW-XCBNKYQSSA-N (+)-Fenchone Natural products C1C[C@]2(C)C(=O)C(C)(C)[C@H]1C2 LHXDLQBQYFFVNW-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- QWBMSBOCOLPXSW-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,2-pentamethoxyethyl(silyl)silane Chemical compound COC(OC)(OC)C(OC)(OC)[SiH2][SiH3] QWBMSBOCOLPXSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCCC MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPNCOQHHSGMKGI-UHFFFAOYSA-N 1-cyclononyldiazonane Chemical compound C1CCCCCCCC1N1NCCCCCCC1 PPNCOQHHSGMKGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFDXQGNDWIPXQL-UHFFFAOYSA-N 1-cyclooctyldiazocane Chemical compound C1CCCCCCC1N1NCCCCCC1 NFDXQGNDWIPXQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOC CNJRPYFBORAQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INBDDCGSKMZYFU-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol;1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O.CCOCC(C)O INBDDCGSKMZYFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FAOQEJMFGSVCDK-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethylpropoxy-diethoxy-methylsilane Chemical compound C[Si](OCC(C)(C)C)(OCC)OCC FAOQEJMFGSVCDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHKSKVKCKMGRDU-UHFFFAOYSA-N 2-(3-aminopropylamino)ethanol Chemical compound NCCCNCCO GHKSKVKCKMGRDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 2-(dibutylamino)ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCCC IWSZDQRGNFLMJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOMOPRKYOOSZKV-UHFFFAOYSA-N 2-(diethoxymethylsilyl)ethyl-triethoxysilane Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]CC[Si](OCC)(OCC)OCC NOMOPRKYOOSZKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIKZXMQZDHWCNW-UHFFFAOYSA-N 2-(dipropoxymethylsilyl)ethyl-tripropoxysilane Chemical compound CCCOC(OCCC)[SiH2]CC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC VIKZXMQZDHWCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWKPGMVENNYLFK-UHFFFAOYSA-N 2-(dipropylamino)ethanol Chemical compound CCCN(CCC)CCO SWKPGMVENNYLFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZICRFXCUVKDRG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(propyl)amino]ethanol Chemical compound CCCN(CCO)CCO OZICRFXCUVKDRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 2-[butyl(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound CCCCN(CCO)CCO GVNHOISKXMSMPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HITBDIPWYKTHIH-UHFFFAOYSA-N 2-[diethoxy(methyl)silyl]ethyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CC[Si](C)(OCC)OCC HITBDIPWYKTHIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPGIOCZAQDIBPI-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanamine Chemical compound CCOCCN BPGIOCZAQDIBPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASUDFOJKTJLAIK-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethanamine Chemical compound COCCN ASUDFOJKTJLAIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUWSCPBRVFRPFT-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-amine;hydrate Chemical compound O.CC(C)(C)N JUWSCPBRVFRPFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMWXCSCBUXKXSA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanamine Chemical compound CCCOCCN HMWXCSCBUXKXSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005133 29Si NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 3,3,5-trimethylcyclohexanol Chemical compound CC1CC(O)CC(C)(C)C1 BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 3-(cycloundecen-1-yl)-1,2-diazacycloundec-2-ene Chemical compound C1CCCCCCCCC=C1C1=NNCCCCCCCC1 WADSJYLPJPTMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMPODMBXLRMZSP-UHFFFAOYSA-N 3-(dibutylamino)propan-1-ol Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCO DMPODMBXLRMZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPUBRQWGZPPVBS-UHFFFAOYSA-N 3-butoxypropan-1-amine Chemical compound CCCCOCCCN LPUBRQWGZPPVBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOYBEXQHNURCGE-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxypropan-1-amine Chemical compound CCOCCCN SOYBEXQHNURCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTOXFQVLOTVLSD-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-amine Chemical compound CCCOCCCN UTOXFQVLOTVLSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WISMMKARALUELI-UHFFFAOYSA-N 4-butoxybutan-1-amine Chemical compound CCCCOCCCCN WISMMKARALUELI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDELFUQKNPLION-UHFFFAOYSA-N 4-ethoxybutan-1-amine Chemical compound CCOCCCCN GDELFUQKNPLION-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAQNAQUBYJGZAP-UHFFFAOYSA-N 4-propoxybutan-1-amine Chemical compound CCCOCCCCN BAQNAQUBYJGZAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXRIALULOSQAIV-UHFFFAOYSA-N BrC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound BrC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC KXRIALULOSQAIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDFOZPKTGVTPEP-UHFFFAOYSA-N C(C)(=O)OC(COCCCC)C.C(C)(=O)O.C(C(C)O)O Chemical compound C(C)(=O)OC(COCCCC)C.C(C)(=O)O.C(C(C)O)O MDFOZPKTGVTPEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKSSVYOBHYOJSS-UHFFFAOYSA-N C(C)C(O[Si](OC)(CCC)CCC)CC Chemical compound C(C)C(O[Si](OC)(CCC)CCC)CC CKSSVYOBHYOJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMZAPGYDTXWYAS-UHFFFAOYSA-N C(CC)[Si](OCC(CCC)(CCC)CCC)(OCC)OCC Chemical compound C(CC)[Si](OCC(CCC)(CCC)CCC)(OCC)OCC GMZAPGYDTXWYAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSXMKVQKDYEHJP-UHFFFAOYSA-N C(CCC)OCCO.C=C Chemical compound C(CCC)OCCO.C=C SSXMKVQKDYEHJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRUQEAHQMALSGC-UHFFFAOYSA-N CCCOC(OCCC)[SiH2]C[Si](OCCC)(OCCC)OCCC Chemical compound CCCOC(OCCC)[SiH2]C[Si](OCCC)(OCCC)OCCC YRUQEAHQMALSGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N Diisobutylcarbinol Chemical compound CC(C)CC(O)CC(C)C HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical class C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004166 Lanolin Substances 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N N-ethyldiethanolamine Chemical compound OCCN(CC)CCO AKNUHUCEWALCOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMIVMBYMDISYFZ-UHFFFAOYSA-N N-methylputrescine Chemical compound CNCCCCN RMIVMBYMDISYFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- VBIIFPGSPJYLRR-UHFFFAOYSA-M Stearyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C VBIIFPGSPJYLRR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930182558 Sterol Natural products 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMGXAYAWDCHLQR-UHFFFAOYSA-N [SiH3][Si](c1ccccc1)(c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound [SiH3][Si](c1ccccc1)(c1ccccc1)c1ccccc1 HMGXAYAWDCHLQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCEBXHSHURUJAY-UHFFFAOYSA-N [diethoxy(phenyl)silyl]-diethoxy-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 DCEBXHSHURUJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVOXQFWXJQZCJO-UHFFFAOYSA-N [diethyl(methoxy)silyl]-diethyl-methoxysilane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)[Si](CC)(CC)OC KVOXQFWXJQZCJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXTUPVQBBCBASF-UHFFFAOYSA-N [diethyl(phenoxy)silyl]-diethyl-phenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](CC)(CC)[Si](CC)(CC)OC1=CC=CC=C1 ZXTUPVQBBCBASF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOXVSHDJQLZMFJ-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(methyl)silyl]-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)[Si](C)(OC)OC BOXVSHDJQLZMFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJBYKPPJPGSLFX-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(phenoxy)silyl]-dimethyl-phenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C)(C)[Si](C)(C)OC1=CC=CC=C1 FJBYKPPJPGSLFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWDZTOMELWYJAW-UHFFFAOYSA-N [diphenoxy(phenyl)silyl]-diphenoxy-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 GWDZTOMELWYJAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUECIDVNGAUMGJ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.CCCCOCCOCCO FUECIDVNGAUMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTYLEVMOSBBKCQ-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-ethoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.CCOCCOCCO GTYLEVMOSBBKCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQICEOPIRHDDER-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)=O.COCCOCCO JQICEOPIRHDDER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTOATULEBMBWSO-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-ethoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.CCOCCO LTOATULEBMBWSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-methoxyethanol Chemical compound CC(O)=O.COCCO STWHDNSRIOHYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YYZDFJBMFTZYIE-UHFFFAOYSA-N benzene triethoxy-(4-triethoxysilylphenyl)silane Chemical compound C(C)O[Si](C1=CC=C(C=C1)[Si](OCC)(OCC)OCC)(OCC)OCC.C1=CC=CC=C1 YYZDFJBMFTZYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSKNSYBAZOQPLR-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonyl chloride Chemical compound ClS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 CSKNSYBAZOQPLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- UDYGXWPMSJPFDG-UHFFFAOYSA-M benzyl(tributyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CC1=CC=CC=C1 UDYGXWPMSJPFDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 KXHPPCXNWTUNSB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-dimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(C=C)C=C ZPECUSGQPIKHLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEVFICDEOWFKDU-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C(C)C)(OC(C)(C)C)C(C)C GEVFICDEOWFKDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQFDPFMHQDISLB-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 UQFDPFMHQDISLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRBSDIBKIHSJH-UHFFFAOYSA-N butyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC GNRBSDIBKIHSJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOWHVJAPAMPBEX-UHFFFAOYSA-N butyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C OOWHVJAPAMPBEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M cetyltrimethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WOWHHFRSBJGXCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- RHPPDKHKHGQLHP-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-dibutoxysilane Chemical compound CCCCO[Si](C(C)CC)(C(C)CC)OCCCC RHPPDKHKHGQLHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSLASQQLPGVYSK-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-diethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(C(C)CC)C(C)CC VSLASQQLPGVYSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVHRIKGOFGJBFM-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-dimethoxysilane Chemical compound CCC(C)[Si](OC)(OC)C(C)CC HVHRIKGOFGJBFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUNCIGAMQTWZFC-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yl)-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C(C)CC)(C(C)CC)OC1=CC=CC=C1 CUNCIGAMQTWZFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTABREFATMHOMD-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CCC(C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)OC(C)CC NTABREFATMHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DERJYZOBOMCDCS-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-dimethylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](C)(C)OC(C)CC DERJYZOBOMCDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCTLKEGMWAHKOY-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC=C1 MCTLKEGMWAHKOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMIHKBXLARWWKA-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-dipropylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](CCC)(CCC)OC(C)CC VMIHKBXLARWWKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQVIFXQWYJRMSX-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)methyl-[di(butan-2-yloxy)methylsilylmethyl]silane Chemical compound CCC(C)OC(OC(C)CC)[SiH2]C[SiH2]C(OC(C)CC)OC(C)CC DQVIFXQWYJRMSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVCNAZQXIVBYAD-UHFFFAOYSA-N di(propan-2-yl)-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C(C)C)(C(C)C)OC(C)C XVCNAZQXIVBYAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLBLHAHQBJSHED-UHFFFAOYSA-N di(propan-2-yl)-dipropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCC LLBLHAHQBJSHED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012973 diazabicyclooctane Substances 0.000 description 1
- URSLNVMUSKPBTL-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(dibutyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCCC)(CCCC)OCCCC URSLNVMUSKPBTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGQFVQQCNPBJKC-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(diethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CC)(CC)OCCCC MGQFVQQCNPBJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQNWJCQWBFHQAO-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(dimethyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(C)OCCCC GQNWJCQWBFHQAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKGSSPASYNBWRR-UHFFFAOYSA-N dibutoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCC)(CCC)OCCCC BKGSSPASYNBWRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOMDWSFYXGEOTE-UHFFFAOYSA-N dibutoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C(C)C)(C(C)C)OCCCC WOMDWSFYXGEOTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPENMAABQGWRBR-UHFFFAOYSA-N dibutyl(dimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)CCCC YPENMAABQGWRBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZLIIKNXMLEWPA-UHFFFAOYSA-N diethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](CCC)(OCC)OCC HZLIIKNXMLEWPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLLLMPDVVUYCB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[ethoxy(diethyl)silyl]-ethylsilane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)[Si](CC)(OCC)OCC ORLLLMPDVVUYCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWXBXCRTPJXEEE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[ethoxy(dimethyl)silyl]-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)[Si](C)(OCC)OCC XWXBXCRTPJXEEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVKJJEAEVBNODX-UHFFFAOYSA-N diethoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CCO[Si](C(C)C)(C(C)C)OCC VVKJJEAEVBNODX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACWCVISBUXZNGU-UHFFFAOYSA-N diethoxy-ethyl-triethoxysilylsilane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)[Si](OCC)(OCC)OCC ACWCVISBUXZNGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKIPWOVPMGZJAE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-phenyl-triethoxysilylsilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZKIPWOVPMGZJAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPXYUUROOZTYPX-UHFFFAOYSA-N diethoxymethyl(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]C(OCC)OCC PPXYUUROOZTYPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZCJJERBERAQKQ-UHFFFAOYSA-N diethyl(dipropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](CC)(CC)OCCC BZCJJERBERAQKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVEAHWYNNUEDST-UHFFFAOYSA-N diethyl-[ethyl(dimethoxy)silyl]-methoxysilane Chemical compound CC[Si](CC)(OC)[Si](CC)(OC)OC SVEAHWYNNUEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWPNXHXXRLYCHZ-UHFFFAOYSA-N diethyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(CC)OC(C)C ZWPNXHXXRLYCHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dipropyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)CCC JVUVKQDVTIIMOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(C(C)C)C(C)C VHPUZTHRFWIGAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISRAHSWMKHSHAG-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-trimethoxysilylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)[Si](OC)(OC)OC ISRAHSWMKHSHAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPILIIPBPKDNTR-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethyl(dimethoxymethylsilylmethyl)silane Chemical compound COC(OC)[SiH2]C[SiH2]C(OC)OC ZPILIIPBPKDNTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWLVAJXQIOKFSJ-UHFFFAOYSA-N dimethyl(diphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C)(C)OC1=CC=CC=C1 SWLVAJXQIOKFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDTCYQUMKGXSMX-UHFFFAOYSA-N dimethyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][SiH](C)C JDTCYQUMKGXSMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAXCVGVJXLYDKZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl-[methyl(diphenoxy)silyl]-phenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C)(OC=1C=CC=CC=1)[Si](C)(C)OC1=CC=CC=C1 OAXCVGVJXLYDKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPXCAJONOPIXJI-UHFFFAOYSA-N dimethyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(C)OC(C)C BPXCAJONOPIXJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- YLDKQPMORVEBRU-UHFFFAOYSA-N diphenoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 YLDKQPMORVEBRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCLLMMBZLXTPCO-UHFFFAOYSA-N diphenoxy-[phenoxy(diphenyl)silyl]-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ZCLLMMBZLXTPCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPKFEPIUGPNLAR-UHFFFAOYSA-N diphenoxy-di(propan-2-yl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C(C)C)(C(C)C)OC1=CC=CC=C1 JPKFEPIUGPNLAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBVDSENPNYQTJL-UHFFFAOYSA-N diphenyl(phenylsilyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2][SiH](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LBVDSENPNYQTJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAPWZQHBOVKNHP-UHFFFAOYSA-N diphenyl-di(propan-2-yloxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 QAPWZQHBOVKNHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- PCCKJULOKAICID-UHFFFAOYSA-N dipropoxymethyl-[2-(dipropoxymethylsilyl)ethyl]silane Chemical compound CCCOC(OCCC)[SiH2]CC[SiH2]C(OCCC)OCCC PCCKJULOKAICID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SACPKRUZWRIEBW-UHFFFAOYSA-N dipropoxysilane Chemical compound CCCO[SiH2]OCCC SACPKRUZWRIEBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWCASPKBFBALDG-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(diethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)OCC GWCASPKBFBALDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OANIYCQMEVXZCJ-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(dimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OANIYCQMEVXZCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLUVFMWFBUHVNA-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl(dimethyl)silane Chemical compound CC(C)(C)[Si](C)(C)C(C)(C)C FLUVFMWFBUHVNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEHYCIQPPPQNMI-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C=C)OC1=CC=CC=C1 FEHYCIQPPPQNMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQRPSOKLSZSNAR-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C=C BQRPSOKLSZSNAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFZOXQUFSGKMDQ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-[ethoxy(diethyl)silyl]-diethylsilane Chemical compound CCO[Si](CC)(CC)[Si](CC)(CC)OCC OFZOXQUFSGKMDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSCNLGHKALSYKF-UHFFFAOYSA-N ethoxymethanamine Chemical compound CCOCN QSCNLGHKALSYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N ethyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](CC)(OCCC)OCCC KUCGHDUQOVVQED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IFIOAMBFOHEANZ-UHFFFAOYSA-N ethyl-[ethyl(dimethoxy)silyl]-dimethoxysilane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)[Si](CC)(OC)OC IFIOAMBFOHEANZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNKNMONNHUJINA-UHFFFAOYSA-N ethyl-[ethyl(diphenoxy)silyl]-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](CC)(OC=1C=CC=CC=1)OC=1C=CC=CC=1)(CC)OC1=CC=CC=C1 ZNKNMONNHUJINA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJEBOFHQMBHCKC-UHFFFAOYSA-N ethyl-diphenoxy-triphenoxysilylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC=1C=CC=CC=1)(CC)OC1=CC=CC=C1 CJEBOFHQMBHCKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 229930006735 fenchone Natural products 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CTHCTLCNUREAJV-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4,6-trione Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(C)=O CTHCTLCNUREAJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N hexan-2-yl acetate Chemical compound CCCCC(C)OC(C)=O RXTNIJMLAQNTEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940039717 lanolin Drugs 0.000 description 1
- 235000019388 lanolin Nutrition 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- YHZBUJHAUIOWDL-UHFFFAOYSA-N methyl-bis[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH](C)OC(C)(C)C YHZBUJHAUIOWDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFSRIWJYYDYFOH-UHFFFAOYSA-N methyl-diphenoxy-triphenoxysilylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 MFSRIWJYYDYFOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- RYPNVAIMJHBIQS-UHFFFAOYSA-N n'-butylbutane-1,4-diamine Chemical compound CCCCNCCCCN RYPNVAIMJHBIQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFPGBRPWDZFIPP-UHFFFAOYSA-N n'-butylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCCNCCN DFPGBRPWDZFIPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXGKHEPWMCJHQE-UHFFFAOYSA-N n'-butylmethanediamine Chemical compound CCCCNCN WXGKHEPWMCJHQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIFWXJNZWLWCGL-UHFFFAOYSA-N n'-butylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCCCNCCCN MIFWXJNZWLWCGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCZVXVGZMZRGRU-UHFFFAOYSA-N n'-ethylethane-1,2-diamine Chemical compound CCNCCN SCZVXVGZMZRGRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJRGWIVWXMEKCL-UHFFFAOYSA-N n'-ethylmethanediamine Chemical compound CCNCN JJRGWIVWXMEKCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODGYWRBCQWKSSH-UHFFFAOYSA-N n'-ethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCNCCCN ODGYWRBCQWKSSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFIGICHILYTCJF-UHFFFAOYSA-N n'-methylethane-1,2-diamine Chemical compound CNCCN KFIGICHILYTCJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOTDURGROKNGTI-UHFFFAOYSA-N n'-methylmethanediamine Chemical compound CNCN XOTDURGROKNGTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJABUZHRJTCAR-UHFFFAOYSA-N n'-methylpropane-1,3-diamine Chemical compound CNCCCN QHJABUZHRJTCAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHQFRBNLAGNQOE-UHFFFAOYSA-N n'-propylbutane-1,4-diamine Chemical compound CCCNCCCCN GHQFRBNLAGNQOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNHVUGPXZUTRR-UHFFFAOYSA-N n'-propylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCNCCN CFNHVUGPXZUTRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTHFGDLJWMNYJT-UHFFFAOYSA-N n'-propylmethanediamine Chemical compound CCCNCN NTHFGDLJWMNYJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWKYZAGJTTTXOK-UHFFFAOYSA-N n'-propylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCCNCCCN OWKYZAGJTTTXOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKPYFLIYNGWTE-UHFFFAOYSA-N n,o-dimethylhydroxylamine Chemical compound CNOC KRKPYFLIYNGWTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROHAJWIUPFLJJM-UHFFFAOYSA-N n-butoxymethanamine Chemical compound CCCCONC ROHAJWIUPFLJJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N octadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCO GLDOVTGHNKAZLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N phenyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC=C1 FABOKLHQXVRECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPLNCHFJAOKWBT-UHFFFAOYSA-N phenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 VPLNCHFJAOKWBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- SZEGZMUSBCXNLO-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C(C)C SZEGZMUSBCXNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- QLGGKSSLRJWNNV-UHFFFAOYSA-N propoxymethanamine Chemical compound CCCOCN QLGGKSSLRJWNNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N protonated dimethyl amine Natural products CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 235000003702 sterols Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- ASEHKQZNVUOPRW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)(C)C ASEHKQZNVUOPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBCWQJZHAOTDLY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C(C)(C)C)OC1=CC=CC=C1 YBCWQJZHAOTDLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTIRVQGNGQSJNF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C(C)(C)C UTIRVQGNGQSJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVEXJEOBOQONBC-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C(C)(C)C HVEXJEOBOQONBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIMIJXSZMVGEJR-UHFFFAOYSA-M tetra(nonyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCC[N+](CCCCCCCCC)(CCCCCCCCC)CCCCCCCCC BIMIJXSZMVGEJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC YMBCJWGVCUEGHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYSDERHSJJEJDS-UHFFFAOYSA-M tetrakis-decylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCC[N+](CCCCCCCCCC)(CCCCCCCCCC)CCCCCCCCCC ZYSDERHSJJEJDS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)C DDFYFBUWEBINLX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DCFYRBLFVWYBIJ-UHFFFAOYSA-M tetraoctylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCC[N+](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)CCCCCCCC DCFYRBLFVWYBIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M tetrapentylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCC[N+](CCCCC)(CCCCC)CCCCC JVOPCCBEQRRLOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N tetraphenyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJKOMXZUJBYOOK-UHFFFAOYSA-M tetraphenylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C1=CC=CC=C1[N+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZJKOMXZUJBYOOK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- SGZJOYFOVHWDFY-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-[3-tri(butan-2-yloxy)silylphenyl]silane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC([Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC)=C1 SGZJOYFOVHWDFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHQDJCZAQGWXBC-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-ethenylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C=C MHQDJCZAQGWXBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCDRXIBYKFIRQR-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-phenylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C1=CC=CC=C1 PCDRXIBYKFIRQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQGFMKPTBYFTM-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-propan-2-ylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)C(C)C QSQGFMKPTBYFTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZARIZDBUWOPYMT-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)-propylsilane Chemical compound CCC(C)O[Si](CCC)(OC(C)CC)OC(C)CC ZARIZDBUWOPYMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)O[SiH](OC(C)CC)OC(C)CC COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEKZKCDJQLBBRA-UHFFFAOYSA-N tributoxy(butyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCCC)(OCCCC)OCCCC DEKZKCDJQLBBRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INUOIYMEJLOQFN-UHFFFAOYSA-N tributoxy(phenyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C1=CC=CC=C1 INUOIYMEJLOQFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAAWAIHPWOJHJJ-UHFFFAOYSA-N tributoxy(propyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](CCC)(OCCCC)OCCCC WAAWAIHPWOJHJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVXBTESZGSNIIB-UHFFFAOYSA-N tributoxy(tert-butyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C(C)(C)C MVXBTESZGSNIIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYXLOEAJFSQDQG-UHFFFAOYSA-N tributoxy-(2-tributoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)C1=CC=CC=C1[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC ZYXLOEAJFSQDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N tributoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH](OCCCC)OCCCC UCSBCWBHZLSFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULIAPOFMBCCSPE-UHFFFAOYSA-N tridecan-7-one Chemical compound CCCCCCC(=O)CCCCCC ULIAPOFMBCCSPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZRJPHXTEXTLHY-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-triethoxysilylethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC[Si](OCC)(OCC)OCC IZRJPHXTEXTLHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)C BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYJNCOSWWOMZHX-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(4-triethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=C([Si](OCC)(OCC)OCC)C=C1 YYJNCOSWWOMZHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNYWDHFOQZZIDQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(2-trimethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1[Si](OC)(OC)OC KNYWDHFOQZZIDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilicon Chemical group CO[Si](OC)OC PZJJKWKADRNWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][Si](C)(C)C VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXJNGXCZSCHDFE-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(phenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 IXJNGXCZSCHDFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNNJGIKXHZZGCV-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C(C)C)OC1=CC=CC=C1 FNNJGIKXHZZGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUCRQDBOUNQJFE-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(triphenoxysilyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 MUCRQDBOUNQJFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMAKWPVRMIUZBP-UHFFFAOYSA-N tripropoxy-(3-tripropoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=CC([Si](OCCC)(OCCC)OCCC)=C1 YMAKWPVRMIUZBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOUOZDXPXSKVEL-UHFFFAOYSA-N tripropoxy-(4-tripropoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C1=CC=C([Si](OCCC)(OCCC)OCCC)C=C1 FOUOZDXPXSKVEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N tripropylamine Chemical compound CCCN(CCC)CCC YFTHZRPMJXBUME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBGOZMPAPWGNGR-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-[2-[tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl]ethyl]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)CC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C GBGOZMPAPWGNGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNKMRNUOGTXRCM-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-[3-[tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl]phenyl]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=CC([Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)=C1 NNKMRNUOGTXRCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PITXUFPLSLHXRV-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-[4-[tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silyl]phenyl]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=C([Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C)C=C1 PITXUFPLSLHXRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJJZQRNPNLTSNS-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-[tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silylmethyl]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QJJZQRNPNLTSNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGOOITCIBGXHJO-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-phenylsilane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C1=CC=CC=C1 KGOOITCIBGXHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJIHPVLPZKWFBL-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-propan-2-ylsilane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C MJIHPVLPZKWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(C)O XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
- C08G77/50—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms by carbon linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/14—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
- H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
- H01L21/02348—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
- H01L21/02351—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to corpuscular radiation, e.g. exposure to electrons, alpha-particles, protons or ions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
본 발명의 절연막 형성용 조성물은, (A) 성분 (하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물의 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란 화합물)을 (B) 성분 (주쇄가 -(Si-CH2)x-로 표시되는 구조이고, 하기 화학식 4로 표시되는 구조, 하기 화학식 5로 표시되는 구조, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 폴리카르보실란)의 존재하에서 가수분해 축합하여 얻어진 가수분해 축합물, 및 유기 용매를 포함한다.
<화학식 1>
RaSi(OR1)4-a
<화학식 2>
Si(OR2)4
<화학식 3>
R3 b(R4O)3- bSi-(R7)d-Si(OR5)3- cR6 c
<화학식 4>
<화학식 5>
<화학식 6>
<화학식 7>
절연막 형성용 조성물, 실리카계 절연막, 가수분해 축합물, 유기 용매
Description
본 발명은 절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막 및 그의 형성 방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 반도체 소자에서의 층간 절연막 등에 바람직하게 사용할 수 있는 절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막 및 그의 형성 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 소자 등에서의 층간 절연막으로서, CVD법 등의 진공 공정에 의해 형성된 실리카(Si02)막이 다수 사용되고 있다. 그리고, 최근 보다 균일한 막 두께를 갖는 층간 절연막을 형성하는 것을 목적으로서, SOG(Spin on Glass)막이라고 불리는 테트라알콕실란의 가수분해 생성물을 주성분으로 하는 도포형의 절연막도 사용되고 있다. 또한, 반도체 소자 등의 고집적화에 따라, 유기 SOG라고 불리는 폴리오르가노실록산을 주성분으로 하는 저비유전율의 층간 절연막의 개발도 행해지고 있다.
그러나, 반도체 소자 등이 한층더 고집적화 또는 다층화됨에 따라, 보다 우수한 도체간의 전기 절연성이 요구되고 있으며, 따라서 보존 안정성이 양호하고, 보다 저비유전율일 뿐만 아니라, 기계적 강도가 보다 우수한 층간 절연막이 요구되고 있다.
또한, 반도체 장치의 제조 과정에서는, 절연층을 평탄화하기 위한 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정이나, 각종 세정 공정이 행해진다. 그 때문에, 반도체 장치의 층간 절연막이나 보호막 등에 적용하기 위해서는, 유전율 특성 이외에 기계적 강도나 약액에 의한 침식에 견딜 수 있을 정도의 약액내성을 갖는 것도 요구되고 있다.
저비유전율의 재료로서는, 암모니아의 존재하에 알콕시실란을 축합하여 얻어지는 미립자와 알콕시실란의 염기성 부분 가수분해물의 혼합물을 포함하는 조성물(일본 특허 공개 (평)5-263045호 공보 및 일본 특허 공개 (평)5-315319호 공보)나, 폴리알콕시실란의 염기성 가수분해물을 암모니아의 존재하에 축합함으로써 얻어진 도포액(일본 특허 공개 (평)11-340219호 공보 및 일본 특허 공개 (평)11-340220호 공보)이 제안되어 있다. 그러나, 이들의 방법으로 얻어지는 재료는, 반응 생성물의 성질이 안정적이지 않고, 도막의 비유전율, 균열내성, 기계적 강도 및 밀착성 등의 변동도 크기 때문에 공업적 생산에는 부적합하였다.
또한, 폴리카르보실란 용액과 폴리실록산 용액을 혼합함으로써 도포액을 제조하여, 저유전율 절연막을 형성하는 방법(일본 특허 공개 제2001-127152호 공보 및 일본 특허 공개 제2001-345317호 공보)이 제안되어 있지만, 이 방법에서는 카르 보실란과 폴리실록산의 도메인이 불균일한 상태로 도막 중에 각각 분산된다는 문제점이 있었다.
또한, 유기 금속 실란 화합물로부터 카본 브릿지 함유 실란 올리고머를 제조한 후, 가수분해 축합하여 얻어지는 유기 실리케이트 중합체를 사용하는 방법(WO2002-098955)도 제안되어 있지만, 이 방법으로 얻어지는 재료는, 반응 생성물의 안정성이 악화되어 장기 보관에 적합하지 않은 재료일 뿐만 아니라, 기판에 대한 밀착성이 악화된다는 문제점이 있었다.
또한, 고분지인 폴리카르보실란을 가수분해 축합하여 얻어지는 저유전율 절연막의 형성 방법(US-6, 807, 041)도 제안되어 있지만, 중합체를 기판에 도포한 후, 암모니아에 의한 에이징 처리, 트리메틸실릴화 처리 및 500 ℃의 고온 경화 등의 공정 처리가 필요로 되기 때문에, 실용 공정에는 부적합한 재료였다.
본 발명의 목적은, 고집적화 및 다층화가 요망되고 있는 반도체 소자 등에서 바람직하게 사용할 수 있으며, 저비유전율이고, 기계적 강도, 보존 안정성 및 약액내성 등도 우수한 절연막을 형성할 수 있는 절연막 형성용 조성물 및 그의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은 저비유전율이고, 기계적 강도, 보존 안정성 및 약액내성 등도 우수한 실리카계 절연막 및 그의 형성 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물은,
(A) 성분 (하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물의 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란 화합물)을 (B) 성분 (주쇄가 -(Si-CH2)x-로 표시되는 구조를 포함하며, 하기 화학식 4로 표시되는 구조, 하기 화학식 5로 표시되는 구조, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 폴리카르보실란)의 존재하에서 가수분해 축합하여 얻어진 가수분해 축합물, 및
유기 용매
를 포함한다.
식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1은 1가의 유기기를 나타내고, a는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.
식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
식 중, R3 내지 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 1가의 유기기를 나타내고, b 및 c는 동일하거나 상이하고, 0 내지 2의 수를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)m-으로 표시되는 기 (여기서, m은 1 내지 6의 정수임)를 나타내고, d는 0 또는 1을 나타낸다.
식 중, R8은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
식 중, R9 및 R10은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시 기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
식 중, R11 내지 R13은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물에서, 상기 (A) 성분을 (A) 성분의 완전 가수분해 축합물로 환산한 100 중량부에 대하여 상기 (B) 성분이 1 내지 1000 중량부일 수 있다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물에서, 상기 (B) 성분의 분자 중 하기 화학식 4로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%이고, 하기 화학식 5로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%이고, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조가 20 내지 50 몰%이고, 하기 화학식 7로 표시되는 구조가 30 내지 60 몰%일 수 있다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물에서, 상기 (B) 성분의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 700 내지 10,000일 수 있다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물에서, 상기 (B) 성분은 분자 중에 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 구조로 존재하는 규소 원자 이외에는 규소 원자를 포함하지 않을 수 있다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물에서, 상기 가수분해 축합은 염기성 촉매, 산성 촉매 또는 금속 킬레이트 촉매의 존재하에 행할 수 있다. 이 경우, 상기 염기성 촉매는 하기 화학식 8로 표시되는 질소 함유 화합물일 수 있다.
식 중, X1, X2, X3, X4는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 히드록시알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, Y는 할로겐 원자 또는 1 내지 4가의 음이온성기를 나타내며, a'는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.
본 발명의 절연막 형성용 조성물의 제조 방법은, 가수분해 축합물 및 유기 용매를 포함하는 절연막 형성용 조성물의 제조 방법이며,
(A) 성분 (하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물의 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란 화합물)을 (B) 성분 (주쇄가 -(Si-CH2)x-로 표시되는 구조를 포함하고, 하기 화학식 4로 표시되는 구조, 하기 화학식 5로 표시되는 구조, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 폴리카르보실란)의 존재하에서 가수분해 축합하여 상기 가수분해 축합물을 얻는 공정을 포함한다.
<화학식 1>
RaSi(OR1)4-a
식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기, R1은 1가의 유기기, a는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.
<화학식 2>
Si(OR2)4
식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
<화학식 3>
R3 b(R4O)3- bSi-(R7)d-Si(OR5)3- cR6 c
식 중, R3 내지 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 1가의 유기기, b 및 c는 동일하거나 상이하고, 0 내지 2의 수를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)m-으로 표시되는 기 (여기서, m은 1 내지 6의 정수임), d는 0 또는 1을 나타낸다.
<화학식 4>
<화학식 5>
식 중, R8은 수소 원자, 할로겐 원자?,히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
<화학식 6>
식 중, R9 및 R10은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
<화학식 7>
식 중, R11 내지 R13은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물의 제조 방법에서, 상기 (A) 성분을 (A) 성분의 완전 가수분해 축합물로 환산한 100 중량부에 대하여 상기 (B) 성분이 1 내지 1000 중량부일 수 있다.
여기서, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물의 제조 방법에서, 상기 가수분해 축합은 염기성 촉매, 산성 촉매, 또는 금속 킬레이트 촉매의 존재하에 행해질 수 있다. 이 경우, 상기 염기성 촉매는 하기 화학식 8로 표시되는 질소 함유 화합물일 수 있다.
<화학식 8>
(X1X2X3X4N)a'Y
식 중, X1, X2, X3, X4는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 히드록시알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고, Y는 할로겐 원자 또는 1 내지 4가의 음이온성기를 나타내며, a'는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.
본 발명의 실리카계 절연막의 형성 방법은,
상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 공정과,
상기 도막에 대하여 가열, 전자선 조사, 자외선 조사 및 산소 플라즈마로부터 선택되는 1종 이상의 경화 처리를 행하는 공정을 포함한다.
본 발명에 따른 실리카계 절연막은, 상기 본 발명의 실리카계 절연막의 형성 방법에 의해 얻어진다.
본 발명의 막 형성용 조성물에 따르면, (B) 성분의 존재하에 (A) 성분을 가수분해 축합하여 얻어진 가수분해 축합물을 포함한다. 이 가수분해 축합에서는, (A) 성분이 가수분해를 일으켜 실라놀기(-Si-OH)를 형성함과 동시에, (B) 성분 내에도 가수분해에 의한 실라놀기의 생성이 진행된다. 이 실라놀기가 축합 반응을 일으켜 Si-O-Si 결합을 형성하는 것이 가능하다. (B) 성분이 실라놀기를 갖거나, 또는 가수분해에 의해 실라놀기가 발생하는 경우, 이 가수분해 축합 반응은 본질적으로는 진행되지만, (B) 성분의 구조에 따라 (B) 성분 중에 존재하는 실라놀기의 대부분이 축합을 일으키지 않고 그대로 존재하는 경우도 있기 때문에, 보존 안정성이 악화되며, 절연막으로 한 경우에는, 실라놀기의 존재 및 실라놀기에 수분이 흡착됨으로써, 유전율이 매우 높은 절연막이 된다. 그러나, 본 발명의 막 형성용 조성물에 따르면, (B) 성분이 상기 화학식 4로 표시되는 구조, 상기 화학식 5로 표시 되는 구조, 상기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 상기 화학식 7로 표시되는 구조를 가짐으로써, 보존 안정성이 양호하게 유지되고, 저유전율을 달성할 수 있을 정도까지 (A) 성분과의 축합 반응을 진행시키는 것이 가능하며, 삼차 구조적으로 분지도(extent of branching)가 높을 뿐만 아니라, 분자량이 큰 가수분해성 축합물이 얻어진다. 따라서, 본 발명의 절연막 형성용 조성물을 사용함으로써, 비유전율이 작은 절연막을 형성할 수 있다.
또한, 이 가수분해 축합물은, (B) 성분이 (A) 성분에서 유래하는 폴리실록산과 화학적 결합을 형성하여, 삼차 구조 내에 포함된 구조를 갖는다. 이 때문에, 본 발명의 절연막 형성용 조성물을 사용함으로써, 기계적 강도가 높고, 밀착성 및 약액내성이 우수할 뿐만 아니라, 막 중의 층 분리가 없는 절연막을 형성할 수 있다.
본 발명의 막 형성용 조성물의 제조 방법에 따르면, (B) 성분의 존재하에 (A) 성분을 가수분해 축합하는 공정을 포함함으로써, 비교적 여유로운 조건으로 가수분해 축합물을 얻을 수 있기 때문에, 반응의 제어가 용이하다.
본 발명의 실리카계 절연막의 형성 방법에 따르면, 상기 본 발명의 절연막 형성용 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 공정과, 상기 도막에 대하여 가열, 전자선 조사, 자외선 조사 및 산소 플라즈마로부터 선택되는 1종 이상의 경화 처리를 행하는 공정을 포함한다. 이에 따라, 얻어지는 실리카계 절연막은 비유전율이 작고, 기계적 강도, 밀착성 및 약액내성이 우수할 뿐만 아니라, 막 중의 상 분리가 없다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하에, 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다.
1. 막 형성용 조성물 및 그의 제조 방법
본 발명에 따른 막 형성용 조성물(절연막 형성용 조성물)은, (A) 성분을 (B) 성분의 존재하에 가수분해하고, 축합한 가수분해 축합물(이하, "특정 가수분해 축합물"이라고 함)과 유기 용매를 포함한다. 이하, 각 성분에 대하여 설명한다.
1.1. (A) 성분
(A) 성분은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물(이하, "화합물 1"이라고 함), 하기 화학식 2로 표시되는 화합물(이하, "화합물 2"이라고 함) 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물(이하, "화합물 3"이라고 함)의 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란 화합물이다.
<화학식 1>
RaSi(OR1)4-a
식 중, R은 수소 원자, 불소 원자 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1은 1가의 유기기를 나타내고, a는 1 또는 2의 정수를 나타낸다.
<화학식 2>
Si(OR2)4
식 중, R2는 1가의 유기기를 나타낸다.
<화학식 3>
R3 b(R4O)3- bSi-(R7)d-Si(OR5)3- cR6 c
식 중, R3 내지 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 1가의 유기기를 나타내고, b 및 c는 동일하거나 상이하고, 0 내지 2의 수를 나타내고, R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)m-으로 표시되는 기 (여기서, m은 1 내지 6의 정수임)를 나타내고, d는 0 또는 1을 나타낸다.
1.1.1. 화합물 1
상기 화학식 1에서 R 및 R1로 표시되는 1가의 유기기로서는, 알킬기, 알케닐기 및 아릴기 등을 들 수 있다. 여기서 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 5이고, 이들의 알킬기는 쇄상일 수도 있고, 분지할 수도 있다. 상기 화학식 1에서 알케닐기로서는, 비닐기 및 알릴기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 화학식 1에서 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 및 플루오로페닐기 등을 들 수 있다.
화합물 1의 구체예로서는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-n-프로폭시실란, 메틸트리프로폭시실란, 메틸트리-n-부톡시실란, 메틸트리-sec-부톡시실란, 메틸트리-tert-부톡시실란, 메틸트리페녹시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 에틸트리-n-프로폭시실란, 에틸트리이소프로폭시실란, 에틸트리-n-부톡시실란, 에틸트리-sec-부톡시실란, 에틸트리-tert-부톡시실란, 에틸트리페녹시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-프로필트리-n-프로폭시실란, n-프로필트리이소프로폭시실란, n-프로필트리-n-부톡시실란, n-프로필트리-sec-부톡시실란, n-프로필트리-tert-부톡시실란, n-프로필트리페녹시실란, 이소프로필트리메톡시실란, 이소프로필트리에톡시실란, 이소프로필트리-n-프로폭시실란, 이소프로필트리이소프로폭시실란, 이소프로필트리-n-부톡시실란, 이소프로필트리-sec-부톡시실란, 이소프로필트리-tert-부톡시실란, 이소프로필트리페녹시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-부틸트리-n-프로폭시실란, n-부틸트리이소프로폭시실란, n-부틸트리-n-부톡시실란, n-부틸트리-sec-부톡시실란, n-부틸트리-tert-부톡시실란, n-부틸트리페녹시실란, sec-부틸트리메톡시실란, sec-부틸트리에톡시실란, sec-부틸트리-n-프로폭시실란, sec-부틸트리이소프로폭시실란, sec-부틸트리-n-부톡시실란, sec-부틸트리-sec-부톡시실란, sec-부틸트리-tert-부톡시실란, sec-부틸트리페녹시실란, tert-부틸트리메톡시실란, tert-부틸트리에톡시실란, tert-부틸트리-n-프로폭시실란, tert-부틸트리이소프로폭시실란, tert-부틸트리-n-부톡시실란, tert-부틸트리-sec-부톡시실란, tert-부틸트리-tert 부톡시실란, tert-부틸트리페녹시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리-n-프로폭시실란, 페닐트리이소프로폭시실란, 페닐트리-n-부톡시실란, 페닐트리-sec-부톡시실란, 페닐트리-tert-부톡시실란, 페닐트리페녹시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리-n-프로폭시실란, 비닐트리프로폭시실란, 비닐트리-n-부톡시실란, 비닐트리-sec-부톡시실란, 비닐트리-tert-부톡시실란, 비닐트리페녹시실란, 트리메톡시실란, 트리에톡시실란, 트리-n-프로폭시실란, 트리프로폭시실란, 트리-n-부톡시실란, 트리-sec-부톡시실란, 트리-tert-부톡시실란, 트리페녹시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디메틸디-n-프로폭시실란, 디메틸디이소프로폭시실란, 디메틸디-n-부톡시실란, 디메틸디-sec-부톡시실란, 디메틸디-tert-부톡시실란, 디메틸디페녹시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디에틸디-n-프로폭시실란, 디에틸디이소프로폭시실란, 디에틸디-n-부톡시실란, 디에틸디-sec-부톡시실란, 디에틸디-tert-부톡시실란, 디에틸디페녹시실란, 디-n-프로필디메톡시실란, 디-n-프로필디에톡시실란, 디-n-프로필디-n-프로폭시실란, 디-n-프로필디이소프로폭시실란, 디-n-프로필디-n-부톡시실란, 디-n-프로필디-sec-부톡시실란, 디-n-프로필디-tert-부톡시실란, 디-n-프로필디-페녹시실란, 디이소프로필디메톡시실란, 디이소프로필디에톡시실란, 디이소프로필디-n-프로폭시실란, 디이소프로필디이소프로폭시실란, 디이소프로필디-n-부톡시실란, 디이소프로필디-sec-부톡시실란, 디이소프로필디-tert-부톡시실란, 디이소프로필디페녹시실란, 디-n-부틸디메톡시실란, 디-n-부틸디에톡시실란, 디-n-부틸디-n-프로폭시실란, 디-n-부틸디이소프로폭시실란, 디-n-부틸디-n-부톡시실란, 디-n-부틸디-sec-부톡시실란, 디-n-부틸디-tert-부톡시실란, 디-n-부틸디-페녹시실란, 디-sec-부틸디메톡시실란, 디-sec-부틸디에톡시실란, 디-sec-부틸디-n-프로폭시실란, 디-sec-부틸디이소프로폭시실란, 디-sec-부틸디-n-부톡시실란, 디-sec-부틸디-sec-부톡시실란, 디-sec-부틸디-tert-부톡시실란, 디-sec-부틸디-페녹시실란, 디-tert-부틸디메톡시실란, 디-tert-부틸디에톡시실란, 디-tert-부틸디-n-프로폭시실란, 디-tert-부틸디이소프로폭시실란, 디-tert-부틸디-n-부톡시실란, 디-tert-부틸디-sec-부톡시실란, 디-tert-부틸디-tert-부톡시실란, 디-tert-부틸디-페녹시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디-에톡시실란, 디페닐디-n-프로폭시실란, 디페닐디이소프로폭시실란, 디페닐디-n-부톡시실란, 디페닐디-sec-부톡시실란, 디페닐디-tert-부톡시실란, 디페닐디페녹시실란 및 디비닐디메톡시실란을 들 수 있다. 이들은, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
화합물 1로서 특히 바람직한 화합물은, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리-n-프로폭시실란, 메틸트리-이소-프로폭시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디에틸디메톡시실란, 디에틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란 및 디페닐디에톡시실란 등이다.
1.1.2. 화합물 2
화학식 2에서 R2의 1가의 유기기로서는, 상기 화학식 1에서 R 및 R1로서 예시한 1가의 유기기와 동일한 기를 들 수 있다.
화합물 2의 구체예로서는 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-이소-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란 및 테트라페녹시실란 등을 들 수 있으며, 특히 바람직한 화합물로서는 테트라메톡시실란 및 테트라에톡시실란을 들 수 있다. 이들은, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
1.1.3. 화합물 3
화학식 3에서 R3 내지 R6의 1가의 유기기로서는, 상기 화학식 1에서 R 및 R1로서 예시한 1가의 유기기와 동일한 기를 들 수 있다.
화학식 3에서 d=0인 화합물로서는, 헥사메톡시디실란, 헥사에톡시디실란, 헥사페녹시디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타에톡시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-에틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타에톡시-2-에틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-에틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-페닐디실란, 1,1,1,2,2-펜타에톡시-2-페닐디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-페닐디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디에틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디페닐디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디페닐디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디페닐디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리에틸디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리에틸디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리에틸디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리페닐디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리페닐디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리페닐디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라에틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라에틸디실란, 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라에틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란 및 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라페닐디실란 등을 들 수 있다.
이들 중에서, 헥사메톡시디실란, 헥사에톡시디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디페닐디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란 및 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라페닐디실란 등을 바람직한 예로서 들 수 있다.
또한 화합물 3으로서, 화학식 3에서 R7이 -(CH2)m-으로 표시되는 기의 화합물로서는, 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 비스(트리-n-프로폭시실릴)메탄, 비스(트리프로폭시실릴)메탄, 비스(트리-n-부톡시실릴)메탄, 비스(트리-sec-부톡시실릴)메탄, 비스(트리-tert-부톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-n-프로폭시실릴)에탄, 1,2-비스(트리프로폭시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-n-부톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-sec-부톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리-tert-부톡시실릴)에탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-1-(트리메톡시실릴)메탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-1-(트리에톡시실릴)메탄, 1-(디-n-프로폭시메틸실릴)-1-(트리-n-프로폭시실릴)메탄, 1-(디프로폭시메틸실릴)-1-(트리프로폭시실릴)메탄, 1-(디-n-부톡시메틸실릴)-1-(트리-n-부톡시실릴)메탄, 1-(디-sec-부톡시메틸실릴)-1-(트리-sec-부톡시실릴)메탄, 1-(디-tert-부톡시메틸실릴)-1-(트리-tert-부톡시실릴)메탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-2-(트리메톡시실릴)에탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-2-(트리에톡시실릴)에탄, 1-(디-n-프로폭시메틸실릴)-2-(트리-n-프로폭시실릴)에탄, 1-(디프로폭시메틸실릴)-2-(트리프로폭시실릴)에탄, 1-(디-n-부톡시메틸실릴)-2-(트리-n-부톡시실릴)에탄, 1-(디-sec-부톡시메틸실릴)-2-(트리-sec-부톡시실릴)에탄, 1-(디-tert-부톡시메틸실릴)-2-(트리-tert-부톡시실릴)에탄, 비스(디메톡시메틸실릴)메탄, 비스(디에톡시메틸실릴)메탄, 비스(디-n-프로폭시메틸실릴)메탄, 비스(디프로폭시메틸실릴)메탄, 비스(디-n-부톡시메틸실릴)메탄, 비스(디-sec-부톡시메틸실릴)메탄, 비스(디-tert-부톡시메틸실릴)메탄, 1,2-비스(디메톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디에톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-n-프로폭시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디프로폭시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-n-부톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-sec-부톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디-tert-부톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-n-프로폭시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리프로폭시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-n-부톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-sec-부톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리-tert-부톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-n-프로폭시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리프로폭시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-n-부톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-sec-부톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리-tert-부톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-n-프로폭시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리프로폭시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-n-부톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리-sec-부톡시실릴)벤젠 및 1,4-비스(트리-tert-부톡시실릴)벤젠 등을 들 수 있다.
이들 중에서 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)에탄, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-1-(트리메톡시실릴)메탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-1-(트리에톡시실릴)메탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-2-(트리메톡시실릴)에탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-2-(트리에톡시실릴)에탄, 비스(디메톡시메틸실릴)메탄, 비스(디에톡시메틸실릴)메탄, 1,2-비스(디메톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(디에톡시메틸실릴)에탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,3-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴)벤젠 및 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠 등을 바람직한 예로서 들 수 있다. 상기 화합물 1 내지 3은, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
화합물 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 가수분해 및 부분 축합시킬 때, 화학식 1 내지 3에서 R1O-, R2O-, R4O- 및 R5O-로 표시되는 기 1 몰당, 0.1 내지 100 몰의 물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서 완전 가수분해 축합물이란, 축합물 성분 중 R1O-, R2O-, R4O- 및 R5O-로 표시되는 기가 100 % 가수분해되어 OH기가 되고, 완전히 축합된 것을 나타낸다.
1.2. (B) 성분
이어서 (B) 성분에 대하여 설명한다. (B) 성분은 주쇄가 -(Si-CH2)x-로 표시되는 구조(여기서, x는 2 이상의 수임)를 포함하며, 하기 화학식 4로 표시되는 구조, 하기 화학식 5로 표시되는 구조, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 폴리카르보실란(이하 "화합물 4"라고 함)이다. (B) 성분은 상기 (A) 성분과 축합하여, Si-O-Si 결합을 형성할 수 있다.
<화학식 4>
<화학식 5>
식 중, R8은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
<화학식 6>
식 중, R9 및 R10은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
<화학식 7>
식 중, R11 내지 R13은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 알콕시기 및 아실옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
R8 내지 R13에서 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 및 부톡시기 등을 들 수 있으며, 아실옥시기로서는 아세톡시기 및 벤질옥시기 등을 들 수 있다.
(B) 성분의 분자 중에서, 바람직하게는 상기 화학식 4로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%(보다 바람직하게는 5 내지 15 몰%)이고, 바람직하게는 상기 화학식 5로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%(보다 바람직하게는 5 내지 10 몰%)이고, 바 람직하게는 상기 화학식 6으로 표시되는 구조가 20 내지 50 몰%(보다 바람직하게는 25 내지 45 몰%)이고, 바람직하게는 상기 화학식 7로 표시되는 구조가 30 내지 60 몰%(보다 바람직하게는 35 내지 50 몰%)이다. 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 각 구조가 상기 범위 내에 있으면, 가수분해에 의한 실라놀기의 생성 및 실라놀기의 축합 반응의 제어가 용이하며, 목적으로 하는 분지도 및 목적으로 하는 분자량을 갖는 중합체를 얻는 것이 용이해진다.
(B) 성분은, 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 구조로 존재하는 규소 원자 이외에는 규소 원자를 분자 중에 포함하지 않을 수도 있다.
(B) 성분 중의 상기 각 구조의 존재비는, 예를 들면 29Si-NMR 스펙트럼 해석 결과로부터 동정할 수 있다.
(A) 성분과 (B) 성분의 혼합비로서는, (A) 성분의 완전 가수분해 축합물 100 중량부에 대하여 (B) 성분이 1 내지 1O00 중량부인 것이 바람직하고, 특히 5 내지 200 중량부인 것이 보다 바람직하고, 5 내지 100 중량부인 것이 더욱 바람직하다. (B) 성분이 1 중량부 미만인 경우에는, 막 형성 후 충분한 약액내성을 발현할 수 없는 경우가 있으며, 1000 중량부를 초과하면 막의 저유전율화를 달성할 수 없는 경우가 있다.
(B) 성분의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은 700 내지 10,000인 것이 바람직하고, 750 내지 5,000인 것이 보다 바람직하고, 750 내지 3,000인 것이 더욱 바람직하다. (B) 성분의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 10,000을 초과하면, (A) 성분과 층 분리를 일으켜 균일한 막을 형성하지 않는 경우가 있다.
본 발명의 막 형성용 조성물에 포함되는 가수분해 축합물을 제조할 때, (B) 성분으로서 화합물 4를 사용하고, (C) 염기성 촉매 및 (B) 성분의 존재하에 (A) 성분을 가수분해 축합함으로써, (A) 성분끼리의 가수분해 축합과 동시에, (B) 성분과 (A) 성분에서 유래하는 폴리실록산의 가수분해 축합을 진행시킬 수 있다. 이에 따라 얻어지는 가수분해 축합물은, (B) 성분(폴리카르보실란)을 핵으로 하는 중합체가 (A) 성분(가수분해기 함유 실란 단량체)에서 유래하는 폴리실록산의 삼차 구조 내에 포함된 구조를 갖는다. 본 발명의 절연막 형성용 조성물이 상기 가수분해 축합물을 포함함으로써, 비유전율이 보다 작고, 기계적 강도, 밀착성 및 약액내성이 매우 우수할 뿐만 아니라, 막 중의 상 분리가 없는 절연막을 얻을 수 있다.
1.3. (C) 염기성 촉매
본 발명의 막 형성용 조성물에 포함되는 가수분해 축합물을 제조할 때, (C) 염기성 촉매를 사용함으로써, 얻어지는 가수분해 축합물의 분자 구조로 존재하는 분자쇄의 분지도를 높게 할 수 있으며, 그의 분자량을 보다 크게 할 수 있다. 이에 따라, 상술한 구조를 갖는 가수분해 축합물을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 (C) 염기성 촉매로서는, 예를 들면 메탄올아민, 에탄올아민, 프로판올아민, 부탄올아민, N-메틸메탄올아민, N-에틸메탄올아민, N-프로필메탄올아민, N-부틸메탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-프로필에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸프로판올아민, N-에틸프로판올아민, N-프로필프로판올아민, N-부틸프로판올아민, N-메틸부탄올아민, N-에틸부탄올아민, N-프로필부탄올아민, N-부틸부탄올아민, N,N-디메틸메탄올아민, N,N-디에틸메탄올아민, N,N-디 프로필메탄올아민, N,N-디부틸메탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디프로필에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N,N-디에틸프로판올아민, N,N-디프로필프로판올아민, N,N-디부틸프로판올아민, N,N-디메틸부탄올아민, N,N-디에틸부탄올아민, N,N-디프로필부탄올아민, N,N-디부틸부탄올아민, N-메틸디메탄올아민, N-에틸디메탄올아민, N-프로필디메탄올아민, N-부틸디메탄올아민, N-메틸디에탄올아민, N-에틸디에탄올아민, N-프로필디에탄올아민, N-부틸디에탄올아민, N-메틸디프로판올아민, N-에틸디프로판올아민, N-프로필디프로판올아민, N-부틸디프로판올아민, N-메틸디부탄올아민, N-에틸디부탄올아민, N-프로필디부탄올아민, N-부틸디부탄올아민, N-(아미노메틸)메탄올아민, N-(아미노메틸)에탄올아민, N-(아미노메틸)프로판올아민, N-(아미노메틸)부탄올아민, N-(아미노에틸)메탄올아민, N-(아미노에틸)에탄올아민, N-(아미노에틸)프로판올아민, N-(아미노에틸)부탄올아민, N-(아미노프로필)메탄올아민, N-(아미노프로필)에탄올아민, N-(아미노프로필)프로판올아민, N-(아미노프로필)부탄올아민, N-(아미노부틸)메탄올아민, N-(아미노부틸)에탄올아민, N-(아미노부틸)프로판올아민, N-(아미노부틸)부탄올아민, 메톡시메틸아민, 메톡시에틸아민, 메톡시프로필아민, 메톡시부틸아민, 에톡시메틸아민, 에톡시에틸아민, 에톡시프로필아민, 에톡시부틸아민, 프로폭시메틸아민, 프로폭시에틸아민, 프로폭시프로필아민, 프로폭시부틸아민, 부톡시메틸아민, 부톡시에틸아민, 부톡시프로필아민, 부톡시부틸아민, 메틸아민, 에틸아민, 프로필아민, 부틸아민, N,N-디메틸아민, N,N-디에틸아민, N,N-디프로필아민, N,N-디부틸아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 테 트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라프로필암모늄히드록시드, 테트라부틸암모늄히드록시드, 테트라메틸에틸렌디아민, 테트라에틸에틸렌디아민, 테트라프로필에틸렌디아민, 테트라부틸에틸렌디아민, 메틸아미노메틸아민, 메틸아미노에틸아민, 메틸아미노프로필아민, 메틸아미노부틸아민, 에틸아미노메틸아민, 에틸아미노에틸아민, 에틸아미노프로필아민, 에틸아미노부틸아민, 프로필아미노메틸아민, 프로필아미노에틸아민, 프로필아미노프로필아민, 프로필아미노부틸아민, 부틸아미노메틸아민, 부틸아미노에틸아민, 부틸아미노프로필아민, 부틸아미노부틸아민, 피리딘, 피롤, 피페라진, 피롤리딘, 피페리딘, 피콜린, 모르폴린, 메틸모르폴린, 디아자비시클로옥탄, 디아자비시클로노난, 디아자비시클로운데센, 암모니아, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화바륨 및 수산화칼슘 등을 들 수 있다.
(C) 염기성 촉매로서는, 특히 하기 화학식 8로 표시되는 질소 함유 화합물(이하, "화합물 5"라고 함)인 것이 바람직하다.
<화학식 8>
(X1X2X3X4N)a'Y
상기 화학식 8에서 X1, X2, X3, X4는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기(바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 및 헥실기 등), 히드록시알킬기(바람직하게는 히드록시에틸기 등), 아릴기(바람직하게는 페닐기 등) 및 아릴알킬기(바람직하게는 페닐메틸기 등)를 나타내고, Y는 할로겐 원자(바람직하게는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 및 요오드 원자 등), 1 내지 4가의 음이온성기(바람직하게는 히드록시기 등)를 나타내고, a'는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.
화합물 5의 구체예로서는 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라-n-프로필암모늄, 수산화테트라-이소-프로필암모늄, 수산화테트라-n-부틸암모늄, 수산화테트라-이소-부틸암모늄, 수산화테트라-tert-부틸암모늄, 수산화테트라펜틸암모늄, 수산화테트라헥실암모늄, 수산화테트라헵틸암모늄, 수산화테트라옥틸암모늄, 수산화테트라노닐암모늄, 수산화테트라데실암모늄, 수산화테트라운데실암모늄, 수산화테트라도데실암모늄, 브롬화테트라메틸암모늄, 염화테트라메틸암모늄, 브롬화테트라에틸암모늄, 염화테트라에틸암모늄, 브롬화테트라-n-프로필암모늄, 염화테트라-n-프로필암모늄, 브롬화테트라-n-부틸암모늄, 염화테트라-n-부틸암모늄, 수산화헥사데실트리메틸암모늄, 브롬화-n-헥사데실트리메틸암모늄, 수산화-n-옥타데실트리메틸암모늄, 브롬화-n-옥타데실트리메틸암모늄, 염화세틸트리메틸암모늄, 염화스테아릴트리메틸암모늄, 염화벤질트리메틸암모늄, 염화디데실디메틸암모늄, 염화디스테아릴디메틸암모늄, 염화트리데실메틸암모늄, 테트라부틸암모늄히드로겐술페이트, 브롬화트리부틸메틸암모늄, 염화트리옥틸메틸암모늄, 염화트리라우릴메틸암모늄, 수산화벤질트리메틸암모늄, 브롬화벤질트리에틸암모늄, 브롬화벤질트리부틸암모늄, 브롬화페닐트리메틸암모늄 및 콜린 등을 바람직한 예로서 들 수 있다. 이들 중에서 특히 바람직하게는 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라-n-프로필암모늄, 수산화테트라-n-부틸암모늄, 브롬화테트라메틸암모늄, 염화테트라메틸암모늄, 브롬화테트라에틸암모늄, 염화테트라에 틸암모늄, 브롬화테트라-n-프로필암모늄 및 염화테트라-n-프로필암모늄이다. 상기 화합물 5는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
상술한 (C) 염기성 촉매의 사용량은, (A) 성분(화합물 1 내지 3의 총량) 1 몰에 대하여 통상적으로 0.0001 내지 1 몰, 바람직하게는 0.001 내지 0.1 몰이다.
1.4. 특정 가수분해 축합물의 제조 방법
특정 가수분해 축합물은, 상기 (A) 성분을 상기 (B) 성분 및 (C) 염기성 촉매의 존재하에서 가수분해 축합함으로써 얻어진다.
여기서, (A) 성분 및 (B) 성분을 유기 용매에 용해시킨 상태로 (A) 성분을 가수분해할 수 있다. 이 경우에 사용 가능한 유기 용매로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올 및 t-부탄올 등의 알코올계 용매; 에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 2,4-헵탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 및 트리프로필렌글리콜 등의 다가 알코올계 용매; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 다가 알코올 부분 에테르계 용매; 에틸에테르, 이소프로필에테르, n-부틸에테르, n-헥실에테르, 2-에틸헥실에테르, 디옥솔란, 4-메틸디옥솔란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 및 에틸렌글리콜디에틸에테르 등의 에테르계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-이소부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-이소부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 2-헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤 및 디아세톤알코올 등의 케톤계 용매를 들 수 있다.
유기 용매 중에서의 (B) 성분 및 (A) 성분의 합계량의 농도는 1 내지 30 중량%인 것이 바람직하다.
가수분해 축합에서의 반응 온도는 0 내지 100 ℃, 바람직하게는 20 내지 80 ℃, 반응 시간은 30 내지 1000 분, 바람직하게는 30 내지 180 분이다.
각 성분의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 유기 용매에 (C) 염기성 촉매를 첨가한 액에, (A) 성분 및 (B) 성분을 각각 유기 용매에 첨가한 것을 차례대로 첨가하는 방법이 바람직하다.
얻어진 특정 가수분해 축합물의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량은, 통상적으로 1,500 내지 500,000인 것이 바람직하고, 2,000 내지 200,000인 것이 보다 바람직하고, 2,000 내지 100,000인 것이 더욱 바람직하다. 특정 가수분해 축합물의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 1,500 미만이면, 목적으로 하는 비유전율이 얻어지지 않는 경우가 있으며, 한편 500,000을 초과하면, 도막의 면내 균일성이 저하되는 경우가 있다.
1.5. 유기 용매
본 발명의 절연막 형성용 조성물에 포함되는 유기 용매로서는, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 지방족 탄화수소계 용매, 방향족계 용매 및 할로겐 함유 용매의 군으로부터 선택된 1종 이상을 들 수 있다.
알코올계 용매로서는 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올, n-부탄올, 이소부탄올, sec-부탄올, t-부탄올, n-펜탄올, 이소펜탄올, 2-메틸부탄올, sec-펜탄올, t-펜탄올, 3-메톡시부탄올, n-헥산올, 2-메틸펜탄올, sec-헥산올, 2-에틸부탄올, sec-헵탄올, 3-헵탄올, n-옥탄올, 2-에틸헥산올, sec-옥탄올, n-노닐알코올, 2,6-디메틸-4-헵탄올, n-데칸올, sec-운데실알코올, 트리메틸노닐알코올, sec-테트라데실알코올, sec-헵타데실알코올, 푸르푸릴알코올, 페놀, 시클로헥산올, 메틸시클로헥산올, 3,3,5-트리메틸시클로헥산올, 벤질알코올 및 디아세톤알코올 등의 모노알코올계 용매;
에틸렌글리콜, 1,2-프로필렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 2,4-펜탄디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 2,5-헥산디올, 2,4-헵탄디올, 2-에틸-1,3-헥산디올, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 및 트리프로필렌글리콜 등의 다가 알코올계 용매;
에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르 및 디프로필렌글리콜모노프로필에테르 등의 다가 알코올 부분 에테르계 용매; 등을 들 수 있다. 이들의 알코올계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
케톤계 용매로서는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-이소부틸케톤, 메틸-n-펜틸케톤, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-이소부틸케톤, 트리메틸노나논, 시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 2-헥사논, 메틸시클로헥사논, 2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 디아세톤알코올, 아세토페논 및 펜촌(fenchone) 등의 케톤계 용매를 들 수 있다. 이들의 케톤계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
아미드계 용매로서는 N,N-디메틸이미다졸리디논, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드 및 N-메틸피롤리돈 등의 질소 함유계 용매를 들 수 있다. 이들의 아미드계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
에테르계 용매로서는 에틸에테르, 이소프로필에테르, n-부틸에테르, n-헥실에테르, 2-에틸헥실에테르, 디옥솔란, 4-메틸디옥솔란, 디옥산, 디메틸디옥산, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 에틸렌글리콜모노-2-에틸부틸에테르, 에틸렌글리콜디부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노-n-헥실에테르, 에톡시트리글리콜, 테트라에틸렌글리콜디-n-부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 테트라히드로푸란, 2-메틸테트라히드로푸란, 디페닐에테르 및 아니솔 등의 에테르계 용매를 들 수 있다. 이들의 에테르계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
에스테르계 용매로서는 디에틸카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 아세트산메틸, 아세트산에틸, γ-부티로락톤, γ-발레롤락톤, 아세트산 n-프로필, 아세트산 이소프로필, 아세트산 n-부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 sec-부틸, 아세트산 n-펜틸, 아세트산 sec-펜틸, 아세트산 3-메톡시부틸, 아세트산메틸펜틸, 아세트산 2-에틸부틸, 아세트산 2-에틸헥실, 아세트산벤질, 아세트산시클로헥실, 아세트산메틸시클로헥실, 아세트산 n-노닐, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노프로필에테르, 아세트산프로필렌글리콜모노부틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 디아세트산글리콜, 아세트산메톡시트리글리콜, 프로피온산에틸, 프로피온산 n-부틸, 프로피온산 이소아밀, 옥살산디에틸, 옥살산디-n-부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산 n-부틸, 락트산 n-아밀, 말론산디에틸, 프탈산디메틸 및 프탈산디에틸 등의 에스테르계 용매를 들 수 있다. 이들의 에스테르계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
지방족 탄화수소계 용매로서는 n-펜탄, 이소펜탄, n-헥산, 이소헥산, n-헵탄, 이소헵탄, 2,2,4-트리메틸펜탄, n-옥탄, 이소옥탄, 시클로헥산 및 메틸시클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용매를 들 수 있다. 이들의 지방족 탄화수소계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
방향족 탄화수소계 용매로서는 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 메틸에틸벤젠, n-프로필벤젠, 이소프로필벤젠, 디에틸벤젠, 이소부틸벤젠, 트리에틸벤젠, 디이소프로필벤젠 및 n-아밀나프탈렌 등의 방향족 탄화수소계 용매를 들 수 있다. 이들의 방향족 탄화수소계 용매는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다. 할로겐 함유 용매로서는 디클로로메탄, 클로로포름, 푸론, 클로로벤젠 및 디클로로벤젠 등의 할로겐 함유 용매를 들 수 있다.
본 발명에서는, 비점이 150 ℃ 미만인 유기 용매를 사용하는 것이 바람직하며, 용제 종류로서는 알코올계 용제, 케톤계 용제 및 에스테르계 용제가 특히 바람직하고, 이들을 1종 또는 2종 이상 동시에 사용하는 것이 바람직하다.
이들의 유기 용매는, 특정 가수분해 축합물의 합성에 사용한 것과 동일한 것일 수도 있고, 특정 가수분해 축합물의 합성이 종료된 후 용제를 원하는 유기 용매로 치환할 수도 있다.
1.6. 기타 첨가물
본 발명의 절연막 형성용 조성물에는, 추가로 유기 중합체나 계면활성제 등의 성분을 첨가할 수도 있다. 또한, 이들의 첨가물은, (A) 성분 및 (B) 성분을 혼합하기 전의 각 성분이 용해 또는 분산된 용제 중에 첨가될 수도 있다.
1.6.1. 유기 중합체
유기 중합체로서는, 예를 들면 당쇄 구조를 갖는 중합체, 비닐아미드계 중합체, (메트)아크릴계 중합체, 방향족 비닐 화합물계 중합체, 덴드리머, 폴리이미드, 폴리아믹산, 폴리아릴렌, 폴리아미드, 폴리퀴녹살린, 폴리옥사디아졸, 불소계 중합체 및 폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 중합체 등을 들 수 있다.
폴리알킬렌옥시드 구조를 갖는 중합체로서는 폴리메틸렌옥시드 구조, 폴리에틸렌옥시드 구조, 폴리프로필렌옥시드 구조, 폴리테트라메틸렌옥시드 구조 및 폴리부틸렌옥시드 구조 등을 들 수 있다.
구체적으로는 폴리옥시메틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌스테롤에테르, 폴리옥시에틸렌 라놀린 유도체, 알킬페놀포르말린 축합물의 산화에틸렌 유도체, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블록 공중합체, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르 등의 에테르형 화합물, 폴리옥시에틸렌글리세린 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비톨 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌지방산 알칸올아미드황산염 등의 에테르에스테르형 화합물, 폴리에틸렌글리콜 지방산에스테르, 에틸렌글리콜 지방산에스테르, 지방산모노글리세라이드, 폴리글리세린 지방산에스테 르, 소르비탄 지방산에스테르, 프로필렌글리콜 지방산에스테르 및 수크로오스 지방산에스테르 등의 에테르에스테르형 화합물 등을 들 수 있다.
폴리옥시틸렌폴리옥시프로필렌 블록 공중합체로서는, 하기와 같은 블록 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다.
-(X')l-(Y')m'-
-(X')l-(Y')m'-(X')n-
식 중, X'는 -CH2CH2O-로 표시되는 기를, Y'는 -CH2CH(CH3)O-로 표시되는 기를 나타내고, l은 1 내지 90, m'는 10 내지 99, n은 0 내지 90의 수를 나타낸다.
이들 중에서 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌 블록 공중합체, 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌글리세린 지방산에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산에스테르 및 폴리옥시에틸렌소르비톨 지방산에스테르 등의 에테르형 화합물을 보다 바람직한 예로서 들 수 있다. 상술한 유기 중합체는, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
1.6.2. 계면활성제
계면활성제로서는, 예를 들면 비이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제 및 양성 계면활성제 등을 들 수 있으며, 추가로 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제, 폴리알킬렌옥시드계 계면활성제 및 폴리(메트)아크릴레이트계 계면활성제 등을 들 수 있고, 바람직하게는 불소계 계면활성제 및 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.
계면활성제의 사용량은 얻어지는 중합체 100 중량부에 대하여 통상적으로 0.00001 내지 1 중량부이다. 이들은, 1종 또는 2종 이상을 동시에 사용할 수도 있다.
2. 막의 형성 방법
본 발명의 막(절연막)의 형성 방법은, 막 형성용 조성물을 기재에 도포하여 도막을 형성하는 공정과, 상기 도막에 가열 처리를 행하는 공정을 포함한다.
막 형성용 조성물이 도포되는 기재로서는 Si, SiO2, SiN, SiC 및 SiCN 등의 Si 함유층을 들 수 있다. 막 형성용 조성물을 기재에 도포하는 방법으로서는, 스핀 코팅, 침지법, 롤 코팅법 및 분무법 등의 도장 수단이 사용된다. 기재에 막 형성용 조성물을 도포한 후, 용제를 제거하여 도막을 형성한다. 이때의 막 두께는 건조 막 두께로서, 1회 도포하여 두께 0.05 내지 2.5 ㎛, 2회 도포하여 두께 0.1 내지 5.0 ㎛의 도막을 형성할 수 있다. 그 후, 얻어진 도막에 대하여 경화 처리를 실시함으로써 실리카계 막을 형성할 수 있다.
경화 처리로서는, 가열, 전자선 조사, 자외선 조사 또는 플라즈마 처리 등을 들 수 있다.
가열에 의해 경화를 행하는 경우에는, 이 도막을 불활성 분위기하에 또는 감압하에 80 ℃ 내지 450 ℃로 가열한다. 이때의 가열 방법으로서는 핫 플레이트, 오븐 및 퍼니스(furnace) 등을 사용할 수 있으며, 가열 분위기로서는 불활성 분위기하에 또는 감압하에 행할 수 있다.
또한, 상기 도막의 경화 속도를 제어하기 위해, 필요에 따라 단계적으로 가열하거나, 또는 질소, 공기, 산소 및 감압 등의 분위기를 선택할 수 있다. 이러한 공정에 의해, 실리카계 막의 제조를 행할 수 있다.
3. 실리카계 막(실리카계 절연막)
본 발명의 실리카계 막은 저유전율일 뿐만 아니라, 표면 평탄성이 우수하기 때문에, LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM 및 D-RDRAM 등의 반도체 소자용 층간 절연막으로서 특히 우수하고, 에칭 스토퍼막, 반도체 소자의 표면 코팅막 등의 보호막, 다층 레지스트를 사용한 반도체 제조 공정의 중간층, 다층 배선 기판의 층간 절연막 및 액정 표시 소자용의 보호막이나 절연막 등에 바람직하게 사용할 수 있다.
4. 실시예
이하, 본 발명을 실시예를 들어 더욱 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예로 한정되지 않는다. 또한, 실시예 및 비교예 중의 "부" 및 "%"는, 특별히 기재하지 않는 한 각각 중량부 및 중량%인 것을 나타내고 있다.
4.1. 평가 방법
각종 평가는 다음과 같이 하여 행하였다.
4.1.1. 비유전율 측정
8인치 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅법을 이용하여 막 형성용 조성물을 도포하고, 핫 플레이트 위 90 ℃에서 3분간, 이어서 질소 분위기하에 200 ℃에서 3분간 건조하며, 50 m Torr의 감압하(진공 분위기)에 420 ℃의 종형 퍼니스로 1 시간 동 안 소성하였다. 얻어진 막에 증착법에 의해 알루미늄 전극 패턴을 형성하여, 비유전율 측정용 샘플을 제조하였다. 상기 샘플에 대하여 주파수 100 kHz의 주파수로, 요꼬가와ㆍ휴렛팩커드(주) 제조, HP16451B 전극 및 HP4284A 정밀 LCR 미터를 사용하여 CV법에 의해 해당 막의 비유전율을 측정하였다.
4.1.2. 절연막의 경도 및 탄성률(영률(Young's modulus)) 평가
MTS사 제조 초미소 경도계(나노인덴테이터 XP)에 베르코비치형 압자를 부착하고, 얻어진 절연막의 유니버설 경도를 구하였다. 또한, 탄성률은 연속 강성 측정법에 의해 측정하였다.
4.1.3. 보존 안정성
40 ℃에서 30일 동안 보존한 막 형성용 조성물을 스핀 코팅법을 이용하여 기재에 도포하고, 핫 플레이트 위 90 ℃에서 3분간, 이어서 질소 분위기하에 200 ℃에서 3분간 기판을 건조하며, 50 m Torr의 감압하에 420 ℃의 종형 퍼니스로 1 시간 동안 소성하였다. 이와 같이 하여 얻어진 도막의 막 두께를, 광학식 막 두께계(루돌프 테크놀로지사 제조, 스펙트라 레이저 200)를 사용하여 도막 면 내에서 50점 측정하였다. 얻어진 막의 막 두께를 측정하고, 하기 수학식 1에 의해 구한 막 두께 증가율에 의해 보존 안정성을 평가하였다.
A: 막 두께 증가율이 4 % 이하임.
B: 막 두께 증가율이 4 %를 초과함.
4.1.4. 약액내성
실리카계 막이 형성된 8인치 웨이퍼를 실온에서 0.2 %의 희불산 수용액 중에 1분간 침지하고, 침지 전후의 실리카계 막의 막 두께 변화를 관찰하였다. 하기로 정의하는 잔막율이 99 % 이상이면, 약액내성이 양호하다고 판단하였다.
A: 잔막률이 99 % 이상임.
B: 잔막률이 99 % 미만임.
4.1.5. 막의 상 분리 유무의 확인
절연막의 단면을 집속 이온빔법으로 관찰용으로 가공하고, TEM을 사용하여 18000배로 외관을 조사하였다. 판단 결과를 이하와 같이 하여 나타낸다.
A: 단면의 형상 관찰에서는, 균일한 도막이 얻어지고 있음.
B: 도막에 해도상(海島狀)의 도메인 상 분리가 확인됨.
4.2. 막 형성용 조성물의 제조
4.2.1. 실시예 1
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에 40 % 메틸아민 수용액 2.58 g, 초순수 178.16 g 및 에탄올 435.34 g을 칭량하고, 60 ℃에서 교반하였다. 이어서, 메틸트리메톡시실란 41.07 g, 테트라에톡시실란 26.92 g 및 하기 표 1로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (9)(Mw=1,300) 15.93 g을 첨가한 후, 60 ℃에서 6 시간 동안 교반하여, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 45,000의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻었다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 613.50 g 및 20 % 아세트산 수용액 22.96 g을 첨가하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 1을 얻었다.
4.2.2. 실시예 2
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에 20 % 수산화테트라프로필암모늄 수용액 52.15 g, 초순수 81.5 g 및 이소프로판올 470.36 g을 칭량하고, 60 ℃에서 교반하였다. 이어서, 메틸트리메톡시실란 26.24 g, 테트라프로폭시실란 50.93 g 및 하기 표 2로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (10)(Mw=840) 18.82 g을 첨가한 후, 60 ℃에서 4 시간 동안 교반하여, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 55,000의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻었다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 551.86 g 및 20 % 아세트산 수용액 35.42 g을 첨가하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 2를 얻었다.
4.2.3. 실시예 3
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에 25 % 수산화테트라메틸암모늄 수용액 5.80 g, 초순수 110.30 g 및 에탄올 548.08 g을 칭량하고, 60 ℃에서 교반하였다. 이어서, 디메틸디메톡시실란 5.70 g, 메틸트리메톡시실란 16.15 g, 테트라메톡시실란 10.83 g 및 하기 표 3으로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (11)(Mw=1,050) 3.14 g을 연속적으로 1 시간에 걸쳐서 첨가한 후, 추가로 60 ℃에서 2 시간 동안 교반하여, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 40,000의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻었다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 658.38 g 및 20 % 아세트산 수용액 10.98 g을 첨가하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 3을 얻었다.
4.2.4. 실시예 4
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에서, 메틸트리메톡시실란 58.04 g, 테트라메톡시실란 16.22 g 및 하기 표 4로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (12)(Mw=1,480) 95.27 g을 프로필렌글리콜모노에틸에테르 425.50 g에 용해시킨 후, 쓰리원 모터로 교반하여 용액의 온도를 55 ℃로 안정시켰다. 이어서, 옥살산 0.44 g을 용해시킨 이온 교환수 104.83 g을 1 시간에 걸쳐서 용액에 첨가하였다. 그 후, 55 ℃에서 3 시간 동안 반응시켜, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 2,400의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻은 후, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 528.59 g을 첨가하고, 반응액을 실온까지 냉각하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 4를 얻었다.
4.2.5. 실시예 5
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에서, 메틸트리메톡시실란 82.14 g, 테트라메톡시실란 38.34 g 및 하기 표 5로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (13)(Mw=840) 25.10 g을 프로필렌글리콜모노에틸에테르 385.65 g에 용해시켰다. 이어서, 이온 교환수 89.85 g을 용액에 첨가하고, 실온에서 1 시간 동안 교반하였다. 그 후, 테트라키스(아세틸아세토네이트)티탄 0.071 g을 프로필렌글리콜모노에틸에테르 42.85 g에 용해한 것을 첨가하고, 온도 50 ℃에서 3 시간 동안 반응시켜, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 1,650의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻은 후, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 518.35 g을 첨가하여, 반응액을 실온까지 냉각하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 5를 얻었다.
4.2.6. 비교예 1
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에 40 % 메틸아민 수용액 2.36 g, 초순수 162.57 g 및 에탄올 459.29 g을 칭량하고, 80 ℃에서 교반하였다. 이어서, 메틸트리메톡시실란 41.07 g, 테트라에톡시실란 26.92 g 및 하기 표 6으로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (14)(Mw=1,200) 2.36 g을 첨가한 후, 80 ℃에서 8 시간 동안 교반하여, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 48,000의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻었다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 621.86 g 및 20 % 아세트산 수용액 20.95 g을 첨가하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 6을 얻었다.
4.2.7. 비교예 2
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에 20 % 수산화테트라프로필암모늄 수용액 58.75 g, 초순수 91.82 g 및 이소프로판올 439.2 g을 칭량하고, 60 ℃에서 교반하였다. 이어서, 메틸트리메톡시실란 37.48 g 및 테트라프로폭시실란 72.75 g을 첨가한 후, 60 ℃에서 6 시간 동안 교반하여, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 60,000의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻었다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 프로필렌글리콜모노프로필에테르 531.02 g 및 20 % 아세트산 수용액 39.90 g을 첨가하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 7을 얻었다.
4.2.8. 비교예 3
컨덴서를 구비한 석영제 플라스크 중에서, 하기 표 7로 표시되는 각 구조를 하기의 비율로 갖는 폴리카르보실란 (15)(Mw=840) 125.49 g을 프로필렌글리콜모노에틸에테르 487.33 g에 용해시킨 후, 쓰리원 모터로 교반하여 용액의 온도를 55 ℃로 안정시켰다. 이어서, 옥살산 0.36 g을 용해시킨 이온 교환수 88.63 g을 1 시간에 걸쳐서 용액에 첨가하였다. 그 후, 55 ℃에서 3 시간 동안 반응시켜, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 2,800의 가수분해 축합물을 포함하는 반응액을 얻은 후, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 572.70 g을 첨가하고, 반응액을 실온까지 냉각하였다. 이 반응액을 고형분 농도가 10 %가 될 때까지 감압하에 농축하여, 막 형성용 조성물 8을 얻었다.
4.2.9. 비교예 4
비교예 2에서 얻어진 고형분 농도 10 %의 절연막 형성용 조성물 70 g에, 비교예 3에서 얻어진 고형분 농도 10 %의 절연막 형성용 조성물 30 g을 첨가하고, 25 ℃에서 1 시간 동안 교반하였다. 이에 따라, 막 형성용 조성물 9를 얻었다.
4.3. 평가 결과
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4에서 얻어진 막 형성용 조성물 1 내지 9를 사용하여, 비유전율, 탄성률, 경도, 약액내성, 보존 안정성 및 단면 관찰 결과에 대하여 평가를 행하였다. 평가 결과를 표 8에 나타낸다.
표 8로부터 분명한 바와 같이 실시예 1 내지 5에 따르면, 비교예 3 및 4에 비해 낮은 비유전율을 가지며, 탄성률 및 경도가 향상된 막의 형성이 가능하다는 것이 확인되었다. 또한, 실시예 1 내지 5의 막 형성용 조성물에 따르면, 비교예 3 및 4의 막 형성용 조성물에 비해 보존 안정성이 우수하다.
또한, 비교예 1은 실시예 1의 폴리카르보실란을 별도의 폴리카르보실란으로 변경한 예이지만, 비교예 1과 실시예 1의 비교에 따르면, 실시예 1에서 본 발명의 구조를 갖는 폴리카르보실란을 사용함으로써, 약액내성이 높을 뿐만 아니라 보존 안정성이 우수한 막 형성용 조성물을 얻을 수 있다.
또한, 비교예 2는 폴리카르보실란의 비존재하에 가수분해 축합 반응을 행한 경우이지만, 약액내성의 열화가 관찰되었기 때문에, 폴리카르보실란 존재하에 가수분해 축합하는 것이 유용하다는 것을 나타내고 있다.
또한, 비교예 3은 본원의 구조를 갖는 폴리카르보실란만을 가수분해 축합 반응한 경우이지만, 비유전율이 높고, 보존 안정성이 저하되었기 때문에, 실란 화합물을 폴리카르보실란 존재하에 가수분해 축합하는 것이 유용하다는 것을 나타내고 있다.
또한, 비교예 4는 비교예 2 및 비교예 3에서 각각 얻어진 가수분해 축합물을 혼합하여 막 형성용 조성물로 한 것이지만, 보존 안정성이 악화되었으며, 도막의 단면 관찰에서 상 분리가 확인되었기 때문에, 폴리카르보실란의 존재하에 실란 화합물의 가수분해 축합을 행하는 것이 유용하다는 것을 나타내고 있다.
이상으로부터, 본 발명에 의해 얻어지는 실리카계 막은 기계적 강도가 우수하고, 비유전율이 낮을 뿐만 아니라, 약액내성 및 보존 안정성도 우수하기 때문에, 반도체 소자 등의 층간 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
Claims (14)
- (A) 성분 (하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물의 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란 화합물)을 (B) 성분 (주쇄가 -(Si-CH2)x-로 표시되는 구조를 포함하며, 하기 화학식 4로 표시되는 구조, 하기 화학식 5로 표시되는 구조, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 폴리카르보실란)의 존재하에서 가수분해 축합하여 얻어진 가수분해 축합물, 및유기 용매를 포함하는 절연막 형성용 조성물.<화학식 1>RaSi(OR1)4-a<화학식 2>Si(OR2)4<화학식 3>R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c<화학식 4><화학식 5><화학식 6><화학식 7>식 중,R은 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,R1은 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,a는 1 또는 2의 정수를 나타내고,R2는 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,R3 내지 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,b 및 c는 동일하거나 상이하고, 0 내지 2의 수를 나타내고,R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)m-으로 표시되는 기 (여기서, m은 1 내지 6의 정수임)를 나타내고,d는 0 또는 1을 나타내고,R8은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 아세톡시기 및 벤질옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고,R9 및 R10은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 아세톡시기 및 벤질옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내며,R11 내지 R13은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 아세톡시기 및 벤질옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
- 제1항에 있어서, 상기 (A) 성분을 (A) 성분의 완전 가수분해 축합물로 환산한 100 중량부에 대하여 상기 (B) 성분이 1 내지 1000 중량부인 절연막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B) 성분의 분자 중에서 상기 화학식 4로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%이고 상기 화학식 5로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%이고 상기 화학식 6으로 표시되는 구조가 20 내지 50 몰%이며 상기 화학식 7로 표시되는 구조가 30 내지 60 몰%인 절연막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B) 성분의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량이 700 내지 10,000인 절연막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (B) 성분이 상기 화학식 4 내지 7로 표시되는 구조로 존재하는 규소 원자 이외에는 규소 원자를 분자 중에 포함하지 않는 절연막 형성용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가수분해 축합이 염기성 촉매, 산성 촉매 또는 금속 킬레이트 촉매의 존재하에 행해지는 절연막 형성용 조성물.
- 제6항에 있어서, 상기 염기성 촉매가 하기 화학식 8로 표시되는 질소 함유 화합물인 절연막 형성용 조성물.<화학식 8>(X1X2X3X4N)a'Y식 중,X1, X2, X3, X4는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 히드록시알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고,Y는 할로겐 원자 또는 히드록시기를 나타내며,a'는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.
- 가수분해 축합물 및 유기 용매를 포함하는 절연막 형성용 조성물의 제조 방법이며,(A) 성분 (하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물의 군으로부터 선택된 1종 이상의 실란 화합물)을 (B) 성분 (주쇄가 -(Si-CH2)x-로 표시되는 구조를 포함하고, 하기 화학식 4로 표시되는 구조, 하기 화학식 5로 표시되는 구조, 하기 화학식 6으로 표시되는 구조 및 하기 화학식 7로 표시되는 구조를 갖는 폴리카르보실란)의 존재하에서 가수분해 축합하여 상기 가수분해 축합물을 얻는 공정을 포함하는, 절연막 형성용 조성물의 제조 방법.<화학식 1>RaSi(OR1)4-a<화학식 2>Si(OR2)4<화학식 3>R3 b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6 c<화학식 4><화학식 5><화학식 6><화학식 7>식 중,R은 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,R1은 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,a는 1 또는 2의 정수를 나타내고,R2는 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,R3 내지 R6은 동일하거나 상이하고, 각각 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, 클로로페닐기, 브로모페닐기 또는 플루오로페닐기를 나타내고,b 및 c는 동일하거나 상이하고, 0 내지 2의 수를 나타내고,R7은 산소 원자, 페닐렌기 또는 -(CH2)m-으로 표시되는 기 (여기서, m은 1 내지 6의 정수임)를 나타내고,d는 0 또는 1을 나타내고,R8은 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 아세톡시기 및 벤질옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고,R9 및 R10은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 아세톡시기 및 벤질옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내며,R11 내지 R13은 동일하거나 상이하고, 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 아세톡시기 및 벤질옥시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타낸다.
- 제8항에 있어서, 상기 (A) 성분을 (A) 성분의 완전 가수분해 축합물로 환산한 100 중량부에 대하여 상기 (B) 성분이 1 내지 1000 중량부인, 절연막 형성용 조성물의 제조 방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 (B) 성분의 분자 중에서 상기 화학식 4로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%이고 상기 화학식 5로 표시되는 구조가 5 내지 20 몰%이고 상기 화학식 6으로 표시되는 구조가 20 내지 50 몰%이며 상기 화학식 7로 표시되는 구조가 30 내지 60 몰%인, 절연막 형성용 조성물의 제조 방법.
- 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 가수분해 축합이 염기성 촉매, 산성 촉매 또는 금속 킬레이트 촉매의 존재하에 행해지는, 절연막 형성용 조성물의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 염기성 촉매가 하기 화학식 8로 표시되는 질소 함유 화합물인, 절연막 형성용 조성물의 제조 방법.<화학식 8>(X1X2X3X4N)a'Y식 중,X1, X2, X3, X4는 동일하거나 상이하고, 각각 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 히드록시알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 7 내지 20의 아릴알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기를 나타내고,Y는 할로겐 원자 또는 히드록시기를 나타내며,a'는 1 내지 4의 정수를 나타낸다.
- 제1항 또는 제2항에 기재된 절연막 형성용 조성물을 기판에 도포하여 도막을 형성하는 공정, 및상기 도막에 대하여 가열, 전자선 조사, 자외선 조사 및 산소 플라즈마로부터 선택되는 1종 이상의 경화 처리를 행하는 공정을 포함하는, 실리카계 절연막의 형성 방법.
- 제13항에 기재된 실리카계 절연막의 형성 방법에 의해 얻어지는 실리카계 절연막.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2004-00141200 | 2004-05-11 | ||
JP2004141200 | 2004-05-11 | ||
JP2005040460A JP5110238B2 (ja) | 2004-05-11 | 2005-02-17 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
JPJP-P-2005-00040460 | 2005-02-17 | ||
PCT/JP2005/008222 WO2005108516A1 (ja) | 2004-05-11 | 2005-04-28 | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070010080A KR20070010080A (ko) | 2007-01-19 |
KR101168452B1 true KR101168452B1 (ko) | 2012-07-25 |
Family
ID=35320218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020067025860A KR101168452B1 (ko) | 2004-05-11 | 2005-04-28 | 절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막및 그의 형성 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7736748B2 (ko) |
EP (1) | EP1746139A4 (ko) |
JP (1) | JP5110238B2 (ko) |
KR (1) | KR101168452B1 (ko) |
TW (1) | TW200610793A (ko) |
WO (1) | WO2005108516A1 (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005068540A1 (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
WO2005082976A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Jsr Corporation | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法 |
US7893538B2 (en) * | 2006-02-02 | 2011-02-22 | Jsr Corporation | Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device |
JP5099301B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-12-19 | Jsr株式会社 | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
JP5099302B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2012-12-19 | Jsr株式会社 | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 |
US7927664B2 (en) * | 2006-08-28 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Method of step-and-flash imprint lithography |
WO2008096656A1 (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Jsr Corporation | ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 |
CN101611043B (zh) * | 2007-02-14 | 2013-03-13 | Jsr株式会社 | 含硅膜形成用材料、以及含硅绝缘膜及其形成方法 |
WO2009008041A1 (ja) | 2007-07-06 | 2009-01-15 | Fujitsu Limited | 絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP5267460B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2013-08-21 | 富士通株式会社 | 絶縁膜材料、多層配線基板及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
WO2009008424A1 (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-15 | Jsr Corporation | ケイ素化合物の製造方法 |
JP5365785B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2013-12-11 | Jsr株式会社 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
JP4379637B1 (ja) | 2009-03-30 | 2009-12-09 | Jsr株式会社 | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
KR101036803B1 (ko) | 2009-07-20 | 2011-05-25 | 서울대학교산학협력단 | 전자빔 리소그라피용 레지스트 및 전자빔 리소그라피용 레지스트 현상방법 |
US11164739B2 (en) * | 2018-02-08 | 2021-11-02 | Versum Materials Us, Llc | Use of silicon structure former with organic substituted hardening additive compounds for dense OSG films |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127152A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置 |
JP2001345317A (ja) | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Fujitsu Ltd | 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置 |
JP2002069375A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP2002129103A (ja) | 2000-10-23 | 2002-05-09 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5461299A (en) * | 1977-10-26 | 1979-05-17 | Tokushiyu Muki Zairiyou Kenkiy | Polycarbosilane partially containing siloxane linkage and method of making same |
JPS6169836A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-10 | Chisso Corp | けい素含有ステツプラダ−ポリマ−及びその製造方法 |
JPH04233732A (ja) * | 1990-08-16 | 1992-08-21 | Motorola Inc | 半導体の製造工程で使用するスピン・オン誘電体 |
JP3296440B2 (ja) * | 1991-10-17 | 2002-07-02 | 鐘淵化学工業株式会社 | ケイ素系ハイブリッド材料 |
JP3320440B2 (ja) | 1992-03-17 | 2002-09-03 | 触媒化成工業株式会社 | 被膜形成用塗布液およびその製造方法 |
JP3073313B2 (ja) | 1992-05-12 | 2000-08-07 | 触媒化成工業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
EP0851463A1 (en) * | 1996-12-24 | 1998-07-01 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for realizing an intermediate dielectric layer for enhancing the planarity in semiconductor electronic devices |
DE69733639T2 (de) * | 1997-06-03 | 2006-05-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Klebefilm mit elektromagnetischer Abschirmung |
JPH11340220A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法 |
JP4473352B2 (ja) | 1998-05-26 | 2010-06-02 | 東京応化工業株式会社 | 低比誘電率シリカ系被膜、それを形成するための塗布液、その塗布液の調製方法 |
US6204202B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-03-20 | Alliedsignal, Inc. | Low dielectric constant porous films |
JP4305587B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2009-07-29 | Jsr株式会社 | 半導体装置用の層間絶縁膜形成用材料 |
US6225238B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-05-01 | Allied Signal Inc | Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes |
DE50008772D1 (de) * | 1999-08-20 | 2004-12-30 | Bayer Materialscience Ag | Anorganische beschichtungszusammensetzung, ein verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung |
US6761975B1 (en) * | 1999-12-23 | 2004-07-13 | Honeywell International Inc. | Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials |
JP3941327B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2007-07-04 | Jsr株式会社 | シリカ系膜の製造方法、シリカ系膜、絶縁膜および半導体装置 |
JP4117436B2 (ja) * | 2000-04-10 | 2008-07-16 | Jsr株式会社 | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
DE10041417A1 (de) * | 2000-08-23 | 2002-03-21 | Beru Ag | Elektronische Ansteuerung für Heizelemente |
JP4545973B2 (ja) * | 2001-03-23 | 2010-09-15 | 富士通株式会社 | シリコン系組成物、低誘電率膜、半導体装置および低誘電率膜の製造方法 |
KR100451044B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2004-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기실리케이트 중합체의 제조방법, 및 이를 이용한절연막의 제조방법 |
JP2003115482A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Asahi Kasei Corp | 絶縁膜形成用組成物 |
CN100547036C (zh) * | 2002-04-12 | 2009-10-07 | Az电子材料(日本)株式会社 | 含硅共聚物的组合物、可溶剂溶解的交联含硅共聚物及由其制备的固化产品 |
AU2003218816A1 (en) | 2002-04-18 | 2003-12-22 | Lg Chem, Ltd. | Organic silicate polymer and insulation film comprising the same |
US6844568B2 (en) * | 2002-04-25 | 2005-01-18 | Kyocera Corporation | Photoelectric conversion device and manufacturing process thereof |
KR100515583B1 (ko) | 2002-06-27 | 2005-09-20 | 주식회사 엘지화학 | 유기실리케이트 중합체 및 이를 함유하는 절연막 |
US6809041B2 (en) * | 2002-07-01 | 2004-10-26 | Rensselaer Polytechnic Institute | Low dielectric constant films derived by sol-gel processing of a hyperbranched polycarbosilane |
US20040109950A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-06-10 | Shipley Company, L.L.C. | Dielectric materials |
KR20050024721A (ko) * | 2003-09-01 | 2005-03-11 | 삼성전자주식회사 | 신규 실록산계 수지 및 이를 이용한 반도체 층간 절연막 |
US7462678B2 (en) * | 2003-09-25 | 2008-12-09 | Jsr Corporation | Film forming composition, process for producing film forming composition, insulating film forming material, process for forming film, and silica-based film |
JP2005175060A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Jsr Corp | 絶縁膜およびその形成方法、ならびに膜形成用組成物 |
JP4737361B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2011-07-27 | Jsr株式会社 | 絶縁膜およびその形成方法 |
KR101129875B1 (ko) * | 2004-01-16 | 2012-03-28 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 중합체의 제조 방법, 중합체, 절연막 형성용 조성물,절연막의 제조 방법 및 절연막 |
WO2005068540A1 (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Jsr Corporation | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 |
WO2005082976A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Jsr Corporation | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法 |
JP5110239B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2012-12-26 | Jsr株式会社 | 有機シリカ系膜の形成方法、膜形成用組成物 |
KR101140535B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2012-05-02 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 유기 실리카계 막의 형성 방법, 유기 실리카계 막, 배선구조체, 반도체 장치 및 막 형성용 조성물 |
DE102005017427A1 (de) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | Zimmer Ag | Verfahren zur Aufbereitung von Kondensaten aus der Polykondensation |
EP1615260A3 (en) * | 2004-07-09 | 2009-09-16 | JSR Corporation | Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device |
JP4355939B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2009-11-04 | Jsr株式会社 | 半導体装置の絶縁膜形成用組成物およびシリカ系膜の形成方法 |
US7358317B2 (en) * | 2004-09-22 | 2008-04-15 | Jsr Corporation | Polycarbosilane and method of producing the same |
JP2006152063A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Jsr Corp | 新規ポリカルボシランおよびその製造方法、膜形成用組成物、ならびに膜およびその形成方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040460A patent/JP5110238B2/ja active Active
- 2005-04-28 KR KR1020067025860A patent/KR101168452B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-04-28 EP EP05737241A patent/EP1746139A4/en not_active Withdrawn
- 2005-04-28 WO PCT/JP2005/008222 patent/WO2005108516A1/ja active Application Filing
- 2005-05-10 TW TW094115013A patent/TW200610793A/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-10-16 US US11/580,959 patent/US7736748B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127152A (ja) | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Fujitsu Ltd | 低誘電率絶縁膜の形成方法及び該方法で形成された低誘電率絶縁膜及び該低誘電率絶縁膜を用いた半導体装置 |
JP2001345317A (ja) | 2000-03-29 | 2001-12-14 | Fujitsu Ltd | 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置 |
JP2002069375A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-08 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
JP2002129103A (ja) | 2000-10-23 | 2002-05-09 | Jsr Corp | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5110238B2 (ja) | 2012-12-26 |
TWI326701B (ko) | 2010-07-01 |
US20070031687A1 (en) | 2007-02-08 |
US7736748B2 (en) | 2010-06-15 |
JP2005350651A (ja) | 2005-12-22 |
EP1746139A4 (en) | 2011-07-13 |
KR20070010080A (ko) | 2007-01-19 |
WO2005108516A1 (ja) | 2005-11-17 |
EP1746139A1 (en) | 2007-01-24 |
TW200610793A (en) | 2006-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101168452B1 (ko) | 절연막 형성용 조성물, 그의 제조 방법, 실리카계 절연막및 그의 형성 방법 | |
KR101185644B1 (ko) | 절연막 형성용 조성물 및 그의 제조 방법, 및 실리카절연막 및 그의 형성 방법 | |
KR100709644B1 (ko) | 실리카계 막 및 그의 형성 방법, 반도체 장치의 절연막형성용 조성물, 및 배선 구조체 및 반도체 장치 | |
KR101203225B1 (ko) | 막 형성용 조성물, 막 형성용 조성물의 제조 방법, 절연막형성용 재료, 막의 형성 방법 및 실리카계 막 | |
KR100528949B1 (ko) | 실리카계 막의 제조 방법, 실리카계 막, 절연막 및 반도체장치 | |
KR100619647B1 (ko) | 막 형성용 조성물, 막의 형성 방법 및 절연막 | |
KR20070010011A (ko) | 중합체 및 그의 제조 방법, 절연막 형성용 조성물, 및절연막 및 그의 형성 방법 | |
JP4877486B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物およびその製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜およびその形成方法 | |
JPWO2005108469A1 (ja) | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 | |
JP5099302B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP4662000B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜 | |
JP2010106100A (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ならびに絶縁膜およびその形成方法 | |
JP5423937B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物の製造方法、ポリマーの製造方法 | |
JP4022802B2 (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜 | |
JP2007204626A (ja) | ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、およびシリカ系絶縁膜 | |
JP5099301B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP4101989B2 (ja) | ポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法、ポリオルガノシロキサン系組成物、および膜 | |
JP2004059738A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2007262255A (ja) | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JPWO2008096656A1 (ja) | ケイ素含有ポリマーおよびその合成方法、膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 | |
JP2009227910A (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 | |
JP2008222857A (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 | |
JP5376118B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物の製造方法、ならびに絶縁膜の形成方法 | |
JP2001335744A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2008198852A (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ならびにシリカ系膜およびその形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150710 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160708 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170707 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |