KR100940421B1 - 다이싱·다이 본드 필름 - Google Patents

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다케시 마츠무라
마사키 미즈타니
사다히토 미스미
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 다이싱·다이 본드 필름은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름으로서, 상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 25mm/sec의 조건으로 측정했을 때, 다이 접착용 접착제층(3)위의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(3b)의 일부 또는 전부에 대응하는 부분(2b)에서 다르고, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하고 있고, 또한 점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이, 2.3N/25mm 이하인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 워크가 박형인 경우에도 상기 박형 워크를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 수득되는 칩상 워크를 그 다이 접착용 접착제층과 일체로 박리할 때의 박리성과의 균형 특성이 우수한 다이싱·다이 본드 필름을 제공할 수 있다.

Description

다이싱·다이 본드 필름{DICING-DIE BONDING FILM}
도 1은 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1)의 단면도의 일례이다.
도 2는 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1)의 단면도의 일례이다.
도 3은 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(2)의 단면도의 일례이다.
본 발명은 다이싱·다이 본드 필름에 관한 것이다. 다이싱·다이 본드 필름은 칩상 워크(work)(반도체 칩 등)와 전극 부재를 고착하기 위한 접착제를 다이싱 전에 워크(반도체 웨이퍼 등)에 부착한 상태로 워크를 다이싱에 제공하기 위해 사용된다. 또한 본 발명은 상기 다이싱·다이 본드 필름을 이용한 칩상 워크의 고정 방법에 관한 것이다. 또한, 상기 고정 방법에 의해 칩상 워크가 접착 고정된 반도체 장치에 관한 것이다. 예컨대, 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름은 실리콘 반도체, 화합물 반도체, 반도체 패키지, 유리, 세라믹스 등의 각종 워크에 적용할 수 있다.
회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼는 필요에 따라 이면 연마에 의해 두께를 조정한 후, 칩상 워크로 다이싱된다(다이싱 공정). 다이싱 공정에서는 절단층의 제거를 위해 반도체 웨이퍼를 적절한 액압(보통, 2kg/cm2 정도)으로 세정하는 것이 일반적이다. 계속해서, 상기 칩상 워크를 접착제로 리드 프레임 등의 피착체에 고착(마운트 공정)한 후, 본딩 공정으로 이동된다. 상기 마운트 공정에 있어서는 접착제를 리드 프레임 또는 칩상 워크에 도포하고 있었다. 그러나 이 방법에서는 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 이 때문에, 다이싱 공정으로 반도체 웨이퍼를 접착 유지하는 동시에, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용 접착제층도 부여하는 다이싱·다이 본드 필름이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제 1985-57642호 공보 참조).
상기 특허 문헌 1에 기재된 다이싱·다이 본드 필름은 지지 기재상에 접착제층을 박리할 수 있게 설치되어 이루어진 것이다. 즉, 접착제층에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 칩상 워크를 접착제층과 함께 박리하고, 이것을 개별적으로 회수하여 그 접착제층을 통해 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.
이 종류의 다이싱·다이 본드 필름의 접착제층에는 다이싱 불능 및 치수 미스 등이 발생하지 않도록, 반도체 웨이퍼에 대한 양호한 유지력과, 다이싱 후의 칩상 워크를 접착제층과 일체로 지지 기재로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성이 기대된다. 그러나, 이러한 양 특성을 균형을 이루도록 하는 것은 결코 용이하지 않 았다. 특히, 반도체 웨이퍼를 회전 둥근 날 등으로 다이싱하는 방식과 같이, 접착제층에 큰 유지력이 요구되는 경우에는 상기 특성을 만족시키는 다이싱·다이 본드 필름을 수득하는 것은 곤란했다.
그래서 이러한 문제를 해결하기 위해서, 여러가지 개량법이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제 1990-248064호 공보 참조). 특허 문헌 2에는 지지 기재와 접착제층 사이에 자외선 경화가능한 점착제층을 개재시키고, 이것을 다이싱 후에 자외선 경화하여, 점착제층과 접착제층 사이의 접착력을 저하시켜, 양자간의 박리에 의해 칩상 워크의 픽업을 용이하게 하는 방법이 제안되어 있다.
그러나 이 개량법에 의해서도, 다이싱시의 유지력과 그 후의 박리성이 균형을 이루도록 한 접착제층으로 하는 것은 곤란한 경우가 있다. 예컨대, 10mm× 10mm 이상의 대형의 칩상 워크를 수득한 경우에는 그 면적이 크다는 점에서, 일반적인 다이본더로는 용이하게 칩상 워크를 픽업할 수 없었다.
상기 문제에 대하여, 본 출원인은 워크를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 수득되는 칩상 워크를 그 다이 접착용 접착제층과 일체로 박리할 때의 박리성과의 균형 특성이 우수한 다이싱·다이 본드 필름을 출원했다(일본 특허 출원 제 2002-299930호). 상기 다이싱·다이 본드 필름을 이용한 픽업 공정에서도 일반적인 다이싱용 점착 필름을 이용한 경우의 방식이 채용된다. 즉, 다이싱·다이 본드 필름을 어느정도 팽팽한 상태로 하여, 픽업하는 칩상 워크 하부의 다이싱·다이 본드 필름을 점 형상 또는 선 형상으로 들어 올리거나 문질러 붙여, 상기 칩상 워크와 다이싱·다이 본드 필름의 박리를 조장한 상태에서 상부로부터 진공 흡착에 의 해 픽업하여, 칩상 워크를 수득하고 있다. 상기 출원된 다이싱·다이 본드 필름에 의하면 픽업성이 양호하게 실시할 수 있다.
그러나, 최근에는 IC 카드 등의 보급에 따라, 워크(반도체 소자)의 박형화가 진행되고 있고, 상기 방법으로 픽업할 때에 칩상 워크가 변형되기(휘어지기) 쉬워져, 다이싱·다이 본드 필름과 칩상 워크의 박리 각도가 저하되는 경향이 있다. 그 결과, 박리력이 높아져 픽업 장해가 되고 있다.
박형 칩상 워크의 픽업 메커니즘은 대강 이하와 같다고 추찰되고 있다. 즉, 박형 칩상 워크를 픽업할 때는 다이싱·다이 본드 필름을 리프트(lift) 핀으로 들어 올려 박리를 조장했을 때, 워크가 얇고 강성이 낮기 때문에 워크 단부가 변형하여 다이싱·다이 본드 필름과 워크의 박리 각도가 종래의 강성을 갖는 두꺼운 워크보다도 낮아져, 이에 의해 박리력이 높아져 픽업 장해가 된다고 추찰된다.
본 발명은 지지 기재상에 점착제층을 갖고, 상기 점착제층상에는 박리할 수 있도록 설치된 다이 접착용 접착제층을 갖는 다이싱·다이 본드 필름으로, 워크가 박형인 경우에도 상기 박형 워크를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 수득되는 칩상 워크를 그 다이 접착용 접착제층과 일체로 박리할 때의 박리성과의 균형 특성이 우수한 다이싱·다이 본드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 본 발명은 상기 다이싱·다이 본드 필름을 이용한 칩상 워크의 고정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 고정 방법에 의해, 칩상 워크가 접착 고정된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 이하에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름을 발견하고, 본 발명을 완성하는 데 이르렀다.
즉 본 발명은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름으로,
상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 2.5mm/sec의 조건으로 측정했을 때,
다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(3b)의 일부 또는 전부에 대응하는 부분(2b)에서 다르고,
점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하고, 또한
점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이 2.3N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름(1)에 관한 것이다.
상기 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1)은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 박리할 수 있게 설치된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는다. 상기 점착제층(2)은 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)과 그 이외의 부분(3b)에 대응하는 부분(2a, 2b)에서, 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력이 되도록 설계되어 있다. 즉, 점착제층(2b)은 접착제층(3)과 다이싱시 및 팽창(expand)시에 적절히 접착하여 점착제층(2)과 접착제층(3)이 박리되지 않도록 하고 있다. 한편, 점착제층(2a)은 경박리가 가능하도록 되어 있다. 그 때문에 10mm× 10mm을 초과하는 대형 칩에 대해서도 다이싱 불량을 초래하지 않고, 다이싱 후에는 수득된 칩상 워크을 용이하게 박리, 픽업할 수 있는 다이싱·다이 본드 필름이 수득된다. 이와 같이 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1)은 다이싱시 등의 유지력과 픽업시의 박리성이 양호하게 균형을 이루도록 한다.
또한, 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력은 박리 각도가 15°라는 낮은 상태에서도 점착력이 2.3N/25mm 이하로 낮다. 그 때문에 워크가 박형으로 변형되기 쉽고, 픽업시의 박리 각도가 작아진 경우에도 양호하게 칩상 워크의 픽업을 실시할 수 있다. 상기 점착력은 2.0N/25mm 이하, 추가로 1.8N/25mm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 칩 비산 등의 점에서는 0.1N/25mm 이상, 추가로 0.3N/25mm 이상인 것이 바람직하다.
상기 다이싱·다이 본드 필름(1)에 있어서, 다이 접착용 접착제층(3)의 워크 부착 부분(3a)에서의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이,
워크에 대한 점착력> 점착제층(2a)에 대한 점착력을 만족하는 것이 바람직하다.
상기 다이 접착용 접착제층(3)의 점착력이 워크와 점착제층(2a)과의 관계에서 상기 관계를 만족함으로써, 워크를 다이싱한 후에, 칩상 워크에 다이 접착용 접착제층(3)을 부설한 상태로 점착제층(2a)으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
상기 다이싱·다이 본드 필름(1)은 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b)의 일부를 다이싱 링 부착 부분(3b')으로 할 수 있다. 상기 다이싱·다이 본드 필름(1)에서는 다이 접착용 접착제층(3)의 다이싱 링 부착 부분(3b')에 있어서의, 다이싱 링에 대한 점착력과 점착제층(2b')에 대한 점착력이,
다이싱 링에 대한 점착력<점착제층(2b')에 대한 점착력을 만족하는 것이 바람직하다.
다이 접착용 접착제층(3)의 점착력이 상기 관계를 만족함으로써 다이싱시 등의 유지력과 픽업시의 박리성이 보다 양호하게 균형을 이룬다.
또한 본 발명은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름으로서,
상기 다이 접착용 접착제층(3)은 점착제층(2)의 일부에 워크 부착 부분(3a)으로서 설치되어 있고,
상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 2.5mm/sec의 조건으로 측정했을 때,
점착제층(2)에 있어서의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(2b)에서 점착력이 다르고,
점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하고, 또한
점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이, 2.3N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름(2)에 관한 것이다.
상기 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(2)은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상의 일부에 다이 접착용 접착제층(3)이 워크 부착 부분 (3a)으로서 박리할 수 있도록 설치되어 있다. 상기 점착제층(2)은, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(2b)에서 그 점착력이 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력이 되도록 설계되어 있다. 즉, 점착제층(2a)은 경박리할 수 있도록 되어 있다. 한편, 점착제층(2b)에는 웨이퍼 링을 접착할 수 있고, 다이싱시 및 팽창시에 이들이 박리하지 않도록 고정할 수 있다. 그 때문에 10mm× 10mm를 초과하는 대형 칩에 대해서도, 다이싱 불량을 초래하지 않고, 다이싱 후에는 수득된 칩상 워크를 용이하게 박리, 픽업할 수 있는 다이싱·다이 본드 필름이 수득된다. 이와 같이 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(2)은 다이싱시 등의 유지력과 픽업시의 박리성이 양호하게 균형을 이루도록 한다.
또한, 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력은 박리 각도가 15°라는 낮은 상태에서도, 점착력이 2.3N/25mm 이하로 낮다. 그 때문에 워크가 박형으로 변형하기 쉬운 것이고, 픽업 시의 박리 각도가 작아진 경우에도 양호하게 칩상 워크의 픽업을 실시할 수 있다. 상기 점착력은 2.0N/25mm 이하, 또한 1.8N/25mm 이하인 것이 바람직하다. 또한, 칩 비산 등의 점에서는 0.1N/25mm 이상, 또한 0.3N/25mm 이상인 것이 바람직하다.
상기 다이싱·다이 본드 필름(2)에 있어서, 워크 부착 부분(3a)의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이,
워크에 대한 점착력> 점착제층(2a)에 대한 점착력을 만족하는 것이 바람직하다.
상기 다이 접착용 접착제층(3a)의 점착력이 워크와 점착제층(2a)과의 관계에 서 상기 관계를 만족함으로써, 워크를 다이싱한 후에, 칩상 워크에 다이 접착용 접착제층(3a)을 부설한 상태에서 점착제층(2a)으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
상기 다이싱·다이 본드 필름(1,2)의 점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 것이 바람직하고, 워크 부착부(3a)에 대응하는 점착제층(2a)은 이것을 방사선 조사함으로써 형성할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제는 아크릴계 폴리머를 포함하고, 그 유리 전이 온도가 -70℃ 이상인 것을 바람직하게 이용할 수 있다. 또한 상기 방사선 경화형 점착제는 아크릴계 폴리머를 포함하고, 그 중량 평균 분자량은 50만 이상인 것이 바람직하다. 또한 상기 방사선 경화형 점착제는 탄소-탄소의 2중 결합을 1분자중에 평균 6개 이상 포함하는 방사선 경화형 수지를 40중량% 이상 함유하는 것이 바람직하다.
또한 상기 다이싱·다이 본드 필름(1,2)의 다이 접착용 접착제층(3)은 추가로 칩상 워크 등에 접합한 것을 반도체 소자에 추가로 접합하여 최종적으로(열경화형의 경우에는 경화시켜) 고정화하는, 접합 전 25℃에서의 인장 저장 탄성률이 50MPa 이상인 것이 점착제층의 다이 접착용 접착제와의 점착력을 작게 한다는 점에서 바람직하다. 인장 저장 탄성률은 70MPa 이상, 추가로 80MPa 이상인 것이 바람직하다. 또한, 워크로의 접합의 점에서는 인장 저장 탄성률은 2500MPa 이하, 1000MPa 이하, 또한 500MPa 이하인 것이 바람직하다.
또한 본 발명은 상기 다이싱·다이 본드 필름(1,2)의 다이 접착용 접착제층(3a) 상에 워크를 압착하는 공정,
워크를 칩상으로 다이싱하는 공정,
칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3a)과 함께 점착제층(2a)으로부터 박리하는 공정, 및
다이 접착용 접착제층(3a)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 칩상 워크의 고정 방법에 관한 것이다
상기 칩상 워크의 고정 방법은 워크의 두께가 100μm 미만인 경우에도 바람직하다. 또한 워크의 두께가 50μm 미만인 경우에도 바람직하게 실시할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 칩상 워크의 기판 또는 칩으로의 고정 방법에 의해, 다이 접착용 접착제(3a)를 통해 칩상 워크가 반도체 소자에 접착 고정된 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징 및 우수한 점은 이하에 나타낸 설명에 의해서 충분히 이해할 수 있다. 또한, 본 발명의 이점은 첨부 도면을 참조한 다음의 설명으로 명백해질 것이다.
이하에, 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름에 대해 도면을 참고하여 설명한다. 도 1 및 2는 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1)의 단면도의 일례를 나타낸 것이고, 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2) 상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는다.
도 1에서 상기 점착제층(2)은 다이 접착용 접착제층(3)과의 박리성이, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 계면(A)과 그 이외의 부분(3b)에 대응하는 계면(B)에서 계면(A)의 박리력> 계면(B)의 박리력인 관계가 되도록, 각각의 부분(2a, 2b)이 설 계되어 있다. 점착제층(2a)은 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하고, 점착제층(2b)은 그 이외의 부분(3b)에 대응한다.
도 2는 상기 부분(3b)의 일부가 다이싱 링 부착 부분(3b')에 대응하고 있는 예이다. 즉, 다이싱 링 부착 부분(3b')과 이에 대응하여 형성된 점착제층(2b')의 계면(B')의 박리력이, 계면(A)의 박리력> 계면(B')의 박리력인 관계가 되도록 설계되어 있다. 또한, 도 1의 점착제층(2)은 점착제층(2a) 이외의 전부가 점착제층(2b)으로 되어 있지만, 도 2에 나타낸 바와 같이 점착제층(2a) 이외의 일부를 점착제층(2b)으로 할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(2)의 단면도의 일례를 나타낸 것이고, 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2) 상의 일부에 워크 부착 부분(3a)을 갖는다. 상기 점착제층(2)은 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(2b)에서 점착력이, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력의 관계가 되도록, 각각의 부분(2a, 2b)이 설계되어 있다.
지지 기재(1)는 다이싱·다이 본드 필름의 강도 모체가 되는 것이다. 예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터(랜덤, 교대)공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리 에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터에터케톤, 폴리이미드, 폴리에터 이미드, 폴리아마이드, 전체 방향족 폴리아마이드, 폴리페닐설파이드, 아라미드(종이), 유리, 유리 크로스, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 또한 지지 기재의 재료로서는 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 또한, 지지 기재를 구성하는 상기 예시한 재료는 필요에 따라 작용기, 기능성 모노머 또는 개질성 모노머를 그래프트하여 사용할 수 있다.
상기 지지 기재가 플라스틱 필름으로 이루어지는 경우, 상기 플라스틱 필름은 무연신으로 이용할 수도 있고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용할 수 있다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 다이싱 후에 그 지지 기재를 열수축시킴으로써 점착제층(2a)과 접착제층(3a)과의 접착 면적을 저하시켜, 칩상 워크의 회수의 용이화를 꾀할 수 있다.
지지 기재의 제막 방법은 종래부터 공지된 제막 방법에 의해 실시할 수 있다. 예컨대, 캘린더 제막, 캐스팅 제막, 인플레이션 압출, T다이 압출 등을 적당히 이용할 수 있다. 지지 기재의 표면은 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 때문에, 관용의 표면 처리, 예컨대, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
상기 지지 기재는 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 지지 기재는 단층 또는 다층 중 어떤 것도 바람직하고, 상기 2종 이상의 수 지를 드라이 블렌딩한 블렌드 기재일 수 있다. 다층 필름은 상기 수지 등을 이용하여, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 관용의 필름 적층법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 지지 기재에는 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기 지지 기재상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30 내지 500Å 정도의 전도성 물질의 증착층을 설치할 수 있다. 지지 기재는 단층 또는 2종 이상의 복층일 수 있다. 또한, 점착제층(2)이 방사선 경화형인 경우에는 X선, 자외선, 전자선 등의 방사선을 적어도 일부 투과하는 것을 이용한다.
지지 기재(1)의 두께는 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 10 내지 300μm 정도가 바람직하고, 더 바람직하게는 30 내지 200μm이다.
점착제층(2)의 형성에 이용하는 점착제는 특별히 제한되지 않지만, 점착제층(2a,2b)에 점착력의 차이를 마련하기 쉬운 방사선 경화형 점착제가 바람직하다. 방사선 경화형 점착제는 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 따라서, 워크 부착 부분(3a)에 합쳐서, 방사선 경화형 점착제층을 경화시킴으로써, 점착력이 현저히 저하된 점착제층(2a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하여, 점착력이 저하된 점착제층(2a)에 접착제층(3) 또는 (3a)가 부착되기 때문에, 점착제층(2a)과 접착제층(3a)과의 계면은 픽업시에 용이하게 벗겨지는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있고, 점착제층(2b)을 형성한다.
다이싱·다이 본드 필름(1)에서 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성 되어 있는 점착제층(2b)은 접착제층(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 방사선 경화형 점착제는 칩상 워크(반도체칩 등)를 기판 또는 칩상 워크 등의 피착체(반도체 소자라고 한다)에 고착하기 위한 다이 접착용 접착제층(3)은 접착·박리의 균형을 양호하게 유지할 수 있다. 다이싱·다이 본드 필름(2)에서는 점착제층(2b)은 웨이퍼 링 등을 고정할 수 있다.
점착제층(2)의 형성에 이용하는 방사선 경화형 점착제는 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것이면 특별히 제한없이 사용할 수 있다.
방사선 경화형 점착제로서는 예컨대, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리비닐에터계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분 또는 올리고머 성분을 배합한 첨가형 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다. 상기 감압성 점착제로서는 반도체 웨이퍼 및 유리 등의 오염 회피성 전자 부품의 초순수 또는 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머로서는 예컨대, (메트)아크릴산 알킬 에스터(예컨대, 메틸 에스터, 에틸 에스터, 프로필 에스터, 아이소프로필 에스터, 부틸 에스터, 아이소부틸 에스터, s-부틸 에스터, t-부틸 에스터, 펜틸 에스터, 아이소펜틸 에스터, 헥실 에스터, 헵틸 에스터, 옥틸 에스터, 2-에틸헥실 에스터, 아이소옥틸 에스터, 노닐 에스터, 데실 에스터, 아이소데실 에스터, 운데실 에스터, 도데실 에스터, 트라이데실 에스터, 테트라데실 에스터, 헥사데실 에스터, 옥타데실 에스터, 에이코실 에스터 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상 알킬 에스터 등) 및 (메트)아크릴산 사이클로알킬 에스터(예컨대, 사이클로펜틸 에스터, 사이클로헥실 에스터 등의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산 에스터란 아크릴산 에스터 및/또는 메타크릴산 에스터를 말하고, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다. 아크릴계 폴리머는 박리 점착력의 점에서, 유리 전이 온도가 -70℃ 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 -60℃ 이상이다. 또한 유리 전이 온도 -40 내지 -10℃인 것이 바람직하다. 그 때문에 아크릴계 폴리머를 형성하는 주모노머는 호모폴리머에서의 유리 전이 온도가 -70℃ 이상인 것이 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산 알킬 에스터 또는 사이클로알킬 에스터와 공중합할 수 있는 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함할 수도 있다. 이러한 모노머 성분으로서, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸(메트)아크릴레이트, 카복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스 타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로판설폰산, (메트)아크릴아마이드프로판설폰산, 설포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴산 글라이시딜 에스터, (메트)아크릴아마이드, (메트)아크릴산 N-하이드록시메틸아마이드, (메트)아크릴산 알킬아미노알킬 에스터(예컨대, 다이메틸아미노에틸메타크릴레이트, t-부틸아미노에틸메타크릴레이트 등), N-비닐피롤리돈, 아크릴로일모폴린, 아세트산비닐, 스타이렌, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합할 수 있는 모노머 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합할 수 있는 모노머의 사용량은 전체 모노머 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해 다작용성 모노머 등도 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다작용성 모노머로서, 예컨대, 헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스터 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합시킴으로써 수득된다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 중 어떤 방식으로도 할 수 있다. 청정한 피착체로의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이러한 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 바람직하게는 50만 이상, 더 바람직하게는 80만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는 폴리아이소사이아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제, 요소 수지, 무수 화합물, 폴리아민, 카복실기 함유 폴리머 등의 이른바 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 균형에 의해, 추가로 점착제로서의 사용 용도에 의해서 적절히 결정된다. 일반적으로는 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 또한 0.01 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라, 상기 성분 이외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제, 충전제 및 착색제 등의 첨가제를 사용할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는 예컨대, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 테드라메틸올메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시 펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리 콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산다이올 (메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 다이(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올과의 에스터화물; 에스터 아크릴레이트 올리고머; 2-프로펜일-3-부텐일 사이아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸) 아이소사이아누레이트 등의 아이소사이아누레이트 또는 아이소사이아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에터계, 폴리에스터계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 아크릴레이트올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000정도의 범위인 것이 적당하다.
상술한 모노머 성분 또는 올리고머 성분의 점도는 특별히 제한되지 않는다. 또한 방사선 경화성 모노머 성분 및 올리고머 성분 1종일 수도 있고 2종 이상을 혼합한 것일 수도 있다. 그 배합량은 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절히 결정할 수 있다. 방사선 경화성의 모노머 성분 및 올리고머 성분의 배합량은 특별히 제한되지 않지만, 픽업시, 즉 방사선 조사후의 점착력을 저하시키는 것을 고려하면, 방사선 경화형 점착제 중에 40 내지 75중량%, 특히 50 내지 70중량% 함유하는 것이 바람직하다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는 상기 설명한 첨가형 방사선 경화성 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화성 점착제는 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착 제 존재중을 이동하지 않고, 안정적인 층구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 폴리머는 탄소-탄소 2중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본골격으로서는 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다
상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 2중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 2중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예컨대, 미리 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 2중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 작용기의 조합예로서는 카복실산기와 에폭시기, 카복실산기와 아지리딜기, 하이드록실기와 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도 (특히) 반응 추적이 용이함 때문에 하이드록실기와 아이소사이아네이트기의 조합이 바람직하다. 또한, 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하도록 조합하면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 바람직하지만, 상기 바람직한 조합으로서는 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 갖고, 상기 화합물이 아이소사이아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아이소사이아네이트 화 합물로서는 예컨대, 메타크릴로일아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트, m-아이소프로펜일-α, α-다이메틸벤질아이소사이아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는 상기 예시된 하이드록시기 함유 모노머나 2-하이드록시에틸비닐에터, 4-하이드록시부틸비닐에터, 다이에틸렌글리콜모노비닐에터의 에터계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형의 방사선 경화성 점착제는 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 폴리머 (특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않는 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분 또는 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 내재형의 방사선 경화성 점착제의 경우, 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 폴리머를 40중량% 이상, 추가로 50중량% 이상 함유하고 있는 것이 바람직하다.
상기 방사선 경화형 점착제에는 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는 예컨대, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-다이메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)-페닐]-2-모폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에터, 벤조인아이소프로필에터, 아니소인메틸에터 등의 벤조인에터계 화합물; 벤질다이메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌설폰일클로라이드 등의 방향족 설폰일클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판다이온-2-(o-에톡시카 보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 싸이옥산톤, 2-클로로싸이옥산톤, 2-메틸싸이옥산톤, 2,4-다이메틸싸이옥산톤, 아이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤, 2,4-다이에틸싸이옥산톤, 2,4-다이아이소프로필싸이옥산톤 등의 싸이옥산톤계 화합물; 캄파퀴논; 할로젠화케톤; 아실포스핀옥사이드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예컨대 0.1 내지 10중량부정도, 바람직하게는 0.5 내지 5중량부이다.
또한 방사선 경화형 점착제로서는 예컨대, 일본 특허 공개 제 1985-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실레인 등의 광중합성 화합물과, 카보닐 화합물, 유기 황화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제 및 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제층(2) 중에는 필요에 따라, 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해, 착색되는 화합물을 점착제층(2)에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 즉, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 점착제층(2a)을 착색할 수 있다. 따라서, 점착제층(2)에 방사선이 조사되었는지 여부를 육안으로 즉시 판명할 수 있어서, 워크 부착 부분(3a)을 인식하기 쉽고, 워크의 접합이 용이하다. 또한 광 센서 등에 의해서 반도체 소자를 검출할 때, 그 검출 정밀도가 높아져, 반도체 소자의 픽업시에 오동 작이 발생되지 않는다.
방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은 방사선 조사 이전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이다. 이러한 화합물의 바람직한 구체예로서는 로이코 염료를 들 수 있다. 로이코 염료로서는 관용의 트라이페닐메탄계, 플루오란계, 페노싸이아진계, 오라민계, 스피로피란계인 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 3-[N-(p-톨릴아미노)]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-메틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-에틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-다이에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 크리스탈바이올렛락톤, 4,4',4''-트리스다이메틸아미노트라이페닐메탄올, 4,4',4''-트리스다이메틸아미노트라이페닐메탄 등을 들 수 있다.
이들 로이코 염료와 함께 바람직하게 이용되는 현색제로서는 종래부터 사용되고 있는 페놀포르말린 수지의 초기 중합체, 방향족 카복실산 유도체, 활성 백토 등의 전자 수용체를 들 수 있고, 또한, 색조를 변화시키는 경우에는 여러가지 공지된 발색제를 조합하여 이용할 수도 있다.
이러한 방사선 조사에 의해서 착색하는 화합물은 일단 유기 용매 등에 용해된 후에 방사선 경화형 접착제 중에 포함될 수도 있고, 또한 미분말 형상으로 하여 상기 점착제 중에 포함시킬 수도 있다. 이 화합물의 사용 비율은 점착제층(2)중에 10중량% 이하, 바람직하게는 0.01 내지 10중량%, 더 바람직하게는 0.5 내지 5중량%인 것이 바람직하다. 상기 화합물의 비율이 10중량%를 초과하면, 점착제층(2)에 조사되는 방사선이 이 화합물에 지나치게 흡수되어 버리기 때문에, 점착제층(2a)의 경화가 불충분해져, 점착력이 충분히 저하되지 않는 경우가 있다. 한편, 충분히 착색시키기 위해서는 상기 화합물의 비율을 0.01중량% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
점착제층(2)은 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력이 되도록 마련한다. 다이싱·다이 본드 필름(1)에서 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력은, 계면(A)의 박리성이 상기 계면(B)의 박리성보다도 커지도록 한다. 다이싱·다이 본드 필름(2)에서는 예컨대, 흡착체로서 SUS304판(#2000 연마)에 대한 관계에서, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력이 되도록 한다.
점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는 지지 기재(1)에 방사선 경화형 점착제층(2)을 형성한 후, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분에, 부분적으로 방사선을 조사하여 경화시켜, 점착제층(2a)을 형성하는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b 등)에 대응하는 패턴을 형성한 포토 마스크를 통해서 실시할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제층(2)의 형성은 세퍼레이터 상에 설치한 것을 지지 기재(1) 상에 전사함으로써 실시할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 상에 설치한 방사선 경화형 점착제층(2)에 실시할 수도 있다.
또한, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는 지지 기재(1)의 한 면 이상의, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 이용하고, 이것에 방사선 경화형 점착제층(2)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 워크 부착부(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 점착제층(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는 지지 필름상에서 포토 마스크가 될 수 있는 것을 인쇄 또는 증착 등으로 작성할 수 있다. 이러한 제조 방법에 따르면, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름을 제조할 수 있다.
또한, 방사선 조사시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는 방사선 경화형 점착제층(2)의 표면으로부터 어떠한 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법 및 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선 조사를 하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층의 두께는 종래의 다이싱용 점착 시트와 같이 1 내지 50μm이다. 점착제층(2)의 두께가 두꺼우면 피절단체의 진동폭이 커지고, 절단 칩의 결여(치핑) 발생을 초래하기 쉬워진다는 점에서 20μm 이하인 것이 바람직하다. 한편, 점착제층(2)의 두께가 얇아지면 다이싱시에 반도체 소자를 유지하기 위한 충분한 점착력이 수득되기 어려워지기 때문에, 3μm 이상인 것이 바람직하다. 이러한 관점에서 점착제층의 두께는 특히 3 내지 20μm이 바람직하다.
다이 접착용 접착제층(3)은 상기 접착제층(3)상에 압착되는 워크(반도체 웨이퍼등)를 칩상으로 다이싱할 때는 워크에 밀착시켜 지지하고, 또한 절단편이 된 칩상 워크(반도체 칩 등)을 마운트할 때는 칩상 워크를 반도체 소자(기판, 칩 등)에 고정하는 접착제층으로서 작용하는 기능을 발휘하는 것이 사용된다. 특히, 다이 접착용 접착제층(3)으로서는 워크의 다이싱시에 절단편을 비산시키지 않는 접착성을 갖고 있는 것이 중요하다. 다이싱·다이 본드 필름(2)에서는 다이 접착용 접 착제층(3)은 미리 형성된 워크 부착 부분(3a)으로서 설치된다.
다이 접착용 접착제층(3)은 보통 다이 접착제에 의해 형성할 수 있다. 다이 접착제로서는 시트 형상으로 할 수 있는 것이 바람직하다. 구체적인 다이 접착제로서는 예컨대, 열가소성 수지, 열경화성 수지로 이루어지는 다이 접착제를 바람직하게 이용할 수 있다. 다이 접착제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 다이 접착용 접착제층은 70℃ 이하에서 반도체 웨이퍼 등의 워크 또는 다이싱 링에 점착할 수 있는 것이 바람직하다. 또한 상온에서 점착할 수 있는 것이 바람직하다.
다이 접착제로서 사용되는 열가소성 수지(열가소성 다이 접착제)로서는 예컨대, 포화 폴리에스터 수지, 열가소성 폴리우레탄계 수지, 아마이드계 수지(나일론계 수지), 이미드계 수지 등을 들 수 있다. 또한, 열경화성 수지(열경화성 다이 접착제)로서는 예컨대, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 열경화성 아크릴 수지, 페놀계 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지로서는 탈용매화하여, 시트화, B 스테이지화한 열경화성 수지가 바람직하다. 또한, 이러한 열경화성 수지와 열가소성 수지와의 혼합물도 B 스테이지화된 상태로 사용할 수 있다. 또한 본 발명으로서는 유리 전이 온도가 높은 실리콘계, 고무계, 우레탄계, 이미드계, 아크릴계 등의 수지를 다이 접착제로서 사용할 수도 있다.
다이 접착용 접착제층(3)은 유리 전이 온도가 다른 열가소성 수지, 열경화 온도가 다른 열경화성 수지를 적절히 조합하여, 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 워크(반도체 웨이퍼 등)의 다이싱 공정에서는 절삭수를 사용할 수 있 다는 점에서, 다이 접착용 접착제층(3)이 흡습되어, 상태(常態) 이상의 함수율이 되는 경우가 있다. 이러한 고함수율 그대로 기판 등에 접착시키면, 후경화(after cure)의 단계에서 접착 계면에 수증기가 고여, 들뜸이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 다이 접착용 접착제로서는 투습성이 높은 필름을 다이 접착제로 협지한 구성으로 함으로써, 후경화 단계에서는 수증기를 필름을 통하여 확산시켜, 이러한 문제를 회피할 수 있게 된다. 따라서, 다이 접착용 접착제층(3)은 접착제층, 필름, 접착제층 순으로 적층된 다층 구조로 이루질 수도 있다.
다이 접착용 접착제층(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 5 내지 100μm 정도, 바람직하게는 10 내지 50μm 정도이다.
이렇게 해서 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2) 상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름(1),(2)이 수득된다.
다이싱·다이 본드 필름(1),(2)은 그 접착시 또는 박리시 등에서의 정전기의 발생 및 그에 따른 워크(반도체 웨이퍼 등)의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 목적으로 대전 방지능을 가지도록 할 수 있다. 대전 방지능의 부여는 지지 기재(1), 점착제층(2) 내지 접착제층(3)에 대전 방지제 및 전도성 물질을 첨가하는 방법, 지지 기재(1)로의 전하 이동 착체 및 금속막 등으로 이루어지는 도전층의 부설 등, 적당한 방식으로 실시할 수 있다. 이러한 방식은 반도체 웨이퍼를 변질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다. 도전성 부여, 열 전도성의 향상 등을 목적으로 하여 배합되는 전도성 물질(도전 충전재)로서는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 전도성 합금 등의 구상, 침상, 플레이크상의 금속 분, 알루미나 등의 금속 산화물, 비정질 카본 블랙, 흑연 등을 들 수 있다.
또한, 다이싱·다이 본드 필름(1),(2)에 있어서, 워크 부착 부분(3a)의, 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이, 워크에 대한 점착력> 점착제층(2a)에 대한 점착력이 되도록 설계하는 것이 바람직하다. 워크에 대한 점착력은 워크의 종류에 따라 적절히 조정된다.
다이싱·다이 본드 필름(1)에 있어서, 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b)을 다이싱 링에 부착 부분(3b')으로 하는 경우에는 다이 접착용 접착제층(3)의 다이싱 링 부착 부분(3b')에서의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2b')에 대한 점착력이, 다이싱 링에 대한 점착력<점착제층(2b')에 대한 점착력이 되도록 설계하는 것이 바람직하다. 다이싱 링에 대한 점착력은 다이싱 링의 종류에 따라 적절히 조정된다.
상기 다이싱·다이 본드 필름(1,2)의 다이 접착용 접착제층(3,3a)은 세퍼레이터에 의해 보호될 수 있다(도시하지 않음). 즉, 세퍼레이터는 임의로 설치할 수 있다. 세퍼레이터는 실용에 공급하기까지 다이 접착용 접착제층(3,3a)을 보호하는 보호재 또는 라벨 가공으로서의 기능 및 점착제를 평활하게 하는 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는 또한 점착제층(2)에 다이 접착용 접착제(3,3a)를 전사할 때의 지지 기재로서 이용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱·다이 본드 필름(1,2)의 다이 접착용 접착제층(3,3a)상에 워크를 접착할 때에 박리된다.
세퍼레이터의 구성 재료로서는 종이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 합성 수지 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터의 표면에는 점 착제층으로부터의 박리성을 높이기 위해, 필요에 따라 실리콘 처리, 장쇄 알킬 처리, 불소 처리 등의 박리 처리가 실시될 수 있다. 또한, 필요에 따라, 점착 시트가 환경 자외선에 의해서 반응하지 않도록 자외선 방지 처리가 실시될 수 있다. 세퍼레이터의 두께는 보통 10 내지 200μm, 바람직하게는 25 내지 100μm 정도이다.
본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1,2)은 접착제층(3,3a)상에 임의로 설치된 세퍼레이터를 적절히 박리하여 하기와 같이 사용된다. 즉, 다이싱·다이 본드 필름(1,2)의 다이 접착용 접착제층(3a)상에, 워크를 압착하고 접착제층(3a)상에 워크를 접착 유지시켜 고정한다. 압착은 통상적 방법에 의해 실시된다. 부착 온도는 전혀 한정되지 않지만, 20 내지 80℃인 것이 바람직하다. 본 발명에서는 워크로서는 반도체 웨이퍼를 바람직하게 이용할 수 있다. 계속해서, 워크를 칩상으로 다이싱한다. 워크로서는 예컨대, 반도체 웨이퍼, 다층 기판, 일괄 밀봉 모듈 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 워크로서는 반도체 웨이퍼를 바람직하게 이용할 수 있다.
다이싱은 회전 둥근 날 등에 의한 적절한 수단으로 접착제층(3)도 포함하여 워크를 칩상 워크(반도체 칩 등)로 한다. 즉, 다이싱 공정으로서는 블레이드를 고속 회전시켜, 피절단체를 소정의 크기로 절단한다. 또한 점착제층(2)까지 절단을 실시하는 풀 컷트라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다.
계속해서 칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3a)과 함께 점착제층(2a)으로부터 박리한다. 픽업한 칩상 워크는 다이 접착용 접착제층(3a)을 통해서, 피착체인 반도체 소자에 접착 고정한다. 반도체 소자로서는 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 칩상 워크 등을 들 수 있다. 피착체는 예컨대 용이하게 변형되는 변형형 피착체일 수도 있고, 변형하기 어려운 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)일 수도 있다. 피착체는 반도체 웨이퍼가 바람직하다. 접착제층(3,3a)이 열경화형인 경우에는 가열 경화에 의해, 워크를 피착체에 접착 고정하여, 내열 강도를 향상시킨다. 또한, 접착제층(3a)을 통해서 칩상 워크가 기판 등에 접착 고정된 것은 재유동(reflow) 공정에 공급할 수 있다.
이하에 본 발명의 실시예를 기재하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 또한, 이하에서, 부는 중량부를 의미한다. 또한, 자외선 조사에는 자외선(UV) 조사 장치: NEL UM-110(닛토덴코(주) 제품)을 이용했다.
유리 전이 온도(이하, Tg라고도 한다.)의 측정은 각 모노머의 호모폴리머의 Tg1-n과 각 모노머의 중량분률 W1-n에서, 1/Tg= W1/Tg1+ ----+ Wn/Tgn에 의해 측정한 값이다.
분자량 측정 조건
중량 분자량은 하기의 조건으로 측정하여, 「TSK 표준 폴리스타이렌」 환산치로 산출했다. GPC 장치: TOSOH 제품 HLC-8120 GPC 컬럼: TSKgel GMH-H(S)× 2컬럼 크기: 7.8ml I.D.× 300mm 유량: 0.5ml/min 검출기: RI 주입량: 100μl 컬럼 온도: 40℃ 용리액: 테트라하이드로퓨란
제조예 1
(지지 기재)
지지 기재로서, 두께 70μm의 직쇄상 저밀도 폴리에틸렌을 사용했다. 이 필름의 한 면에는 코로나 처리를 실시했다.
(방사선 경화형 아크릴계 점착제의 조제)
아크릴산 부틸(호모폴리머에서의 Tg: -55℃) 70부, 아크릴산 에틸(호모폴리머에서의 Tg: -21℃) 30부 및 아크릴산 5부(호모폴리머에서의 Tg: 106℃)를 아세트산 에틸 중에서 통상적 방법에 의해 공중합하여 중량 평균 분자량 80만의 농도 30중량%의 아크릴계 폴리머 용액을 수득했다. 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는 -4.5℃였다. 상기 아크릴계 폴리머 용액에, 다이펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트 20부 및 광중합 개시제(상품명「이르가큐어651」, 치바 스페셜티·케미컬사 제품) 3부, 에폭시계 화합물(상품명「테트랏드 C, 미쓰비시가스화학사 제품」 0.5부 및 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명「콜로네이트 L」, 일본폴리우레탄공업사 제품) 2부를 첨가하여, 아크릴계 점착제 용액을 수득했다.
(점착 필름의 제작)
상기 지지 기재의 코로나 처리면에, 상기 방사선 경화형 아크릴계 점착제의 용액을 도포하고, 80℃에서 10분간 건조하여, 두께 5μm의 점착제층을 형성했다. 계속해서, 점착제층상의 웨이퍼 부착 대응 부분에만 자외선을 500mJ/cm2(자외선 조사 적산 광량)을 조사하고, 웨이퍼 부착 대응 부분이 방사선 경화된 점착제층을 갖는 필름을 수득했다. 이하, 이것을 점착 필름 A라고 한다.
제조예 2
(지지 기재)
지지 기재로서, 두께 80μm의 폴리에틸렌 필름을 사용했다.
(방사선 경화형 아크릴계 점착제의 조제)
아크릴산 에틸(호모폴리머에서의 Tg: -21℃) 50중량부, 아크릴산 부틸(호모폴리머에서의 Tg: -55℃) 50부, 2-하이드록시에틸아크릴레이트(호모폴리머에서의 Tg: -25℃) 16부로 이루어지는 배합 조성물을 톨루엔 용액 중에서 공중합시켜, 중량 평균 분자량 50만의 농도 30중량%의 아크릴계 폴리머 용액을 수득했다. 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는 -37.5℃였다. 계속해서, 이 아크릴계 폴리머 용액에 대하여, 20부의 2-메타크릴로일옥시에틸아이소사이아네이트를 부가 반응시켜, 폴리머 분자 내측쇄에 탄소-탄소 2중 결합을 도입했다. 이 폴리머 100부(고형분)에 대하여, 추가로 폴리아이소사이아네이트계 가교제(상품명「콜로네이트 L」, 일본 폴리우레탄 공업사 제품) 2부 및 광중합 개시제(상품명「이르가큐어 651」, 치바 스페셜티·케미컬사 제품) 3부를 배합했다.
(점착 필름의 제작)
상기 지지 기재에, 상기 방사선 경화형 아크릴계 점착제 용액을 도포하고, 80℃에서 10분간 건조하여, 두께 5μm의 점착제층을 형성했다. 계속해서, 점착제층상의 웨이퍼 부착 대응 부분에만 자외선을 500mJ/cm2(자외선 조사 적산 광량)을 조사하고, 웨이퍼 부착 대응 부분이 방사선 경화된 점착제층을 갖는 필름을 수득했 다. 이하, 이것을 점착 필름 B라고 한다.
제조예 3
(지지 기재)
지지 기재로서, 두께 80μm의 폴리에틸렌 필름을 사용했다.
(방사선 경화형 아크릴계 점착제의 조제)
아크릴산 2-에틸헥실(호모폴리머에서의 Tg: -85℃) 95부 및 아크릴산(호모폴리머에서의 Tg: 106℃) 5부로 이루어지는 배합 조성물을 아세트산 에틸 용액 중에서 공중합시켜, 중량 평균 분자량 70만의 농도 30중량%의 아크릴계 폴리머의 용액을 수득했다. 아크릴계 폴리머의 유리 전이 온도는 -65.2℃였다. 상기 아크릴계 폴리머의 용액에, 다이펜타에리트리톨 트라이아크릴레이트와 다이아이소사이아네이트를 반응시켜 수득된 방사선 경화성 올리고머(25℃에서의 점도 10Pa·sec) 130부, 광중합 개시제(상품명「이르가큐어 651」, 치바 스페셜티 케미컬즈사 제품) 3부 및 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명「콜로네이트 L」, 일본폴리우레탄공업사 제품) 5부를 첨가하여, 아크릴계 점착제 용액을 수득했다.
(점착 필름의 제작)
상기 지지 기재에, 상기 방사선 경화형 아크릴계 점착제의 용액을 도포하고, 80℃에서 10분간 건조하여, 두께가 5μm의 점착제층을 형성했다. 계속해서, 점착제층상의 웨이퍼 부착 대응 부분에만 자외선을 500mJ/cm2(자외선 조사 적산 광량)을 조사하여, 웨이퍼 부착 대응 부분이 방사선 경화된 점착제층을 갖는 필름을 수득했 다. 이하, 이것을 점착 필름 C라고 한다.
제조예 A 내지 C(다이 접착용 접착제층의 제작)
하기 표 1에 나타낸 에폭시 수지, 페놀 수지, 합성 고무, 무기 충전재 및 경화 촉진제로 이루어지는 각 성분을 동 표에 나타내는 비율로 배합한 다이 접착용 접착제 A 내지 C의 조성물을 조제하고, 그 조성물을 메틸에틸케톤에 혼합 용해했다. 이 혼합 용액을 이형 처리한 폴리에스터 필름(세퍼레이터)상에 도포했다. 계속해서, 상기 혼합 용액을 도포한 폴리에스터 필름을 120℃에서 건조시키고, 톨루엔을 제거함으로써 상기 폴리에스터 필름상에 두께 20μm의 B 스테이지화된 다이 접착용 접착제층 A 내지 C를 수득했다.
Figure 112005013863820-pat00001
표 1 중, <에폭시 수지(al)> 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량: 195g/eq, 연화점: 80℃, 점도: 0.08Pa·s/150℃), <에폭시 수지(a2)> 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량: 185g/eq, 점도: 15Pa·s/25℃), <페놀 수지(bl)> 페놀노볼락 수지(하이드록실기 당량: 106g/eq, 연화점: 60℃), <페놀 수지(b2)> 페놀아르알킬 수지(하이드록실기 당량: 168g/eq, 연화점: 60℃)<아크릴 고무> 아크릴로나이트릴-부타디엔 고무(아크릴로나이트릴 함유량 40중량%), <무기 충전재> 구상 실리카(평균 입경: 1μm, 최대 입경: 10μm), <경화 촉진제> 테트라페닐포스포늄·테트라(4-메틸페닐)보레이트이다.
(다이 접착용 접착제층의 인장 저장 탄성률)
다이 접착용 접착제층(다이 본드 필름)을 폭 10mm의 긴 직사각형으로 커터 나이프로 잘라내고, 고체 점탄성 측정 장치 RSAII(레오메트릭 사이언티픽사 제품)으로, 0℃ 내지 50℃까지 인장 저장 탄성률을 주파수 10Hz에서 측정하여, 25℃에서의 값을 나타내었다.
실시예 및 비교예
상기 제조예 1 내지 3에서 수득된 점착 필름 A 내지 C의 점착제층측에, 상기 다이 접착용 접착제층 A 내지 C를 40± 3℃에서 접합하여, 다이싱·다이 본드 필름을 수득했다.
(박리 점착력)
수득된 다이싱·다이 본드 필름을 25mm 폭으로 긴 직사각형으로 절단하고, 40± 3℃에서 실리콘 미러 웨이퍼면(신에쯔 반도체 주식회사 제품; CZN<100> 2.5 내지 3.5(4인치)에 부착했다. 실온 분위기 하에서 30분간 정치한 후, 23℃의 항온실에서, 15° 박리 점착력을 측정했다(박리점 이동 속도 2.5mm/sec). 점착력의 측정은 점착제층이 자외선 조사된 개소에 대해서 실시했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(픽업 카운트)
수득된 다이싱·다이 본드 필름의 점착제층이 자외선 조사된 개소에, 실리콘 미러 웨이퍼면(신에쯔 반도체 주식회사 제품; CZN<100> 2.5 내지 3.5(4인치)를 접합한 후, 하기 조건으로 다이싱, 픽업을 실시하여, 픽업이 가능한지 여부를 평가했다. 50개의 칩상 웨이퍼 중, 픽업할 수 있는 개수를 표 3에 나타낸다. <다이싱 조건> 다이사: DISCO사 제품, DFD-651 블레이드: DISCO사 제품, 27HECC 블레이드 회전수: 40000rpm 다이싱 속도: 120mm/sec 다이싱 깊이: 25μm 컷트 모드: 다운 컷트 다이싱 크기: 5.0mm× 5.0mm <픽업조건> 다이본더: NEC Machinery CPS-100 핀수: 4개 핀 간격: 3.5mm× 3.5mm 핀 첨단 곡률: 0.250mm 핀 리프트량: 0.50mm 흡착 유지 시간: 0.2초 팽창량: 3mm
Figure 112005013863820-pat00002
Figure 112005013863820-pat00003
표 2, 3으로부터, 박리 점착력이 2.3N/25mm 이하의 다이싱·다이 본드 필름은 픽업성이 양호하다고 인정된다.
발명의 상세한 설명의 항에서 이루어진 구체적인 실시 양태 또는 실시예는 어디까지나, 본 발명의 기술 내용을 명백하게 하기 위한 것으로, 그와 같은 구체예로만 한정하여 협의로 해석되는 것은 아니고, 본 발명의 정신과 다음에 기재하는 특허 청구 범위의 범위 내에서, 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
본 발명에 따른 다이싱·다이 본드 필름은 워크가 박형인 경우에도 상기 박형 워크를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 수득되는 칩상 워크를 그 다이 접착용 접착제층과 일체로 박리할 때의 박리성과의 균형 특성이 우수하다.

Claims (18)

  1. 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름으로서,
    상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 2.5mm/sec의 조건으로 측정했을 때,
    다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(3b)의 일부 또는 전부에 대응하는 부분(2b)에서 다르고,
    점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하며,
    점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이 0.1N/25mm 이상, 2.3N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    다이 접착용 접착제층(3)의 워크 부착 부분(3a)에서의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이,
    워크에 대한 점착력> 점착제층(2a)에 대한 점착력을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b)의 일부가 다이싱 링 부착 부분(3b')인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  4. 제 3 항에 있어서,
    다이 접착용 접착제층(3)의 다이싱 링 부착 부분(3b')에 있어서의, 다이싱 링에 대한 점착력과 점착제층(2b')에 대한 점착력이,
    다이싱 링에 대한 점착력<점착제층(2b')에 대한 점착력을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    점착제층(2)이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있고, 워크 부착부(3a)에 대응하는 점착제층(2a)이 방사선 조사되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    다이 접착용 접착제층(3)의 25℃에서의 인장 저장 탄성률이 50MPa 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  7. 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름으로,
    상기 다이 접착용 접착제층(3)은 점착제층(2)의 일부에 워크 부착 부분(3a)으로서 설치되어 있고,
    상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 2.5mm/sec의 조건으로 측정했을 때,
    점착제층(2)에 있어서의, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(2b)에서 점착력이 다르고,
    점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하며,
    점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이 0.1N/25mm 이상, 2.3N/25mm 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  8. 제 7 항에 있어서,
    워크 부착 부분(3a)의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이,
    워크에 대한 점착력> 점착제층(2a)에 대한 점착력을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  9. 제 7 항에 있어서,
    점착제층(2)이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있고, 워크 부착부(3a)에 대응하는 점착제층(2a)이 방사선 조사되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  10. 제 9 항에 있어서,
    방사선 경화형 점착제가 아크릴계 폴리머를 포함하고, 그 유리 전이 온도가 -70℃ 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  11. 제 9 항에 있어서,
    방사선 경화형 점착제가 아크릴계 폴리머를 포함하고, 그 중량 평균 분자량이 50만 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  12. 제 11 항에 있어서,
    다이 접착용 접착제층(3)의 25℃에서의 인장 저장 탄성률이 50MPa 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  13. 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름을 이용한 칩상 워크의 고정 방법으로,
    상기 다이싱·다이 본드 필름으로서, 상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 2.5mm/sec의 조건으로 측정했을 때, 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(3b)의 일부 또는 전부에 대응하는 부분(2b)에서 다르고, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하고,
    점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이 0.1N/25mm 이상, 2.3N/25mm 이하인 것을 사용하고,
    상기 다이싱·다이 본드 필름의 다이 접착용 접착제층(3a)상에 워크를 압착하는 공정,
    워크를 칩상으로 다이싱하는 공정,
    칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3a)과 함께 점착제층(2a)부터 박리하는 공정, 및
    다이 접착용 접착제층(3a)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 칩상 워크의 고정 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    워크의 두께가 100μm 미만인 것을 특징으로 하는 칩상 워크의 고정 방법.
  15. 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름을 이용한 칩상 워크의 고정 방법으로,
    상기 다이싱·다이 본드 필름으로서, 상기 다이 접착용 접착제층(3)이 점착제층(2)의 일부에 워크 부착 부분(3a)으로서 설치되어 있고, 상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력을 23℃에서 박리 각도 15°, 박리점 이동 속도 2.5mm/sec의 조건으로 측정했을 때, 점착제층(2)에서의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외의 부분(2b)에서 점착력이 다르고, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력을 만족하며,
    점착제층(2a)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이 0.1N/25mm 이상, 2.3N/25mm 이하인 것을 사용하고,
    상기 다이싱·다이 본드 필름의 다이 접착용 접착제층(3a)상에 워크를 압착하는 공정,
    워크를 칩상으로 다이싱하는 공정,
    칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3a)과 함께 점착제층(2a)으로부터 박리하는 공정, 및
    다이 접착용 접착제층(3a)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 칩상 워크의 고정 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    워크의 두께가 100μm 미만인 것을 특징으로 하는 칩상 워크의 고정 방법.
  17. 제 13 항에 따른 칩상 워크의 고정 방법에 의해, 다이 접착용 접착제(3a)를 통해 칩상 워크가 반도체 소자에 접착 고정된 반도체 장치.
  18. 제 15 항에 따른 칩상 워크의 고정 방법에 의해, 다이 접착용 접착제(3a)를 통해 칩상 워크가 반도체 소자에 접착 고정된 반도체 장치.
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